JP2000247981A - ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
ケイ素化合物の製造方法Info
- Publication number
- JP2000247981A JP2000247981A JP11050159A JP5015999A JP2000247981A JP 2000247981 A JP2000247981 A JP 2000247981A JP 11050159 A JP11050159 A JP 11050159A JP 5015999 A JP5015999 A JP 5015999A JP 2000247981 A JP2000247981 A JP 2000247981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- reaction
- group
- formula
- silicon compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 49
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 63
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 21
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims abstract description 17
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 12
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims abstract description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 7
- -1 oxetane compound Chemical class 0.000 abstract description 13
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 abstract description 8
- AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N oxetane Chemical compound C1COC1 AHHWIHXENZJRFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000007086 side reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N teixobactin Chemical compound C([C@H](C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H](CCC(N)=O)C(=O)N[C@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H]([C@@H](C)CC)C(=O)N[C@@H](CO)C(=O)N[C@H]1C(N[C@@H](C)C(=O)N[C@@H](C[C@@H]2NC(=N)NC2)C(=O)N[C@H](C(=O)O[C@H]1C)[C@@H](C)CC)=O)NC)C1=CC=CC=C1 LMBFAGIMSUYTBN-MPZNNTNKSA-N 0.000 abstract 1
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 8
- 125000003566 oxetanyl group Chemical group 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 3
- JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N benzonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1 JFDZBHWFFUWGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 101100484952 Arabidopsis thaliana VQ19 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100484954 Arabidopsis thaliana VQ20 gene Proteins 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000012663 cationic photopolymerization Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 1
- BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)silicon Chemical compound CCO[Si](OCC)C1=CC=CC=C1 BODAWKLCLUZBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N ethoxy(dimethyl)silicon Chemical compound CCO[Si](C)C DRUOQOFQRYFQGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 1
- 238000007151 ring opening polymerisation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Polyethers (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
