JP2000247732A

JP2000247732A - 低抵抗セラミックス及びその製造方法、並びに半導体製造装置用部材

Info

Publication number: JP2000247732A
Application number: JP11043861A
Authority: JP
Inventors: Hirohisa Sechi; 啓久瀬知; Shoji Kosaka; 祥二高坂
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1999-02-22
Filing date: 1999-02-22
Publication date: 2000-09-12

Abstract

(57)【要約】【課題】低抵抗化と低熱膨張とを具備する低抵抗セラミ
ックスを得る。【解決手段】コージェライトを主成分とし、希土類元素
を酸化物換算で１〜２０重量％の割合で含有する混合粉
末、あるいはその成形体を、少なくともカーボンを含
み、酸素分圧が０．２気圧以下の還元雰囲気中で焼成す
るか、またはカーボン粉末中に埋設して焼成して、カー
ボンを０．０１〜２．０重量％の割合で含有する体積固
有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下、１０〜４０℃における熱
膨張係数１×１０^-6／℃以下、相対密度９５％以上の緻
密質な低抵抗セラミックスを得ることができ、これを半
導体製造装置用部材に適用し、部材の帯電性を抑制し、
半導体製造時の帯電による悪影響を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空装置用構造部
材、サセプタ、真空チャック、ラップ盤あるいは露光装
置におけるステージや、ステージ位置測定用ミラー、あ
るいはそれらの支持部材、さらには半導体製造プロセス
における各種治具など、とりわけ半導体ウエハと接触す
る部材に適したコージェライトを主体とする、帯電防止
性に優れた低抵抗セラミックスとその製造方法、ならび
に半導体製造装置用部材に関する。

【０００２】

【従来技術】従来より、コージェライト系焼結体は、低
熱膨張セラミックスとして知られており、フィルター、
ハニカム、耐火物などに応用されている。このコージェ
ライト系焼結体は、一般には、コージェライト粉末、あ
るいはコージェライトを形成するＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＳｉＯ₂粉末を配合して、これに焼結助剤として希土類
元素酸化物や、ＳｉＯ₂、ＣａＯ、ＭｇＯなどを添加
し、所定形状に成形後、１０００〜１４００℃の温度で
焼成することによって作製される（特公昭５７−３６２
９号、特開平２−２２９７６０号）。

【０００３】一方、ＬＳＩなどの半導体装置の製造工程
において、シリコンウエハに配線を形成する工程におい
て、ウエハを支持または保持するためのサセプタ、真空
チャック、静電チャックやラップ盤、絶縁リングとして
あるいはその他の治具等として、これまでアルミナや窒
化珪素が比較的に安価で、化学的にも安定であるため広
く用いられている。また、露光装置のＸＹテーブル等と
しても従来よりアルミナや窒化珪素などのセラミックス
も用いられている。

【０００４】また、最近では、コージェライト等の低熱
膨張セラミックスを半導体製造装置用部品として応用す
ることが特開平１−１９１４２２号や特公平６−９７６
７５号にて提案されている。特開平１−１９１４２２号
によれば、Ｘ線マスクにおけるマスク基板に接着する補
強リングとして、ＳｉＯ₂、インバーなどに加え、コー
ジェライトによって形成しメンブレンの応力を制御する
ことが提案されている。また、特公平６−９７６７５号
では、ウエハを載置する静電チャック用基盤としてアル
ミナやコージェライト系焼結体を使用することが提案さ
れている。

【０００５】近年、ＬＳＩなどにおける高集積化に伴
い、回路の微細化が急速に進められ、その線幅もサブミ
クロンオーダーのレベルまで高精密化しつつある。そし
てＳｉウエハに高精密回路を形成するための露光装置に
対して高い精度が要求され、たとえば露光装置のステー
ジ用部材においては１００ｎｍ（０．１μｍ）以下の位
置決め精度が要求され、露光の位置合わせ誤差が製品の
品質向上や歩留まり向上に大きな影響を及ぼしているの
が現状である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
製造装置用として一般に用いられてきたアルミナ、窒化
珪素などのセラミックスは、金属に比べて熱膨張率が小
さいものの、１０〜４０℃の熱膨張率はそれぞれ５．２
×１０^-6／℃、１．５×１０^-6／℃であり、雰囲気温度
が０．１℃変化すると数１００ｎｍ（０．１μｍ）の変
形が発生することになり、露光等の精密な工程ではこの
変化が大きな問題となり、従来のセラミックスでは精度
が低く、生産性の低下をもたらしている。

