JPH08315981A - 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 有機ＥＬ媒体層や陰極が素子の特性を劣化す
ることなく自由な形状にパターニングできるディスプレ
イパネル及びその製造方法を提供する。 【構成】 複数の発光部からなる画像表示配列を有して
いる有機ＥＬディスプレイパネルであって、発光部に対
応する複数の第１表示電極が表面上に形成された基板
と、少なくとも第１表示電極の一部分を露出せしめる基
板上に突出する複数の電気絶縁性の隔壁と、露出した第
１表示電極の部分の各々上に形成された少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜と、有機ＥＬ媒体の薄膜の上に形成
された複数の第２表示電極とからなり、隔壁の上部に基
板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有するこ
とを特徴とする。
ることなく自由な形状にパターニングできるディスプレ
イパネル及びその製造方法を提供する。 【構成】 複数の発光部からなる画像表示配列を有して
いる有機ＥＬディスプレイパネルであって、発光部に対
応する複数の第１表示電極が表面上に形成された基板
と、少なくとも第１表示電極の一部分を露出せしめる基
板上に突出する複数の電気絶縁性の隔壁と、露出した第
１表示電極の部分の各々上に形成された少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜と、有機ＥＬ媒体の薄膜の上に形成
された複数の第２表示電極とからなり、隔壁の上部に基
板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有するこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流の注入によって発
光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリ
クス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関す
る。
光する有機化合物材料のエレクトロルミネッセンス（以
下、ＥＬという）を利用して、かかる有機ＥＬ材料の薄
膜からなる発光層を備えた有機ＥＬ素子の複数をマトリ
クス状に配置した有機ＥＬディスプレイパネルに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、有機ＥＬ素子の陰極や有機ＥＬ
媒体層をマイクロパターニングすることは、電荷注入層
や発光層に用いられる有機ＥＬ媒体の耐熱性（一般に１
００℃以下）、耐溶剤性、耐湿性の低さのため困難であ
る。例えば、通常薄膜のパターニングに用いられるフォ
トリソグラフィ法を有機ＥＬ素子に用いると、フォトレ
ジスト中の溶剤の素子への侵入や、フォトレジストベー
ク中の高温雰囲気や、フォトレジスト現像液またはエッ
チング液の素子への浸入や、ドライエッチング時のプラ
ズマによるダメージ等の原因により有機ＥＬ素子特性が
劣化する問題が生じる。
媒体層をマイクロパターニングすることは、電荷注入層
や発光層に用いられる有機ＥＬ媒体の耐熱性（一般に１
００℃以下）、耐溶剤性、耐湿性の低さのため困難であ
る。例えば、通常薄膜のパターニングに用いられるフォ
トリソグラフィ法を有機ＥＬ素子に用いると、フォトレ
ジスト中の溶剤の素子への侵入や、フォトレジストベー
ク中の高温雰囲気や、フォトレジスト現像液またはエッ
チング液の素子への浸入や、ドライエッチング時のプラ
ズマによるダメージ等の原因により有機ＥＬ素子特性が
劣化する問題が生じる。
【０００３】また、蒸着マスクを用いてパターニングす
る方法もあるが、基板及び蒸着間のマスクの密着不良に
よる蒸着物の回り込みや、強制的に基板と蒸着マスクを
密着させた場合のマスクとの接触により有機ＥＬ媒体層
が傷ついてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）
などからなる陽極と陰極がショートすることや、陰極の
ストライプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細
いパターンの場合にはマスク強度が不足しマスクが撓む
こと等の問題により、微細なパターンが形成できない。
る方法もあるが、基板及び蒸着間のマスクの密着不良に
よる蒸着物の回り込みや、強制的に基板と蒸着マスクを
密着させた場合のマスクとの接触により有機ＥＬ媒体層
が傷ついてインジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯという）
などからなる陽極と陰極がショートすることや、陰極の
ストライプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細
いパターンの場合にはマスク強度が不足しマスクが撓む
こと等の問題により、微細なパターンが形成できない。
【０００４】現在、有機ＥＬ材料を用いたディスプレイ
パネルとしては、特開平２−６６８７３号、特開平第５
−２７５１７２号、特開平第５−２５８８５９号及び特
開平第５−２５８８６０号の公報に開示されているもの
がある。このフルカラーディスプレイは、交差している
行と列において配置された複数の発光画素からなる画像
表示配列を有している発光装置である。
パネルとしては、特開平２−６６８７３号、特開平第５
−２７５１７２号、特開平第５−２５８８５９号及び特
開平第５−２５８８６０号の公報に開示されているもの
がある。このフルカラーディスプレイは、交差している
行と列において配置された複数の発光画素からなる画像
表示配列を有している発光装置である。
【０００５】この発光装置においては、各々の画素が共
通の電気絶縁性の光透過性基板上に配置されている。各
行内の画素は、基板上に伸長して配置された共通の光透
過性第１電極を含有し且つ該電極によって接合されてい
る。隣接行内の第１電極は、基板上で横方向に間隔をあ
けて配置されている。有機ＥＬ媒体は、第１電極及び基
板によって形成された支持面の上に配置されている。各
列の画素は、有機ＥＬ媒体上に配置された共通に伸長し
た第２電極を含有し且つ該電極によって接続されてい
る。隣接列内の第２電極は、有機ＥＬ媒体上で横方向に
間隔をあけて配置されている。この発光装置においては
有機ＥＬ媒体を挟んで交差している第１及び第２電極の
ラインを用いた単純マトリクス型を採用している。
通の電気絶縁性の光透過性基板上に配置されている。各
行内の画素は、基板上に伸長して配置された共通の光透
過性第１電極を含有し且つ該電極によって接合されてい
る。隣接行内の第１電極は、基板上で横方向に間隔をあ
けて配置されている。有機ＥＬ媒体は、第１電極及び基
板によって形成された支持面の上に配置されている。各
列の画素は、有機ＥＬ媒体上に配置された共通に伸長し
た第２電極を含有し且つ該電極によって接続されてい
る。隣接列内の第２電極は、有機ＥＬ媒体上で横方向に
間隔をあけて配置されている。この発光装置においては
有機ＥＬ媒体を挟んで交差している第１及び第２電極の
ラインを用いた単純マトリクス型を採用している。
【０００６】前述の問題を解決する方法が、上記公開公
報に開示されている。たとえば、特開平２−６６８７３
号開示の技術は、有機ＥＬ媒体を溶解しない溶剤を用い
たフォトレジストを素子上にパターニングし、希硫酸を
用いて陰極をエッチングする方法である。しかし、エッ
チングの際、希硫酸により有機ＥＬ媒体が損傷を受け
る。
報に開示されている。たとえば、特開平２−６６８７３
号開示の技術は、有機ＥＬ媒体を溶解しない溶剤を用い
たフォトレジストを素子上にパターニングし、希硫酸を
用いて陰極をエッチングする方法である。しかし、エッ
チングの際、希硫酸により有機ＥＬ媒体が損傷を受け
る。
【０００７】また、特開平第５−２７５１７２号、特開
平第５−２５８８５９号及び特開平第５−２５８８６０
号開示の技術は、ＩＴＯパターニング後の基板上に平行
に配置したストライプ状の数〜数十μｍの高さの隔壁を
作製し、その基板に隔壁に対して垂直方向、基板面に対
して斜めの方向から有機ＥＬ媒体や陰極材料を蒸着する
ことによりパターニングする方法である。即ち、第１電
極ライン及び有機ＥＬ媒体の薄膜を、予め基板に設けら
れている境界の高い壁により所定気体流れを遮って、選
択的に斜め真空蒸着して形成する製造方法が採用されて
いる。しかし、この方法は、斜めの蒸着方向に対し垂直
な方向にしかパターニングできず、ストライプ状の形状
にしかならない。このため、ＲＧＢがデルタ配置された
ものや、陰極が屈曲もしくは蛇行するようなディスプレ
イパネルは実現できない。
平第５−２５８８５９号及び特開平第５−２５８８６０
号開示の技術は、ＩＴＯパターニング後の基板上に平行
に配置したストライプ状の数〜数十μｍの高さの隔壁を
作製し、その基板に隔壁に対して垂直方向、基板面に対
して斜めの方向から有機ＥＬ媒体や陰極材料を蒸着する
ことによりパターニングする方法である。即ち、第１電
極ライン及び有機ＥＬ媒体の薄膜を、予め基板に設けら
れている境界の高い壁により所定気体流れを遮って、選
択的に斜め真空蒸着して形成する製造方法が採用されて
いる。しかし、この方法は、斜めの蒸着方向に対し垂直
な方向にしかパターニングできず、ストライプ状の形状
にしかならない。このため、ＲＧＢがデルタ配置された
ものや、陰極が屈曲もしくは蛇行するようなディスプレ
イパネルは実現できない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来技術は基板に
垂直な高い壁を設けてその高い壁を蒸着マスクとして使
用するというものだが、特にパターンが微細になった場
合、断面のアスペクト比（底辺／高さ）の非常に大きな
高い壁をフォトレジスト等で形成するのは困難であり、
また、その形成後の第１及び第２電極ライン及び有機Ｅ
Ｌ媒体膜の信頼性に不安定要素が大きい。また、斜め真
空蒸着の精度、工程の複雑さ等の問題点がある。
垂直な高い壁を設けてその高い壁を蒸着マスクとして使
用するというものだが、特にパターンが微細になった場
