JP2000263693A - 可撓性回路における微小亀裂防止のための銅による表面処理 - Google Patents
可撓性回路における微小亀裂防止のための銅による表面処理Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 可撓性回路は使用中に曲げおよび伸ばし得
る。従って、電気的特性を維持するために、可撓性回路
が高度の構造的な保全性を有することが所望される。構
造的保全は、電気的不良を導く可撓性の回路の曲げおよ
び伸ばしによって引き起こされる機械的な疲労に対する
耐性を提供する。電気的特性を改善した可撓性回路が望
まれる。特性を導入するために改善された曲げを有する
可撓性回路も望まれる。この関連で、高サイクル、低歪
み疲労および低サイクル、高歪み疲労の両方に対する耐
性を有する可撓性回路も望まれる。 【解決手段】 第一の可撓性ポリマーフィルム；少なく
とも片側に微小亀裂防止層を有する銅層であって、この
微小亀裂防止層は、可撓性積層体の、約１８μｍまでの
厚さを有する銅層において少なくとも５０，０００，０
００の曲げサイクルの間、および／または約３５μｍま
での厚さを有する銅層において少なくとも２０，００
０，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂を防止するの
に十分である、銅層；ならびに第二の可撓性ポリマーフ
ィルム、を包含する、可撓性積層体。
る。従って、電気的特性を維持するために、可撓性回路
が高度の構造的な保全性を有することが所望される。構
造的保全は、電気的不良を導く可撓性の回路の曲げおよ
び伸ばしによって引き起こされる機械的な疲労に対する
耐性を提供する。電気的特性を改善した可撓性回路が望
まれる。特性を導入するために改善された曲げを有する
可撓性回路も望まれる。この関連で、高サイクル、低歪
み疲労および低サイクル、高歪み疲労の両方に対する耐
性を有する可撓性回路も望まれる。 【解決手段】 第一の可撓性ポリマーフィルム；少なく
とも片側に微小亀裂防止層を有する銅層であって、この
微小亀裂防止層は、可撓性積層体の、約１８μｍまでの
厚さを有する銅層において少なくとも５０，０００，０
００の曲げサイクルの間、および／または約３５μｍま
での厚さを有する銅層において少なくとも２０，００
０，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂を防止するの
に十分である、銅層；ならびに第二の可撓性ポリマーフ
ィルム、を包含する、可撓性積層体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一般に、機械的疲労
に対する改良された耐性を有する可撓性回路、およびこ
の改良された可撓性回路の作製方法に関する。特に、本
発明は、可撓性回路の銅箔層において微小亀裂の伝播を
防止、最小化、および／または遅延するための可撓性回
路の銅層の処理に関する。
に対する改良された耐性を有する可撓性回路、およびこ
の改良された可撓性回路の作製方法に関する。特に、本
発明は、可撓性回路の銅箔層において微小亀裂の伝播を
防止、最小化、および／または遅延するための可撓性回
路の銅層の処理に関する。
【０００２】
【従来の技術】可撓性回路は、エレクトロニクス産業に
おいて、広範な可撓性相互接続製品（例えばフレキシブ
ル回路基板およびフレックスリジッド回路基板）の製造
のための基本材料として使用される。フレックス回路基
板およびフレックスリジッド回路基板は、ノートブック
型コンピュータ、プリンター、およびディスクドライ
ブ、ならびに多くの医療装置および消費者製品において
使用される。可撓性回路はまた、特定の高度な適用（例
えば、チップオンフレックスおよびファインライン回路
基板）のために使用される。エレクトロニクス産業で
は、より薄く、より軽く、可撓性のおよびより機能的な
製品へと移行しており、可撓性回路に対する需要は増加
し続けている。
おいて、広範な可撓性相互接続製品（例えばフレキシブ
ル回路基板およびフレックスリジッド回路基板）の製造
のための基本材料として使用される。フレックス回路基
板およびフレックスリジッド回路基板は、ノートブック
型コンピュータ、プリンター、およびディスクドライ
ブ、ならびに多くの医療装置および消費者製品において
使用される。可撓性回路はまた、特定の高度な適用（例
えば、チップオンフレックスおよびファインライン回路
基板）のために使用される。エレクトロニクス産業で
は、より薄く、より軽く、可撓性のおよびより機能的な
製品へと移行しており、可撓性回路に対する需要は増加
し続けている。
【０００３】可撓性回路は従来、２つの有機ポリマー層
の間に挟まれた１つの銅層（銅導体）からなる。特に、
銅箔は基板に結合され、パターン形成され、そしてカバ
ー層が銅箔の上に適用される。この名前が暗示するよう
に、可撓性回路は使用中に曲げおよび伸ばし得る。従っ
て、電気的特性を維持するために、可撓性回路が高度の
構造的な保全性を有することが所望される。構造的保全
は、電気的不良を導く可撓性の回路の曲げおよび伸ばし
によって引き起こされる機械的な疲労に対する耐性を提
供する。
の間に挟まれた１つの銅層（銅導体）からなる。特に、
銅箔は基板に結合され、パターン形成され、そしてカバ
ー層が銅箔の上に適用される。この名前が暗示するよう
に、可撓性回路は使用中に曲げおよび伸ばし得る。従っ
て、電気的特性を維持するために、可撓性回路が高度の
構造的な保全性を有することが所望される。構造的保全
は、電気的不良を導く可撓性の回路の曲げおよび伸ばし
によって引き起こされる機械的な疲労に対する耐性を提
供する。
【０００４】可撓性回路における機械的な疲労の初期の
徴候は、銅箔層の表面での微視的な亀裂の発生および伝
播によって特徴づけられる。微視的な亀裂は銅箔の厚み
の中へかまたは幅を横切って拡がり得る。可撓性回路が
使用されるとき、微視的な亀裂は最終的に、銅箔の厚さ
を横切り得るかまたは測定に導き得るような目立つ大き
さの亀裂となり、ここで、銅箔層の表面において銅箔の
小片が遊離される。銅箔層に対するこのタイプの損傷は
もちろん電気的な不良を導く。
徴候は、銅箔層の表面での微視的な亀裂の発生および伝
播によって特徴づけられる。微視的な亀裂は銅箔の厚み
の中へかまたは幅を横切って拡がり得る。可撓性回路が
使用されるとき、微視的な亀裂は最終的に、銅箔の厚さ
を横切り得るかまたは測定に導き得るような目立つ大き
さの亀裂となり、ここで、銅箔層の表面において銅箔の
小片が遊離される。銅箔層に対するこのタイプの損傷は
もちろん電気的な不良を導く。
【０００５】曲げによる亀裂の発生および伝播は、「疲
労」と呼ばれる。疲労には３つの主要なタイプがある；
すなわち、ロール疲労、曲げ（ｆｌｅｘ）疲労、および
折り曲げ（ｆｏｌｄ）疲労。ロール疲労は主に可撓性回
路の銅箔における２つの力に起因し得る。図１を参照し
て、可撓性回路１０は矢印１２によって示される様に前
後に移動される。この働きはディスクドライブの動作を
模倣している。矢印１４は、可撓性回路１０（および特
に銅箔、ここでは示さず）における張力を表す。矢印１
６は、可撓性回路１０（および特に銅箔、ここでは示さ
ず）における圧縮力を示す。可撓性回路１０が矢印１２
に沿って前後に移動されるとき、張力および圧縮力はそ
こで前後に移動する。張力および圧縮力によって課され
た一定に繰り返されたストレスは、可撓性回路１０中に
ある銅箔のロール疲労を導く。曲げ疲労は、可撓性回路
を２点で保持して、２つの保持点の間の約半分の点に可
撓性回路に垂直応力（ｆｏｒｃｅ ｎｏｒｍａｌ）を適
用し、続いて、反対の（１８０゜）方向で可撓性回路に
別の垂直応力を適用することによって特徴付けられる。
折り曲げ疲労は、最初に１３５゜の屈曲で可撓性回路を
曲げ、次いで可撓性回路を０〜２゜の屈曲を有するよう
に曲げ、次いで１３５゜に伸ばして戻すことによって特
徴づけられる。この動きはプリンターヒンジの動作を模
倣している。
労」と呼ばれる。疲労には３つの主要なタイプがある；
すなわち、ロール疲労、曲げ（ｆｌｅｘ）疲労、および
折り曲げ（ｆｏｌｄ）疲労。ロール疲労は主に可撓性回
路の銅箔における２つの力に起因し得る。図１を参照し
て、可撓性回路１０は矢印１２によって示される様に前
後に移動される。この働きはディスクドライブの動作を
模倣している。矢印１４は、可撓性回路１０（および特
に銅箔、ここでは示さず）における張力を表す。矢印１
６は、可撓性回路１０（および特に銅箔、ここでは示さ
ず）における圧縮力を示す。可撓性回路１０が矢印１２
に沿って前後に移動されるとき、張力および圧縮力はそ
こで前後に移動する。張力および圧縮力によって課され
た一定に繰り返されたストレスは、可撓性回路１０中に
ある銅箔のロール疲労を導く。曲げ疲労は、可撓性回路
を２点で保持して、２つの保持点の間の約半分の点に可
撓性回路に垂直応力（ｆｏｒｃｅ ｎｏｒｍａｌ）を適
用し、続いて、反対の（１８０゜）方向で可撓性回路に
別の垂直応力を適用することによって特徴付けられる。
折り曲げ疲労は、最初に１３５゜の屈曲で可撓性回路を
曲げ、次いで可撓性回路を０〜２゜の屈曲を有するよう
に曲げ、次いで１３５゜に伸ばして戻すことによって特
徴づけられる。この動きはプリンターヒンジの動作を模
倣している。
【０００６】疲労の主な３つのタイプ（ロール疲労、曲
げ疲労、および折り曲げ疲労）は一般に、高サイクル、
低歪み疲労によって引き起こされる。別のタイプの疲労
は、低サイクル、高歪み疲労である。高サイクル、低歪
み疲労および低サイクル、高歪み疲労の両方に耐性を有
する可撓性回路を提供することは困難である。
げ疲労、および折り曲げ疲労）は一般に、高サイクル、
低歪み疲労によって引き起こされる。別のタイプの疲労
は、低サイクル、高歪み疲労である。高サイクル、低歪
み疲労および低サイクル、高歪み疲労の両方に耐性を有
する可撓性回路を提供することは困難である。
【０００７】図２Ａおよび２Ｂを参照して、そのいくら
かは銅箔の厚さまたは幅に拡がり、そしてそのいくらか
は拡がっていない、微視的な亀裂の例示を示す。この例
示は、約１８μｍの厚さを有する銅箔の１６００倍の倍
率で撮影された写真に基づく。
かは銅箔の厚さまたは幅に拡がり、そしてそのいくらか
は拡がっていない、微視的な亀裂の例示を示す。この例
示は、約１８μｍの厚さを有する銅箔の１６００倍の倍
率で撮影された写真に基づく。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の結果、電気的
特性を改善した可撓性回路が提供される。電気的特性を
改善した可撓性回路は、機械的な疲労に対する改善され
た耐性を示し、従って、銅箔層の損傷に対する改善され
た耐性を示し、それにより、電気的特性を改善する。機
械的な疲労に対する改善された耐性は、銅箔層の微小亀
裂に対する耐性の増強の原因となり得る。
特性を改善した可撓性回路が提供される。電気的特性を
改善した可撓性回路は、機械的な疲労に対する改善され
た耐性を示し、従って、銅箔層の損傷に対する改善され
た耐性を示し、それにより、電気的特性を改善する。機
械的な疲労に対する改善された耐性は、銅箔層の微小亀
裂に対する耐性の増強の原因となり得る。
【０００９】また本発明の結果、特性を導入するために
改善された曲げを有する可撓性回路も提供される。この
関連で、本発明は、高サイクル、低歪み疲労および低サ
イクル、高歪み疲労の両方に対する耐性を有する可撓性
回路を提供する。
改善された曲げを有する可撓性回路も提供される。この
関連で、本発明は、高サイクル、低歪み疲労および低サ
イクル、高歪み疲労の両方に対する耐性を有する可撓性
回路を提供する。
【００１０】
【課題を解決するための手段】１実施態様においては、
本発明は、第一の可撓性ポリマーフィルム；少なくとも
片側に微小亀裂防止層を有する銅層であって、微小亀裂
防止層は、可撓性積層体の約１８μｍまでの厚さを有す
る銅層において少なくとも５０，０００，０００の曲げ
サイクルの間、および／または約３５μｍまでの厚さを
有する銅層において少なくとも２０，０００，０００の
曲げサイクルの間、微小亀裂を防止するのに十分であ
る、銅層；ならびに第二の可撓性ポリマーフィルム、を
含む、可撓性積層体に関する。
本発明は、第一の可撓性ポリマーフィルム；少なくとも
片側に微小亀裂防止層を有する銅層であって、微小亀裂
防止層は、可撓性積層体の約１８μｍまでの厚さを有す
る銅層において少なくとも５０，０００，０００の曲げ
サイクルの間、および／または約３５μｍまでの厚さを
有する銅層において少なくとも２０，０００，０００の
曲げサイクルの間、微小亀裂を防止するのに十分であ
る、銅層；ならびに第二の可撓性ポリマーフィルム、を
含む、可撓性積層体に関する。
【００１１】別の実施態様においては、本発明は、可撓
性積層体の作製のプロセスに関する。このプロセスは、
銅層を提供する工程；微小亀裂を防止するために銅層を
処理する工程；銅層の第一の面を第一の可撓性ポリマー
フィルムに付ける工程；銅層にパターン形成する工程；
および第二の可撓性ポリマーフィルムを銅層の第二の面
に付ける工程を含む。
性積層体の作製のプロセスに関する。このプロセスは、
銅層を提供する工程；微小亀裂を防止するために銅層を
処理する工程；銅層の第一の面を第一の可撓性ポリマー
フィルムに付ける工程；銅層にパターン形成する工程；
および第二の可撓性ポリマーフィルムを銅層の第二の面
に付ける工程を含む。
【００１２】さらに別の実施態様においては、本発明
は、第一の可撓性ポリマーフィルム、銅層、および第二
の可撓性ポリマーフィルムを含む可撓性回路の、約１８
μｍまでの厚さを有する銅層において少なくとも５０，
０００，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂を防止す
る方法に関し、この可撓性回路は必要に応じて接着剤
を、少なくとも１つの銅層と第一の可撓性ポリマーフィ
ルムとの間、および銅層と第二の可撓性ポリマーフィル
ムとの間にさらに含み、銅層の少なくとも片側を酸性硫
酸銅浴中カソード処理、酸化処理、クロム処理、酸浴中
カソード処理、タイコート処理およびシラン処理で処理
する工程を含む。
は、第一の可撓性ポリマーフィルム、銅層、および第二
の可撓性ポリマーフィルムを含む可撓性回路の、約１８
μｍまでの厚さを有する銅層において少なくとも５０，
０００，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂を防止す
る方法に関し、この可撓性回路は必要に応じて接着剤
を、少なくとも１つの銅層と第一の可撓性ポリマーフィ
ルムとの間、および銅層と第二の可撓性ポリマーフィル
ムとの間にさらに含み、銅層の少なくとも片側を酸性硫
酸銅浴中カソード処理、酸化処理、クロム処理、酸浴中
カソード処理、タイコート処理およびシラン処理で処理
する工程を含む。
【００１３】本発明は、以下：第一の可撓性ポリマーフ
ィルム；少なくとも片側に微小亀裂防止層を有する銅層
であって、この微小亀裂防止層は、可撓性積層体の、約
１８μｍまでの厚さを有する銅層において少なくとも５
０，０００，０００の曲げサイクルの間、および／また
は約３５μｍまでの厚さを有する銅層において少なくと
も２０，０００，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂
を防止するのに十分である、銅層；ならびに第二の可撓
性ポリマーフィルム、を包含する、可撓性積層体を提供
する。
ィルム；少なくとも片側に微小亀裂防止層を有する銅層
であって、この微小亀裂防止層は、可撓性積層体の、約
１８μｍまでの厚さを有する銅層において少なくとも５
０，０００，０００の曲げサイクルの間、および／また
は約３５μｍまでの厚さを有する銅層において少なくと
も２０，０００，０００の曲げサイクルの間、微小亀裂
を防止するのに十分である、銅層；ならびに第二の可撓
性ポリマーフィルム、を包含する、可撓性積層体を提供
する。
【００１４】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、酸性硫酸銅浴を用いて堆積された銅を含む。
防止層が、酸性硫酸銅浴を用いて堆積された銅を含む。
【００１５】さらに好適な実施態様においては、上記微
小亀裂防止層が、少なくとも１つのニッケルタイコート
層およびクロムタイコート層をさらに含み、この微小亀
裂防止層が約３０Åから約５００Åの厚さを有する。
小亀裂防止層が、少なくとも１つのニッケルタイコート
層およびクロムタイコート層をさらに含み、この微小亀
裂防止層が約３０Åから約５００Åの厚さを有する。
【００１６】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、約０．０２μｍから約２μｍの厚さを有する
黒色酸化物層を含む。
防止層が、約０．０２μｍから約２μｍの厚さを有する
黒色酸化物層を含む。
【００１７】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、約０．０１μｍから約１μｍの厚さを有する
褐色酸化物層を含む。
防止層が、約０．０１μｍから約１μｍの厚さを有する
褐色酸化物層を含む。
【００１８】さらに好適な実施態様においては、上記微
小亀裂防止層が、約０．００２μｍから約０．１μｍの
厚さを有するシランカップリング剤層をさらに含む。
小亀裂防止層が、約０．００２μｍから約０．１μｍの
厚さを有するシランカップリング剤層をさらに含む。
【００１９】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、クロム酸塩溶液またはカソードクロム電解槽
を用いて堆積されたクロム層を含み、この微小亀裂防止
層が約２５Åから約１２５Åの厚さを有する。
防止層が、クロム酸塩溶液またはカソードクロム電解槽
を用いて堆積されたクロム層を含み、この微小亀裂防止
層が約２５Åから約１２５Åの厚さを有する。
【００２０】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、クロム、亜鉛および水素阻害剤を含む酸性電
解溶液を用いて堆積された、約２５Åから約１２５Åの
厚さを有する、亜鉛およびクロムを含む金属層を含む。
防止層が、クロム、亜鉛および水素阻害剤を含む酸性電
解溶液を用いて堆積された、約２５Åから約１２５Åの
厚さを有する、亜鉛およびクロムを含む金属層を含む。
【００２１】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、通気された水または酸素プラズマを用いて形
成される酸化物層を含む。
防止層が、通気された水または酸素プラズマを用いて形
成される酸化物層を含む。
【００２２】好適な実施態様においては、上記微小亀裂
防止層が、亜鉛および水素阻害剤を含む酸性電解溶液を
用いて堆積された、約２Åから約６０Åの厚さを有す
る、亜鉛金属層を含む。
防止層が、亜鉛および水素阻害剤を含む酸性電解溶液を
用いて堆積された、約２Åから約６０Åの厚さを有す
る、亜鉛金属層を含む。
【００２３】好適な実施態様においては、上記ポリマー
フィルムが、少なくとも１つのポリイミド樹脂、ポリエ
ステル樹脂、および縮合ポリマーを含む。
フィルムが、少なくとも１つのポリイミド樹脂、ポリエ
ステル樹脂、および縮合ポリマーを含む。
【００２４】好適な実施態様においては、上記銅層が、
約７０μｍまでの厚さを有する。
約７０μｍまでの厚さを有する。
【００２５】好適な実施態様においては、上記第一の可
撓性ポリマーフィルムと上記銅層との間に接着促進剤を
さらに含む。
撓性ポリマーフィルムと上記銅層との間に接着促進剤を
さらに含む。
【００２６】好適な実施態様においては、上記第二の可
撓性ポリマーフィルムと上記銅層との間に接着促進剤を
さらに含む。
撓性ポリマーフィルムと上記銅層との間に接着促進剤を
さらに含む。
【００２７】本発明はまた、以下の工程：銅層を提供す
る工程；微小亀裂を防止するために銅層を処理する工
程；銅層の第一の面を第一の可撓性ポリマーフィルムに
付ける工程；銅箔にパターン形成する工程；および第二
の可撓性ポリマーフィルムを銅層の第二の面に付ける工
程を含む、可撓性積層体の作製のプロセスを提供する。
る工程；微小亀裂を防止するために銅層を処理する工
程；銅層の第一の面を第一の可撓性ポリマーフィルムに
付ける工程；銅箔にパターン形成する工程；および第二
の可撓性ポリマーフィルムを銅層の第二の面に付ける工
程を含む、可撓性積層体の作製のプロセスを提供する。
【００２８】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約
０．１μｍから約１０μｍの厚さを有する微小亀裂防止
層を提供するために十分な時間、約０．１ｇ／ｌから約
５０ｇ／ｌの硫酸銅を含む酸性硫酸銅浴と接触させる工
程を含む。
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約
０．１μｍから約１０μｍの厚さを有する微小亀裂防止
層を提供するために十分な時間、約０．１ｇ／ｌから約
５０ｇ／ｌの硫酸銅を含む酸性硫酸銅浴と接触させる工
程を含む。
【００２９】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、酸化
剤および必要に応じて水酸化物化合物と接触させる工程
を含み、この酸化剤が、硝酸アンモニウム、過塩素酸ア
ンモニウム、過硫酸アンモニウム、硝酸テトラメチルア
ンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、亜塩素酸
ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、
亜硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナトリ
ウム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過
硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウム、過ホ
ウ酸カリウム、過塩素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウ
ム、過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、過塩素酸ルビジ
ウム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、次亜
塩素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過塩素酸カルシウ
ム、硝酸ストロンチウム、過塩素酸ストロンチウム、通
気された水および酸素プラズマから選択される。
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、酸化
剤および必要に応じて水酸化物化合物と接触させる工程
を含み、この酸化剤が、硝酸アンモニウム、過塩素酸ア
ンモニウム、過硫酸アンモニウム、硝酸テトラメチルア
ンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、亜塩素酸
ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、
亜硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナトリ
ウム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過
硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウム、過ホ
ウ酸カリウム、過塩素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウ
ム、過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、過塩素酸ルビジ
ウム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、次亜
塩素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過塩素酸カルシウ
ム、硝酸ストロンチウム、過塩素酸ストロンチウム、通
気された水および酸素プラズマから選択される。
【００３０】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約１
秒から約１００秒の時間、約０．１ｇ／ｌから約１０ｇ
／ｌのクロム酸塩を含むクロム酸塩溶液と接触させる工
程を含む。
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約１
秒から約１００秒の時間、約０．１ｇ／ｌから約１０ｇ
／ｌのクロム酸塩を含むクロム酸塩溶液と接触させる工
程を含む。
【００３１】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約２
秒から約２０秒の時間、約１０ＡＳＦから約４０ＡＳＦ
の電流密度下で、約０．１ｇ／ｌから約５ｇ／ｌのクロ
ム化合物を含むカソードクロム電解槽と接触させる工程
を含む。
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約２
秒から約２０秒の時間、約１０ＡＳＦから約４０ＡＳＦ
の電流密度下で、約０．１ｇ／ｌから約５ｇ／ｌのクロ
ム化合物を含むカソードクロム電解槽と接触させる工程
を含む。
【００３２】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約１
秒から約３０秒の時間、約１ＡＳＦから約１００ＡＳＦ
の電流密度下で、約０．１ｇ／ｌから約２ｇ／ｌの亜鉛
イオン、約０．３ｇ／ｌから約５ｇ／ｌのクロムイオ
ン、および約５ｐｐｍから約１０００ｐｐｍの水素阻害
剤、を含むカソードクロム電解槽と接触させる工程を含
む。
止するために上記銅層を処理する工程が、銅層を、約１
秒から約３０秒の時間、約１ＡＳＦから約１００ＡＳＦ
の電流密度下で、約０．１ｇ／ｌから約２ｇ／ｌの亜鉛
イオン、約０．３ｇ／ｌから約５ｇ／ｌのクロムイオ
ン、および約５ｐｐｍから約１０００ｐｐｍの水素阻害
剤、を含むカソードクロム電解槽と接触させる工程を含
む。
【００３３】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、少なくとも１
つの硝酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過硫酸
アンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テ
トラエチルアンモニウム、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩
素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、
過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナトリウム、過塩素酸ナト
リウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、硝
酸カリウム、亜硝酸カリウム、過ホウ酸カリウム、過塩
素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過硫酸カリウム、
硝酸ルビジウム、過塩素酸ルビジウム、硝酸マグネシウ
ム、過塩素酸マグネシウム、次亜塩素酸カルシウム、硝
酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、硝酸ストロンチウ
ム、過塩素酸ストロンチウム、および通気された水を用
いて銅層上に酸化物層を形成する工程を含む。
止するために上記銅層を処理する工程が、少なくとも１
つの硝酸アンモニウム、過塩素酸アンモニウム、過硫酸
アンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テ
トラエチルアンモニウム、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩
素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、
過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナトリウム、過塩素酸ナト
リウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、硝
酸カリウム、亜硝酸カリウム、過ホウ酸カリウム、過塩
素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、過硫酸カリウム、
硝酸ルビジウム、過塩素酸ルビジウム、硝酸マグネシウ
ム、過塩素酸マグネシウム、次亜塩素酸カルシウム、硝
酸カルシウム、過塩素酸カルシウム、硝酸ストロンチウ
ム、過塩素酸ストロンチウム、および通気された水を用
いて銅層上に酸化物層を形成する工程を含む。
【００３４】さらに好適な実施態様においては、少なく
とも１つのクロムおよびニッケルならびに必要に応じて
１つ以上のＣｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、
Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＭｎおよびＣｏを、物理
的蒸着または化学的蒸着によって堆積させて、約３０Å
から約５００Åの厚さを有するタイコート層を形成する
工程をさらに含む。
とも１つのクロムおよびニッケルならびに必要に応じて
１つ以上のＣｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、
Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＭｎおよびＣｏを、物理
的蒸着または化学的蒸着によって堆積させて、約３０Å
から約５００Åの厚さを有するタイコート層を形成する
工程をさらに含む。
【００３５】さらに好適な実施態様においては、上記酸
化された銅層上に１つ以上のシランカップリング剤を堆
積させる工程をさらに含む。
化された銅層上に１つ以上のシランカップリング剤を堆
積させる工程をさらに含む。
【００３６】好適な実施態様においては、微小亀裂を防
止するために上記銅層を処理する工程が、以下：銅層上
に蒸着することによって亜鉛層を堆積させる工程；およ
び亜鉛層を六価クロム酸化物化合物と接触させる工程を
含む。
止するために上記銅層を処理する工程が、以下：銅層上
に蒸着することによって亜鉛層を堆積させる工程；およ
び亜鉛層を六価クロム酸化物化合物と接触させる工程を
含む。
【００３７】本発明はまた、第一の可撓性ポリマーフィ
ルム、銅層、および第二の可撓性ポリマーフィルムを含
む可撓性回路の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層に
おいて少なくとも５０，０００，０００の曲げサイクル
の間、微小亀裂を防止する方法であって、この可撓性回
路が必要に応じて、接着剤を、少なくとも１つの銅層と
第一の可撓性ポリマーフィルムとの間、および銅層と第
二の可撓性ポリマーフィルムとの間にさらに含む、方法
であって：銅層の少なくとも片側を、酸性硫酸銅浴中カ
