JP2000254512A - 固体酸触媒及びその調製方法 - Google Patents
固体酸触媒及びその調製方法Info
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 活性が高く、腐食性のない固体酸触媒を得
る。 【解決手段】 C8-30アルキルトリメチルアンモニウム
をテンプレートとして、結晶性シリケートにガリウムを
導入することにより、メソ孔を有し、かつガリウムを含
有するシリケート(固体酸触媒)を得る。ガリウムは、
シリケートの一部と置換されていてもよく、シリケート
に担持されていてもよい。この固体酸触媒は、ルイス酸
触媒、例えば、フリーデルクラフツ反応によるアシル化
又はアルキル化反応触媒として有用である。
る。 【解決手段】 C8-30アルキルトリメチルアンモニウム
をテンプレートとして、結晶性シリケートにガリウムを
導入することにより、メソ孔を有し、かつガリウムを含
有するシリケート(固体酸触媒)を得る。ガリウムは、
シリケートの一部と置換されていてもよく、シリケート
に担持されていてもよい。この固体酸触媒は、ルイス酸
触媒、例えば、フリーデルクラフツ反応によるアシル化
又はアルキル化反応触媒として有用である。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、異性化反応、フリ
ーデルフラフツ反応、重合反応などに有用な新規な固体
酸触媒およびその調製方法に関する。
ーデルフラフツ反応、重合反応などに有用な新規な固体
酸触媒およびその調製方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、工業的に種々の酸触媒が使用され
ている。例えば、ルイス酸触媒として金属ハロゲン化物
(塩化アルミニウムなど)が一般的に使用されている。
しかし、この方法では、多量の金属ハロゲン化物を含有
する廃触媒が生成し、その廃棄又は処理が困難である。
また、金属ハロゲン化物は吸水性が激しいため、工業的
取扱い性が低い。さらに、金属ハロゲン化物は腐食性が
あるため、耐食性の高い反応装置を使用する必要があ
り、コスト高になる。さらに、触媒の分離には煩雑な作
業を必要とする。
ている。例えば、ルイス酸触媒として金属ハロゲン化物
(塩化アルミニウムなど)が一般的に使用されている。
しかし、この方法では、多量の金属ハロゲン化物を含有
する廃触媒が生成し、その廃棄又は処理が困難である。
また、金属ハロゲン化物は吸水性が激しいため、工業的
取扱い性が低い。さらに、金属ハロゲン化物は腐食性が
あるため、耐食性の高い反応装置を使用する必要があ
り、コスト高になる。さらに、触媒の分離には煩雑な作
業を必要とする。
【0003】一方、これらの課題を解決するため、固体
酸触媒、例えば、BF3 を担体(アルミナなど)に担持
した触媒や、メソ孔を有する結晶性鉄シリケートなどが
提案されている。しかし、これら固体酸触媒は活性が低
く、工業的に利用するのが困難である。
酸触媒、例えば、BF3 を担体(アルミナなど)に担持
した触媒や、メソ孔を有する結晶性鉄シリケートなどが
提案されている。しかし、これら固体酸触媒は活性が低
く、工業的に利用するのが困難である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、高活性な固体酸触媒およびその調製方法を提供する
ことにある。
は、高活性な固体酸触媒およびその調製方法を提供する
ことにある。
【0005】本発明の他の目的は、腐食性がなく、分離
回収も容易な固体酸触媒およびその調製方法を提供する
ことにある。
回収も容易な固体酸触媒およびその調製方法を提供する
ことにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を達成するため鋭意検討した結果、メソ孔を有する結晶
性シリケート系固体触媒にガリウムを導入すると、腐食
性がなく、しかも高い活性を有する固体酸触媒が得られ
ることを見いだし、本発明を完成した。
を達成するため鋭意検討した結果、メソ孔を有する結晶
性シリケート系固体触媒にガリウムを導入すると、腐食
性がなく、しかも高い活性を有する固体酸触媒が得られ
ることを見いだし、本発明を完成した。
【0007】すなわち、本発明の固体酸触媒は、メソ孔
を有し、かつガリウムを含有する結晶性シリケートで構
成されており、ガリウムは、シリケートの一部との置換
や、シリケートへの担持などにより含有させることがで
きる。このような固体酸触媒は、種々の酸触媒、例え
ば、ルイス酸触媒反応(アシル化やアルキル化のための
フリーデルクラフツ反応など)に利用できる。
を有し、かつガリウムを含有する結晶性シリケートで構
成されており、ガリウムは、シリケートの一部との置換
や、シリケートへの担持などにより含有させることがで
きる。このような固体酸触媒は、種々の酸触媒、例え
ば、ルイス酸触媒反応(アシル化やアルキル化のための
フリーデルクラフツ反応など)に利用できる。
【0008】本発明の前記固体酸触媒は、メソ孔を有
し、かつガリウムが導入された結晶性シリケートを調製
する方法において、メソ孔を形成するためのテンプレー
トとしてC8-30アルキルトリメチルアンモニウム塩を用
いることにより調製できる。
し、かつガリウムが導入された結晶性シリケートを調製
する方法において、メソ孔を形成するためのテンプレー
トとしてC8-30アルキルトリメチルアンモニウム塩を用
いることにより調製できる。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明の固体酸触媒は、細孔を有
しているとともに、ガリウムを含有する結晶性シリケー
トで形成されている。前記細孔の平均孔径は、触媒活性
を損なわない範囲、例えば、1.3〜10nm程度の範
囲から選択できる。前記細孔の平均孔径は、通常、メソ
孔の範疇に属している。
しているとともに、ガリウムを含有する結晶性シリケー
トで形成されている。前記細孔の平均孔径は、触媒活性
を損なわない範囲、例えば、1.3〜10nm程度の範
囲から選択できる。前記細孔の平均孔径は、通常、メソ
孔の範疇に属している。
【0010】細孔(特にメソ孔)を有する結晶性シリケ
ートは、例えば、細孔(特にメソ孔)が略規則的に配列
した六方細孔構造(ヘキサゴナル構造)を有するメソポ
ーラスモレキュラーシーブで構成できる。メソ孔を有す
る結晶性シリケートは「MCM−41」として知られて
いる。なお、前記平均孔径(2r)は、固体触媒の表面
積(S)と平均細孔容積(Vp)とに基づいて算出で
き、前記メソポーラスモレキュラーシーブ構造は、X線
回折により確認できる。
ートは、例えば、細孔(特にメソ孔)が略規則的に配列
した六方細孔構造(ヘキサゴナル構造)を有するメソポ
ーラスモレキュラーシーブで構成できる。メソ孔を有す
る結晶性シリケートは「MCM−41」として知られて
いる。なお、前記平均孔径(2r)は、固体触媒の表面
積(S)と平均細孔容積(Vp)とに基づいて算出で
き、前記メソポーラスモレキュラーシーブ構造は、X線
回折により確認できる。
【0011】前記固体酸触媒の表面積は、触媒活性を損
なわない広い範囲、例えば、100〜2000m2 /g
程度の範囲から選択でき、通常、200〜1500m2
/g程度、好ましくは300〜1200m2 /g(例え
ば、500〜1,000m2/g)程度である。なお、
触媒の表面積は、窒素を用いた吸着法(窒素吸着法)に
より測定できる。固体酸触媒における細孔容積は、例え
ば、0.1〜5ml/g程度、好ましくは0.2〜2.
