JPH10506226A - オフセット・ワイヤ・ボンディング及びサポート・ブロック・キャビティを使用する両面ワイヤ・ボンディング集積回路チップ・パッケージの製造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 ダイ・パッド（２５）とそのダイ・パッドに対応する１組のリード・フィンガ（４０、４２）とを有するリードフレーム（２０）上に両面チップ・パッケージを構築するための方法を開示する。集積回路ダイを受け入れ、各リード・フィンガを支持し、前に形成したワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング（５６、５８、９４、９６）用のクリアランスとなる、キャビティ（１２０、３２０）を有するサポート・ブロック（１１８、１２２）でリードフレームを支持しながら、集積回路ダイ（５０、９０）をダイ・パッドの両面にそれぞれ配置する。その後、両面集積回路ダイと、ダイ・パッドと、ワイヤ・ボンディングとを含む各アセンブリの周りに１ステップのプラスチック・モールド（６６）を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】 オフセット・ワイヤ・ボンディング及びサポート・ブロック・キャビティ を使用する両面ワイヤ・ボンディング集積回路チップ・パッケージの製造 発明の背景 １．発明の分野： 本発明は、集積回路ダイ・パッケージの分野に関する。より具体的には、本発 明は、オフセット・ワイヤ・ボンディングを備えたワイヤ・ボンディング・プロ セス技術と、スティッチ・ボンディングをサポートするためのキャビティを備え たサポート・ブロックとを使用する両面集積回路チップ・パッケージを作成する ことに関する。 ２．技術の背景： 一般に、集積回路ダイを保持するためにプラスチックのチップ・パッケージを 使用する。典型的な従来のプラスチック・パッケージは、金属リードフレームの １セクションの上に構築される。各リードフレーム・セクションは、集積回路ダ イを取り付けるためのダイ・パッドになる。また、各リードフレーム・セクショ ンは、対応する集積回路ダイと外部回路との電気接続のための１組のリード・フ ィンガになる。このようなプラスチック・パッケージは、集積回路ダイを保護し 、パッケージから延びるリード・フィンガにより集積回路ダイへの電気接続を可 能にする。 このような従来のプラスチック・チップ・パッケージは、通常、パッケージ当 たり集積回路ダイを１つずつ含む。集積回路ダイは、一般に、ダイ・パッドの一 方の面に取り付けられる。集積回路は、通常、ダイ・パッドの上面または底面の いずれかに取り付けられる。また、ダイ・パッドに取り付けられた集積回路ダイ は、通常、対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディングされる。ダイ・パ ッドと集積回路ダイとワイヤ・ボンディングは、通常、プラスチック射出成形に よる成形化合物またはグロブ・トップ（glob top）で封止されている。 集積回路チップ・パッケージの効用は、２つまたはそれ以上の集積回路ダイを １つのチップ・パッケージ内に封入することによって高めることができる。たと えば、１つの集積回路ダイ・パッケージに２つのメモリ・チップを含めると、そ のメモリ・チップを含むプリント回路基板の面積を増加させずに、メモリ・シス テムの密度を２倍にすることができる。もう１つの例としては、１つの集積回路 ダイ・パッケージの一面にマイクロコントローラまたはプロセッサを含め、もう 一方の面にメモリ・チップを含めるという方法もある。 このような両面集積回路チップ・パッケージを構築するための従来の製造技法 では、通常、テープ自動ボンディング（ＴＡＢ）技法を使用する。残念ながら、 一般にＴＡＢ技法では、集積回路ダイに金の信号パッド構造を形成する必要があ る。金の構造を形成することによって、このような両面チップ・パッケージのコ ストが高くなる。さらに、ＴＡＢ技法では、通常、製造プロセス用としてギャン グ・ボンディング装置が必要である。このようなギャング・ボンディング装置は 、このような両面パッケージの製造コストが大幅に増大する。さらに、現在のＴ ＡＢ技法は、従来のワイヤ・ボンディング技法ほど信頼性が高くない可能性があ る。 発明の概要および目的 本発明の一目的は、同様または異なる寸法を有し、同様または異なる機能を実 行する２つまたはそれ以上の集積回路チップを含む両面集積回路チップ・パッケ ージを提供することにある。 本発明の他の目的は、各パッケージごとに単一のプラスチック成形ステップを 含む、両面集積回路チップ・パッケージを製造するための方法を提供することに ある。 本発明の他の目的は、リードフレームの両面にオフセット・スティッチ・ワイ ヤ・ボンディングを使用する両面集積回路チップ・パッケージを提供することに ある。 本発明の他の目的は、ダイ取付けおよびワイヤ・ボンディング・プロセス・ス テップ中に集積回路ダイを受け入れるキャビティを有するサポート・ブロックを 使用する、両面集積回路チップ・パッケージを製造するための方法を提供するこ とにある。 本発明の他の目的は、新たに形成するスティッチ・ボンディングをサポートし ながら、前に形成したスティッチ・ボンディング用の余裕を与えるキャビティを 有するサポートまたはクランプ・ブロックを使用する、両面集積回路チップ・パ ッケージを製造するための方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、ワイヤ・ボンディング・ステップ中の振動を低減し、ボ ンディング・パッドのボンディング・クレータやダイ・クラックなどの欠陥を防 止するかまたは最小限にするような、両面集積回路チップ・パッケージを製造す るための方法を提供することにある。 他の目的は、装置当たりの機能性を増し、結果として得られるパッケージの信 頼性を高めることにより、生産装置の効率および使用率を高めることにある。 本発明の上記およびその他の目的は、両面チップ・パッケージを構築するため の方法によってもたらされる。一実施態様では、少なくとも１つのダイ・パッド とそのダイ・パッドに対応する１組のリード・フィンガとを有するリードフレー ムを形成する。ダイ・パッドの第１の面に集積回路ダイを取り付け、第１の面の ダイ取付けを硬化させる。次に、２面用集積回路ダイを受け入れるキャビティを 有するダイ表面無接点サポート・ブロックでリードフレームを支持しながらダイ ・パッドの第２の面に集積回路ダイを取り付け、第２の面のダイ取付けを硬化さ せる。１面用集積回路ダイを受け入れ各リード・フィンガの端部を支持するキャ ビティを有するサポートおよびクランプ・ブロックでリードフレームを支持しな がら、２面用集積回路ダイを対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディング する。