JP2000269766A - 端面反射型表面波装置の製造方法 - Google Patents
端面反射型表面波装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 生産性を高めることができ、かつ対向し合う
第１，第２の端面を容易にかつ高精度に形成し得る、端
面反射型表面波装置の製造方法を得る。 【解決手段】 複数のインターデジタルトランスデュー
サ３が一方主面１１ａ上に形成されたマザーの表面波基
板１１を用意し、該マザーの表面波基板１１の一方主面
側から切断することにより切断溝１５を形成する工程を
繰り返すことにより、個々の表面波装置の第１の反射端
面を順次形成し、次にマザーの表面波基板１１の一方主
面側から他方主面には至らないように同様に切断溝１６
を順次形成し、個々の表面波装置の第２の反射端面を順
次形成する、端面反射型表面波装置の製造方法。
第１，第２の端面を容易にかつ高精度に形成し得る、端
面反射型表面波装置の製造方法を得る。 【解決手段】 複数のインターデジタルトランスデュー
サ３が一方主面１１ａ上に形成されたマザーの表面波基
板１１を用意し、該マザーの表面波基板１１の一方主面
側から切断することにより切断溝１５を形成する工程を
繰り返すことにより、個々の表面波装置の第１の反射端
面を順次形成し、次にマザーの表面波基板１１の一方主
面側から他方主面には至らないように同様に切断溝１６
を順次形成し、個々の表面波装置の第２の反射端面を順
次形成する、端面反射型表面波装置の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、共振子や帯域フィ
ルタなどに用いられる表面波装置の製造方法に関し、よ
り詳細には、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型
の表面波装置の製造方法に関する。
ルタなどに用いられる表面波装置の製造方法に関し、よ
り詳細には、ＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型
の表面波装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、反射器を必要としない端面反射型
の表面波装置が種々提案されている。図３は、この種の
端面反射型表面波装置の一例としての端面反射型表面波
共振子を示す斜視図である。端面反射型表面波共振子１
では、矩形の表面波基板２の上面にインターデジタルト
ランスデューサ（以下、ＩＤＴ）３が形成されている。
ＩＤＴ３は、一対のくし歯電極３ａ，３ｂを有する。く
し歯電極３ａは、複数本の電極指３ａ1 ，３ａ2 を有
し、くし歯電極３ｂは、複数本の電極指３ｂ1 ，３ｂ2
を有する。電極指３ａ1 ，３ａ2 と、電極指３ｂ1 ，３
ｂ2 とは互いに間挿し合うように配置されている。端面
反射型表面波装置１では、表面波基板２が対向し合う第
１，第２の端面２ａ，２ｂを有する。ＩＤＴ３に交流電
圧を印加した場合、ＳＨタイプの表面波が励振され、該
ＳＨタイプの表面波が第１，第２の端面２ａ，２ｂを結
ぶ方向に伝搬し、端面２ａ，２ｂで反射されるように構
成されている。
の表面波装置が種々提案されている。図３は、この種の
端面反射型表面波装置の一例としての端面反射型表面波
共振子を示す斜視図である。端面反射型表面波共振子１
では、矩形の表面波基板２の上面にインターデジタルト
ランスデューサ（以下、ＩＤＴ）３が形成されている。
ＩＤＴ３は、一対のくし歯電極３ａ，３ｂを有する。く
し歯電極３ａは、複数本の電極指３ａ1 ，３ａ2 を有
し、くし歯電極３ｂは、複数本の電極指３ｂ1 ，３ｂ2
を有する。電極指３ａ1 ，３ａ2 と、電極指３ｂ1 ，３
ｂ2 とは互いに間挿し合うように配置されている。端面
反射型表面波装置１では、表面波基板２が対向し合う第
１，第２の端面２ａ，２ｂを有する。ＩＤＴ３に交流電
圧を印加した場合、ＳＨタイプの表面波が励振され、該
ＳＨタイプの表面波が第１，第２の端面２ａ，２ｂを結