合、断面のアスペクト比（底辺／高さ）の非常に大きな
高い壁をフォトレジスト等で形成するのは困難であり、
また、その形成後の第１及び第２電極ライン及び有機Ｅ
Ｌ媒体膜の信頼性に不安定要素が大きい。また、斜め真
空蒸着の精度、工程の複雑さ等の問題点がある。
【０００９】本発明は、この様な問題を解決すべくなさ
れ、本発明の目的は、有機ＥＬ媒体層や陰極が素子の特
性を劣化することなく自由な形状にパターニングできる
ディスプレイを提供することにある。
れ、本発明の目的は、有機ＥＬ媒体層や陰極が素子の特
性を劣化することなく自由な形状にパターニングできる
ディスプレイを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の発光部
からなる画像表示配列を有している有機ＥＬディスプレ
イパネルであって、前記発光部に対応する複数の第１表
示電極が表面上に形成された基板と、少なくとも前記第
１表示電極の一部分を露出せしめる前記基板上に突出す
る複数の電気絶縁性の隔壁と、露出した前記第１表示電
極の部分の各々上に形成された少くとも１層の有機ＥＬ
媒体の薄膜と、前記有機ＥＬ媒体の薄膜の上に形成され
た複数の第２表示電極とからなり、前記隔壁の上部に前
記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有す
ることを特徴とする。
からなる画像表示配列を有している有機ＥＬディスプレ
イパネルであって、前記発光部に対応する複数の第１表
示電極が表面上に形成された基板と、少なくとも前記第
１表示電極の一部分を露出せしめる前記基板上に突出す
る複数の電気絶縁性の隔壁と、露出した前記第１表示電
極の部分の各々上に形成された少くとも１層の有機ＥＬ
媒体の薄膜と、前記有機ＥＬ媒体の薄膜の上に形成され
た複数の第２表示電極とからなり、前記隔壁の上部に前
記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有す
ることを特徴とする。
【００１１】上記有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、前記オーバーハング部の下の前記第１表示電極上又
は前記露出した前記第１表示電極の部分の縁部の少なく
とも一方に形成された絶縁膜を有することができ、これ
により、前記第１及び第２表示電極間の短絡を防止する
ことができる。上記有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、前記第１表示電極、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜及び前記第２表示電極上に形成された絶
縁性封止膜を有し、前記絶縁性封止膜は少なくとも前記
第２表示電極を完全に覆っていることができ、これによ
り、当該パネルの劣化を防止することができる。
て、前記オーバーハング部の下の前記第１表示電極上又
は前記露出した前記第１表示電極の部分の縁部の少なく
とも一方に形成された絶縁膜を有することができ、これ
により、前記第１及び第２表示電極間の短絡を防止する
ことができる。上記有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、前記第１表示電極、前記有機エレクトロルミネッセ
ンス媒体の薄膜及び前記第２表示電極上に形成された絶
縁性封止膜を有し、前記絶縁性封止膜は少なくとも前記
第２表示電極を完全に覆っていることができ、これによ
り、当該パネルの劣化を防止することができる。
【００１２】上記有機ＥＬディスプレイパネルにおい
て、前記第１表示電極及び第２表示電極は、複数のスト
ライプ状の電極でありかつ互いに直交する位置に配列す
ることもできる。また、上記有機ＥＬディスプレイパネ
ルにおいて、前記基板及び前記第１表示電極が透明であ
ること、また、前記第２表示電極に金属光沢があるか、
前記第２表示電極上に形成された反射膜を有することが
好ましい。
て、前記第１表示電極及び第２表示電極は、複数のスト
ライプ状の電極でありかつ互いに直交する位置に配列す
ることもできる。また、上記有機ＥＬディスプレイパネ
ルにおいて、前記基板及び前記第１表示電極が透明であ
ること、また、前記第２表示電極に金属光沢があるか、
前記第２表示電極上に形成された反射膜を有することが
好ましい。
【００１３】さらにまた他の実施例の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおいて、前記第２表示電極が透明である場
合、前記第１表示電極に金属光沢があるか、前記第１表
示電極の外側に形成された反射膜を有することが好まし
い。本発明は、複数の発光部からなる画像表示配列を有
している有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であっ
て、基板上に、前記発光部に対応する複数の第１表示電
極を形成するパターニング工程と、少なくとも前記第１
表示電極の一部分を露出せしめかつ、全体が前記基板上
から突出しかつ、その上部に前記基板に平行な方向に突
出するオーバーハング部を有する電気絶縁性の隔壁を形
成する隔壁形成工程と、露出した前記第１表示電極の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成する発光層形成工程と、前記
有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする。
レイパネルにおいて、前記第２表示電極が透明である場
合、前記第１表示電極に金属光沢があるか、前記第１表
示電極の外側に形成された反射膜を有することが好まし
い。本発明は、複数の発光部からなる画像表示配列を有
している有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法であっ
て、基板上に、前記発光部に対応する複数の第１表示電
極を形成するパターニング工程と、少なくとも前記第１
表示電極の一部分を露出せしめかつ、全体が前記基板上
から突出しかつ、その上部に前記基板に平行な方向に突
出するオーバーハング部を有する電気絶縁性の隔壁を形
成する隔壁形成工程と、露出した前記第１表示電極の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成する発光層形成工程と、前記
有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電極を形成す
る工程とを含むことを特徴とする。
【００１４】上記有機ＥＬディスプレイパネルの製造方
法において、前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔壁材
料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によって
少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめるフ
ォトレジストマスクを形成し、ドライエッチング法又は
ウエットエッチング法によって前記オーバーハング部を
有する隔壁を食刻する工程を含むこともできる。
法において、前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔壁材
料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によって
少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめるフ
ォトレジストマスクを形成し、ドライエッチング法又は
ウエットエッチング法によって前記オーバーハング部を
有する隔壁を食刻する工程を含むこともできる。
【００１５】また、上記有機ＥＬディスプレイパネルの
製造方法において、前記露出した第１表示電極の部分に
対応した複数の開口を有するマスクを、前記隔壁の上面
に載置し、有機ＥＬ媒体を前記開口を介して前記隔壁内
の前記第１表示電極の各々上に堆積させ、１つの前記開
口が１つの前記第１表示電極上からその隣接する前記第
１表示電極上へ配置されるように前記マスクを順次移動
せしめて前記発光層形成工程を順次繰り返し、より効率
良く製造することも可能である。
製造方法において、前記露出した第１表示電極の部分に
対応した複数の開口を有するマスクを、前記隔壁の上面
に載置し、有機ＥＬ媒体を前記開口を介して前記隔壁内
の前記第１表示電極の各々上に堆積させ、１つの前記開
口が１つの前記第１表示電極上からその隣接する前記第
１表示電極上へ配置されるように前記マスクを順次移動
せしめて前記発光層形成工程を順次繰り返し、より効率
良く製造することも可能である。
【００１６】このように、有機ＥＬ媒体の例えばストラ
イプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細いパタ
ーンの場合にマスク強度が不足する傾向にあるマスクを
基板に密着させても、前記隔壁が有機ＥＬ膜の発光層を
保護するので、微細なパターンが形成でき発光層に損傷
を与えることがなくなり、隔壁及びマスクによりＲＧＢ
有機層の分離が確実に行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の
塗り分けができる。
イプ状パターンなど開口部が大きくマスク部が細いパタ
ーンの場合にマスク強度が不足する傾向にあるマスクを
基板に密着させても、前記隔壁が有機ＥＬ膜の発光層を
保護するので、微細なパターンが形成でき発光層に損傷
を与えることがなくなり、隔壁及びマスクによりＲＧＢ
有機層の分離が確実に行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の
塗り分けができる。
【００１７】さらに、本発明の有機ＥＬディスプレイパ
ネルの製造方法によれば、前記第１表示電極を形成する
パターニング工程と前記隔壁形成工程との間に、絶縁膜
を、少なくとも前記オーバーハング部の下の部分となる
べき前記第１表示電極上及び又は露出した前記第１表示
電極の部分の縁部に、形成する工程を含むことにより、
