JP2000268638A - 透明導電膜及び電界放出形表示素子 - Google Patents
透明導電膜及び電界放出形表示素子Info
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Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】耐還元性、透光性、導電性を有し、ＦＥＤの陽
極導体として有用な透明導電膜を提供する。 【構成】ＦＥＤ１の外囲器２は陰極基板３と陽極基板４
からなる。陽極基板４の内面には、陽極導体５と蛍光体
層６からなる陽極７がある。陽極導体５は、陽極基板４
の内面に接しているＩＴＯの第１層８と、その上を被覆
しているＺｎＯ：Ａｌの第２層９からなる。ＺｎＯは透
光性と導電性を有し、酸化物として安定しているため還
元性雰囲気下でも還元されにくい性質（耐還元性）をも
つ。特にＡｌが適量添加されているので透光性と導電性
に優れている。陰極基板３の内面には、電子源である陰
極として、電界放出素子１０が設けられている。還元さ
れやすいＩＴＯを、耐還元性のＺｎＯ：Ａｌ薄膜の第２
層９で被覆保護している。ＦＥＤの製造工程において外
囲器内を還元性雰囲気にしても、陽極導体のＩＴＯが還
元されてＩｎが析出する等の不都合は生じない。
極導体として有用な透明導電膜を提供する。 【構成】ＦＥＤ１の外囲器２は陰極基板３と陽極基板４
からなる。陽極基板４の内面には、陽極導体５と蛍光体
層６からなる陽極７がある。陽極導体５は、陽極基板４
の内面に接しているＩＴＯの第１層８と、その上を被覆
しているＺｎＯ：Ａｌの第２層９からなる。ＺｎＯは透
光性と導電性を有し、酸化物として安定しているため還
元性雰囲気下でも還元されにくい性質（耐還元性）をも
つ。特にＡｌが適量添加されているので透光性と導電性
に優れている。陰極基板３の内面には、電子源である陰
極として、電界放出素子１０が設けられている。還元さ
れやすいＩＴＯを、耐還元性のＺｎＯ：Ａｌ薄膜の第２
層９で被覆保護している。ＦＥＤの製造工程において外
囲器内を還元性雰囲気にしても、陽極導体のＩＴＯが還
元されてＩｎが析出する等の不都合は生じない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子の陽極導
体として有用な透明導電膜と、係る透明導電膜を陽極導
体に使用した電界放出形表示素子に関する。
体として有用な透明導電膜と、係る透明導電膜を陽極導
体に使用した電界放出形表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＦＥＤ(Field Emission Display)は、内
部が高真空状態とされた薄型パネル状の外囲器を有して
いる。この外囲器は、陰極基板と陽極基板を微小な間隔
をおいて対面させ、両基板の各外周の間にスペーサ部材
を設けて封着した構造となっている。陽極基板の内面に
は、陽極導体と該陽極導体の表面に設けられた蛍光体層
からなる陽極が設けられている。陰極基板の内面には電
子放出源として電界放出素子からなる陰極が設けられて
いる。電界放出素子は、陰極基板の内面に設けられた陰
極導体と、陰極導体に設けられたコーン形状のエミッタ
と、エミッタの先端に近接して設けられたゲート電極を
有している。陰極導体とゲート電極は絶縁層で絶縁され
ている。
部が高真空状態とされた薄型パネル状の外囲器を有して
いる。この外囲器は、陰極基板と陽極基板を微小な間隔
をおいて対面させ、両基板の各外周の間にスペーサ部材
を設けて封着した構造となっている。陽極基板の内面に
は、陽極導体と該陽極導体の表面に設けられた蛍光体層
からなる陽極が設けられている。陰極基板の内面には電
子放出源として電界放出素子からなる陰極が設けられて
いる。電界放出素子は、陰極基板の内面に設けられた陰
極導体と、陰極導体に設けられたコーン形状のエミッタ
と、エミッタの先端に近接して設けられたゲート電極を
有している。陰極導体とゲート電極は絶縁層で絶縁され
ている。
【０００３】蛍光体層の発光は、陽極と陽極基板を通し
て陽極基板の外側から観察する。従って、陽極と陽極基