２面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、 リードフレームの２面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング 用の余裕をもって各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するダイ表面 無接点サポート・ブロックでダイ・パッドを支持しながら１面用集積回路ダイを 対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディングする。たとえば、２面を先に ワイヤ・ボンディングし、１面を後でワイヤ・ボンディングするというように、 ワイヤ・ボンディングの手順は逆にすることができる。その後、第１および第２ の集積回路ダイと、ダイ・パッドと、ワイヤ・ボンディングとを含むアセンブリ の周りに、１ステップのプラスチック・モールドが形成される。 他の実施態様では、リードフレームを形成し、ダイ・パッドの第１の面に１面 用集積回路ダイを配置する。次に、平らなサポート・ブロックまたはキャビティ を有するサポート・ブロックのいずれかでリードフレームを支持しながら、１面 用集積回路ダイを対応するリード・フィンガの第１の面にワイヤ・ボンディング する。１面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングとを受け入れ るキャビティを有するサポートおよびクランプ・ブロックでリードフレームを支 持しながら、ダイ・パッドの第２の面に２面用集積回路ダイを配置する。次に、 キャビティを有するサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、２面 用集積回路ダイを対応するリード・フィンガの第２の面にワイヤ・ボンディング し、その後、第１および第２の集積回路ダイと、ダイ・パッドと、ワイヤ・ボン ディングとを含むアセンブリの周りに、１ステップのプラスチック・モールドを 形成する。ワイヤ・ボンディングの手順は逆転可能である。 本発明の上記以外の目的、特徴、利点は、添付図面ならびに以下に示す詳細な 説明から明らかになるだろう。 図面の簡単な説明 限定ではなく、一例として、本発明を添付図面に図示するが、同図では同様の 参照番号は同様の要素を示すものとする。 第１図は、一実施形態として集積回路ダイ用の取付けプラットフォームとなる １組のダイ・パッドを形成するリードフレームの一面を示す平面図である。 第２図は、ダイ・パッドに取り付けられた集積回路への電気結合を可能にする ためのダイ・パッドとそれに対応するリード・フィンガとを示す、リードフレー ムの平面図である。 第３図は、一実施形態としてダイ・パッドのそれぞれに両面ワイヤ・ボンディ ング・プラスチック・チップ・パッケージを形成するために適用される一連のプ ロセス・ステップを示す流れ図である。 第４図は、接着層を使用してダイ・パッドの１面に取り付けられた集積回路ダ イを示す、断面４−４におけるリードフレームの断面図である。 第５ａ図は、２面用ダイ取付中に１面用集積回路ダイ用の余裕となるサポート ・ブロックのキャビティを示す、リードフレームの断面４−４における断面図で ある。 第５ｂ図は、１面用集積回路ダイ用の余裕となるサポート・ブロックのキャビ ティを示し、２面用ワイヤ・ボンディング中のクランプ・ブロックを示す、リー ドフレームの断面４−４における断面図である。 第６図は、２面用集積回路ダイとリード・フィンガとのワイヤ・ボンディング を示す、リードフレームの断面６−６における断面図である。 第７図は、１面用集積回路ダイとリードフレームのリード・フィンガとのワイ ヤ・ボンディングを示す、リードフレームの断面６−６における断面図である。 第８図は、サポート・ブロック・キャビティの位置を示し、各集積回路ダイの 一方の端部のみがワイヤ・ボンディングされた状態の、１面用および２面用集積 回路ダイと、ダイ・パッド上に形成された対応するワイヤ・ボンディングとを含 む両面集積回路アセンブリの底面図である。 第９図は、単一ステップ射出成形中に射出成形プレス内に位置決めされたリー ドフレーム上の集積回路ダイ・アセンブリの断面図である。 第１０図は、ダイ・パッドの両面に取り付けられ、プラスチック・モールドに よって封入された１面用および２面用集積回路ダイを含む両面プラスチック・チ ップ・パッケージの断面図である。 第１１図は、他の実施形態としてダイ・パッドのそれぞれに両面プラスチック ・チップ・パッケージを形成するためにリードフレームに適用される一連のプロ セス・ステップを示す図である。 第１２図は、平らなサポート・ブロック上に取り付けられたリードフレームを 示す、断面６−６におけるリードフレームの断面図である。 詳細な説明 第１図は、リードフレーム２０の一方の面を示す平面図である。リードフレー ム２０の一方の面を以下１面と呼び、リードフレーム２０のもう一方の面を２面 と呼ぶ。リードフレーム２０は１組のダイ・パッド２２〜２９を形成する。ダイ ・パッド２２〜２９は集積回路ダイ用の取付けプラットフォームとなる。また、 リードフレーム２０は、ダイ・パッド２２〜２９のそれぞれに対応する１組のリ ード・フィンガも形成している。 リードフレーム形成ステップ中、ダイ・パッド２２〜２９とそれに対応するリ ード・フィンガはリードフレーム２０にエッチングされる。あるいは、ダイ・パ ッド２２〜２９とそれに対応するリード・フィンガをリードフレーム２０に刻印 することもできる。 リードフレーム２０は、鋼または銅から構築することが好ましい。鋼または銅 材は、シリコンおよびプラスチックとの相互作用特性のために選択されたもので ある。一実施形態のリードフレーム２０は、通常、５ミルの厚さになっている。 位置合せ穴２１などの１組の位置合せ穴を使用して、チップ・パッケージ製造 プロセス中にリードフレーム２０を正確に位置決めする。 第２図は、リードフレーム２０の平面図であり、ダイ・パッド２４および２５ とそれに対応するリード・フィンガとを示している。１組のリード・フィンガ２ ８と１組のリード・フィンガ３０がダイ・パッド２４に対応している。リード・ フィンガ２８および３０により、ダイ・パッド２４に取り付けられた集積回路ダ イへの電気結合が可能になる。１組のリード・フィンガ４０と１組のリード・フ ィンガ４２により、ダイ・パッド２５に取り付けられた集積回路ダイへの電気結 合が可能になる。 リードフレーム・メッキ・ステップ中、ダイ・パッド２２〜２９の両面に銀メ ッキを付着させる。ダイ・パッド２２〜２９に対応するリード・フィンガの先端 の両面にもスポット銀メッキを付着させる。 たとえば、リード・フィンガ２８の領域３２と、リード・フィンガ３０の領域 ３４に沿って、スポット銀メッキを付着させる。