JP2000251680A - 電子源基板、画像表示装置及び電子源基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面伝導型電子放出素子を用いた電子源基
板、及びそれを用いた画像表示装置を歩留まり良く製造
できるようにする。 【解決手段】 ２次元平面上に表面伝導型電子放出素子
を複数個配設してなるマトリクス構造の電子源基板を製
造する方法において、スクリーン印刷法を含む印刷法を
用いて上記電子源基板を製造するようにして、層間絶縁
層形成時に問題となった第１導体層による段差に起因し
た層間絶縁層パターンの形成不良を著しく軽減できるよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電子源基板、画像表
示装置及び電子源基板の製造方法に関し、特に、表面伝
導型電子放出素子を２次元平面上に複数個配設した電子
源基板及びそれを用いた画像表示装置並びに電子源基板
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子としては、熱電子源
と冷陰極電子源の２種類が知られている。上記冷陰極電
子源には、電界放出型（以下、ＥＦと記す）、金属／絶
縁層／金属（以下、ＭＩＭと記す）や、表面伝導型電子
放出素子等がある。

【０００３】ＥＦ型の例としては、W.P.Dyke&W.W.Dola
n,"Fieldemission",Advance in Electron Physics,8,8
9,(1956)等が知られている。ＭＩＭ型の例としては、C.
A.Mead,"Tunnel-emissionamplifier,J,Appl.Phys,32,64
6(1961)等が知られている。

【０００４】表面伝導型電子放出素子の例としては、M.
I.Elinson,Radio Eng.Electron Phys.,10,(1965)等があ
る。上記表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成され
た小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことによ
り、電子放出が生ずる現象を利用するものである。

【０００５】上記表面伝導型電子放出素子としては、上
記、Elinson等によるＳｎＯ₂ 薄膜を用いたもの、Ａｕ
薄膜によるもの[G.Dittmer:"Thin Solid Films",9,317
(1972)],Ｉｎ₂ Ｏ₃ ／ＳｎＯ₂ 薄膜によるもの[M.Hartw
ell and C.G.Fonstad:"IEEE Trans .ED.Conf.",519,(19
75)]、カーボン薄膜によるもの[荒木 久 他：真空、
第２６巻、第１号、２２ページ（１９８３）]等が報告
されている。

【０００６】これらの表面伝導型電子放出素子の典型的
な素子構成として、上述のM.Hartwellの素子構成を図１
４に示す。図１４において、９０１は絶縁性基板であ
る。９０２は、電子放出部形成用薄膜で、スパッタリン
グで形成されたＨ型形状の金属酸化物等からなり、後述
のフォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部９
０５が形成される。

【０００７】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に電子放出部形成用薄膜９
０２を予めフォーミングと呼ばれる通電処理によって電
子放出部９０５を形成するのが一般的であった。

【０００８】すなわち、フォーミングとは、上記電子放
出部形成用薄膜９０２の両端に電圧を印加し電子放出部
形成用薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、
電気的に高抵抗な状態にした電子放出部９０５を形成す
ることである。なお、電子放出部９０５は電子放出部形
成用薄膜９０２の一部に亀裂が発生し、その亀裂付近か
ら電子放出が行われる場合もある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１５に従来法による
電子源基板の製造方法の工程フローを示す。図１５にお
いて、５１は電子放出部、５２は第１導体層、５３は層
間絶縁層、５４は第２導体層、５５は電子放出部形成用
の膜である。

【００１０】従来法の場合、層間絶縁層５３の形成は、
連続した凹型部分をもつパターンを第１導体層５２の上
に直接印刷する方法を実施している。この方法でも、電
子源基板の製造は可能であるが、スクリーン印刷は、基
板とスクリーンの間隔をある一定距離に保ち、ペースト
がスクリーンメッシュを通過して基板に塗布するように
する印刷方法である。

【００１１】このため、印刷時に基板とスクリーンとが
密着していない場合、印刷回数を重ねると、必然的にス
クリーンメッシュの裏側にペーストがある程度回り込
み、ペーストの残りがスクリーンメッシュの裏に付着し
てしまう問題があった。

【００１２】また、連続印刷を実施していると、上記ペ
ーストの残りが次の基板に加算されて印刷されてしま
い、ダレ等のパターン乱れの原因となっていた。上記ダ
レが大きくなってくると、層間絶縁層パターンのコンタ
クト部分がつぶれる傾向になり、歩留まりが低下してし
まう問題があった。

【００１３】本発明は上述の問題点にかんがみ、表面伝
導型電子放出素子を用いた電子源基板、及びそれを用い
た画像表示装置を歩留まり良く製造できるようにするこ
とを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明による電子源基板
の製造方法は、２次元平面上に表面伝導型電子放出素子
を複数個配設してなるマトリクス構造の電子源基板を製
造する方法において、スクリーン印刷法を含む印刷法を
用いて上記電子源基板を製造することを特徴としてい
る。また、本発明の電子源基板の製造方法の他の特徴と
するところは、絶縁性基板上に、複数の第１導体層と、
上記複数の第１導体層と交差する複数の第２導体層と、
上記複数の第１導体層と上記第２導体層とが交差する位
置に、上記第１導体層及び第２導体層にそれぞれ接続さ
れた状態で冷陰極電子放出素子が複数個形成されてなる
電子源基板を製造する方法において、上記絶縁性基板の
所定の位置に溝を形成する工程と、上記溝が形成された
絶縁性基板上に、左右の長さが異なる一対の対向電極を
形成する工程であって、上記一対の対向電極を構成する
一方の電極の一端を上記溝内に進出させて形成する工程
と、上記溝内に進出している上記一方の電極の一端に接
続させて、上記溝内に第１導体層を少なくとも１層形成
する工程と、上記第１導体層を覆うようにして上記溝内
に層間絶縁層を少なくとも１層形成する工程と、上記複
数の第１導体層と交差する方向に、上記一対の対向電極
を構成する他方の電極の一端と接続させ、且つ上記層間
絶縁層を介して上記複数の第１導体層と絶縁させて第２
導体層を複数形成する工程と、上記一対の対向電極間に
電子放出素子を形成する工程とを順次行うことを特徴と
している。また、本発明の電子源基板の製造方法のその
他の特徴とするところは、上記溝を、機械的切削工法を
用いて形成することを特徴としている。また、本発明の
電子源基板の製造方法のその他の特徴とするところは、
上記溝を。砥粒を用いたサンドブラスト工法を用いて形
成することを特徴としている。また、本発明の電子源基
板の製造方法のその他の特徴とするところは、上記溝
を、薬品によるエッチング方法を用いて形成することを
特徴としている。また、本発明の電子源基板の製造方法
のその他の特徴とするところは、上記電子放出素子を形
成する工程は、電子放出素子形成用薄膜を形成する工程
と、上記電子放出素子形成用薄膜に通電処理を施す工程
とを有することを特徴としている。