かかる少なくとも前記オーバーハング部の下の前記第１
表示電極上及び又は前記露出した前記第１表示電極の部
分の縁部に形成された絶縁膜が、前記第１及び第２表示
電極間の短絡を防止することができる。
ネルの製造方法によれば、前記第１表示電極を形成する
パターニング工程と前記隔壁形成工程との間に、絶縁膜
を、少なくとも前記オーバーハング部の下の部分となる
べき前記第１表示電極上及び又は露出した前記第１表示
電極の部分の縁部に、形成する工程を含むことにより、
かかる少なくとも前記オーバーハング部の下の前記第１
表示電極上及び又は前記露出した前記第１表示電極の部
分の縁部に形成された絶縁膜が、前記第１及び第２表示
電極間の短絡を防止することができる。
【００１８】またさらに、本発明の有機ＥＬディスプレ
イパネルの製造方法によれば、前記第２表示電極を形成
する工程の後に、絶縁性封止膜を、少なくとも前記第２
表示電極を完全に覆うように形成する工程を含むことに
より、かかる前記第１表示電極、前記有機エレクトロル
ミネッセンス媒体の薄膜及び前記第２表示電極上に形成
された絶縁性封止膜が、有機ＥＬディスプレイパネルの
劣化非発光部の拡大を防止することができる。
イパネルの製造方法によれば、前記第２表示電極を形成
する工程の後に、絶縁性封止膜を、少なくとも前記第２
表示電極を完全に覆うように形成する工程を含むことに
より、かかる前記第１表示電極、前記有機エレクトロル
ミネッセンス媒体の薄膜及び前記第２表示電極上に形成
された絶縁性封止膜が、有機ＥＬディスプレイパネルの
劣化非発光部の拡大を防止することができる。
【００１９】
【実施例】以下に、本発明による実施例を図面を参照し
つつ説明する。図１に示すように、実施例の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルはマトリクス状に配置されかつ各々が
赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素１の複数
からなる画像表示配列を有している。また、ＲＧＢの発
光部に代えてすべてを単色の発光部としてモノクロムデ
ィスプレイパネルを形成できる。
つつ説明する。図１に示すように、実施例の有機ＥＬデ
ィスプレイパネルはマトリクス状に配置されかつ各々が
赤Ｒ、緑Ｇ及び青Ｂの発光部からなる発光画素１の複数
からなる画像表示配列を有している。また、ＲＧＢの発
光部に代えてすべてを単色の発光部としてモノクロムデ
ィスプレイパネルを形成できる。
【００２０】図２に示すように、この有機ＥＬディスプ
レイパネルの基板２上には、ＩＴＯなどからなる第１表
示電極ライン３が設けられている。第１表示電極ライン
３は互いに平行な複数のストライプ状に配列されてい
る。さらに基板２上から突出する複数の電気絶縁性の隔
壁７が、図２及び図３に示すように、第１表示電極ライ
ン３に直交するように基板２及び第１表示電極ライン３
上にわたって形成されている。すなわち、隔壁７が少な
くとも第１表示電極ライン３の一部分を露出せしめるよ
うに、形成されている。
レイパネルの基板２上には、ＩＴＯなどからなる第１表
示電極ライン３が設けられている。第１表示電極ライン
３は互いに平行な複数のストライプ状に配列されてい
る。さらに基板２上から突出する複数の電気絶縁性の隔
壁７が、図２及び図３に示すように、第１表示電極ライ
ン３に直交するように基板２及び第１表示電極ライン３
上にわたって形成されている。すなわち、隔壁７が少な
くとも第１表示電極ライン３の一部分を露出せしめるよ
うに、形成されている。
【００２１】隔壁７の上部に基板に平行な方向に突出す
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。露出している第１表示電極ライン３の
部分の各々上に、少くとも１層の有機ＥＬ媒体８の薄膜
が形成されている。たとえば、有機ＥＬ媒体８は、有機
発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層
及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔
輸送層及び有機発光層２層構造の媒体などである。
るオーバーハング部７ａが、隔壁７の伸長方向に沿って
形成されている。露出している第１表示電極ライン３の
部分の各々上に、少くとも１層の有機ＥＬ媒体８の薄膜
が形成されている。たとえば、有機ＥＬ媒体８は、有機
発光層の単一層、あるいは有機正孔輸送層、有機発光層
及び有機電子輸送層の３層構造の媒体、または有機正孔
輸送層及び有機発光層２層構造の媒体などである。
【００２２】有機ＥＬ媒体８の薄膜上にその伸長方向に
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。この様
に、第１及び第２表示電極ラインが交差して挾まれた有
機ＥＬ媒体の部分が発光部に対応する。この単純マトリ
クス型のパネルの第２表示電極９の上には保護膜１０ま
たは保護基板が設けられることが好ましい。また、上記
実施例の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、基板及
び第１表示電極が透明であり、発光は基板側から放射さ
れるので、図３に示すように、発光効率を高めるために
第２表示電極上または保護膜を介して反射膜２１を設け
ることが好ましい。逆に、他の実施例の有機ＥＬディス
プレイパネルにおいて、第２表示電極を透明材料で構成
して、発光を第２表示電極側から放射させることもでき
る。この場合、発光効率を高めるために第１表示電極の
外側に反射膜を設けることが好ましい。
沿って第２表示電極ライン９が形成されている。この様
に、第１及び第２表示電極ラインが交差して挾まれた有
機ＥＬ媒体の部分が発光部に対応する。この単純マトリ
クス型のパネルの第２表示電極９の上には保護膜１０ま
たは保護基板が設けられることが好ましい。また、上記
実施例の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、基板及
び第１表示電極が透明であり、発光は基板側から放射さ
れるので、図３に示すように、発光効率を高めるために
第２表示電極上または保護膜を介して反射膜２１を設け
ることが好ましい。逆に、他の実施例の有機ＥＬディス
プレイパネルにおいて、第２表示電極を透明材料で構成
して、発光を第２表示電極側から放射させることもでき
る。この場合、発光効率を高めるために第１表示電極の
外側に反射膜を設けることが好ましい。
【００２３】次に、有機ＥＬディスプレイパネル製造工
程を説明する。図４に示すように、パターニング工程に
より、第１表示電極３としてＩＴＯ等からなる導電性透
明膜（例えば、０．３mmピッチ、０．２８mm幅、０．２
μｍ膜厚）が複数本平行に成膜されているガラス等の透
明基板２を用意する。次に、隔壁形成工程では、隔壁材
料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコート
法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に形成
し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料のＳｉ
Ｏ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ法で
０．５μｍ膜厚に形成する。
程を説明する。図４に示すように、パターニング工程に
より、第１表示電極３としてＩＴＯ等からなる導電性透
明膜（例えば、０．３mmピッチ、０．２８mm幅、０．２
μｍ膜厚）が複数本平行に成膜されているガラス等の透
明基板２を用意する。次に、隔壁形成工程では、隔壁材
料の非感光性のポリイミド７０を、例えばスピンコート
法で３μｍ膜厚に透明基板２の第１表示電極３上に形成
し、さらに隔壁の上部のオーバーハング部の材料のＳｉ
Ｏ2７１を、ポリイミド膜７０上に例えばスパッタ法で
０．５μｍ膜厚に形成する。
【００２４】次に、図５（ａ）に示すように、ＳｉＯ2
膜７１上に、フォトレジストをスピンコートで例えば１
μｍ膜厚に成膜して、例えば２０μｍの幅のフォトレジ
ストリッジ７２を残すように通常のフォトリソグラフィ
法等の手法を用いてフォトレジストパターンを形成す
る。続いて図５（ｂ）に示すように、該フォトレジスト
リッジ７２をマスクとして、リアクティブイオンエッチ
ング等を手法を用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジスト
と同一のパターン形状にエッチングする。このリアクテ
ィブイオンエッチングを行う時は、例えばエッチングガ
スはＣＦ4を用いてガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワ
ー１００Ｗで１０分間でエッチングが完了する。
膜７１上に、フォトレジストをスピンコートで例えば１
μｍ膜厚に成膜して、例えば２０μｍの幅のフォトレジ
ストリッジ７２を残すように通常のフォトリソグラフィ
法等の手法を用いてフォトレジストパターンを形成す
る。続いて図５（ｂ）に示すように、該フォトレジスト
リッジ７２をマスクとして、リアクティブイオンエッチ
ング等を手法を用いてＳｉＯ2膜７１をフォトレジスト
と同一のパターン形状にエッチングする。このリアクテ
ィブイオンエッチングを行う時は、例えばエッチングガ
スはＣＦ4を用いてガス流量１００ｓｃｃｍ、ＲＦパワ
ー１００Ｗで１０分間でエッチングが完了する。
【００２５】その後、図５（ｃ）に示すように、ドライ
エッチング又はウエットエッチングを用いて、ポリイミ
ド膜７０の隔壁本体及びその上部に基板に平行な方向に
突出するオーバーハング部７ａのＳｉＯ2膜７１からな
る断面が略Ｔ字型の隔壁７を形成する。Ｔ字型の隔壁７
の基板からの高さは、後に形成される第２表示電極の陰
極９とＩＴＯ陽極３が電気的に短絡されない様な高さで
あればいくらでもよい。具体的には１μｍ以上１０μｍ
以下が望ましい。またＴ字の横方向のオーバーハング部
７ａも同様の理由で、片側約１μｍ幅で０．２μｍ以上
程度の膜厚があれば十分である。
エッチング又はウエットエッチングを用いて、ポリイミ