同様に、リード・フィンガ４０ の領域３３と、リード・フィンガ４２の領域３５に沿って、スポット銀メッキを 付着させる。 この銀メッキは、リードフレーム２０の１面に施し、次に２面に施すことがで きる。あるいは、リードフレーム２０の１面と２面の両方に同時に銀メッキを施 すこともできる。 ダイ・パッド２２〜２９に銀メッキを施すと、集積回路ダイとダイ・パッド２ ２〜２９との熱伝導ならびに電気伝導が改善される。また、リード・フィンガの 先端に銀メッキを施すことにより、金の信号リードとリードフレーム２０とのワ イヤ・ボンディングが可能になる。あるいは、リードフレーム２０と成形化合物 との密着性を高めるために、ダイ・パッド２２〜２９でのメッキ・ステップを省 略することもできる。 ダイ・パッド２２〜２９ならびにリード・フィンガに銀メッキを施すことによ り、リードフレーム・メッキ・ステップが簡略化される。リード・フィンガとと もにダイ・パッド２２〜２９にメッキを施さない場合、ダイ・パッド２２〜２９ 用に個別のマスキングが必要である。 銀メッキに代わるものとして、ダイ・パッド２２〜２９とそれに対応するリー ド・フィンガの先端に金メッキまたはパラジウム・メッキを付着させることもで きる。 一実施形態では、各ダイ・パッド２２〜２９を延長し、リードフレーム２０の ダイ・パッド２２〜２９のそれぞれに１組のガイド・ピン・ホールを形成する。 各ダイ・パッド２２〜２９のガイド・ピン・ホールは、リードフレーム２０への ダイ取付けおよびワイヤ・ボンディング・ステップ中にダイ・パッド２２〜２９ の構造上のサポートとなる。たとえば、ダイ・パッド２５には１組のガイド・ピ ン・ホール３００〜３０５を形成する。ガイド・ピン・ホール３００〜３０５は 、対応するサポート・ブロックのガイド・ピンを受け入れ、ダイ・パッド２５に 両面集積回路ダイ・パッケージを形成する際のダイ取付けおよびワイヤ・ボンデ ィング・ステップ中に構造上のサポートとなる。 ガイド・ピン・ホール３００〜３０５により、ワイヤ・ボンディング中のダイ ・パッド２５の振動が低減され、大型の集積回路ダイを収容するチップ・パッケ ージの製造時のボンディング・クレータが防止される。集積回路ダイによっては 、 それをパッケージ化する際に、ガイド・ピン・ホール３００〜３０５とガイド・ ピンが不要なものもある。 第３図は、一実施形態としてリードフレーム２０に適用される一連のプロセス ・ステップ２００〜２１４を示す流れ図である。プロセス・ステップ２００〜２ １４は、ダイ・パッド２２〜２９のそれぞれに両面ワイヤ・ボンディングされた プラスチック・チップ・パッケージを形成するためにリードフレーム２０に適用 される。 プロセス・ステップ２００では、リードフレーム２０の１面上の各ダイ・パッ ド２２〜２９に集積回路ダイを取り付ける。一実施形態では、ダイ取付けとは、 接着共晶２１００テープ・タイプのプロセスに続いて必要に応じて適切な硬化を 行うことを意味する。 第４図は、プロセス・ステップ２００中のダイ・パッド２５の断面４−４にお けるリードフレーム２０の断面図である。集積回路ダイ５０は、接着層５２を使 用してダイ・パッド２５の１面に取り付けた状態で示されている。プロセス・ス テップ２００中、ダイ・パッド２５はサポート・ブロック１１８によって支持さ れている。他の実施形態のサポート・ブロック１１８は、ダイ取付けのプロセス ・ステップ２００中にガイド・ピン・ホール３００〜３０５が受け入れる１組の ガイド・ピン（図示せず）を含む。 ダイ・パッド２５のエッジ８６からエッジ８７まで測定したダイ・パッド２５ の寸法は、集積回路ダイ５０の通常の収容域を越えて延びている。延長ダイ・パ ッド２５は、ガイド・ピン・ホール３００〜３０５の配置に対応する。一実施形 態では、集積回路ダイ５０のエッジ８４とダイ・パッド２５のエッジ８６との距 離ならびに集積回路ダイ５０のエッジ８５とダイ・パッド２５のエッジ８７との 距離は、１０〜３０ミル延びることができる。 集積回路ダイ５０のエッジ８４および８５を越えるダイ・パッド２５の延長部 分の量は、ダイ・パッド２５を収容する最終プラスチック・チップ・パッケージ の全体的な寸法に依存する。また、エッジ８６と８７との間のダイ・パッド２５ の延長部分の量は、プロセス・ステップ２１０のプラスチック・モールド中にリ ードフレーム２０の１面と２面との間をプラスチック・モールドが流れるように 制限される。 一実施形態では、ダイ取付け機を使用してダイ・パッド２２〜２９に集積回路 ダイを取り付けている。このダイ取付け機は、接着層５２を形成するためにダイ 取付けペーストを施し、次にダイ・パッド２５上に集積回路ダイ５０を配置し、 集積回路ダイ５０をリードフレーム２０に位置合せする。ダイ取付け機は、ダイ ・パッド２５上に配置する前にシリコン・ウェハから集積回路ダイ５０を取る。 一実施形態の接着層５２は、１８０℃という高温で硬化し、集積回路ダイ５０ にとって剛性サポートとなるような、エポキシ・ペーストである。 プロセス・ステップ２０２では、リードフレーム２０の２面上の各ダイ・パッ ド２２〜２９に集積回路ダイを取り付ける。第５ａ図は、プロセス・ステップ２ ０２時のリードフレーム２０の断面４−４における断面図を示す。プロセス・ス テップ２０２中、サポート・ブロック１１８のキャビティ１２０は集積回路ダイ ５０に対して余裕があり、リードフレーム２０はリードフレーム２０の末尾の一 方の側で真空によって所定の位置に保持される。集積回路ダイ９０は、接着層９ ２によってダイ・パッド２５の２面に付着された状態で示されている。 プロセス・ステップ２０４では、リードフレーム２０の１面に取り付けられた 集積回路ダイをリードフレーム２０の対応するリード・フィンガにワイヤ・ボン ディングする。リード・フィンガ４０は、ダイ・パッド２５に対応するリード・ フィンガ４４を含む。リード・フィンガ４２は、ダイ・パッド２５に対応するリ ード・フィンガ４６を含む。 第５ｂ図は、プロセス・ステップ２０４時のリードフレーム２０の断面４−４ における断面図を示す。１対のクランプ・ブロック１１０および１１２を使用し て、ダイ・パッド２５をクランプしている。他の実施形態のクランプ・ブロック １１０は、サポート・ブロック１１８のガイド・ピン（図示せず）を受け入れる ための１組の穴を含む。クランプ・ブロック１１０および１１２から得られるク ランプ力によって、集積回路ダイ９０へのワイヤ・ボンディング中にダイ・パッ ド２５の剛性が増し、振動が低減される。 さらに他の実施形態では、クランプ・ブロック１１０および１１２とともにサ ポート・ブロック１１８のガイド・ピン（図示せず）を使用して、ガイド・ピン 間でダイ・パッド２５を引く。ダイ・パッド２５を引くと、集積回路ダイ９０へ のワイヤ・ボンディング中に集積回路ダイ５０上に形成される信号パッドの振動 がさらに低減され、ボンディング・クレータが防止される。 