5ml/g(例えば、0.3〜1ml/g)程度であ
る。
なわない広い範囲、例えば、100〜2000m2 /g
程度の範囲から選択でき、通常、200〜1500m2
/g程度、好ましくは300〜1200m2 /g(例え
ば、500〜1,000m2/g)程度である。なお、
触媒の表面積は、窒素を用いた吸着法(窒素吸着法)に
より測定できる。固体酸触媒における細孔容積は、例え
ば、0.1〜5ml/g程度、好ましくは0.2〜2.
5ml/g(例えば、0.3〜1ml/g)程度であ
る。
【0012】本発明の固体酸触媒は、主成分としてのシ
リケート(特に結晶性シリケート)とガリウムとを含有
している。ガリウムの含有形態は特に制限されず、例え
ば、ガリウムが前記結晶性シリケートへ担持した形態
(すなわち、ガリウム担持結晶性シリケート)、シリケ
ートの一部がガリウムで置換された形態(すなわち、結
晶性ガリウムシリケート)であってもよい。なお、シリ
ケートのケイ素がガリウムで置換されているか否かは、
EXAFS解析により、Ga2 O3 に認められるGa−
Ga結合由来のピークが消失し、Ga−O結合由来のピ
ークが観察されるか否かを基準にして判断できる。
リケート(特に結晶性シリケート)とガリウムとを含有
している。ガリウムの含有形態は特に制限されず、例え
ば、ガリウムが前記結晶性シリケートへ担持した形態
(すなわち、ガリウム担持結晶性シリケート)、シリケ
ートの一部がガリウムで置換された形態(すなわち、結
晶性ガリウムシリケート)であってもよい。なお、シリ
ケートのケイ素がガリウムで置換されているか否かは、
EXAFS解析により、Ga2 O3 に認められるGa−
Ga結合由来のピークが消失し、Ga−O結合由来のピ
ークが観察されるか否かを基準にして判断できる。
【0013】固体酸触媒において、ケイ素とガリウムと
の割合は、触媒活性を損なわない範囲、例えば、ガリウ
ム1モルに対して、ケイ素10〜120モル程度の範囲
から選択でき、通常、ガリウム1モルに対して、ケイ素
12〜120モル、好ましくは13〜50モル、さらに
好ましくは15〜40モル(例えば、15〜30モル)
程度である。ケイ素の割合が小さいと、固体酸触媒の熱
安定性が低下し、ケイ素の割合が大きいと、触媒の酸量
及び酸強度の低下に伴って、触媒活性も低下しやすい。
の割合は、触媒活性を損なわない範囲、例えば、ガリウ
ム1モルに対して、ケイ素10〜120モル程度の範囲
から選択でき、通常、ガリウム1モルに対して、ケイ素
12〜120モル、好ましくは13〜50モル、さらに
好ましくは15〜40モル(例えば、15〜30モル)
程度である。ケイ素の割合が小さいと、固体酸触媒の熱
安定性が低下し、ケイ素の割合が大きいと、触媒の酸量
及び酸強度の低下に伴って、触媒活性も低下しやすい。
【0014】本発明の固体酸触媒はルイス酸型触媒を形
成する。すなわち、固体酸にピリジンを吸着させ、赤外
吸収スペクトルを測定したとき、ルイス酸型酸点に対応
する吸収域AL と、ブレンステッド型酸点に対応する吸
収域AB との割合が、AL /AB =80/20〜100
/0(面積比)程度、好ましくは90/10〜100/
0(面積比)程度、さらに好ましくは95/5〜99/
1(面積比)程度である。ルイス酸型酸点に対応する吸
収域AL は、通常、波数1447〜1460cm-1(例
えば、1455〜1460cm-1)、特に1457cm
-1に主ピークを有する吸収域であり、ブレンステッド型
酸点に対応する吸収域AB は、通常、波数1530〜1
560cm-1(例えば、1540〜1550cm-1)、
特に1545cm-1に主ピークを有する吸収域である。
成する。すなわち、固体酸にピリジンを吸着させ、赤外
吸収スペクトルを測定したとき、ルイス酸型酸点に対応
する吸収域AL と、ブレンステッド型酸点に対応する吸
収域AB との割合が、AL /AB =80/20〜100
/0(面積比)程度、好ましくは90/10〜100/
0(面積比)程度、さらに好ましくは95/5〜99/
1(面積比)程度である。ルイス酸型酸点に対応する吸
収域AL は、通常、波数1447〜1460cm-1(例
えば、1455〜1460cm-1)、特に1457cm
-1に主ピークを有する吸収域であり、ブレンステッド型
酸点に対応する吸収域AB は、通常、波数1530〜1
560cm-1(例えば、1540〜1550cm-1)、
特に1545cm-1に主ピークを有する吸収域である。
【0015】固体酸触媒の酸量は、触媒にアンモニア
(NH3 )ガスを吸着させ、その吸着量を測定する方法
(気体塩基吸着法、NH3 −TPD)により測定でき、
例えば、0.1meq/g以上、好ましくは0.2me
q/g以上(例えば、0.2〜0.8meq/g程度)
である。なお、固体酸触媒の酸強度は、前記気体塩基吸
着法において、吸着したNH3 の脱離温度を測定するこ
とにより算出できる。
(NH3 )ガスを吸着させ、その吸着量を測定する方法
(気体塩基吸着法、NH3 −TPD)により測定でき、
例えば、0.1meq/g以上、好ましくは0.2me
q/g以上(例えば、0.2〜0.8meq/g程度)
である。なお、固体酸触媒の酸強度は、前記気体塩基吸
着法において、吸着したNH3 の脱離温度を測定するこ
とにより算出できる。
【0016】(固体酸触媒の調製方法)本発明の固体酸
触媒は、細孔(特にメソ孔)を有し、かつガリウムを結
晶性シリケートに導入することにより調製できる。この
方法において、前記細孔を形成するためのテンプレート
として、アルキルトリメチルアンモニウム塩を用いるこ
とが肝要である。すなわち、前記テンプレートを用いて