【００１５】本発明の電子源基板は、２次元平面上に表
面伝導型電子放出素子を複数個配設してなるマトリクス
構造の電子源基板において、上記表面伝導型電子放出素
子に接続される複数の導体層、及び上記複数の導体層間
を絶縁する層間絶縁層がスクリーン印刷法を含む印刷法
を用いて製造されていることを特徴している。また、本
発明の電子源基板の他の特徴とするところは、絶縁性基
板の所定の位置に形成された溝と、上記溝の近傍に形成
されていて、一方と他方の電極とからなり、上記一方の
電極はその一端が上記溝内に進出されている一対の対向
電極と、上記溝内に進出している上記一方の電極の一端
に接続させて、上記溝内に形成された第１導体層と、上
記第１導体層を覆うようにして上記溝内に少なくとも１
層形成された層間絶縁層と、上記複数の第１導体層と交
差する方向に、上記一対の対向電極を構成する他方の電
極の一端と接続させ、且つ上記層間絶縁層を介して上記
複数の第１導体層と絶縁させて形成された第２導体層
と、上記一対の対向電極間に形成された電子放出素子と
を具備することを特徴としている。また、本発明の電子
源基板のその他の特徴とするところは、上記溝は、機械
的切削工法を用いて形成されていることを特徴としてい
る。また、本発明の電子源基板のその他の特徴とすると
ころは、上記溝は、砥粒を用いたサンドブラスト工法を
用いて形成されていることを特徴としている。また、本
発明の電子源基板のその他の特徴とするところは、上記
溝は、薬品によるエッチング方法を用いて形成されてい
ることを特徴としている。また、本発明の電子源基板の
その他の特徴とするところは、上記電子放出素子は、電
子放出素子形成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出
素子形成用薄膜に通電処理を施す工程とにより形成され
ていることを特徴としている。

【００１６】本発明の画像表示装置は、２次元平面上に
表面伝導型電子放出素子を複数個配設してなるマトリク
ス構造の電子源基板を有する画像表示装置において、上
記表面伝導型電子放出素子に接続される複数の導体層、
及び上記複数の導体層間を絶縁する層間絶縁層がスクリ
ーン印刷法を含む印刷法を用いて製造されていることを
特徴としている。また、本発明の画像表示装置の他の特
徴とするところは、絶縁性基板の所定の位置に形成され
た溝と、上記溝の近傍に形成されていて、一方と他方の
電極とからなり、上記一方の電極はその一端が上記溝内
に進出されている一対の対向電極と、上記溝内に進出し
ている上記一方の電極の一端に接続させて、上記溝内に
形成された第１導体層と、上記第１導体層を覆うように
して上記溝内に少なくとも１層形成された層間絶縁層
と、上記複数の第１導体層と交差する方向に、上記一対
の対向電極を構成する他方の電極の一端と接続させ、且
つ上記層間絶縁層を介して上記複数の第１導体層と絶縁
させて形成された第２導体層と、上記一対の対向電極間
に形成された電子放出素子とからなる電子源基板と、上
記電子源基板の冷陰極電子ビーム源に対向する位置に配
設され、電子の照射により可視光を発する蛍光体とを備
えることを特徴としている。また、本発明の画像表示装
置のその他の特徴とするところは、上記溝は、機械的切
削工法を用いて形成されていることを特徴としている。
また、本発明の画像表示装置のその他の特徴とするとこ
ろは、上記溝は、砥粒を用いたサンドブラスト工法を用
いて形成されていることを特徴としている。また、本発
明の画像表示装置のその他の特徴とするところは、上記
溝は、薬品によるエッチング方法を用いて形成されてい
ることを特徴としている。また、本発明の画像表示装置
のその他の特徴とするところは、上記電子放出素子は、
電子放出素子形成用薄膜を形成する工程と、上記電子放
出素子形成用薄膜に通電処理を施す工程とにより形成さ
れることを特徴としている。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明を説
明する。図１に、本発明の実施形態による画像表示装置
で用いられる、冷陰極電子ビーム源である表面伝導型電
子放出素子を用いた電子源基板の構成図（上面図及び断
面図）を示し、図２に、本発明による電子源基板の製造
方法の工程フロー図を示す。

【００１８】図１（ａ）及び（ｂ）において、１は絶縁
性基板１０に形成される溝、２は電子放出部近傍の薄膜
電極、３は第１導体層、４は層間絶縁層、５は第２導体
層、６は電子放出部形成用薄膜である。

【００１９】以下、図２の工程フローの説明図を参照し
て本実施形態による電子源基板の製造方法を詳細に説明
する。まず、本実施の形態の特徴である溝１を、予め洗
浄された絶縁性基板１０に形成する（図２（ａ））。溝
１の形成方法は、機械的切削方法、砥粒によるサンドブ
ラスト方法、もしくはエッチング法等がある。もちろ
ん、これらの方法に限定されるものではない。溝１の位
置は、第１導体層３が形成される位置に合わせて形成す
る必要がある。

【００２０】次に、溝１が形成された絶縁性基板１０
に、左右の長さが異なる構造をもった電子放出部近傍電
極２を形成する（図２（ｂ））。上記電子放出部近傍電
極２は、電子放出部形成用薄膜６と第１導体層３、及び
第２導体層５とのオーム性接触を良好にするために設け
られるものである。

【００２１】さらに詳しくは、上記電子放出部形成用薄
膜６は、配線用の導体層と比べて著しく薄い膜であるた
めに「ヌレ性」、「膜厚保持性」等の問題を回避するた
めに設けているものである。

【００２２】したがって、配線用の第１導体層３、第２
導体層５を、たとえばスパッタリング法により薄膜にて
構成する場合は、電子放出部近傍電極２を必ずしも設け
る必要はなく、配線導体（配線層）と同時に形成するこ
とが可能である。

【００２３】電子放出部近傍電極２の形成方法として
は、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法
等の真空系を用いる方法や、溶媒に金属成分及びガラス
成分を混合した厚膜ペーストを印刷し、その後で焼成す
ることにより形成する厚膜印刷法がある。

【００２４】次に、本発明の第２の特徴である、埋めこ
み形状の第１導体層３を形成する（図２（ｃ））。第１
導体層３を形成する方法としては、電子放出部近傍電極
２の形成方法と同様の形成方法が適用可能ではあるが、
第１導体層３の場合には、電子放出部近傍電極２とは異
なり、膜厚は厚い方が電気抵抗を低減できるので有利で
ある。

