JP2000225634A - 樹脂封止用金型 - Google Patents
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】パッケージの離型の円滑化を図り、かつ、樹脂
の残留防止に有効な樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】樹脂封止用金型を構成する下型（１０４）
の表面のうち、リードフレーム（１２）の外部リード
（１８）が載置される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面
加工を施して鏡面領域（２２）を形成し、該鏡面領域
（２２）以外の部分に放電加工を施して梨地領域（２
４）を形成する。
の残留防止に有効な樹脂封止用金型を提供する。 【解決手段】樹脂封止用金型を構成する下型（１０４）
の表面のうち、リードフレーム（１２）の外部リード
（１８）が載置される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面
加工を施して鏡面領域（２２）を形成し、該鏡面領域
（２２）以外の部分に放電加工を施して梨地領域（２
４）を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止用金型に
関し、特に、パッケージの離型の円滑化を図り、かつ、
樹脂の残留防止に有効な樹脂封止用金型に関する。
関し、特に、パッケージの離型の円滑化を図り、かつ、
樹脂の残留防止に有効な樹脂封止用金型に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の外観を構成するパッケージ
は、従来、次のように形成されていた。まず、キャビテ
ィを有する樹脂封止用金型をリードフレーム上の樹脂封
止領域に配置する。その後、該キャビティ内に樹脂を充
填し、続いて、該充填した樹脂を加熱硬化させてパッケ
ージを形成する。
は、従来、次のように形成されていた。まず、キャビテ
ィを有する樹脂封止用金型をリードフレーム上の樹脂封
止領域に配置する。その後、該キャビティ内に樹脂を充
填し、続いて、該充填した樹脂を加熱硬化させてパッケ
ージを形成する。
【０００３】ここで、上記樹脂封止用金型のキャビティ
の表面は、パッケージの円滑な離型を実現するために、
梨地状に形成される。このような梨地表面は、キャビテ
ィ表面への放電加工やサンドブラストによって形成する
ことができる。梨地表面を有するキャビティについて
は、特開平６−１４３３６０号公報に詳細な説明があ
る。
の表面は、パッケージの円滑な離型を実現するために、
梨地状に形成される。このような梨地表面は、キャビテ
ィ表面への放電加工やサンドブラストによって形成する
ことができる。梨地表面を有するキャビティについて
は、特開平６−１４３３６０号公報に詳細な説明があ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
キャビティの表面が梨地状の金型を用いて、ＳＯＮ（Ｓ
ｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）や
ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）
等の外部リードが底面から露呈したパッケージを形成す
ると、該露呈した外部リードの表面に樹脂が残留し、実
装時に接続不良を起こすおそれがあった。
キャビティの表面が梨地状の金型を用いて、ＳＯＮ（Ｓ
ｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）や
ＱＦＮ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ）
等の外部リードが底面から露呈したパッケージを形成す
ると、該露呈した外部リードの表面に樹脂が残留し、実
装時に接続不良を起こすおそれがあった。
【０００５】そこで、本発明は、パッケージの離型の円
滑化を図り、かつ、樹脂の残留防止に有効な樹脂封止用
金型を提供することを目的とする。
滑化を図り、かつ、樹脂の残留防止に有効な樹脂封止用
金型を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１記載の発明は、半導体チップ（１０）を搭
載したリードフレーム（１２）の該搭載部を収容するキ
ャビティ（１４）を具備し、該半導体チップ（１０）の
樹脂封止に使用される樹脂封止金型において、前記キャ