細孔を形成し、ガリウムをシリケートに導入する限り、
本発明の固体酸触媒の調製方法は特に限定されない。
触媒は、細孔(特にメソ孔)を有し、かつガリウムを結
晶性シリケートに導入することにより調製できる。この
方法において、前記細孔を形成するためのテンプレート
として、アルキルトリメチルアンモニウム塩を用いるこ
とが肝要である。すなわち、前記テンプレートを用いて
細孔を形成し、ガリウムをシリケートに導入する限り、
本発明の固体酸触媒の調製方法は特に限定されない。
【0017】具体的な固体酸触媒の調製方法としては、
(1)テンプレートの存在下、シリカ成分とガリウム成
分とを加熱処理することにより、ガリウムが導入され、
かつ細孔を有する結晶性シリケート(結晶性ガリウムシ
リケート)を得る方法、(2)前記テンプレートを用い
て調製された細孔を有する結晶性シリケートへ、ガリウ
ム成分を担持させることにより、ガリウムが導入された
結晶性シリケート(ガリウム担持結晶性シリケート)を
得る方法などが例示できる。
(1)テンプレートの存在下、シリカ成分とガリウム成
分とを加熱処理することにより、ガリウムが導入され、
かつ細孔を有する結晶性シリケート(結晶性ガリウムシ
リケート)を得る方法、(2)前記テンプレートを用い
て調製された細孔を有する結晶性シリケートへ、ガリウ
ム成分を担持させることにより、ガリウムが導入された
結晶性シリケート(ガリウム担持結晶性シリケート)を
得る方法などが例示できる。
【0018】前記方法(1)において、固体酸触媒は、
通常、前記テンプレートを用い、水性溶媒系でシリカ成
分とガリウム成分とを加熱処理する水熱合成法を利用し
て行うことができ、この反応は常圧又は加圧下で行うこ
とができる。
通常、前記テンプレートを用い、水性溶媒系でシリカ成
分とガリウム成分とを加熱処理する水熱合成法を利用し
て行うことができ、この反応は常圧又は加圧下で行うこ
とができる。
【0019】シリカ成分としては、結晶性シリケートを
形成可能な種々のケイ素含有化合物、例えば、シリカア
ルコキシド(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラブトキシシラン、トリメトキシメチルシラ
ンなど)、ケイ酸塩(ケイ酸ソーダなど)、シリカゾ
ル、コロイダルシリカなどが挙げられる。好ましいシリ
カ成分は、結晶性シリケート、例えば、コロイダルシリ
カが挙げられる。
形成可能な種々のケイ素含有化合物、例えば、シリカア
ルコキシド(テトラメトキシシラン、テトラエトキシシ
ラン、テトラブトキシシラン、トリメトキシメチルシラ
ンなど)、ケイ酸塩(ケイ酸ソーダなど)、シリカゾ
ル、コロイダルシリカなどが挙げられる。好ましいシリ
カ成分は、結晶性シリケート、例えば、コロイダルシリ
カが挙げられる。
【0020】ガリウム成分としては、通常、水溶性ガリ
ウム化合物が使用され、例えば、ガリウムと無機酸との
塩(硝酸ガリウム(Ga(NO3 )3 など)が挙げられ
る。ガリウム化合物としては、通常、原子価1〜3(特
に原子価3)のガリウム化合物が使用される。なお、シ
リカ成分に対するガリウム成分の使用量は、固体酸触媒
におけるケイ素とガリウムとの割合に対応させて選択で
きる。
ウム化合物が使用され、例えば、ガリウムと無機酸との
塩(硝酸ガリウム(Ga(NO3 )3 など)が挙げられ
る。ガリウム化合物としては、通常、原子価1〜3(特
に原子価3)のガリウム化合物が使用される。なお、シ
リカ成分に対するガリウム成分の使用量は、固体酸触媒
におけるケイ素とガリウムとの割合に対応させて選択で
きる。
【0021】本発明で用いるアルキルトリメチルアンモ
ニウム塩は、炭素数8〜30の高級(又は長鎖)アルキ
ル基と3個のメチル基とを有している。高級アルキル基
の炭素数により、固体酸触媒の平均孔径を調整できる。
高級アルキル基としてのC8- 30アルキル基は直鎖又は分
岐鎖アルキル基であってもよく、例えば、オクチル基、
デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル
基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、イコシル基、ド
コシル基などが例示できる。好ましい高級アルキル基に
はC10-25 アルキル基(例えば、C10-20アルキル
基)、特にC12-18アルキル基(例えば、C12-16アルキ
ル基)が含まれる。
ニウム塩は、炭素数8〜30の高級(又は長鎖)アルキ
ル基と3個のメチル基とを有している。高級アルキル基
の炭素数により、固体酸触媒の平均孔径を調整できる。
高級アルキル基としてのC8- 30アルキル基は直鎖又は分
岐鎖アルキル基であってもよく、例えば、オクチル基、
デシル基、ドデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル
基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、イコシル基、ド
コシル基などが例示できる。好ましい高級アルキル基に
はC10-25 アルキル基(例えば、C10-20アルキル
基)、特にC12-18アルキル基(例えば、C12-16アルキ
ル基)が含まれる。
【0022】アルキルトリメチルアンモニウム塩として
は、例えば、ハロゲンイオンとの塩(塩素イオン、臭素
イオンなどとの塩)などが挙げられる。これらのC8-30
アルキルトリメチルアンモニウム塩は単独で又は二種以
上組み合わせて使用できる。
は、例えば、ハロゲンイオンとの塩(塩素イオン、臭素