さらに、接着層５２は、集積回路ダイ５０とあいまって、集積回路ダイ９０へ のワイヤ・ボンディング・ステップ中にさらに剛性を高めることになる。 第６図は、集積回路ダイ５０とリードフレーム２０のリード・フィンガ４４お よび４６とのワイヤ・ボンディングを示す、リードフレーム２０の断面６−６に おける断面図である。ワイヤ・ボンディング５６は、集積回路ダイ５０上の信号 パッド５４とリード・フィンガ４４との間に結合される。ワイヤ・ボンディング ５６は、リード・フィンガ４４の銀メッキ領域３３によりリード・フィンガ４４ に結合する。同様に、ワイヤ・ボンディング５８は、銀メッキ領域３５により信 号パッド３５とリード・フィンガ４６との間に結合される。 プロセス・ステップ２０４中、リード・フィンガ４４を含むリード・フィンガ ４０はサポート・ブロック１１８によって支持されている。さらに、リード・フ ィンガ４６を含むリード・フィンガ４２は、サポート・ブロック１１８によって 支持されている。また、サポート・ブロック１１８は、ワイヤ・ボンディング・ プロセス用の熱も供給する。ワイヤ・ボンディング・プロセス中の温度が高くな ると、ワイヤ・ボンディング・プロセス・ステップ中の振動を最小限に抑えるの に必要な力やエネルギーが減少する可能性がある。クランプ・ブロック１１０お よび１１２により、１面のワイヤ・ボンディング中の剛性が増し、振動が低減さ れる。 サポート・ブロック１１８の表面１３０と表面１３２との間のサポート・ブロ ック１１８のキャビティ１２０の幅は、リード・フィンガ４４および４６の端部 付近でワイヤ・ボンディング・サポートを形成できるように選択されている。表 面１３０の位置によってリード・フィンガ４４の端部８０付近を支持し、表面１ ３２の位置によってリード・フィンガ４６の端部８２付近を支持する。表面１３ ０と１３２との間のキャビティ１２０の幅は、端部８０および８２の付近にリー ド・フィンガ４４および４６へのスティッチ・ボンディングをそれぞれ形成でき るようにするためのサポートになる。 プロセス・ステップ２０６では、リードフレーム２０の２面上の集積回路ダイ をリードフレーム２０の対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディングする 。第７図は、集積回路ダイ９０とリード・フィンガ４４および４６とのワイヤ・ ボンディングを示す。ワイヤ・ボンディング９４は、リード・フィンガ４４上の 銀メッキ域７５により集積回路ダイ９０上の信号パッド９３とリード・フィンガ ４４との間に結合される。同様に、ワイヤ・ボンディング９６は、銀メッキ域７ ６により集積回路ダイ９０上の信号パッド９５とリード・フィンガ４６との間に 結合される。 プロセス・ステップ２０６中、リード・フィンガ４４および４６はサポート・ ブロック１２２によって支持されている。クランプ・ブロック１１０および１１ ２により、２面のワイヤ・ボンディング中の剛性が増し、振動が低減される。サ ポート・ブロック１２２は、集積回路ダイ５０とリード・フィンガ５６および５ ８とそれに対応するリード・フィンガ上のスティッチ・ボンディングの余裕を与 えるキャビティ３２０を形成する。サポート・ブロック１２２の表面１００と表 面１０２との間のキャビティ３２０の幅は、銀メッキ域３３および３５へのステ ィッチ・ボンディングのための余裕を与える。表面１００および１０２の位置に よって銀メッキ域７５および７６へのワイヤ・ボンディング９４および９６のス ティッチ・ボンディングを支持する。 ワイヤ・ボンディング９４および９６のスティッチ・ボンディングは、ワイヤ ・ボンディング５６および５８のスティッチ・ボンディングに比べ、リード・フ ィンガ４４および４６の端部８０および８２から離れた位置に形成されている。 表面１００と１０２との間のキャビティ３２０の寸法は、ワイヤ・ボンディング ９４および９６のスティッチ・ボンディングの下を支持すると同時にワイヤ・ボ ンディング５６および５８のスティッチ・ボンディングのための余裕を与えるよ うに選択されている。 あるいは、キャビティ３２０から得られるサポートの寸法は、サポート・ブロ ック１１８の表面１３０と表面１３２の位置を調整することによって得られる。 この代替実施形態のサポート・ブロック１１８は、リードフレーム２０のリード ・フィンガを支持し、キャビティ１２０の寸法を調整可能にするような、可動部 分を含む。 第８図は、集積回路ダイ５０および９０と、プロセス・ステップ２０６中にダ イ・パッド２５上に形成されたそれに対応するワイヤ・ボンディングとを含む両 面集積回路アセンブリの平面図である。サポート・ブロック１２２によって形成 された表面１００および１０２を含むキャビティ３２０の垂直表面を示す輪郭１ ０６とともに、ガイド・ピン・ホール３００〜３０５とリード・フィンガ４０お よび４２が示されている。また、ワイヤ・ボンディング５６を含む、リード・フ ィンガ４０と集積回路ダイ５０の間のワイヤ・ボンディングと、ワイヤ・ボンデ ィング９６を含む、リードフィンガ４２と集積回路ダイ９０の間のワイヤ・ボン ディングも示されている。 プロセス・ステップ２１０では、射出成形プレスによってプラスチック・モー ルドを形成し、単一プラスチック成形パッケージ内に集積回路ダイ５０および９ ０を封入する。第９図は、プロセス・ステップ２１０中に射出成形プレス内に位 置決めされたリードフレーム２０上の集積回路ダイ・アセンブリの断面図である 。射出成形プレスは、上部モールド１００と下部モールド１０２とを含む。上部 モールド１００および下部モールド１０２により、リードフレーム２０上の各集 積回路ダイ・アセンブリ用のモールド・キャビティが形成される。たとえば、上 部モールド１００および下部モールド１０２により、ダイ・パッド２５上に形成 された集積回路ダイ５０および９０を含む集積回路ダイ・アセンブリ用のモール ド・キャビティ６０が得られる。 プラスチック・モールド注入器（図示せず）で各モールド・キャビティにプラ スチックを注入して、リードフレーム２０上の各集積回路ダイ・アセンブリの周 りにプラスチック・モールドを形成する。ガイド・ピン・ホール３００〜３０５ を含むダイ・パッド２２〜２９の穴によって、ダイ・パッド２５上の集積回路ダ イ・アセンブリ周辺のプラスチック・モールドの流れが改善される。このプラス チック射出成形ステップに続いて必要な成形化合物の硬化が行われる。 プロセス・ステップ２１２では、鉛／すず化合物を使ってリードフレーム２０ のリード・フィンガに電気メッキを施す。プロセス・ステップ２１４では、リー ドフレーム２０上の各集積回路ダイ・アセンブリのリード・フィンガを最終形状 に形成する。第１０図は、両面プラスチック・チップ・パッケージ１３０の断面 図である。両面プラスチック・チップ・パッケージ１３０は、ダイ・パッド２５ の両面に取り付けられ、プラスチック・モールド６６で封入された集積回路ダイ ５０および９０を含む。 