JP2000228308A - 積層型インダクタンス素子 - Google Patents
積層型インダクタンス素子Info
- Publication number
- JP2000228308A JP2000228308A JP11027411A JP2741199A JP2000228308A JP 2000228308 A JP2000228308 A JP 2000228308A JP 11027411 A JP11027411 A JP 11027411A JP 2741199 A JP2741199 A JP 2741199A JP 2000228308 A JP2000228308 A JP 2000228308A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductance element
- external electrode
- multilayer
- laminated
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- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波領域でも良好な周波数特性と高インダ
クタンスを示す積層型インダクタンス素子を提供するこ
と。 【解決手段】 磁性体層1と導電体層2が交互に積層さ
れ、磁性体の内部に導電体コイルが形成された積層体
と、導電体コイルのリードが電気的に接続された外部電
極3をもち、外部電極3は、積層体の両端面のほか両端
面にそれぞれ隣接する側面に回り込んで形成され、か
つ、側面に形成された外部電極3部分の長さ方向の寸法
が、それぞれ、全長の10%以下となる積層型インダク
タンス素子。
クタンスを示す積層型インダクタンス素子を提供するこ
と。 【解決手段】 磁性体層1と導電体層2が交互に積層さ
れ、磁性体の内部に導電体コイルが形成された積層体
と、導電体コイルのリードが電気的に接続された外部電
極3をもち、外部電極3は、積層体の両端面のほか両端
面にそれぞれ隣接する側面に回り込んで形成され、か
つ、側面に形成された外部電極3部分の長さ方向の寸法
が、それぞれ、全長の10%以下となる積層型インダク
タンス素子。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体と、磁性体
の内部に形成された導電体コイルからなる表面実装用の
積層型インダクタンス素子に関する。
の内部に形成された導電体コイルからなる表面実装用の
積層型インダクタンス素子に関する。
【0002】
【従来の技術】電子機器の小型化、高周波化と共に、E
MI対策の重要性が増している。インダクタンス素子を
用いたEMI対策では、対象とする周波数のノイズをイ
ンダクタンス特性によって遮断している。すなわち、信
号系においては、直列にインダクタンス素子を装着し
て、ノイズを遮断する手段が一般にとられている。近年
の電子機器に対する小型化の要求は、そのまま、プリン
ト基板上に実装して用いる電子部品に対する要求となっ
ている。こうした要求のもとで、インダクタンス素子に
は、積層型が多用されている。
MI対策の重要性が増している。インダクタンス素子を
用いたEMI対策では、対象とする周波数のノイズをイ
ンダクタンス特性によって遮断している。すなわち、信
号系においては、直列にインダクタンス素子を装着し
て、ノイズを遮断する手段が一般にとられている。近年
の電子機器に対する小型化の要求は、そのまま、プリン
ト基板上に実装して用いる電子部品に対する要求となっ
ている。こうした要求のもとで、インダクタンス素子に
は、積層型が多用されている。
【0003】図3は、従来の積層型インダクタンス素子
の断面図である。積層型インダクタンス素子では、磁性
体層1と導電体層2とを、スクリーン印刷法を用いて交
互に積層し、磁性体中に導電体の螺旋状のコイルが形成
されている。積層型インダクタンス素子は、磁性体層1
に、軟磁性フェライト粉末と結合剤を、導電体層2に、
導電性粉末と結合剤を、それぞれ用いて形成した積層体
を焼成して得られる。
の断面図である。積層型インダクタンス素子では、磁性
体層1と導電体層2とを、スクリーン印刷法を用いて交
互に積層し、磁性体中に導電体の螺旋状のコイルが形成
されている。積層型インダクタンス素子は、磁性体層1
に、軟磁性フェライト粉末と結合剤を、導電体層2に、
導電性粉末と結合剤を、それぞれ用いて形成した積層体
を焼成して得られる。
【0004】焼成された積層体の長手方向の両端面に
は、螺旋状コイルのリードが露出している。積層型イン
ダクタンス素子の外部電極3は、積層体の長手方向の両
端面に導電ぺーストを塗布して形成されている。図3に
示すように、通常、外部電極3は、積層体の長手方向の
対向する両端面部分のみならず、両端面に隣接する側面
に回り込んで形成されている。
は、螺旋状コイルのリードが露出している。積層型イン
ダクタンス素子の外部電極3は、積層体の長手方向の両
端面に導電ぺーストを塗布して形成されている。図3に
示すように、通常、外部電極3は、積層体の長手方向の