【００２５】そこで、厚膜印刷法を用いるのが有利であ
る。もちろん、薄膜配線の適用も可能であるが、膜厚を
厚くするには成膜に多大な時間が必要である。又、本実
施の形態のように埋めこみ形状を実現するのは、実質的
には、薄膜での形成は、可能ではあるが、高度な技術を
必要とする問題がある。

【００２６】次に、本実施の形態の第３の特徴である、
埋めこみ形状の層間絶縁層４を形成する（図２
（ｄ））。層間絶縁層４は、第１導体層３を完全に覆う
ようにして、形成することが重要である。

【００２７】上記層間絶縁層４の構成材料は、絶縁性を
保てるものであればよく、たとえば、金属成分を含有し
ない厚膜ペーストであってよい。本実施の形態では、第
１導体層３が、溝１の中に埋めこむように形成されるた
め、層間絶縁層形成時に段差が発生しない。

【００２８】したがって、上記層間絶縁層４のダレ、等
のパターン乱れが軽減され、良好な、絶縁層パターンの
形成が可能となり、層間絶縁層を介した、第２導体層５
と、電子放出部近傍電極２との接続信頼性を向上させる
ことができる。

【００２９】次に、第２導体層５を形成する（図２
（ｅ））。この第２導体層５を形成する方法は、第１導
体層２を形成する方法と同様の方法が適用可能である。
ここでも、本実施の形態の特徴が生かされる。すなわ
ち、層間絶縁層４についても、絶縁性基板１０に形成さ
れた溝１内に埋めこむようにして形成されるため、第２
導体層形成時においても、絶縁性基板１０に段差を可及
的に小さくすることができ、良好な印刷配線パターンの
実現が可能となる。

【００３０】最後に、電子放出部形成用薄膜６を形成し
て冷陰極電子ビーム源用の素子（１素子分）が完成す
る。電子放出部形成用薄膜６の成膜方法および電子放出
部分（表面伝導型電子放出素子）の形成方法は、従来の
方法をそのまま適用することが可能である（後述）。

【００３１】なお、図１及び図２では、１素子部分のみ
を図示したが、これを複数個、同時に形成することで、
単純マトリクス構成の電子源基板の構成が完成する。表
面伝導型電子放出素子の代表的な構成、製造方法および
特性については、たとえば特開平２−５６８２２号公報
に開示されている。

【００３２】以下に、本実施形態に係わる表面伝導型電
子放出素子の基本的な構成と製造方法および特性につい
て概説する。図３は、本実施の形態にかかわる典型的な
電子放出素子の構成を示す図面である。

【００３３】図３において、３１は絶縁性基板、３５と
３６は素子電極、３４は電子放出部形成用薄膜、３３は
電子放出部である。本実施形態における、電子放出部３
３を含む電子放出部形成用薄膜３４のうち電子放出部３
３としては、粒径が数ｎｍの電気伝導性粒子からなり、
電子放出部３３を含む電子放出部形成用薄膜用薄膜３４
のうち電子放出部３３以外の部分は、微粒子膜よりな
る。

【００３４】なお、ここで述べる微粒子膜とは、複数の
微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒
子が個々に分散した状態のみならず、微粒子が互いに隣
接あるいは重なり合った状態（島状も含む）の膜をさ
す。

【００３５】電子放出部を含む電子放出部形成用薄膜３
４の構成原紙又は分子の具体例としては、Ｐｄ、Ｒｕ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ₂ 、Ｉｎ
₃ Ｏ₃ 、ＰｂＯ、Ｓｂ₂ Ｏ₃等の酸化物、ＨｆＢ₂ 、Ｚ
ｒＢ₂ 、ＬａＢ₆ 、ＣｅＢ₆ 、ＹＢ₄ 、ＧｄＢ₄ 等のホ
ウ化物、ＴｉＣ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＴａＣ、ＳｉＣ、Ｗ
Ｃ等の炭化物、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ等の窒化物、Ｓ
ｉ、Ｇｅ等の半導体、さらにはカーボン、ＡｇＭｇ、Ｎ
ｉＣｕ、ＰｂＳｎ等である。

【００３６】また、電子放出部形成用薄膜３４の形成方
法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、化学的気
相成長法、分散塗布法、ディッピング法、スピナー法等
がある。

【００３７】電子放出部形成用薄膜放出部３３を有する
電子放出部形成用薄膜放出素子の形成方法としては様々
な方法が考えられるが、その一例を図４に示す。３４は
電子放出部形成用薄膜である。

【００３８】以下、図３、図４および図５を参照しつ
つ、素子の形成方法を説明する。以下の説明は、単一の
素子の形成方法を説明したものであるが、既述の本実施
の形態の実施形態による新規な電子源基板の製造方法に
も適用されるものである。

【００３９】（１）絶縁性基板１を洗剤、純水および有
機溶剤により十分に洗浄後、真空蒸着技術、フォトリソ
グラフィー技術により上記絶縁性基板１の面上に素子電
極３５、３６を形成する（図４（ａ））。素子電極３
５、３６の材料としては電気伝導性を有するものであれ
ば、どのようなものであってもかまわないが、たとえば
ニッケル金属があげられる。

【００４０】素子電極３５、３６の寸法については、例
えば、素子電極間隔Ｌは２μｍ、素子電極長さＷは３０
０μｍ、素子電極３５、３６の膜厚ｄは１００ｎｍであ
る。素子電極（電子放出部近傍電極）３５、３６の形成
方法として、厚膜印刷法をもちいても一向にさしつかえ
ない。印刷法の場合の材料としては有機金属ペースト
（ＭＯＤ）等がある。

【００４１】（２）絶縁性基板３１上に設けられた素子
電極３５と３６との間に、素子電極３５と３６を形成し
た絶縁性基板３１上に有機金属溶液を塗布して放置する
ことにより、有機金属薄膜を形成する。

【００４２】尚、有機金属溶液とは、上記Ｐｄ、Ｒｕ、
Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓ
ｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属を主元素とする有機化合物
の溶液である。この後、有機金属薄膜を加熱焼成処理し
てリフトオフ、エッチング等によりパターニングし、電
子放出部形成用薄膜３４を形成する（図４（ｂ））。

【００４３】（３）続いて、フォーミングとよばれる通
電処理により素子電極３５、３６間に電圧を印加するこ
とにより、電子放出部形成用薄膜３４の部分に構造の変
化した電子放出部３３が形成される（図４（ｃ））。