うことができるとともに、効率良くケイ素化合物を得る
ことができるケイ素化合物の製造方法を提供する。 【解決手段】 下記式(III) に示すケイ素化合物は、下
記式(I)に示す化合物のアリル基と、下記式(II)に示
すヒドロシリル基とを、触媒の存在下にヒドロシリレー
ション反応させることにより製造される。このとき、反
応温度が70℃を越えて100℃以下の温度範囲内に制
御される。また、ヒドロシリレーション反応は、反応開
始から反応終了に至るまで前記式(I)に示す化合物の
量が、式(II)に示す化合物の量に対して過剰となる条件
下で行われる。 (但し、Rは水素又は炭素数1〜6のアルキル基であ
る。) (但し、R′はアルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キル基、シクロアルキル基又はアリール基である。)
Description
するコーティング剤、シランカップリング剤等として利
用される光カチオン硬化性樹脂組成物の原料となるケイ
素化合物の製造方法に関するものである。さらに詳しく
は、光カチオン重合性官能基を有する、シリコーン化合
物、シルセスキオキサン化合物、シリカ化合物等のケイ
素化合物を含有する光カチオン硬化性樹脂組成物の原料
となるケイ素化合物の製造方法に関するものである。
硬化の分野においては、多官能アクリレート及び不飽和
ポリエステル等を用いた光開始ラジカル重合が広く検討
され、また工業的に利用されている。
素によって阻害されるという問題がある。特に、コーテ
ィング剤組成物をラジカル重合によって硬化させる場
合、この組成物の膜厚が薄くなるほど酸素による重合阻
害の影響は顕著となり、組成物を速やかにかつ完全に硬
化させるためには不活性雰囲気下で硬化させなければな
らないという制限がある。
光開始ラジカル重合とは異なり酸素による重合阻害を受
けないため、空気中においても完全に重合させることが
可能である。特に、シリコーン系のエポキシド又はオキ
セタン化合物をモノマーとした組成物によると、耐熱性
及び耐薬品性が良く、接着力に優れ、かつ耐汚染性の良
好な硬化物を得ることが可能である。この種の技術とし
て、特開平6−16804号公報には、上記モノマーの
うちシリコーンの両末端にオキセタニル基を導入した化
合物などが開示されている。
ル基(オキセタン環)を有するカチオン硬化性のシルセ
スキオキサン化合物を合成するときの重要モノマーとし
て、例えば〔3−(トリエトキシシリル)プロピロキシ
メチル〕オキセタン(以下、Oxe−TRIESとい
う)がある。このOxe−TRIESは、例えば3−エ
チル−3−(アリルオキシメチル)オキセタン(以下、
アリルオキセタンという)とトリエトキシシラン(以
下、TRIESという)とのヒドロシリレーション反応
によって製造される。具体的には、アリルオキセタン中
にTRIESを徐々に供給する方法又はTRIES中に
アリルオキセタンを徐々に供給する方法が考えられる。
Sを徐々に供給する方法では、反応が始まるまでの誘導
期間が長く、しかもある程度の量のTRIESを供給し
なければ反応は開始しない。また、一旦反応が開始する
と急激な発熱を伴って反応が暴走し、系内の温度が10
0℃を越えることもあり、取扱いが困難になるととも
に、オキセタン環が開環重合するおそれもあるという問
題がある。
徐々に供給する方法では、反応系内にTRIESが過剰
に存在することから、テトラエトキシシランやTRIE
Sに由来するケイ素オリゴマー等の副生物が多量に生成
するという問題がある。加えて、反応系内にTRIES
が過剰に存在すると、ヒドロシリレーション反応の途中
で触媒が失活し、それ以上アリルオキセタンを供給して
もOxe−TRIESが生成しない場合があり、効率が
悪いという問題があった。
する問題点に着目してなされたものである。その目的と
するところは、暴走反応を抑制して安定した状態で反応
を行うことができるとともに、副反応を抑えて効率良く
ケイ素化合物を得ることができるケイ素化合物の製造方
法を提供することにある。
的を達成するために鋭意検討した結果、この発明を完成
した。
造方法は、下記式(I)に示す構造式で表される化合物
のアリル基と、下記式(II)に示す構造式で表される化合
物のヒドロシリル基とを、触媒の存在下に、反応温度を
70℃を越えて100℃以下の範囲内に保持しつつ、ヒ
ドロシリレーション反応させて下記式(III) に示す構造
式で表されるケイ素化合物を得ることを特徴とするもの
である。
る。)
キル基、シクロアルキル基又はアリール基である。)
り、R′はアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
基、シクロアルキル基又はアリール基である。) また、第2の発明のケイ素化合物の製造方法は、第1の
発明において、反応開始から反応終了に至るまで、前記
式(I)に示す構造式で表される化合物の量が、式(II)
に示す構造式で表される化合物の量に対して過剰となる
条件下でヒドロシリレーション反応を行うことを特徴と
するものである。
て詳細に説明する。ケイ素化合物は下記式(III) に示す
構造式で表され、オキセタニル基を有するカチオン硬化
性のシルセスキオキサン化合物を合成するときの重要モ
ノマーとして使用される。
り、R′はアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
基、シクロアルキル基又はアリール基である。) このケイ素化合物〔以下、ケイ素化合物(III) という〕
は、下記式(I)に示す構造式で表される化合物〔以
下、化合物(I)という〕のアリル基と、下記式(II)に
示す構造式で表される化合物〔以下、化合物(II)とい
う〕のヒドロシリル基とをヒドロシリレーション反応さ
せることにより製造される。具体的には、ヒドロシリレ
ーション反応は所定の触媒の存在下に、暴走反応が引き