対向する両端面部分のみならず、両端面に隣接する側面
に回り込んで形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術によ
る積層型インダクタンス素子では、高いインダクタンス
を得ようとすると、高い周波数領域まで良好な周波数特
性を保つことが困難であった。また、良好な周波数特性
をねらうと、高いインダクタンスが得られないという問
題があった。
る積層型インダクタンス素子では、高いインダクタンス
を得ようとすると、高い周波数領域まで良好な周波数特
性を保つことが困難であった。また、良好な周波数特性
をねらうと、高いインダクタンスが得られないという問
題があった。
【0006】本発明は、高周波領域でも良好な周波数特
性と高インダクタンスを示す積層型インダクタンス素子
を提供することを目的とする。
性と高インダクタンスを示す積層型インダクタンス素子
を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性体層と導
電体層が交互に積層され、磁性体の内部に導電体コイル
が形成された積層体と、導電体コイルのリードが電気的
に接続された外部電極をもち、外部電極は、積層体の両
端面のほか、該両端面にそれぞれ隣接する側面に回り込
んで形成され、かつ、側面に形成された前記外部電極部
分の長さ方向の寸法が、それぞれ、全長の10%以下と
なる積層型インダクタンス素子である。
電体層が交互に積層され、磁性体の内部に導電体コイル
が形成された積層体と、導電体コイルのリードが電気的
に接続された外部電極をもち、外部電極は、積層体の両
端面のほか、該両端面にそれぞれ隣接する側面に回り込
んで形成され、かつ、側面に形成された前記外部電極部
分の長さ方向の寸法が、それぞれ、全長の10%以下と
なる積層型インダクタンス素子である。
【0008】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て、図面を参照して説明する。
て、図面を参照して説明する。
【0009】図1は、本発明の積層型インダクタンス素
子の断面図である。図1において、磁性体層1の内部
に、導電体層2によって導電体コイルが形成するように
積層体が構築され、両端部には導電体コイルと接続した
外部電極3を形成して、積層型インダクタンス素子が構
成されている。図1に示す積層型インダクタンス素子の
構成は、図3に示した従来の積層型インダクタンス素子
の構成と、基本的には同じである。
子の断面図である。図1において、磁性体層1の内部
に、導電体層2によって導電体コイルが形成するように
積層体が構築され、両端部には導電体コイルと接続した
外部電極3を形成して、積層型インダクタンス素子が構
成されている。図1に示す積層型インダクタンス素子の
構成は、図3に示した従来の積層型インダクタンス素子
の構成と、基本的には同じである。
【0010】本発明者は、従来の積層型インダクタンス
素子において、良好な周波数特性が得られなかった原因
を鋭意追求した。その結果、外部電極3が、積層体の側
面に大幅に回り込んで形成されており、その原因は側面
部分の外部電極3の長さにあることを見出した。すなわ
ち、従来の積層型インダクタンス素子では、積層体の側
面部分の外部電極3の長さが、全長の10%を超え、3
0%程度となる積層型インダクタンス素子も少なくない
ことが明らかになった。
素子において、良好な周波数特性が得られなかった原因
を鋭意追求した。その結果、外部電極3が、積層体の側
面に大幅に回り込んで形成されており、その原因は側面
部分の外部電極3の長さにあることを見出した。すなわ
ち、従来の積層型インダクタンス素子では、積層体の側
面部分の外部電極3の長さが、全長の10%を超え、3
0%程度となる積層型インダクタンス素子も少なくない
ことが明らかになった。
【0011】両端面の外部電極3が、積層体の側面に回
り込んで、側面に長く形成された積層型インダクタンス
素子においては、導電体コイルと外部電極3との間に浮
遊容量成分が生じる。浮遊容量成分の大きさは、側面に
形成された外部電極部分の長さに依存する。外部電極3
部分が側面に長く形成された積層型インダクタンス素子
では、そのために、共振周波数が低周波側へ移動し、イ
ンダクタンスが低下することが判った。
り込んで、側面に長く形成された積層型インダクタンス
素子においては、導電体コイルと外部電極3との間に浮
遊容量成分が生じる。浮遊容量成分の大きさは、側面に
形成された外部電極部分の長さに依存する。外部電極3
部分が側面に長く形成された積層型インダクタンス素子
では、そのために、共振周波数が低周波側へ移動し、イ
ンダクタンスが低下することが判った。
【0012】すでに述べたように、本発明の積層型イン
ダクタンス素子と、従来の積層型インダクタンス素子
は、積層体の側面に形成された外部電極3部分の長さに
相違がある。従来の積層型インダクタンス素子では、図
3において、b/aは、20/100〜30/100な
どの大きな値となっていたが、本発明の積層型インダク
タンス素子では、図1において、b/a=10/100