ド膜７０の隔壁本体及びその上部に基板に平行な方向に
突出するオーバーハング部７ａのＳｉＯ2膜７１からな
る断面が略Ｔ字型の隔壁７を形成する。Ｔ字型の隔壁７
の基板からの高さは、後に形成される第２表示電極の陰
極９とＩＴＯ陽極３が電気的に短絡されない様な高さで
あればいくらでもよい。具体的には１μｍ以上１０μｍ
以下が望ましい。またＴ字の横方向のオーバーハング部
７ａも同様の理由で、片側約１μｍ幅で０．２μｍ以上
程度の膜厚があれば十分である。
【００２６】このＴ字型隔壁７は、図６（ａ）に示すよ
うに、初めにＯ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングし、その後図６（ｂ）に示すように、アルカリ溶
液で３０秒間程度ウエットエッチングを行いポリイミド
膜７０の側面７０ａを等方的にエッチングすることで形
成できる。この２段階エッチングプロセスでは、均一な
サイドエッチングが行える。図７（ａ）はこの２段階工
程で作成したＴ字型隔壁７の断面図である。
うに、初めにＯ2などのガスを用いてリアクティブイオ
ンエッチング（異方性エッチング）を行い、ポリイミド
膜７０をアンダーカットがないように垂直にドライエッ
チングし、その後図６（ｂ）に示すように、アルカリ溶
液で３０秒間程度ウエットエッチングを行いポリイミド
膜７０の側面７０ａを等方的にエッチングすることで形
成できる。この２段階エッチングプロセスでは、均一な
サイドエッチングが行える。図７（ａ）はこの２段階工
程で作成したＴ字型隔壁７の断面図である。
【００２７】ポリイミド膜７０をエッチングする他の方
法としては、異方性エッチングを予め行わず、ポリイミ
ドのエッチャントであるアルカリ溶液で１〜２分間、等
方的にエッチングを行うことでＳｉＯ2膜７１をマスク
としてポリイミド膜７０がエッチングできる。この時ウ
エットエッチングでポリイミドをエッチングするので、
等方性エッチングとなり、図７（ｂ）に示すように、ア
ンダーカットの状態となる。
法としては、異方性エッチングを予め行わず、ポリイミ
ドのエッチャントであるアルカリ溶液で１〜２分間、等
方的にエッチングを行うことでＳｉＯ2膜７１をマスク
としてポリイミド膜７０がエッチングできる。この時ウ
エットエッチングでポリイミドをエッチングするので、
等方性エッチングとなり、図７（ｂ）に示すように、ア
ンダーカットの状態となる。
【００２８】尚、これまでポリイミドと称していたの
は、イミド化する前の前駆体状態の物質であり図３の状
態の段階で３００℃で硬化せしめると本当のポリイミド
となるのはもちろんである。しかし、強度その他不都合
がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。ま
た、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質としては、
下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料がそれ
ぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチングさ
れない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の成膜
前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いることが出
来る。
は、イミド化する前の前駆体状態の物質であり図３の状
態の段階で３００℃で硬化せしめると本当のポリイミド
となるのはもちろんである。しかし、強度その他不都合
がなければ、その物質を硬化させなくても構わない。ま
た、ポリイミド及びＳｉＯ2の代わりの材質としては、
下部の隔壁材料と上部のオーバーハング部の材料がそれ
ぞれエッチングされる際に、これら自体がエッチングさ
れない絶縁物であれば何でもよく、有機ＥＬ媒体の成膜
前に強度を保持できる電気絶縁性物質を用いることが出
来る。
【００２９】また、このような２層構造隔壁の代わり
に、図７（ｃ）〜（ｈ）に示すように、フォトレジスト
をクロルベンゼン処理する等の方法でＴ字形状断面ある
いは、逆テーパ断面（図７（ｃ），（ｄ））を有する隔
壁など上部のオーバーハング部を有する隔壁を形成して
も構わない。その後、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、発光層形成工程にて、露出した第１表示電極３の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成し、つぎの第２表示電極形成
工程にて、有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電
極を形成する。図ではＲＧＢ３色の２画素のみの説明で
あるが、実際は２次元に複数個の画素を同時に形成す
る。
に、図７（ｃ）〜（ｈ）に示すように、フォトレジスト
をクロルベンゼン処理する等の方法でＴ字形状断面ある
いは、逆テーパ断面（図７（ｃ），（ｄ））を有する隔
壁など上部のオーバーハング部を有する隔壁を形成して
も構わない。その後、図８（ａ）〜（ｄ）に示すよう
に、発光層形成工程にて、露出した第１表示電極３の部
分の各々上に有機ＥＬ媒体を堆積させ、少くとも１層の
有機ＥＬ媒体の薄膜を形成し、つぎの第２表示電極形成
工程にて、有機ＥＬ媒体の薄膜の複数の上に第２表示電
極を形成する。図ではＲＧＢ３色の２画素のみの説明で
あるが、実際は２次元に複数個の画素を同時に形成す
る。
【００３０】まず、発光層形成工程では図８（ａ）に示
すように、隔壁７が形成された基板２の凹部の各１つに
成膜用マスク３０の各１つの穴部３１を位置合わせした
後、隔壁上にマスクを載置して、１番目（例えば赤色）
の有機ＥＬ媒体８ａを例えば蒸着などの方法を用いて所
定厚さに成膜する。基板は有機ＥＬ媒体の蒸気流に対し
て自由な角度で行っても良いが、蒸気流が隔壁のオーバ
ーハング部を回り込む様にすることが好ましい。
すように、隔壁７が形成された基板２の凹部の各１つに
成膜用マスク３０の各１つの穴部３１を位置合わせした
後、隔壁上にマスクを載置して、１番目（例えば赤色）
の有機ＥＬ媒体８ａを例えば蒸着などの方法を用いて所
定厚さに成膜する。基板は有機ＥＬ媒体の蒸気流に対し
て自由な角度で行っても良いが、蒸気流が隔壁のオーバ
ーハング部を回り込む様にすることが好ましい。
【００３１】図８（ｂ）の工程では、例えば成膜用マス
クを左に隔壁１個分ずらして位置合わせをした後、隔壁
上にマスクを載置して２番目（例えば緑色）の有機ＥＬ
媒体８ｂを所定膜厚に成膜する。図８（ｃ）の工程で残
った１個の凹部に成膜用マスクを位置合わせをした後、
隔壁上にマスクを載置して３番目（例えば青色）の有機
ＥＬ媒体８ｃを所定膜厚に成膜する。このように、１つ
の開口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表
示電極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる
発光層形成工程を順次繰り返す。また、隔壁７があるの
で、成膜用マスクの位置合わせ、移動載置した蒸着の際
に、マスクによる有機ＥＬ媒体層を傷つけることがな
い。
クを左に隔壁１個分ずらして位置合わせをした後、隔壁
上にマスクを載置して２番目（例えば緑色）の有機ＥＬ
媒体８ｂを所定膜厚に成膜する。図８（ｃ）の工程で残
った１個の凹部に成膜用マスクを位置合わせをした後、
隔壁上にマスクを載置して３番目（例えば青色）の有機
ＥＬ媒体８ｃを所定膜厚に成膜する。このように、１つ
の開口が１つの第１表示電極上からその隣接する第１表
示電極上へ配置されるようにマスクを順次移動せしめる
発光層形成工程を順次繰り返す。また、隔壁７があるの
で、成膜用マスクの位置合わせ、移動載置した蒸着の際
に、マスクによる有機ＥＬ媒体層を傷つけることがな
い。
【００３２】図８（ｄ）の第２表示電極形成工程では、
ＲＧＢ３種類の有機ＥＬ媒体を所定の個所に成膜した
後、成膜用マスクを取り除き、ステップカバレッジのな
い方法（例えば蒸着等）で、金属蒸気を、基板と略垂直
に真上から、３種類の有機ＥＬ媒体の各々の上に所定厚
に被着させ、第２表示電極の陰極９を形成する。金属蒸
気の垂直入射により、隔壁のオーバーハング部７ａで陰
極９が分断され、その結果、図８（ｄ）のように隔壁両
側の陰極９は電気的に絶縁される。また、金属蒸気が隔
壁のオーバーハング部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ
媒体材料粒子流の程度よりも小さくなり、図８（ｄ）の
ように有機ＥＬ媒体８が陰極９からはみ出し、陰極９と
ＩＴＯ陽極３とのショートを生じさせない。この電気的
に導通する陰極９の膜厚は、支障のない限り厚く被着さ
せても構わない。陰極の材質は電気的に導通のあるもの
ならなんでもよいが、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低
い金属が望ましいのはもちろんである。
ＲＧＢ３種類の有機ＥＬ媒体を所定の個所に成膜した
後、成膜用マスクを取り除き、ステップカバレッジのな
い方法（例えば蒸着等）で、金属蒸気を、基板と略垂直
に真上から、３種類の有機ＥＬ媒体の各々の上に所定厚
に被着させ、第２表示電極の陰極９を形成する。金属蒸
気の垂直入射により、隔壁のオーバーハング部７ａで陰
極９が分断され、その結果、図８（ｄ）のように隔壁両
側の陰極９は電気的に絶縁される。また、金属蒸気が隔
壁のオーバーハング部７ａを回り込む程度が、有機ＥＬ
媒体材料粒子流の程度よりも小さくなり、図８（ｄ）の
ように有機ＥＬ媒体８が陰極９からはみ出し、陰極９と
ＩＴＯ陽極３とのショートを生じさせない。この電気的
に導通する陰極９の膜厚は、支障のない限り厚く被着さ
せても構わない。陰極の材質は電気的に導通のあるもの
ならなんでもよいが、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕなど抵抗率の低
い金属が望ましいのはもちろんである。
【００３３】次に、他の実施例である有機ＥＬディスプ