ソード処理、酸化処理、クロム処理、酸浴中カソード処
理、タイコート処理およびシラン処理で処理する工程を
含む、方法を提供する。
ルム、銅層、および第二の可撓性ポリマーフィルムを含
む可撓性回路の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層に
おいて少なくとも５０，０００，０００の曲げサイクル
の間、微小亀裂を防止する方法であって、この可撓性回
路が必要に応じて、接着剤を、少なくとも１つの銅層と
第一の可撓性ポリマーフィルムとの間、および銅層と第
二の可撓性ポリマーフィルムとの間にさらに含む、方法
であって：銅層の少なくとも片側を、酸性硫酸銅浴中カ
ソード処理、酸化処理、クロム処理、酸浴中カソード処
理、タイコート処理およびシラン処理で処理する工程を
含む、方法を提供する。
【００３８】
【発明の実施の形態】１実施態様においては、本発明
は、曲げおよび伸ばしのサイクルの繰り返しによって局
所的にエネルギーが課されることによる、微小亀裂の伝
播の防止、最小化、および／または遅延のための可撓性
回路の銅層の種々の処理に関する。別の実施態様におい
て、本発明は銅層における微小亀裂の発生および伝播の
防止、最小化、および／または遅延のために処理された
銅層を含む可撓性回路に関する。いずれの理論によって
も束縛されることを望まないが、可撓回路の銅層のため
の種々の処理は、銅層上で局所的に課されるエネルギー
を減少させると考えられ、このエネルギーは、銅層の比
較的大きな領域にわたって局所的に課されたエネルギー
を分散する工程、および局所的に課されたエネルギーを
吸収する工程の少なくとも１つによって、典型的には張
力および／または圧縮力によって引き起こされ、それに
より、銅層上に課されるエネルギーを減少させる。局所
的に課されたエネルギーの減少によって、銅箔中の微小
亀裂の伝播は防止、最小化および／または遅延される。
局所的に課されたエネルギーは、基板の比較的小さな部
分に適用された応力または力であり、単位領域当たりの
大きな力で特徴づけられる。局所的に課されたエネルギ
ーは、銅層の比較的大きな領域にわたって局所的に課さ
れたエネルギーを再分散する工程（それによって銅層上
の単位領域当たりの力を減少する）、および局所的に課
されたエネルギーを吸収する工程（それによって銅層に
移動したエネルギーが散逸する）の少なくとも１つによ
り減少される。
は、曲げおよび伸ばしのサイクルの繰り返しによって局
所的にエネルギーが課されることによる、微小亀裂の伝
播の防止、最小化、および／または遅延のための可撓性
回路の銅層の種々の処理に関する。別の実施態様におい
て、本発明は銅層における微小亀裂の発生および伝播の
防止、最小化、および／または遅延のために処理された
銅層を含む可撓性回路に関する。いずれの理論によって
も束縛されることを望まないが、可撓回路の銅層のため
の種々の処理は、銅層上で局所的に課されるエネルギー
を減少させると考えられ、このエネルギーは、銅層の比
較的大きな領域にわたって局所的に課されたエネルギー
を分散する工程、および局所的に課されたエネルギーを
吸収する工程の少なくとも１つによって、典型的には張
力および／または圧縮力によって引き起こされ、それに
より、銅層上に課されるエネルギーを減少させる。局所
的に課されたエネルギーの減少によって、銅箔中の微小
亀裂の伝播は防止、最小化および／または遅延される。
局所的に課されたエネルギーは、基板の比較的小さな部
分に適用された応力または力であり、単位領域当たりの
大きな力で特徴づけられる。局所的に課されたエネルギ
ーは、銅層の比較的大きな領域にわたって局所的に課さ
れたエネルギーを再分散する工程（それによって銅層上
の単位領域当たりの力を減少する）、および局所的に課
されたエネルギーを吸収する工程（それによって銅層に
移動したエネルギーが散逸する）の少なくとも１つによ
り減少される。
【００３９】本発明による可撓性回路は、第一の可撓性
ポリマー基板またはフィルム、微小亀裂防止層を有する
銅層、および第二の可撓性ポリマーフィルムまたはカバ
ー層を含む。銅層は銅または銅合金を含む。銅合金は、
銅ならびに、アルミニウム、クロム、亜鉛、金、銀、パ
ラジウム、白金、ニッケル、コバルト、チタン、スカン
ジウムおよびジルコニウムの少なくとも１つを含む。必
要に応じて、銅層と、第一の可撓性ポリマーフィルムお
よび第二の可撓性ポリマーフィルムの少なくとも１つと
の間に接着剤が存在する。
ポリマー基板またはフィルム、微小亀裂防止層を有する
銅層、および第二の可撓性ポリマーフィルムまたはカバ
ー層を含む。銅層は銅または銅合金を含む。銅合金は、
銅ならびに、アルミニウム、クロム、亜鉛、金、銀、パ
ラジウム、白金、ニッケル、コバルト、チタン、スカン
ジウムおよびジルコニウムの少なくとも１つを含む。必
要に応じて、銅層と、第一の可撓性ポリマーフィルムお
よび第二の可撓性ポリマーフィルムの少なくとも１つと
の間に接着剤が存在する。
【００４０】微小亀裂の伝播の防止、最小化および／ま
たは遅延のための銅処理には、１つ以上の酸性硫酸銅浴
中カソード処理、酸化処理、クロム処理、亜鉛酸化処
理、および酸浴中カソード処理が挙げられる。１実施態
様においては、タイコート処理およびシラン処理の少な
くとも１つが、１つ以上の酸性硫酸銅浴中カソード処
理、酸化処理、クロム処理、亜鉛酸化処理、および酸浴
中カソード処理と組み合わされる。銅箔の片側または両
側が、本発明に従って処理され得る。
たは遅延のための銅処理には、１つ以上の酸性硫酸銅浴
中カソード処理、酸化処理、クロム処理、亜鉛酸化処
理、および酸浴中カソード処理が挙げられる。１実施態
様においては、タイコート処理およびシラン処理の少な
くとも１つが、１つ以上の酸性硫酸銅浴中カソード処
理、酸化処理、クロム処理、亜鉛酸化処理、および酸浴
中カソード処理と組み合わされる。銅箔の片側または両
側が、本発明に従って処理され得る。
【００４１】本発明による微小亀裂処理層を有する銅箔
を含む可撓性回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処
理層を有する銅箔を含まない可撓性回路と比較して実質
的により多くの曲げサイクルを経ている（すなわち、よ
り長い期間微小亀裂に抵抗する）。１実施態様において
は、本発明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可
撓性回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有
する銅箔を含まない可撓性回路と比較して２５％多い曲
げサイクルを経ている。別の実施態様においては、本発
明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性回路
は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する銅箔
を含まない可撓性回路と比較して５０％多い曲げサイク
ルを経ている。さらに別の実施態様においては、本発明
による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性回路
は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する銅箔
を含まない可撓性回路と比較して１００％多い曲げサイ
クルを経ている。なおさらに別の実施態様においては、
本発明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性
回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する
銅箔を含まない可撓性回路と比較して１桁多い曲げサイ
クルを経ている。
を含む可撓性回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処
理層を有する銅箔を含まない可撓性回路と比較して実質
的により多くの曲げサイクルを経ている（すなわち、よ
り長い期間微小亀裂に抵抗する）。１実施態様において
は、本発明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可
撓性回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有
する銅箔を含まない可撓性回路と比較して２５％多い曲
げサイクルを経ている。別の実施態様においては、本発
明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性回路
は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する銅箔
を含まない可撓性回路と比較して５０％多い曲げサイク
ルを経ている。さらに別の実施態様においては、本発明
による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性回路
は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する銅箔
を含まない可撓性回路と比較して１００％多い曲げサイ
クルを経ている。なおさらに別の実施態様においては、
本発明による微小亀裂処理層を有する銅箔を含む可撓性
回路は、微小亀裂が起こる前、微小亀裂処理層を有する
銅箔を含まない可撓性回路と比較して１桁多い曲げサイ
クルを経ている。
【００４２】１実施態様においては、本発明は、可撓性
回路の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層において、
少なくとも２０，０００，０００の曲げサイクルの間
（ロール疲労）、微小亀裂の防止を可能とする。別の実
施態様においては、本発明は、可撓性回路の、約１８μ
ｍまでの厚さを有する銅層において、少なくとも５０，
０００，０００の曲げサイクルの間（ロール疲労）、微
小亀裂の防止を可能とする。さらに別の実施態様におい
ては、本発明は、可撓性回路の、約３５μｍまでの厚さ
を有する銅層において、少なくとも２０，０００，００
０の曲げサイクルの間（ロール疲労）、微小亀裂の防止
を可能とする。なおさらに別の実施態様においては、本
発明は、可撓性回路の、約３５μｍまでの厚さを有する
銅層において、少なくとも３０，０００，０００の曲げ
サイクルの間（ロール疲労）、微小亀裂の防止を可能と
する。
回路の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層において、
少なくとも２０，０００，０００の曲げサイクルの間
（ロール疲労）、微小亀裂の防止を可能とする。別の実
施態様においては、本発明は、可撓性回路の、約１８μ
ｍまでの厚さを有する銅層において、少なくとも５０，
０００，０００の曲げサイクルの間（ロール疲労）、微
小亀裂の防止を可能とする。さらに別の実施態様におい
ては、本発明は、可撓性回路の、約３５μｍまでの厚さ
を有する銅層において、少なくとも２０，０００，００
０の曲げサイクルの間（ロール疲労）、微小亀裂の防止
を可能とする。なおさらに別の実施態様においては、本
発明は、可撓性回路の、約３５μｍまでの厚さを有する
銅層において、少なくとも３０，０００，０００の曲げ
サイクルの間（ロール疲労）、微小亀裂の防止を可能と
する。
【００４３】銅処理は、銅層上の局所的応力を銅層上の
比較的大きな領域に移動させるために機能する、酸性硫
酸銅浴中カソード処理を含む。酸性硫酸銅浴は典型的に
は、約５℃から約５０℃の温度で、好ましくは約１０℃
から約４０℃の温度である。酸性硫酸銅浴は好ましくは
希釈酸性硫酸銅浴である。これに関連して、酸性硫酸銅
浴中の硫酸銅の濃度は、約０．１ｇ／ｌから約６０ｇ／
ｌである。別の実施態様において、硫酸銅の濃度は、約
１ｇ／ｌから約３０ｇ／ｌである。１実施態様におい
て、この実施態様で得られる微小亀裂防止層は、約０．
０１μｍから約３０μｍの厚さを有する。別の実施態様
において、この実施態様で得られる微小亀裂防止層は、
約０．１μｍから約１０μｍの厚さを有する。
比較的大きな領域に移動させるために機能する、酸性硫
酸銅浴中カソード処理を含む。酸性硫酸銅浴は典型的に
は、約５℃から約５０℃の温度で、好ましくは約１０℃
から約４０℃の温度である。酸性硫酸銅浴は好ましくは
希釈酸性硫酸銅浴である。これに関連して、酸性硫酸銅
浴中の硫酸銅の濃度は、約０．１ｇ／ｌから約６０ｇ／
ｌである。別の実施態様において、硫酸銅の濃度は、約
１ｇ／ｌから約３０ｇ／ｌである。１実施態様におい
て、この実施態様で得られる微小亀裂防止層は、約０．
０１μｍから約３０μｍの厚さを有する。別の実施態様
において、この実施態様で得られる微小亀裂防止層は、
約０．１μｍから約１０μｍの厚さを有する。
【００４４】
【実施例】（実施例１）１つは従来のものであり、そし
て１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層体
を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、約１８
μｍの厚さを有する銅層、銅箔の片側の次の約２５μｍ
の厚さを有する１つの接着層、および２つのポリイミド
層（一方は約２５μｍの厚さを有する接着層を被覆し、
そして他方は約５０μｍの厚さを有し、銅層に直接接着
される）を含む。第二の可撓性積層体（本発明による）
はまた、約１８μｍの厚さを有する銅層、銅箔の片側の
次の約２５μｍの厚さを有する１つの接着層、および２
つのポリイミド層（一方は約２５μｍの厚さを有する接
着層を被覆し、そして他方は約５０μｍの厚さを有し、
銅層に直接接着される）を含むが、銅層の片側は、約１
μｍの厚さを有する微小亀裂防止層を形成するために十
分な時間、約３０℃の温度で約５０ｇ／ｌの硫酸銅を含
む酸性硫酸銅浴と接触される。
て１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層体
を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、約１８
μｍの厚さを有する銅層、銅箔の片側の次の約２５μｍ
の厚さを有する１つの接着層、および２つのポリイミド
層（一方は約２５μｍの厚さを有する接着層を被覆し、
そして他方は約５０μｍの厚さを有し、銅層に直接接着
される）を含む。第二の可撓性積層体（本発明による）
はまた、約１８μｍの厚さを有する銅層、銅箔の片側の
次の約２５μｍの厚さを有する１つの接着層、および２
つのポリイミド層（一方は約２５μｍの厚さを有する接
着層を被覆し、そして他方は約５０μｍの厚さを有し、
銅層に直接接着される）を含むが、銅層の片側は、約１
μｍの厚さを有する微小亀裂防止層を形成するために十
分な時間、約３０℃の温度で約５０ｇ／ｌの硫酸銅を含
む酸性硫酸銅浴と接触される。
【００４５】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２０，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイクルで示
す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２０，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイクルで示
す。
【００４６】酸化処理を含む銅処理は、可撓性回路の銅
層の表面を酸化するための酸化剤の使用を含む。酸化処
理は、銅層の比較大きい領域にわたって局所的に課され
たエネルギーを分散するためおよび／または局所的に課
されたエネルギーを吸収するために機能し、それによっ
てエネルギーは銅層に散逸する。
層の表面を酸化するための酸化剤の使用を含む。酸化処
理は、銅層の比較大きい領域にわたって局所的に課され
たエネルギーを分散するためおよび／または局所的に課
されたエネルギーを吸収するために機能し、それによっ
てエネルギーは銅層に散逸する。
【００４７】１実施態様においては、酸化処理は、銅層
表面上に褐色酸化物を提供する工程を含む。別の実施態
様においては、酸化処理は、可撓性回路の銅層の表面上
に黒色酸化物層を提供する工程を含む。褐色および黒色
酸化物を、好ましくは電流の存在下で、酸化剤と銅層の
表面とを接触させることによって提供する。通常の酸化
剤は、亜塩素酸塩、亜硫酸塩、次亜塩素酸塩、および次
亜硫酸塩を含む。典型的には、黒色酸化物層を、黒色酸
化物の酸化と比較して銅箔のより完全な酸化の後に得
る。褐色または黒色酸化物を、少なくとも１つの酸化剤
濃度、および銅箔が酸化剤と接触している時間に依存し
て得る。褐色酸化物が所望される実施態様において、酸
化剤の濃度は約１０ｇ／ｌから約１００ｇ／ｌ、好まし
くは約１５ｇ／ｌから約３０ｇ／ｌである。黒色酸化物
が所望される実施態様において、酸化剤の濃度は約４０
ｇ／ｌから約１５０ｇ／ｌ、好ましくは約４０ｇ／ｌか
ら約６０ｇ／ｌである。褐色酸化物が所望される実施態
様において、銅箔を、約１０秒から約３分、好ましくは
約３０秒から約９０秒、酸化剤溶液に接触する。黒色酸
化物が所望される実施態様において、銅箔を、約３分か
ら約１０分、好ましくは約５分から約７分、酸化剤溶液
に接触する。これらの実施態様において、褐色酸化物層
の厚さは約０．０１μｍから約１μｍであり、黒色酸化
物層の厚さは約０．０２μｍから約２μｍである。別の
実施態様において、褐色酸化物層の厚さは約０．０５μ
ｍから約０．２μｍであり、黒色酸化物層の厚さは約
０．０７μｍから約０．５μｍである。
表面上に褐色酸化物を提供する工程を含む。別の実施態
様においては、酸化処理は、可撓性回路の銅層の表面上
に黒色酸化物層を提供する工程を含む。褐色および黒色
酸化物を、好ましくは電流の存在下で、酸化剤と銅層の
表面とを接触させることによって提供する。通常の酸化
剤は、亜塩素酸塩、亜硫酸塩、次亜塩素酸塩、および次
亜硫酸塩を含む。典型的には、黒色酸化物層を、黒色酸
化物の酸化と比較して銅箔のより完全な酸化の後に得
る。褐色または黒色酸化物を、少なくとも１つの酸化剤
濃度、および銅箔が酸化剤と接触している時間に依存し
て得る。褐色酸化物が所望される実施態様において、酸
化剤の濃度は約１０ｇ／ｌから約１００ｇ／ｌ、好まし
くは約１５ｇ／ｌから約３０ｇ／ｌである。黒色酸化物
が所望される実施態様において、酸化剤の濃度は約４０
ｇ／ｌから約１５０ｇ／ｌ、好ましくは約４０ｇ／ｌか
ら約６０ｇ／ｌである。褐色酸化物が所望される実施態
様において、銅箔を、約１０秒から約３分、好ましくは
約３０秒から約９０秒、酸化剤溶液に接触する。黒色酸
化物が所望される実施態様において、銅箔を、約３分か
ら約１０分、好ましくは約５分から約７分、酸化剤溶液
に接触する。これらの実施態様において、褐色酸化物層
の厚さは約０．０１μｍから約１μｍであり、黒色酸化
物層の厚さは約０．０２μｍから約２μｍである。別の
実施態様において、褐色酸化物層の厚さは約０．０５μ
ｍから約０．２μｍであり、黒色酸化物層の厚さは約
０．０７μｍから約０．５μｍである。
【００４８】（実施例２）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で開示した第一の可撓性積層体と同様である。第二
の可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を黒色
酸化物層を提供するために約６分間、約５０ｇ／ｌの次
亜塩素酸ナトリウムを含む酸化溶液と接触させる以外
は、実施例１の第二の可撓性積層体と同様である。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で開示した第一の可撓性積層体と同様である。第二
の可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を黒色
酸化物層を提供するために約６分間、約５０ｇ／ｌの次
亜塩素酸ナトリウムを含む酸化溶液と接触させる以外
は、実施例１の第二の可撓性積層体と同様である。
【００４９】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２０，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を２５，０００，０００のサイクルで示
す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２０，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を２５，０００，０００のサイクルで示
す。
【００５０】（実施例３）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で開示した第一の可撓性積層体と同様である。第二
の可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を褐色
酸化物層を提供するために約６０秒間、約２０ｇ／ｌの
次亜塩素酸ナトリウムを含む酸化溶液と接触させる以外
は、実施例１の第二の可撓性積層体と同様である。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で開示した第一の可撓性積層体と同様である。第二
の可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を褐色
酸化物層を提供するために約６０秒間、約２０ｇ／ｌの
次亜塩素酸ナトリウムを含む酸化溶液と接触させる以外
は、実施例１の第二の可撓性積層体と同様である。
【００５１】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２５，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイクルで示
す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体はいくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサイ
クルで、および広範な微小亀裂（いくらかは銅箔を貫
く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二の
可撓性積層体はいくらかの微小亀裂を２５，０００，０
００のサイクルで、および広範な微小亀裂（いくらかは
銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイクルで示
す。
【００５２】別の実施態様において、褐色酸化物を、銅
箔と酸化剤および水酸化物化合物の溶液とを接触させる
ことにより提供する。銅箔を、ディップ、スプレー、ワ
イプ、浸漬などを含む任意の従来の手段を介してこの溶
液と接触させるが、この溶液に銅箔を浸漬するのが好ま
しい。電流を適用する必要はない。
箔と酸化剤および水酸化物化合物の溶液とを接触させる
ことにより提供する。銅箔を、ディップ、スプレー、ワ
イプ、浸漬などを含む任意の従来の手段を介してこの溶
液と接触させるが、この溶液に銅箔を浸漬するのが好ま
しい。電流を適用する必要はない。
【００５３】この実施態様において、溶液の温度は約１
０℃から約９０℃、より好ましくは約４０℃から約８０
℃である。１実施態様において、銅箔を、約２秒から約
２０秒、より好ましくは約５秒から約１０秒、酸化剤溶
液中に置く。
０℃から約９０℃、より好ましくは約４０℃から約８０
℃である。１実施態様において、銅箔を、約２秒から約
２０秒、より好ましくは約５秒から約１０秒、酸化剤溶
液中に置く。
【００５４】酸化剤は、銅箔の表面を酸化する能力のあ
る化合物である。酸化剤には、アンモニウム、アルカリ
金属、およびアルカリ土類金属の酸化剤が挙げられる。
本明細書中で使用される用語「アンモニウム」は、アン
モニウムイオン（ＮＨ4 +）および有機アンモニウムイオ
ン（例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチル
アンモニウム、テトラプロピルアンモニウムおよびテト
ラブチルアンモニウムイオン）の両方を含む。アルカリ
金属には、リチウム、ナトリウム、カリウムおよびルビ
ジウムが挙げられ、ナトリウムおよびカリウムが好まし
い。アルカリ土類金属には、ベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムが挙げ
られ、マグネシウムおよびカルシウムが好ましい。酸化
剤の例には、アンモニウム、アルカリ金属およびアルカ
リ土類金属、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、硝酸塩、亜硝
酸塩、過炭酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過ヨウ素酸
塩、および過硫酸塩が挙げられる。
る化合物である。酸化剤には、アンモニウム、アルカリ
金属、およびアルカリ土類金属の酸化剤が挙げられる。
本明細書中で使用される用語「アンモニウム」は、アン
モニウムイオン（ＮＨ4 +）および有機アンモニウムイオ
ン（例えば、テトラメチルアンモニウム、テトラエチル
アンモニウム、テトラプロピルアンモニウムおよびテト
ラブチルアンモニウムイオン）の両方を含む。アルカリ
金属には、リチウム、ナトリウム、カリウムおよびルビ
ジウムが挙げられ、ナトリウムおよびカリウムが好まし
い。アルカリ土類金属には、ベリリウム、マグネシウ
ム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウムが挙げ
られ、マグネシウムおよびカルシウムが好ましい。酸化
剤の例には、アンモニウム、アルカリ金属およびアルカ
リ土類金属、亜塩素酸塩、次亜塩素酸塩、硝酸塩、亜硝
酸塩、過炭酸塩、過ホウ酸塩、過塩素酸塩、過ヨウ素酸
塩、および過硫酸塩が挙げられる。
【００５５】具体例には、硝酸アンモニウム、過塩素酸
アンモニウム、過硫酸アンモニウム、硝酸テトラメチル
アンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、亜塩素
酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウ
ム、亜硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナ
トリウム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸ナトリウ
ム、過硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウ
ム、過ホウ酸カリウム、過塩素カリウム、過ヨウ素酸カ
リウム、過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、過塩素酸ル
ビジウム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、
次亜塩素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過塩素酸カル
シウム、硝酸ストロンチウムおよび過塩素酸ストロンチ
ウムが挙げられる。好ましい酸化剤には、次亜塩素酸ナ
トリウム、亜塩素酸ナトリウムおよび過硫酸ナトリウム
が挙げられる。酸化剤は、溶液中に、約２０から約１８
０ｇ／ｌ、好ましくは約３０から約１７０ｇ／ｌ、より
好ましくは約５０から約１６０ｇ／ｌの範囲の量で存在
する。
アンモニウム、過硫酸アンモニウム、硝酸テトラメチル
アンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、亜塩素
酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウ
ム、亜硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナ
トリウム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸ナトリウ
ム、過硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウ
ム、過ホウ酸カリウム、過塩素カリウム、過ヨウ素酸カ
リウム、過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、過塩素酸ル
ビジウム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、
次亜塩素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過塩素酸カル
シウム、硝酸ストロンチウムおよび過塩素酸ストロンチ
ウムが挙げられる。好ましい酸化剤には、次亜塩素酸ナ
トリウム、亜塩素酸ナトリウムおよび過硫酸ナトリウム
が挙げられる。酸化剤は、溶液中に、約２０から約１８
０ｇ／ｌ、好ましくは約３０から約１７０ｇ／ｌ、より
好ましくは約５０から約１６０ｇ／ｌの範囲の量で存在
する。
【００５６】水酸化物化合物は、溶液中に水酸化物イオ
ンを提供する能力のある任意の化合物である。水酸化物
化合物の例には、アンモニウム、アルカリ金属およびア
ルカリ土類金属の水酸化物が挙げられる。水酸化物化合
物の具体例には、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメ
チルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウ
ム、および水酸化カルシウムが挙げられる。水酸化物化
合物は、溶液中に、約５ｇ／ｌ未満、好ましくは約３ｇ
／ｌ未満、より好ましくは約２ｇ／ｌ未満、より好まし
くは約１．５ｇ／ｌ未満の量で存在する。
ンを提供する能力のある任意の化合物である。水酸化物
化合物の例には、アンモニウム、アルカリ金属およびア
ルカリ土類金属の水酸化物が挙げられる。水酸化物化合
物の具体例には、水酸化アンモニウム、水酸化テトラメ
チルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化マグネシウ
ム、および水酸化カルシウムが挙げられる。水酸化物化
合物は、溶液中に、約５ｇ／ｌ未満、好ましくは約３ｇ
／ｌ未満、より好ましくは約２ｇ／ｌ未満、より好まし
くは約１．５ｇ／ｌ未満の量で存在する。
【００５７】この実施態様において、酸化剤溶液は適切
な溶媒（例えば、水、極性有機液体（例えば、アルコー
ルおよびグリコール）、および／またはこれらの混合
物）を含む。水溶液が好ましい。種々の添加剤をまた酸
化剤溶液中に含み得る。
な溶媒（例えば、水、極性有機液体（例えば、アルコー
ルおよびグリコール）、および／またはこれらの混合
物）を含む。水溶液が好ましい。種々の添加剤をまた酸
化剤溶液中に含み得る。
【００５８】１実施態様においては、水酸化物化合物に
対する酸化剤のｇ／ｌでの比は少なくとも約２０：１で
ある。別の実施態様においては、水酸化物化合物に対す
る酸化剤の比は少なくとも約３０：１である。好ましい
実施態様においては、水酸化物化合物に対する酸化剤の
比は少なくとも約５０：１である。最も好ましい実施態
様においては、水酸化物化合物に対する酸化剤の比は少
なくとも約６０：１である。これらの実施態様におい
て、酸化溶液と金属箔との間の適切な相互作用のために
この比が必要である。
対する酸化剤のｇ／ｌでの比は少なくとも約２０：１で
ある。別の実施態様においては、水酸化物化合物に対す
る酸化剤の比は少なくとも約３０：１である。好ましい