ビティ（１４）は、前記リードフレーム（１２）の外部
リード（１８）を載置する外部リード載置領域（２０）
と、前記外部リード載置領域（２０）の周囲を取り囲ん
で形成された鏡面領域（２２）と、前記外部リード載置
領域（２０）および前記鏡面領域（２２）以外の少なく
とも一部に形成された梨地領域（２４）とを具備するこ
とを特徴とする。
め、請求項１記載の発明は、半導体チップ（１０）を搭
載したリードフレーム（１２）の該搭載部を収容するキ
ャビティ（１４）を具備し、該半導体チップ（１０）の
樹脂封止に使用される樹脂封止金型において、前記キャ
ビティ（１４）は、前記リードフレーム（１２）の外部
リード（１８）を載置する外部リード載置領域（２０）
と、前記外部リード載置領域（２０）の周囲を取り囲ん
で形成された鏡面領域（２２）と、前記外部リード載置
領域（２０）および前記鏡面領域（２２）以外の少なく
とも一部に形成された梨地領域（２４）とを具備するこ
とを特徴とする。
【０００７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の発明において、前記鏡面領域（２２）は、前記外部
リード載置領域（２０）の周囲を０．１ｍｍ以上覆うこ
とを特徴とする。
載の発明において、前記鏡面領域（２２）は、前記外部
リード載置領域（２０）の周囲を０．１ｍｍ以上覆うこ
とを特徴とする。
【０００８】
【発明の実施の形態】（発明の概要）本発明の特徴は、
外部リードを載置する領域に鏡面を形成して、該外部リ
ードへの樹脂の付着を防止するとともに、パッケージの
壁面を象る部分の少なくとも一部に梨地を形成して、離
型の円滑化を防止することにある。
外部リードを載置する領域に鏡面を形成して、該外部リ
ードへの樹脂の付着を防止するとともに、パッケージの
壁面を象る部分の少なくとも一部に梨地を形成して、離
型の円滑化を防止することにある。
【０００９】（発明プロセス）本発明者らは、以下に示
すプロセスを通して、上記従来の課題を解決し得る本発
明を完成させるに至った。
すプロセスを通して、上記従来の課題を解決し得る本発
明を完成させるに至った。
【００１０】まず、本発明者らは、従来の金型構造を詳
細に検討し、外部リードに樹脂が残留する原因を明らか
にした。この樹脂が残留する原因を図面を用いて説明す
ると、次のようになる。尚、ここでは、発明のプロセス
に直接関連する部分のみを説明し、当該図面に示す構成
の詳細は後述する。
細に検討し、外部リードに樹脂が残留する原因を明らか
にした。この樹脂が残留する原因を図面を用いて説明す
ると、次のようになる。尚、ここでは、発明のプロセス
に直接関連する部分のみを説明し、当該図面に示す構成
の詳細は後述する。
【００１１】図１は、従来の金型構造と外部リードへの
樹脂付着との関係を示す断面図である。同図に示すよう
に、従来の金型を用いた場合には、外部リード１８が梨
地領域２４の上に載置されるため、該外部リード１８と
金型との間に微細な空間が発生する。このような状態で
樹脂封止を行うと、キャビティ１４内に注入した封止樹
脂が前記微細な空間、即ち、同図中矢印で示した部分に
侵入して外部リード１８の表面に付着する。その後、金
型１００を加熱して樹脂を硬化させると、外部リード１
８に付着した樹脂がそのまま硬化して、金型１００を外
した後も外部リード１８に残留する。そして、この残留
樹脂が実装時の接触不良を引き起こす原因となる。
樹脂付着との関係を示す断面図である。同図に示すよう
に、従来の金型を用いた場合には、外部リード１８が梨
地領域２４の上に載置されるため、該外部リード１８と
金型との間に微細な空間が発生する。このような状態で
樹脂封止を行うと、キャビティ１４内に注入した封止樹
脂が前記微細な空間、即ち、同図中矢印で示した部分に
侵入して外部リード１８の表面に付着する。その後、金
型１００を加熱して樹脂を硬化させると、外部リード１
８に付着した樹脂がそのまま硬化して、金型１００を外
した後も外部リード１８に残留する。そして、この残留
樹脂が実装時の接触不良を引き起こす原因となる。
【００１２】ここで、キャビティ１４の表面に形成され
た梨地領域２４は、パッケージの離型を円滑に行うため
の重要な構成要素であり、可能な限り多く形成すること
が望まれる。従って、このような梨地領域２４を残した
まま、外部リードに対する樹脂の付着を防止する必要が
ある。
た梨地領域２４は、パッケージの離型を円滑に行うため
の重要な構成要素であり、可能な限り多く形成すること