起こされないように温度を制御することによって行われ
る。
る。)
キル基、シクロアルキル基又はアリール基である。) 前記化合物(I)はオキセタニル基を有する有機官能基
であり、Rは水素又は炭素数1〜6のアルキル基であ
る。特に、これらのうち、入手又は合成が容易である点
から、Rがエチル基であることが望ましい。
シ基、アリールオキシ基、アルキル基、シクロアルキル
基又はアリール基である。この「アルコキシ基」の例と
してはメトキシ基、エトキシ基、n−及びi−プロポキ
シ基、n−,i−及びt−ブトキシ基等が挙げられ、
「アリールオキシ基」の例としてはフェノキシ基等が挙
げられる。また、「アルキル基」の例としてはメチル
基、エチル基、n−及びi−プロピル基、n−,i−及
びt−ブチル基等が挙げられ、「シクロアルキル基」の
例としてはシクロヘキシル基等が挙げられ、「アリール
基」の例としてはフェニル基等が挙げられる。この化合
物(II)の一分子中には三つのR′が含まれるが、これら
は同じ基であってもよく、二種以上の異なる基であって
もよい。
性樹脂又は硬化性樹脂組成物の要求性能に応じて適当な
ものを選択すればよい。例えば、一分子中に存在する三
つのR′のうち、二つがアルコキシ基又はアリールオキ
シ基で、残りの一つがアルキル基、シクロアルキル基又
はアリール基のものを原料とすれば、光カチオン重合官
能基を有するシリコーン化合物用のモノマーが製造でき
る。また、三つのR′が全てアルコキシ基又はアリール
オキシ基である場合には、シルセスキオキサン化合物用
のモノマーが製造できる。このうち、アルコキシ基とし
ては、製造又は入手が容易である点から、メトキシ基又
はエトキシ基が好ましい。
レーションの開始反応は、所定モル比を有する化合物
(I)と化合物(II)とよりなる反応系に、化合物(I)
と化合物(II)との一定モル比の混合物が供給されるか、
又は化合物(I)と化合物(II)とが別々に同時に供給さ
れることによって行われる。反応系における化合物(II)
に対する化合物(I)のモル比は1を越えて20以下が
好ましく、1.02〜10がさらに好ましい。また、反
応系に供給される化合物(II)に対する化合物(I)の混
合物のモル比は1〜3が好ましく、1〜2がさらに好ま
しい。化合物(I)と化合物(II)のモル比をこれらの範
囲に設定することにより、化合物(I)と化合物(II)と
のヒドロシリレーション反応で暴走反応が引き起こされ
るのを防止することができるとともに触媒を失活させる
ことなく、反応を効率よく円滑に進行させることができ
る。
シリレーション反応は触媒の存在下に行われるが、その
触媒としては塩化白金酸(H2 PtCl6 ・6H
2 O)、cis−PtCl2 (PhCN)2 等が使用さ
れる。なお、Phはフェニル基を表す。この触媒は、反
応系に予め存在させておくか、又は化合物(I)若しく
は化合物(II)に添加して反応系に供給される。この場
合、触媒との反応を避けるために、触媒を化合物(I)
に混合して供給するのが望ましい。触媒の使用量は、化
合物(I)と化合物(II)の合計量に対して10-5M(モ
ル濃度)以下であることが好ましい。触媒の使用量をこ
のような少量に設定することにより、反応終了後の生成
物が着色するのを防止することができるので、触媒を除
去する工程を省略することも可能となる。
物(I)のアリル基と化合物(II)のヒドロシリル基との
ヒドロシリレーション反応が暴走反応を引き起こさない
ように温度を制御して行われる。この温度制御は、反応
温度を70℃を越えて100℃以下の範囲内に保持する
ことにより行われる。この温度が70℃以下ではヒドロ
シリレーション反応が円滑に継続されず、100℃を越
えると暴走反応が引き起こされるおそれがあるととも
に、オキセタニル基の開環反応が起こるおそれがある。
応開始から反応終了に至るまで化合物(I)の量が、化
合物(II)の量に対して過剰となる条件でヒドロシリレー
ション反応させることにより行われる。具体的には、化
合物(I)と化合物(II)のモル比が5:4の前後に設定
される。これにより、触媒の失活及び副生成物の抑制が
できるとともに、ヒドロシリレーション反応の開始及び
進行が円滑に行われる。
ロシリレーション反応が温和に開始され、急激に進行す
るのを抑制するために、反応を溶媒中で行うことが望ま
しい。そのような溶媒としては、トルエン、キシレン、
ヘキサン、シクロヘキサン、リグロイン、テトラヒドロ
フラン等が使用される。この溶媒の使用量は、反応終了
時における化合物(I)と化合物(II)の総重量に対して
20重量%以下であることが好ましい。溶媒の使用量を
このように設定することで、溶媒の除去工程が簡単で短
時間で済むとともに、ヒドロシリレーション反応の開始
と進行を安定した状態で確実に行うことができる。
ョン反応を行うことにより、化合物(I)はほとんど全
て消費され、反応はほぼ定量的に進行する。そして、副
生物の生成が抑制され、目的とするケイ素化合物(III)
を例えば純度95%以上という高純度で、かつ収率85
%以上という高収率で得ることができる。
ップリング剤や光カチオン重合性モノマーとして有用で
ある他、加水分解等の反応により、光カチオン硬化性樹
脂組成物が生成される。この樹脂組成物は、カチオン性
光重合開始剤により空気中においても容易にカチオン重
合する。従って、この樹脂組成物は、耐汚染性塗料、保
護コーティング剤、樹脂改質剤、レジスト材料等として
有用である。
果について以下に記載する。 ・ 実施形態のケイ素化合物(III) の製造方法によれ
ば、化合物(I)のアリル基と化合物(II)のヒドロシリ
ル基とのヒドロシリレーション反応における温度を70
℃を越えて100℃以下の範囲内に制御することによ
り、暴走反応を確実に抑制して安定した状態で反応を行
い、目的とするケイ素化合物(III) を得ることができ
る。
方法によれば、化合物(I)のアリル基と化合物(II)の
ヒドロシリル基とのヒドロシリレーション反応を温和に