イオンなどとの塩)などが挙げられる。これらのC8-30
アルキルトリメチルアンモニウム塩は単独で又は二種以
上組み合わせて使用できる。
【0023】水性溶媒としては、通常、水が使用され、
必要に応じて水と相溶性のある親水性又は水溶性溶媒
(アルコール類、ケトン類、エーテル類、カルボン酸類
など、特にメタノールなどのアルコール類)を併用して
もよい。これら溶媒は、一種又は二種以上組み合わせて
使用できる。
必要に応じて水と相溶性のある親水性又は水溶性溶媒
(アルコール類、ケトン類、エーテル類、カルボン酸類
など、特にメタノールなどのアルコール類)を併用して
もよい。これら溶媒は、一種又は二種以上組み合わせて
使用できる。
【0024】シリカ成分とガリウム成分との水熱合成温
度は、例えば、60〜300℃程度、好ましくは80〜
200℃(例えば、80〜120℃)程度である。圧力
は、前記加熱温度に対応して適宜選択でき、通常、例え
ば、1〜10気圧程度、好ましくは1〜5気圧程度の範
囲から適当に選択できる。加熱時間は、反応温度に応じ
て、例えば、1時間〜30日程度、好ましくは5時間〜
10日程度の範囲から選択できる。反応は、撹拌下又は
非撹拌下で行うことができる。
度は、例えば、60〜300℃程度、好ましくは80〜
200℃(例えば、80〜120℃)程度である。圧力
は、前記加熱温度に対応して適宜選択でき、通常、例え
ば、1〜10気圧程度、好ましくは1〜5気圧程度の範
囲から適当に選択できる。加熱時間は、反応温度に応じ
て、例えば、1時間〜30日程度、好ましくは5時間〜
10日程度の範囲から選択できる。反応は、撹拌下又は
非撹拌下で行うことができる。
【0025】反応過程において、必要に応じて、反応系
のpHを、例えば、8〜12程度(好ましくは10〜1
2程度)に調整してもよい。pHの調整は、例えば、加
熱過程で、酸又はアルカリ溶液(特に酸溶液、例えば酢
酸溶液)を連続的又は間欠的に添加することにより行う
ことができる。
のpHを、例えば、8〜12程度(好ましくは10〜1
2程度)に調整してもよい。pHの調整は、例えば、加
熱過程で、酸又はアルカリ溶液(特に酸溶液、例えば酢
酸溶液)を連続的又は間欠的に添加することにより行う
ことができる。
【0026】このようにして、テンプレート剤としての
アルキルトリメチルアンモニウム塩(特に、C8-30アル
キルトリメチルアンモニウム塩)の存在下、シリカ成分
とガリウム成分とを加熱することにより、ガリウム含有
シリケート(特に結晶性ガリウムシリケート)を得るこ
とができる。生成したガリウム含有シリケートは、慣用
の精製工程(洗浄、乾燥など)に供し、不純物(塩成
分、水など)を除去してもよい。例えば、ガリウム含有
シリケートを水洗することにより、塩成分(ハロゲンイ
オンなど)などの水溶性不純物を除去できる。
アルキルトリメチルアンモニウム塩(特に、C8-30アル
キルトリメチルアンモニウム塩)の存在下、シリカ成分
とガリウム成分とを加熱することにより、ガリウム含有
シリケート(特に結晶性ガリウムシリケート)を得るこ
とができる。生成したガリウム含有シリケートは、慣用
の精製工程(洗浄、乾燥など)に供し、不純物(塩成
分、水など)を除去してもよい。例えば、ガリウム含有
シリケートを水洗することにより、塩成分(ハロゲンイ
オンなど)などの水溶性不純物を除去できる。
【0027】さらに、空気などの酸素含有雰囲気下、適
当な温度、例えば、300〜700℃程度(例えば、4
00〜600℃程度)で結晶性ガリウムシリケートを焼
成することにより、テンプレート剤などの有機成分を除
去できる。
当な温度、例えば、300〜700℃程度(例えば、4
00〜600℃程度)で結晶性ガリウムシリケートを焼
成することにより、テンプレート剤などの有機成分を除
去できる。
【0028】精製したガリウム含有シリケート(結晶性
又は結晶質ガリウムシリケート)は、さらにシリカ成分
由来のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を、アンモニ
ウムイオンにイオン交換してもよい。アンモニウムイオ
ンにイオン交換した後、焼成することにより、触媒を高
度に活性化できる。イオン交換は、通常、アンモニア又
はアンモニウム塩含有水溶液(硝酸アンモニウム水溶
液、硫酸アンモニウム水溶液、塩化アンモニウム水溶
液、臭化アンモニウム水溶液など)に、ガリウム含有シ
リケートを浸漬し、撹拌又は静置することにより行うこ
とができる。焼成は、例えば、適当な雰囲気(例えば、
酸素含有雰囲気又は不活性ガス雰囲気)下、300〜7
00℃程度、好ましくは400〜600℃程度で行うこ
とができる。
又は結晶質ガリウムシリケート)は、さらにシリカ成分
由来のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を、アンモニ
ウムイオンにイオン交換してもよい。アンモニウムイオ
ンにイオン交換した後、焼成することにより、触媒を高
度に活性化できる。イオン交換は、通常、アンモニア又
はアンモニウム塩含有水溶液(硝酸アンモニウム水溶
液、硫酸アンモニウム水溶液、塩化アンモニウム水溶
液、臭化アンモニウム水溶液など)に、ガリウム含有シ
リケートを浸漬し、撹拌又は静置することにより行うこ
とができる。焼成は、例えば、適当な雰囲気(例えば、
酸素含有雰囲気又は不活性ガス雰囲気)下、300〜7
00℃程度、好ましくは400〜600℃程度で行うこ
とができる。
【0029】また、前記方法(2)において、ガリウム
成分の担持又は沈着は、慣用の方法、例えば、(2a)
ガリウム化合物を含む水性溶媒にシリケート(通常、粉