レイパネル製造方法を説明する。図９（ａ）に示すよう
に、予めＩＴＯ陽極３が所定の形状にパターニングされ
た基板２上に、逆テーパー断面形状をもった隔壁７を、
その上部のオーバーハング部７ａが後の金属蒸着におけ
る陰極縁部９ａを遮るように、形成する。図９（ｂ）に
示すように、上記同様に、この基板２に蒸着マスク３０
を用いて、ＲＧＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸着する。
有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着させて行
うが、このとき、隔壁がスペーサとなり蒸着マスクとＩ
ＴＯ上の有機ＥＬ媒体の間に隙間ができるので、両者が
接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与えることはない。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸発源を
用いて他方向から行ったりして、逆テーパーの隔壁の根
本付近まで回り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着
した際、陰極が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽
極とショートするのを防ぐためである。
レイパネル製造方法を説明する。図９（ａ）に示すよう
に、予めＩＴＯ陽極３が所定の形状にパターニングされ
た基板２上に、逆テーパー断面形状をもった隔壁７を、
その上部のオーバーハング部７ａが後の金属蒸着におけ
る陰極縁部９ａを遮るように、形成する。図９（ｂ）に
示すように、上記同様に、この基板２に蒸着マスク３０
を用いて、ＲＧＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸着する。
有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着させて行
うが、このとき、隔壁がスペーサとなり蒸着マスクとＩ
ＴＯ上の有機ＥＬ媒体の間に隙間ができるので、両者が
接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与えることはない。更
に、この蒸着は基板を自公転させたり、複数の蒸発源を
用いて他方向から行ったりして、逆テーパーの隔壁の根
本付近まで回り込ませる。これは、後に陰極材料を蒸着
した際、陰極が有機ＥＬ媒体層をはみ出して、ＩＴＯ陽
極とショートするのを防ぐためである。
【００３４】次に、図９（ｃ）に示すように、陰極材料
を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。図のよう
に、逆テーパー形状断面隔壁のオーバーハング部７ａが
陰極縁部９ａを遮るため、隔壁の上面と隔壁の根本で陰
極が分断され、隣り合った陰極パターンは電気的に絶縁
される。最後に防湿封止を行い、有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイが完成する。
を基板面に対して略垂直な方向から蒸着する。図のよう
に、逆テーパー形状断面隔壁のオーバーハング部７ａが
陰極縁部９ａを遮るため、隔壁の上面と隔壁の根本で陰
極が分断され、隣り合った陰極パターンは電気的に絶縁
される。最後に防湿封止を行い、有機ＥＬフルカラーデ
ィスプレイが完成する。
【００３５】図９（ｂ）及び図８（ａ）〜（ｃ）の工程
で３色の有機ＥＬ媒体ではなく１色分の有機ＥＬ媒体を
全面に成膜すれば、単色のディスプレイができるのは明
らかである。また、この１色の色を白色にして、ＲＧＢ
のフィルターと組み合わせれば、フルカラーディスプレ
イにもなる。本発明による有機ＥＬディスプレイは、有
機ＥＬ媒体層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性
を損なうことが無く高効率である。更に、陰極を略垂直
方向から成膜するため任意の陰極パターンの形状が可能
である。また、逆テーパーの隔壁は通常、フォトリソグ
ラフィーの技術を用いて作るため、１０μｍ以下の微細
なパターニングが可能である。
で３色の有機ＥＬ媒体ではなく１色分の有機ＥＬ媒体を
全面に成膜すれば、単色のディスプレイができるのは明
らかである。また、この１色の色を白色にして、ＲＧＢ
のフィルターと組み合わせれば、フルカラーディスプレ
イにもなる。本発明による有機ＥＬディスプレイは、有
機ＥＬ媒体層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性
を損なうことが無く高効率である。更に、陰極を略垂直
方向から成膜するため任意の陰極パターンの形状が可能
である。また、逆テーパーの隔壁は通常、フォトリソグ
ラフィーの技術を用いて作るため、１０μｍ以下の微細
なパターニングが可能である。
【００３６】この発明の特徴は、有機ＥＬディスプレイ
用基板上に、Ｔ字断面形状または断面形状の１部もしく
は全部が逆テーパーであるオーバーハング部を有する隔
壁があることと、その逆テーパーの隔壁の根本で、陰極
金属材料の粒子流よりも有機ＥＬ媒体材料の粒子流の方
が回り込みが大きいことである。 （実施例１）化学増幅型レジストを隔壁材料として用い有機ＥＬディ
スプレイパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、日本ゼオン製ネガフォトレジストＬＡＸ
−１を５．６μｍスピンコートした。次に、温風循環式
オーブンにてプリベークをした後、ＩＴＯと直交するス
トライプ状のフォトマスク（陰極ギャップ２０μｍ）を
用いて、露光を行った。更に、温風循環式オーブンにて
Ｐ．Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．
６μｍの隔壁を形成した（図１０の図面代用写真参
照）。この基板を回転しながら、ＴＰＤを７００オング
ストローム、Ａｌｑ3を５５０オングストローム蒸着し
た後、基板の回転を止めて基板面に対して垂直な方向か
らＡｌを１０００オングストーム蒸着した（図１１の図
面代用写真参照）。図１１に示すように隔壁の上面と根
本でＡｌ膜は切れており、隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。 （実施例２）Ｃ6Ｈ5Ｃｌ処理したレジストを用い有機ＥＬディスプレ
イパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、ヘキスト製ポジフォトレジストＡＺ６１
１２を約１μｍスピンコートし、温風循環式オーブンに
てプリベークをした後、３２℃のＣ6Ｈ5Ｃｌ溶液中に３
０分浸した。次に、ＩＴＯと直交するストライプ状のフ
ォトマスク（陰極ギャップ２μｍ）を用いて露光を行っ
てから、現像を行って、幅２μｍ高さ１μｍの隔壁を形
成した（図１２の図面代用写真参照）。後は、実施例１
と同様の工程で蒸着を行った。その結果、隔壁の上面と
根本でＡ１膜は切れており隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。
用基板上に、Ｔ字断面形状または断面形状の１部もしく
は全部が逆テーパーであるオーバーハング部を有する隔
壁があることと、その逆テーパーの隔壁の根本で、陰極
金属材料の粒子流よりも有機ＥＬ媒体材料の粒子流の方
が回り込みが大きいことである。 （実施例１）化学増幅型レジストを隔壁材料として用い有機ＥＬディ
スプレイパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、日本ゼオン製ネガフォトレジストＬＡＸ
−１を５．６μｍスピンコートした。次に、温風循環式
オーブンにてプリベークをした後、ＩＴＯと直交するス
トライプ状のフォトマスク（陰極ギャップ２０μｍ）を
用いて、露光を行った。更に、温風循環式オーブンにて
Ｐ．Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．
６μｍの隔壁を形成した（図１０の図面代用写真参
照）。この基板を回転しながら、ＴＰＤを７００オング
ストローム、Ａｌｑ3を５５０オングストローム蒸着し
た後、基板の回転を止めて基板面に対して垂直な方向か
らＡｌを１０００オングストーム蒸着した（図１１の図
面代用写真参照）。図１１に示すように隔壁の上面と根
本でＡｌ膜は切れており、隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。 （実施例２）Ｃ6Ｈ5Ｃｌ処理したレジストを用い有機ＥＬディスプレ
イパネル製造した場合 ストライプ状にＩＴＯがパターニングされたガラス基板
を十分洗浄し、ヘキスト製ポジフォトレジストＡＺ６１
１２を約１μｍスピンコートし、温風循環式オーブンに
てプリベークをした後、３２℃のＣ6Ｈ5Ｃｌ溶液中に３
０分浸した。次に、ＩＴＯと直交するストライプ状のフ
ォトマスク（陰極ギャップ２μｍ）を用いて露光を行っ
てから、現像を行って、幅２μｍ高さ１μｍの隔壁を形
成した（図１２の図面代用写真参照）。後は、実施例１
と同様の工程で蒸着を行った。その結果、隔壁の上面と
根本でＡ１膜は切れており隣同士の陰極ラインは完全に
絶縁されていた。更に、有機ＥＬ媒体層のエッジはＡｌ
のエッジよりはみ出ていたのでＡ１−ＩＴＯ間でのショ
ートは起きなかった。
【００３７】この様に本発明よって、隔壁の上部と有機
ＥＬ媒体が成膜された部分との電気的絶縁が確保され、
後にフォトリソグラフィ等の工程を経ずに自動的に陰極
のパターニングが完了する。また、隔壁とマスクとを突
き合わせて有機ＥＬ媒体を成膜することで、有機ＥＬ媒
体を劣化させる事なく、また隔壁があるため隣接した画
素に成膜された有機ＥＬ媒体が回り込まずに微細な領域
に塗り分けることが可能となり、高精彩なフルカラーデ
ィスプレイが実現できる。 （実施例３）他に微細なピッチのディスプレイを実現す
るものとして、図１３に示すように、第２表示電極に接
続された非線形素子（たとえば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、コンデンサなど）が、データ信号ライン及び走査