【００４４】この通電処理により電子放出部形成用薄膜
３４を局所的に破壊、変形もしくは変質でしめ、構造の
変化した部位を電子放出部３３と呼ぶ。先に説明したよ
うに電子放出部３３は金属微粒子で構成されている事が
観察された。

【００４５】フォーミング処理中の電圧波形を図５に示
す。図５中、Ｔ１およびＴ２はそれぞれ電圧波形のパル
ス幅とパルス間隔であり、Ｔ１を１マイクロ秒〜１０ミ
リ秒、Ｔ２を１０マイクロ秒〜１００ミリ秒、三角波の
（フォーミングジのピーク電圧）は４Ｖから１０Ｖ程度
とし、フォーミング処理は真空雰囲気下で数十秒間で適
宜設定した。

【００４６】以上、説明した電子放出部を形成する際
に、素子の電極間の三角波パルスを印加してフォーミン
グ処理を行っているが、素子の電極間に印加する波形は
三角波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を
用いてもよく、その波高値およびパルス幅、パルス間隔
等についても上述の値に限るものではなく、電子放出部
が良好に形成されれば所望の値を選択することができ
る。

【００４７】上記の素子構成をもち上記の製造方法によ
って作製された本実施形態にかかわる電子放出素子の基
本特性について、図６及び図７を参照して説明する。図
６は、図３で示した構成を有する素子の電子放出特性を
測定するための測定評価装置の概略構成図である。

【００４８】図６において、３１は絶縁性基板、３５、
３６は素子電極、３４は電子放出部形成用薄膜、３３は
電子放出部を示す。また、６１は素子に素子電圧Ｖｆを
印加するための電源、６０は素子電極３５、３６間の電
子放出部３３を含む電子放出部形成用薄膜３４を流れる
素子電流Ｉｆをを測定するための電流計、６４は素子の
電子放出部より放出される放出電流Ｉｅを捕捉するため
のアノード電極、６３はアノード電極６４に電圧を印加
するための高圧電源、６２は素子の電子放出部３３より
放出される放出電流Ｉｅを測定するための電流計であ
る。

【００４９】電子放出素子の上記素子電流Ｉｆ、放出電
流Ｉｅの測定にあたっては、素子電極３５、３６に電源
６１と電流計６０とを接続し、上記電子放出素子の上方
に電源６３と電流計６２を接続したアノード電極６４を
配置している。

【００５０】また、本電子放出素子およびアノード電極
６４は真空装置６５内に設置され、その真空装置には排
気ポンプ６６および真空計等の真空装置に必要な機器が
具備されており、所望の真空下にて本素子の測定評価を
行えるようになっている。なお、アノード電極６４の電
圧は１〜１０ｋＶ、アノード電極６４と電子放出素子と
の距離Ｈは３〜８ｍｍの範囲で測定した。

【００５１】図６に示した測定評価装置により測定され
た放出電流Ｉｅおよび素子電流Ｉｆと素子電圧Ｖｆの関
係の典型的な例を図７に示す。なお、図７は任意単位で
示されており、放出電流Ｉｅは素子電流Ｉｆのおよそ10
00分の１程度である。図７からも明らかなように、本電
子放出素子は放出電流Ｉｅに対して３つの特性を有す
る。

【００５２】第１に、本素子はある電圧（閾値電圧とよ
ぶ、図７中のＶｔｈ）以上の素子電圧を印加すると、急
激に放出電流Ｉｅが増加し、一方、閾値電圧以下では放
出電流Ｉｅがほとんど検出されない。すなわち、放出電
流Ｉｅに対する明確な閾値電圧Ｖｔｈを持った非線形素
子である。

【００５３】第２に、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆに依
存するため、放出電流Ｉｅが素子電圧Ｖｆで制御でき
る。第３に、アノード電極６４に捕捉される電荷量は、
素子電圧Ｖｆを印加する時間により制御できる。

【００５４】以上のような特性を有するため、本実施の
形態にかかわる電子放出素子は、多方面への応用が期待
される。また、素子電流Ｉｆは素子電圧Ｖｆに対して単
調増加する（ＭＩ）特性の例を示したが、ｋのほかに
も、素子電流Ｉｆが素子電圧Ｖｆに対して電圧制御型負
性抵抗（ＶＣＮＲ）特性を示す場合もある。

【００５５】この場合も電子放出素子は上述した３つの
特性を有する。なお、予め電導性微粒子を分散して構成
した表面伝導型電子放出素子においては、上記本実施形
態の基本的な素子構成の、基本的な製造方法の一部を変
更しても構成できる。

【００５６】また、本実施形態による電子源基板が適用
されるカラー画像表示装置の代表的な構成としては、ま
ず、図８に示すように上記特開平２−５６８２２号公報
に開示された製造方法により作製される電子放出素子を
複数個、基板１０１上に形成する。

【００５７】上記基板１０１をリアプレート１０２上に
固定した後、基板１０１の５ｍｍ上方にフェースプレー
ト１１０（ガラス基板１０７の内面に蛍光体膜１０８と
メタルバック１０９が形成されて構成される）を支持枠
１０３を介して配置し、フェースプレート１１０、支持
枠１０３、リアプレート１０２の接合部にフリットガラ
スを塗布し、大気中もしくは窒素雰囲気中にて400℃乃
至500℃で１０分間以上焼成することで封着した。

【００５８】また、リアプレート１０２への基板１０１
０の固定もフリットガラスにて行った。図８において、
３３は電子放出部、１０５、１０６は夫々Ｘ方向および
Ｙ方向の素子電極である。

【００５９】なお、ここではフェースプレート１１０、
支持枠１０３、リアプレート１０２で外囲器１１１を構
成したが、リアプレート１０２は主に基板１０１の強度
を補強する目的で設けられるため、基板１０１自体で十
分な強度をもつ場合には、別体のリアプレート１０２は
不要であり、基板１０１に直接、支持枠１０３を封着
し、フェースプレート１１０、支持枠１０３、基板１０
１にて外囲器１１１を構成する。また、蛍光体膜１０８
の内面側には通常メタルバック１０９が設けられる。

【００６０】メタルバック１０９を設置する目的は、蛍
光体のうち内面側への光をフェースプレート１１０側へ
鏡面反射する事により輝度を向上すること、電子ビーム
加速電圧を印加するための電極として作用させること、
外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージから
の蛍光体を保護することなどである。

【００６１】メタルバック１０９は、蛍光体膜作成後、
蛍光体膜の内面の平滑処理（通常フィルミングとよばれ
る）を来ない、その後Alを真空蒸着することで作成す
る。更に、フェースプレート１１０の蛍光体膜１０８の
電気電導性を高めるため、蛍光体膜１０８の外面側に透
明電極（図示せず）が設けられる場合もある。