粒状の形態)を浸漬する方法、(2b)シリケート(通
常、粉粒状の形態)に、水溶性ガリウム化合物を含有す
る水性溶媒を散布する方法、(2c)シリケートとガリ
ウム成分とを含む混合液に酸又はアルカリを添加してガ
リウム成分をシリケートに沈着する方法などが例示でき
る。なお、シリケートとしては、前記テンプレートを用
いて調製された細孔を有する結晶性シリケートが使用で
きる。ガリウム担持結晶性シリケートは、前記ガリウム
成分が担持されたシリケートを、必要により洗浄・乾燥
し、上記と同様にして焼成することにより調製できる。
成分の担持又は沈着は、慣用の方法、例えば、(2a)
ガリウム化合物を含む水性溶媒にシリケート(通常、粉
粒状の形態)を浸漬する方法、(2b)シリケート(通
常、粉粒状の形態)に、水溶性ガリウム化合物を含有す
る水性溶媒を散布する方法、(2c)シリケートとガリ
ウム成分とを含む混合液に酸又はアルカリを添加してガ
リウム成分をシリケートに沈着する方法などが例示でき
る。なお、シリケートとしては、前記テンプレートを用
いて調製された細孔を有する結晶性シリケートが使用で
きる。ガリウム担持結晶性シリケートは、前記ガリウム
成分が担持されたシリケートを、必要により洗浄・乾燥
し、上記と同様にして焼成することにより調製できる。
【0030】本発明の固体酸触媒の形態は特に制限され
ず、例えば、粉粒状、ペレット状、フレーク状、ロッド
状、フレーク状、錠剤状、ハニカム状などであってもよ
い。また、固体酸触媒は、加圧成形、押し出し成形など
の成形法により所定形状の形成した成形体であってもよ
い。
ず、例えば、粉粒状、ペレット状、フレーク状、ロッド
状、フレーク状、錠剤状、ハニカム状などであってもよ
い。また、固体酸触媒は、加圧成形、押し出し成形など
の成形法により所定形状の形成した成形体であってもよ
い。
【0031】このようにして得られた本発明の固体酸触
媒は、触媒活性が高く、しかも腐食性を大きく低減でき
る。また、触媒の形態が固体であるため、反応混合物か
らの分離回収も容易である。そのため、触媒量を低減し
たり、反応温度を低くしても、高い収率で目的化合物を
工業的に有利に製造できる。
媒は、触媒活性が高く、しかも腐食性を大きく低減でき
る。また、触媒の形態が固体であるため、反応混合物か
らの分離回収も容易である。そのため、触媒量を低減し
たり、反応温度を低くしても、高い収率で目的化合物を
工業的に有利に製造できる。
【0032】本発明の固体酸触媒は、種々の酸触媒反応
(特にルイス酸触媒反応)、例えば、フリーデルクラフ
ツ反応(フリーデルクラフツ反応を利用したアシル化反
応、アルキル化反応など)、エステル化反応(カルボン
酸又はその反応性誘導体とアルコールとのエステル化反
応など)、異性化反応(直鎖炭化水素から分岐鎖炭化水
素への異性化反応など)、アセタール化反応、重合反応
(エチレン、プロピレンなどのビニル化合物、ジエン類
などの重合)などにおける触媒として有用である。ま
た、本発明の固体酸触媒は、液相又は気相系のいずれの
反応系にも利用できる。
(特にルイス酸触媒反応)、例えば、フリーデルクラフ
ツ反応(フリーデルクラフツ反応を利用したアシル化反
応、アルキル化反応など)、エステル化反応(カルボン
酸又はその反応性誘導体とアルコールとのエステル化反
応など)、異性化反応(直鎖炭化水素から分岐鎖炭化水
素への異性化反応など)、アセタール化反応、重合反応
(エチレン、プロピレンなどのビニル化合物、ジエン類
などの重合)などにおける触媒として有用である。ま
た、本発明の固体酸触媒は、液相又は気相系のいずれの
反応系にも利用できる。
【0033】なお、本発明の固体酸触媒を用いる反応は
慣用の方法で行うことができる。例えば、フリーデルク
ラフツ反応によるアシル化反応は、反応体[例えば、芳
香族性化合物(ベンゼン、トルエン、ナフタレンなどの
炭化水素)]をアシル化剤(代表的には、カルボン酸ハ
ライド、カルボン酸無水物など)によりアシル化するこ
とにより行うことができる。このアシル化反応におい
て、本発明の固体酸触媒を用いると、高い触媒活性を有
しているため、少ない触媒量であっても、比較的穏和な
条件(例えば、反応温度が10〜80℃、好ましくは2
0〜60℃程度)で反応させることができる。また、フ
リーデルクラフツ反応を利用したアルキル化反応におい
ても、前記アシル化剤に代えてアルキル化剤(アルキル
ハライド、アルケン、アルキン、アルコール、エーテ
ル、エステルなど)を用いることにより、効率的に芳香
族性化合物をアルキル化できる。
慣用の方法で行うことができる。例えば、フリーデルク
ラフツ反応によるアシル化反応は、反応体[例えば、芳
香族性化合物(ベンゼン、トルエン、ナフタレンなどの
炭化水素)]をアシル化剤(代表的には、カルボン酸ハ
ライド、カルボン酸無水物など)によりアシル化するこ
とにより行うことができる。このアシル化反応におい
て、本発明の固体酸触媒を用いると、高い触媒活性を有
しているため、少ない触媒量であっても、比較的穏和な
条件(例えば、反応温度が10〜80℃、好ましくは2
0〜60℃程度)で反応させることができる。また、フ
リーデルクラフツ反応を利用したアルキル化反応におい
ても、前記アシル化剤に代えてアルキル化剤(アルキル
ハライド、アルケン、アルキン、アルコール、エーテ
ル、エステルなど)を用いることにより、効率的に芳香
族性化合物をアルキル化できる。
【0034】
【発明の効果】本発明では、固体酸触媒が、細孔を有す
るガリウム含有結晶性シリケートで構成されているた
め、固体酸触媒に高い触媒活性を付与できる。また、ハ