第１１図は、他の実施形態としてダイ・パッド２２〜２９のそれぞれに両面プ ラスチック・チップ・パッケージを形成するためにリードフレーム２０に適用さ れる一連のプロセス・ステップ２３０〜２４２を示す。プロセス・ステップ２３ ０では、各ダイ・パッド２２〜２９の１面に集積回路ダイを取り付ける。プロセ ス・ステップ２３２では、リードフレーム２０の１面に取り付けられた集積回路 ダイをリードフレーム２０の対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディング する。リードフレーム２０は、プロセス・ステップ２００〜２０４に関して前述 したように、プロセス・ステップ２３０および２３２の間、余裕を設けたキャビ ティを有するサポート・ブロックによって支持してもよい。 あるいは、プロセス・ステップ２３０および２３２は、リードフレーム２０を 支持するために平らなサポート・ブロックを使用して実行してもよい。第１２図 は、プロセス・ステップ２３０および２３２で平らなサポート・ブロック３５０ 上に取り付けられたリードフレーム２０を示す、ダイ・パッド２５の断面Ａにお けるリードフレーム２０の断面図である。集積回路ダイ５０は、接着層５２によ ってダイ・パッド２５の１面に取り付けられた状態で示されている。 ワイヤ・ボンディング５６は、リード・フィンガ４４の銀メッキ域３３により 集積回路ダイ５０上の信号パッド５４とリード・フィンガ４４との間に結合され る。ワイヤ・ボンディング５８は、銀メッキ域３５により信号パッド５５とリー ド・フィンガ４６との間に結合される。平らなサポート・ブロック３５０により 、端部８０および８２付近のリード・フィンガ４４および４６へのスティッチ・ ボンディングを形成することができる。 プロセス・ステップ２３４では、リードフレーム２０の２面上の各ダイ２２〜 ２９に集積回路ダイを取り付ける。プロセス・ステップ２３４中、リードフレー ム２０はサポート・ブロック１１８上に取り付けられ、キャビティ１２０はプロ セス・ステップ２０２に関して前述したように集積回路ダイ５０用の余裕を有す る。 プロセス・ステップ２３６では、リードフレーム２０の２面上の集積回路ダイ をリードフレーム２０の対応するリード・フィンガにワイヤ・ボンディングする 。プロセス・ステップ２３６中、リード・フィンガ４４および４６はサポート・ ブロック１２２に支持され、このブロックは、プロセス・ステップ２０６に関し て前述したように、集積回路ダイ５０とリード・フィンガ５６および５８とそれ に対応するスティッチ・ボンディングとを収容するためのキャビティ３２０を備 えている。 プロセス・ステップ２３８では、プロセス・ステップ２１０に関して前述した ように、単一プラスチック成形パッケージに集積回路ダイ５０および９０を封入 するために、射出成形プレスを使ってプラスチック・モールドを形成する。プロ セス・ステップ２４０では、鉛／すず化合物を使ってリードフレーム２０のリー ド・フィンガに電気メッキを施す。プロセス・ステップ２４２では、リードフレ ーム２０上の各集積回路ダイ・アセンブリのリード・フィンガを最終形状に形成 する。 上記の明細書では、その具体的な実施形態に関して本発明を説明してきた。し かし、請求の範囲に記載した本発明のより広範囲の精神および範囲から逸脱せず に、本発明の様々な修正および変更が可能であることは明らかになるだろう。し たがって、明細書および添付図面は、限定ではなく例示的なものと見なすべきで ある。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ)， ＡＭ，ＡＴ，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｃ Ａ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＥ，ＤＫ，ＤＫ ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ， ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ， ＳＩ，ＳＫ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，Ｕ Ｚ，ＶＮ (72)発明者 フォーリンガー，リチャード アメリカ合衆国 95628 カリフォルニア 州・フェア オークス・ワィンディング ウッズ ウェイ・4249 (72)発明者 ウェントリング，マイケル アメリカ合衆国 98563 カリフォルニア 州・カメロン パーク・ゲートウェイ ド ライブ・3128 (72)発明者 高築 良 茨城県守谷町守谷甲594−11−102 (72)発明者 川島 茂雄 福岡県北九州市八幡西区永王丸西町２−４ −22 (72)発明者 辻本 圭一 福岡県北九州市八幡西区大平１−８−２ (72)発明者 佐藤 信明 福岡県北九州市八幡東区清田１−１−６

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．両面チップ・パッケージを作成する方法において、 少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード・ フィンガとを有し、かつ第１の面と第２の面とを有するリードフレームを形成す るステップと、 ダイ・パッドの第１の面に１面用集積回路ダイを配置するステップと、 １面用集積回路ダイを受け入れるキャビティを有するサポート・ブロックでリ ードフレームを支持しながら、ダイ・パッドの第２の面に２面用集積回路ダイを 配置するステップと、 ２面用集積回路ダイを受け入れ、各リード・フィンガの端部を支持するキャビ ティを有するサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするス テップと、 １面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート・ブ ロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２の面 に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするステップと を含むことを特徴とする方法。 ２．少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード ・フィンガとを有するリードフレームを形成する前記ステップが、ダイ・パッド が１面用および２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域上の周辺に配置された１組 の延長域を含むダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード・フィ ンガを有するリードフレームを形成するステップを含むことを特徴とする請求項 １に記載の方法。 ３．２面用集積回路ダイを受け入れ各リード・フィンガの端部を支持するキャビ ティを有するサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前 記ステップが、 ２面用集積回路ダイを受け入れ、各リード・フィンガの端部を支持し、真空力 でリードフレームを保持する、キャビティを有するサポート・ブロックを用意す るステップと、 ２面用集積回路ダイを受け入れるキャビティを有するサポート・ブロック上に リードフレームを配置するステップと、 少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレー ムをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。 ４．少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレ ームをクランプする前記ステップが、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減する ためにダイ・パッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項３に記 載の方法。 ５．１面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リ ードフレームの１面上の各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用 の余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート・ ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２の 面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前記ステップが、 ２面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上の各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えるとともに、各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサ ポート・ブロックを用意ステップと、 ２面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れるキャ ビティを有するサポート・ブロック上にリードフレームを配置するステップと、 少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレー ムをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第２の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。 ６．少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレ ームをクランプする前記ステップが、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減する ためにダイ・パッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項５に記 載の方法。 ７．少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード ・フィンガとを有するリードフレームを形成する前記ステップが、１面用および ２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域上のダイ・パッドの両面の周辺域にガイド ・ピン・ホールが配置されるようにダイ・パッド内に１組のガイド・ピン・ホー ルを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 ８．２面用集積回路ダイを受け入れ、各リード・フィンガの端部を支持するキャ ビティを有するサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応する リード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする 前記ステップが、 ２面用集積回路ダイを受け入れ、各リード・フィンガの端部を支持し、ダイ・ パッドの各ガイド・ピン・ホールに対応するガイド・ピンを含む、キャビティを 有するサポート・ブロックを用意するステップと、 ガイド・ピン・ホールがガイド・ピンを受け入れるように、２面用集積回路ダ イを受け入れるキャビティを有するサポート・ブロック上にリードフレームを配 置するステップと、 ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ブロ ックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。 ９．ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ブ ロックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプする前記ステップが 、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減するためにガイド・ピン間でダイ・パッ ドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の方法。 １０．１面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、 リードフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング 用の余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート ・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２ の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前記ステップが、 ２面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上の各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持し、ダイ・パッドの各ガイド・ピン・ホ ールに対応するガイド・ピンを含む、キャビティを有するサポート・ブロックを 用意するステップと、 ガイド・ピン・ホールがガイド・ピンを受け入れるように、２面用集積回路ダ イとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れるキャビティを有するサポ ート・ブロック上にリードフレームを配置するステップと、 ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ブロ ックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第２の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。 １１．ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ ブロックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプする前記ステップ が、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減するためにガイド・ピン間でダイ・パ ッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。 １２．両面チップ・パッケージを作成する方法において、 少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード・ フィンガとを有し、かつ第１の面と第２の面とを有するリードフレームを形成す るステップと、 ダイ・パッドの第１の面に１面用集積回路ダイを配置するステップと、 第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード ・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするステッ プと、 １面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート・ブ ロックでリードフレームを支持しながら、ダイ・パッドの第２の面に２面用集積 回路ダイを配置するステップと、 １面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート・ブ ロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２の面 に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするステップと を含むことを特徴とする方法。 １３．ダイ・パッドの第１の面に１面用集積回路ダイを配置する前記ステップが 、第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持するステップを含むことを 特徴とする請求項１２に記載の方法。 １４．第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前 記ステップが、キャビティを有し、リード・フィンガを支持するサポート・ブロ ックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第１の面に １面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするステップを含むことを特徴とす る請求項１２に記載の方法。 １５．第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前 記ステップが、ダイ・パッドとそれに対応するリード・フィンガを支持する平ら なサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィ ンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングするステップを含 むことを特徴とする請求項１２に記載の方法。 １６．少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリー ド・フィンガとを有するリードフレームを形成する前記ステップが、ダイ・パッ ドが１面用および２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域上の周辺に配置された１ 組の延長域を含むダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応するリード・フィンガ を有するリードフレームを形成するステップを含むことを特徴とする請求項１２ に記載の方法。 １７．第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前 記ステップが、 各リード・フィンガの端部を支持するキャビティを有する第１のサポート・ブ ロックを用意するステップと、 各リード・フィンガの端部を支持するキャビティを有するサポート・ブロック 上にリードフレームを配置するステップと、 少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレー ムをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 １８．少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフ レームをクランプする前記ステップが、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減す るためにダイ・パッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７ に記載の方法。 １９．１面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、 リードフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング 用の余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート ・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２ の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前記ステップが、 ２面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上に各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート・ブ ロックを設けるステップと、 １面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れるキャ ビティを有するサポート・ブロック上にリードフレームを配置するステップと、 少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフレー ムをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第２の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディ ングするステップとを含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。 ２０．少なくとも１つのクランプ・ブロックでサポート・ブロック上にリードフ レームをクランプする前記ステップが、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減す るためにダイ・パッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項１９ に記載の方法。 ２１．少なくとも１つのダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリー ド・フィンガとを有するリードフレームを形成する前記ステップが、１面用およ び２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域上のダイ・パッドの両面の周辺域にガイ ド・ピン・ホールが配置されるようにダイ・パッド内に１組のガイド・ピン・ホ ールを形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の方法 。 ２２．第１のサポート・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリ ード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前 記ステップが、 各リード・フィンガの端部を支持し、ダイ・パッドの各ガイド・ピン・ホール に対応するガイド・ピンを含むキャビティを有する第１のサポート・ブロックを 用意するステップと、 ガイド・ピン・ホールがガイド・ピンを受け入れるように、各リード・フィン ガの端部を支持するキャビティを有するサポート・ブロック上にリードフレーム を配置するステップと、 ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ブロ ックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第１の面に１面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２３．ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ ブロックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプする前記ステップ が、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減するためにガイド・ピン間でダイ・パ ッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の方法。 ２４．１面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、 リードフレームの１面上の各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング 用の余裕を与えて各リード・フィンガを支持する、キャビティを有するサポート ・ブロックでリードフレームを支持しながら、対応するリード・フィンガの第２ の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンディングする前記ステップが、 １面用集積回路ダイとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れ、リー ドフレームの１面上の各ワイヤ・ボンディングのスティッチ・ボンディング用の 余裕を与えて各リード・フィンガを支持し、ダイ・パッドの各ガイド・ピン・ホ ールに対応するガイド・ピンを含む、キャビティを有するサポート・ブロックを 設けるステップと、 ガイド・ピン・ホールがガイド・ピンを受け入れるように、１面用集積回路ダ イとそれに対応するワイヤ・ボンディングを受け入れるキャビティを有するサポ ート・ブロック上にリードフレームを配置するステップと、 ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ブロ ックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプするステップと、 対応するリード・フィンガの第２の面に２面用集積回路ダイをワイヤ・ボンデ ィングするステップとを含むことを特徴とする請求項２１に記載の方法。 ２５．ガイド・ピンを受け入れるための穴を有する少なくとも１つのクランプ・ ブロックでサポート・ブロック上にリードフレームをクランプする前記ステップ が、ワイヤ・ボンディング中の振動を低減するためにガイド・ピン間でダイ・パ ッドを引くステップをさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。 ２６．ダイ・パッドとそのダイ・パッドに対応する１組のリード・フィンガであ って、ダイ・パッドが第１の面と第２の面とを有する、ダイ・パッドと１組のリ ード・フィンガと、 ダイ・パッドの第１の面に配置された１面用集積回路ダイと、 ダイ・パッドの第２の面に配置された２面用集積回路ダイと、 １面用集積回路ダイと対応するリード・フィンガの第１の面との間の少なくと も１つのワイヤ・ボンディングと、 ２面用集積回路ダイと対応するリード・フィンガの第２の面との間にあり、１ 面用集積回路ダイと対応するリード・フィンガの第１の面との間のワイヤ・ボン ディングに対して各リード・フィンガの端部からずらして配置されている、少な くとも１つのワイヤ・ボンディングとを含むことを特徴とする両面チップ・パッ ケージ。 ２７．前記ダイ・パッドが、１面用および２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域 上の周辺に配置された１組の延長域を含むことを特徴とする請求項２６に記載の 両面チップ・パッケージ。 ２８．前記延長域が、１面用および２面用集積回路ダイ用のダイ取付け域上のダ イ・パッドの両面の周辺域にガイド・ピン・ホールが配置されるように１組のピ ン・ホールを含むことを特徴とする請求項２７に記載の両面チップ・パッケージ 。