板は透光性の材料から構成されている。例えば陽極基板
はガラス基板からなり、陽極導体はＩＴＯ(Indium Tin
Oxide)等の透明導電膜によって構成される。
て陽極基板の外側から観察する。従って、陽極と陽極基
板は透光性の材料から構成されている。例えば陽極基板
はガラス基板からなり、陽極導体はＩＴＯ(Indium Tin
Oxide)等の透明導電膜によって構成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前記ＦＥＤの製造工程
においては、外囲器の内部を高真空状態に排気した後に
高温の還元性ガスを導入して還元反応が起きやすい雰囲
気をつくり、電子を放出するエミッタの先端部が酸化し
ないようにしている。
においては、外囲器の内部を高真空状態に排気した後に
高温の還元性ガスを導入して還元反応が起きやすい雰囲
気をつくり、電子を放出するエミッタの先端部が酸化し
ないようにしている。
【０００５】しかしながら、このように外囲器内を還元
性雰囲気にすると、陽極導体の透明導電膜を構成してい
るＩＴＯのような金属酸化物が還元されてしまうという
問題がある。ＩＴＯが還元されると、金属Ｉｎが析出し
て蒸発し、外囲器内で他の電極に付着して絶縁不良を発
生させてしまう。
性雰囲気にすると、陽極導体の透明導電膜を構成してい
るＩＴＯのような金属酸化物が還元されてしまうという
問題がある。ＩＴＯが還元されると、金属Ｉｎが析出し
て蒸発し、外囲器内で他の電極に付着して絶縁不良を発
生させてしまう。
【０００６】本発明は、還元雰囲気に耐えて透光性と導
電性を維持することができ、従ってＦＥＤの陽極導体と
して有用である透明導電膜を提供することを第１の目的
としている。また、本発明は、かかる透明導電膜を陽極
導体として有しているＦＥＤを提供することを第２の目
的としている。
電性を維持することができ、従ってＦＥＤの陽極導体と
して有用である透明導電膜を提供することを第１の目的
としている。また、本発明は、かかる透明導電膜を陽極
導体として有しているＦＥＤを提供することを第２の目
的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された透
明導電膜（陽極導体５）は、気密容器（外囲器２）の内
面に形成され、ＺｎＯを含むことを特徴としている。
明導電膜（陽極導体５）は、気密容器（外囲器２）の内
面に形成され、ＺｎＯを含むことを特徴としている。
【０００８】請求項２に記載された透明導電膜は、請求
項１記載の透明導電膜において、前記透明導電膜（陽極
導体５）が多層構造になっており、前記ＺｎＯが少なく
とも表面の一部（第２層９）に含まれていることを特徴
としている。
項１記載の透明導電膜において、前記透明導電膜（陽極
導体５）が多層構造になっており、前記ＺｎＯが少なく
とも表面の一部（第２層９）に含まれていることを特徴
としている。
【０００９】請求項３に記載された透明導電膜は、請求
項２記載の透明導電膜において、前記ＺｎＯが含まれて
いる層（第２層９）以外の層（第１層８）が、ＩｎとＳ
ｎから選択された元素の化合物（ＩＴＯ、ＳｎＯ2 ）を
含んでいることを特徴としている。
項２記載の透明導電膜において、前記ＺｎＯが含まれて
いる層（第２層９）以外の層（第１層８）が、ＩｎとＳ
ｎから選択された元素の化合物（ＩＴＯ、ＳｎＯ2 ）を
含んでいることを特徴としている。
【００１０】請求項４に記載された透明導電膜は、請求
項３記載の透明導電膜において、前記Ｉｎの化合物がIn
dium Tin Oxideであり、前記Ｓｎの化合物がＳｎＯ2 で
あることを特徴としている。
項３記載の透明導電膜において、前記Ｉｎの化合物がIn
dium Tin Oxideであり、前記Ｓｎの化合物がＳｎＯ2 で
あることを特徴としている。
【００１１】請求項５に記載された透明導電膜は、請求
項１又は２又は３又は４記載の透明導電膜において、前
記ＺｎＯにＡｌがドープされていることを特徴としてい
る。
項１又は２又は３又は４記載の透明導電膜において、前
記ＺｎＯにＡｌがドープされていることを特徴としてい
る。