【０００７】これに対して、コージェライト系焼結体
は、熱膨張率が０．２×１０^-6／℃程度と、アルミナや
窒化珪素に比較して熱膨張率が低く、上記のような露光
精度に対する問題はある程度解決される。ところが、従
来のコージェライトは体積固有抵抗が１０¹⁴Ω・ｃｍ以
上と高抵抗であるものしか得られていない。このように
高抵抗材料によって各種部品を製造した場合、その部品
に徐々に静電気が蓄積されるために、その部品にゴミな
どが付着しやすく、また、プラズマ発生装置内において
はプラズマの発生に影響を与えたり、特に半導体ウエハ
と接触する部材においては静電気の放電によって半導体
を破壊するという致命的な問題がある。

【０００８】そのために、従来は絶縁性材料からなる従
来のコージェライトセラミックスの表面に帯電を防止す
るために低抵抗の被膜を形成するなどの方法が取られて
いる。しかしながら、低抵抗の被膜を形成する場合、セ
ラミックスと被膜との熱膨張係数の差によって密着性が
悪化し、膜厚が厚くなるにつれて被膜のはがれが発生し
易くなり、低抵抗の悪化とともに、コンタミネーション
の発生を引き起こすという問題があった。

【０００９】従って、本発明は、低抵抗性および低熱膨
張特性を具備する低抵抗セラミックスとその製造方法を
提供することを目的とするものである。また、本発明
は、低抵抗性によって非帯電性を具備し、且つ低熱膨張
特性を具備し、真空チャックなどの半導体ウエハと接触
するような半導体製造装置用部材を提供することを目的
とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
に対し鋭意研究を重ねた結果、コージェライトを主成分
とする成形体を、カーボンを含有する還元雰囲気下で焼
成して、雰囲気からカーボンを含浸させるか、またはカ
ーボン源を含有する成形体を不活性雰囲気または非酸化
性雰囲気中で焼成して、カーボンの揮散を抑制すること
によって低抵抗とともに低熱膨張性を有するセラミック
スが得られることを見いだし、本発明に至った。

【００１１】即ち、本発明の低抵抗セラミックスは、コ
ージェライトを主成分とし、希土類元素を酸化物換算で
１〜２０重量％、カーボンを０．０１〜２．０重量％の
割合で含有するとともに、１０〜４０℃における熱膨張
係数１×１０^-6／℃以下、相対密度９５％以上、室温に
おける体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下であることを
特徴とするものである。なお、かかるセラミックスによ
れば、コージェライト結晶の粒界に、希土類元素のシリ
ケート結晶相が存在することが望ましい。

【００１２】さらに、本発明によれば、かかる低抵抗セ
ラミックスを真空チャックをはじめとする半導体製造装
置用部材として用いることを特徴とするものである。

【００１３】このような低抵抗セラミックスの製造方法
としては、コージェライト粉末を主成分とし、希土類元
素酸化物を１〜２０重量％およびカーボン源を含有する
混合粉末または成形体を酸素分圧が０．２気圧以下の不
活性雰囲気または非酸化性雰囲気中で１１００〜１４５
０℃の温度で焼成して、カーボン含有量が０．０１〜
２．０重量％、相対密度９５％以上のセラミックスを得
ることを特徴とするものであり、かかる製造方法におい
ては、前記焼成を、１００ｋｇ／ｃｍ²以上の加圧下で
行うことが望ましい。