ぶ方向に伝搬し、端面２ａ，２ｂで反射されるように構
成されている。
【０００３】従って、ＩＤＴ３の表面波伝搬方向両側に
反射器を必要としないので、表面波装置の小型化を図る
ことができる。他方、特開平７−５０５３８号公報に
は、端面反射型表面波装置の製造方法の一例が示されて
いる。この先行技術に記載の製造方法を、図４を参照し
て説明する。
反射器を必要としないので、表面波装置の小型化を図る
ことができる。他方、特開平７−５０５３８号公報に
は、端面反射型表面波装置の製造方法の一例が示されて
いる。この先行技術に記載の製造方法を、図４を参照し
て説明する。
【０００４】先ず、図４に平面図で示すマザーの表面波
基板５１を用意する。マザーの表面波基板５１の一方主
面５１ａ上に、複数のＩＤＴ５３，５３，５３を形成す
る。各ＩＤＴ５３は、個々の端面反射型表面波共振子１
のＩＤＴ３に相当する。端面反射型表面波共振子では、
表面波を反射させる反射端面を高精度に形成する必要が
ある。
基板５１を用意する。マザーの表面波基板５１の一方主
面５１ａ上に、複数のＩＤＴ５３，５３，５３を形成す
る。各ＩＤＴ５３は、個々の端面反射型表面波共振子１
のＩＤＴ３に相当する。端面反射型表面波共振子では、
表面波を反射させる反射端面を高精度に形成する必要が
ある。
【０００５】従って、上記先行技術に記載の方法では、
ＩＤＴ５３，５３，５３を形成した後、マザーの表面波
基板５１の一方主面５１ａ側から切断溝を形成すること
により、第１，第２の反射端面が形成される。より具体
的には、図４にＴで示す幅の切断溝を形成するにあた
り、厚みＴのブレードを用い、切断溝５４Ａ，５４Ｂを
形成する。この場合、溝５４Ａ，５４ＢのＩＤＴ５３側
の内側面が第１，第２の反射端面をそれぞれ構成するこ
とになる。すなわち、図４の直線Ａ１，Ａ２，Ａ３…及
び直線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…が、それぞれ、上記溝５４
Ａ，５４ＢのＩＤＴ５３側の内側面、すなわち第１，第
２の反射端面の位置を示している。
ＩＤＴ５３，５３，５３を形成した後、マザーの表面波
基板５１の一方主面５１ａ側から切断溝を形成すること
により、第１，第２の反射端面が形成される。より具体
的には、図４にＴで示す幅の切断溝を形成するにあた
り、厚みＴのブレードを用い、切断溝５４Ａ，５４Ｂを
形成する。この場合、溝５４Ａ，５４ＢのＩＤＴ５３側
の内側面が第１，第２の反射端面をそれぞれ構成するこ
とになる。すなわち、図４の直線Ａ１，Ａ２，Ａ３…及
び直線Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３…が、それぞれ、上記溝５４
Ａ，５４ＢのＩＤＴ５３側の内側面、すなわち第１，第
２の反射端面の位置を示している。
【０００６】特開平７−５０５３８号公報では、上記表
面波基板５１の切断に際しての切断線の間隔Ｌ（＝Ｂ１
−Ａ２間の距離）を、ブレードの厚みＴより大きくすれ
ばよいことが示されている。すなわち、Ｌ＞Ｔとするこ
とにより、切断溝５４Ａ，５４Ｂを容易に形成すること
ができるとされている。
面波基板５１の切断に際しての切断線の間隔Ｌ（＝Ｂ１
−Ａ２間の距離）を、ブレードの厚みＴより大きくすれ
ばよいことが示されている。すなわち、Ｌ＞Ｔとするこ
とにより、切断溝５４Ａ，５４Ｂを容易に形成すること
ができるとされている。
【０００７】また、上記先行技術に記載の方法では、図
４の切断線Ａ１に沿う切断溝５４Ａが形成された後に、
次に、切断線Ｂ１に沿う切断溝５４Ｂが形成される。こ
のように、切断線Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２，Ａ３の順
に、それぞれ切断が行われる。すなわち、表面波基板５
１に第１，第２の反射端面を形成するための切断工程を
行うに際しては、第１，第２の反射端面を結ぶ方向にお
いて、表面波基板５１の一方端から他方端に向かって順
次切断装置を移動し、切断が行われていた。
４の切断線Ａ１に沿う切断溝５４Ａが形成された後に、