実施態様においては、水酸化物化合物に対する酸化剤の
比は少なくとも約５０：１である。最も好ましい実施態
様においては、水酸化物化合物に対する酸化剤の比は少
なくとも約６０：１である。これらの実施態様におい
て、酸化溶液と金属箔との間の適切な相互作用のために
この比が必要である。
【００５９】この実施態様において、酸化物層は約５０
から約２５０Åの、しかし約２５０Å未満の厚さを有す
る。別の実施態様において、銅箔上で得られる酸化物層
の厚さは約７５から約２００Å、しかし約２００Å未満
である。さらに別の実施態様において、銅箔上で得られ
る酸化物層の厚さは約１００から約１７５Å、しかし約
１７５Å未満である。
から約２５０Åの、しかし約２５０Å未満の厚さを有す
る。別の実施態様において、銅箔上で得られる酸化物層
の厚さは約７５から約２００Å、しかし約２００Å未満
である。さらに別の実施態様において、銅箔上で得られ
る酸化物層の厚さは約１００から約１７５Å、しかし約
１７５Å未満である。
【００６０】酸化剤を含む溶液は、銅箔上に酸化物層の
形成を導く。溶液中に存在する比較的少量の水酸化物化
合物の結果、引張応力および圧縮力を散逸するための酸
化物層の品質は、銅箔を電気分解的に処理することなく
増大する。
形成を導く。溶液中に存在する比較的少量の水酸化物化
合物の結果、引張応力および圧縮力を散逸するための酸
化物層の品質は、銅箔を電気分解的に処理することなく
増大する。
【００６１】（実施例４）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、褐色酸化物層を提供
するために、銅層の片側を、約７秒間、約５０℃で約９
０ｇ／ｌの次亜塩素酸ナトリウムおよび約２ｇ／ｌの水
酸化ナトリウムを含む酸化溶液と接触する以外は、実施
例１の第二の可撓性積層体と同様である。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、褐色酸化物層を提供
するために、銅層の片側を、約７秒間、約５０℃で約９
０ｇ／ｌの次亜塩素酸ナトリウムおよび約２ｇ／ｌの水
酸化ナトリウムを含む酸化溶液と接触する以外は、実施
例１の第二の可撓性積層体と同様である。
【００６２】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２５，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２５，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
【００６３】さらに別の実施態様において、表面を化学
的に修飾するのに効果的な時間、および十分なレベルの
強度で、銅箔表面にプラズマを適用し得、それによって
微小亀裂に対する耐性を増強する。フィルム表面の処理
のために使用されるプラズマは、非金属化カソードを用
いて生成する、イオン化した酸素からなる。用語「非金
属化カソード」は、銅層の表面上に金属または金属酸化
物が有意なレベルで堆積していないカソードを表す。用
語「有意なレベル」とは、Ｘ線光電子分光法によって測
定したとき、約０．１原子パーセントを超えないレベル
を表す。非金属化カソードには炭素カソードのような非
金属カソードを含む。１実施態様においては、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｖ、およびこれらの２以上の混合物から構成される
カソードのような特定の金属カソードを、使用し得る。
炭素カソードが好ましい。直流または交流を使用し得、
直流が好ましい。プラズマ気体は、酸素、約１００％ま
で、１実施態様では約１５％から約１００％の濃度の酸
素を含む空気または気体状混合物、および１以上の第二
の気体（例えば、Ｎ2、Ａｒ、Ｋｒ、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、Ｃ
Ｆ4、ＣＯ2または１以上の希ガス）であり得る。１実施
態様では、プラズマ気体は酸素または空気である。プラ
ズマチャンバー中の圧力は典型的には約１０から約５０
０ｍＴｏｒｒの範囲、１実施態様では約２０から約２０
０ｍＴｏｒｒ、１実施態様では約３０ｍＴｏｒｒから約
１５０ｍＴｏｒｒ、１実施態様では約４０から約１００
ｍＴｏｒｒである。放電出力密度は約０．１から約８Ｗ
／ｃｍ 2、１実施態様では約０．１７から約６．２Ｗ／
ｃｍ2、１実施態様では約０．３４から約２．４１Ｗ／
ｃｍ2の範囲である。表面への総エネルギー入力は、約
０．０２から約１５０Ｊ／ｃｍ2、１実施態様では約
０．０５から約１１３Ｊ／ｃｍ2、１実施態様では約
０．４から約１１．３Ｊ／ｃｍ2の範囲である。
的に修飾するのに効果的な時間、および十分なレベルの
強度で、銅箔表面にプラズマを適用し得、それによって
微小亀裂に対する耐性を増強する。フィルム表面の処理
のために使用されるプラズマは、非金属化カソードを用
いて生成する、イオン化した酸素からなる。用語「非金
属化カソード」は、銅層の表面上に金属または金属酸化
物が有意なレベルで堆積していないカソードを表す。用
語「有意なレベル」とは、Ｘ線光電子分光法によって測
定したとき、約０．１原子パーセントを超えないレベル
を表す。非金属化カソードには炭素カソードのような非
金属カソードを含む。１実施態様においては、Ａｌ、Ｔ
ｉ、Ｖ、およびこれらの２以上の混合物から構成される
カソードのような特定の金属カソードを、使用し得る。
炭素カソードが好ましい。直流または交流を使用し得、
直流が好ましい。プラズマ気体は、酸素、約１００％ま
で、１実施態様では約１５％から約１００％の濃度の酸
素を含む空気または気体状混合物、および１以上の第二
の気体（例えば、Ｎ2、Ａｒ、Ｋｒ、ＮＨ3、Ｎ2Ｏ、Ｃ
Ｆ4、ＣＯ2または１以上の希ガス）であり得る。１実施
態様では、プラズマ気体は酸素または空気である。プラ
ズマチャンバー中の圧力は典型的には約１０から約５０
０ｍＴｏｒｒの範囲、１実施態様では約２０から約２０
０ｍＴｏｒｒ、１実施態様では約３０ｍＴｏｒｒから約
１５０ｍＴｏｒｒ、１実施態様では約４０から約１００
ｍＴｏｒｒである。放電出力密度は約０．１から約８Ｗ
／ｃｍ 2、１実施態様では約０．１７から約６．２Ｗ／
ｃｍ2、１実施態様では約０．３４から約２．４１Ｗ／
ｃｍ2の範囲である。表面への総エネルギー入力は、約
０．０２から約１５０Ｊ／ｃｍ2、１実施態様では約
０．０５から約１１３Ｊ／ｃｍ2、１実施態様では約
０．４から約１１．３Ｊ／ｃｍ2の範囲である。
【００６４】銅層を、１以上のプラズマ処理工程に供し
得る。１実施態様では、酸化処理は、酸素プラズマと可
撓性回路の銅層の表面とを接触させて、約０．０１μｍ
から約５μｍ、好ましくは約０．１μｍから約１μｍの
厚さを有する酸化物層を形成する工程を含む。
得る。１実施態様では、酸化処理は、酸素プラズマと可
撓性回路の銅層の表面とを接触させて、約０．０１μｍ
から約５μｍ、好ましくは約０．１μｍから約１μｍの
厚さを有する酸化物層を形成する工程を含む。
【００６５】（実施例５）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約４
Ｗ／ｃｍ2の放電出力密度を用いて、１５０ｍＴｏｒｒ
で、酸素を含む酸化プラズマと接触する以外は、実施例
１の第二の可撓性積層体と同じである。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約４
Ｗ／ｃｍ2の放電出力密度を用いて、１５０ｍＴｏｒｒ
で、酸素を含む酸化プラズマと接触する以外は、実施例
１の第二の可撓性積層体と同じである。
【００６６】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を３０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイク
ルで示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を３０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイク
ルで示す。
【００６７】さらにまた別の実施態様において、酸化処
理は、通気した水溶液中での穏やかな酸化処理を含む。
溶液は、銅箔の表面を酸化するために十分な量の溶存酸
素を有する水を含む。この実施態様において、通気した
水溶液の温度は、約２℃から約５０℃である。別の実施
態様において、通気した酸化剤水溶液の温度は、約１０
℃から約４０℃である。さらに別の実施態様において、
通気した水溶液の温度は、約１５℃から約３０℃であ
る。１実施態様において、銅箔を、通気した水溶液に約
１から約１００秒接触する。別の実施態様において、銅
箔を、通気した水溶液に約２から約５０秒接触する。さ
らに別の実施態様において、銅箔を、通気した水溶液に
約５から約２５秒接触する。
理は、通気した水溶液中での穏やかな酸化処理を含む。
溶液は、銅箔の表面を酸化するために十分な量の溶存酸
素を有する水を含む。この実施態様において、通気した
水溶液の温度は、約２℃から約５０℃である。別の実施
態様において、通気した酸化剤水溶液の温度は、約１０
℃から約４０℃である。さらに別の実施態様において、
通気した水溶液の温度は、約１５℃から約３０℃であ
る。１実施態様において、銅箔を、通気した水溶液に約
１から約１００秒接触する。別の実施態様において、銅
箔を、通気した水溶液に約２から約５０秒接触する。さ
らに別の実施態様において、銅箔を、通気した水溶液に
約５から約２５秒接触する。
【００６８】好ましい実施態様において、水は脱イオン
水であるが、水道水は使用され得る。通気した水溶液の
水は少なくとも約７ｐｐｍの溶存酸素を含む。好ましい
実施態様において、通気した水溶液の水は少なくとも約
７．５ｐｐｍの溶存酸素を含む。１実施態様において、
水は約８から約２０ｐｐｍの溶存酸素を含む。別の実施
態様において、水は約９から約１５ｐｐｍを含む。特定
のレベルの溶存酸素を含む水は、比較的高レベルの溶存
酸素を有する水の取得、または純粋な酸素ガスもしくは
酸素を含む気体を用いて、所望の溶存酸素レベルに達す
るまで水を通気することによって得られ得る。酸素を含
む気体は、空気ならびに酸素と１以上の不活性および非
反応性気体（例えば水素、窒素、ヘリウム、ネオン、ア
ルゴン、クリプトン、およびキセノン）の混合物を含
む。本発明のプロセスの間に、通気した水溶液は定期的
にまたは頻繁に通気されて、溶存酸素の所望の最小レベ
ルまたは範囲を維持し得る。
水であるが、水道水は使用され得る。通気した水溶液の
水は少なくとも約７ｐｐｍの溶存酸素を含む。好ましい
実施態様において、通気した水溶液の水は少なくとも約
７．５ｐｐｍの溶存酸素を含む。１実施態様において、
水は約８から約２０ｐｐｍの溶存酸素を含む。別の実施
態様において、水は約９から約１５ｐｐｍを含む。特定
のレベルの溶存酸素を含む水は、比較的高レベルの溶存
酸素を有する水の取得、または純粋な酸素ガスもしくは
酸素を含む気体を用いて、所望の溶存酸素レベルに達す
るまで水を通気することによって得られ得る。酸素を含
む気体は、空気ならびに酸素と１以上の不活性および非
反応性気体（例えば水素、窒素、ヘリウム、ネオン、ア
ルゴン、クリプトン、およびキセノン）の混合物を含
む。本発明のプロセスの間に、通気した水溶液は定期的
にまたは頻繁に通気されて、溶存酸素の所望の最小レベ
ルまたは範囲を維持し得る。
【００６９】通気した水溶液の酸素レベルは、溶存酸素
含量を測定するための任意の公知の手段を使用して定期
的にまたは頻繁に測定され得る。例えば、１つの装置
は、Ｙｅｌｌｏｗ Ｓｐｒｉｎｇｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙからの商品名ＹＳＩ Ｍｏｄｅｌ
５７ Ｓｅｒｉｅｓ Ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ Ｏｘｉｇ
ｅｎ Ｍｅｔｅｒである。Ｗｉｎｋｌｅｒ法に基づいた
試薬の方法はまた、使用され得る。ビュレット滴定法、
デジタル滴定法、または液滴カウント滴定法を用いる、
溶存酸素試薬のセット、溶存酸素試薬ＡｃｃｕＶａｃ
（登録商標）アンプル、および溶存酸素のためのＰｏｃ
ｋｅｔ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｅｒ（登録商標）は、Ｈａ
ｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能である。
含量を測定するための任意の公知の手段を使用して定期
的にまたは頻繁に測定され得る。例えば、１つの装置
は、Ｙｅｌｌｏｗ Ｓｐｒｉｎｇｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅ
ｎｔ Ｃｏｍｐａｎｙからの商品名ＹＳＩ Ｍｏｄｅｌ
５７ Ｓｅｒｉｅｓ Ｄｉｓｓｏｌｖｅｄ Ｏｘｉｇ
ｅｎ Ｍｅｔｅｒである。Ｗｉｎｋｌｅｒ法に基づいた
試薬の方法はまた、使用され得る。ビュレット滴定法、
デジタル滴定法、または液滴カウント滴定法を用いる、
溶存酸素試薬のセット、溶存酸素試薬ＡｃｃｕＶａｃ
（登録商標）アンプル、および溶存酸素のためのＰｏｃ
ｋｅｔ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｅｒ（登録商標）は、Ｈａ
ｃｈ Ｃｏｍｐａｎｙより入手可能である。
【００７０】この実施態様において、通気した水溶液は
必要に応じて金属を含まない；すなわち、通気した水溶
液は添加された金属または金属化合物が無いことによっ
て特徴づけられる。水道水および脱イオン水中の微量の
金属または金属化合物は許容され得る。別の実施態様に
おいて、通気した水溶液は有機溶媒を含まない；すなわ
ち、通気した水溶液は添加された有機溶媒が無いことに
よって特徴づけられる。さらに別の実施態様において、
少量（約２重量％未満または約１重量％未満）の有機溶
媒が、水道水または脱イオン水中に存在し得る。
必要に応じて金属を含まない；すなわち、通気した水溶
液は添加された金属または金属化合物が無いことによっ
て特徴づけられる。水道水および脱イオン水中の微量の
金属または金属化合物は許容され得る。別の実施態様に
おいて、通気した水溶液は有機溶媒を含まない；すなわ
ち、通気した水溶液は添加された有機溶媒が無いことに
よって特徴づけられる。さらに別の実施態様において、
少量（約２重量％未満または約１重量％未満）の有機溶
媒が、水道水または脱イオン水中に存在し得る。
【００７１】銅箔と通気された水溶液との接触によって
形成される酸化物層は非常に薄い。別の実施態様におい
て、酸化物層は約１から約２５Å、しかし約２５Å未満
の厚さを有する。別の実施態様において、銅箔上で得ら
れる酸化物層の厚さは約２から約２０Å、しかし約２０
Å未満である。さらに別の実施態様において、銅箔上で
得られる酸化物層の厚さは約３から約１５Å、しかし約
１５Å未満である。
形成される酸化物層は非常に薄い。別の実施態様におい
て、酸化物層は約１から約２５Å、しかし約２５Å未満
の厚さを有する。別の実施態様において、銅箔上で得ら
れる酸化物層の厚さは約２から約２０Å、しかし約２０
Å未満である。さらに別の実施態様において、銅箔上で
得られる酸化物層の厚さは約３から約１５Å、しかし約
１５Å未満である。
【００７２】水および少なくとも７ｐｐｍの溶存酸素を
含む通気された水溶液は、銅箔上に比較的薄い酸化物層
の形成を導く。溶液中に特定量の溶存酸素が存在すると
いう結果のために、酸化物層の品質は、銅箔を電気分解
的に処理することなく増大する。
含む通気された水溶液は、銅箔上に比較的薄い酸化物層
の形成を導く。溶液中に特定量の溶存酸素が存在すると
いう結果のために、酸化物層の品質は、銅箔を電気分解
的に処理することなく増大する。
【００７３】（実施例６）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、薄い褐色酸化物層を
提供するために、銅層の片側を、約２０秒間、約３０℃
で、約１２ｐｐｍの溶存酸素を含む酸化溶液と接触する
以外は、実施例１の第二の可撓性積層体と同じである。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、薄い褐色酸化物層を
提供するために、銅層の片側を、約２０秒間、約３０℃
で、約１２ｐｐｍの溶存酸素を含む酸化溶液と接触する
以外は、実施例１の第二の可撓性積層体と同じである。
【００７４】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２５，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２５，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
【００７５】クロム処理を含む銅処理は、銅層の比較的
大きな領域にわたって局所的に課されたエネルギーを分
散し、および／または局所的に課されたエネルギーを吸
収して、それによって銅層へのエネルギーを分散するた
めに機能する。１実施態様において、クロム処理は銅層
とクロム酸塩（ＣｒＯ3）溶液とを接触する工程を含
む。これは、スプレーまたはクロム酸塩溶液中への銅層
の浸漬によって達成され得る。クロム酸塩は、クロム酸
カリウムおよびクロム酸マグネシウムを含む多くの供給
源から誘導され得る。１実施態様において、クロム酸塩
溶液中のクロム酸塩の濃度は、約０．１ｇ／ｌから約１
０ｇ／ｌである。別の実施態様において、クロム酸塩溶
液中のクロム酸塩の濃度は、約１ｇ／ｌから約５ｇ／ｌ
である。１実施態様において、銅箔は、約１秒から約１
００秒、好ましくは約３秒から約１０分、クロム酸塩溶
液に接触される。
大きな領域にわたって局所的に課されたエネルギーを分
散し、および／または局所的に課されたエネルギーを吸
収して、それによって銅層へのエネルギーを分散するた
めに機能する。１実施態様において、クロム処理は銅層
とクロム酸塩（ＣｒＯ3）溶液とを接触する工程を含
む。これは、スプレーまたはクロム酸塩溶液中への銅層
の浸漬によって達成され得る。クロム酸塩は、クロム酸
カリウムおよびクロム酸マグネシウムを含む多くの供給
源から誘導され得る。１実施態様において、クロム酸塩
溶液中のクロム酸塩の濃度は、約０．１ｇ／ｌから約１
０ｇ／ｌである。別の実施態様において、クロム酸塩溶
液中のクロム酸塩の濃度は、約１ｇ／ｌから約５ｇ／ｌ
である。１実施態様において、銅箔は、約１秒から約１
００秒、好ましくは約３秒から約１０分、クロム酸塩溶
液に接触される。
【００７６】（実施例７）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約７
秒間、約２５℃の温度で、約２ｇ／ｌのクロム酸塩を含
むクロム酸塩溶液と接触する以外は、実施例１の第二の
可撓性積層体と同じである。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約７
秒間、約２５℃の温度で、約２ｇ／ｌのクロム酸塩を含
むクロム酸塩溶液と接触する以外は、実施例１の第二の
可撓性積層体と同じである。
【００７７】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を２０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を３０，０００，０００のサイク
ルで示す。
【００７８】別の実施態様において、クロム酸塩処理
は、クロム酸塩溶液中のカソード処理を含む。特に、銅
箔をクロム含有電解槽中に配置する。クロム含有電解槽
は、クロム化合物および必要に応じて効率を増強させる
添加剤を含む、水溶液である。この槽に電流が適用され
て、その結果、銅箔上にカソードのクロム層が電気分解
的に堆積する。クロム化合物は、銅箔上にカソードのク
ロムまたはクロムの薄層を堆積させ得る任意の化合物で
ある。クロム化合物の例には、酸化クロム（例えば、三
酸化クロム）、クロム無水物、クロム酸、六価クロム化
合物、二クロム酸塩（例えば、二クロム酸カリウムおよ
び二クロム酸ナトリウム）、ならびにクロム酸塩（例え
ば、クロム酸塩カリウム、クロム酸塩ナトリウムおよび
クロム酸塩マグネシウム）が挙げられる。クロム化合物
は、クロム含有電解槽中に、約０．１から約５ｇ／ｌ、
好ましくは約１から約３ｇ／ｌの量で存在する。
は、クロム酸塩溶液中のカソード処理を含む。特に、銅
箔をクロム含有電解槽中に配置する。クロム含有電解槽
は、クロム化合物および必要に応じて効率を増強させる
添加剤を含む、水溶液である。この槽に電流が適用され
て、その結果、銅箔上にカソードのクロム層が電気分解
的に堆積する。クロム化合物は、銅箔上にカソードのク
ロムまたはクロムの薄層を堆積させ得る任意の化合物で
ある。クロム化合物の例には、酸化クロム（例えば、三
酸化クロム）、クロム無水物、クロム酸、六価クロム化
合物、二クロム酸塩（例えば、二クロム酸カリウムおよ
び二クロム酸ナトリウム）、ならびにクロム酸塩（例え
ば、クロム酸塩カリウム、クロム酸塩ナトリウムおよび
クロム酸塩マグネシウム）が挙げられる。クロム化合物
は、クロム含有電解槽中に、約０．１から約５ｇ／ｌ、
好ましくは約１から約３ｇ／ｌの量で存在する。
【００７９】任意の性能増強添加剤は、亜鉛の塩のよう
な亜鉛化合物（例えば、酢酸亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛
および硫酸亜鉛）を含む。
な亜鉛化合物（例えば、酢酸亜鉛、塩化亜鉛、硝酸亜鉛
および硫酸亜鉛）を含む。
【００８０】１実施態様において、電着工程の間のクロ
ム含有電解槽の温度は、約１５℃から約３０℃、好まし
くは約２０℃から約２５℃である。クロム含有電解槽の
ｐＨは、特定の実施態様の特定のクロム化合物の主体性
に依存し、従って重要ではない。１実施態様において、
クロム含有電解槽に適用される電流密度は、約１０から
約４０ＡＳＦである。別の実施態様において、電流密度
は、約１５から約３５ＡＳＦ、より好ましくは約２０か
ら約３０ＡＳＦである。銅箔を、銅箔表面上への比較的
薄いが均一なカソードクロム層の形成を可能とするため
に十分な時間、クロム含有電解槽中に置く。１実施態様
において、銅箔を、クロム含有電解槽中に約２から約２
０秒、より好ましくは約５から約１０秒置く。
ム含有電解槽の温度は、約１５℃から約３０℃、好まし
くは約２０℃から約２５℃である。クロム含有電解槽の
ｐＨは、特定の実施態様の特定のクロム化合物の主体性
に依存し、従って重要ではない。１実施態様において、
クロム含有電解槽に適用される電流密度は、約１０から
約４０ＡＳＦである。別の実施態様において、電流密度
は、約１５から約３５ＡＳＦ、より好ましくは約２０か
ら約３０ＡＳＦである。銅箔を、銅箔表面上への比較的
薄いが均一なカソードクロム層の形成を可能とするため
に十分な時間、クロム含有電解槽中に置く。１実施態様
において、銅箔を、クロム含有電解槽中に約２から約２
０秒、より好ましくは約５から約１０秒置く。
【００８１】１実施態様において、得られるカソードク
ロム層の厚さは約２５から約１２５Åである。好ましい
実施態様において、得られるカソードクロム層の厚さは
約５０から約１００Åである。カソードクロム層の厚さ
は、銅箔の表面全体にわたって実質的に均一であり、そ
して銅箔の表面上の任意の輪郭に従う。
ロム層の厚さは約２５から約１２５Åである。好ましい
実施態様において、得られるカソードクロム層の厚さは
約５０から約１００Åである。カソードクロム層の厚さ
は、銅箔の表面全体にわたって実質的に均一であり、そ
して銅箔の表面上の任意の輪郭に従う。
【００８２】（実施例８）１つは従来のものであり、そ
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約１
０秒間、約２５℃の温度で、２５ＡＳＦで、約３ｇ／ｌ
のクロムを含むクロム含有電解槽と接触する以外は、実
施例１の第二の可撓性積層体と同じである。
して１つは本発明によるものである、２つの可撓性積層
体を提供する。第一の可撓性積層体（従来の）は、実施
例１で示した第一の可撓性積層体と同じである。第二の
可撓性積層体（本発明による）は、銅層の片側を、約１
０秒間、約２５℃の温度で、２５ＡＳＦで、約３ｇ／ｌ
のクロムを含むクロム含有電解槽と接触する以外は、実
施例１の第二の可撓性積層体と同じである。
【００８３】可撓性積層体を、図１に示されるのと同様
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を３０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイク
ルで示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００のサイク
ルの間隔で、銅箔を約１６００倍の倍率下で試験して、
微小亀裂の存在および程度を測定する。第一の可撓性積
層体は、いくらかの微小亀裂を５，０００，０００のサ
イクルで、および広がった微小亀裂（いくらかは銅箔を
貫く）を１０，０００，０００のサイクルで示す。第二
の可撓性積層体は、いくらかの微小亀裂を３０，００
０，０００のサイクルで、および広がった微小亀裂（い
くらかは銅箔を貫く）を４０，０００，０００のサイク
ルで示す。
【００８４】さらに別の実施態様において、クロム処理
は、亜鉛および亜リン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）の
ような水素阻害剤を含む、酸性クロム酸塩溶液中のカソ
ード処理を含む。クロム処理は、銅箔を、亜鉛イオン、
クロムイオンおよび少なくとも１つの水素阻害剤を含む
電解質溶液と接触させることによって、銅箔に金属層を
適用する。電解質溶液のための亜鉛イオンの供給源は、
任意の亜鉛塩であり得る。例には、ＺｎＳＯ4、ＺｎＣ
Ｏ3、ＺｎＣｒＯ4、ポリリン酸亜鉛、スルファミン酸亜
鉛、などが挙げられる。電解質溶液のためのクロムイオ
ンの供給源は、任意の六価クロム塩または化合物であり
得、例には、ＺｎＣｒＯ4、ＣｒＯ3、三酸化クロム、ク
ロム無水物、六価クロム化合物、二クロム酸塩（例え
ば、二クロム酸カリウムおよび二クロム酸ナトリウ
ム）、ならびにクロム酸塩（例えば、クロム酸カリウ
ム、クロム酸ナトリウムおよびクロム酸マグネシウム）
が挙げられる。
は、亜鉛および亜リン酸（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）の
ような水素阻害剤を含む、酸性クロム酸塩溶液中のカソ
ード処理を含む。クロム処理は、銅箔を、亜鉛イオン、
クロムイオンおよび少なくとも１つの水素阻害剤を含む
電解質溶液と接触させることによって、銅箔に金属層を
適用する。電解質溶液のための亜鉛イオンの供給源は、
任意の亜鉛塩であり得る。例には、ＺｎＳＯ4、ＺｎＣ
Ｏ3、ＺｎＣｒＯ4、ポリリン酸亜鉛、スルファミン酸亜
鉛、などが挙げられる。電解質溶液のためのクロムイオ
ンの供給源は、任意の六価クロム塩または化合物であり
得、例には、ＺｎＣｒＯ4、ＣｒＯ3、三酸化クロム、ク
ロム無水物、六価クロム化合物、二クロム酸塩（例え
ば、二クロム酸カリウムおよび二クロム酸ナトリウ
ム）、ならびにクロム酸塩（例えば、クロム酸カリウ
ム、クロム酸ナトリウムおよびクロム酸マグネシウム）
が挙げられる。
【００８５】水素阻害剤は、この実施態様の電解質溶液
の任意の添加剤であり得、適用プロセスの間の水素の発
生を阻害する。これらは以下のイオンを含む：Ｐ+3、Ｗ
+6、Ｖ+5、Ａｓ+5、Ａｓ+3、Ｐｂ+2、Ｐｂ+4、Ｈｇ+1、
Ｈｇ+2、Ｃｄ+2または第四級アンモニウムイオン。 Ｐ
+3、Ｗ+6およびＶ+5が特に好ましく、 Ｐ+3が非常に好
ましい。これらのイオンのための供給源には、Ｈ3Ｐ
Ｏ3、Ｎａ2ＷＯ4、Ｎａ3ＶＯ4、ＨＡｓＯ3、Ｐｂ（ＮＯ
3）2、Ｐｂ（ＮＯ3）4、Ｈｇ2ＳＯ4、ＨｇＳＯ4、Ｃｄ
ＳＯ4、などが挙げられる。
の任意の添加剤であり得、適用プロセスの間の水素の発
生を阻害する。これらは以下のイオンを含む：Ｐ+3、Ｗ
+6、Ｖ+5、Ａｓ+5、Ａｓ+3、Ｐｂ+2、Ｐｂ+4、Ｈｇ+1、
Ｈｇ+2、Ｃｄ+2または第四級アンモニウムイオン。 Ｐ
+3、Ｗ+6およびＶ+5が特に好ましく、 Ｐ+3が非常に好
ましい。これらのイオンのための供給源には、Ｈ3Ｐ
Ｏ3、Ｎａ2ＷＯ4、Ｎａ3ＶＯ4、ＨＡｓＯ3、Ｐｂ（ＮＯ
3）2、Ｐｂ（ＮＯ3）4、Ｈｇ2ＳＯ4、ＨｇＳＯ4、Ｃｄ
ＳＯ4、などが挙げられる。
【００８６】第四級アンモニウムイオンは、任意の化合
物または以下の式から誘導されるカチオンであり得、
物または以下の式から誘導されるカチオンであり得、
【００８７】
【化１】
【００８８】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、独立
して１から約１６の炭素原子、１実施態様では１から約
８の炭素原子、１実施態様では約４の炭素原子の炭化水
素基であり、そしてＸ-はアニオン（例えば、Ｃｌ-、Ｏ
Ｈ-、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩または第四級アンモ
ニウムの対イオンとして作用する他のアニオン）であ
る。特に好ましい第四級イオンには、水酸化テトラブチ
ルアンモニウムから誘導されるテトラブチルアンモニウ
ムイオンが挙げられる。
して１から約１６の炭素原子、１実施態様では１から約
８の炭素原子、１実施態様では約４の炭素原子の炭化水
素基であり、そしてＸ-はアニオン（例えば、Ｃｌ-、Ｏ
Ｈ-、炭酸塩、炭酸水素塩、硝酸塩または第四級アンモ
ニウムの対イオンとして作用する他のアニオン）であ
る。特に好ましい第四級イオンには、水酸化テトラブチ
ルアンモニウムから誘導されるテトラブチルアンモニウ
ムイオンが挙げられる。
【００８９】電解質溶液中の亜鉛イオンの濃度は、一般
に約０．１から約２ｇ／ｌ、１実施態様では約０．３か
ら約１ｇ／ｌ、別の実施態様では約０．４から約０．５
ｇ／ｌの範囲である。電解質溶液中のクロムイオンの濃
度は、一般に約０．３から約５ｇ／ｌ、１実施態様では
約０．５から約３ｇ／ｌ、別の実施態様では約０．５か
ら約１．０ｇ／ｌの範囲である。水素阻害剤イオンの濃
度は、一般に約５ｐｐｍから約１０００ｐｐｍ、１実施
態様では約１００ｐｐｍから約５００ｐｐｍの範囲であ
る。１実施態様では、電解質溶液中のＰ+3イオンの濃度
は、約１００ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、１実施態様で
は約１５０ｐｐｍから約２５０ｐｐｍの範囲である。
に約０．１から約２ｇ／ｌ、１実施態様では約０．３か
ら約１ｇ／ｌ、別の実施態様では約０．４から約０．５
ｇ／ｌの範囲である。電解質溶液中のクロムイオンの濃
度は、一般に約０．３から約５ｇ／ｌ、１実施態様では
約０．５から約３ｇ／ｌ、別の実施態様では約０．５か
ら約１．０ｇ／ｌの範囲である。水素阻害剤イオンの濃
度は、一般に約５ｐｐｍから約１０００ｐｐｍ、１実施
態様では約１００ｐｐｍから約５００ｐｐｍの範囲であ
る。１実施態様では、電解質溶液中のＰ+3イオンの濃度
は、約１００ｐｐｍから約５００ｐｐｍ、１実施態様で
は約１５０ｐｐｍから約２５０ｐｐｍの範囲である。
【００９０】電解質溶液は、Ｎａ2ＳＯ4のような他の添
加剤を、約１から約５０ｇ／ｌ、１実施態様では約１０
から約２０ｇ／ｌの範囲の濃度で含み得る。電解質溶液
のｐＨは一般に、約３から約６、１実施態様では約４か