【００６２】上述の封着を行う際、カラー画像表示装置
の場合には、各色に対応する蛍光体と電子放出素子との
位置合わせを十分に行う必要がある。このようにして作
成されるガラス容器内の雰囲気を十分に行う必要があ
る。

【００６３】このようにして作成されるガラス容器内の
雰囲気を排気管（図示せず）を通じて真空ポンプにて排
気し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄ０ｘ１〜
Ｄ０ｘｍとＤ０ｙ１からＤｏｙｎを通じ素子電極１０
５、１０６間に電圧を印加し上述のフォーミング処理を
実施して、電子放出部３３を形成し電子放出素子を作成
する。

【００６４】最後に、１０−６Ｔｏｒｒ程度の真空度に
て、排気管を熱して溶着し外囲器の封止を行い完成す
る。さらに、封止後に真空度を維持するために、ゲッタ
ー処理なる工程を実施する。これは、封止を行う直前あ
るいは封止後に、抵抗加熱あるいは高周波加熱とによ
り、画像表示装置の所定の位置（図示せず）に配設され
たゲッターを加熱してゲッター蒸着膜を形成する処理で
ある。ゲッターとしては、通常、Ｂａ等が主成分であ
り、上記蒸着膜の吸着作用により真空度を維持するもの
である。

【００６５】以上のような製造方法により構成される画
像表示装置において、各電子放出素子には容器外端子Ｄ
０ｘ１〜Ｄ０ｘｍ乃至Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎを通じて電圧
を印加することにより電子放出させる。

【００６６】すなわち、走査線に対応する容器外端子Ｄ
０ｘ１〜Ｄ０ｘｍには画像信号の１水平期間づつ順次電
圧が印加され、容器外端子Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎには水平
期間に選択された走査線の画像信号の強度に応じた信号
電圧が印加される。

【００６７】したがって、選択された容器外端子Ｄ０ｘ
ｉ（１≦ｉ≦ｍ）に接続される各電子放出素子の両端に
画像信号の強度に応じた電圧が印加され、画像信号の強
度に応じた電子が放出される。なお、容器外端子Ｄ０ｘ
１〜Ｄ０ｘｍと容器外端子Ｄ０ｙ１〜Ｄ０ｙｎとは逆で
あってもよい。

【００６８】また、高圧端子Ｈｖを通じメタルバック１
０９または透明電極に数ｋＶ以上の高圧を印加し電子ビ
ームを加速して蛍光体膜１０８に衝突させて蛍光体を励
起・発光させることにより画像が形成される。もちろ
ん、これらの構成は画像表示装置を作成する上で必要な
構成の概略であり、各部材の材料等は上述の内容に限る
ものではない。

【００６９】蛍光体膜１０８は、モノクローム表示の場
合には蛍光体にのみからなるが、カラー表示の場合は、
図９に示すように、蛍光体の配列によりブラックストラ
イプあるいはブラックマトリクスと呼ばれる黒色部材１
２と蛍光体１３とで構成される。黒色部材１２を設ける
目的は、カラー表示の場合に必要となる３原色蛍光体
の、各蛍光体１３の塗り分け部分を黒くすることで混色
等を目立たなくすること、蛍光体膜１０８における外光
反射によるコントラストの低下を抑制することである。
上記黒色材料としては、通常、黒鉛を主成分とするもの
が多いが、電気伝導性があり、光の透過および反射が少
ない材料であれば、これに限るものではない。

【００７０】ガラス基板１０７に蛍光体を塗布する方法
としては、モノクロームの場合には沈殿法、印刷法等が
ある。カラーでは、スラリー法等がある。もちろん、カ
ラーにおいて印刷法を用いることも可能である。次に、
実施例を示して、電子源基板、特に表面伝導型電子放出
素子を用いた画像表示装置における電子源基板を本発明
により製造する方法について説明する。

【００７１】（第１の実施例）以下、本発明の第１の実
施例を、図１０及び図１１を参照して説明する。図１０
は構成図、図１１は作製プロセスを説明する工程図であ
る。

【００７２】まず、洗浄されたガラス基板（ここでは、
ソーダライムガラス基板を使用）に、第１導体層及び層
間絶縁層を埋めこみ形成するための、溝５０１を形成す
る。ここでは、溝５０１の形成方法として、砥粒を用い
たサンドブラスト法を適用した。

【００７３】まず、絶縁性基板に、ドライフィルムを吸
着させ、所望のフォトマスクを介して、露光することに
より、第１導体層５０３を形成する位置に相当する部分
にパターンを形成する。そして、このパターンを現像し
た後で、細かい砥粒をパターン上に塗布し、サンドブラ
スト装置のノズルよより噴射される高圧空気によって、
ガラス基板に溝５０１を形成する（図１１（ａ））。

【００７４】次に、電子放出部近傍電極５０２を形成す
る。本実施例では、膜の成膜方法としては、スクリーン
印刷法を使用した。ここで使用した厚膜ペースト材料
は、ＭＯＤペーストで、金属成分はＰｔである。印刷の
方法はスクリーン印刷法である。

【００７５】スクリーン印刷を行った後、７０℃で１０
分乾燥し、次に本焼を実施する。この時の焼成温度は55
0℃であり、ピーク保持時間は８分である。このように
して印刷、焼成を行った後の膜厚は、〜０．３μｍであ
った。電子放出部近傍電極５０２のパターンは、左右の
長さが異なるなパターンである。（図１１（ｂ））。

【００７６】次に、本発明の第２の特徴である、第１導
体層５０３を、溝５０１に埋めこむようにして形成する
（図１１（ｃ））。第１導体層５０３の形成方法は、ス
クリーン印刷法を用いた。印刷に使用した材料は、導体
成分としてＡｇを含有したスクリーン印刷用ペーストで
ある。

【００７７】この第１導体層５０３は、溝５０１に埋め
込むようにして形成することから、溝５０１に沿って流
れ込むようにして膜が形成される。これにより、印刷位
置マージンが従来よりも増大するという二次的な効果も
ある。

【００７８】次に、層間絶縁層５０４を形成する（図１
１（ｄ））。層間絶縁層５０４を形成するためのペース
ト材料は、ＰｂＯを主成分としてガラスバインダーと樹
脂を混合したペーストである。焼成温度は480℃であ
り、ピーク保持時間は１０分である。また、通常、層間
絶縁層５０４は上下層間の絶縁性を十分確保するため
に、印刷、焼成を総計で最低３回実施する。厚膜ペース
トにより形成される膜は通常ポーラスな膜である。