次に、切断線Ｂ１に沿う切断溝５４Ｂが形成される。こ
のように、切断線Ａ１，Ｂ１，Ａ２，Ｂ２，Ａ３の順
に、それぞれ切断が行われる。すなわち、表面波基板５
１に第１，第２の反射端面を形成するための切断工程を
行うに際しては、第１，第２の反射端面を結ぶ方向にお
いて、表面波基板５１の一方端から他方端に向かって順
次切断装置を移動し、切断が行われていた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、切断装
置を第１，第２の反射端面を結ぶ方向において送りつつ
上記切断を行う場合、切断線Ａ１に沿って切断した後、
切断線Ｂ１に沿って切断するための送り量Ｃと、切断線
Ｂ１に沿って切断した後、切断線Ａ２を切断するための
切断装置の送り量Ｄとは大きく異なる。従って、切断装
置を等ピッチで順送りしつつ切断することができず、す
なわち切断装置の送りピッチを変更しつつ切断しなけれ
ばならなかった。
置を第１，第２の反射端面を結ぶ方向において送りつつ
上記切断を行う場合、切断線Ａ１に沿って切断した後、
切断線Ｂ１に沿って切断するための送り量Ｃと、切断線
Ｂ１に沿って切断した後、切断線Ａ２を切断するための
切断装置の送り量Ｄとは大きく異なる。従って、切断装
置を等ピッチで順送りしつつ切断することができず、す
なわち切断装置の送りピッチを変更しつつ切断しなけれ
ばならなかった。
【０００９】この場合、送り量Ｃ，Ｄが正確に制御され
なければ、個々の端面反射型表面波共振子における第
１，第２の反射端面間の距離が変動し、共振特性のばら
つきが生じ易くなる。従って、送りピッチの変更が容易
であるだけでなく、送りピッチを正確に設定し得る高価
な切断装置を用いなければならなかった。加えて、送り
ピッチの変更が煩雑であり、生産性が低いという問題も
あった。
なければ、個々の端面反射型表面波共振子における第
１，第２の反射端面間の距離が変動し、共振特性のばら
つきが生じ易くなる。従って、送りピッチの変更が容易
であるだけでなく、送りピッチを正確に設定し得る高価
な切断装置を用いなければならなかった。加えて、送り
ピッチの変更が煩雑であり、生産性が低いという問題も
あった。
【００１０】もっとも、上記送り量Ｃと送り量Ｄとが等
しくなるように表面波基板５１を構成することも可能で
ある。しかしながら、送り量Ｃと送り量Ｄとを等しくし
た場合には、最終的に不要となる部分、すなわち切断線
Ｂ１と切断線Ａ２とで挟まれた表面波基板部分の寸法が
大きくなる。従って、一定寸法のマザーの表面波基板５
１から製造し得る端面反射型表面波共振子の数が減少
し、やはり生産性が低下する。
しくなるように表面波基板５１を構成することも可能で
ある。しかしながら、送り量Ｃと送り量Ｄとを等しくし
た場合には、最終的に不要となる部分、すなわち切断線
Ｂ１と切断線Ａ２とで挟まれた表面波基板部分の寸法が
大きくなる。従って、一定寸法のマザーの表面波基板５
１から製造し得る端面反射型表面波共振子の数が減少
し、やはり生産性が低下する。
【００１１】本発明の目的は、マザーの表面波基板から
個々の端面反射型表面波装置を得るに際しての反射端面
形成工程が改良されており、マザーの圧電基板から多く
の端面反射型表面波装置を高い生産性でもってかつ効率
よく製造することを可能とする、端面反射型表面波装置
の製造方法を提供することにある。
個々の端面反射型表面波装置を得るに際しての反射端面
形成工程が改良されており、マザーの圧電基板から多く
の端面反射型表面波装置を高い生産性でもってかつ効率
よく製造することを可能とする、端面反射型表面波装置
の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、対向し合う第
１，第２の反射端面を有する端面反射型表面波装置の製
造方法であって、複数のＩＤＴが一方面側に形成された
マザーの表面波基板を用意する工程と、前記マザーの表
面波基板の一方主面側から切断装置を用いて切断溝を形
成する工程を繰り返すことにより、個々の表面波装置の
第１の反射端面を順次形成する工程と、前記マザーの表