が望まれる。従って、このような梨地領域２４を残した
まま、外部リードに対する樹脂の付着を防止する必要が
ある。
【００１３】本発明者らは、このような観点に基づいて
創作行為を繰り返し、パッケージの離型の円滑化を図
り、かつ、樹脂の残留防止に有効な構成を見出した。以
下、この特徴ある新規な構成を詳細に説明する。
創作行為を繰り返し、パッケージの離型の円滑化を図
り、かつ、樹脂の残留防止に有効な構成を見出した。以
下、この特徴ある新規な構成を詳細に説明する。
【００１４】（第１の形態）図２は、本発明に係る樹脂
封止用金型の構成を示す断面図である。以下、同図に基
づいて、本発明に係る樹脂封止用金型の構成を説明す
る。
封止用金型の構成を示す断面図である。以下、同図に基
づいて、本発明に係る樹脂封止用金型の構成を説明す
る。
【００１５】金型１００は、リードフレーム１２上に搭
載された半導体チップ１０の樹脂封止に使用する樹脂封
止用金型であり、その内部には、リードフレーム１２の
半導体チップ搭載部を収容するキャビティ１４が設けら
れる。半導体チップ１０のリードフレーム１２への接続
は、同図に示すように、例えば、ワイヤー２６を用いて
行う。樹脂封止を行う際には、このキャビティ１４内
に、封止用の樹脂が充填される。この金型１００は、同
図に示すように、上型１０２と下型１０４のペアで構成
することが望ましく、このように構成した場合には、リ
ードフレーム１２が上型１０２と下型１０４の間で挟持
される。
載された半導体チップ１０の樹脂封止に使用する樹脂封
止用金型であり、その内部には、リードフレーム１２の
半導体チップ搭載部を収容するキャビティ１４が設けら
れる。半導体チップ１０のリードフレーム１２への接続
は、同図に示すように、例えば、ワイヤー２６を用いて
行う。樹脂封止を行う際には、このキャビティ１４内
に、封止用の樹脂が充填される。この金型１００は、同
図に示すように、上型１０２と下型１０４のペアで構成
することが望ましく、このように構成した場合には、リ
ードフレーム１２が上型１０２と下型１０４の間で挟持
される。
【００１６】外部リード載置領域２０は、キャビティ１
４の表面のうち、リードフレーム１２の外部リード１８
を載置する部分であり、この部分は、外部リード１８と
の密着性を高めるために、表面を平坦にする。好ましく
は、鏡面加工を施して、その平坦性を向上させ、外部リ
ード１８との密着性をより高める。このような構造によ
り、外部リード１８の底面への樹脂の侵入が防止され
る。
４の表面のうち、リードフレーム１２の外部リード１８
を載置する部分であり、この部分は、外部リード１８と
の密着性を高めるために、表面を平坦にする。好ましく
は、鏡面加工を施して、その平坦性を向上させ、外部リ
ード１８との密着性をより高める。このような構造によ
り、外部リード１８の底面への樹脂の侵入が防止され
る。
【００１７】鏡面領域２２は、外部リード載置領域２０
の周囲を取り囲んで形成され、その表面には、鏡面加工
が施される。このように、外部リード載置領域２０の周
囲に鏡面加工を施しておくと、外部リード１８の載置位
置が多少ずれた場合でも、外部リード１８は、鏡面領域
２２上に載置されるため、外部リード１８の密着性が保
たれる。このような観点からすると、鏡面領域２２は、
金型の位置決め誤差を考慮して設定することが好まし
い。通常は、外部リード載置領域２０の周囲を０．１ｍ
ｍ以上覆う形状が好適である。より好ましくは、この鏡
面領域２２と前記外部リード載置領域２０とを連続した
鏡面で一体形成する。
の周囲を取り囲んで形成され、その表面には、鏡面加工
が施される。このように、外部リード載置領域２０の周
囲に鏡面加工を施しておくと、外部リード１８の載置位
置が多少ずれた場合でも、外部リード１８は、鏡面領域
２２上に載置されるため、外部リード１８の密着性が保
たれる。このような観点からすると、鏡面領域２２は、
金型の位置決め誤差を考慮して設定することが好まし
い。通常は、外部リード載置領域２０の周囲を０．１ｍ
ｍ以上覆う形状が好適である。より好ましくは、この鏡
面領域２２と前記外部リード載置領域２０とを連続した
鏡面で一体形成する。
【００１８】梨地領域２４は、外部リード載置領域２０
および鏡面領域２２以外の少なくとも一部に形成され、
パッケージの離型に寄与する。離型力の向上という観点
からすれば、梨地領域２４を可能な限り多く形成するこ
とが好ましく、より好ましくは、同図に示すように、外
部リード載置領域２０および鏡面領域２２以外のすべて
の部分に形成する。梨地は、キャビティ１４表面への放