【００１２】請求項６に記載された透明導電膜は、請求
項５記載の透明導電膜において、前記透明導電膜（陽極
導体５）が形成されている気密容器（外囲器２）の内面
が非晶質の物質からなり、前記透明導電膜がＣ軸配向し
たウルツ鉱構造の多結晶薄膜であることを特徴としてい
る。
項５記載の透明導電膜において、前記透明導電膜（陽極
導体５）が形成されている気密容器（外囲器２）の内面
が非晶質の物質からなり、前記透明導電膜がＣ軸配向し
たウルツ鉱構造の多結晶薄膜であることを特徴としてい
る。
【００１３】請求項７に記載された電界放出形表示素子
（ＦＥＤ１）は、透光性の陽極基板（４）と、前記陽極
基板の内面に形成された透明導電膜（第１層８、第２層
９）からなる陽極導体（５）と、前記陽極導体に形成さ
れた蛍光体層（６）と、前記陽極基板に所定間隔をおい
て対面するように配置された陰極基板（３）と、前記陰
極基板の内面に形成された電界放出素子（１０）とを有
する電界放出形表示素子であり、前記透明導電膜（第２
層９）がＺｎＯを含むことを特徴としている。
（ＦＥＤ１）は、透光性の陽極基板（４）と、前記陽極
基板の内面に形成された透明導電膜（第１層８、第２層
９）からなる陽極導体（５）と、前記陽極導体に形成さ
れた蛍光体層（６）と、前記陽極基板に所定間隔をおい
て対面するように配置された陰極基板（３）と、前記陰
極基板の内面に形成された電界放出素子（１０）とを有
する電界放出形表示素子であり、前記透明導電膜（第２
層９）がＺｎＯを含むことを特徴としている。
【００１４】
【発明の実施の形態】図１に本例のＦＥＤ１(Field Emi
ssion Display)の断面図を示す。ＦＥＤ１は、内部が高
真空状態とされた薄型パネル状の外囲器２を有してい
る。この外囲器２は、陰極基板３と陽極基板４を微小な
間隔をおいて対面させ、両基板３，４の各外周の間に図
示しないスペーサ部材（封着剤）を設けて封着した構造
となっている。両基板３，４は非晶質のガラス製であ
り、透光性を有する。
ssion Display)の断面図を示す。ＦＥＤ１は、内部が高
真空状態とされた薄型パネル状の外囲器２を有してい
る。この外囲器２は、陰極基板３と陽極基板４を微小な
間隔をおいて対面させ、両基板３，４の各外周の間に図
示しないスペーサ部材（封着剤）を設けて封着した構造
となっている。両基板３，４は非晶質のガラス製であ
り、透光性を有する。
【００１５】この外囲器２において、陽極基板４の内面
には、陽極導体５と、該陽極導体５の表面に設けられた
蛍光体層６からなる陽極７が設けられている。従来の陽
極導体は、ＩＴＯ等の透明導電膜の１層構造であった
が、本発明の陽極導体５は複数種類の材質からなる多層
構造であり、本例では一例として２層構造を採用した。
具体的には、陽極基板４の内面に接している第１層８が
ＩＴＯであり、その上を被覆している第２層９がＺｎ
Ｏ：Ａｌからなる。
には、陽極導体５と、該陽極導体５の表面に設けられた
蛍光体層６からなる陽極７が設けられている。従来の陽
極導体は、ＩＴＯ等の透明導電膜の１層構造であった
が、本発明の陽極導体５は複数種類の材質からなる多層
構造であり、本例では一例として２層構造を採用した。
具体的には、陽極基板４の内面に接している第１層８が
ＩＴＯであり、その上を被覆している第２層９がＺｎ
Ｏ：Ａｌからなる。
【００１６】ＺｎＯは透光性と導電性を有し、また酸化
物として安定しているために還元性雰囲気下でも還元さ
れにくい性質（耐還元性）をもつ。特に本例のＺｎＯは
Ａｌが適量添加されているので透光性と導電性に優れて
いる。透光性が高いために、膜厚に余裕があり、厚くし
ても蛍光体の視認に悪影響を及ぼさない。
物として安定しているために還元性雰囲気下でも還元さ
れにくい性質（耐還元性）をもつ。特に本例のＺｎＯは
Ａｌが適量添加されているので透光性と導電性に優れて
いる。透光性が高いために、膜厚に余裕があり、厚くし
ても蛍光体の視認に悪影響を及ぼさない。
【００１７】ＺｎＯは広い光学的バンドギャップを有
し、ガラス等の非晶質の基板上に作製した場合、一般的
にＣ軸配向したウルツ鉱構造の多結晶薄膜となり、導電