【００７９】このため、１回印刷、焼成後、再度印刷を
実施し、１回目の膜のポーラス状態を埋めこむようにし
て２回目、３回目の膜を印刷、焼成するようにした。こ
のようにすると、絶縁性が十分確保されることになるの
で、本実施例もこれに従った。したがって、印刷する層
の数は、絶縁性を考慮して増減される。

【００８０】また、層間絶縁層５０４は、第１導体層５
０３を覆うようにして、かつ、溝５０１に埋めこむよう
にして形成する。これにより、層間絶縁層５０４を形成
した後の基板は、従来の方法と比べて、段差が少なくな
り、後で形成される第２導体層５０５の形成が容易とな
る。

【００８１】最後に、第２導体層５０５を形成する（図
１１（ｅ））。第２導体層５０５の形成方法は、厚膜ス
クリーン印刷法を用いた。以上で、マトリクス配線の部
分が完成する。もちろん、ペースト材料、印刷方法等
は、この実施例に記したものに限るものではない。

【００８２】配線完成後、電子放出部（不図示）を形成
する。上記電子放出部の形成は、まず、上記印刷方法で
形成された電子放出部への電子放出部近傍電極５０２の
上層に有機パラジウム（ＣＣＰ４２３０、奥野製薬工業
（株）製）をスピンナーにより回転塗布後、300℃で１
０分間の加熱処理を実施しＰｄからなる電子放出部形成
用薄膜５０６を形成する。

【００８３】このようにして形成された電子放出部形成
用薄膜５０６は、Ｐｄを主元素とする微粒子から構成さ
れ、その膜厚は１０ｎｍ、シート抵抗値は５×１０の４
乗Ω／□であった。シート抵抗値は長さと幅が等しい導
体の単位長さ換算の抵抗値として定義される。

【００８４】なお、ここで述べる微粒子膜としては複数
の微粒子が集合した膜であり、その微細構造としては微
粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互
いに隣接、あるいは、重なり合った状態（島状も含む）
の膜をもさし、その粒径とは、上記状態で粒子形状が認
識可能な微粒子についての径をいう。

【００８５】このパラジウム膜をフォトリソグラフィー
法を用いて、パターニングすることによりフォーミング
前までの素子の製造工程が完了する。フォーミング方法
は、従来の方法を導入する事が可能であり、本実施例で
は、以下の条件とした（図５参照）。

【００８６】図５中、Ｔ１およびＴ２は電圧波形のパル
ス幅とパルス間隔であり、本実施例ではＴ１を１ミリ
秒、Ｔ２を１０ミリ秒とし、三角波の波高値（フォーミ
ング時のピーク電圧）は１４Ｖとしフォーミング処理は
約１×１０−６乗Ｔｏｒｒの真空雰囲気下で６０秒間実
施した。このようにして作製された電子放出部は、パラ
ジウム元素を主成分とする微粒子が分散配置された状態
となり、その微粒子の平均粒径は３ｎｍであった。

【００８７】次に、すべての表面伝導型電子放出素子の
フォーミングが終了後、１×１０−６Ｔｏｒｒ程度の真
空度で排気管（図示せず）をガスバーナーで熱して溶着
して外囲器の封止を行った。

【００８８】最後に、封止後の真空度を維持するため
に、ゲッター処理を実施する。これはｍ、封止を行う直
前に高周波加熱等の加熱法により、画像表示装置内の所
定の位置（図示せず）に配置されたゲッターを加熱し、
蒸着膜を形成する処理である。ゲッターはＢａ等を主成
分とするものである。

【００８９】以上のようにして完成した本発明の画像表
示装置において、各電子放出素子には、容器外端子Ｄ０
ｘ１乃至Ｄ０ｘｍ、Ｄ０ｙ１乃至Ｄ０ｙｎを通じて、走
査信号および偏重信号を信号発生手段（図示せず）によ
り、それぞれ印加することにより、電子放出させ、高圧
端子Ｈｖを通じて、メタルバック膜に数ｋＶの高圧を印
加し、電子ビームを加速して蛍光体膜に衝突、励起、発
光させることで画像を表示させる。

【００９０】（第２の実施例）以下同様に、図１２及び
図１３を参照しつつ第２の実施例を説明する。。まず、
洗浄されたガラス基板（ここでは、ソーダライムガラス
基板を使用）に、第１導体層６０３及び層間絶縁層６０
４を埋めこみ形成するための、溝６０１を形成する。こ
こでは、溝６０１の形成方法として、フォトリソ＋エッ
チング法を適用した。

【００９１】上記フォトリソ＋エッチング法は、まず、
絶縁性ガラス基板に、ドライフィルムを吸着させ、所望
のフォトマスクを介して、露光することにより、第１導
体層６０３を形成する位置に相当する部分にパターンを
形成する。パターンを現像後、フッ酸により一定時間エ
ッチングすることにより、ガラス基板に溝６０１を形成
する（図１３（ａ））。

【００９２】次に、電子放出部近傍電極６０２を形成す
る。本実施例では、膜の成膜方法としては、スパッタリ
ング法を用いた。膜の構成材料は、Ｔｉ／Ｐｔである。
さらに、電子放出部近傍電極６０２のパターンは、左右
の長さが異なるパターンである。（図１３（ｂ））。

【００９３】本実施例では、電子放出部近傍電極６０２
の形成方法として薄膜形成法を用いるため、溝６０１の
段差部分をうまくカバーしつつ膜を形成する必要があ
る。すなわち、第１の実施例のように印刷法を適用する
場合は、段差カバーは容易であるが、薄膜形成の場合に
は、細心の注意が必要である。

【００９４】具体的には、ガラス基板を傾けてスパッタ
リングすることにより、溝６０１の壁面にも膜が形成さ
れるので、段差カバーが可能となる。この後の工程は、
第１の実施例と同様であり、配線完成後に上記電子放出
部近傍電極６０２の上層に電子放出部形成用薄膜６０６
を形成する。

【００９５】このようにして形成された電子放出部形成
用薄膜６０６は、Ｐｄを主元素とする微粒子から構成さ
れ、その膜厚は１０ｎｍ、シート抵抗値は５ｘ１０の４
乗Ω／□であった。シート抵抗値は長さと幅が等しい導
体の単位長さ換算の抵抗値として定義される。

【００９６】（第３の実施例）次に、本発明の第３の実
施例を、図１２及び図１３を参照しつつ、同様に説明す
る。まず、洗浄されたガラス基板（ここでは、ソーダラ
イムガラス基板を使用）に、第１導体層６０３及び層間
絶縁層６０４を埋めこみ形成するための、溝６０１を形
成する。ここでは、溝６０１の形成方法として、フォト
リソ＋エッチング法を適用した。