ら約５の範囲である。使用される電流密度は一般に、約
１から約１００ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲、１実施態様で
は約２５から約５０ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲、別の実施
態様では約３０ａｍｐｓ／ｆｔ2である。
加剤を、約１から約５０ｇ／ｌ、１実施態様では約１０
から約２０ｇ／ｌの範囲の濃度で含み得る。電解質溶液
のｐＨは一般に、約３から約６、１実施態様では約４か
ら約５の範囲である。使用される電流密度は一般に、約
１から約１００ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲、１実施態様で
は約２５から約５０ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲、別の実施
態様では約３０ａｍｐｓ／ｆｔ2である。
【００９１】電解質溶液の温度は一般に、約２０℃から
約１００℃、１実施態様では約２５℃から約４５℃の範
囲である。採用されるめっき時間は一般に、約１から約
３０秒、１実施態様では約５から約２０秒の範囲であ
る。１実施態様では、全体の処理時間は約１から約１０
秒、別の実施態様では、全体の処理時間は約２から約８
秒である。
約１００℃、１実施態様では約２５℃から約４５℃の範
囲である。採用されるめっき時間は一般に、約１から約
３０秒、１実施態様では約５から約２０秒の範囲であ
る。１実施態様では、全体の処理時間は約１から約１０
秒、別の実施態様では、全体の処理時間は約２から約８
秒である。
【００９２】１実施態様では、電解質溶液中のクロムイ
オンの亜鉛イオンに対するモル比は、約０．２から約１
０、１実施態様では約１から約５の範囲である。電解質
溶液中の亜鉛イオンの水素阻害剤イオンに対するモル比
は、１実施態様では約０．４から約１０、１実施態様で
は約１から約２の範囲である。
オンの亜鉛イオンに対するモル比は、約０．２から約１
０、１実施態様では約１から約５の範囲である。電解質
溶液中の亜鉛イオンの水素阻害剤イオンに対するモル比
は、１実施態様では約０．４から約１０、１実施態様で
は約１から約２の範囲である。
【００９３】銅箔に適用される、得られるカソード層の
厚さは、一般に、約０．００１から約０．５ミクロン、
１実施態様において、約０．００５から約０．０１ミク
ロンの範囲である。
厚さは、一般に、約０．００１から約０．５ミクロン、
１実施態様において、約０．００５から約０．０１ミク
ロンの範囲である。
【００９４】（実施例９）２つの可撓性積層体が提供さ
れ、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。第
１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載される
第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層体
（本発明に従う）は、銅層の片側が、３０ＡＳＦ下にお
いて約１０秒間約２５℃の温度で、約０．５ｇ／ｌの亜
鉛、約２ｇ／ｌのクロムおよび約２００ｐｐｍのリンを
含む酸性電解槽と接触することを除いては、実施例１の
第２の可撓性積層体と同じである。
れ、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。第
１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載される
第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層体
（本発明に従う）は、銅層の片側が、３０ＡＳＦ下にお
いて約１０秒間約２５℃の温度で、約０．５ｇ／ｌの亜
鉛、約２ｇ／ｌのクロムおよび約２００ｐｐｍのリンを
含む酸性電解槽と接触することを除いては、実施例１の
第２の可撓性積層体と同じである。
【００９５】可撓性積層体を、図１に示されるものと類
似の曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイク
ルの間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微
小亀裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層
体は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および１０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積
層体は、３５，０００，０００サイクルで幾つかの微小
亀裂および４５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
似の曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイク
ルの間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微
小亀裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層
体は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および１０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積
層体は、３５，０００，０００サイクルで幾つかの微小
亀裂および４５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【００９６】銅処理は亜鉛酸化処理を含み得る。亜鉛酸
化処理は酸化亜鉛を形成し、これは、銅層の比較的大き
な領域にわたり局所的に課せられるエネルギーを分配す
るためにおよび／または局所的に課せられるエネルギー
を吸収し、それによって銅層に作動するエネルギーを分
散するように機能する。
化処理は酸化亜鉛を形成し、これは、銅層の比較的大き
な領域にわたり局所的に課せられるエネルギーを分配す
るためにおよび／または局所的に課せられるエネルギー
を吸収し、それによって銅層に作動するエネルギーを分
散するように機能する。
【００９７】１実施態様において、亜鉛金属層を銅箔上
に堆積し、続いて、酸化によって酸化亜鉛層を得た。亜
鉛金属層は約２Å〜約６０Åの厚さを有し、別の実施態
様においては約２Å〜約５０Å、なお別の実施態様にお
いては約５Å〜約４０Å、なおさらに別の実施態様にお
いては約１０Å〜約３５Åの厚さを有する。
に堆積し、続いて、酸化によって酸化亜鉛層を得た。亜
鉛金属層は約２Å〜約６０Åの厚さを有し、別の実施態
様においては約２Å〜約５０Å、なお別の実施態様にお
いては約５Å〜約４０Å、なおさらに別の実施態様にお
いては約１０Å〜約３５Åの厚さを有する。
【００９８】１実施態様において、亜鉛金属層を、蒸着
を使用して銅箔表面に塗布する。当該分野で公知の任意
の蒸着技術が使用され得る。これらは、物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）および化学蒸着（ＣＶＤ）技術を含む。物理蒸着
は、熱エパポレーション、電子ビーム堆積、誘導および
／または抵抗堆積、イオンめっき、スパッタリング、プ
ラズマ活性エバポレーション、反応エパポレーション、
および活性化反応エバポレーションを含む。物理蒸着は
また、文献中で、真空金属被覆（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔ
ｉｏｎ）および気化コーティングとして引用される。熱
蒸着手順において、銅箔に塗布される亜鉛金属を高真空
中で（例えば１０-2〜約１０-6ｔｏｒｒ）加熱し、この
際に、亜鉛金属はエバポレートするかまたは昇華し、そ
して銅箔表面へ移行する。スパッタリング行程におい
て、プラズマ放電中に生成したエネルギー的に不活性な
イオンは標的を衝撃し、そして運動量交換によって亜鉛
金属の放出を引き起こす。基板と周囲の気体雰囲気との
間の温度または濃度勾配により誘導される化学反応によ
り亜鉛金属の移動が行われる化学蒸着と比べると、物理
蒸着は本質的に、物理的手段のみによる亜鉛金属の移動
および銅箔上の亜鉛層の形成を含む。蒸着の原理および
種々の金属の蒸着に有用な方法は、ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ， Ｃ．Ｆ．Ｐｏｗｅｌｌら編、Ｊｏｈｎ
Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ，１９９６に記載され、これは本明細書中に参考とし
て援用される。
を使用して銅箔表面に塗布する。当該分野で公知の任意
の蒸着技術が使用され得る。これらは、物理蒸着（ＰＶ
Ｄ）および化学蒸着（ＣＶＤ）技術を含む。物理蒸着
は、熱エパポレーション、電子ビーム堆積、誘導および
／または抵抗堆積、イオンめっき、スパッタリング、プ
ラズマ活性エバポレーション、反応エパポレーション、
および活性化反応エバポレーションを含む。物理蒸着は
また、文献中で、真空金属被覆（ｍｅｔａｌｌｉｚａｔ
ｉｏｎ）および気化コーティングとして引用される。熱
蒸着手順において、銅箔に塗布される亜鉛金属を高真空
中で（例えば１０-2〜約１０-6ｔｏｒｒ）加熱し、この
際に、亜鉛金属はエバポレートするかまたは昇華し、そ
して銅箔表面へ移行する。スパッタリング行程におい
て、プラズマ放電中に生成したエネルギー的に不活性な
イオンは標的を衝撃し、そして運動量交換によって亜鉛
金属の放出を引き起こす。基板と周囲の気体雰囲気との
間の温度または濃度勾配により誘導される化学反応によ
り亜鉛金属の移動が行われる化学蒸着と比べると、物理
蒸着は本質的に、物理的手段のみによる亜鉛金属の移動
および銅箔上の亜鉛層の形成を含む。蒸着の原理および
種々の金属の蒸着に有用な方法は、ＶａｐｏｒＤｅｐｏ
ｓｉｔｉｏｎ， Ｃ．Ｆ．Ｐｏｗｅｌｌら編、Ｊｏｈｎ
Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．，Ｎｅｗ Ｙｏｒ
ｋ，１９９６に記載され、これは本明細書中に参考とし
て援用される。
【００９９】化学蒸着は、通常、ハロゲン化亜鉛を気化
し、そして箔表面における蒸気を分解または反応し、コ
ーティングとして箔の表面上に非揮発性亜鉛金属を生成
することにより達成される。蒸着の化学反応は、熱堆積
または熱分解、水素還元、金属蒸気による還元、銅箔と
の反応、化学輸送反応などによって行われ得る。これら
の手順は、Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，Ｃ．
Ｆ．Ｐｏｗｅｌｌ ら、Ｊ．Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉ
ｎｃ．，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９６の９章に詳細に
記載される。この章はＣＶＤプロセスの説明に関して、
本明細書中に参考として援用される。
し、そして箔表面における蒸気を分解または反応し、コ
ーティングとして箔の表面上に非揮発性亜鉛金属を生成
することにより達成される。蒸着の化学反応は、熱堆積
または熱分解、水素還元、金属蒸気による還元、銅箔と
の反応、化学輸送反応などによって行われ得る。これら
の手順は、Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，Ｃ．
Ｆ．Ｐｏｗｅｌｌ ら、Ｊ．Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉ
ｎｃ．，Ｎｅｗ Ｙｏｒｋ， １９９６の９章に詳細に
記載される。この章はＣＶＤプロセスの説明に関して、
本明細書中に参考として援用される。
【０１００】亜鉛金属層を、公知の電気めっき技術を使
用して表面に六価の酸化クロム層を適用することによっ
て酸化する。このプロセスの間、六価の酸化クロムは三
価クロム酸化物に転換するかまたは還元される。得られ
る三価の酸化クロム層は厚さ約２０Å〜約１００Åを有
し、１実施態様においては厚さ約２０Å〜約６０Å、お
よび別の実施態様において厚さ約３０Å〜約４０Åを有
する。六価の酸化クロムの原料は、三酸化クロム（Ｃｒ
Ｏ3）、クロミルアミド（ＣｒＯ2（ＮＨ2）2）またはク
ロミルクロリド（ＣｒＯ2Ｃｌ2）のようなクロミル（Ｃ
ｒＯ2 ++）化合物、Ｎａ2Ｃｒ2Ｏ4またはＫ2Ｃｒ2Ｏ4の
ようなクロム酸塩（ＣｒＯ4 =）化合物、あるいはＮａ2
Ｃｒ2Ｏ7またはＫ2Ｃｒ2Ｏ7のようなジクロム酸塩（Ｃ
ｒ2Ｏ7 =）化合物であり得る。電解溶液中の六価の酸化
クロム化合物の濃度は一般に、約１〜約５ｇ／ｌの範囲
にあり、１実施態様においては約２〜約４ｇ／ｌであ
り、別の実施態様において約３ｇ／ｌである。電解溶液
は、約１５ｇ／ｌまでの範囲内の濃度でＮａ2ＳＯ4のよ
うな他の従来の添加剤を含み得、１実施態様において
は、１から約１５ｇ／ｌである。電解溶液に使用される
ｐＨは通常、約１．５〜約９の範囲内にある。電流密度
は通常、約２〜約２０ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲内にあ
り、１実施態様においては約１０〜約２０ａｍｐｓ／ｆ
ｔ2の範囲内にある。電解溶液の温度は通常、約２０〜
約５０℃の範囲内にあり、１実施態様においては約３５
〜約４０℃の範囲内にある。通常、使用されるめっき時
間は、約２〜約１５秒の範囲内にあり、１実施態様にお
いては約５〜約１２秒である。
用して表面に六価の酸化クロム層を適用することによっ
て酸化する。このプロセスの間、六価の酸化クロムは三
価クロム酸化物に転換するかまたは還元される。得られ
る三価の酸化クロム層は厚さ約２０Å〜約１００Åを有
し、１実施態様においては厚さ約２０Å〜約６０Å、お
よび別の実施態様において厚さ約３０Å〜約４０Åを有
する。六価の酸化クロムの原料は、三酸化クロム（Ｃｒ
Ｏ3）、クロミルアミド（ＣｒＯ2（ＮＨ2）2）またはク
ロミルクロリド（ＣｒＯ2Ｃｌ2）のようなクロミル（Ｃ
ｒＯ2 ++）化合物、Ｎａ2Ｃｒ2Ｏ4またはＫ2Ｃｒ2Ｏ4の
ようなクロム酸塩（ＣｒＯ4 =）化合物、あるいはＮａ2
Ｃｒ2Ｏ7またはＫ2Ｃｒ2Ｏ7のようなジクロム酸塩（Ｃ
ｒ2Ｏ7 =）化合物であり得る。電解溶液中の六価の酸化
クロム化合物の濃度は一般に、約１〜約５ｇ／ｌの範囲
にあり、１実施態様においては約２〜約４ｇ／ｌであ
り、別の実施態様において約３ｇ／ｌである。電解溶液
は、約１５ｇ／ｌまでの範囲内の濃度でＮａ2ＳＯ4のよ
うな他の従来の添加剤を含み得、１実施態様において
は、１から約１５ｇ／ｌである。電解溶液に使用される
ｐＨは通常、約１．５〜約９の範囲内にある。電流密度
は通常、約２〜約２０ａｍｐｓ／ｆｔ2の範囲内にあ
り、１実施態様においては約１０〜約２０ａｍｐｓ／ｆ
ｔ2の範囲内にある。電解溶液の温度は通常、約２０〜
約５０℃の範囲内にあり、１実施態様においては約３５
〜約４０℃の範囲内にある。通常、使用されるめっき時
間は、約２〜約１５秒の範囲内にあり、１実施態様にお
いては約５〜約１２秒である。
【０１０１】酸化亜鉛層は、約３Å〜約８０Åの厚さを
有し、１実施態様においては約５Å〜約６０Åの厚さを
有し、他の実施態様においては約１０Å〜約５０Åの厚
さを有し、そしてなお別の実施態様においては約１５Å
〜約４０Åの厚さを有し、そしてなおさらに別の実施態
様においては約２０Å〜約３５Åの厚さを有する。
有し、１実施態様においては約５Å〜約６０Åの厚さを
有し、他の実施態様においては約１０Å〜約５０Åの厚
さを有し、そしてなお別の実施態様においては約１５Å
〜約４０Åの厚さを有し、そしてなおさらに別の実施態
様においては約２０Å〜約３５Åの厚さを有する。
【０１０２】（実施例１０）２つの可撓性積層体が提供
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、銅層の片側が約６０Åの深さま
で亜鉛で蒸着することによって接触することを除いて
は、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次い
で、銅箔で処理された亜鉛を、約４０℃で約１０秒間１
５ＡＳＦ下で３ｇ／ｌの六価の酸化クロム電解溶液と接
触する。
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、銅層の片側が約６０Åの深さま
で亜鉛で蒸着することによって接触することを除いて
は、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次い
で、銅箔で処理された亜鉛を、約４０℃で約１０秒間１
５ＡＳＦ下で３ｇ／ｌの六価の酸化クロム電解溶液と接
触する。
【０１０３】可撓性積層体を図１に示した積層体と類似
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクル
の間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小
亀裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、４０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および５５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
の曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクル
の間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小
亀裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、４０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および５５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【０１０４】銅処理は上記の銅処理の１つと組み合わせ
たタイコート（ｔｉｅ ｃｏａｔ）の堆積を含み得る。
タイコートは、銅層の比較的大きな領域にわたり局所的
に課せられるエネルギーを分配するためにおよび／また
は局所的に課せられるエネルギーを吸収し、それによっ
て銅層に作動するエネルギーを分散するように機能す
る。一般に、タイコートの堆積は金属の堆積工程を含
む。
たタイコート（ｔｉｅ ｃｏａｔ）の堆積を含み得る。
タイコートは、銅層の比較的大きな領域にわたり局所的
に課せられるエネルギーを分配するためにおよび／また
は局所的に課せられるエネルギーを吸収し、それによっ
て銅層に作動するエネルギーを分散するように機能す
る。一般に、タイコートの堆積は金属の堆積工程を含
む。
【０１０５】１実施態様において、タイコート堆積はク
ロムタイコートの堆積を含む。別の実施態様において
は、タイコート処理はニッケルタイコートの堆積を含
む。クロムタイコートはクロムまたはクロムベースの合
金からなる。合金金属はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍ
ｎ、Ｃｏおよびそれらの２個以上の混合物から選択され
る。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆｅ、Ｖ、ＴｉおよびＮ
ｉを含む。クロムタイコート層は約３０Å〜約５００Å
の範囲内の厚さを有し、１実施態様においては、約５０
Å〜約３００Åの範囲内の厚さを有する。
ロムタイコートの堆積を含む。別の実施態様において
は、タイコート処理はニッケルタイコートの堆積を含
む。クロムタイコートはクロムまたはクロムベースの合
金からなる。合金金属はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、
Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍ
ｎ、Ｃｏおよびそれらの２個以上の混合物から選択され
る。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆｅ、Ｖ、ＴｉおよびＮ
ｉを含む。クロムタイコート層は約３０Å〜約５００Å
の範囲内の厚さを有し、１実施態様においては、約５０
Å〜約３００Åの範囲内の厚さを有する。
【０１０６】クロムタイコート層は、必要に応じて、そ
れに付着した銅シードコート層を有する。銅シードコー
ト層は約２００Å〜約２００００Åの厚さを有し、１実
施態様においては約１２００Å〜約５０００Åの厚さを
有する。
れに付着した銅シードコート層を有する。銅シードコー
ト層は約２００Å〜約２００００Åの厚さを有し、１実
施態様においては約１２００Å〜約５０００Åの厚さを
有する。
【０１０７】ニッケルタイコート層は、ニッケルまたは
ニッケルベースの合金からなる。合金金属はＣｕ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏおよびそれらの２個以上の
混合物から選択される。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆ
ｅ、Ｖ、ＴｉおよびＣｒを含む。ニッケルタイコート層
は約３０Å〜約５００Åの範囲内の厚さを有し、１実施
態様においては約５０Å〜約３００Åの範囲内の厚さを
有する。
ニッケルベースの合金からなる。合金金属はＣｕ、Ｃ
ｒ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏおよびそれらの２個以上の
混合物から選択される。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆ
ｅ、Ｖ、ＴｉおよびＣｒを含む。ニッケルタイコート層
は約３０Å〜約５００Åの範囲内の厚さを有し、１実施
態様においては約５０Å〜約３００Åの範囲内の厚さを
有する。
【０１０８】ニッケルタイコート層は、必要に応じて、
それに付着した銅シードコート層を有し得る。銅シード
コート層は約２００Å〜約２００００Åの厚さを有し、
１実施態様においては約１２００Å〜約５０００Åの厚
さを有する。
それに付着した銅シードコート層を有し得る。銅シード
コート層は約２００Å〜約２００００Åの厚さを有し、
１実施態様においては約１２００Å〜約５０００Åの厚
さを有する。
【０１０９】タイコートは当業者に公知の任意の蒸着技
術を使用して形成され得るか、または堆積され得、この
ような技術は物理蒸着（ＰＶＤ）および化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）を含む。熱エバポレーション堆積手順において、堆
積のための金属性材料を、高真空中で（例えば約１ｍＴ
ｏｒｒ未満の基本圧、１実施態様においては約０．００
１ｍＴｏｒｒの基本圧）で加熱し、ここで、金属性材料
は、エバポレートするか、または昇華し、そして基板へ
移動する。化学蒸着は通常、金属性ハロゲン化物を気化
し、そして基板表面における蒸気を分解または反応し、
コーティングとして基板の表面上に非揮発性金属を生成
することにより達成される。
術を使用して形成され得るか、または堆積され得、この
ような技術は物理蒸着（ＰＶＤ）および化学蒸着（ＣＶ
Ｄ）を含む。熱エバポレーション堆積手順において、堆
積のための金属性材料を、高真空中で（例えば約１ｍＴ
ｏｒｒ未満の基本圧、１実施態様においては約０．００
１ｍＴｏｒｒの基本圧）で加熱し、ここで、金属性材料
は、エバポレートするか、または昇華し、そして基板へ
移動する。化学蒸着は通常、金属性ハロゲン化物を気化
し、そして基板表面における蒸気を分解または反応し、
コーティングとして基板の表面上に非揮発性金属を生成
することにより達成される。
【０１１０】スパッタリングはタイコートを堆積するた
めの有用な蒸着技術である。この技術は、エネルギー性
原子またはカソード標的を攻撃するイオンによって引き
起こされる物質輸送現象を含み、これはカソード標的を
構成する物質がモーメント移動機構を介して蒸気状態へ
の移行を引き起こし、結果として異なる表面になる。コ
ートされる基板はカソードに隣接して配置される。カソ
ード標的は、コーティングを形成する物質からなる。カ
ソードを高い負の電圧に供し、低圧において不活性ガス
雰囲気中に配置される。高い電圧の影響下で、大気イオ
ンはカソード標的の表面に対して加速され、ここでイオ
ンのモーメントはカソード標的の表面上の原子に移行さ
れ、カソード標的の表面から原子を放出し、これらが接
触し隣接した基板への付着を引き起こす。有用な不活性
ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンなどを含む。
めの有用な蒸着技術である。この技術は、エネルギー性
原子またはカソード標的を攻撃するイオンによって引き
起こされる物質輸送現象を含み、これはカソード標的を
構成する物質がモーメント移動機構を介して蒸気状態へ
の移行を引き起こし、結果として異なる表面になる。コ
ートされる基板はカソードに隣接して配置される。カソ
ード標的は、コーティングを形成する物質からなる。カ
ソードを高い負の電圧に供し、低圧において不活性ガス
雰囲気中に配置される。高い電圧の影響下で、大気イオ
ンはカソード標的の表面に対して加速され、ここでイオ
ンのモーメントはカソード標的の表面上の原子に移行さ
れ、カソード標的の表面から原子を放出し、これらが接
触し隣接した基板への付着を引き起こす。有用な不活性
ガスは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キ
セノンなどを含む。
【０１１１】堆積のための金属は、Ｃｒ、Ｃｒベースの
合金、ＮｉおよびＮｉベースの合金のうちの少なくとも
１つである。有用な合金金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、およびそれらの２個以上の組合
せを含む。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ
およびＶを含む。特に有用な市販のＮｉ合金は、モネル
（約６７％Ｎｉ、３０％Ｃｕ）、インコネル（約７６％
Ｎｉ、１６％Ｃｒ、８％Ｆｅ）、ニッケル「Ａ」（約９
９．４％Ｎｉ＋Ｃｏ）、ニッケル「Ｄ」（約９５％Ｎ
ｉ、４．５％Ｍｎ）、デュラニッケル（約９４％Ｎｉ、
４．５％Ａｌ）、キャストニッケル（約９７％Ｎｉ、
１．５％Ｓｉ）、「Ｋ」モネル（約６６％Ｎｉ、２９％
Ｃｕ、３％Ａｌ）、モネル（キャスト）（約６３％Ｎ
ｉ、３０％Ｃｕ、１．５％Ｓｉ）、「Ｈ」モネル（キャ
スト）（約６３％Ｎｉ、３０％Ｃｕ、３％Ｓｉ）、
「Ｓ」モネル（キャスト）（約６３％Ｎｉ、３０％Ｃ
ｕ、４％Ｓｉ）、インコネル（キャスト）（約７２％Ｎ
ｉ、１６％Ｃｒ，８％Ｆｅ、２％Ｓｉ）、Ｎｉ−ｏ−ネ
ル（約４２％Ｎｉ、３０％Ｆｅ、２２％Ｃｒ、３％Ｍ
ｏ、２％Ｃｕ、１％Ｔｉ）、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌ
ｌｏｙ）合金Ｂ（約６２％Ｎｉ、２８％Ｍｏ、５％Ｆ
ｅ）、ハステロイ合金Ｃ（約５４％Ｎｉ、１７％Ｍｏ、
１５％Ｃｒ、５％Ｆｅ、４％Ｗ）ハステロイ合金Ｄ（約
８５％Ｎｉ、１０％Ｓｉ、３％Ｃｕ）、ハステロイ合金
Ｆ（約４７％Ｎｉ、２２％Ｃｒ、７％Ｍｏ、１７％Ｆ
ｅ）、ハステロイ合金Ｎ（約７０％Ｎｉ、１７％Ｍｏ、
７％Ｃｒ、５％Ｆｅ）、ハステロイ合金Ｗ（約６２％Ｎ
ｉ、２４．５％Ｍｏ、５％Ｃｒ、５．５％Ｆｅ）、ハス
テロイ合金Ｘ（約４７％Ｎｉ、２２％Ｃｒ、９％Ｍｏ、
１８％Ｆｅ）、イリウムＢ（約５０％Ｎｉ、２８％Ｃ
ｒ、８．５％Ｍｏ、５．５％Ｃｕ）、イリウムＧ（約５
６％Ｎｉ、２２．５％Ｃｒ、６．５％Ｍｏ、６．５％Ｃ
ｕ）、イリウムＲ（約６８％Ｎｉ、２１％Ｃｒ、５％Ｍ
ｏ、３％Ｃｕ）、イリウム９８（約５５％Ｎｉ、２８％
Ｃｒ、８．５％Ｍｏ、５．５％Ｃｕ）、（約８０％Ｎ
ｉ、２０％Ｃｒ）、（約６０％Ｎｉ、２４％Ｆｅ、１６
％Ｃｒ）、（約３５％Ｎｉ、４５％Ｆｅ、２０％Ｃ
ｒ）、（約４５％Ｎｉ、５５％Ｃｕ）などを含む。圧力
は約１．５〜約１５ｍＴｏｒｒの範囲内にあり、１実施
態様においては約２．５〜約１０ｍＴｏｒｒの範囲内に
ある。
合金、ＮｉおよびＮｉベースの合金のうちの少なくとも
１つである。有用な合金金属は、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、
Ｖ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ、Ｉ
ｎ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、およびそれらの２個以上の組合
せを含む。好ましい合金金属はＣｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ
およびＶを含む。特に有用な市販のＮｉ合金は、モネル
（約６７％Ｎｉ、３０％Ｃｕ）、インコネル（約７６％
Ｎｉ、１６％Ｃｒ、８％Ｆｅ）、ニッケル「Ａ」（約９
９．４％Ｎｉ＋Ｃｏ）、ニッケル「Ｄ」（約９５％Ｎ
ｉ、４．５％Ｍｎ）、デュラニッケル（約９４％Ｎｉ、
４．５％Ａｌ）、キャストニッケル（約９７％Ｎｉ、
１．５％Ｓｉ）、「Ｋ」モネル（約６６％Ｎｉ、２９％
Ｃｕ、３％Ａｌ）、モネル（キャスト）（約６３％Ｎ
ｉ、３０％Ｃｕ、１．５％Ｓｉ）、「Ｈ」モネル（キャ
スト）（約６３％Ｎｉ、３０％Ｃｕ、３％Ｓｉ）、
「Ｓ」モネル（キャスト）（約６３％Ｎｉ、３０％Ｃ
ｕ、４％Ｓｉ）、インコネル（キャスト）（約７２％Ｎ
ｉ、１６％Ｃｒ，８％Ｆｅ、２％Ｓｉ）、Ｎｉ−ｏ−ネ
ル（約４２％Ｎｉ、３０％Ｆｅ、２２％Ｃｒ、３％Ｍ
ｏ、２％Ｃｕ、１％Ｔｉ）、ハステロイ（Ｈａｓｔｅｌ
ｌｏｙ）合金Ｂ（約６２％Ｎｉ、２８％Ｍｏ、５％Ｆ
ｅ）、ハステロイ合金Ｃ（約５４％Ｎｉ、１７％Ｍｏ、
１５％Ｃｒ、５％Ｆｅ、４％Ｗ）ハステロイ合金Ｄ（約
８５％Ｎｉ、１０％Ｓｉ、３％Ｃｕ）、ハステロイ合金
Ｆ（約４７％Ｎｉ、２２％Ｃｒ、７％Ｍｏ、１７％Ｆ
ｅ）、ハステロイ合金Ｎ（約７０％Ｎｉ、１７％Ｍｏ、
７％Ｃｒ、５％Ｆｅ）、ハステロイ合金Ｗ（約６２％Ｎ
ｉ、２４．５％Ｍｏ、５％Ｃｒ、５．５％Ｆｅ）、ハス
テロイ合金Ｘ（約４７％Ｎｉ、２２％Ｃｒ、９％Ｍｏ、
１８％Ｆｅ）、イリウムＢ（約５０％Ｎｉ、２８％Ｃ
ｒ、８．５％Ｍｏ、５．５％Ｃｕ）、イリウムＧ（約５
６％Ｎｉ、２２．５％Ｃｒ、６．５％Ｍｏ、６．５％Ｃ
ｕ）、イリウムＲ（約６８％Ｎｉ、２１％Ｃｒ、５％Ｍ
ｏ、３％Ｃｕ）、イリウム９８（約５５％Ｎｉ、２８％
Ｃｒ、８．５％Ｍｏ、５．５％Ｃｕ）、（約８０％Ｎ
ｉ、２０％Ｃｒ）、（約６０％Ｎｉ、２４％Ｆｅ、１６
％Ｃｒ）、（約３５％Ｎｉ、４５％Ｆｅ、２０％Ｃ
ｒ）、（約４５％Ｎｉ、５５％Ｃｕ）などを含む。圧力
は約１．５〜約１５ｍＴｏｒｒの範囲内にあり、１実施
態様においては約２．５〜約１０ｍＴｏｒｒの範囲内に
ある。
【０１１２】必要に応じて銅シード層を堆積するため
に、圧力は約１．５〜約１５ｍＴｏｒｒの範囲内であ
り、１実施態様においては約２．５〜約１０ｍＴｏｒｒ
の範囲内にある。堆積した銅シードコート層の厚さは約
２００Å〜約２００００Åであり、１実施態様において
は約１２００Å〜約５０００Åである。
に、圧力は約１．５〜約１５ｍＴｏｒｒの範囲内であ
り、１実施態様においては約２．５〜約１０ｍＴｏｒｒ