【００１４】また、他の製造方法としては、コージェラ
イトを主成分とし、希土類元素酸化物を１〜２０重量％
の割合で含有する成形体を酸素分圧が０．２気圧以下の
カーボンを含む還元雰囲気中にて、１１００〜１４５０
℃の温度で焼成し、前記雰囲気から成形体中にカーボン
を含浸せしめ、カーボン含有量が０．０１〜２．０重量
％、相対密度９５％以上のセラミックスを得ることを特
徴とするものであり、特に、前記焼成を、前記成形体の
周囲にカーボン粉末を配置して行うこと、さらには、前
記焼成を、１００ｋｇ／ｃｍ²以上の加圧下で行うこと
が望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の低抵抗セラミックスは、
２ＭｇＯ・２Ａｌ₂Ｏ₃・５ＳｉＯ₂で表されるコージ
ェライト系の複合酸化物を主体とするものであり、この
コージェライト結晶は、平均粒径が１〜１０μｍの結晶
粒子として存在するものであり、１０〜４０℃における
熱膨張係数１×１０^-6／℃以下、特に０．５×１０^-6／
℃以下の低熱膨張特性と、相対密度が９５％以上、特に
９７％以上の高緻密体からなり、且つ室温における体積
固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下、特に１０³Ω・ｃｍ以
下の低抵抗特性を有するものである。

【００１６】この熱膨張係数を１×１０^-6／℃以下に限
定したのは、熱膨張係数がこれより大きいと温度変化に
よる寸法変動が大きくなるために、半導体製造装置など
に適用した場合に、露光処理の際のずれなどが発生しや
すくなる。また、体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍよりも
大きいと帯電性が高くなり、非帯電性部材としては不適
となるためである。また、相対密度が９５％よりも低い
と、気孔への付着物によるコンタミネーションの発生を
引き起こすためである。

【００１７】上記のような特性を有する上で、本発明の
低抵抗セラミックス中には、カーボンを０．０１〜２．
０重量％、好ましくは０．０２〜１．０重量％の割合で
含有することが重要である。これは、カーボン含有量が
０．０１重量％より少ないと１０⁷Ω・ｃｍ以下の低抵
抗特性が得られず、カーボン含有量が２．０重量％を超
えると、熱膨張係数が１×１０^-6／℃よりも大きくなる
とともに緻密体が得られない。

【００１８】また、このセラミックス中には、希土類元
素を酸化物換算で１〜２０重量％、特に５〜１５重量％
の割合で含有することが望ましい。コージェライトが１
００重量％であってもある程度の緻密化が可能であって
も、その焼成温度が高く、その焼成可能温度領域が±５
℃と非常に狭いために緻密体を安定に作製することが難
しい。これに対して、希土類元素を１重量％以上含有す
ると、焼成時にコージェライトの成分と反応し液相を生
成することから焼結性を高める作用が発揮され、低温焼
成化とともに焼成可能温度領域を±２５℃程度まで拡げ
ることができるために量産性を高めることができる。従
って、上記希土類元素量が１重量％よりも少ないと焼結
性が低下し２０重量％を越えると熱膨張係数が大きくな
り、１．０×１０^-6／℃以下の特性が達成できない。

【００１９】セラミックス中に含有される希土類元素と
しては、Ｙ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｅｒ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｓｍ等が
挙げられ、これらの中でも安価に入手できる点で、Ｙ、
Ｙｂが好適に含まれる。

【００２０】なお、この希土類元素は、コージェライト
結晶の粒界に存在するが、この希土類元素は、ＲＥ₂Ｏ
₃・ＳｉＯ₂またはＲＥ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂などのシリ
ケート化合物結晶相として存在することが望ましい。こ
れは、粒界相の結晶化による低熱膨張化を図るためであ
る。

【００２１】上記のような低抵抗セラミックスを作製す
るには、まず、平均粒径が１０μｍ以下のコージェライ
ト粉末に対して、平均粒径が１０μｍ以下の希土類酸化
物粉末を１〜２０重量％の割合で添加する。場合によっ
てはカーボン粉末または熱分解後炭素に変化しうる有機
化合物を添加し、出発原料組成物を調製する。この時、
用いられるコージェライト粉末および希土類元素酸化物
粉末としては、平均粒径が１０μｍ以下であることが焼
結性を高める上で望ましい。

【００２２】本発明の方法によれば、第１の方法とし
て、まず、コージェライト粉末を主成分とし、希土類元
素酸化物を１〜２０重量％およびカーボン源を含有する
出発原料組成物を充分にボールミルなどによって充分に
混合して混合粉末を作製する。また、場合によってはこ
の混合粉末を所定形状に所望の成形手段、例えば、金型
プレス、冷間静水圧プレス、押出し成形等により任意の
形状に成形する。