【００９７】フォトリソ＋エッチング法の場合、まず、
絶縁性基板にドライフィルムを吸着させ、所望のフォト
マスクを介して、露光することにより、第１導体層６０
３を形成する位置に相当する部分にパターンを形成す
る。そして、上記パターンを現像した後、フッ酸により
一定時間エッチングすることにより、ガラス基板に溝６
０１を形成する（図１３（ａ））。

【００９８】次に、電子放出部近傍電極６０２を形成す
る。本実施例では、膜の成膜方法としては、スクリーン
印刷法を使用した。ここで使用した厚膜ペースト材料
は、ＭＯＤペーストで、金属成分はＰｔである。印刷の
方法はスクリーン印刷法である。印刷の後、７０℃で１
０分乾燥し、次に本焼を実施する。

【００９９】本焼の焼成温度は550℃で、ピーク保持時
間は８分である。印刷、焼成後の膜厚は、〜０．３μｍ
であった。電子放出部近傍電極６０２のパターンは、左
右の長さが異なるパターンである。（図１３（ｂ））。

【０１００】次に、第１導体層６０３を形成する。本実
施例では、第１の実施例のパターンを拡張し、電子放出
部近傍電極６０２の短い側に接触させるように、第１導
体層６０３のパターンに突起パターン６０６を設けた
（図１３（ｃ））。

【０１０１】上記突起パターン６０６を設けることによ
り、電子放出部近傍電極６０２の形成法において、実施
例２のような細工を施さずに成膜しても、電子放出部近
傍電極６０２と第１導体層６０３との接触が確実にな
る。この後の工程は、第１の実施例と同様であり、配線
完成後に上記電子放出部近傍電極５０２の上層に電子放
出部形成用薄膜６０７を形成する（図１３（ｅ））。

【０１０２】（本発明の他の実施形態）本発明は複数の
機器（例えば、ホストコンピュータ、インタフェース機
器、リーダ、プリンタ等）から構成されるシステムに適
用しても１つの機器からなる装置に適用しても良い。

【０１０３】また、上述した実施形態の機能を実現する
ように各種のデバイスを動作させるように、上記各種デ
バイスと接続された装置あるいはシステム内のコンピュ
ータに対し、上記実施形態の機能を実現するためのソフ
トウェアのプログラムコードを供給し、そのシステムあ
るいは装置のコンピュータ（ＣＰＵあるいはＭＰＵ）に
格納されたプログラムに従って上記各種デバイスを動作
させることによって実施したものも、本発明の範疇に含
まれる。

【０１０４】また、この場合、上記ソフトウェアのプロ
グラムコード自体が上述した実施形態の機能を実現する
ことになり、そのプログラムコード自体、およびそのプ
ログラムコードをコンピュータに供給するための手段、
例えばかかるプログラムコードを格納した記憶媒体は本
発明を構成する。かかるプログラムコードを記憶する記
憶媒体としては、例えばフロッピーディスク、ハードデ
ィスク、光ディスク、光磁気ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、
磁気テープ、不揮発性のメモリカード、ＲＯＭ等を用い
ることができる。

【０１０５】また、コンピュータが供給されたプログラ
ムコードを実行することにより、上述の実施形態の機能
が実現されるだけでなく、そのプログラムコードがコン
ピュータにおいて稼働しているＯＳ（オペレーティング
システム）あるいは他のアプリケーションソフト等の共
同して上述の実施形態の機能が実現される場合にもかか
るプログラムコードは本発明の実施形態に含まれること
は言うまでもない。

【０１０６】さらに、供給されたプログラムコードがコ
ンピュータの機能拡張ボードやコンピュータに接続され
た機能拡張ユニットに備わるメモリに格納された後、そ
のプログラムコードの指示に基づいてその機能拡張ボー
ドや機能拡張ユニットに備わるＣＰＵ等が実際の処理の
一部または全部を行い、その処理によって上述した実施
形態の機能が実現される場合にも本発明に含まれること
は言うまでもない。

【０１０７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単純マトリクス構成の配線構造（マトリクス配線）にお
いて、絶縁性基板に溝を設け、ここに第１導体層及び層
間絶縁層を埋めこむようにして形成したので、層間絶縁
層形成時に問題となった第１導体層による段差に起因し
た層間絶縁層パターンの形成不良を著しく軽減すること
ができた。

【０１０８】また、本発明の他の特徴によれば、第１導
体層を覆うようにして層間絶縁層を埋めこみ形成するよ
うにしたので、層間絶縁層のパターンを凹字形状にしな
くて、単純なストライプパターンで済ますことができ、
これにより、形成可能となって作製が容易となる。

【０１０９】また、本発明のその他の特徴によれば、層
間絶縁層をも埋めこんで形成するようのしたので、第２
導体層を形成する時に、絶縁性基板の段差を十分に低く
することができ、配線ダレによる不良、印刷不良による
カスレ等を大幅に軽減することができる。

【０１１０】また、本発明のその他の特徴によれば、絶
縁性基板とスクリーン版との間の空隙をせばめることが
できるので、版裏へのペーストの回り込みを軽減するこ
とができ、連続印刷性を向上することができる。これに
より、高歩留まりで信頼性の高い電子源基板の作製が可
能となる。

【０１１１】また、本発明のその他の特徴によれば、本
発明によれば、画像表示装置の中でも、表面伝導型電子
放出素子を用いた単純マトリクス方式の画像表示装置に
おいて、また特に厚膜印刷法を用いた製造方法におい
て、優れた効果をもたらすものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態による電子源基板の表面伝導
型電子放出素子部分の斜視図である。