性を上げるためにＡｌ等の不純物をドープする。
し、ガラス等の非晶質の基板上に作製した場合、一般的
にＣ軸配向したウルツ鉱構造の多結晶薄膜となり、導電
性を上げるためにＡｌ等の不純物をドープする。
【００１８】本例で使用しているＺｎＯ：Ａｌの透光性
及び導電性の向上のためには、Ａｌ等の不純物のドープ
とともに化学量論的組成の制御が重要である。ＺｎＯ：
Ａｌの薄膜はマグネトロンスパッタ法で製作できるが、
この方法ではスパッタ時の酸素導入量の制御によって化
学量論的組成の制御を行う場合と、Ｚｎ金属ターゲット
のスパッタ量によって同制御を行う場合がある。
及び導電性の向上のためには、Ａｌ等の不純物のドープ
とともに化学量論的組成の制御が重要である。ＺｎＯ：
Ａｌの薄膜はマグネトロンスパッタ法で製作できるが、
この方法ではスパッタ時の酸素導入量の制御によって化
学量論的組成の制御を行う場合と、Ｚｎ金属ターゲット
のスパッタ量によって同制御を行う場合がある。
【００１９】次に、本例のＦＥＤ１において、外囲器２
を構成する陰極基板３の内面には、電子源である陰極と
して、電界放出素子１０が設けられている。電界放出素
子１０は、陰極基板３の内面に設けられた陰極導体１１
と、陰極導体１１の上に形成された絶縁層１２と、絶縁
層１２の上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極
１３と絶縁層１２に形成されたホール１４と、ホール１
４の内部に露出した陰極導体１１の上に形成されたコー
ン形状のエミッタ１５とを有している。エミッタ１５の
先端はゲート電極１３に近接している。
を構成する陰極基板３の内面には、電子源である陰極と
して、電界放出素子１０が設けられている。電界放出素
子１０は、陰極基板３の内面に設けられた陰極導体１１
と、陰極導体１１の上に形成された絶縁層１２と、絶縁
層１２の上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極
１３と絶縁層１２に形成されたホール１４と、ホール１
４の内部に露出した陰極導体１１の上に形成されたコー
ン形状のエミッタ１５とを有している。エミッタ１５の
先端はゲート電極１３に近接している。
【００２０】本例のＦＥＤ１によれば、陽極導体５は２
層構造であり、従来還元されやすいとされていたＩＴＯ
を、透光性と導電性に優れるとともに高い耐還元性を備
えたＺｎＯ：Ａｌ薄膜の第２層９で被覆保護している。
このため、ＦＥＤ１の製造工程において外囲器２内を還
元性雰囲気にしても、陽極導体５のＩＴＯ（第１層８）
が還元されてＩｎが析出する等の不都合が生じることは
ない。
層構造であり、従来還元されやすいとされていたＩＴＯ
を、透光性と導電性に優れるとともに高い耐還元性を備
えたＺｎＯ：Ａｌ薄膜の第２層９で被覆保護している。
このため、ＦＥＤ１の製造工程において外囲器２内を還
元性雰囲気にしても、陽極導体５のＩＴＯ（第１層８）
が還元されてＩｎが析出する等の不都合が生じることは
ない。
【００２１】以上説明した例においては、陽極導体をＺ
ｎＯ：ＡｌとＩＴＯの２層構造としたが、２層構造のそ
の他の組み合わせとしては、次のようなものもある。こ
れによっても、前記例と略同様の効果が得られる。 ＺｎＯ：Ａｌ／ＳｎＯ2 、ＺｎＯ／ＺｎＯ：Ａｌ、Ｚｎ
Ｏ／ＩＴＯ、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 。
ｎＯ：ＡｌとＩＴＯの２層構造としたが、２層構造のそ
の他の組み合わせとしては、次のようなものもある。こ
れによっても、前記例と略同様の効果が得られる。 ＺｎＯ：Ａｌ／ＳｎＯ2 、ＺｎＯ／ＺｎＯ：Ａｌ、Ｚｎ
Ｏ／ＩＴＯ、ＺｎＯ／ＳｎＯ2 。
【００２２】本発明の透明導電膜は、３層以上の構造に
してもよいし、透光性と導電性に優れるとともに高い耐
還元性を備えたＺｎＯ：Ａｌ薄膜等のような物質であれ
ば１層構造でもよい。また、各層の厚さは、次のような
物質の組み合わせの場合には次のような値が適当であ
る。例えば、ＺｎＯ：Ａｌ（３００〜１０００オングス
トローム）／ＳｎＯ2 （１０００〜２０００オングスト