開始させ、安定した状態で進行させることができること
から、触媒の失活及び副反応を抑えて目的とするケイ素
化合物(III) を得ることができる。
方法によれば、暴走反応や副反応を抑えることができる
ことから、純度や収率を向上させて効率良くケイ素化合
物(III) を得ることができる。
方法によれば、ヒドロシリレーション反応の温度を例え
ば70℃を越えて100℃以下の範囲内に制御するとと
もに、化合物(I)の供給量を化合物(II)の供給量に対
して過剰となる条件に設定することにより、簡易な装置
及び工程で連続的にケイ素化合物(III) を製造すること
ができる。
方法によれば、得られるケイ素化合物(III) は、シラン
カップリッグ剤やオキセタニル基を有する光開始カチオ
ン重合性モノマーとして有用である他、光開始カチオン
高速硬化性のケイ素樹脂組成物(シリコーン、シルセス
キオキサン等)の製造原料として有用である。
に具体的に説明する。 (実施例1) (1) ケイ素化合物(III) の製造 以下の1)〜4)に示す反応操作に従ってケイ素化合物
(III) を合成した。 1) 窒素置換した3000ml反応器に、トルエン1
00g、アリルオキセタン 78.1g(0.5mo
l)及びTRIES 65.7g(0.4mol)を仕
込んで80℃に昇温した。
Cl6 ・6H2 O)の0.05Mのベンゾニトリル溶液
200μlを注射器により一気に加えた。このとき、
系内の温度は89℃まで上昇した。
ル比5/4に混合(4.5mol/3.6mol=70
3.0g/591.4g)したものを3ml/minの
速度で上記反応系に供給した。
合物の供給終了後、80〜85℃の温度で2時間加熱保
持することにより、反応を完結させた。 5) 反応終了後、減圧蒸留により、トルエンなどの揮
発性化合物を除去することによって、純度95%以上の
ケイ素化合物(Oxe−TRIES)を1434gの収
量(収率86%)で得た。
クロマトグラフ(GC)により行った。以下の各例につ
いても同様である。 (実施例2)実施例1の反応操作3)において、アリル
オキセタンとTRIESを別々に供給した他は、実施例
1と同様にしてケイ素化合物(III) を製造した。
(Oxe−TRIES)を1440gの収量(収率8
6.4%)で得た。 (実施例3)実施例1において、触媒としてH2 PtC
l6 ・6H2 Oをアリルオキセタンに添加した他は、実
施例1と同様にしてケイ素化合物(III) を製造した。
(Oxe−TRIES)を1417gの収量(収率8
5.5%)で得た。 (実施例4)実施例1において、TRIESの代わりに
下記式(IV)に示すジメチルエトキシシランを用い、そ
の他は実施例1と同様にしてケイ素化合物(III) を製造
した。
の収量(収率90.5%)で得た。 (実施例5)実施例1において、TRIESの代わりに
下記式(V)に示すフェニルジエトキシシランを用い、
その他は実施例1と同様にしてケイ素化合物(III) を製
造した。
の収量(収率80.6%)で得た。 (比較例1)100mlの反応器にアリルオキセタン
1.64g(10mmol)、TRIES 6.57g
(40mmol)及びトルエン 20.0gを仕込ん
だ。そして、80℃に加熱した後、cis−PtCl2
(PhCN)2 のPhCN溶液(0.05M)を0.1
ml(5×10-3mmol)加え、ヒドロシリレーショ
ン反応を開始した。反応終了後、溶液をガスクロマトグ
ラフで分析した。
に対して4倍当量仕込んだにもかかわらず、反応終了時
点においてアリルオキセタンは100%消費されなかっ
た。また、目的物であるOxe−TRIES以外にも、
テトラエトキシシランや多くの副生成物のピーク(TR
IESの2量体やTRIESオリゴマー)が観測され
た。
の存在下に反応系内の不純物である酸素と反応(酸化)
することが原因であると考えられる。また、反応終了時
点にアリルオキセタンをさらに20mmol追加したが
(最終的な反応比はTRIES:アリルオキセタン=4
0:30)、TRIES及びアリルオキセタンの消費は
ほとんど観測されず、すでに触媒は失活していた。
思想について以下に記載する。 (1) 前記式(I)に示す構造式で表される化合物の
アリル基と式(II)に示す構造式で表される化合物のヒド
ロシリル基とのヒドロシリレーション反応を溶媒の存在
下で行うことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載
のケイ素化合物の製造方法。
ション反応を温和に開始させることができるとともに、
その反応を安定した状態で進行させることができる。 (2) 前記溶媒の使用量は、反応終了時における式
(I)に示す構造式で表される化合物と式(II)に示す構
造式で表される化合物の総重量に対して20重量%以下
である上記(1)に記載のケイ素化合物の製造方法。
ション反応の開始と進行を安定した状態で確実に行うこ
とができる。 (3) 前記式(I)におけるRがエチル基であり、式
(II)におけるR′がメトキシ基又はエトキシ基である請
求項1又は請求項2に記載のケイ素化合物の製造方法。
構造式で表される化合物と式(II)に示す構造式で表され
る化合物の製造又は入手が容易である。 (4) 前記ヒドロシリレーション反応は、式(I)に
示す構造式で表される化合物と式(II)に示す構造式で表
される化合物とから反応系を形成し、その反応系に式
(I)に示す構造式で表される化合物と式(II)に示す構
造式で表される化合物との混合物を供給して又は双方を
実質的に同時に供給して行われるものであり、前記反応
系における式(II)に示す構造式で表される化合物に対す
る式(I)に示す構造式で表される化合物のモル比は1
を越えて20以下、反応系に供給される式(II)に示す構
造式で表される化合物に対する式(I)に示す構造式で
表される化合物のモル比は1〜3である請求項1又は請
求項2に記載のケイ素化合物の製造方法。
構造式で表される化合物のアリル基と式(II)に示す構造
式で表される化合物のヒドロシリル基とのヒドロシリレ