ロゲン化物を実質的に含有していないため、腐食性が殆
どなく、反応混合物からの分離回収も容易である。
るガリウム含有結晶性シリケートで構成されているた
め、固体酸触媒に高い触媒活性を付与できる。また、ハ
ロゲン化物を実質的に含有していないため、腐食性が殆
どなく、反応混合物からの分離回収も容易である。
【0035】
【実施例】以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定さ
れるものではない。
【0036】実施例1 (触媒調製)テトラデシルトリメチルアンモニウムブロ
ミド(テンプレート剤)13.1gと、コロイダルシリ
カ(Ludox−40、デュポン社製、シリカ含有量:
40重量%、)33gと、硝酸ガリウム3.0gとを含
有する水溶液220gを500mlのポリプロピレン製
ボトルに加え、オートクレーブ中、100℃で5日間静
置し、水熱合成反応を行った。反応系には、pHを約1
1に維持するため、5規定の酢酸水溶液を24時間毎に
添加した。反応終了後、冷却し、オートクレープから反
応混合物を取り出し、残留ブロムイオンが無くなるまで
反応混合物を水洗し、130℃で乾燥した。得られた結
晶性生成物を、空気中、500℃で焼成することによ
り、残留テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド
を除去した。焼成により得られた粉末結晶1gを0.5
規定の硝酸アンモニウム水溶液100mlに浸漬し、室
温(約20℃)で24時間浸漬してイオン交換処理し
た。水洗後、粉末結晶を100℃で乾燥した。さらに、
空気中、450℃で5時間焼成することによりメソ孔を
有する結晶性ガリウムシリケートを得た。
ミド(テンプレート剤)13.1gと、コロイダルシリ
カ(Ludox−40、デュポン社製、シリカ含有量:
40重量%、)33gと、硝酸ガリウム3.0gとを含
有する水溶液220gを500mlのポリプロピレン製
ボトルに加え、オートクレーブ中、100℃で5日間静
置し、水熱合成反応を行った。反応系には、pHを約1
1に維持するため、5規定の酢酸水溶液を24時間毎に
添加した。反応終了後、冷却し、オートクレープから反
応混合物を取り出し、残留ブロムイオンが無くなるまで
反応混合物を水洗し、130℃で乾燥した。得られた結
晶性生成物を、空気中、500℃で焼成することによ
り、残留テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミド
を除去した。焼成により得られた粉末結晶1gを0.5
規定の硝酸アンモニウム水溶液100mlに浸漬し、室
温(約20℃)で24時間浸漬してイオン交換処理し
た。水洗後、粉末結晶を100℃で乾燥した。さらに、
空気中、450℃で5時間焼成することによりメソ孔を
有する結晶性ガリウムシリケートを得た。
【0037】メソ孔を有する結晶性ガリウムシリケート
の構造を、X線回析により確認したところ、2.45
°,4.49°,4.94°に解析ピークが見られ、ヘ
キサゴナル構造の規則性を有することが確認できた。ま
た、窒素吸着法による固体酸触媒の表面積は864m2
/g、細孔容積0.57ml/gであり、細孔は、平均
孔径(平均細孔径)2.4nmのメソ孔であった。
の構造を、X線回析により確認したところ、2.45
°,4.49°,4.94°に解析ピークが見られ、ヘ
キサゴナル構造の規則性を有することが確認できた。ま
た、窒素吸着法による固体酸触媒の表面積は864m2
/g、細孔容積0.57ml/gであり、細孔は、平均
孔径(平均細孔径)2.4nmのメソ孔であった。
【0038】また、固体酸触媒のEXAFS解析におい
て、Ga−Ga結合由来のピークが存在せず、Ga−O
結合由来のピークのみが観察され、ガリウムがシリカの
ネットワークに取り込まれていることが確認できた。な
お、各結合ピークの位置は、Ga2 O3 のピーク位置を
基準にして定めた。
て、Ga−Ga結合由来のピークが存在せず、Ga−O
結合由来のピークのみが観察され、ガリウムがシリカの
ネットワークに取り込まれていることが確認できた。な
お、各結合ピークの位置は、Ga2 O3 のピーク位置を
基準にして定めた。
【0039】さらに、酸点の種類を同定するとともに酸
点の割合を調べるため、室温で固体酸触媒にピリジンを
吸着させた後、100℃で真空脱気して物理吸着したピ
リジンを除去し、赤外吸収スペクトル(IR)を測定し
た。すなわち、ルイス酸型酸点に吸着したピリジニウム
イオンの吸収ピーク(1545cm-1)と、ブレンステ
ッド酸型酸点に吸着したピリジニウムイオンの吸収ピー
ク(1457cm-1)との面積比を算出した。この結
果、ルイス酸型酸点とブレンステッド型酸点との割合
は、97/3(面積比)であった。また、NH3 −TP
D法により測定した固体酸触媒の酸量は、0.51me
g/gであった。
点の割合を調べるため、室温で固体酸触媒にピリジンを
吸着させた後、100℃で真空脱気して物理吸着したピ
リジンを除去し、赤外吸収スペクトル(IR)を測定し
た。すなわち、ルイス酸型酸点に吸着したピリジニウム
イオンの吸収ピーク(1545cm-1)と、ブレンステ
ッド酸型酸点に吸着したピリジニウムイオンの吸収ピー
ク(1457cm-1)との面積比を算出した。この結
果、ルイス酸型酸点とブレンステッド型酸点との割合
は、97/3(面積比)であった。また、NH3 −TP
D法により測定した固体酸触媒の酸量は、0.51me
g/gであった。
【0040】(フリーデルクラフツ反応によるアルキル
化)攪拌器付きの50mlのフラスコ中、ベンゼン7.