【図２】本発明の実施形態による電子源基板の製造方法
の工程フローを示す工程図である。

【図３】表面伝導型電子放出素子の典型的な構成を示す
図である。

【図４】表面伝導型電子放出素子の作製方法のプロセス
工程を示す図である。

【図５】本発明によるフォーミングの典型的な波形を示
す図である。

【図６】素子の駆動回路構成例を示す図である。

【図７】本発明による表面伝導型電子放出素子の典型的
な特性を示す図である。

【図８】本発明による画像表示装置の斜視図である。

【図９】図８の蛍光体膜１０８のパターン図である。

【図１０】本発明の実施例１による電子源基板の表面伝
導型電子放出素子部分の構成図である。

【図１１】本発明の実施例１による電子源基板の製造方
法の工程フローを示す工程図である。

【図１２】本発明の実施例２による電子源基板の表面伝
導型電子放出素子部分の構成図である。

【図１３】本発明の実施例２による電子源基板の製造方
法の工程フローを示す工程図である。

【図１４】従来例による表面伝導型電子放出素子の平面
図である。

【図１５】従来例による電子源基板上の冷陰極電子ビー
ム源用の素子の平面図である。

【符号の説明】 １ 溝 ２ 電子放出部近傍の薄膜電極 ３ 第１導体層 ４ 層間絶縁層 ５ 第２導体層 ６ 電子放出部形成用薄膜

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ２次元平面上に表面伝導型電子放出素子
   を複数個配設してなるマトリクス構造の電子源基板を製
   造する方法において、 スクリーン印刷法を含む印刷法を用いて上記電子源基板
   を製造することを特徴とする電子源基板の製造方法。
2. 【請求項２】 絶縁性基板上に、複数の第１導体層と、
   上記複数の第１導体層と交差する複数の第２導体層と、
   上記複数の第１導体層と上記第２導体層とが交差する位
   置に、上記第１導体層及び第２導体層にそれぞれ接続さ
   れた状態で冷陰極電子放出素子が複数個形成されてなる
   電子源基板を製造する方法において、上記絶縁性基板の
   所定の位置に溝を形成する工程と、 上記溝が形成された絶縁性基板上に、左右の長さが異な
   る一対の対向電極を形成する工程であって、上記一対の
   対向電極を構成する一方の電極の一端を上記溝内に進出
   させて形成する工程と、 上記溝内に進出している上記一方の電極の一端に接続さ
   せて、上記溝内に第１導体層を少なくとも１層形成する
   工程と、 上記第１導体層を覆うようにして上記溝内に層間絶縁層
   を少なくとも１層形成する工程と、 上記複数の第１導体層と交差する方向に、上記一対の対
   向電極を構成する他方の電極の一端と接続させ、且つ上
   記層間絶縁層を介して上記複数の第１導体層と絶縁させ
   て第２導体層を複数形成する工程と、 上記一対の対向電極間に電子放出素子を形成する工程と
   を順次行うことを特徴とする電子源基板の製造方法。
3. 【請求項３】 上記溝を、機械的切削工法を用いて形成
   することを特徴とする請求項２に記載の電子源基板の製
   造方法。
4. 【請求項４】 上記溝を、砥粒を用いたサンドブラスト
   工法を用いて形成することを特徴とする請求項２に記載
   の電子源基板の製造方法。
5. 【請求項５】 上記溝を、薬品によるエッチング方法を
   用いて形成することを特徴とする請求項２に記載の電子
   源基板の製造方法。
6. 【請求項６】 上記電子放出素子を形成する工程は、電
   子放出素子形成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出
   素子形成用薄膜に通電処理を施す工程とを有することを
   特徴とする請求項２〜５の何れか１項に記載の電子源基
   板の製造方法。
7. 【請求項７】 ２次元平面上に表面伝導型電子放出素子
   を複数個配設してなるマトリクス構造の電子源基板にお
   いて、 上記表面伝導型電子放出素子に接続される複数の導体
   層、及び上記複数の導体層間を絶縁する層間絶縁層がス
   クリーン印刷法を含む印刷法を用いて製造されているこ
   とを特徴とする電子源基板。
8. 【請求項８】 絶縁性基板の所定の位置に形成された溝
   と、 上記溝の近傍に形成されていて、一方と他方の電極とか
   らなり、上記一方の電極はその一端が上記溝内に進出さ
   れている一対の対向電極と、 上記溝内に進出している上記一方の電極の一端に接続さ
   せて、上記溝内に形成された第１導体層と、 上記第１導体層を覆うようにして上記溝内に少なくとも
   １層形成された層間絶縁層と、 上記複数の第１導体層と交差する方向に、上記一対の対
   向電極を構成する他方の電極の一端と接続させ、且つ上
   記層間絶縁層を介して上記複数の第１導体層と絶縁させ
   て形成された第２導体層と、 上記一対の対向電極間に形成された電子放出素子とを具
   備することを特徴とする電子源基板。
9. 【請求項９】 上記溝は、機械的切削工法を用いて形成
   されていることを特徴とする請求項８に記載の電子源基
   板。
10. 【請求項１０】 上記溝は、砥粒を用いたサンドブラス
    ト工法を用いて形成されていることを特徴とする請求項
    ８に記載の電子源基板。
11. 【請求項１１】 上記溝は、薬品によるエッチング方法
    を用いて形成されていることを特徴とする請求項８に記
    載の電子源基板。
12. 【請求項１２】 上記電子放出素子は、電子放出素子形
    成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出素子形成用薄
    膜に通電処理を施す工程とにより形成されることを特徴
    とする請求項８〜１１の何れか１項に記載の電子源基
    板。
13. 【請求項１３】 ２次元平面上に表面伝導型電子放出素
    子を複数個配設してなるマトリクス構造の電子源基板を
    有する画像表示装置において、 上記表面伝導型電子放出素子に接続される複数の導体
    層、及び上記複数の導体層間を絶縁する層間絶縁層がス
    クリーン印刷法を含む印刷法を用いて製造されているこ
    とを特徴とする画像表示装置。
14. 【請求項１４】 絶縁性基板の所定の位置に形成された
    溝と、上記溝の近傍に形成されていて、一方と他方の電
    極とからなり、上記一方の電極はその一端が上記溝内に
    進出されている一対の対向電極と、上記溝内に進出して
    いる上記一方の電極の一端に接続させて、上記溝内に形
    成された第１導体層と、上記第１導体層を覆うようにし
    て上記溝内に少なくとも１層形成された層間絶縁層と、
    上記複数の第１導体層と交差する方向に、上記一対の対
    向電極を構成する他方の電極の一端と接続させ、且つ上
    記層間絶縁層を介して上記複数の第１導体層と絶縁させ
    て形成された第２導体層と、上記一対の対向電極間に形
    成された電子放出素子とからなる電子源基板と、 上記電子源基板の冷陰極電子ビーム源に対向する位置に
    配設され、電子の照射により可視光を発する蛍光体とを
    備えることを特徴とする画像表示装置。
15. 【請求項１５】 上記溝は、機械的切削工法を用いて形
    成されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像
    表示装置。
16. 【請求項１６】 上記溝は、砥粒を用いたサンドブラス
    ト工法を用いて形成されていることを特徴とする請求項
    １４に記載の画像表示装置。
17. 【請求項１７】 上記溝は、薬品によるエッチング方法
    を用いて形成されていることを特徴とする請求項１４に
    記載の画像表示装置。
18. 【請求項１８】 上記電子放出素子は、電子放出素子形
    成用薄膜を形成する工程と、上記電子放出素子形成用薄
    膜に通電処理を施す工程とを有することを特徴とする請
    求項１３〜１７の何れか１項に記載の画像表示装置。