信号ラインとともに基板平面上に形成したフルカラーデ
ィスプレイがある。図示するように、上記実施例と同様
にＩＴＯ膜３、有機ＥＬ媒体層８及び第２表示電極９を
成膜した前面ガラス基板２を形成し、そして、この前面
基板とは別に所定の画素数だけ第２表示電極と接続すべ
きＴＦＴなどの非線形素子１０１を作り込んである裏面
用ガラス基板１０２を形成し、両基板を非線形素子１０
１が対応する第２表示電極９だけと電気的に導通するよ
うに異方導電性接着剤１０３にて張り合わせてディスプ
レイとする。
ＥＬ媒体が成膜された部分との電気的絶縁が確保され、
後にフォトリソグラフィ等の工程を経ずに自動的に陰極
のパターニングが完了する。また、隔壁とマスクとを突
き合わせて有機ＥＬ媒体を成膜することで、有機ＥＬ媒
体を劣化させる事なく、また隔壁があるため隣接した画
素に成膜された有機ＥＬ媒体が回り込まずに微細な領域
に塗り分けることが可能となり、高精彩なフルカラーデ
ィスプレイが実現できる。 （実施例３）他に微細なピッチのディスプレイを実現す
るものとして、図１３に示すように、第２表示電極に接
続された非線形素子（たとえば薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）、コンデンサなど）が、データ信号ライン及び走査
信号ラインとともに基板平面上に形成したフルカラーデ
ィスプレイがある。図示するように、上記実施例と同様
にＩＴＯ膜３、有機ＥＬ媒体層８及び第２表示電極９を
成膜した前面ガラス基板２を形成し、そして、この前面
基板とは別に所定の画素数だけ第２表示電極と接続すべ
きＴＦＴなどの非線形素子１０１を作り込んである裏面
用ガラス基板１０２を形成し、両基板を非線形素子１０
１が対応する第２表示電極９だけと電気的に導通するよ
うに異方導電性接着剤１０３にて張り合わせてディスプ
レイとする。
【００３８】この方法でディスプレイを作製する際は、
画素ひとつひとつに独立した陰極が有機ＥＬ媒体の上部
に成膜されしかも他の画素の陰極とは絶縁されていなけ
ればならない。この条件を実現するためには、上記した
ようなＴ字型の隔壁を２次元マトリクス状に作製して解
決出来る。さらに、本発明は、第１及び第２表示電極並
びに有機ＥＬ層の絶縁破壊の問題を解決し、素子の特性
を劣化することなく発光機能層や第２電極を自由な形状
にパターニングしたディスプレイを歩留まり良く生産で
きる素子及びその方法をも提供する。すなわち、実施例
４として隔壁のオーバーハング部下の第１及び第２表示
電極間に絶縁膜を追加する方法及び素子と、実施例５と
して隔壁及び第２表示電極上に絶縁封止膜を追加する方
法及び素子と、を本発明は実現する。 （実施例４）絶縁膜の追加 第２表示電極第１及び第２表示電極のショート、特に第
２表示電極エッジ部の短絡を防止する。
画素ひとつひとつに独立した陰極が有機ＥＬ媒体の上部
に成膜されしかも他の画素の陰極とは絶縁されていなけ
ればならない。この条件を実現するためには、上記した
ようなＴ字型の隔壁を２次元マトリクス状に作製して解
決出来る。さらに、本発明は、第１及び第２表示電極並
びに有機ＥＬ層の絶縁破壊の問題を解決し、素子の特性
を劣化することなく発光機能層や第２電極を自由な形状
にパターニングしたディスプレイを歩留まり良く生産で
きる素子及びその方法をも提供する。すなわち、実施例
４として隔壁のオーバーハング部下の第１及び第２表示
電極間に絶縁膜を追加する方法及び素子と、実施例５と
して隔壁及び第２表示電極上に絶縁封止膜を追加する方
法及び素子と、を本発明は実現する。 （実施例４）絶縁膜の追加 第２表示電極第１及び第２表示電極のショート、特に第
２表示電極エッジ部の短絡を防止する。
【００３９】図１４（ａ）に示すように、予め第１表示
電極３（ＩＴＯ陽極）が所定の形状にパターニングされ
た基板上に、少なくとも後に蒸着する第２表示電極パタ
ーンのエッジにあたる部分に絶縁膜４０を形成する。次
に、図１４（ｂ）に示すように、逆テーパ断面形状をも
った隔壁７を、その上部のオーバーハング部７ａが後の
金属蒸着における第２表示電極の縁部、すなわち絶縁膜
４０を遮るように、形成する。絶縁膜４０は第２表示電
極パターンのギャップにあたる部分に形成される。
電極３（ＩＴＯ陽極）が所定の形状にパターニングされ
た基板上に、少なくとも後に蒸着する第２表示電極パタ
ーンのエッジにあたる部分に絶縁膜４０を形成する。次
に、図１４（ｂ）に示すように、逆テーパ断面形状をも
った隔壁７を、その上部のオーバーハング部７ａが後の
金属蒸着における第２表示電極の縁部、すなわち絶縁膜
４０を遮るように、形成する。絶縁膜４０は第２表示電
極パターンのギャップにあたる部分に形成される。
【００４０】次に、図１４（ｃ）に示すように、この基
板２に蒸着マスク３０を用いて、ＲＧＢの有機材料を上
記同様に、それぞれ蒸着する。この基板に蒸着マスク３
０を用いて、Ｒ、Ｇ及びＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸
着する。有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着
させて行うが、このとき、隔壁７がスペーサとなり蒸着
マスクと第１表示電極上の有機ＥＬ媒体の間に隙間がで
きるので、両者が接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与える
ことはない。
板２に蒸着マスク３０を用いて、ＲＧＢの有機材料を上
記同様に、それぞれ蒸着する。この基板に蒸着マスク３
０を用いて、Ｒ、Ｇ及びＢの有機ＥＬ媒体をそれぞれ蒸
着する。有機ＥＬ媒体の蒸着は基板と蒸着マスクを密着
させて行うが、このとき、隔壁７がスペーサとなり蒸着
マスクと第１表示電極上の有機ＥＬ媒体の間に隙間がで
きるので、両者が接触して有機ＥＬ媒体に損傷を与える
ことはない。
【００４１】次に、図１４（ｄ）に示すように、更に、
少なくとも基板の表示領域を覆うような全面に第２表示
電極材料を蒸着する。この第２表示電極材料の蒸着は、
基板からの法線からの逆テーパー隔壁のテーパー角度
θ’より小さい角度θ（θ＜θ’）で行う。例えば、図
のように、陰極材料を基板面に対して略垂直な方向から
蒸着する。隔壁の断面が逆テーパー形状すなわちオーバ
ーハング部のため、隔壁の上面と隔壁の根本で第２表示
電極が分断され、隣り合った第２表示電極パターンは電
気的に絶縁される。また、第２表示電極のエッジが有機
膜のエッジをオーバーラップしても、図１４（ａ）の工
程で形成した絶縁膜７により第２表示電極と第１表示電
極とが絶縁されるため両者はショートしない。
少なくとも基板の表示領域を覆うような全面に第２表示
電極材料を蒸着する。この第２表示電極材料の蒸着は、
基板からの法線からの逆テーパー隔壁のテーパー角度
θ’より小さい角度θ（θ＜θ’）で行う。例えば、図
のように、陰極材料を基板面に対して略垂直な方向から
蒸着する。隔壁の断面が逆テーパー形状すなわちオーバ
ーハング部のため、隔壁の上面と隔壁の根本で第２表示
電極が分断され、隣り合った第２表示電極パターンは電
気的に絶縁される。また、第２表示電極のエッジが有機
膜のエッジをオーバーラップしても、図１４（ａ）の工
程で形成した絶縁膜７により第２表示電極と第１表示電
極とが絶縁されるため両者はショートしない。
【００４２】最後に、防湿のための封止を行い、有機Ｅ
Ｌフルカラーディスプレイが完成する。図１４（ｃ）の
工程で３色ではなく１色分の材料を全面に成膜すれば、
単色のディスプレイができるのは明らかである。また、
この１色の色を白色にして、ＲＧＢのフィルターと組み
合わせれば、フルカラーディスプレイになる。
Ｌフルカラーディスプレイが完成する。図１４（ｃ）の
工程で３色ではなく１色分の材料を全面に成膜すれば、
単色のディスプレイができるのは明らかである。また、
この１色の色を白色にして、ＲＧＢのフィルターと組み
合わせれば、フルカラーディスプレイになる。
【００４３】図１４（ａ）の工程で形成した絶縁膜の形
成範囲は、少なくとも隔壁によって分断された第２表示
電極のエッジ部、最大で表示ドット（セグメント）を除
く基板全面である。例えば、この絶縁膜形成工程におけ
る基板の平面図で示せば、絶縁膜は、図１５に示すよう
に、第１表示電極３に垂直に伸長する平行な一対の絶縁
膜ストライプ４０ａ，４０ｂであって、図１６に示すよ
うに、後に形成される隔壁７の根本を挾むように形成さ
れる。また、図１７に示すように、絶縁膜を、図１５に
示す一対のストライプを１つにまとめて、図１８に示す
ように、その中心線上で隔壁７が伸長できるようなスト
ライプとすることもできる。さらにまた、図１９に示す
ように、絶縁膜を第１表示電極伸長方向に連結させて、
画素すなわち第１表示電極の露出部分５０を除く全面に
且つ、第１表示電極のエッジ６０を覆うように形成すれ
ば、第１表示電極エッジと第２表示電極のショートをも
防止できる。
成範囲は、少なくとも隔壁によって分断された第２表示
電極のエッジ部、最大で表示ドット（セグメント）を除
く基板全面である。例えば、この絶縁膜形成工程におけ
る基板の平面図で示せば、絶縁膜は、図１５に示すよう
に、第１表示電極３に垂直に伸長する平行な一対の絶縁
膜ストライプ４０ａ，４０ｂであって、図１６に示すよ
うに、後に形成される隔壁７の根本を挾むように形成さ
れる。また、図１７に示すように、絶縁膜を、図１５に
示す一対のストライプを１つにまとめて、図１８に示す
ように、その中心線上で隔壁７が伸長できるようなスト
ライプとすることもできる。さらにまた、図１９に示す
ように、絶縁膜を第１表示電極伸長方向に連結させて、
画素すなわち第１表示電極の露出部分５０を除く全面に
且つ、第１表示電極のエッジ６０を覆うように形成すれ
ば、第１表示電極エッジと第２表示電極のショートをも
防止できる。
【００４４】本発明による有機ＥＬディスプレイは、発
光機能層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性を損
なうことが無く高効率であり、第２表示電極の蒸着方向
に自由度があるため、任意の第２表示電極パターンの形
状が可能である。また、第２表示電極エッジ部及び第１
表示電極間に絶縁膜が挿入されているため、この部分で
のショートが起きない。更に、絶縁膜や逆テーパーの隔
壁は通常、フォトリソグラフィーの技術を用いて作るた
め、１０μｍ以下の微細なパターニングが可能である。
光機能層成膜後に湿式の工程がないため本来の特性を損
なうことが無く高効率であり、第２表示電極の蒸着方向
に自由度があるため、任意の第２表示電極パターンの形
状が可能である。また、第２表示電極エッジ部及び第１
表示電極間に絶縁膜が挿入されているため、この部分で
のショートが起きない。更に、絶縁膜や逆テーパーの隔
壁は通常、フォトリソグラフィーの技術を用いて作るた
め、１０μｍ以下の微細なパターニングが可能である。
【００４５】具体的に、上記実施例１におけると同様の
第１表示電極及び隔壁形成工程間に絶縁膜を形成する工
程を挿入して有機ＥＬディスプレイを作製した。例え
ば、第１表示電極としてＩＴＯがストライプ状にパター
ニングされたガラス基板を十分洗浄し、絶縁膜として東
京応化製フォトレジストＯＦＰＲ−８０００を約１μｍ
スピンコート、温風循環式オーブンにてプリベーク、Ｉ
ＴＯと直交するストライプ状のフォトマスク（ライン幅
２０μｍ）を用いて露光、現像、リンスの後、温風循環
式オーブンにてポストベークを行った。図１７に示すス
トライプ絶縁膜４０を形成した。次に、日本ゼオン製ネ
ガフォトレジストＬＡＸ−１を５．６μｍスピンコート
し、温風循環式オーブンにてプリベークをした後、先に
形成した絶縁膜のパターンと中心線が一致するようなス
トライプ状のフォトマスク（ライン幅１８μｍ）を用い
て露光を行った。更に、温風循環式オーブンにてＰ．
Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．６μ
ｍの逆テーパー隔壁を形成した。この逆テーパー隔壁の
テーパー角度θ’を測定したところ約３０度であった。
第１表示電極及び隔壁形成工程間に絶縁膜を形成する工
程を挿入して有機ＥＬディスプレイを作製した。例え
ば、第１表示電極としてＩＴＯがストライプ状にパター
ニングされたガラス基板を十分洗浄し、絶縁膜として東
京応化製フォトレジストＯＦＰＲ−８０００を約１μｍ
スピンコート、温風循環式オーブンにてプリベーク、Ｉ
ＴＯと直交するストライプ状のフォトマスク（ライン幅
２０μｍ）を用いて露光、現像、リンスの後、温風循環
式オーブンにてポストベークを行った。図１７に示すス
トライプ絶縁膜４０を形成した。次に、日本ゼオン製ネ
ガフォトレジストＬＡＸ−１を５．６μｍスピンコート
し、温風循環式オーブンにてプリベークをした後、先に
形成した絶縁膜のパターンと中心線が一致するようなス
トライプ状のフォトマスク（ライン幅１８μｍ）を用い
て露光を行った。更に、温風循環式オーブンにてＰ．
Ｅ．Ｂをしてから現像を行い、幅２０μｍ高さ５．６μ
ｍの逆テーパー隔壁を形成した。この逆テーパー隔壁の
テーパー角度θ’を測定したところ約３０度であった。
【００４６】次に、図２０のような位置関係、すなわ
ち、基板２を蒸着装置の真空処理室内のターンテブルに
取付け、この室内を−５×１０-6ｔｏｒｒまでに排気
し、基板の第１表示電極形成面の１つの法線に対して自
転するように回転させながら、抵抗加熱により、発光機
能層としてＴＰＤを７００Å膜厚で、Ａｌｑ3を５５０
Å膜厚で、第２表示電極としてＡｌを１０００Å膜厚で
蒸着した。基板２の回転中心線上に種々の材料の蒸発源
５５を配置して、蒸着は、蒸発源から回転基板縁部まで
の円錐母線と基板法線とのなす角度θ＝２０度で逆テー
パー隔壁のテーパー角度θ’＝３０度より小さい角度で
行った。できあがった素子について隣り合うＡｌライン
同士の導通を調べたところ、完全に絶縁されていた。ま
た、この素子のＩＴＯ−Ａｌ間に１０Ｖの電圧を印加し
たところ、選択された部分が明るく緑色に発光しＩＴＯ
−Ａｌ間でのショートは起きなかった。 （実施例５）封止膜の追加 実施例４の絶縁膜の追加と封止効果を高めるため、封止
膜を逆テーパー隔壁の裏側に回り込ませ、第２表示電極
パターンを完全に被覆する。実施例４同様に図１４
（ａ）〜（ｄ）に示す工程で第２表示電極を成膜した基
板に、防湿効果の高い絶縁性封止膜４５を、基板を自公
転させた蒸着、スパッタ、ＣＶＤ方法など回り込みの良
い方法で成膜する。
ち、基板２を蒸着装置の真空処理室内のターンテブルに
取付け、この室内を−５×１０-6ｔｏｒｒまでに排気
し、基板の第１表示電極形成面の１つの法線に対して自
転するように回転させながら、抵抗加熱により、発光機
能層としてＴＰＤを７００Å膜厚で、Ａｌｑ3を５５０
Å膜厚で、第２表示電極としてＡｌを１０００Å膜厚で
蒸着した。基板２の回転中心線上に種々の材料の蒸発源
５５を配置して、蒸着は、蒸発源から回転基板縁部まで
の円錐母線と基板法線とのなす角度θ＝２０度で逆テー
パー隔壁のテーパー角度θ’＝３０度より小さい角度で
行った。できあがった素子について隣り合うＡｌライン
同士の導通を調べたところ、完全に絶縁されていた。ま
た、この素子のＩＴＯ−Ａｌ間に１０Ｖの電圧を印加し
たところ、選択された部分が明るく緑色に発光しＩＴＯ
−Ａｌ間でのショートは起きなかった。 （実施例５）封止膜の追加 実施例４の絶縁膜の追加と封止効果を高めるため、封止
膜を逆テーパー隔壁の裏側に回り込ませ、第２表示電極
パターンを完全に被覆する。実施例４同様に図１４
（ａ）〜（ｄ）に示す工程で第２表示電極を成膜した基
板に、防湿効果の高い絶縁性封止膜４５を、基板を自公
転させた蒸着、スパッタ、ＣＶＤ方法など回り込みの良
い方法で成膜する。
【００４７】この封止膜は、図２１に示すように、逆テ
ーパー隔壁７の裏側に良く回り込んで付着するので、図
２２に示すように、絶縁膜４０に達して第２表示電極ラ
イン９を完全に覆う形状になる。さらに封止膜４５は、
図２３に示すように、絶縁膜４０の逆テーパー側壁をも
覆うように、第２表示電極ラインを完全に覆えばどんな
形状でもかまわない。
ーパー隔壁７の裏側に良く回り込んで付着するので、図
２２に示すように、絶縁膜４０に達して第２表示電極ラ
イン９を完全に覆う形状になる。さらに封止膜４５は、
図２３に示すように、絶縁膜４０の逆テーパー側壁をも
覆うように、第２表示電極ラインを完全に覆えばどんな
形状でもかまわない。
【００４８】また、この封止構造は、実施例４の絶縁膜
がない上記実施例の場合にも応用でき、図２４に示すよ
うに、封止膜材料を逆テーパー隔壁７の裏側に良く回り
込ませ第１表示電極及び基板上に付着させたり、図２５
に示すように、逆テーパー側壁をも覆うようにして第２
表示電極ライン９を完全に覆うこともできる。本発明に
よる有機ＥＬディスプレイは、実施例４と同様の効果が
あるほか、封止膜が第２表示電極パターンを完全に覆う
ため第２表示電極エッジからの非発光部の進行を防止で
きる。すなわち耐久性が非常に高い。
がない上記実施例の場合にも応用でき、図２４に示すよ
うに、封止膜材料を逆テーパー隔壁７の裏側に良く回り
込ませ第１表示電極及び基板上に付着させたり、図２５
に示すように、逆テーパー側壁をも覆うようにして第２
表示電極ライン９を完全に覆うこともできる。本発明に
よる有機ＥＬディスプレイは、実施例４と同様の効果が
あるほか、封止膜が第２表示電極パターンを完全に覆う
ため第２表示電極エッジからの非発光部の進行を防止で
きる。すなわち耐久性が非常に高い。
【００４９】具体的に、上記実施例４の第２表示電極形
成工程の後に封止膜を追加して有機ＥＬディスプレイを
作製した。実施例４と同様の工程でＡｌの蒸着まで行い
素子を作製した後、更にスパッタ法によりＳｉＯ2を１
μｍ成膜した。こうして作製した素子について隣り合う
Ａｌライン同士の導通を調べたところ、完全に絶縁され
ていた。また、この素子のＩＴＯ−Ａｌ間に１０Ｖの電
圧を印加したところ、選択された部分が明るく緑色に発
光しＩＴＯ−Ａｌ間でのショートは起きなかった。更
に、この素子を大気中に放置したところ、Ａｌエッジか
らの非発光部の拡大が抑えられた。
成工程の後に封止膜を追加して有機ＥＬディスプレイを
作製した。実施例４と同様の工程でＡｌの蒸着まで行い
素子を作製した後、更にスパッタ法によりＳｉＯ2を１
μｍ成膜した。こうして作製した素子について隣り合う
Ａｌライン同士の導通を調べたところ、完全に絶縁され
ていた。また、この素子のＩＴＯ−Ａｌ間に１０Ｖの電
圧を印加したところ、選択された部分が明るく緑色に発
光しＩＴＯ−Ａｌ間でのショートは起きなかった。更
に、この素子を大気中に放置したところ、Ａｌエッジか
らの非発光部の拡大が抑えられた。
【００５０】
【発明の効果】以上の如く本発明によれば、以下の効果
が得られる。 (1) 有機ＥＬ膜を成膜後はパターニング等有機ＥＬ媒体
に損傷を与える工程を行う必要がない。隔壁により、有
機ＥＬ媒体層へ傷付けを防止でき有機機能層の保護が達
成できる。
が得られる。 (1) 有機ＥＬ膜を成膜後はパターニング等有機ＥＬ媒体
に損傷を与える工程を行う必要がない。隔壁により、有
機ＥＬ媒体層へ傷付けを防止でき有機機能層の保護が達
成できる。
【００５１】(2) 従来の有機ＥＬディスプレイパネル製
造方法より工程が少なく、ＲＧＢ有機層の分離が確実に
行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の塗り分けができる。 (3) 自由な形状に電極をパターニングできる。
造方法より工程が少なく、ＲＧＢ有機層の分離が確実に
行なえ、精度良くＲＧＢの媒体の塗り分けができる。 (3) 自由な形状に電極をパターニングできる。
【図１】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分拡大平面図。
概略部分拡大平面図。
【図２】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分斜視図。
概略部分斜視図。
【図３】 本発明による有機ＥＬディスプレイパネルの
概略部分断面図。
概略部分断面図。
【図４】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルの基板の概略斜視図。
パネルの基板の概略斜視図。