面波基板の一方主面側から切断装置を用いて切断溝を形
成する工程を繰り返すことにより、個々の表面波装置の
第２の反射端面を順次形成する工程とを備えることを特
徴とする。
１，第２の反射端面を有する端面反射型表面波装置の製
造方法であって、複数のＩＤＴが一方面側に形成された
マザーの表面波基板を用意する工程と、前記マザーの表
面波基板の一方主面側から切断装置を用いて切断溝を形
成する工程を繰り返すことにより、個々の表面波装置の
第１の反射端面を順次形成する工程と、前記マザーの表
面波基板の一方主面側から切断装置を用いて切断溝を形
成する工程を繰り返すことにより、個々の表面波装置の
第２の反射端面を順次形成する工程とを備えることを特
徴とする。
【００１３】本発明に係る端面反射型表面波装置の製造
方法では、好ましくは、第１の反射端面を順次形成する
工程及び第２の反射端面を順次形成する工程において、
切断装置またはマザーの表面波基板を第１，第２の反射
端面を結ぶ方向に順送りしつつ順次第１または第２の反
射端面を形成する。
方法では、好ましくは、第１の反射端面を順次形成する
工程及び第２の反射端面を順次形成する工程において、
切断装置またはマザーの表面波基板を第１，第２の反射
端面を結ぶ方向に順送りしつつ順次第１または第２の反
射端面を形成する。
【００１４】より好ましくは、前記第１の反射端面を順
次形成した後、前記マザーの表面波基板をその両主面の
中心を結ぶ軸を中心として１８０度回転させる工程をさ
らに備え、該回転されたマザーの表面波基板について第
２の反射端面を順次形成することを特徴とする。
次形成した後、前記マザーの表面波基板をその両主面の
中心を結ぶ軸を中心として１８０度回転させる工程をさ
らに備え、該回転されたマザーの表面波基板について第
２の反射端面を順次形成することを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らかに
する。
具体的な実施例を挙げることにより、本発明を明らかに
する。
【００１６】図１は、本発明の一実施例に係る端面反射
型表面波装置の製造方法を説明するための模式的平面図
である。本実施例では、図３に示したＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型表面波共振子１が製造される。
なお、ＳＨタイプの表面波としては、ＢＧＳ波、ラブ
波、リーキー波など適宜のＳＨタイプの表面波を利用す
ることができる。
型表面波装置の製造方法を説明するための模式的平面図
である。本実施例では、図３に示したＳＨタイプの表面
波を利用した端面反射型表面波共振子１が製造される。
なお、ＳＨタイプの表面波としては、ＢＧＳ波、ラブ
波、リーキー波など適宜のＳＨタイプの表面波を利用す
ることができる。
【００１７】本実施例では、まず、マザーの表面波基板
１１を用意する。マザーの表面波基板１１は、図４で
は、その一部が示されているが、図４の矢印Ｘ方向に延
びている。
１１を用意する。マザーの表面波基板１１は、図４で
は、その一部が示されているが、図４の矢印Ｘ方向に延
びている。
【００１８】マザーの表面波基板１１は、ＬｉＮｂ
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 または水晶などの圧電単結晶基板、
またはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧
電セラミック基板を用いて構成することができる。ま
た、これらの圧電基板だけでなく、絶縁性基板や圧電基
板上に、ＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層することによ
りマザーの表面波基板１１を構成してもよい。
Ｏ3 、ＬｉＴａＯ3 または水晶などの圧電単結晶基板、
またはチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスのような圧
電セラミック基板を用いて構成することができる。ま