以下と規定される。
ダクタンス素子と、従来の積層型インダクタンス素子
は、積層体の側面に形成された外部電極3部分の長さに
相違がある。従来の積層型インダクタンス素子では、図
3において、b/aは、20/100〜30/100な
どの大きな値となっていたが、本発明の積層型インダク
タンス素子では、図1において、b/a=10/100
以下と規定される。
【0013】図1に示す本実施の形態による積層型イン
ダクタンス素子は、以下の手順で作製した。まず、磁性
体層1のために、Ni−Zn−Cuフェライト粉末をバ
インダ、溶剤とともに三本ロールで混練して磁性体層用
ぺーストを作製した。また、導電体層2のために、平均
粒径0.5μmのAg粉末を、バインダ、溶剤ととも
に、同様に、三本口ールで混練して導体層用ぺーストを
作製した。
ダクタンス素子は、以下の手順で作製した。まず、磁性
体層1のために、Ni−Zn−Cuフェライト粉末をバ
インダ、溶剤とともに三本ロールで混練して磁性体層用
ぺーストを作製した。また、導電体層2のために、平均
粒径0.5μmのAg粉末を、バインダ、溶剤ととも
に、同様に、三本口ールで混練して導体層用ぺーストを
作製した。
【0014】印刷法により、磁性体層用ぺーストを所定
の厚さ(500μm)に形成し、次いで、導体層用ぺー
ストと磁性体層用ぺーストを用いて印刷積層を行い、
6.5ターンの導電体コイルを形成した。最後に、磁性
体層用ぺーストを所定の厚さ(500μm)に積層し
て、全体の積層厚さを約1.3mmとした。その上で切
断して、長さ1.8mm、幅0.9mm、厚さ約1.3m
mの積層体を得た。つぎに、積層体を脱バインダ後、9
00℃で同時焼成を行った。同時焼成の温度範囲は、8
50〜900℃が適当である。
の厚さ(500μm)に形成し、次いで、導体層用ぺー
ストと磁性体層用ぺーストを用いて印刷積層を行い、
6.5ターンの導電体コイルを形成した。最後に、磁性
体層用ぺーストを所定の厚さ(500μm)に積層し
て、全体の積層厚さを約1.3mmとした。その上で切
断して、長さ1.8mm、幅0.9mm、厚さ約1.3m
mの積層体を得た。つぎに、積層体を脱バインダ後、9
00℃で同時焼成を行った。同時焼成の温度範囲は、8
50〜900℃が適当である。
【0015】焼成された積層体の長手方向の両端面に
は、導電体コイルのリードがそれぞれ露出している。導
電体コイルのリードが露出した積層体の両端面、および
両端面にそれぞれ隣接する側面にわたって、Agを主成
分とした導電性ぺーストを塗布し、約600℃で焼き付
けを行い、外部電極3を形成した。
は、導電体コイルのリードがそれぞれ露出している。導
電体コイルのリードが露出した積層体の両端面、および
両端面にそれぞれ隣接する側面にわたって、Agを主成
分とした導電性ぺーストを塗布し、約600℃で焼き付
けを行い、外部電極3を形成した。
【0016】本発明においては、積層体の側面に回り込
んで形成された外部電極3部分の長さbは、全長aに対
して10%以下である。作製した積層型インダクタンス
素子の、周波数とインダクタンスとの関係を、YHP製
インピーダンスアナライザーHP4161Aを用いて、
評価した。
んで形成された外部電極3部分の長さbは、全長aに対
して10%以下である。作製した積層型インダクタンス
素子の、周波数とインダクタンスとの関係を、YHP製
インピーダンスアナライザーHP4161Aを用いて、
評価した。
【0017】図2は、本実施の形態による積層型インダ
クタンス素子について、インダクタンスの周波数特性を
示す図である。図2において、曲線A、曲線Bは、それ
ぞれ、b/a=10/100、b/a=5/100の積
層型インダクタンス素子の特性を示す。図2には、従来
技術による積層型インダクタンス素子の特性(曲線C)
を併せて示す。
クタンス素子について、インダクタンスの周波数特性を
示す図である。図2において、曲線A、曲線Bは、それ
ぞれ、b/a=10/100、b/a=5/100の積
層型インダクタンス素子の特性を示す。図2には、従来
技術による積層型インダクタンス素子の特性(曲線C)
を併せて示す。
【0018】b/aの値の減少とともに、積層型インダ
クタンス素子の浮遊容量成分が低減し、周波数特性が改
善されている。これにより、共振周波数が高周波へ移動
し、より高い周波数領域まで、高いインダクタンスが得
られるようになる。
クタンス素子の浮遊容量成分が低減し、周波数特性が改
善されている。これにより、共振周波数が高周波へ移動
し、より高い周波数領域まで、高いインダクタンスが得
られるようになる。
【0019】本発明では、このように、積層体の側面に
回り込んで形成された外部電極部分3の長さbは、全長
aに対して10%以下と規定するが、より良好な周波数
特性を得るためには、5%以下が好ましいことは、すで
に示したとおりである。
回り込んで形成された外部電極部分3の長さbは、全長
aに対して10%以下と規定するが、より良好な周波数
特性を得るためには、5%以下が好ましいことは、すで
に示したとおりである。
【0020】なお、本発明の積層型インダクタンス素子