【００２３】この時に配合されるカーボン源としては、
カーボン粉末、または熱処理によってカーボンを生成し
得るフェノール樹脂などの有機樹脂が用いられる。

【００２４】そして、この混合粉末あるいは成形体を酸
素分圧が０．２気圧以下、特に０．１気圧以下、さらに
は０．０５気圧以下のＡｒまたはＮ₂などの不活性雰囲
気または非酸化性雰囲気中で１１００〜１４５０℃の温
度で焼成して、相対密度９５％以上に緻密化する。この
時の雰囲気の酸素分圧が０．２気圧を超えると、混合粉
末または成形体中に含まれるカーボンが揮散してしま
い、最終的にセラミックス中に０．０１〜２．０重量％
の割合で残存させることが難しい。また、焼成温度が１
１００℃よりも低いと緻密なセラミックスを作製するこ
とができず、１５００℃を超えると、コージェライトが
溶融してしまう。

【００２５】特に、緻密化を促進させるためには、ホッ
トプレス焼成などによって焼成時に１００ｋｇ／ｃｍ²
以上の加圧下で焼成することが望ましい。その場合に
は、１１００〜１４００℃の焼成温度で緻密化できる。

【００２６】また、第２の製造方法としては、コージェ
ライトを主成分とし、希土類元素酸化物を１〜２０重量
％の割合で含有する成形体を酸素分圧０．２気圧以下、
特に０．１気圧以下、さらには０．０５気圧以下のカー
ボンを含む還元雰囲気中にて、１１００〜１４５０℃の
温度で焼成し、雰囲気中からカーボンを成形体中に含浸
させる。この時のカーボンを含む還元雰囲気は、カーボ
ン製の匣鉢内に成形体を収納して焼成するか、または成
形体の周囲にカーボン粉末を配置することにより形成で
きるが、成形体中への含浸を効率的に行うためには、成
形体の周囲にをカーボン粉末を配置する、さらには成形
体をカーボン粉末中に埋設して焼成することが最も望ま
しい。

【００２７】また、緻密化を促進させる上では、ホット
プレス焼成などによって、成形体をカーボン粉中に埋設
して１００ｋｇ／ｃｍ²以上の加圧下で焼成することが
望ましい。その場合には１１００〜１４００℃の焼成温
度で緻密化できる。

【００２８】このようにして、最終的にカーボン含有量
が０．０１〜２．０重量％、相対密度９５％以上のセラ
ミックスを得ることができ、特にホットプレス法を採用
した場合には、セラミックスの鏡面における最大ボイド
径を５μｍ以下にまで小さくすることができる。

【００２９】また、上記のようにして作製されたセラミ
ックスをさらに緻密化する上では、ＡｒまたはＮ₂によ
る１０００気圧以上の加圧雰囲気中で９００〜１４００
℃の温度で熱間静水圧処理（ＨＩＰ処理）することも可
能である。

【００３０】さらに、上記のようにして作製されたセラ
ミックスを非酸化性雰囲気中で１１００〜１４００℃で
熱処理してコージェライト結晶の粒界の結晶化を促進す
ることにより、前述したような希土類元素のシリケート
結晶相を析出させることができる。

【００３１】なお、かかる低抵抗セラミックスにおいて
は、室温における体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下、
１０〜４０℃における熱膨張係数１×１０^-6／℃以下、
相対密度が９５％以上の特性を満足することを条件に、
上記のコージェライト成分および希土類元素化合物以外
に、製造上の不可避的不純物や、焼結性や特性向上のた
めに他の成分を含有してもよい。例えば、Ｗ、Ｍｏ、Ｎ
ｉ、Ｆｅ、Ｚｒ、Ｓｒ等の酸化物等が挙げられる。

【００３２】このようにして作製される本発明の低抵抗
セラミックスは、半導体製造装置用部材、例えば、半導
体素子を製造する際に用いられる真空装置内の部材、サ
セプタ、真空チャック、静電チャック、ラップ盤あるい
は露光装置におけるステージや、ステージ位置測定用ミ
ラー、あるいはそれらの支持部材、さらには半導体製造
プロセスにおける各種治具などに好適に使用される。特
に、非帯電性が必要とされる、真空チャックなどに最も
好適に使用される。