電加工やサンドブラストによって形成できる。
および鏡面領域２２以外の少なくとも一部に形成され、
パッケージの離型に寄与する。離型力の向上という観点
からすれば、梨地領域２４を可能な限り多く形成するこ
とが好ましく、より好ましくは、同図に示すように、外
部リード載置領域２０および鏡面領域２２以外のすべて
の部分に形成する。梨地は、キャビティ１４表面への放
電加工やサンドブラストによって形成できる。
【００１９】図３は、ＳＯＮ型パッケージの形成に適し
た下型１０４の表面形状を示す上面図である。同図に示
すように、ＳＯＮ型パッケージを形成する場合には、該
パッケージの外部リード形状に対応した外部リード載置
領域２０を下型１０４の外周部表面上に設定し、その周
囲に鏡面領域２２を好ましくは０．１ｍｍ以上形成す
る。そして、梨地領域２４を鏡面領域２２の外側全体に
形成し、離型力を向上させる。
た下型１０４の表面形状を示す上面図である。同図に示
すように、ＳＯＮ型パッケージを形成する場合には、該
パッケージの外部リード形状に対応した外部リード載置
領域２０を下型１０４の外周部表面上に設定し、その周
囲に鏡面領域２２を好ましくは０．１ｍｍ以上形成す
る。そして、梨地領域２４を鏡面領域２２の外側全体に
形成し、離型力を向上させる。
【００２０】図４は、ＱＦＮ型パッケージの形成に適し
た下型１０４の表面形状を示す上面図である。同図に示
すように、ＱＦＮ型パッケージを形成する場合には、該
パッケージの外部リード形状に対応した外部リード載置
領域２０を下型１０４の外周部表面上に設定し、該外部
リード載置領域２０のすべてを含む範囲にドーナツ状の
鏡面領域２２を形成する。そして、該鏡面領域２２の内
側、即ち、下型１０４の中央部表面上に梨地領域２４を
形成する。
た下型１０４の表面形状を示す上面図である。同図に示
すように、ＱＦＮ型パッケージを形成する場合には、該
パッケージの外部リード形状に対応した外部リード載置
領域２０を下型１０４の外周部表面上に設定し、該外部
リード載置領域２０のすべてを含む範囲にドーナツ状の
鏡面領域２２を形成する。そして、該鏡面領域２２の内
側、即ち、下型１０４の中央部表面上に梨地領域２４を
形成する。
【００２１】以上説明したように構成される本発明によ
れば、リードフレーム１２の外部リード１８は、金型の
平坦な領域に載置され、かつ、キャビティ１４の表面に
は、梨地領域２４が形成されているため、離型力の向上
と外部リード１８の底面への樹脂の侵入防止を図ること
ができる。その結果、パッケージ形成後の樹脂の残留が
低減し、外部リード１８の接続不良が発生しにくい半導
体装置を得ることができる。
れば、リードフレーム１２の外部リード１８は、金型の
平坦な領域に載置され、かつ、キャビティ１４の表面に
は、梨地領域２４が形成されているため、離型力の向上
と外部リード１８の底面への樹脂の侵入防止を図ること
ができる。その結果、パッケージ形成後の樹脂の残留が
低減し、外部リード１８の接続不良が発生しにくい半導
体装置を得ることができる。
【００２２】
【実施例】（要約）樹脂封止用金型を構成する下型１０
４の表面のうち、リードフレーム１２の外部リード１８
が載置される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面加工を施
して鏡面領域２２を形成し、該鏡面領域２２以外の部分
に放電加工を施して梨地領域２４を形成する（図５参
照）。
４の表面のうち、リードフレーム１２の外部リード１８
が載置される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面加工を施
して鏡面領域２２を形成し、該鏡面領域２２以外の部分
に放電加工を施して梨地領域２４を形成する（図５参
照）。
【００２３】（好適な実施例）以上の説明を参照すれ
ば、本発明に係る樹脂封止用金型の構造は十分理解でき
ると考える。従って、ここでは、当該金型を用いて半導
体装置のパッケージを形成する方法の具体例を述べる。
ば、本発明に係る樹脂封止用金型の構造は十分理解でき
ると考える。従って、ここでは、当該金型を用いて半導
体装置のパッケージを形成する方法の具体例を述べる。
【００２４】図５は、本発明の好適な実施例に係るパッ
ケージ形成方法の第１工程を示す断面図である。同図に
示すように、半導体装置のパッケージを形成する場合に
は、まず、リードフレーム１２の外部リード１８が載置
される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面加工を施して鏡