の実現のために、前記の手段に限定するものではない。
たとえば、磁性体層1には、Ni−Zn−Cuフェライ
トに限定する必要はない。磁性体層用ぺーストの調製に
は、ホモジナイザや、サンドミルも用いてもよい。積層
体の寸法は、自由に設定できること、また、外部電極3
を形成する導電性ぺーストに、カーボン、Cu,Ni等
を主成分としてもよい。
の実現のために、前記の手段に限定するものではない。
たとえば、磁性体層1には、Ni−Zn−Cuフェライ
トに限定する必要はない。磁性体層用ぺーストの調製に
は、ホモジナイザや、サンドミルも用いてもよい。積層
体の寸法は、自由に設定できること、また、外部電極3
を形成する導電性ぺーストに、カーボン、Cu,Ni等
を主成分としてもよい。
【0021】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、高
周波領域でも良好な周波数特性と高インダクタンスを示
す積層型インダクタンス素子が得られる。
周波領域でも良好な周波数特性と高インダクタンスを示
す積層型インダクタンス素子が得られる。
【図1】本発明の実施例に係る積層型インダクタンス素
子の断面図。
子の断面図。
【図2】本実施の形態による積層型インダクタンス素子
について、インダクタンスの周波数特性を示す図。
について、インダクタンスの周波数特性を示す図。
【図3】従来の積層型インダクタンス素子の断面図。
1 磁性体層 2 導電体層 3 外部電極
Claims (1)
- 【請求項1】 磁性体層と導電体層が交互に積層され、
磁性体の内部に導電体コイルが形成された積層体と、前
記導電体コイルのリードが電気的に接続され、前記積層
体の両端面に形成された外部電極から構成される積層型
インダクタンス素子において、前記外部電極は、前記両
端面のほか、該両端面にそれぞれ隣接する側面に回り込
んで形成され、かつ、該側面に形成された前記外部電極
部分の長さが、それぞれ、全長の10%以下であること
を特徴とする積層型インダクタンス素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11027411A JP2000228308A (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 積層型インダクタンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11027411A JP2000228308A (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 積層型インダクタンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000228308A true JP2000228308A (ja) | 2000-08-15 |
Family
ID=12220354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11027411A Pending JP2000228308A (ja) | 1999-02-04 | 1999-02-04 | 積層型インダクタンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000228308A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018098368A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | チップインダクタ |
| JP2022029585A (ja) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 株式会社村田製作所 | コモンモードチョークコイル |
-
1999
- 1999-02-04 JP JP11027411A patent/JP2000228308A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018098368A (ja) * | 2016-12-14 | 2018-06-21 | 株式会社村田製作所 | チップインダクタ |
| US10720276B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-07-21 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Chip inductor |
| JP2022029585A (ja) * | 2020-08-05 | 2022-02-18 | 株式会社村田製作所 | コモンモードチョークコイル |
| JP7264127B2 (ja) | 2020-08-05 | 2023-04-25 | 株式会社村田製作所 | コモンモードチョークコイル |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050523 |