の範囲内にある。堆積した銅シードコート層の厚さは約
２００Å〜約２００００Åであり、１実施態様において
は約１２００Å〜約５０００Åである。
【０１１３】（実施例１１）２つの可撓性積層体が与え
られ、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸性硫酸銅処理に加えて、約２
０００Åの厚さを有する銅シード層を８ｍＴｏｒｒの圧
力下で銅層の片側にＰＶＤを介して堆積することを除い
ては、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次
に、約２５０Åの厚さを有するクロム層を、８ｍＴｏｒ
ｒの圧力下で銅シード層にわたってＰＶＤを介して堆積
する。
られ、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸性硫酸銅処理に加えて、約２
０００Åの厚さを有する銅シード層を８ｍＴｏｒｒの圧
力下で銅層の片側にＰＶＤを介して堆積することを除い
ては、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次
に、約２５０Åの厚さを有するクロム層を、８ｍＴｏｒ
ｒの圧力下で銅シード層にわたってＰＶＤを介して堆積
する。
【０１１４】可撓性積層体を図１に示したものと類似の
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、４５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および５５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、４５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および５５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【０１１５】（実施例１２）２つの可撓性積層体が提供
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸性硫酸銅処理に加えて、約２
０００Åの厚さを有する銅シード層を８ｍＴｏｒｒの圧
力下で銅層の片側にＰＶＤを介して堆積することを除い
ては、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次
に、約２５０Åの厚さを有するニッケル合金層は、金属
源としてのハステロイ合金Ｄを使用して、８ｍＴｏｒｒ
の圧力下で銅シード層にわたってＰＶＤを介して堆積さ
れる。
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸性硫酸銅処理に加えて、約２
０００Åの厚さを有する銅シード層を８ｍＴｏｒｒの圧
力下で銅層の片側にＰＶＤを介して堆積することを除い
ては、実施例１の第２の可撓性積層体と同じである。次
に、約２５０Åの厚さを有するニッケル合金層は、金属
源としてのハステロイ合金Ｄを使用して、８ｍＴｏｒｒ
の圧力下で銅シード層にわたってＰＶＤを介して堆積さ
れる。
【０１１６】可撓性積層体を図１に示したものと類似の
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、５０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および６０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、５０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および６０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【０１１７】シラン処理を含む銅処理は、タイコート処
理を例外として、上記の銅処理の１つと組み合わせて可
撓性回路の銅層上に少なくとも１つのシラン化合物の堆
積を含む。シラン処理を含む銅処理は、局所的に課せら
れるエネルギーを吸収し、それによって銅層に作動し得
るエネルギーを分散するように機能する。
理を例外として、上記の銅処理の１つと組み合わせて可
撓性回路の銅層上に少なくとも１つのシラン化合物の堆
積を含む。シラン処理を含む銅処理は、局所的に課せら
れるエネルギーを吸収し、それによって銅層に作動し得
るエネルギーを分散するように機能する。
【０１１８】１実施態様において、シラン処理は別の未
処理銅層上の１つのシラン化合物の堆積を含む。シラン
処理は、銅箔に、以下に示すシランカップリング剤の一
つを適用することによって達成される。シランカップリ
ング剤は以下の式によって表され得る： Ｒ4-nＳｉＸn ここで、Ｒは官能基的に置換された炭化水素基であり、
上記の官能基的に置換された炭化水素基の官能基的置換
基は、アミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコ
キシ、アシル、またはエポキシであり；Ｘは、アルコキ
シ（例えば、メトキシ、エトキシなど）、ヒドロキシル
基、またはハロゲン（例えば、塩素）のような加水分解
性基であり；ｎは１、２または３であり、そして好まし
くはｎは３である。上記の式によって表されるシランカ
ップリング剤は、ハロシラン、アミノアルコキシシラ
ン、アミノフェニルシラン、フェニルシラン、複素環式
シラン、Ｎ−複素環式シラン、アクリルシラン、メルカ
プトシラン、およびそれらの２個以上の混合物を含む。
処理銅層上の１つのシラン化合物の堆積を含む。シラン
処理は、銅箔に、以下に示すシランカップリング剤の一
つを適用することによって達成される。シランカップリ
ング剤は以下の式によって表され得る： Ｒ4-nＳｉＸn ここで、Ｒは官能基的に置換された炭化水素基であり、
上記の官能基的に置換された炭化水素基の官能基的置換
基は、アミノ、ヒドロキシ、ハロ、メルカプト、アルコ
キシ、アシル、またはエポキシであり；Ｘは、アルコキ
シ（例えば、メトキシ、エトキシなど）、ヒドロキシル
基、またはハロゲン（例えば、塩素）のような加水分解
性基であり；ｎは１、２または３であり、そして好まし
くはｎは３である。上記の式によって表されるシランカ
ップリング剤は、ハロシラン、アミノアルコキシシラ
ン、アミノフェニルシラン、フェニルシラン、複素環式
シラン、Ｎ−複素環式シラン、アクリルシラン、メルカ
プトシラン、およびそれらの２個以上の混合物を含む。
【０１１９】シランカップリング剤は以下の式によって
表され得る：
表され得る：
【０１２０】
【化２】
【０１２１】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して、
水素または炭化水素基であり；Ｒ4およびＲ5は独立して
アルキレンまたはアルキリデン基であり；Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。炭化水素基は好ま
しくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに好ましく
は、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、
１〜約４個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は
好ましくはアルキルである。アルキレン基またはアルキ
リデン基Ｒ4およびＲ5は好ましくは１〜約１０個の炭素
原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子
を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜２個の炭素原子を有する。
アルキレン基およびアルキリデン基はメチレン、エチレ
ン、プロピレンなどであり得る。１実施態様において、
シランカップリング剤は、以下の式で表される化合物で
ある。
水素または炭化水素基であり；Ｒ4およびＲ5は独立して
アルキレンまたはアルキリデン基であり；Ｒ6、Ｒ7およ
びＲ8は独立して炭化水素基である。炭化水素基は好ま
しくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに好ましく
は、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、
１〜約４個の炭素原子を有する。これらの炭化水素基は
好ましくはアルキルである。アルキレン基またはアルキ
リデン基Ｒ4およびＲ5は好ましくは１〜約１０個の炭素
原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子
を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜２個の炭素原子を有する。
アルキレン基およびアルキリデン基はメチレン、エチレ
ン、プロピレンなどであり得る。１実施態様において、
シランカップリング剤は、以下の式で表される化合物で
ある。
【０１２２】
【化３】
【０１２３】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る：
得る：
【０１２４】
【化４】
【０１２５】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は独立して、
水素または炭化水素基であり；Ｒ4はアルキレン基また
はアルキリデン基であり；Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7は独立
して炭化水素基である。炭化水素基は好ましくは１〜約
１０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６
個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の
炭素原子を有する。これらの炭化水素基は好ましくはア
ルキルである（例えば、メチル、エチル、プロピルな
ど）。アルキレン基またはアルキリデン基は好ましくは
１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１
〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約
４個の炭素原子を有する。アルキレン基はメチレン、エ
チレン、プロピレンなどを含む。１実施態様において、
シランカップリング剤は、以下の式で表される化合物で
ある。
水素または炭化水素基であり；Ｒ4はアルキレン基また
はアルキリデン基であり；Ｒ5、Ｒ6、およびＲ7は独立
して炭化水素基である。炭化水素基は好ましくは１〜約
１０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６
個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の
炭素原子を有する。これらの炭化水素基は好ましくはア
ルキルである（例えば、メチル、エチル、プロピルな
ど）。アルキレン基またはアルキリデン基は好ましくは
１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１
〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約
４個の炭素原子を有する。アルキレン基はメチレン、エ
チレン、プロピレンなどを含む。１実施態様において、
シランカップリング剤は、以下の式で表される化合物で
ある。
【０１２６】
【化５】
【０１２７】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る：
得る：
【０１２８】
【化６】
【０１２９】ここで、Ｒ1およびＲ2は独立して、水素ま
たは炭化水素基であり；Ｒ3はアルキレン基またはアル
キリデン基であり；Ｒ4、Ｒ5、およびＲ6は独立して炭
化水素基である。炭化水素基は好ましくは１〜約１０個
の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭
素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原
子を有する。これらの炭化水素基は好ましくはアルキル
である（例えば、メチル、エチル、プロピルなど）。ア
ルキレン基またはアルキリデン基は好ましくは１〜約１
０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個
の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭
素原子を有する。アルキレン基はメチレン、エチレン、
プロピレンなどを含む。１実施態様において、この化合
物は、以下の式で表される化合物である。
たは炭化水素基であり；Ｒ3はアルキレン基またはアル
キリデン基であり；Ｒ4、Ｒ5、およびＲ6は独立して炭
化水素基である。炭化水素基は好ましくは１〜約１０個
の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭
素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原
子を有する。これらの炭化水素基は好ましくはアルキル
である（例えば、メチル、エチル、プロピルなど）。ア
ルキレン基またはアルキリデン基は好ましくは１〜約１
０個の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個
の炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭
素原子を有する。アルキレン基はメチレン、エチレン、
プロピレンなどを含む。１実施態様において、この化合
物は、以下の式で表される化合物である。
【０１３０】Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）3 シランカップリング剤は以下の式で表され得る：
【０１３１】
【化７】
【０１３２】ここで、Ｒ1、Ｒ2およびＲ4は独立して、
水素または炭化水素基であり；Ｒ3およびＲ5は独立して
アルキレン基またはアルキリデン基であり；そして
Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8は独立して炭化水素基である。炭
化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さら
に好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メ
チル、エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはア
ルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。ア
ルキレン基はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含
む。１実施態様において、この化合物は、以下の式で表
される化合物である。
水素または炭化水素基であり；Ｒ3およびＲ5は独立して
アルキレン基またはアルキリデン基であり；そして
Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8は独立して炭化水素基である。炭
化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さら
に好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メ
チル、エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはア
ルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。ア
ルキレン基はメチレン、エチレン、プロピレンなどを含
む。１実施態様において、この化合物は、以下の式で表
される化合物である。
【０１３３】 Ｈ2ＮＣＨ2ＣＨ2ＮＨＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 シランカップリング剤は以下の式で表され得る。
【０１３４】
【化８】
【０１３５】ここで、Ｒ1は水素または炭化水素基であ
り；Ｒ2はアルキレン基またはアルキリデン基であり；
Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は独立して炭化水素基である。炭
化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さら
に好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メ
チル、エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはア
ルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。こ
れらの基は好ましくはアルキレンである（例えばメチレ
ン、エチレン、プロピレンなど）。１実施態様におい
て、この化合物は、以下の式で表される： ＨＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 シランカップリング剤は以下の式で表され得る：
り；Ｒ2はアルキレン基またはアルキリデン基であり；
Ｒ3、Ｒ4、およびＲ5は独立して炭化水素基である。炭
化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さら
に好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これら
の炭化水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メ
チル、エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはア
ルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、
さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。こ
れらの基は好ましくはアルキレンである（例えばメチレ
ン、エチレン、プロピレンなど）。１実施態様におい
て、この化合物は、以下の式で表される： ＨＳＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 シランカップリング剤は以下の式で表され得る：
【０１３６】
【化９】
【０１３７】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5およびＲ7は
独立して、水素または炭化水素基であり；Ｒ4、Ｒ6およ
びＲ8は独立してアルキレン基またはアルキリデン基で
あり；各々のＲ9は独立して炭化水素基であり；Ａｒは
芳香族基であり；およびＸはハロゲンである。炭化水素
基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ま
しくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これらの炭化
水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メチル、
エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはアルキリ
デン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さ
らに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これらの
基は好ましくはアルキレンである（例えば、メチレン、
エチレン、プロピレンなど）。芳香族基Ａｒは、単核
（例えば、フェニレン）であり得または単核を有する多
核（例えば、ナフチレン）であり得、特にフェニレンが
好ましい。ハロゲン、Ｘは好ましくは、塩素または臭
素、さらに好ましくは塩素である。１実施態様におい
て、この化合物は、以下の式で表される化合物である。
独立して、水素または炭化水素基であり；Ｒ4、Ｒ6およ
びＲ8は独立してアルキレン基またはアルキリデン基で
あり；各々のＲ9は独立して炭化水素基であり；Ａｒは
芳香族基であり；およびＸはハロゲンである。炭化水素
基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに好ま
しくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これらの炭化
水素基は好ましくはアルキルである（例えば、メチル、
エチル、プロピルなど）。アルキレン基またはアルキリ
デン基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子を有し、さ
らに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有し、さらに
好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有する。これらの
基は好ましくはアルキレンである（例えば、メチレン、
エチレン、プロピレンなど）。芳香族基Ａｒは、単核
（例えば、フェニレン）であり得または単核を有する多
核（例えば、ナフチレン）であり得、特にフェニレンが
好ましい。ハロゲン、Ｘは好ましくは、塩素または臭
素、さらに好ましくは塩素である。１実施態様におい
て、この化合物は、以下の式で表される化合物である。
【０１３８】
【化１０】
【０１３９】シランカップリング剤は以下の式で表され
得る：
得る：
【０１４０】
【化１１】
【０１４１】ここで、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6および
Ｒ7は独立して、炭化水素基であり；Ｒ 4はアルキレン基
またはアルキリデン基であり；そしてｎは０または１で
ある。炭化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子
を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有す
る。これらの炭化水素基は好ましくはアルキルである
（例えば、メチル、エチル、プロピルなど）。アルキレ
ン基またはアルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の
炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素
原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子
を含む。この基は好ましくはアルキレンである（例え
ば、メチレン、エチレン、プロピレンなど）。１実施態
様において、この化合物は、以下の式で表される： （ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 １実施態様において、この化合物はテトラエトキシシラ
ンである。
Ｒ7は独立して、炭化水素基であり；Ｒ 4はアルキレン基
またはアルキリデン基であり；そしてｎは０または１で
ある。炭化水素基は好ましくは１〜約１０個の炭素原子
を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素原子を有
し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子を有す
る。これらの炭化水素基は好ましくはアルキルである
（例えば、メチル、エチル、プロピルなど）。アルキレ
ン基またはアルキリデン基は好ましくは１〜約１０個の
炭素原子を有し、さらに好ましくは、１〜約６個の炭素
原子を有し、さらに好ましくは、１〜約４個の炭素原子
を含む。この基は好ましくはアルキレンである（例え
ば、メチレン、エチレン、プロピレンなど）。１実施態
様において、この化合物は、以下の式で表される： （ＣＨ3Ｏ）3ＳｉＣＨ2ＣＨ2Ｓｉ（ＯＣＨ3）3 １実施態様において、この化合物はテトラエトキシシラ
ンである。
【０１４２】有用なシランカップリング剤の例には、Ｎ
−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン；３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエ
チルアミノ）プロピルトリメトキシシラン；３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン；ビス（２−ヒドロキシエ
チル）−３−アミノプロピル−トリエトキシシラン；β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン；３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン；３−クロロプロピルトリメトキシシラン；ビニルト
リクロロシラン；ビニルトリエトキシシラン；ビニル−
トリス（２−メトキシエトキシ）シラン；アミノプロピ
ルトリメトキシシラン；Ｎ−メチルアミノプロピルトリ
メトキシシラン；およびＮ−フェニルアミノプロピルト
リメトキシシランが挙げられる。
−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメト
キシシラン；３−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエ
チルアミノ）プロピルトリメトキシシラン；３−アミノ
プロピルトリエトキシシラン；ビス（２−ヒドロキシエ
チル）−３−アミノプロピル−トリエトキシシラン；β
−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメト
キシシラン；３−グリシドキシプロピルトリメトキシシ
ラン；３−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラ
ン；３−クロロプロピルトリメトキシシラン；ビニルト
リクロロシラン；ビニルトリエトキシシラン；ビニル−
トリス（２−メトキシエトキシ）シラン；アミノプロピ
ルトリメトキシシラン；Ｎ−メチルアミノプロピルトリ
メトキシシラン；およびＮ−フェニルアミノプロピルト
リメトキシシランが挙げられる。
【０１４３】シランカップリング剤にはまた、以下も挙
げられる：Ｎ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシ
プロピル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アリ
ルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、４
−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルア
ミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシ
ラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）
トリス（２−エチルヘキソキシ）シラン、６−（アミノ
ヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノ
フェニルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポ
キシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキ
シエトキシ）シラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−
アミノウンデシルトリメトキシシラン、３−［２−Ｎ−
ベンジルアミノエチルアミノプロピル］トリメトキシシ
ラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメト
キシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−
ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキ
シシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、（シ
アノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、３−シア
ノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、ジエチル
ホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−
（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラ
ン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシ
プロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−メト
キシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−ト
リエトキシシリルプロピル尿素、Ｎ−フェニルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル
−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ン、３−チオシアナトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチルグリシ
ンアミド、トリエトキシシリルプロピル−エチルカルバ
メート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］
−４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシ
リル−プロピル−ｏ−メントカルバメート、Ｎ−［３−
（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸（ｐ
ｈｔｈａｌａｍｉｃ ａｃｉｄ）、Ｎ−（トリエトキシ
シリルプロピル）尿素、１−トリメトキシシリル−２−
（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニルエタン、β−トリ
メトキシシリルエチル−２−ピリジン、Ｎ−（３−トリ
メトキシシリルプロピル）−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジア
リルアンモニウムクロリド、トリメトキシシリルプロピ
ルジエチレントリアミン、Ｎ−［（３−トリメトキシ−
シリル）プロピル］エチレンジアミン三酢酸三ナトリウ
ム塩、トリメトキシシリルプロピルイソチオウロニウム
クロリド、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピ
ロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリ−Ｎ−ブ