ーション反応で暴走反応が引き起こされるのを防止する
ことができ、反応を安定した状態で進行させることがで
きる。
次のような効果が発揮される。第1の発明のケイ素化合
物の製造方法によれば、反応温度を70℃を越えて10
0℃以下の範囲内に保持することにより、暴走反応を抑
制して安定した状態で反応を行うことができるととも
に、副反応を抑えて効率良くケイ素化合物を得ることが
できる。
れば、反応開始から反応終了に至るまで前記式(I)に
示す化合物の量が、式(II)に示す化合物の量に対して過
剰となる条件下でヒドロシリレーション反応が行われ
る。このため、第1の発明の効果に加え、反応を温和に
開始できるとともに、安定した状態で進行させることが
できる。
Claims (2)
- 【請求項1】 下記式(I)に示す構造式で表される化
合物のアリル基と、下記式(II)に示す構造式で表される
化合物のヒドロシリル基とを、触媒の存在下に、反応温
度を70℃を越えて100℃以下の範囲内に保持しつ
つ、ヒドロシリレーション反応させて下記式(III) に示
す構造式で表されるケイ素化合物を得ることを特徴とす
るケイ素化合物の製造方法。 【化1】 (但し、Rは水素又は炭素数1〜6のアルキル基であ
る。) 【化2】 (但し、R′はアルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キル基、シクロアルキル基又はアリール基である。) 【化3】 (但し、Rは水素又は炭素数1〜6のアルキル基であ
り、R′はアルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル
基、シクロアルキル基又はアリール基である。) - 【請求項2】 反応開始から反応終了に至るまで、前記
式(I)に示す構造式で表される化合物の量が、式(II)
に示す構造式で表される化合物の量に対して過剰となる
条件下でヒドロシリレーション反応を行うことを特徴と
する請求項1に記載のケイ素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05015999A JP4096439B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05015999A JP4096439B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000247981A true JP2000247981A (ja) | 2000-09-12 |
| JP4096439B2 JP4096439B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=12851428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05015999A Expired - Fee Related JP4096439B2 (ja) | 1999-02-26 | 1999-02-26 | ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4096439B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283016A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Kyushu Univ | 3位に置換基を有するオキセタン誘導体の重合方法および重合物 |
| JP2015110527A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | オキセタン環を有する有機珪素化合物及びその製造方法 |
| JP2016079094A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 信越化学工業株式会社 | オルガノオキシ化合物及びその製造方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63264591A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Toa Nenryo Kogyo Kk | エポキシ基含有シラン化合物の製造方法 |
| JPH10316757A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-02 | Toagosei Co Ltd | 光カチオン重合性有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
| JP2000026730A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Jsr Corp | 硬化性組成物、硬化性金属酸化物粒子および硬化性金属酸化物粒子の製造方法 |
-
1999
- 1999-02-26 JP JP05015999A patent/JP4096439B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63264591A (ja) * | 1987-04-22 | 1988-11-01 | Toa Nenryo Kogyo Kk | エポキシ基含有シラン化合物の製造方法 |
| JPH10316757A (ja) * | 1997-05-14 | 1998-12-02 | Toagosei Co Ltd | 光カチオン重合性有機ケイ素化合物及びその製造方法 |
| JP2000026730A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-25 | Jsr Corp | 硬化性組成物、硬化性金属酸化物粒子および硬化性金属酸化物粒子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006283016A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-10-19 | Kyushu Univ | 3位に置換基を有するオキセタン誘導体の重合方法および重合物 |