【００３３】

【実施例】（実施例１）純度９９％以上、平均粒径が３
μｍのコージェライト粉末に対して、平均粒径が１μｍ
のＹ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂の各希
土類元素酸化物粉末を表１に示す割合で調合後、ボール
ミルで２４時間混合した。その混合物をプレス成形した
後、その成形体をカーボン粉末中に埋設（Ｃ埋焼き）す
るか、またはカーボン匣鉢内の成形体の周囲にカーボン
粉末を配置（Ｃ周囲）して表１の条件で非加圧焼成（Ｐ
ＬＳ）するか、または成形体をカーボン製プレス型内に
てカーボン粉末中に埋設して、表１に示す条件でホット
プレス焼成（ＨＰ）した。

【００３４】得られたセラミックスに対してアルキメデ
ス法によって相対密度を測定した。また、セラミックス
を研磨し、３×４×１５ｍｍの大きさに研削加工し、こ
のセラミックスの１０〜４０℃までの熱膨張係数を測定
した。また、室温における体積固有抵抗を測定した。ま
た、セラミックスの鏡面研磨面を走査型電子顕微鏡によ
って観察し、最大ボイド径を測定した。結果は、表１に
示した。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１にみられるように、本発明に基づき、
コージェライトおよび希土類元素酸化物を所定量含有す
る成形体を１３００〜１４５０℃の温度でカーボン埋め
焼きによって焼成することにより、相対密度９５％以
上、体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下の低抵抗のセラ
ミックスを作製することができた。

【００３７】しかし、焼成温度が１４５０℃を越える試
料Ｎo.１５では、試料の一部が溶融し、焼成温度が９０
０℃である試料Ｎo.１１では、相対密度９５％以上に緻
密化できなかった。また、焼成時にカーボンによる埋め
焼きを行わなかった試料Ｎo.２１は、カーボン量を０．
０１重量％以上含有させることができず、室温における
体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下にならなかった。ま
た、希土類元素酸化物の添加量が２０重量％より多い試
料Ｎo.６は、１．０×１０^-6／℃以下の熱膨張特性が達
成できず、希土類元素酸化物量が１重量％未満の試料Ｎ
o.１では、相対密度９５％以上に緻密化できず、焼成可
能温度領域も±５℃と非常に狭いものであった。焼成時
に１００ｋｇ／ｃｍ²以上に加圧した試料Ｎo.１６〜１
９では、最大ボイド径を５μｍ以下に小さくすることが
できた。

【００３８】（実施例２）純度９９％以上、平均粒径が
３μｍのコージェライト粉末に対して、平均粒径が１μ
ｍのＹ₂Ｏ₃、Ｙｂ₂Ｏ₃、Ｅｒ₂Ｏ₃、ＣｅＯ₂の各
希土類元素酸化物粉末と、炭化によってカーボンを生成
し得るフェノール樹脂をカーボン換算で表２に示す割合
で調合後、ボールミルで２４時間混合した。その混合粉
末をプレス成形した後、その成形体を表２に示す条件下
で非加圧焼成（ＰＬＳ）した。また、上記混合粉末を表
２の条件でホットプレス焼成（ＨＰ）した。なお、非加
圧焼成では、カーボン匣鉢内に成形体を設置し、またホ
ットプレス焼成では、カーボン製プレス型を用いた。そ
して、実施例１と同様な評価を行った。

【００３９】なお、試料Ｎo.４２については、カーボン
粉末中にコージェライト、希土類元素酸化物およびカー
ボン源を含有する成形体を埋設して表２の条件で焼成
し、同様に評価を行った。

【００４０】

【表２】

【００４１】表２にみられるように、本発明に基づき、
コージェライト、希土類元素酸化物およびカーボン源を
所定量含有する原料粉末を酸素分圧０．１気圧以下のカ
ーボン雰囲気で１１００〜１４５０℃の温度で焼成する
ことにより、相対密度９５％以上、電気抵抗が１０⁷Ω
・ｃｍ以下の特性が達成された。