チルアンモニウムブロミド、およびＮ−トリメトキシシ
リルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムク
ロリド。シランカップリング剤にはまた、ビニルトリエ
トキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシ
ラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
ビニルトリイソプロペノキシシラン、およびビニルトリ
ス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランも挙げられる。
げられる：Ｎ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシ
プロピル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、
３−アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アリ
ルトリエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、４
−アミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルア
ミノメチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシ
ラン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）
トリス（２−エチルヘキソキシ）シラン、６−（アミノ
ヘキシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノ
フェニルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポ
キシ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキ
シシラン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキ
シエトキシ）シラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−
アミノウンデシルトリメトキシシラン、３−［２−Ｎ−
ベンジルアミノエチルアミノプロピル］トリメトキシシ
ラン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロ
ピルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメト
キシシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−
ブロモプロピルトリメトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキ
シシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、（シ
アノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、３−シア
ノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、ジエチル
ホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−
（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラ
ン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシ
プロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−メト
キシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−ト
リエトキシシリルプロピル尿素、Ｎ−フェニルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル
−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ン、３−チオシアナトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチルグリシ
ンアミド、トリエトキシシリルプロピル−エチルカルバ
メート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］
−４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシ
リル−プロピル−ｏ−メントカルバメート、Ｎ−［３−
（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸（ｐ
ｈｔｈａｌａｍｉｃ ａｃｉｄ）、Ｎ−（トリエトキシ
シリルプロピル）尿素、１−トリメトキシシリル−２−
（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニルエタン、β−トリ
メトキシシリルエチル−２−ピリジン、Ｎ−（３−トリ
メトキシシリルプロピル）−Ｎ−メチル−Ｎ，Ｎ−ジア
リルアンモニウムクロリド、トリメトキシシリルプロピ
ルジエチレントリアミン、Ｎ−［（３−トリメトキシ−
シリル）プロピル］エチレンジアミン三酢酸三ナトリウ
ム塩、トリメトキシシリルプロピルイソチオウロニウム
クロリド、Ｎ−（３−トリメトキシシリルプロピル）ピ
ロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピルトリ−Ｎ−ブ
チルアンモニウムブロミド、およびＮ−トリメトキシシ
リルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチルアンモニウムク
ロリド。シランカップリング剤にはまた、ビニルトリエ
トキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−ブトキシシ
ラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、
ビニルトリイソプロペノキシシラン、およびビニルトリ
ス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランも挙げられる。
【０１４４】シランカップリング剤にはさらに、以下が
挙げられる：２−アセトキシエチルトリクロロシラン、
３−アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、アリル
トリクロロシラン、８−ブロモオクチルトリクロロシラ
ン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−ブロモプロ
ピルトリクロロシラン、２−（カルボメトキシ）エチル
トリクロロシラン、１−クロロエチルトリクロロシラ
ン、２−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−（クロロ
メチル）フェニルトリクロロシラン、クロロメチルトリ
クロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、３−
クロロプロピルトリクロロシラン、（３−シアノブチ
ル）トリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシ
ラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロ
ロメチル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）ト
リクロロシラン、６−ヘキシ−１−エニルトリクロロシ
ラン、３−メタクリル−オキシプロピルトリクロロシラ
ン、３−（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロ
シラン、７−オクト−１−エニルトリクロロシラン、３
−（Ｎ−フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１
−トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェ
ニル）エタン、４−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］シクロヘキセン、２−［２−（トリクロロシリル）
エチル］ピリジン、４−［２−（トリクロロシリル）エ
チル］ピリジン、３−（トリクロロシリル）プロピルク
ロロホルメート、およびビニルトリクロロシラン。
挙げられる：２−アセトキシエチルトリクロロシラン、
３−アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、アリル
トリクロロシラン、８−ブロモオクチルトリクロロシラ
ン、ブロモフェニルトリクロロシラン、３−ブロモプロ
ピルトリクロロシラン、２−（カルボメトキシ）エチル
トリクロロシラン、１−クロロエチルトリクロロシラ
ン、２−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−（クロロ
メチル）フェニルトリクロロシラン、クロロメチルトリ
クロロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、３−
クロロプロピルトリクロロシラン、（３−シアノブチ
ル）トリクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシ
ラン、３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロ
ロメチル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）ト
リクロロシラン、６−ヘキシ−１−エニルトリクロロシ
ラン、３−メタクリル−オキシプロピルトリクロロシラ
ン、３−（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロ
シラン、７−オクト−１−エニルトリクロロシラン、３
−（Ｎ−フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１
−トリクロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェ
ニル）エタン、４−［２−（トリクロロシリル）エチ
ル］シクロヘキセン、２−［２−（トリクロロシリル）
エチル］ピリジン、４−［２−（トリクロロシリル）エ
チル］ピリジン、３−（トリクロロシリル）プロピルク
ロロホルメート、およびビニルトリクロロシラン。
【０１４５】特に有用なシランカップリング剤には、ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２
−アミノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン、
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メ
チルアミノプロピルトリメトキシシラン、２−（２−ア
ミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、およびＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシ
ランが挙げられる。
ミノプロピルトリメトキシシラン、テトラエトキシシラ
ン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル−２
−アミノエチルアミン）プロピルトリメトキシシラン、
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メ
チルアミノプロピルトリメトキシシラン、２−（２−ア
ミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、およびＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシ
ランが挙げられる。
【０１４６】１実施態様において、シランカップリング
剤は３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外
である。
剤は３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン以外
である。
【０１４７】別の実施態様において、シラン処理は２個
以上のシラン化合物の堆積を含む。以下に表されるよう
に、２個以上のシランのうち、１つは代表的にはシラン
（Ａ）であり、他はシラン（Ｂ）である。
以上のシラン化合物の堆積を含む。以下に表されるよう
に、２個以上のシランのうち、１つは代表的にはシラン
（Ａ）であり、他はシラン（Ｂ）である。
【０１４８】シラン（Ａ）は、以下の式で表される化合
物である：
物である：
【０１４９】
【化１２】
【０１５０】ここで、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5および
Ｇ6は独立して、ハロゲン、ヒドロカルビルオキシ基、
またはヒドロキシ基であり；Ｒ1は炭化水素基または窒
素含有炭化水素基であり；そしてｎは０または１であ
る。１実施態様においては、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5
およびＧ6の各々が独立して、クロロ、アルコキシ、ア
ルコキシアルコキシまたはアルコキシアルコキシアルコ
キシであり、そしてＲ1は約１０個までの炭素原子のア
ルキレン基またはアレーン基、あるいは約１０個の炭素
原子までのモノアミノ−またはポリアミノ−置換アルキ
レン基またはアレーン基である。１実施態様において
は、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3およびＧ6の各々が約１０個までの炭
素原子のアルコキシ基、アルキルアルコキシ基、アルコ
キシアルコキシ基またはアルコキシアルコキシアルコキ
シ基であり、そしてｎは０である。
Ｇ6は独立して、ハロゲン、ヒドロカルビルオキシ基、
またはヒドロキシ基であり；Ｒ1は炭化水素基または窒
素含有炭化水素基であり；そしてｎは０または１であ
る。１実施態様においては、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、Ｇ4、Ｇ5
およびＧ6の各々が独立して、クロロ、アルコキシ、ア
ルコキシアルコキシまたはアルコキシアルコキシアルコ
キシであり、そしてＲ1は約１０個までの炭素原子のア
ルキレン基またはアレーン基、あるいは約１０個の炭素
原子までのモノアミノ−またはポリアミノ−置換アルキ
レン基またはアレーン基である。１実施態様において
は、Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3およびＧ6の各々が約１０個までの炭
素原子のアルコキシ基、アルキルアルコキシ基、アルコ
キシアルコキシ基またはアルコキシアルコキシアルコキ
シ基であり、そしてｎは０である。
【０１５１】シラン（Ａ）の例としては、以下が挙げら
れる：テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
テトラプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラ
ン、テトラキス（２−エトキシエトキシ）シラン、テト
ラキス（２−エチルブトキシ）シラン、テトラキス（２
−エチルヘキソキシ）シラン、テトラキス（メトキシエ
トキシエトキシ）シラン、テトラキス（２−メトキシエ
トキシ）シラン、テトラキス（１−メトキシ−２−プロ
ポキシ）シラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プ
ロピル］アミン、ビス［３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル］エチレンジアミン、１，２−ビス（トリメトキ
シシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリルエチル）
ベンゼン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサ
ン、１，２−ビス（トリクロロシリル）エタン、１，６
−ビス（トリクロロシリル）ヘキサン、および１，８−
ビス（トリクロロシリル）オクタン。
れる：テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、
テトラプロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシラ
ン、テトラキス（２−エトキシエトキシ）シラン、テト
ラキス（２−エチルブトキシ）シラン、テトラキス（２
−エチルヘキソキシ）シラン、テトラキス（メトキシエ
トキシエトキシ）シラン、テトラキス（２−メトキシエ
トキシ）シラン、テトラキス（１−メトキシ−２−プロ
ポキシ）シラン、ビス［３−（トリエトキシシリル）プ
ロピル］アミン、ビス［３−（トリメトキシシリル）プ
ロピル］エチレンジアミン、１，２−ビス（トリメトキ
シシリル）エタン、ビス（トリメトキシシリルエチル）
ベンゼン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサ
ン、１，２−ビス（トリクロロシリル）エタン、１，６
−ビス（トリクロロシリル）ヘキサン、および１，８−
ビス（トリクロロシリル）オクタン。
【０１５２】シラン（Ｂ）は以下の式で表される化合物
であり：
であり：
【０１５３】
【化１３】
【０１５４】ここで、Ｒ2は有機官能基であり、この有
機官能基は、前記別の基板と反応性であるかまたはこれ
に対する親和性を有し；そしてＧ7、Ｇ8およびＧ9は独
立してハロゲン、ヒドロカルビルオキシ、またはヒドロ
キシ基である。１実施態様において、Ｒ2はアミノ−、
ヒドロキシ−、および／またはアルコキシ−含有炭化水
素基である。１実施態様において、Ｇ7、Ｇ8およびＧ9
の各々はクロロ、メトキシ、またはエトキシである。
機官能基は、前記別の基板と反応性であるかまたはこれ
に対する親和性を有し；そしてＧ7、Ｇ8およびＧ9は独
立してハロゲン、ヒドロカルビルオキシ、またはヒドロ
キシ基である。１実施態様において、Ｒ2はアミノ−、
ヒドロキシ−、および／またはアルコキシ−含有炭化水
素基である。１実施態様において、Ｇ7、Ｇ8およびＧ9
の各々はクロロ、メトキシ、またはエトキシである。
【０１５５】シラン（Ｂ）の例には、Ｎ−（２−アミノ
エチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン；３
−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）プ
ロピルトリメトキシシラン；３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン；ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−ア
ミノプロピル−トリエトキシシラン；β−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン；３
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン；３−メタ
クリルオキシプロピルトリメトキシシラン；３−クロロ
プロピルトリメトキシシラン；ビニルトリクロロシラ
ン；ビニルトリエトキシシラン；ビニル−トリス（２−
メトキシエトキシ）シラン；アミノプロピルトリメトキ
シシラン；Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラ
ン；およびＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシ
ランが挙げられる。
エチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン；３
−（Ｎ−スチリルメチル−２−アミノエチルアミノ）プ
ロピルトリメトキシシラン；３−アミノプロピルトリエ
トキシシラン；ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−ア
ミノプロピル−トリエトキシシラン；β−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン；３
−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン；３−メタ
クリルオキシプロピルトリメトキシシラン；３−クロロ
プロピルトリメトキシシラン；ビニルトリクロロシラ
ン；ビニルトリエトキシシラン；ビニル−トリス（２−
メトキシエトキシ）シラン；アミノプロピルトリメトキ
シシラン；Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラ
ン；およびＮ−フェニルアミノプロピルトリメトキシシ
ランが挙げられる。
【０１５６】シラン（Ｂ）の例にはまた、以下も挙げら
れる：Ｎ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−
アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アリルト
リエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、４−ア
ミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノ
メチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）ト
リス（２−エチルヘキソキシ）シラン、６−（アミノヘ
キシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフ
ェニルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポキ
シ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキシ
エトキシ）シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−ア
ミノウンデシルトリメトキシシラン、３−［２−Ｎ−ベ
ンジルアミノエチルアミノプロピル］トリメトキシシラ
ン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキ
シシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブ
ロモプロピルトリメトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキ
シシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、（シ
アノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、３−シア
ノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、ジエチル
ホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−
（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラ
ン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシ
プロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−メト
キシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−ト
リエトキシシリルプロピル尿素、Ｎ−フェニルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル
−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ン、３−チオシアナトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチルグリシ
ンアミド、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメ
ート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］−
４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシリ
ル−プロピル−ｏ−メントカルバメート、Ｎ−［３−
（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、Ｎ
−（トリエトキシシリルプロピル）尿素、１−トリメト
キシシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニル
エタン、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジ
ン、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロピル）−Ｎ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロリド、トリメト
キシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−［（３
−トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン三
酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシシリルプロピルイソ
チオウロニウムクロリド、Ｎ−（３−トリメトキシシリ
ルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピ
ルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、およびＮ−
トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル
アンモニウムクロリド。シラン（Ｂ）の例にはまた、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−
ブトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、およ
びビニルトリス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランも挙げ
られる。
れる：Ｎ−（３−アクリルオキシ−２−ヒドロキシプロ
ピル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−
アクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、アリルト
リエトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、４−ア
ミノブチルトリエトキシシラン、（アミノエチルアミノ
メチル）フェネチルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−ア
ミノエチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラ
ン、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミノプロピル）ト
リス（２−エチルヘキソキシ）シラン、６−（アミノヘ
キシルアミノプロピル）トリメトキシシラン、アミノフ
ェニルトリメトキシシラン、３−（１−アミノプロポキ
シ）−３，３−ジメチル−１−プロペニルトリメトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリス（メトキシエトキシ
エトキシ）シラン、３−アミノプロピルトリエトキシシ
ラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−ア
ミノウンデシルトリメトキシシラン、３−［２−Ｎ−ベ
ンジルアミノエチルアミノプロピル］トリメトキシシラ
ン、ビス（２−ヒドロキシエチル）−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシラン、８−ブロモオクチルトリメトキ
シシラン、ブロモフェニルトリメトキシシラン、３−ブ
ロモプロピルトリメトキシシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエ
トキシシラン、クロロフェニルトリエトキシシラン、３
−クロロプロピルトリエトキシシラン、３−クロロプロ
ピルトリメトキシシラン、２−シアノエチルトリエトキ
シシラン、２−シアノエチルトリメトキシシラン、（シ
アノメチルフェネチル）トリメトキシシラン、３−シア
ノプロピルトリエトキシシラン、３−シクロペンタジエ
ニルプロピルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジエチル
−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、ジエチル
ホスファトエチルトリエトキシシラン、（Ｎ，Ｎ−ジメ
チル−３−アミノプロピル）トリメトキシシラン、２−
（ジフェニルホスフィノ）エチルトリエトキシシラン、
２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメ
トキシシラン、３−ヨードプロピルトリメトキシシラ
ン、３−イソシアナトプロピルトリエトキシシラン、３
−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカ
プトプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキ
シプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリルオキシ
プロピルトリス（メトキシエトキシ）シラン、３−メト
キシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェネチル−Ｎ’−ト
リエトキシシリルプロピル尿素、Ｎ−フェニルアミノプ
ロピルトリメトキシシラン、３−（Ｎ−スチリルメチル
−２−アミノエチルアミノ）プロピルトリメトキシシラ
ン、３−チオシアナトプロピルトリエトキシシラン、Ｎ
−（３−トリエトキシシリルプロピル）アセチルグリシ
ンアミド、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメ
ート、Ｎ−［３−（トリエトキシシリル）プロピル］−