ローム）、ＺｎＯ（３００〜１０００オングストロー
ム）／ＺｎＯ：Ａｌ（１０００〜３０００オングストロ
ーム）、ＺｎＯ（３００〜１０００オングストローム）
／ＩＴＯ（１０００〜２０００オングストローム）、Ｚ
ｎＯ（３００〜１０００オングストローム）／ＳｎＯ2
（１０００〜２０００オングストローム）。また、Ｚｎ
Ｏに添加して効果が得られる不純物としては、前記Ａｌ
の他、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ等がある。また、Ｚ
ｎＯに添加する不純物の量は、０．１〜１０ｗｔ％位が
適当である。
してもよいし、透光性と導電性に優れるとともに高い耐
還元性を備えたＺｎＯ：Ａｌ薄膜等のような物質であれ
ば１層構造でもよい。また、各層の厚さは、次のような
物質の組み合わせの場合には次のような値が適当であ
る。例えば、ＺｎＯ：Ａｌ（３００〜１０００オングス
トローム）／ＳｎＯ2 （１０００〜２０００オングスト
ローム）、ＺｎＯ（３００〜１０００オングストロー
ム）／ＺｎＯ：Ａｌ（１０００〜３０００オングストロ
ーム）、ＺｎＯ（３００〜１０００オングストローム）
／ＩＴＯ（１０００〜２０００オングストローム）、Ｚ
ｎＯ（３００〜１０００オングストローム）／ＳｎＯ2
（１０００〜２０００オングストローム）。また、Ｚｎ
Ｏに添加して効果が得られる不純物としては、前記Ａｌ
の他、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｎ等がある。また、Ｚ
ｎＯに添加する不純物の量は、０．１〜１０ｗｔ％位が
適当である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の透明導電膜は、透光性と導電性
に優れるとともに高い耐還元性を備えたＺｎＯを含んで
いるので、真空気密容器（外囲器）内に設けられる透明
導電膜として有用である。特に、外囲器２内を高真空雰
囲気に排気する際の高温中で還元ガスによるクリーニン
グを行っても、陽極導体の還元反応を防止することがで
きるので、ＦＥＤには特に適している。
に優れるとともに高い耐還元性を備えたＺｎＯを含んで
いるので、真空気密容器（外囲器）内に設けられる透明
導電膜として有用である。特に、外囲器２内を高真空雰
囲気に排気する際の高温中で還元ガスによるクリーニン
グを行っても、陽極導体の還元反応を防止することがで
きるので、ＦＥＤには特に適している。
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 電界放出形表示素子 ２ 気密容器である外囲器 ４ 気密容器の内面を構成する陽極基板 ５ 透明導電膜としての陽極導体 ８ 透明導電膜である第１層 ９ 透明導電膜である第２層 １０ 電界放出素子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内田 裕治 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 (72)発明者 土岐 均 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4K029 AA09 BA45 BA49 BA50 BB02 BB07 BB08 BC09 BD00 5C036 AA10 EE08 EF01 EF06 EF09 EG25 EG36 EH08 5G307 FA01 FB01 FC10
Claims (7)
- 【請求項１】 気密容器の内面に形成され、ＺｎＯを含
むことを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 前記透明導電膜が多層構造になってお
り、前記ＺｎＯが少なくとも表面の一部に含まれている
ことを特徴とする請求項１記載の透明導電膜。 - 【請求項３】 前記ＺｎＯが含まれている層以外の層
が、ＩｎとＳｎから選択された元素の化合物を含んでい
る請求項２記載の透明導電膜。 - 【請求項４】 前記Ｉｎの化合物がIndium Tin Oxideで
あり、前記Ｓｎの化合物がＳｎＯ2 である請求項３記載