た、これらの圧電基板だけでなく、絶縁性基板や圧電基
板上に、ＺｎＯ薄膜などの圧電薄膜を積層することによ
りマザーの表面波基板１１を構成してもよい。
【００１９】本実施例では、マザーの表面波基板１１
は、圧電単結晶基板により構成されている。このマザー
の表面波基板１１上に、複数のＩＤＴ３，３を所定の間
隔Ｌを隔てて形成する。ＩＤＴ３の形成は、マザーの表
面波基板２の上面にＡｌなどの金属膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィなどによりパターニングすることによ
り行うことができる。
は、圧電単結晶基板により構成されている。このマザー
の表面波基板１１上に、複数のＩＤＴ３，３を所定の間
隔Ｌを隔てて形成する。ＩＤＴ３の形成は、マザーの表
面波基板２の上面にＡｌなどの金属膜を形成した後、フ
ォトリソグラフィなどによりパターニングすることによ
り行うことができる。
【００２０】各ＩＤＴ３の形状については、図３を参照
して説明した端面反射型表面波共振子１についての説明
を援用することにより省略する。なお、表面波基板２
を、前述した絶縁基板や圧電基板上に圧電薄膜を積層し
た構造とした場合には、ＩＤＴ３は圧電薄膜の上面また
は下面のいずれに形成されてもよい。圧電薄膜の下面に
ＩＤＴ３を形成する場合には、圧電薄膜の積層に先立
ち、ＩＤＴ３が形成される。
して説明した端面反射型表面波共振子１についての説明
を援用することにより省略する。なお、表面波基板２
を、前述した絶縁基板や圧電基板上に圧電薄膜を積層し
た構造とした場合には、ＩＤＴ３は圧電薄膜の上面また
は下面のいずれに形成されてもよい。圧電薄膜の下面に
ＩＤＴ３を形成する場合には、圧電薄膜の積層に先立
ち、ＩＤＴ３が形成される。
【００２１】次に、ダイシングソーからなる切断装置１
４を用い、マザーの表面波基板１１に切断溝１５を形成
する。切断溝１５は、それぞれ、マザーの表面波基板１
１の一方主面である上面１１ａ側から形成され、好まし
くは図２に断面図で示すように、表面波基板１１の上面
１１ａから切断溝１５を表面波基板１１の下面１１ｂに
は至らないように形成する。切断溝１５の形成により、
切断溝１５のＩＤＴ３側の内側面により第１の反射端面
１５ａが形成される。この反射端面１５ａの位置が、図
１では線Ａ１で示されている。すなわち、図１の線Ａ
１，Ａ２，Ａ３は、それぞれ、個々の端面反射型表面波
共振子１の第１の反射端面２ａの位置を示している。
４を用い、マザーの表面波基板１１に切断溝１５を形成
する。切断溝１５は、それぞれ、マザーの表面波基板１
１の一方主面である上面１１ａ側から形成され、好まし
くは図２に断面図で示すように、表面波基板１１の上面
１１ａから切断溝１５を表面波基板１１の下面１１ｂに
は至らないように形成する。切断溝１５の形成により、
切断溝１５のＩＤＴ３側の内側面により第１の反射端面
１５ａが形成される。この反射端面１５ａの位置が、図
１では線Ａ１で示されている。すなわち、図１の線Ａ
１，Ａ２，Ａ３は、それぞれ、個々の端面反射型表面波
共振子１の第１の反射端面２ａの位置を示している。
【００２２】本実施例では、表面波基板１１を固定した
状態で、切断装置１４を図４のＸ方向に送りつつ、まず
切断溝１５，１５，１５が順次形成される。この場合、
切断溝１５，１５間のピッチは全て等しい。すなわち、
切断溝１５，１５間のピッチは、線Ａ１と線Ａ２との間
の距離、線Ａ２と線Ａ３との間の距離に等しい。すなわ
ち、図１のピッチＣ＋Ｄと等しくなる。従って、切断溝
１５を順次形成するにあたっては、切断装置１４をＸ方
向にＣ＋Ｄのピッチで送りつつ切断を行えばよい。従っ
て、切断装置１４の送りピッチを変更する必要となく、
複数の切断溝１５を容易にかつ高精度に形成することが
できる。このようにして、複数本の切断溝１５が形成さ
れ、すなわち個々の端面反射型表面波共振子における第
１の反射端面２ａが切り出される。
状態で、切断装置１４を図４のＸ方向に送りつつ、まず
切断溝１５，１５，１５が順次形成される。この場合、