【００４２】しかし、焼成温度が１４５０℃を越える試
料Ｎo.３６では、試料の一部が溶融し、焼成温度が９０
０℃未満の試料Ｎo.３２では、緻密化が進行しなかっ
た。また、希土類元素酸化物の添加量が２０重量％より
多い試料Ｎo.２７は、熱膨張係数が大きく１．０×１０
^-6／℃以下の特性が達成できず、希土類元素酸化物量が
１重量％未満の試料Ｎo.２２では、緻密化が不十分であ
り、焼成可能温度領域も±５℃と非常に狭いものであっ
た。焼成時に１００ｋｇ／ｃｍ²以上に加圧した試料Ｎ
o.３７〜４０では、最大ボイド径を５μｍ以下に小さく
することができた。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の低抵抗セラ
ミックスは、コージェライトの優れた低熱膨張特性を維
持しつつ体積固有抵抗１０⁷Ω・ｃｍ以下の低抵抗化を
実現することができる。その結果、この低熱膨張セラミ
ックスをＳｉウエハ表面に高微細な回路を形成するため
の露光処理を行うなどの露光装置、真空装置などの種々
の部材、特に、半導体ウエハと接触する真空チャックな
どとして用いることにより、雰囲気の温度変化に対して
も寸法の変化がなく、また、部材表面の帯電によるゴミ
の付着防止やプラズマの発生に影響を与えたり、半導体
ウエハと接触した場合において静電気によって破壊する
こともなく、半導体素子製造時の品質と量産性を高める
ことができる。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コージェライトを主成分とし、希土類元素
を酸化物換算で１〜２０重量％、カーボンを０．０１〜
２．０重量％の割合で含有するとともに、１０〜４０℃
における熱膨張係数１×１０^-6／℃以下、相対密度９５
％以上、室温における体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以
下であることを特徴とする低抵抗セラミックス。
【請求項２】コージェライト結晶の粒界に、希土類元素
のシリケート結晶相が存在することを特徴とする請求項
１記載の低抵抗セラミックス。
【請求項３】コージェライト粉末を主成分とし、希土類
元素酸化物を１〜２０重量％およびカーボン源を含有す
る混合粉末または成形体を酸素分圧が０．２気圧以下の
不活性雰囲気または非酸化性雰囲気中で１１００〜１４
５０℃の温度で焼成して、カーボン含有量が０．０１〜
２．０重量％、相対密度９５％以上のセラミックスを得
ることを特徴とする低抵抗セラミックスの製造方法。
【請求項４】前記焼成を、１００ｋｇ／ｃｍ²以上の加
圧下で行うことを特徴とする請求項３記載の低抵抗セラ
ミックスの製造方法。
【請求項５】コージェライトを主成分とし、希土類元素
酸化物を１〜２０重量％の割合で含有する成形体を酸素
分圧が０．２気圧以下のカーボンを含む還元雰囲気中に
て、１１００〜１４５０℃の温度で焼成し、前記雰囲気
から成形体中にカーボンを含浸せしめ、カーボン含有量
が０．０１〜２．０重量％、相対密度９５％以上のセラ
ミックスを得ることを特徴とする低抵抗セラミックスの
製造方法。
【請求項６】前記焼成を、前記成形体の周囲にカーボン
粉末を配置して行うことを特徴とする請求項５記載の低
抵抗セラミックスの製造方法。
【請求項７】前記焼成を、１００ｋｇ／ｃｍ²以上の加
圧下で行うことを特徴とする請求項５または請求項６記
載の低抵抗セラミックスの製造方法。
【請求項８】コージェライトを主成分とし、希土類元素
酸化物を１〜２０重量％、カーボンを０．０１〜２．０
重量％の割合で含有するとともに、１０〜４０℃におけ
る熱膨張係数１×１０^-6／℃以下、相対密度が９５％以
上、室温における体積固有抵抗が１０⁷Ω・ｃｍ以下の
セラミックスからなることを特徴とする半導体製造装置
用部材。
【請求項９】少なくとも半導体ウエハと接触する部材か
らなる請求項８記載の半導体製造装置用部材。