【図５】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図６】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分拡大断面図。
【図７】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネルにおける隔壁の概略部分拡大断面図。
パネルにおける隔壁の概略部分拡大断面図。
【図８】 本発明による実施例の有機ＥＬディスプレイ
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
パネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図９】 本発明による他の実施例の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図１０】 本発明による実施例１の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
【図１１】 本発明による実施例１の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁付近を撮影した図面代用顕微鏡
（ＳＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁付近を撮影した図面代用顕微鏡
（ＳＥＭ）写真。
【図１２】 本発明による実施例２の有機ＥＬディスプ
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
レイパネルにおける隔壁を撮影した図面代用顕微鏡（Ｓ
ＥＭ）写真。
【図１３】 本発明による実施例３の有機ＥＬディスプ
レイパネルの概略部分断面図。
レイパネルの概略部分断面図。
【図１４】 本発明による実施例４の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図１５】 本発明による実施例４の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
【図１６】 図１５の線ＡＡに沿った断面図。
【図１７】 本発明による実施例４の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
【図１８】 図１７の線ＡＡに沿った断面図。
【図１９】 本発明による実施例４の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分平面図。
【図２０】 本発明による実施例４の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における蒸着装置内の基板及び蒸着
源の概略図。
レイパネル製造工程における蒸着装置内の基板及び蒸着
源の概略図。
【図２１】 本発明による実施例５の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図２２】 本発明による実施例５の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図２３】 本発明による実施例５の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図２４】 本発明による実施例５の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
【図２５】 本発明による実施例５の有機ＥＬディスプ
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
レイパネル製造工程における基板の概略部分断面図。
１ 発光画素 ２ 基板 ３ 第１表示電極ライン ５ 非線形素子 ７ 隔壁 ７ａ オーバーハング部 ８ 有機ＥＬ媒体 ９ 第２表示電極ライン １０ 保護膜 ４０ 絶縁膜 ４５ 封止膜
Claims (13)
- 【請求項１】 複数の発光部からなる画像表示配列を有
している有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネルであって、 前記発光部に対応する複数の第１表示電極が表面上に形
成された基板と、 少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめる前
記基板上に突出する複数の電気絶縁性の隔壁と、 露出した前記第１表示電極の部分の各々上に形成された
少くとも１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄
膜と、 前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜上に形成
された複数の第２表示電極とからなり、前記隔壁の上部
に前記基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を
有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項２】 前記オーバーハング部の下の前記第１表
示電極上又は前記露出した前記第１表示電極の部分の縁
部の少なくとも一方に形成された絶縁膜を有することを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセン
スディスプレイパネル。 - 【請求項３】 前記第１表示電極、前記有機エレクトロ
ルミネッセンス媒体の薄膜及び前記第２表示電極上に形
成された絶縁性封止膜を有し、前記絶縁性封止膜は少な
くとも前記第２表示電極を完全に覆っていることを特徴
とする請求項１又は２記載の有機エレクトロルミネッセ
ンスディスプレイパネル。 - 【請求項４】 前記第１表示電極及び第２表示電極は、
複数のストライプ状の電極でありかつ互いに直交する位
置に配列されたことを特徴とする請求項１記載の有機エ
レクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項５】 前記基板及び前記第１表示電極が透明で
あることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロル
ミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項６】 前記第２表示電極上に形成された反射膜
を有することを特徴とする請求項５記載の有機エレクト
ロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項７】 前記第２表示電極が透明であることを特
徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス
ディスプレイパネル。 - 【請求項８】 前記第１表示電極の外側に形成された反
射膜を有することを特徴とする請求項７記載の有機エレ
クトロルミネッセンスディスプレイパネル。 - 【請求項９】 複数の発光部からなる画像表示配列を有
している有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネルの製造方法であって、 基板上に、前記発光部に対応する複数の第１表示電極を
形成するパターニング工程と、 少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめか
つ、全体が前記基板上から突出しかつ、その上部に前記
基板に平行な方向に突出するオーバーハング部を有する
電気絶縁性の隔壁を形成する隔壁形成工程と、 露出した前記第１表示電極の部分の各々上に有機エレク
トロルミネッセンス媒体を堆積させ、少くとも１層の有
機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光
層形成工程と、 前記有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜の複数の
上に第２表示電極を形成する工程とを含むことを特徴と
する有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル
の製造方法。 - 【請求項１０】 前記隔壁形成工程は、前記基板上に隔
壁材料層を成膜し、その上にフォトリソグラフィ法によ
って少なくとも前記第１表示電極の一部分を露出せしめ
るレジストマスクを形成し、ドライエッチング法又はウ
エットエッチング法によって前記オーバーハング部を有
する隔壁を食刻する工程を含むことを特徴とする請求項
９記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパ
ネルの製造方法。 - 【請求項１１】 前記発光層形成工程は、前記露出した
第１表示電極の部分に対応した複数の開口を有するマス
クを、前記隔壁の上面に載置し、有機エレクトロルミネ
ッセンス媒体を前記開口を介して前記隔壁内の前記第１
表示電極の各々上に堆積させ、１つの前記開口が１つの
前記第１表示電極上からその隣接する前記第１表示電極
上へ配置されるように前記マスクを順次移動せしめて前
記発光層形成工程を順次繰り返すことを特徴とする請求
項９記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項１２】 前記第１表示電極を形成するパターニ
ング工程と前記隔壁形成工程との間に、絶縁膜を、少な
くとも前記オーバーハング部の下の部分となるべき前記
第１表示電極上及び又は露出した前記第１表示電極の部
分の縁部に、形成する工程を含むことを特徴とする請求
項９記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ
パネルの製造方法。 - 【請求項１３】 前記第２表示電極を形成する工程の後
に、絶縁性封止膜を、少なくとも前記第２表示電極を完
全に覆うように形成する工程を含むことを特徴とする請
求項９又は１２記載の有機エレクトロルミネッセンスデ
ィスプレイパネルの製造方法。
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