４，５−ジヒドロイミダゾール、Ｎ−トリエトキシシリ
ル−プロピル−ｏ−メントカルバメート、Ｎ−［３−
（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸、Ｎ
−（トリエトキシシリルプロピル）尿素、１−トリメト
キシシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチル）−フェニル
エタン、β−トリメトキシシリルエチル−２−ピリジ
ン、Ｎ（３−トリメトキシシリルプロピル）−Ｎ−メチ
ル−Ｎ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロリド、トリメト
キシシリルプロピルジエチレントリアミン、Ｎ−［（３
−トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミン三
酢酸三ナトリウム塩、トリメトキシシリルプロピルイソ
チオウロニウムクロリド、Ｎ−（３−トリメトキシシリ
ルプロピル）ピロール、Ｎ−トリメトキシシリルプロピ
ルトリ−Ｎ−ブチルアンモニウムブロミド、およびＮ−
トリメトキシシリルプロピル−Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル
アンモニウムクロリド。シラン（Ｂ）の例にはまた、ビ
ニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリス−ｔ−
ブトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキ
シ）シラン、ビニルトリイソプロペノキシシラン、およ
びビニルトリス（ｔ−ブチルペルオキシ）シランも挙げ
られる。
【０１５７】シラン（Ｂ）の例にはさらに、以下が挙げ
られる：２−アセトキシエチルトリクロロシラン、３−
アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、アリルトリ
クロロシラン、８−ブロモオクチルトリクロロシラン、
ブロモフェニルトリクロロシラン、３−ブロモプロピル
トリクロロシラン、２−（カルボメトキシ）エチルトリ
クロロシラン、１−クロロエチルトリクロロシラン、２
−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリクロロシラン、クロロメチルトリクロ
ロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、３−クロ
ロプロピルトリクロロシラン、（３−シアノブチル）ト
リクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、
３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロロメチ
ル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）トリクロ
ロシラン、６−ヘキシ−１−エニルトリクロロシラン、
３−メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン、３−
（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、
７−オクト−１−エニルトリクロロシラン、３−（Ｎ−
フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１−トリク
ロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェニル）エ
タン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］シクロ
ヘキサン、２−［２−（トリクロロシリル）エチル］ピ
リジン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］ピリ
ジン、３−（トリクロロシリル）プロピルクロロホルメ
ート、およびビニルトリクロロシラン。
られる：２−アセトキシエチルトリクロロシラン、３−
アクリルオキシプロピルトリクロロシラン、アリルトリ
クロロシラン、８−ブロモオクチルトリクロロシラン、
ブロモフェニルトリクロロシラン、３−ブロモプロピル
トリクロロシラン、２−（カルボメトキシ）エチルトリ
クロロシラン、１−クロロエチルトリクロロシラン、２
−クロロエチルトリクロロシラン、ｐ−（クロロメチ
ル）フェニルトリクロロシラン、クロロメチルトリクロ
ロシラン、クロロフェニルトリクロロシラン、３−クロ
ロプロピルトリクロロシラン、（３−シアノブチル）ト
リクロロシラン、２−シアノエチルトリクロロシラン、
３−シアノプロピルトリクロロシラン、（ジクロロメチ
ル）トリクロロシラン、（ジクロロフェニル）トリクロ
ロシラン、６−ヘキシ−１−エニルトリクロロシラン、
３−メタクリルオキシプロピルトリクロロシラン、３−
（４−メトキシフェニル）プロピルトリクロロシラン、
７−オクト−１−エニルトリクロロシラン、３−（Ｎ−
フタルイミド）プロピルトリクロロシラン、１−トリク
ロロシリル−２−（ｐ，ｍ−クロロメチルフェニル）エ
タン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］シクロ
ヘキサン、２−［２−（トリクロロシリル）エチル］ピ
リジン、４−［２−（トリクロロシリル）エチル］ピリ
ジン、３−（トリクロロシリル）プロピルクロロホルメ
ート、およびビニルトリクロロシラン。
【０１５８】１実施態様において、シラン（Ａ）とシラ
ン（Ｂ）との重量比は、約５：９５〜約９５：５が好ま
しく、約１０：９０〜約９０：１０がさらに好ましい。
ン（Ｂ）との重量比は、約５：９５〜約９５：５が好ま
しく、約１０：９０〜約９０：１０がさらに好ましい。
【０１５９】１実施態様において、２個のシラン表面処
理は、テトラエトキシシランまたはテトラメトキシシラ
ンと組み合わせて、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミ
ノプロピル）トリメトキシシラン、３−アミノプロピル
トリメトキシシランまたは３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランを含む組成物から誘導される。
理は、テトラエトキシシランまたはテトラメトキシシラ
ンと組み合わせて、Ｎ−（２−アミノエチル−３−アミ
ノプロピル）トリメトキシシラン、３−アミノプロピル
トリメトキシシランまたは３−グリシドキシプロピルト
リメトキシシランを含む組成物から誘導される。
【０１６０】２つのシラン表面処理の銅箔への適用は、
箔表面へシラン（Ａ）および（Ｂ）のニートな混合物を
適用することによってなされ得る。しかし、それらを箔
表面に塗布する前に適した媒体中でシランを混合するこ
とが一般に好ましい。シランまたはシラン類は媒体と一
工程で混合され得るか；あるいは媒体と別々に混合され
得るかのいずれかであり、次いで得られる混合物を箔表
面への塗布の前に組み合わせる。あるいは、別々の溶液
を、継続して銅に塗布し得、塗布の間は乾燥するか、ま
たは乾燥しない。シラン混合物は、水分散液もしくは水
溶液、水とアルコールの混合物、または適切な有機溶
媒、またはシラン混合物の水乳濁液、または適切な有機
溶媒中のシラン混合物の溶液の水性乳濁液の形態で、箔
表面に塗布され得る。従来の有機溶媒が使用され得る。
これらは、アルコール、エーテル、ケトン、および脂肪
族炭化水素または芳香族炭化水素あるいはＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドのようなアミドとこれらとの混合物を
含む。有用な溶媒は、良好な湿潤および乾燥特性を有す
る溶媒であり、例えば、水、エタノール、イソプロパノ
ール、およびメチルエチルケトンを含む。シランまたは
シラン混合物の水性乳濁液は、非イオン性分散剤を含む
従来の分散剤および界面活性剤を使用した従来の方法で
形成され得る。このような溶液または乳濁液中のシラン
またはシラン混合物の濃度は、このようなシランの約１
００重量％まであり得るが、好ましくは約０．１重量％
〜約５重量％の範囲である。１つまたは２つのシラン表
面処理は、逆ローラーコーティング（ｒｅｖｅｒｓｅ
ｒｏｌｌｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドクターブレードコ
ーティング（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ ｃｏａｔｉｎ
ｇ）、浸漬、ペイント、およびスプレーを含む、公知の
塗布法を使用して箔表面に塗布され得る。
箔表面へシラン（Ａ）および（Ｂ）のニートな混合物を
適用することによってなされ得る。しかし、それらを箔
表面に塗布する前に適した媒体中でシランを混合するこ
とが一般に好ましい。シランまたはシラン類は媒体と一
工程で混合され得るか；あるいは媒体と別々に混合され
得るかのいずれかであり、次いで得られる混合物を箔表
面への塗布の前に組み合わせる。あるいは、別々の溶液
を、継続して銅に塗布し得、塗布の間は乾燥するか、ま
たは乾燥しない。シラン混合物は、水分散液もしくは水
溶液、水とアルコールの混合物、または適切な有機溶
媒、またはシラン混合物の水乳濁液、または適切な有機
溶媒中のシラン混合物の溶液の水性乳濁液の形態で、箔
表面に塗布され得る。従来の有機溶媒が使用され得る。
これらは、アルコール、エーテル、ケトン、および脂肪
族炭化水素または芳香族炭化水素あるいはＮ，Ｎ−ジメ
チルホルムアミドのようなアミドとこれらとの混合物を
含む。有用な溶媒は、良好な湿潤および乾燥特性を有す
る溶媒であり、例えば、水、エタノール、イソプロパノ
ール、およびメチルエチルケトンを含む。シランまたは
シラン混合物の水性乳濁液は、非イオン性分散剤を含む
従来の分散剤および界面活性剤を使用した従来の方法で
形成され得る。このような溶液または乳濁液中のシラン
またはシラン混合物の濃度は、このようなシランの約１
００重量％まであり得るが、好ましくは約０．１重量％
〜約５重量％の範囲である。１つまたは２つのシラン表
面処理は、逆ローラーコーティング（ｒｅｖｅｒｓｅ
ｒｏｌｌｅｒ ｃｏａｔｉｎｇ）、ドクターブレードコ
ーティング（ｄｏｃｔｏｒ ｂｌａｄｅ ｃｏａｔｉｎ
ｇ）、浸漬、ペイント、およびスプレーを含む、公知の
塗布法を使用して箔表面に塗布され得る。
【０１６１】箔表面への１つまたは２つのシラン表面処
理の適用は、典型的に約１５℃〜約４５℃の温度で行
い、好ましくは約２０℃〜約３０℃である。箔表面への
シラン表面処理の適用に続き、箔は約６０℃〜約１７０
℃の温度まで好ましくは表面の乾燥を向上させるために
約０．０３〜約５分間加熱され得る。箔上のシラン表面
処理の乾燥フィルムの厚さは好ましくは約０．００２〜
約０．１ミクロンであり、さらに好ましくは約０．００
５〜約０．０２ミクロンである。
理の適用は、典型的に約１５℃〜約４５℃の温度で行
い、好ましくは約２０℃〜約３０℃である。箔表面への
シラン表面処理の適用に続き、箔は約６０℃〜約１７０
℃の温度まで好ましくは表面の乾燥を向上させるために
約０．０３〜約５分間加熱され得る。箔上のシラン表面
処理の乾燥フィルムの厚さは好ましくは約０．００２〜
約０．１ミクロンであり、さらに好ましくは約０．００
５〜約０．０２ミクロンである。
【０１６２】（実施例１３）２つの可撓性積層体が提供
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸化処理に加えて、銅層の片側
を２５℃において約２重量％の３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを含む水溶液と接触し、次いで５分間１
００℃で加熱することを除いて、実施例４の第２の可撓
性積層体と同じである。
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸化処理に加えて、銅層の片側
を２５℃において約２重量％の３−アミノプロピルトリ
エトキシシランを含む水溶液と接触し、次いで５分間１
００℃で加熱することを除いて、実施例４の第２の可撓
性積層体と同じである。
【０１６３】可撓性積層体を図１に示したものと類似の
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、２０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および３０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、２０，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および３０，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【０１６４】（実施例１４）２つの可撓性積層体が提供
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸化処理に加えて、銅層の片側
を２５℃において約０．７５重量％のＮ−（２−アミノ
エチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシランおよ
び約０．７５重量％のテトラメトキシシランを含む水溶
液と接触し、次いで５分間１００℃で加熱することを除
いては、実施例４の第２の可撓性積層体と同じである。
され、１つは従来の通りであり、１つは本発明に従う。
第１の可撓性積層体（従来の）は、実施例１に記載され
る第１の可撓性積層体と同じである。第２の可撓性積層
体（本発明に従う）は、酸化処理に加えて、銅層の片側
を２５℃において約０．７５重量％のＮ−（２−アミノ
エチル−３−アミノプロピル）トリメトキシシランおよ
び約０．７５重量％のテトラメトキシシランを含む水溶
液と接触し、次いで５分間１００℃で加熱することを除
いては、実施例４の第２の可撓性積層体と同じである。
【０１６５】可撓性積層体を図１に示したものと類似の
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、２５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および３５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
曲げサイクルに供する。５，０００，０００サイクルの
間隔で、約１６００倍の拡大率で銅箔を試験し、微小亀
裂の存在および程度を決定する。第１の可撓性積層体
は、５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀裂、
および１０，０００，０００サイクルで広がった微小亀
裂（銅箔を介して幾つか）を示す。第２の可撓性積層体
は、２５，０００，０００サイクルで幾つかの微小亀
裂、および３５，０００，０００サイクルで広がった微
小亀裂（銅箔を介して幾つか）を示す。
【０１６６】幾つかの実施態様において、微小亀裂を防
ぐために１つより多い銅箔処理を使用することが好まし
い。例えば、１実施態様において、銅箔は、酸性硫酸銅
槽中でのカソード処理、続いてシラン処理に供する。別
の実施態様において、銅箔は、亜鉛堆積処理、続いて再
びクロム酸塩槽中でのカソード処理、続いてシラン処理
に供する。なお別の実施態様において、銅箔は、亜鉛イ
オン、クロム酸塩イオンおよび水素阻害剤を含む酸槽中
でのカソード処理、続いてシラン処理に供する。さらに
なお別の実施態様において、銅箔は、通気する水中での
酸化、亜鉛イオン、クロム酸塩イオンおよび水素阻害剤
を含む酸槽中でのカソード処理、続いてシラン処理に供
する。別の実施態様において、銅箔は、褐色酸化または
黒色酸化、続いてクロムをベースとするタイコート層の
塗布に供する。一般に、金属ベース処理または酸化処理
をシラン処理と組み合わせることが好ましい。
ぐために１つより多い銅箔処理を使用することが好まし
い。例えば、１実施態様において、銅箔は、酸性硫酸銅
槽中でのカソード処理、続いてシラン処理に供する。別
の実施態様において、銅箔は、亜鉛堆積処理、続いて再
びクロム酸塩槽中でのカソード処理、続いてシラン処理
に供する。なお別の実施態様において、銅箔は、亜鉛イ
オン、クロム酸塩イオンおよび水素阻害剤を含む酸槽中
でのカソード処理、続いてシラン処理に供する。さらに
なお別の実施態様において、銅箔は、通気する水中での
酸化、亜鉛イオン、クロム酸塩イオンおよび水素阻害剤
を含む酸槽中でのカソード処理、続いてシラン処理に供
する。別の実施態様において、銅箔は、褐色酸化または
黒色酸化、続いてクロムをベースとするタイコート層の
塗布に供する。一般に、金属ベース処理または酸化処理
をシラン処理と組み合わせることが好ましい。
【０１６７】本発明の可撓性回路は、可撓性ポリマーフ
ィルムである少なくとも１つのおよび典型的に２つのポ
リマー基板を含む。可撓性ポリマー基板は、少なくとも
１つの熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂を含むが、典型
的に少なくとも１つのポリエステル樹脂、ポリイミド樹
脂、および縮合ポリマーを含む。可撓性基板は、約０．
２ｍｍまでの範囲の厚さを有し、１実施態様において、
約５μｍ〜約０．１５ｍｍの厚さを有し、別の実施態様
において、約１０μｍ〜約５０００μｍの厚さを有し、
さらに別の実施態様において、約１５μｍ〜約１０００
μｍの厚さを有する。可撓性基板は、フィルター、ウー
ブン（ｗｏｖｅｎ）ガラス、非ウーブンガラスおよび／
または他の繊維状材料と共にあるいはなしで形成され得
る。可撓性基板は、単層化フィルムまたは多層化フィル
ムであり得る。
ィルムである少なくとも１つのおよび典型的に２つのポ
リマー基板を含む。可撓性ポリマー基板は、少なくとも
１つの熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂を含むが、典型
的に少なくとも１つのポリエステル樹脂、ポリイミド樹
脂、および縮合ポリマーを含む。可撓性基板は、約０．
２ｍｍまでの範囲の厚さを有し、１実施態様において、
約５μｍ〜約０．１５ｍｍの厚さを有し、別の実施態様
において、約１０μｍ〜約５０００μｍの厚さを有し、
さらに別の実施態様において、約１５μｍ〜約１０００
μｍの厚さを有する。可撓性基板は、フィルター、ウー
ブン（ｗｏｖｅｎ）ガラス、非ウーブンガラスおよび／
または他の繊維状材料と共にあるいはなしで形成され得
る。可撓性基板は、単層化フィルムまたは多層化フィル
ムであり得る。
【０１６８】可撓性基板を形成するために使用され得る
熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、フェノール−アル
デヒド樹脂、フラン樹脂、アミノ−プラスト（ｐｌａｓ
ｔ）樹脂、アルキド樹脂、アリル樹脂、エポキシ樹脂、
エポキシプレプレッグ、ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポ
リエステル樹脂、ポリイミドビス−マレイミド樹脂、ポ
リマレイミド−エポキシ樹脂、ポリマレイミド−イソシ
アナート樹脂、シリコーン樹脂、シアナート樹脂、シア
ナート−エポキシ樹脂、シアナート−ポリマレイド樹
脂、シアナート−エポキシ−ポリマレイミド樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。
熱硬化性樹脂には、フェノール樹脂、フェノール−アル
デヒド樹脂、フラン樹脂、アミノ−プラスト（ｐｌａｓ
ｔ）樹脂、アルキド樹脂、アリル樹脂、エポキシ樹脂、
エポキシプレプレッグ、ポリウレタン樹脂、熱硬化性ポ
リエステル樹脂、ポリイミドビス−マレイミド樹脂、ポ
リマレイミド−エポキシ樹脂、ポリマレイミド−イソシ
アナート樹脂、シリコーン樹脂、シアナート樹脂、シア
ナート−エポキシ樹脂、シアナート−ポリマレイド樹
脂、シアナート−エポキシ−ポリマレイミド樹脂、ビス
マレイミドトリアジン樹脂などが挙げられる。
【０１６９】熱可塑性樹脂には、ポリα−オレフィン、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチル−ペン
テン−１、エチレン／ビニルコポリマー、エチレンビニ
ルアセテートコポリマー、エチレンアクリル酸コポリマ
ー、エチレンメタクリレートコポリマー、エチレンメチ
ルアクリレートコポリマーなど；ポリプロピレン、エチ
レン−プロピレンコポリマーなどのような熱可塑性プロ
ピレンポリマー；ビニルクロリドポリマーおよびコポリ
マー；ビニリデンクロリドポリマーおよびコポリマー；
ポリビニルアルコール；アクリル酸、メタクリル酸、メ
チルアクリレート、メタクリレート、アクリルアミドな
どからなるアクリルポリマー；ポリエステル；ポリイミ
ド；縮合ポリマー；ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
ビニリデンフルオライド、およびフッ素化エチレンプロ
ピレン樹脂のようなフルオロカーボン樹脂；ポリスチレ
ン、α−メチルスチレン、耐衝撃性ポリスチレン、アク
リロニトリルブタジエン−スチレンポリマーなどのよう
なスチレン樹脂が挙げられる。
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ４−メチル−ペン
テン−１、エチレン／ビニルコポリマー、エチレンビニ
ルアセテートコポリマー、エチレンアクリル酸コポリマ
ー、エチレンメタクリレートコポリマー、エチレンメチ
ルアクリレートコポリマーなど；ポリプロピレン、エチ
レン−プロピレンコポリマーなどのような熱可塑性プロ
ピレンポリマー；ビニルクロリドポリマーおよびコポリ
マー；ビニリデンクロリドポリマーおよびコポリマー；
ポリビニルアルコール；アクリル酸、メタクリル酸、メ
チルアクリレート、メタクリレート、アクリルアミドな
どからなるアクリルポリマー；ポリエステル；ポリイミ
ド；縮合ポリマー；ポリテトラフルオロエチレン、ポリ
ビニリデンフルオライド、およびフッ素化エチレンプロ
ピレン樹脂のようなフルオロカーボン樹脂；ポリスチレ
ン、α−メチルスチレン、耐衝撃性ポリスチレン、アク
リロニトリルブタジエン−スチレンポリマーなどのよう
なスチレン樹脂が挙げられる。
【０１７０】ポリエステル樹脂は、二塩基性脂肪族およ
び芳香族カルボン酸およびジオールまたはトリオールか
ら生成される樹脂を含む。これらは、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレン
テレフタレート（ｔｅｒａｐｈｔｈｌａｔｅ）などを含
む。炭酸（例えば、ホスゲン）および二価フェノール
（例えば、ビスフェノールＡ）から誘導した長鎖直鎖ポ
リエステルである、ポリカーボネートが使用され得る。
び芳香族カルボン酸およびジオールまたはトリオールか
ら生成される樹脂を含む。これらは、ポリエチレンテレ
フタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレン
テレフタレート（ｔｅｒａｐｈｔｈｌａｔｅ）などを含
む。炭酸（例えば、ホスゲン）および二価フェノール
（例えば、ビスフェノールＡ）から誘導した長鎖直鎖ポ
リエステルである、ポリカーボネートが使用され得る。
【０１７１】ポリイミド樹脂は、可撓性基板において特
に有用である。これらは、四塩基性酸二無水物と、最初
にポリアミド酸を与え、次いで熱または触媒によって高
分子量直鎖ポリイミドに転化される芳香族ジアミン、と
を接触させる工程を含む反応によって生成され得る。
に有用である。これらは、四塩基性酸二無水物と、最初
にポリアミド酸を与え、次いで熱または触媒によって高
分子量直鎖ポリイミドに転化される芳香族ジアミン、と
を接触させる工程を含む反応によって生成され得る。
【０１７２】有用な縮合ポリマーは、ポリアミド、ポリ
エーテルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホ
ン、ポリベンザゾール、芳香族ポリスルホン、ポリフェ
ニレンオキシド、ポリエーテルエーテルケトンなどを含
む。
エーテルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホ
ン、ポリベンザゾール、芳香族ポリスルホン、ポリフェ
ニレンオキシド、ポリエーテルエーテルケトンなどを含
む。
【０１７３】可撓性基板における好ましい材料は、ポリ
エチレンテレフタレートおよびポリブチレンテレフタレ
ート、およびポリイミドのようなポリエステルフィルム
材料である。これらのフィルム材料は、ＤｕＰｏｎｔ，
Ａｌｌｉｅｄ−Ａｐｉｃａｌ， Ｔｅｉｊｉｎ， Ｋ
ａｎｅｇａ−ｆｕｃｈｉおよびＵｂｅ Ｉｎｄｕｓｔｒ
ｉｅｓにより、Ｍｙｌａｒ（登録商標）、Ｋａｐｔｏｎ
（登録商標）、Ａｐｉｃａｌ（登録商標）およびＵｐｉ
ｌｅｘ（登録商標）を含む様々な商品名で販売される。
エチレンテレフタレートおよびポリブチレンテレフタレ
ート、およびポリイミドのようなポリエステルフィルム
材料である。これらのフィルム材料は、ＤｕＰｏｎｔ，
Ａｌｌｉｅｄ−Ａｐｉｃａｌ， Ｔｅｉｊｉｎ， Ｋ
ａｎｅｇａ−ｆｕｃｈｉおよびＵｂｅ Ｉｎｄｕｓｔｒ
ｉｅｓにより、Ｍｙｌａｒ（登録商標）、Ｋａｐｔｏｎ
（登録商標）、Ａｐｉｃａｌ（登録商標）およびＵｐｉ
ｌｅｘ（登録商標）を含む様々な商品名で販売される。
【０１７４】可撓性基板は、銅層をそこに加える前に処
理してもしなくてもよい。例えば、接着剤のような接着
促進剤は、銅層への接着を向上させるために可撓性基板
に塗布され得る。使用され得る接着剤の例は、エポキシ
をベースにした接着剤、ポリイミドをベースにした接着
剤およびアクリルをベースにした接着剤を含む。これら
は、単独で、もしくはフェノールまたはポリビニルブチ
ラール樹脂と組み合わせて使用し得る。接着剤は約０．
１ｍｍまでの範囲の厚さを有し、１実施態様において約
５μｍ〜約５０００μｍの厚さを有し、別の実施態様に
おいて約１０μｍ〜約１０００μｍの厚さを有し、なお
別の実施態様において約１５μｍ〜約５００μｍの厚さ
を有する。
理してもしなくてもよい。例えば、接着剤のような接着
促進剤は、銅層への接着を向上させるために可撓性基板
に塗布され得る。使用され得る接着剤の例は、エポキシ
をベースにした接着剤、ポリイミドをベースにした接着
剤およびアクリルをベースにした接着剤を含む。これら
は、単独で、もしくはフェノールまたはポリビニルブチ
ラール樹脂と組み合わせて使用し得る。接着剤は約０．
１ｍｍまでの範囲の厚さを有し、１実施態様において約
５μｍ〜約５０００μｍの厚さを有し、別の実施態様に
おいて約１０μｍ〜約１０００μｍの厚さを有し、なお
別の実施態様において約１５μｍ〜約５００μｍの厚さ
を有する。
【０１７５】銅層を、処理または未処理の可撓性基板
に、積層するかあるいは堆積させる。接着促進剤は、銅
箔と可撓性基板との間に存在し得るかまたは存在し得な
い。堆積された銅層は、銅箔を前形成され得るかまたは
様々な公知の技術を使用して形成され得、この技術は、
電気めっき、非電気めっきおよび蒸着またはそれらの組
合せを含む。銅層は、約７０μｍまでの厚さを有し、１
実施態様において、約２μｍ〜約６０μｍの厚さを有
し、別の実施態様において、約５μｍ〜約４０μｍの厚
さを有する。１実施態様において、この銅層は約５μｍ
の厚さを有し、１実施態様において、約１０μｍの厚さ
を有し、１実施態様において、約１５μｍの厚さを有
し、１実施態様において、約１８μｍの厚さを有し、１
実施態様において、約３５μｍの厚さを有する。
に、積層するかあるいは堆積させる。接着促進剤は、銅
箔と可撓性基板との間に存在し得るかまたは存在し得な
い。堆積された銅層は、銅箔を前形成され得るかまたは
様々な公知の技術を使用して形成され得、この技術は、
電気めっき、非電気めっきおよび蒸着またはそれらの組
合せを含む。銅層は、約７０μｍまでの厚さを有し、１
実施態様において、約２μｍ〜約６０μｍの厚さを有
し、別の実施態様において、約５μｍ〜約４０μｍの厚
さを有する。１実施態様において、この銅層は約５μｍ
の厚さを有し、１実施態様において、約１０μｍの厚さ
を有し、１実施態様において、約１５μｍの厚さを有
し、１実施態様において、約１８μｍの厚さを有し、１
実施態様において、約３５μｍの厚さを有する。
【０１７６】電気めっきは、金属堆積物を形成するため
の電極表面上への金属コーティングの電気堆積を含む。
処理される電極表面は電気めっき溶液または電気めっき
槽中のカソードにされる。このような槽は、典型的な水
溶液であり、そこから金属は金属塩の溶液を介して電流
の流れによって還元される。導電性電極上で金属の電気
めっきを行う際、電極および基板はしばしば洗浄、リン
ス、酸に浸漬するか、または他の前処理もしくは基板の
調製に供する。電気めっきプロセスを操作するとき、基
板は溶液中に浸漬し、金属アノードから基板カソードま
で典型的に必要な電流を流す。溶液をしばしば撹拌し、
温度、電流、金属濃度および他の変数を周知の原理を使
用して綿密に制御する。
の電極表面上への金属コーティングの電気堆積を含む。
処理される電極表面は電気めっき溶液または電気めっき
槽中のカソードにされる。このような槽は、典型的な水
溶液であり、そこから金属は金属塩の溶液を介して電流
の流れによって還元される。導電性電極上で金属の電気
めっきを行う際、電極および基板はしばしば洗浄、リン
ス、酸に浸漬するか、または他の前処理もしくは基板の
調製に供する。電気めっきプロセスを操作するとき、基
板は溶液中に浸漬し、金属アノードから基板カソードま
で典型的に必要な電流を流す。溶液をしばしば撹拌し、
温度、電流、金属濃度および他の変数を周知の原理を使
用して綿密に制御する。
【０１７７】銅層はまた、非電気めっきを使用して形成
され得、これは金属塩の溶液中で、金属と化学還元剤と
の間の相互作用によって連続したフィルムの制御された
自己触媒性堆積である。非電気堆積は、導電性および非
導電性表面上に、金属、合金、金属化合物、および複合
材料のフィルムを与え得る。非導電性溶液は、溶液安定
性、フィルム特性、堆積速度などを制御するために、金
属塩、還元剤、ｐＨ調整剤または緩衝剤、複合試剤およ
び１つ以上の添加剤を含む。非電気めっきの利点は、非
導電性または貧導電性表面上に金属をめっきできること
である。蒸着技術、ＰＶＤおよびＣＶＤの両方はまた、
上記されるように約７０μｍまでの厚さを有する銅を堆
積するために使用され得る。
され得、これは金属塩の溶液中で、金属と化学還元剤と
の間の相互作用によって連続したフィルムの制御された
自己触媒性堆積である。非電気堆積は、導電性および非
導電性表面上に、金属、合金、金属化合物、および複合
材料のフィルムを与え得る。非導電性溶液は、溶液安定
性、フィルム特性、堆積速度などを制御するために、金
属塩、還元剤、ｐＨ調整剤または緩衝剤、複合試剤およ
び１つ以上の添加剤を含む。非電気めっきの利点は、非
導電性または貧導電性表面上に金属をめっきできること
である。蒸着技術、ＰＶＤおよびＣＶＤの両方はまた、
上記されるように約７０μｍまでの厚さを有する銅を堆
積するために使用され得る。
【０１７８】一旦、銅層が１つの可撓性基板に塗布され
ると、可撓性のプリントワイヤーボード（ｐｒｉｎｔｅ
ｄ ｗｉｒｉｎｇ ｂｏａｒｄ）は回路パターンを形成
することによって作製され得る。回路パターンを、エッ
チングプロセスを含む写真平板技術を使用して形成し
得、ここで、抵抗槽および腐食液槽を、パターン化され