面領域２２を形成するとともに、この鏡面領域以外の部
分に放電加工を施して梨地領域２４を形成した下型１０
４を用意する。そして、半導体チップ１０を搭載したリ
ードフレーム１２をこの下型１０４の上方に位置決め
し、該リードフレーム１２の外部リード１８を下型１０
４の表面に形成した鏡面領域２２上に載置する。このと
き、外部リード１８が梨地領域２４上に載置されないよ
うに注意する。
ケージ形成方法の第１工程を示す断面図である。同図に
示すように、半導体装置のパッケージを形成する場合に
は、まず、リードフレーム１２の外部リード１８が載置
される領域とその周囲０．１ｍｍに鏡面加工を施して鏡
面領域２２を形成するとともに、この鏡面領域以外の部
分に放電加工を施して梨地領域２４を形成した下型１０
４を用意する。そして、半導体チップ１０を搭載したリ
ードフレーム１２をこの下型１０４の上方に位置決め
し、該リードフレーム１２の外部リード１８を下型１０
４の表面に形成した鏡面領域２２上に載置する。このと
き、外部リード１８が梨地領域２４上に載置されないよ
うに注意する。
【００２５】図６は、本発明の好適な実施例に係るパッ
ケージ形成方法の第２工程を示す断面図である。次に、
上型１０２を下型１０４上に載置したリードフレーム１
２の上方に位置決めし、その後、該上型１０２の周壁部
分を外部リード１８の上面に載置する。
ケージ形成方法の第２工程を示す断面図である。次に、
上型１０２を下型１０４上に載置したリードフレーム１
２の上方に位置決めし、その後、該上型１０２の周壁部
分を外部リード１８の上面に載置する。
【００２６】図７は、本発明の好適な実施例に係るパッ
ケージ形成方法の第３工程を示す断面図である。続い
て、樹脂注入用のポット３０を下型１０４の樹脂注入口
２８の下方に配設し、上型１０２と下型１０４の間に形
成されたキャビティ１４内に樹脂を充填する。その後、
上型１０２を加熱して、キャビティ１４内に充填した樹
脂を硬化し、樹脂が硬化したら上型１０２および下型１
０４をリードフレーム１２から取り外す。
ケージ形成方法の第３工程を示す断面図である。続い
て、樹脂注入用のポット３０を下型１０４の樹脂注入口
２８の下方に配設し、上型１０２と下型１０４の間に形
成されたキャビティ１４内に樹脂を充填する。その後、
上型１０２を加熱して、キャビティ１４内に充填した樹
脂を硬化し、樹脂が硬化したら上型１０２および下型１
０４をリードフレーム１２から取り外す。
【００２７】上記一連の工程を経て、リードフレーム１
２上に半導体装置のパッケージが形成される。その後、
該パッケージから突出した余分な外部リードを切断し
て、外部リードがパッケージの底面から露呈した底面露
呈型の半導体装置を得る。
２上に半導体装置のパッケージが形成される。その後、
該パッケージから突出した余分な外部リードを切断し
て、外部リードがパッケージの底面から露呈した底面露
呈型の半導体装置を得る。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パッケージの離型の円滑化を図り、かつ、樹脂の残留防
止に有効な樹脂封止用金型を提供することができる。
パッケージの離型の円滑化を図り、かつ、樹脂の残留防
止に有効な樹脂封止用金型を提供することができる。
【００２９】また、本発明によれば、リードフレーム１
２の外部リード１８は、金型の平坦な領域に載置され、
かつ、キャビティ１４の表面には、梨地領域２４が形成
されているため、離型力の向上と外部リード１８の底面
への樹脂の侵入防止を図ることができる。その結果、パ
ッケージ形成後の樹脂の残留が低減し、外部リード１８
の接続不良が発生しにくい半導体装置を得ることができ
る。
２の外部リード１８は、金型の平坦な領域に載置され、
かつ、キャビティ１４の表面には、梨地領域２４が形成
されているため、離型力の向上と外部リード１８の底面
への樹脂の侵入防止を図ることができる。その結果、パ
ッケージ形成後の樹脂の残留が低減し、外部リード１８
の接続不良が発生しにくい半導体装置を得ることができ
る。
【図１】従来の金型構造と外部リードへの樹脂付着との
関係を示す断面図である。
関係を示す断面図である。
【図２】本発明に係る樹脂封止用金型の構成を示す断面
図である。
図である。
【図３】ＳＯＮ型パッケージの形成に適した下型１０４
の表面形状を示す上面図である。
の表面形状を示す上面図である。
【図４】ＱＦＮ型パッケージの形成に適した下型１０４
の表面形状を示す上面図である。