の透明導電膜。 - 【請求項５】 前記ＺｎＯにＡｌがドープされているこ
とを特徴とする請求項１又は２又は３又は４記載の透明
導電膜。 - 【請求項６】 前記透明導電膜が形成されている気密容
器の内面が非晶質の物質からなり、前記透明導電膜がＣ
軸配向したウルツ鉱構造の多結晶薄膜である請求項５記
載の透明導電膜。 - 【請求項７】 透光性の陽極基板と、前記陽極基板の内
面に形成された透明導電膜からなる陽極導体と、前記陽
極導体に形成された蛍光体層と、前記陽極基板に所定間
隔をおいて対面するように配置された陰極基板と、前記
陰極基板の内面に形成された電界放出素子とを有する電
界放出形表示素子において、 前記透明導電膜がＺｎＯを含むことを特徴とする電界放
出形表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073984A JP2000268638A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 透明導電膜及び電界放出形表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11073984A JP2000268638A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 透明導電膜及び電界放出形表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268638A true JP2000268638A (ja) | 2000-09-29 |
Family
ID=13533891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11073984A Pending JP2000268638A (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 透明導電膜及び電界放出形表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268638A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007329051A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2009057605A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 |
| US8174177B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-05-08 | Thomson Licensing | Segmented conductive coating for a luminescent display device |
-
1999
- 1999-03-18 JP JP11073984A patent/JP2000268638A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8174177B2 (en) | 2005-06-30 | 2012-05-08 | Thomson Licensing | Segmented conductive coating for a luminescent display device |
| JP2007329051A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Tosoh Corp | 酸化亜鉛系透明導電膜及びそれを用いた液晶ディスプレイ並びに酸化亜鉛系スパッタリングターゲット |
| JP2009057605A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Hitachi Ltd | 酸化亜鉛薄膜、及びそれを用いた透明導電膜、及び表示素子 |
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