8g(100mmol)と、塩化ベンジル668mg
(5mmol)と、固体酸触媒30mgとを、窒素気流
下、40℃で2時間攪拌することにより反応させた。生
成したジフェニルメタンの生成量を、ガスクロマトグラ
フィーにより測定したところ、ジフェニルメタンが44
モル%で生成していた。
化)攪拌器付きの50mlのフラスコ中、ベンゼン7.
8g(100mmol)と、塩化ベンジル668mg
(5mmol)と、固体酸触媒30mgとを、窒素気流
下、40℃で2時間攪拌することにより反応させた。生
成したジフェニルメタンの生成量を、ガスクロマトグラ
フィーにより測定したところ、ジフェニルメタンが44
モル%で生成していた。
【0041】比較例1〜3 硝酸ガリウムを使用しない以外は、実施例1と同様にし
てメソ孔を有する結晶性シリケートを得た(比較例
1)。また、硝酸ガリウムに代えて、硝酸アルミニウム
又は硝酸鉄を用いる以外は、実施例1と同様にして、メ
ソ孔を有する結晶性アルミノシリケート(比較例2)、
メソ孔を有する結晶性鉄シリケートを得た(比較例
3)。
てメソ孔を有する結晶性シリケートを得た(比較例
1)。また、硝酸ガリウムに代えて、硝酸アルミニウム
又は硝酸鉄を用いる以外は、実施例1と同様にして、メ
ソ孔を有する結晶性アルミノシリケート(比較例2)、
メソ孔を有する結晶性鉄シリケートを得た(比較例
3)。
【0042】得られた結晶性シリケート、結晶性アルミ
ノシリケート、又は結晶性鉄シリケートを、実施例1の
フリーデルクラフツ反応によるアルキル化反応に用いた
ところ、いずれも反応は全く進行しなかった。
ノシリケート、又は結晶性鉄シリケートを、実施例1の
フリーデルクラフツ反応によるアルキル化反応に用いた
ところ、いずれも反応は全く進行しなかった。
【0043】実施例2〜6 硝酸ガリウムの使用量を調整する以外は、実施例1と同
様にして、ガリウムの含有量が異なる結晶性ガリウムシ
リケート(Si/Ga=14〜63モル%)を調製し
た。得られた固体酸触媒のガリウムの含有量及び触媒活
性(ジフェニルメタンの収率)を表1に示す。
様にして、ガリウムの含有量が異なる結晶性ガリウムシ
リケート(Si/Ga=14〜63モル%)を調製し
た。得られた固体酸触媒のガリウムの含有量及び触媒活
性(ジフェニルメタンの収率)を表1に示す。
【0044】
【表1】
【0045】実施例7及び8 比較例1で得られたメソ孔を有する結晶性シリケート1
gを、0.3重量%の硝酸ガリウムのメタノール溶液に
含浸させた。含浸後、100℃で乾燥し、500℃で焼
成することによりガリウムの担持量が異なる固体酸触媒
(ガリウム担持量3.1重量%、5.9重量%)を調製
した。得られた固体酸触媒のガリウムの含有量と触媒活
性(ジフェニルメタンの収率)を表2に示す。
gを、0.3重量%の硝酸ガリウムのメタノール溶液に
含浸させた。含浸後、100℃で乾燥し、500℃で焼
成することによりガリウムの担持量が異なる固体酸触媒
(ガリウム担持量3.1重量%、5.9重量%)を調製
した。得られた固体酸触媒のガリウムの含有量と触媒活
性(ジフェニルメタンの収率)を表2に示す。
【0046】
【表2】
【0047】比較例4 結晶性シリケートに代えて非晶質シリカを用いる以外は
実施例7と同様にして、ガリウム担持非晶質シリケート
を調製した。フリーデルクラフツ反応によるアルキル化
反応に用いたところ、ジフェニルメタン収率0.1モル
%であった。
実施例7と同様にして、ガリウム担持非晶質シリケート
を調製した。フリーデルクラフツ反応によるアルキル化
反応に用いたところ、ジフェニルメタン収率0.1モル
%であった。
【0048】実施例9〜11 テンプレート剤として、アルキル基の炭素数が異なるア
ルキルトリメチルアンモニウムブロミドを用いる以外
は、実施例8と同様にして固体酸触媒(結晶性ガリウム
シリケート)を調製した。なお、テンプレート剤とし
て、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド(実
施例9)、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミ
ド(実施例10)、又はデシルトリメチルアンモニウム
ブロミド(実施例11)を用いた。
ルキルトリメチルアンモニウムブロミドを用いる以外
は、実施例8と同様にして固体酸触媒(結晶性ガリウム
シリケート)を調製した。なお、テンプレート剤とし
て、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロミド(実
施例9)、テトラデシルトリメチルアンモニウムブロミ
ド(実施例10)、又はデシルトリメチルアンモニウム
ブロミド(実施例11)を用いた。
【0049】上記テンプレート剤のアルキル基の炭素数
と、得られた結晶性ガリウムシリケートの触媒活性(ジ
フェニルメタンの収率)を表3に示す。
と、得られた結晶性ガリウムシリケートの触媒活性(ジ
フェニルメタンの収率)を表3に示す。
【0050】
【表3】
【0051】実施例12及び比較例5 (フリーデルクラフツ反応によるアシル化)実施例1で
得られた結晶性ガリウムシリケートと、比較例3で得た
結晶性鉄シリケート触媒とを用い、2−メトキシナフタ
レンのアセチル化を行った。すなわち、攪拌器付きの5
0mlのフラスコに、反応溶媒のニトロベンゼン7.1
7gと2−メトキシナフタレン5mmol(790m
g)、アセチルクロライド1.2mmol(94m
g)、固体酸触媒80mgを仕込み、窒素気流下、反応
温度40℃で12時間反応を行ない、アセチル化メトキ
シナフタレン(アセチル化物)の収率と、メトキシナフ
タレンの1−位、6−位、8−位にアセチル基が置換し
たアセチルメトキシナフタレンの選択率をガスクロマト
グラフィにより測定したところ、下記の結果を得た。
得られた結晶性ガリウムシリケートと、比較例3で得た
結晶性鉄シリケート触媒とを用い、2−メトキシナフタ
レンのアセチル化を行った。すなわち、攪拌器付きの5
0mlのフラスコに、反応溶媒のニトロベンゼン7.1