の表面形状を示す上面図である。
【図５】本発明の好適な実施例に係るパッケージ形成方
法の第１工程を示す断面図である。
法の第１工程を示す断面図である。
【図６】本発明の好適な実施例に係るパッケージ形成方
法の第２工程を示す断面図である。
法の第２工程を示す断面図である。
【図７】本発明の好適な実施例に係るパッケージ形成方
法の第３工程を示す断面図である。
法の第３工程を示す断面図である。
１０…半導体チップ、１２…リードフレーム、１４…キ
ャビティ、１８…外部リード、２０…外部リード載置領
域、２２…鏡面領域、２４…梨地領域、２６…ワイヤ
ー、２８…樹脂注入口、３０…ポット、３２…封止樹
脂、１００…金型、１０２…上型、１０４…下型
ャビティ、１８…外部リード、２０…外部リード載置領
域、２２…鏡面領域、２４…梨地領域、２６…ワイヤ
ー、２８…樹脂注入口、３０…ポット、３２…封止樹
脂、１００…金型、１０２…上型、１０４…下型
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F202 AF14 AM10 AM32 CA11 CB01 CB17 CD08 CD22 CP08 CS02 CS04 4F206 AF14 AM10 AM32 JA07 JB17 JF05 JQ81 5F061 AA01 BA01 CA21 DA01 DA06
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップ（１０）を搭載したリード
フレーム（１２）の該搭載部を収容するキャビティ（１
４）を具備し、該半導体チップ（１０）の樹脂封止に使
用される樹脂封止金型において、 前記キャビティ（１４）は、 前記リードフレーム（１２）の外部リード（１８）を載
置する外部リード載置領域（２０）と、 前記外部リー
ド載置領域（２０）の周囲を取り囲んで形成された鏡面
領域（２２）と、 前記外部リード載置領域（２０）および前記鏡面領域
（２２）以外の少なくとも一部に形成された梨地領域
（２４）とを具備することを特徴とする樹脂封止用金
型。 - 【請求項２】 前記鏡面領域（２２）は、 前記外部リード載置領域（２０）の周囲を０．１ｍｍ以
上覆うことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止用金
型。
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| US09/495,905 US6276913B1 (en) | 1999-02-05 | 2000-02-02 | Mold for resin sealing |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02883699A JP3540185B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 樹脂封止用金型 |
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|---|---|
| JP2000225634A true JP2000225634A (ja) | 2000-08-15 |
| JP3540185B2 JP3540185B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=12259470
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP02883699A Expired - Fee Related JP3540185B2 (ja) | 1999-02-05 | 1999-02-05 | 樹脂封止用金型 |
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- 1999-02-05 JP JP02883699A patent/JP3540185B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-02-02 US US09/495,905 patent/US6276913B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| US6276913B1 (en) | 2001-08-21 |
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