た銅箔の回路パターンを離す銅を選択的に除去するため
に使用する。必要に応じて、接着促進剤を、銅箔の露出
した側に塗布し、別の処理または未処理の可撓性基板
を、可撓性回路を形成するためにパターン化された銅箔
被覆積層体に固定する。
ると、可撓性のプリントワイヤーボード（ｐｒｉｎｔｅ
ｄ ｗｉｒｉｎｇ ｂｏａｒｄ）は回路パターンを形成
することによって作製され得る。回路パターンを、エッ
チングプロセスを含む写真平板技術を使用して形成し
得、ここで、抵抗槽および腐食液槽を、パターン化され
た銅箔の回路パターンを離す銅を選択的に除去するため
に使用する。必要に応じて、接着促進剤を、銅箔の露出
した側に塗布し、別の処理または未処理の可撓性基板
を、可撓性回路を形成するためにパターン化された銅箔
被覆積層体に固定する。
【０１７９】本発明の種々の処理は、単一チャンバを使
用して連続法で行われ得、このチャンバは各々の処理で
最適化される圧力で操作される区分に分割される。様々
な処理はまた、各々の処理において別々のチャンバを使
用して連続法で行われ得る。様々な処置はまた、各々の
プロセス行程を提供するために、単一チャンバおよびチ
ャンバを通る複数の流路を使用する段階的な連続法で行
われ得る。
用して連続法で行われ得、このチャンバは各々の処理で
最適化される圧力で操作される区分に分割される。様々
な処理はまた、各々の処理において別々のチャンバを使
用して連続法で行われ得る。様々な処置はまた、各々の
プロセス行程を提供するために、単一チャンバおよびチ
ャンバを通る複数の流路を使用する段階的な連続法で行
われ得る。
【０１８０】本発明は、その好ましい実施態様に関連し
て説明されるが、その様々な改変は明細書を読めば当業
者にとって明らかである。従って、本明細書中に記載さ
れる本発明は添付の特許請求の範囲内にあるようなこの
ような改変を包含することを意図されることが理解され
るべきである。
て説明されるが、その様々な改変は明細書を読めば当業
者にとって明らかである。従って、本明細書中に記載さ
れる本発明は添付の特許請求の範囲内にあるようなこの
ような改変を包含することを意図されることが理解され
るべきである。
【０１８１】１実施態様においては、本発明は、第一の
可撓性ポリマーフィルム；少なくとも片側に微小亀裂防
止層を有する銅層であって、微小亀裂防止層が、可撓性
積層体の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層において
少なくとも５０，０００，０００の曲げサイクルの間、
および／または約３５μｍまでの厚さを有する銅層にお
いて少なくとも２０，０００，０００の曲げサイクルの
間、微小亀裂を防止するのに十分である、銅層；ならび
に第二の可撓性ポリマーフィルム、を含む、可撓性積層
体に関する。
可撓性ポリマーフィルム；少なくとも片側に微小亀裂防
止層を有する銅層であって、微小亀裂防止層が、可撓性
積層体の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層において
少なくとも５０，０００，０００の曲げサイクルの間、
および／または約３５μｍまでの厚さを有する銅層にお
いて少なくとも２０，０００，０００の曲げサイクルの
間、微小亀裂を防止するのに十分である、銅層；ならび
に第二の可撓性ポリマーフィルム、を含む、可撓性積層
体に関する。
【０１８２】
【発明の効果】本発明の結果、電気的特性を改善した可
撓性回路が提供される。電気的特性を改善した可撓性回
路は、機械的な疲労に対する改善された耐性を示し、従
って、銅箔層の損傷に対する改善された耐性を示し、そ
れにより、電気的特性を改善する。機械的な疲労に対す
る改善された耐性は、銅箔層の微小亀裂に対する耐性の
増強の原因となり得る。
撓性回路が提供される。電気的特性を改善した可撓性回
路は、機械的な疲労に対する改善された耐性を示し、従
って、銅箔層の損傷に対する改善された耐性を示し、そ
れにより、電気的特性を改善する。機械的な疲労に対す
る改善された耐性は、銅箔層の微小亀裂に対する耐性の
増強の原因となり得る。
【０１８３】また本発明の結果、特性を導入するために
改善された曲げを有する可撓性回路も提供される。この
関連で、本発明は、高サイクル、低歪み疲労および低サ
イクル、高歪み疲労の両方に対する耐性を有する可撓性
回路を提供する。
改善された曲げを有する可撓性回路も提供される。この
関連で、本発明は、高サイクル、低歪み疲労および低サ
イクル、高歪み疲労の両方に対する耐性を有する可撓性
回路を提供する。
【図１】可撓性回路に関連する曲げおよび対応する力を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】多くの曲げサイクルの後の、銅層における微小
亀裂を示す図である。
亀裂を示す図である。
１０ 可撓性回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599167467 34929 Ｃｕｒｔｉｓ Ｂｏｕｌｅｖａｒ ｄ， Ｅａｓｔｌａｋｅ， Ｏｈｉｏ 44095， Ｕｎｉｔｅｄ Ｓｔａｔｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａ (72)発明者 チャールズ エイ． ポータス アメリカ合衆国 オハイオ 44122， ビ ーチウッド， タンブリッジ レーン 24457 (72)発明者 チン−ホー リー アメリカ合衆国 オハイオ 44124， リ ンドハースト， エデンホール ドライブ 2060
Claims (25)
- 【請求項１】 可撓性積層体であって、以下：第一の可
撓性ポリマーフィルム；少なくとも片側に微小亀裂防止
層を有する銅層であって、該微小亀裂防止層は、該可撓
性積層体の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層におい
て少なくとも５０，０００，０００の曲げサイクルの
間、および／または約３５μｍまでの厚さを有する銅層
において少なくとも２０，０００，０００の曲げサイク
ルの間、微小亀裂を防止するのに十分である、銅層；な
らびに第二の可撓性ポリマーフィルム、を包含する、可
撓性積層体。 - 【請求項２】 前記微小亀裂防止層が、酸性硫酸銅浴を
用いて堆積された銅を含む、請求項１に記載の可撓性積
層体。 - 【請求項３】 前記微小亀裂防止層が、約０．０２μｍ
から約２μｍの厚さを有する黒色酸化物層を含む、請求
項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項４】 前記微小亀裂防止層が、約０．０１μｍ
から約１μｍの厚さを有する褐色酸化物層を含む、請求
項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項５】 前記微小亀裂防止層が、クロム酸塩溶液
またはカソードクロム電解槽を用いて堆積されたクロム
層を含み、該微小亀裂防止層が約２５Åから約１２５Å
の厚さを有する、請求項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項６】 前記微小亀裂防止層が、クロム、亜鉛お
よび水素阻害剤を含む酸性電解溶液を用いて堆積され
た、約２５Åから約１２５Åの厚さを有する、亜鉛およ
びクロムを含む金属層を含む、請求項１に記載の可撓性
積層体。 - 【請求項７】 前記微小亀裂防止層が、通気された水ま
たは酸素プラズマを用いて形成される酸化物層を含む、
請求項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項８】 前記微小亀裂防止層が、亜鉛および水素
阻害剤を含む酸性電解溶液を用いて堆積された、約２Å
から約６０Åの厚さを有する、亜鉛金属層を含む、請求
項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項９】 前記微小亀裂防止層が、少なくとも１つ
のニッケルタイコート層およびクロムタイコート層をさ
らに含み、該微小亀裂防止層が約３０Åから約５００Å
の厚さを有する、請求項２に記載の可撓性積層体。 - 【請求項１０】 前記微小亀裂防止層が、約０．００２
μｍから約０．１μｍの厚さを有するシランカップリン
グ剤層をさらに含む、請求項４に記載の可撓性積層体。 - 【請求項１１】 前記ポリマーフィルムが、少なくとも
１つのポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、および縮合
ポリマーを含む、請求項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項１２】 前記銅層が、約７０μｍまでの厚さを
有する、請求項１に記載の可撓性積層体。 - 【請求項１３】 前記第一の可撓性ポリマーフィルムと
前記銅層との間に接着促進剤をさらに含む、請求項１に
記載の可撓性積層体。 - 【請求項１４】 前記第二の可撓性ポリマーフィルムと
前記銅層との間に接着促進剤をさらに含む、請求項１に
記載の可撓性積層体。 - 【請求項１５】 可撓性積層体の作製のプロセスであっ
て、以下の工程：銅層を提供する工程；微小亀裂を防止
するために該銅層を処理する工程；該銅層の第一の面を
第一の可撓性ポリマーフィルムに付ける工程；該銅箔に
パターン形成する工程；および第二の可撓性ポリマーフ
ィルムを該銅層の第二の面に付ける工程を含む、プロセ
ス。 - 【請求項１６】 微小亀裂を防止するために前記銅層を
処理する工程が、該銅層を、約０．１μｍから約１０μ
ｍの厚さを有する微小亀裂防止層を提供するために十分
な時間、約０．１ｇ／ｌから約５０ｇ／ｌの硫酸銅を含
む酸性硫酸銅浴と接触させる工程を含む、請求項１５に
記載のプロセス。 - 【請求項１７】 請求項１５に記載のプロセスであっ
て、微小亀裂を防止するために前記銅層を処理する工程
が、該銅層を、酸化剤および必要に応じて水酸化物化合
物と接触させる工程を含み、該酸化剤が、硝酸アンモニ
ウム、過塩素酸アンモニウム、過硫酸アンモニウム、硝
酸テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラエチルアンモ
ニウム、亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸ナトリウム、
硝酸ナトリウム、亜硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウ
ム、過炭酸ナトリウム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素
酸ナトリウム、過硫酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝
酸カリウム、過ホウ酸カリウム、過塩素酸カリウム、過
ヨウ素酸カリウム、過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、
過塩素酸ルビジウム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグ
ネシウム、次亜塩素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過
塩素酸カルシウム、硝酸ストロンチウム、過塩素酸スト
ロンチウム、通気された水および酸素プラズマから選択
される、プロセス。 - 【請求項１８】 微小亀裂を防止するために前記銅層を
処理する工程が、該銅層を、約１秒から約１００秒の時
間、約０．１ｇ／ｌから約１０ｇ／ｌのクロム酸塩を含
むクロム酸塩溶液と接触させる工程を含む、請求項１５
に記載のプロセス。 - 【請求項１９】 微小亀裂を防止するために前記銅層を
処理する工程が、該銅層を、約２秒から約２０秒の時
間、約１０ＡＳＦから約４０ＡＳＦの電流密度下で、約
０．１ｇ／ｌから約５ｇ／ｌのクロム化合物を含むカソ
ードクロム電解槽と接触させる工程を含む、請求項１５
に記載のプロセス。 - 【請求項２０】 微小亀裂を防止するために前記銅層を
処理する工程が、該銅層を、約１秒から約３０秒の時
間、約１ＡＳＦから約１００ＡＳＦの電流密度下で、約
０．１ｇ／ｌから約２ｇ／ｌの亜鉛イオン、約０．３ｇ
／ｌから約５ｇ／ｌのクロムイオン、および約５ｐｐｍ
から約１０００ｐｐｍの水素阻害剤、を含むカソードク
ロム電解槽と接触させる工程を含む、請求項１５に記載
のプロセス。 - 【請求項２１】 請求項１５に記載のプロセスであっ
て、微小亀裂を防止するために前記銅層を処理する工程
が、少なくとも１つの硝酸アンモニウム、過塩素酸アン
モニウム、過硫酸アンモニウム、硝酸テトラメチルアン
モニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、亜塩素酸ナ
トリウム、次亜塩素酸ナトリウム、硝酸ナトリウム、亜
硝酸ナトリウム、過ホウ酸ナトリウム、過炭酸ナトリウ
ム、過塩素酸ナトリウム、過ヨウ素酸ナトリウム、過硫
酸ナトリウム、硝酸カリウム、亜硝酸カリウム、過ホウ
酸カリウム、過塩素酸カリウム、過ヨウ素酸カリウム、
過硫酸カリウム、硝酸ルビジウム、過塩素酸ルビジウ
ム、硝酸マグネシウム、過塩素酸マグネシウム、次亜塩
素酸カルシウム、硝酸カルシウム、過塩素酸カルシウ
ム、硝酸ストロンチウム、過塩素酸ストロンチウム、お
よび通気された水を用いて該銅層上に酸化物層を形成す
る工程を含む、プロセス。 - 【請求項２２】 微小亀裂を防止するために前記銅層を
処理する工程が、以下：該銅層上に蒸着することによっ
て亜鉛層を堆積させる工程；および該亜鉛層を六価クロ
ム酸化物化合物と接触させる工程を含む、請求項１５に
記載のプロセス。 - 【請求項２３】 少なくとも１つのクロムおよびニッケ
ルならびに必要に応じて１つ以上のＣｕ、Ｆｅ、Ｖ、Ｔ
ｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、
ＭｎおよびＣｏを、物理的蒸着または化学的蒸着によっ
て堆積させて、約３０Åから約５００Åの厚さを有する
タイコート層を形成する工程をさらに含む、請求項２１
に記載のプロセス。 - 【請求項２４】 前記酸化された銅層上に１つ以上のシ
ランカップリング剤を堆積させる工程をさらに含む、請
求項２１に記載のプロセス。 - 【請求項２５】 第一の可撓性ポリマーフィルム、銅
層、および第二の可撓性ポリマーフィルムを含む可撓性
回路の、約１８μｍまでの厚さを有する銅層において少
なくとも５０，０００，０００の曲げサイクルの間、微
小亀裂を防止する方法であって、該可撓性回路が必要に
応じて、接着剤を、少なくとも１つの該銅層と該第一の
可撓性ポリマーフィルムとの間、および該銅層と該第二
の可撓性ポリマーフィルムとの間にさらに含む、方法で
あって：該銅層の少なくとも片側を、酸性硫酸銅浴中カ
ソード処理、酸化処理、クロム処理、酸浴中カソード処
理、タイコート処理およびシラン処理で処理する工程を
含む、方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/271.640 | 1999-03-17 | ||
| US09/271,640 US6221176B1 (en) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Surface treatment of copper to prevent microcracking in flexible circuits |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000263693A true JP2000263693A (ja) | 2000-09-26 |
| JP3489814B2 JP3489814B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=23036447
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000020918A Expired - Fee Related JP3489814B2 (ja) | 1999-03-17 | 2000-01-28 | 可撓性回路における微小亀裂防止のための銅による表面処理 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6221176B1 (ja) |
| EP (1) | EP1037511B1 (ja) |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005051652A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Dowa Mining Co., Ltd. | 金属被覆基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6132589A (en) * | 1998-09-10 | 2000-10-17 | Ga-Tek Inc. | Treated copper foil and process for making treated copper foil |
| CA2327801A1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-09-21 | Rocky L. Hilburn | Copper on polymer component having improved adhesion |
| US20040161545A1 (en) * | 2000-11-28 | 2004-08-19 | Shipley Company, L.L.C. | Adhesion method |
| US20030198828A1 (en) * | 2001-07-17 | 2003-10-23 | Tang-Chieh Huang | Flexible circuit substrate |
| CN1681373A (zh) * | 2001-08-10 | 2005-10-12 | 日矿金属加工株式会社 | 层叠板用铜合金箔 |
| US7060198B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-06-13 | Clearwater International, L.L.C. | Heat exchange fluids comprising amine carboxylates |
| US7327022B2 (en) * | 2002-12-30 | 2008-02-05 | General Electric Company | Assembly, contact and coupling interconnection for optoelectronics |
| US20050234545A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Yea-Yang Su | Amorphous oxide surface film for metallic implantable devices and method for production thereof |
| TWI324500B (en) | 2006-02-17 | 2010-05-01 | Au Optronics Corp | The way to prevent the broken circuit of the fpc |
| US20080000552A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Letize Raymond A | Process for increasing the adhesion of a metal surface to a polymer |
| TWI367555B (en) * | 2007-03-21 | 2012-07-01 | Advanced Semiconductor Eng | Conversion substrate for leadframe and the method for making the same |
| JP2011500216A (ja) * | 2007-10-17 | 2011-01-06 | プリンストン ユニバーシティー | 機能化基板とその製造方法 |
| US7631798B1 (en) * | 2008-10-02 | 2009-12-15 | Ernest Long | Method for enhancing the solderability of a surface |
| US20100221574A1 (en) * | 2009-02-27 | 2010-09-02 | Rochester Thomas H | Zinc alloy mechanically deposited coatings and methods of making the same |
| EP2244542B1 (en) * | 2009-04-24 | 2013-03-27 | Atotech Deutschland GmbH | Multilayer printed circuit board manufacture |
| JP4927963B2 (ja) * | 2010-01-22 | 2012-05-09 | 古河電気工業株式会社 | 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板 |
| WO2011091585A1 (en) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | Dow Global Technologies Inc. | A multilayer structure, and a method for making the same |
| US8951665B2 (en) * | 2010-03-10 | 2015-02-10 | Imergy Power Systems, Inc. | Methods for the preparation of electrolytes for chromium-iron redox flow batteries |
| EP2492724A1 (en) * | 2011-02-24 | 2012-08-29 | Kocam International Co.Ltd. | Integrated backlight module with good heat equalization and heat dissipation performance |
| CN103101263A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 松扬电子材料(昆山)有限公司 | 有色导热覆盖膜 |
| CN103101265A (zh) * | 2011-11-11 | 2013-05-15 | 松扬电子材料(昆山)有限公司 | 有色覆盖膜 |
| US11364714B2 (en) * | 2013-10-11 | 2022-06-21 | Sumitomo Electric Printed Circuits, Inc. | Fluororesin base material, printed wiring board, and circuit module |
| US9480155B2 (en) | 2014-07-10 | 2016-10-25 | Apple Inc. | Flexible cables in electronic devices with moving components |
| CN112154175B (zh) * | 2018-05-18 | 2023-01-17 | 国立大学法人大阪大学 | 表面处理聚合物的制造方法、聚合物、金属镀覆聚合物及粘接层叠体、以及它们的制造方法 |
| KR102352447B1 (ko) | 2020-08-19 | 2022-01-17 | 남부대학교산학협력단 | 연성회로 기판의 롤투롤 연속생산을 위한 금속표면처리 방법 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3186887A (en) * | 1960-12-27 | 1965-06-01 | Sanders Associates Inc | Encapsulated article and method of making |
| US3728178A (en) * | 1970-07-30 | 1973-04-17 | Olin Corp | Method of producing flexible copper laminate for printed circuits |
| US4131517A (en) * | 1977-06-03 | 1978-12-26 | Nippon Mining Co., Ltd. | Surface treating process for copper foil for use in printed circuit |
| GB1593206A (en) * | 1977-12-05 | 1981-07-15 | Califoil Inc | Plasticsmetal composite and method of making same |
| US4468293A (en) * | 1982-03-05 | 1984-08-28 | Olin Corporation | Electrochemical treatment of copper for improving its bond strength |
| US4409037A (en) * | 1982-04-05 | 1983-10-11 | Macdermid Incorporated | Adhesion promoter for printed circuits |
| JPS59218789A (ja) | 1983-05-06 | 1984-12-10 | 信越化学工業株式会社 | フレキシブルプリント配線基板およびその製造方法 |
| US4524089A (en) * | 1983-11-22 | 1985-06-18 | Olin Corporation | Three-step plasma treatment of copper foils to enhance their laminate adhesion |
| JPH0712650B2 (ja) * | 1985-02-12 | 1995-02-15 | 三井東圧化学株式会社 | フレキシブル銅張回路基板の製法 |
| US4863808A (en) | 1985-09-13 | 1989-09-05 | Gould Inc. | Copper-chromium-polyimide composite |
| JPH0713304B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1995-02-15 | 日立化成工業株式会社 | 銅の表面処理法 |
| JPH02131935A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Mitsui Toatsu Chem Inc | フレキシブル銅張り基板 |
| JPH0737113B2 (ja) * | 1989-03-13 | 1995-04-26 | 三菱電機株式会社 | 銅箔と樹脂との密着性向上方法 |
| US5230932A (en) * | 1989-10-13 | 1993-07-27 | Olin Corporation | Chromium-zinc anti-tarnish coating for copper foil |
| US5172473A (en) * | 1990-05-07 | 1992-12-22 | International Business Machines Corporation | Method of making cone electrical contact |
| US5112462A (en) | 1990-09-13 | 1992-05-12 | Sheldahl Inc. | Method of making metal-film laminate resistant to delamination |
| US5234522A (en) * | 1990-12-05 | 1993-08-10 | Hitachi Chemical Company, Inc. | Method of producing flexible printed-circuit board covered with coverlay |
| US5147492A (en) * | 1991-02-20 | 1992-09-15 | Compeq Manufacturing Co., Ltd. | Method of bonding copper and resin |
| US5461203A (en) | 1991-05-06 | 1995-10-24 | International Business Machines Corporation | Electronic package including lower water content polyimide film |
| WO1993010277A1 (en) * | 1991-11-20 | 1993-05-27 | Electrochemicals, Inc. | Improved method for bonding copper to a polymeric material |
| CN2216318Y (zh) * | 1994-11-24 | 1995-12-27 | 刘宝申 | 聚酯薄膜柔性覆铜箔板和覆膜线路板 |
| JPH08264031A (ja) * | 1995-03-22 | 1996-10-11 | Fujikura Ltd | フレキシブルフラットケーブル |
| US6132887A (en) * | 1995-06-16 | 2000-10-17 | Gould Electronics Inc. | High fatigue ductility electrodeposited copper foil |
| US5681662A (en) * | 1995-09-15 | 1997-10-28 | Olin Corporation | Copper alloy foils for flexible circuits |
| US5863666A (en) * | 1997-08-07 | 1999-01-26 | Gould Electronics Inc. | High performance flexible laminate |
-
1999
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005051652A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Dowa Mining Co., Ltd. | 金属被覆基板及びその製造方法 |
| JPWO2005051652A1 (ja) * | 2003-11-26 | 2007-06-21 | Ｄｏｗａホールディングス株式会社 | 金属被覆基板及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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