| JP2015110527A (ja) * | 2013-12-06 | 2015-06-18 | 信越化学工業株式会社 | オキセタン環を有する有機珪素化合物及びその製造方法 |
| JP2016079094A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 信越化学工業株式会社 | オルガノオキシ化合物及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4096439B2 (ja) | 2008-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0632906A (ja) | エポキシシリコーンの合成法 | |
| CN1250557C (zh) | 制备烷氧基硅烷的方法 | |
| JP3598749B2 (ja) | 光カチオン硬化性組成物の製造方法及び光カチオン硬化性ハードコート剤組成物 | |
| JPH07207159A (ja) | ヒドロシリル化反応中に触媒活性を維持する方法 | |
| CN102532186B (zh) | 一种肟基有机硅化合物的制备方法 | |
| JP2000327782A (ja) | 部分付加環状オルガノハイドロジェンシロキサンの製造方法 | |
| CN108570070B (zh) | 用于制备三[3-(烷氧基甲硅烷基)丙基]异氰脲酸酯的方法 | |
| CN108570069B (zh) | 用于制备三[3-(烷氧基甲硅烷基)丙基]异氰脲酸酯的方法 | |
| JP4096439B2 (ja) | ケイ素化合物の製造方法 | |
| EP1945649B1 (en) | Method for producing ketimine structure-containing alkoxysilane | |
| US20070055034A1 (en) | Process for producing cation-curable silicon compound | |
| CN1085558A (zh) | 合成环氧(聚)硅氧烷单体和聚合物的新型含铑选择性催化剂 | |
| JP3796906B2 (ja) | 光カチオン重合性有機ケイ素化合物及びその製造方法、光カチオン重合性塗料組成物、並びに剥離用フィルムコーティング剤 | |
| CN1081443A (zh) | 合成环氧硅氧烷单体和聚合物的选择性催化剂 | |
| CN101595112B (zh) | 具有β-氰基酯基团的有机硅烷化合物的制备方法 | |
| CN104892661A (zh) | 一种丙烯酰氧基甲基丙烯酰氧基硅烷及其衍生物的制备方法 | |
| JPH09221488A (ja) | ヒドロシリル化用促進剤としてのアルデヒド | |
| JP4009340B2 (ja) | アクリロキシ基もしくはメタクリロキシ基含有有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| JP6003856B2 (ja) | 末端変性されたシラシクロブタン開環重合物及びその製造方法 | |
| KR20200066703A (ko) | 신규 에폭시-관능성 알콕시실란, 그의 제조 방법 및 용도 | |
| JPH10158276A (ja) | アクリロキシ基もしくはメタクリロキシ基含有有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| CN116574122A (zh) | 一种微通道反应器制备甲基丙烯酰氧基丙基封端聚二甲基硅氧烷的方法 | |
| JPH09295987A (ja) | アクリロキシ基またはメタクリロキシ基含有有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| JP4402117B2 (ja) | オルガノアルコキシジアルキルシランの製造方法 | |
| JP3856087B2 (ja) | 3―アミノプロピルモノオルガノジオルガノオキシシランの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050715 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070122 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070724 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070921 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080219 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080303 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110321 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120321 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130321 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130321 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140321 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |