JP2000268653A - 高電圧用磁器がいし - Google Patents
高電圧用磁器がいしInfo
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】機械的強度を低下させることなく絶縁破壊強度
すなわち急峻波強度を向上させた高電圧用磁器がいしを
提供する。 【解決手段】磁器がいし本体１と、磁器がいし本体１の
表面に設けた高誘電率結晶を含有する主として磁器質原
料からなる第１のコーティング層２と、第１のコーティ
ング層２の表面に設けた釉薬からなる第２のコーティン
グ層３とから高電圧用磁器がいしを構成する。
すなわち急峻波強度を向上させた高電圧用磁器がいしを
提供する。 【解決手段】磁器がいし本体１と、磁器がいし本体１の
表面に設けた高誘電率結晶を含有する主として磁器質原
料からなる第１のコーティング層２と、第１のコーティ
ング層２の表面に設けた釉薬からなる第２のコーティン
グ層３とから高電圧用磁器がいしを構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高電圧用磁器がいし
に関するものであり、特に、機械的強度と絶縁破壊強度
すなわち急峻波強度に優れた高電圧用磁器がいしに関す
るものである。
に関するものであり、特に、機械的強度と絶縁破壊強度
すなわち急峻波強度に優れた高電圧用磁器がいしに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、架空送電線等の電気絶縁と機
械的支持を行う構成部材として、中実がいしや懸垂がい
し等の磁器がいしが知られている。これらの磁器がいし
は、アルミナ、粘土等の原料を混合、成形して成形体を
作製し、作製した成形体の表面に釉薬を塗布した後、釉
薬を塗布した成形体を焼成することで作製している。磁
器がいしの素地固有の絶縁破壊強度を得るためには、無
釉とすることが必要であるが、釉薬を使用することで、
素地表面の微小欠陥を埋めること、および、素地との熱
膨張率差により内部応力を生じさせることで、磁器がい
しの引張強度を発現させている。
械的支持を行う構成部材として、中実がいしや懸垂がい
し等の磁器がいしが知られている。これらの磁器がいし
は、アルミナ、粘土等の原料を混合、成形して成形体を
作製し、作製した成形体の表面に釉薬を塗布した後、釉
薬を塗布した成形体を焼成することで作製している。磁
器がいしの素地固有の絶縁破壊強度を得るためには、無
釉とすることが必要であるが、釉薬を使用することで、
素地表面の微小欠陥を埋めること、および、素地との熱
膨張率差により内部応力を生じさせることで、磁器がい
しの引張強度を発現させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これらの従来から知ら
れている磁器がいしは、通常の電圧や汚損雰囲気下での
使用には十分耐えることができる。しかしながら、より
高い電圧が加わる状態、すなわち天然雷の放電による急
峻雷インパルス電圧が加わった場合には、これらの従来
知られている磁器がいしでは不十分であり、絶縁破壊強
さを抜本的に改善する必要があった。
れている磁器がいしは、通常の電圧や汚損雰囲気下での
使用には十分耐えることができる。しかしながら、より
高い電圧が加わる状態、すなわち天然雷の放電による急
峻雷インパルス電圧が加わった場合には、これらの従来
知られている磁器がいしでは不十分であり、絶縁破壊強
さを抜本的に改善する必要があった。
【０００４】また、急峻波強度特性を高める技術とし
て、本出願人は、釉薬に所定量のＭｎＯなどを加える技
術（特開昭６３−２１１５２５号公報）、懸垂がいしに
おけるサンドと釉薬の誘電率を規定する技術（特開平９
−６３３７９号公報）、磁器にコランダム結晶を含有さ
せる技術（特開平１０−２２８８１８号公報）等を提案
しているが、いずれも磁器がいし本体の表面に釉薬を塗
布した構造であるため、急峻波強度はある程度改善され
るものの、急峻波強度の抜本的な改善を達成することが
できなかった。
て、本出願人は、釉薬に所定量のＭｎＯなどを加える技
術（特開昭６３−２１１５２５号公報）、懸垂がいしに
おけるサンドと釉薬の誘電率を規定する技術（特開平９
−６３３７９号公報）、磁器にコランダム結晶を含有さ
せる技術（特開平１０−２２８８１８号公報）等を提案
しているが、いずれも磁器がいし本体の表面に釉薬を塗
布した構造であるため、急峻波強度はある程度改善され
るものの、急峻波強度の抜本的な改善を達成することが
できなかった。
【０００５】ここで、釉薬は、磁器がいしの原料である
長石、アルミナ、坏土のうち長石の配合比率を高め、ガ
ラス相のみを生成するようにしたものである。そのた
め、釉薬は本質的にはガラスと同等の高い絶縁破壊強度
を有するはずであるが、気孔が内在するためその強さは
磁器を下回っている。気孔（空気）の誘電率が、周囲の
ガラス相に比べて小さいので、電位が加わった場合は、
気孔に電界が集中するためと考えられる。また、釉薬の
誘電率が磁器がいし本体の誘電率よりも低いため、例え
ば、釉薬が急峻波パルスを印加した時の弱点となってい
た。そのため、磁器がいし本体の表面に釉薬を塗布した
従来の磁器がいしの構造では、抜本的な改善が難しいこ
とが判明した。
長石、アルミナ、坏土のうち長石の配合比率を高め、ガ
ラス相のみを生成するようにしたものである。そのた
め、釉薬は本質的にはガラスと同等の高い絶縁破壊強度
を有するはずであるが、気孔が内在するためその強さは
磁器を下回っている。気孔（空気）の誘電率が、周囲の
ガラス相に比べて小さいので、電位が加わった場合は、
気孔に電界が集中するためと考えられる。また、釉薬の
誘電率が磁器がいし本体の誘電率よりも低いため、例え
ば、釉薬が急峻波パルスを印加した時の弱点となってい
た。そのため、磁器がいし本体の表面に釉薬を塗布した
従来の磁器がいしの構造では、抜本的な改善が難しいこ
とが判明した。
【０００６】さらに、磁器がいしの構造について、本出
願人は、特開平７−２６２８５４号公報において、磁器
がいし本体の表面に釉薬を塗布し、その釉薬の上に釉薬
よりも絶縁破壊強度の高いコーティング層を設ける技術
を開示している。しかし、この例でも、磁器がいし本体
の表面には気孔の存在する釉薬を使用するため、上記釉
薬の問題を解消することはできなかった。
願人は、特開平７−２６２８５４号公報において、磁器
がいし本体の表面に釉薬を塗布し、その釉薬の上に釉薬
よりも絶縁破壊強度の高いコーティング層を設ける技術
を開示している。しかし、この例でも、磁器がいし本体
の表面には気孔の存在する釉薬を使用するため、上記釉
薬の問題を解消することはできなかった。
【０００７】本発明の目的は上述した課題を解消して、
機械的強度を低下させることなく絶縁破壊強度すなわち
急峻波強度を向上させた高電圧用磁器がいしを提供しよ
うとするものである。
機械的強度を低下させることなく絶縁破壊強度すなわち
急峻波強度を向上させた高電圧用磁器がいしを提供しよ
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の高電圧用磁器が
いしは、磁器がいし本体と、磁器がいし本体の表面に設
けた高誘電率結晶を含有する主として磁器質原料からな
る第１のコーティング層と、第１のコーティング層の表
面に設けた釉薬からなる第２のコーティング層とからな
ることを特徴とするものである。
いしは、磁器がいし本体と、磁器がいし本体の表面に設
けた高誘電率結晶を含有する主として磁器質原料からな
る第１のコーティング層と、第１のコーティング層の表
面に設けた釉薬からなる第２のコーティング層とからな
ることを特徴とするものである。
【０００９】本発明では、磁器がいし本体の表面に高誘
電率結晶を含有する主として磁器質原料からなる第１の
コーティング層を設けることで、釉薬と等価もしくはそ
れ以上の圧縮ストレスを磁器がいし本体に与えることが
できるほか、釉薬の欠点である気孔量を減少させ、機械
的、電気的両面より素地の高い固有強度を発現させるこ
とができる。また、第１のコーティング層が、好ましく
は酸化チタンおよび／またはチタン酸化合物からなる比
誘電率が１０以上の高誘電率結晶を含む。これにより、
第１のコーティング層の見かけの比誘電率を好ましくは
４以上とでき、第１のコーティング層と磁器がいし本体
との誘電率の差を小さくでき、第１のコーティング層が
急峻波パルス印加時の弱点とならない。さらに、第１の
コーティング層の気孔率を第２のコーティング層の気孔
率よりも小さくすることで、このことでも第１のコーテ
ィング層が急峻波パルス印加時の弱点とならず、好まし
い。
電率結晶を含有する主として磁器質原料からなる第１の
コーティング層を設けることで、釉薬と等価もしくはそ
れ以上の圧縮ストレスを磁器がいし本体に与えることが
できるほか、釉薬の欠点である気孔量を減少させ、機械
的、電気的両面より素地の高い固有強度を発現させるこ
とができる。また、第１のコーティング層が、好ましく
は酸化チタンおよび／またはチタン酸化合物からなる比
誘電率が１０以上の高誘電率結晶を含む。これにより、
第１のコーティング層の見かけの比誘電率を好ましくは
４以上とでき、第１のコーティング層と磁器がいし本体
との誘電率の差を小さくでき、第１のコーティング層が
急峻波パルス印加時の弱点とならない。さらに、第１の
コーティング層の気孔率を第２のコーティング層の気孔
率よりも小さくすることで、このことでも第１のコーテ
ィング層が急峻波パルス印加時の弱点とならず、好まし
い。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の磁器がいしの例と
して懸垂がいしの一例の構成を示す部分断面図である。
図１に示す例において、１は磁器からなる懸垂がいし本
体、２は磁器がいし本体１の表面に設けた高誘電率結晶
を含有する主として磁器質原料からなる第１のコーティ
ング層、３は第１のコーティング層２の表面に設けた釉
薬からなる第２のコーティング層、４は第２のコーティ
ング層３に付着させた不定形のサンド、５はキャップ金
具、６はピン金具、７はキャップ金具５とサンド４との
間およびピン金具６とサンド４との間を接合するセメン
トである。図１に示す懸垂がいしの構成において、本発
明の特徴は、懸垂がいし本体１の表面に所定の第１のコ
ーティング層２を設けた点である。
して懸垂がいしの一例の構成を示す部分断面図である。
図１に示す例において、１は磁器からなる懸垂がいし本
体、２は磁器がいし本体１の表面に設けた高誘電率結晶
を含有する主として磁器質原料からなる第１のコーティ
ング層、３は第１のコーティング層２の表面に設けた釉
薬からなる第２のコーティング層、４は第２のコーティ
ング層３に付着させた不定形のサンド、５はキャップ金
具、６はピン金具、７はキャップ金具５とサンド４との
間およびピン金具６とサンド４との間を接合するセメン
トである。図１に示す懸垂がいしの構成において、本発
明の特徴は、懸垂がいし本体１の表面に所定の第１のコ
ーティング層２を設けた点である。
【００１１】第１のコーティング層２の原料としては、
主として磁器質原料、好ましくは、ＳｉＯ2 ：５０〜６
０ｗｔ％、Ａｉ2 Ｏ3 ：２０〜３０ｗｔ％、その他Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏからなる原料を用いる。
この磁器質原料は、従来から釉薬として知られている原
料に比べて、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の添加量におい
て明らかに異なっている。また、上記磁器質原料に対し
て添加する高誘電率結晶としては、好ましくは１ＭＨｚ
における比誘電率が１０以上の結晶、さらに好ましくは
酸化チタンおよび／またはチタン酸化合物（ＭｇＴｉＯ
3 、ＣａＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3
・３ＴｉＯ2 ）からなる結晶を使用する。そして、第１
のコーティング層２全体の比誘電率は４以上であること
が好ましい。これらの構成は急峻波強度向上に寄与す
る。さらに、第１のコーティング層２の厚さについては
特に限定しないが、０．１ｍｍ以上であることが、急峻
波特性向上の観点で好ましい。さらにまた、第１のコー
ティング層２と懸垂がいし本体１との熱膨張率の差につ
いても特に限定しないが、６５０℃において０．１〜
０．２％であると機械的強度が向上するため好ましい。
主として磁器質原料、好ましくは、ＳｉＯ2 ：５０〜６
０ｗｔ％、Ａｉ2 Ｏ3 ：２０〜３０ｗｔ％、その他Ｍｇ
Ｏ、ＣａＯ、Ｋ2 Ｏ＋Ｎａ2 Ｏからなる原料を用いる。
この磁器質原料は、従来から釉薬として知られている原
料に比べて、ＳｉＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の添加量におい
て明らかに異なっている。また、上記磁器質原料に対し
て添加する高誘電率結晶としては、好ましくは１ＭＨｚ
における比誘電率が１０以上の結晶、さらに好ましくは
酸化チタンおよび／またはチタン酸化合物（ＭｇＴｉＯ
3 、ＣａＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3
・３ＴｉＯ2 ）からなる結晶を使用する。そして、第１
のコーティング層２全体の比誘電率は４以上であること
が好ましい。これらの構成は急峻波強度向上に寄与す
る。さらに、第１のコーティング層２の厚さについては
特に限定しないが、０．１ｍｍ以上であることが、急峻
波特性向上の観点で好ましい。さらにまた、第１のコー
ティング層２と懸垂がいし本体１との熱膨張率の差につ
いても特に限定しないが、６５０℃において０．１〜
０．２％であると機械的強度が向上するため好ましい。
【００１２】第２のコーティング層３としては、従来か
ら知られている釉薬を使用する。釉薬組成の一例として
は、ＳｉＯ2 ：６０〜７０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１０〜
２０ｗｔ％、釉薬気泡を除去するため好ましくはＭｎ
Ｏ：１ｗｔ％以上の組成があげられる。また、気孔率に
ついても特に限定しないが、第１のコーティング層２の
気孔率よりも大きい気孔率をして、第１のコーティング
層２が急峻波パルス印加時における弱点とならないよう
構成することが好ましい。さらに、厚さについても特に
限定しないが、０．５ｍｍを超えると釉薬中に気孔が内
在するようになるので、０．５ｍｍ以下とすることが急
峻波強度向上の観点から好ましい。図１に示す例のよう
に、懸垂がいしの例では、第２のコーティング層３がサ
ンド４を磁器がいし本体１の頭部の外周面および内周面
に接着するために使用される。
ら知られている釉薬を使用する。釉薬組成の一例として
は、ＳｉＯ2 ：６０〜７０ｗｔ％、Ａｌ2 Ｏ3 ：１０〜
２０ｗｔ％、釉薬気泡を除去するため好ましくはＭｎ
Ｏ：１ｗｔ％以上の組成があげられる。また、気孔率に
ついても特に限定しないが、第１のコーティング層２の
気孔率よりも大きい気孔率をして、第１のコーティング
層２が急峻波パルス印加時における弱点とならないよう
構成することが好ましい。さらに、厚さについても特に
限定しないが、０．５ｍｍを超えると釉薬中に気孔が内
在するようになるので、０．５ｍｍ以下とすることが急
峻波強度向上の観点から好ましい。図１に示す例のよう
に、懸垂がいしの例では、第２のコーティング層３がサ
ンド４を磁器がいし本体１の頭部の外周面および内周面
に接着するために使用される。
【００１３】第１のコーティング層２は、従来の施釉方
法と同様に、磁器がいし本体１上に、磁器がいし本体１
と同様の素地を主成分とする原料を泥奨状態にしてディ
ッピングすることで形成される。そのため、第１のコー
ティング層２の気孔率は真空土連記で押し出した素地の
気孔率よりも高くなる。このため、第１のコーティング
層２の絶縁破壊強さは素地よりも低下することが避けら
れない。その結果可能な限り気孔率を減少し、これを補
う必要がある。また、磁器がいし本体１を構成する素地
の絶縁破壊強さは相当に高いレベルにあることにより、
素地と第１のコーティング層２の複合層を考えれば、素
地側の分担割合を増大し第１のコーティング層２に加わ
る電界を、少しでも緩和させることが必要である。この
ため、第１のコーティング層２には、誘電率が高いこと
が要求される。
法と同様に、磁器がいし本体１上に、磁器がいし本体１
と同様の素地を主成分とする原料を泥奨状態にしてディ
ッピングすることで形成される。そのため、第１のコー
ティング層２の気孔率は真空土連記で押し出した素地の
気孔率よりも高くなる。このため、第１のコーティング
層２の絶縁破壊強さは素地よりも低下することが避けら
れない。その結果可能な限り気孔率を減少し、これを補
う必要がある。また、磁器がいし本体１を構成する素地
の絶縁破壊強さは相当に高いレベルにあることにより、
素地と第１のコーティング層２の複合層を考えれば、素
地側の分担割合を増大し第１のコーティング層２に加わ
る電界を、少しでも緩和させることが必要である。この
ため、第１のコーティング層２には、誘電率が高いこと
が要求される。
【００１４】一方、誘電率を高めるために、本発明で
は、第１のコーティング層２に好ましくは比誘電率１０
以上の高誘電率結晶を含有させている。そのような高誘
電率結晶としては、酸化チタンの結晶相（比誘電率：ε
＝１００）、酸化チタンの焼成により得られる結晶相
（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・３ＴｉＯ2 、比誘電率：ε＝２
０〜１００）があげられる。
は、第１のコーティング層２に好ましくは比誘電率１０
以上の高誘電率結晶を含有させている。そのような高誘
電率結晶としては、酸化チタンの結晶相（比誘電率：ε
＝１００）、酸化チタンの焼成により得られる結晶相
（ＭｇＯ・Ａｌ2 Ｏ3 ・３ＴｉＯ2 、比誘電率：ε＝２
０〜１００）があげられる。
【００１５】ここで、問題となる誘電率やその他の電気
的性状の測定について解析する。従来、釉薬の誘電率は
流し込みにより成形された試料片を、所定の寸法に加工
することにより、その特性を測定している。本発明で
は、この方法に従って第１のコーティング層２の誘電率
を測定すると、その比誘電率が非現実的な値を示すケー
スが度々あり、実際に、磁器がいし本体１のピンホール
に施された第１のコーティング層２の性状を把握するこ
とが困難であることを見い出した。そこで、試料片にコ
ーティングされた第１のコーティング層２の誘電率を求
めるため、以下に示す方法を用いた。
的性状の測定について解析する。従来、釉薬の誘電率は
流し込みにより成形された試料片を、所定の寸法に加工
することにより、その特性を測定している。本発明で
は、この方法に従って第１のコーティング層２の誘電率
を測定すると、その比誘電率が非現実的な値を示すケー
スが度々あり、実際に、磁器がいし本体１のピンホール
に施された第１のコーティング層２の性状を把握するこ
とが困難であることを見い出した。そこで、試料片にコ
ーティングされた第１のコーティング層２の誘電率を求
めるため、以下に示す方法を用いた。
【００１６】まず、図２に示す素地の表面にコーティン
グ層を形成したモデルに基づき、第１のコーティング層
２の静電容量（Ｃ1 ）を、素地・コーティング複合層の
静電容量（Ｃ）と素地の静電容量（Ｃ2 ）を個別に測定
し、以下の（１）式より算出する。Ｃ1 が求まれば、第
１のコーティング層２の誘電率は以下の（２）式によっ
て求まる。本例では、素地の厚さを出来るだけ薄くし、
Ｃ2 の値を大きくすることにより、Ｃの値との差を大き
くし、第１のコーティング層２の誘電率の測定精度を上
げた。具体的には、素地の厚さを１ｍｍとし、Ｃ2 の値
を６１．５ｐＦとした。
グ層を形成したモデルに基づき、第１のコーティング層
２の静電容量（Ｃ1 ）を、素地・コーティング複合層の
静電容量（Ｃ）と素地の静電容量（Ｃ2 ）を個別に測定
し、以下の（１）式より算出する。Ｃ1 が求まれば、第
１のコーティング層２の誘電率は以下の（２）式によっ
て求まる。本例では、素地の厚さを出来るだけ薄くし、
Ｃ2 の値を大きくすることにより、Ｃの値との差を大き
くし、第１のコーティング層２の誘電率の測定精度を上
げた。具体的には、素地の厚さを１ｍｍとし、Ｃ2 の値
を６１．５ｐＦとした。
【数１】
【００１７】実際に、磁器がいし本体１の表面に第１の
コーティング層および第２のコーティング層を形成した
本発明の磁器がいしであって第１のコーティング層の誘
電率を変えた磁器がいしを準備し、峻度２５００ｋＶ／
μｓの急峻雷インパルス電圧（Ｖｆ＝３７５ｋＶ）を２
０回印加したときの貫通率（貫通個数／供試数）から急
峻波強度を調べた。ここで、実際のがいしの貫通率は非
常に小さく、試験的にこれを検証するため、絶縁距離を
短くし貫通率が約１０倍となるような試験用がいしを本
発明の磁器がいしとして使用した。結果を図３に示す。
また、基準として、磁器がいし本体１の表面に釉薬層の
みを設けた従来技術で製作した磁器がいしであって、上
述した本発明の試験がいしと同様に絶縁距離を短くし貫
通率が約１０倍になるような試験用がいしを準備し、上
述した本発明の試験がいしと同様の試験を行ったとこ
ろ、貫通率は３０％であった。図３の結果から、この貫
通率３０％以下を満たすものは、第１のコーティング層
の比誘電率が４．０以上であり、第１のコーティング層
の比誘電率は４．０以上であることが、絶縁破壊強さの
点で好ましいことがわかった。
コーティング層および第２のコーティング層を形成した
本発明の磁器がいしであって第１のコーティング層の誘
電率を変えた磁器がいしを準備し、峻度２５００ｋＶ／
μｓの急峻雷インパルス電圧（Ｖｆ＝３７５ｋＶ）を２
０回印加したときの貫通率（貫通個数／供試数）から急
峻波強度を調べた。ここで、実際のがいしの貫通率は非
常に小さく、試験的にこれを検証するため、絶縁距離を
短くし貫通率が約１０倍となるような試験用がいしを本
発明の磁器がいしとして使用した。結果を図３に示す。
また、基準として、磁器がいし本体１の表面に釉薬層の
みを設けた従来技術で製作した磁器がいしであって、上
述した本発明の試験がいしと同様に絶縁距離を短くし貫
通率が約１０倍になるような試験用がいしを準備し、上
述した本発明の試験がいしと同様の試験を行ったとこ
ろ、貫通率は３０％であった。図３の結果から、この貫
通率３０％以下を満たすものは、第１のコーティング層
の比誘電率が４．０以上であり、第１のコーティング層
の比誘電率は４．０以上であることが、絶縁破壊強さの
点で好ましいことがわかった。
【００１８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、磁器がいし本体の表面に高誘電率結晶を含有
する主として磁器質原料からなる第１のコーティング層
を設けているため、釉薬と等価もしくはそれ以上の圧縮
ストレスを磁器がいし本体に与えることができるほか、
釉薬の欠点である気孔量を減少させ、機械的、電気的両
面より素地の高い固有強度を発現させることができる。
によれば、磁器がいし本体の表面に高誘電率結晶を含有
する主として磁器質原料からなる第１のコーティング層
を設けているため、釉薬と等価もしくはそれ以上の圧縮
ストレスを磁器がいし本体に与えることができるほか、
釉薬の欠点である気孔量を減少させ、機械的、電気的両
面より素地の高い固有強度を発現させることができる。
【図１】本発明の磁器がいしの例として懸垂がいしの一
例の構成を示す部分断面図である。
例の構成を示す部分断面図である。
【図２】第１のコーティング層の見かけの比誘電率を求
めるのに使用したモデルの一例を示す図である。
めるのに使用したモデルの一例を示す図である。
【図３】第１のコーティング層の比誘電率と製品の貫通
率との関係を示すグラフである。
率との関係を示すグラフである。
１ 磁器がいし本体、２ 第１のコーティング層、３
第２のコーティング層、４ サンド、５ キャップ金
具、６ ピン金具、７ セメント
第２のコーティング層、４ サンド、５ キャップ金
具、６ ピン金具、７ セメント
フロントページの続き Ｆターム(参考） 5G331 AA01 AA02 BA03 BC08 CA02 CC02 DA01 5G333 AA11 AB01 BA06 CA01 CC08 DA01 DA28 FB11
Claims (5)
- 【請求項１】磁器がいし本体と、磁器がいし本体の表面
に設けた高誘電率結晶を含有する主として磁器質原料か
らなる第１のコーティング層と、第１のコーティング層
の表面に設けた釉薬からなる第２のコーティング層とか
らなることを特徴とする高電圧用磁器がいし。 - 【請求項２】前記高誘電率結晶が比誘電率１０以上であ
る請求項１記載の高電圧用磁器がいし。 - 【請求項３】前記高誘電率結晶が、酸化チタンおよび／
またはチタン酸化合物である請求項１記載の高電圧用磁
器がいし。 - 【請求項４】前記第１のコーティング層の見かけの比誘
電率が４以上である請求項１〜３のいずれか１項に記載
の高電圧用磁器がいし。 - 【請求項５】前記第１のコーティング層の気孔率が、前
記第２のコーティング層の気孔率よりも小さい請求項１
記載の高電圧用磁器がいし。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06822199A JP4094162B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 高電圧用磁器がいし |
| CN 00117875 CN1199200C (zh) | 1999-03-15 | 2000-03-15 | 高压用瓷绝缘子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06822199A JP4094162B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 高電圧用磁器がいし |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268653A true JP2000268653A (ja) | 2000-09-29 |
| JP4094162B2 JP4094162B2 (ja) | 2008-06-04 |
Family
ID=13367548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06822199A Expired - Lifetime JP4094162B2 (ja) | 1999-03-15 | 1999-03-15 | 高電圧用磁器がいし |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4094162B2 (ja) |
| CN (1) | CN1199200C (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011121839A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 釉薬層付きセラミック絶縁体 |
| CN104134499A (zh) * | 2014-08-05 | 2014-11-05 | 国家电网公司 | 一种高压复合绝缘子 |
| CN114133274A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-04 | 福建省德化县邦威陶瓷有限公司 | 一种长余辉荧光釉陶瓷制品及其制备方法 |
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| CN1309684C (zh) * | 2005-04-07 | 2007-04-11 | 福州大学 | 防污闪高压陶瓷绝缘子和玻璃绝缘子及其制备方法 |
| CN100594561C (zh) * | 2007-12-26 | 2010-03-17 | 中国科学院电工研究所 | 一种复合绝缘材料及其制备方法 |
| KR102336645B1 (ko) | 2017-08-18 | 2021-12-08 | 한국전력공사 | 자기 애자 금구류의 코팅 방법 및 이의 의해 제조된 자기 애자 |
| CN107578861A (zh) * | 2017-09-01 | 2018-01-12 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种抑制瞬态电场下电荷注入方法及装置 |
| CN107574413B (zh) * | 2017-09-01 | 2020-02-07 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | 一种抑制电荷注入方法及装置 |
-
1999
- 1999-03-15 JP JP06822199A patent/JP4094162B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-15 CN CN 00117875 patent/CN1199200C/zh not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011121839A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 釉薬層付きセラミック絶縁体 |
| CN104134499A (zh) * | 2014-08-05 | 2014-11-05 | 国家电网公司 | 一种高压复合绝缘子 |
| CN114133274A (zh) * | 2021-12-17 | 2022-03-04 | 福建省德化县邦威陶瓷有限公司 | 一种长余辉荧光釉陶瓷制品及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4094162B2 (ja) | 2008-06-04 |
| CN1273422A (zh) | 2000-11-15 |
| CN1199200C (zh) | 2005-04-27 |
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