7gと2−メトキシナフタレン5mmol(790m
g)、アセチルクロライド1.2mmol(94m
g)、固体酸触媒80mgを仕込み、窒素気流下、反応
温度40℃で12時間反応を行ない、アセチル化メトキ
シナフタレン(アセチル化物)の収率と、メトキシナフ
タレンの1−位、6−位、8−位にアセチル基が置換し
たアセチルメトキシナフタレンの選択率をガスクロマト
グラフィにより測定したところ、下記の結果を得た。
【0052】実施例12:実施例1の固体酸触媒を使用 アセチル化物の収率55モル% アセチル化物の生成比率: 1位アセチル化物の生成比率40% 6位アセチル化物の生成比率47% 8位アセチル化物の生成比率13% 比較例5:比較例3の固体酸触媒を使用 アセチル化物の収率33モル% アセチル化物の生成比率: 1位アセチル化物の生成比率66% 6位アセチル化物の生成比率19% 8位アセチル化物の生成比率15%
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 Fターム(参考) 4G069 AA08 AA11 BA07A BA07B BA44A BA45A BB10B BC17A BC17B BD06A BD06B BD13B BE17A BE17B BE33B CB59 CB61 CB62 DA05 EC14Y ZA37A ZA37B ZB08 ZC07 4H006 AC24 AC44 BA09 BA33 BA55 BA64 BA67 BA68 4H039 CA41 CA62 CD10 CD20
Claims (6)
- 【請求項1】 メソ孔を有し、かつガリウムを含有する
結晶性シリケートで構成されている固体酸触媒。 - 【請求項2】 シリケートの一部との置換又はシリケー
トへの担持によりガリウムが含有されている請求項1記
載の固体酸触媒。 - 【請求項3】 ルイス酸触媒である請求項1記載の固体
酸触媒。 - 【請求項4】 フリーデルクラフツ反応用触媒である請
求項1記載の固体酸触媒。 - 【請求項5】 フリーデルクラフツ反応によるアシル化
又はアルキル化反応用触媒である請求項1記載の固体酸
触媒。 - 【請求項6】 メソ孔を有し、かつガリウムを導入した
結晶性シリケートで構成された固体酸触媒を調製する方
法であって、メソ孔を形成するためのテンプレートとし
てC8-30アルキルトリメチルアンモニウム塩を用いる固
体酸触媒の調製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062368A JP2000254512A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体酸触媒及びその調製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11062368A JP2000254512A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体酸触媒及びその調製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000254512A true JP2000254512A (ja) | 2000-09-19 |
Family
ID=13198118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11062368A Pending JP2000254512A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 固体酸触媒及びその調製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000254512A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515584A (ja) * | 2002-12-06 | 2006-06-01 | エービービー ルマス グローバル インコーポレイテッド | 活性金属を有するメソ孔物質 |
| CN108130589A (zh) * | 2016-12-01 | 2018-06-08 | 北京理工大学 | 一种制备单晶可控的水热法 |
| CN110624598A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-31 | 西安石油大学 | 一种金属/酸性双功能催化剂的制备及其对2,4/2,5-混合二甲酚的分离方法 |
| CN115341050A (zh) * | 2022-07-17 | 2022-11-15 | 浙江晟格生物科技有限公司 | 一种乳果糖制备方法 |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP11062368A patent/JP2000254512A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006515584A (ja) * | 2002-12-06 | 2006-06-01 | エービービー ルマス グローバル インコーポレイテッド | 活性金属を有するメソ孔物質 |
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| CN110624598A (zh) * | 2019-09-29 | 2019-12-31 | 西安石油大学 | 一种金属/酸性双功能催化剂的制备及其对2,4/2,5-混合二甲酚的分离方法 |
| CN115341050A (zh) * | 2022-07-17 | 2022-11-15 | 浙江晟格生物科技有限公司 | 一种乳果糖制备方法 |
| CN115341050B (zh) * | 2022-07-17 | 2023-07-28 | 浙江晟格生物科技有限公司 | 一种乳果糖制备方法 |
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