切断溝１５，１５間のピッチは全て等しい。すなわち、
切断溝１５，１５間のピッチは、線Ａ１と線Ａ２との間
の距離、線Ａ２と線Ａ３との間の距離に等しい。すなわ
ち、図１のピッチＣ＋Ｄと等しくなる。従って、切断溝
１５を順次形成するにあたっては、切断装置１４をＸ方
向にＣ＋Ｄのピッチで送りつつ切断を行えばよい。従っ
て、切断装置１４の送りピッチを変更する必要となく、
複数の切断溝１５を容易にかつ高精度に形成することが
できる。このようにして、複数本の切断溝１５が形成さ
れ、すなわち個々の端面反射型表面波共振子における第
１の反射端面２ａが切り出される。
【００２３】次に、表面波基板１１を、その一方主面及
び他方主面の中心を結ぶ軸を中心として１８０度回転さ
せる。しかる後、個々の端面反射型表面波共振子の第２
の反射端面を形成するために、複数の切断溝１６を順次
形成する。切断溝１６も切断溝１５と同様に形成される
が、切断溝１６のＩＤＴ３側の内側面が、個々の端面反
射型表面波共振子１の第２の反射端面２ｂを構成する。
この切断溝１６のＩＤＴ３側の内側面の位置が、線Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３で示されている。切断溝１６の形成に際
しても、表面波基板２を固定した状態で、矢印Ｘ方向
に、切断装置１４を順送りしつつ各切断を行う。この場
合、隣り合う切断溝１６間のピッチはＣ＋Ｄとなり、全
て等しい。また、第１の反射端面を形成する上記切断溝
１５を順次形成する際の切断装置の送り量と、切断溝１
６を形成する場合の切断装置１４の送り量とが等しい。
び他方主面の中心を結ぶ軸を中心として１８０度回転さ
せる。しかる後、個々の端面反射型表面波共振子の第２
の反射端面を形成するために、複数の切断溝１６を順次
形成する。切断溝１６も切断溝１５と同様に形成される
が、切断溝１６のＩＤＴ３側の内側面が、個々の端面反
射型表面波共振子１の第２の反射端面２ｂを構成する。
この切断溝１６のＩＤＴ３側の内側面の位置が、線Ｂ
１，Ｂ２，Ｂ３で示されている。切断溝１６の形成に際
しても、表面波基板２を固定した状態で、矢印Ｘ方向
に、切断装置１４を順送りしつつ各切断を行う。この場
合、隣り合う切断溝１６間のピッチはＣ＋Ｄとなり、全
て等しい。また、第１の反射端面を形成する上記切断溝
１５を順次形成する際の切断装置の送り量と、切断溝１
６を形成する場合の切断装置１４の送り量とが等しい。
【００２４】従って、切断装置１４の送りピッチを変更
することなく複数本の切断溝１６を形成することがで
き、すなわち第２の反射端面２ｂを形成することができ
る。よって、本実施例によれば、切断装置１４の送りピ
ッチを変更することなく、切断溝１５，１６の形成、す
なわち反射端面２ａ，２ｂの形成を行うことができる。
よって、端面反射型表面波共振子１の生産性を高めるこ
とができると共に、端面２ａ，２ｂ間の距離を高精度に
維持することができる。
することなく複数本の切断溝１６を形成することがで
き、すなわち第２の反射端面２ｂを形成することができ
る。よって、本実施例によれば、切断装置１４の送りピ
ッチを変更することなく、切断溝１５，１６の形成、す
なわち反射端面２ａ，２ｂの形成を行うことができる。
よって、端面反射型表面波共振子１の生産性を高めるこ
とができると共に、端面２ａ，２ｂ間の距離を高精度に
維持することができる。
【００２５】なお、上記実施例では、切断装置１４をＸ
方向に移動し、切断溝１５の切断及び切断溝１６の切断
を行ったが、切断装置１４に代えて、表面波基板１１側
をＸ方向に移動することにより、複数本の切断溝１５や
複数本の切断溝１６を順次形成してもよい。
方向に移動し、切断溝１５の切断及び切断溝１６の切断
を行ったが、切断装置１４に代えて、表面波基板１１側
をＸ方向に移動することにより、複数本の切断溝１５や
複数本の切断溝１６を順次形成してもよい。
【００２６】また、上記実施例では、端面反射型表面波
装置として、１個のＩＤＴ３を有する端面反射型表面波
共振子１の製造方法を説明したが、本発明は、複数のＩ
ＤＴが設けられた端面反射型表面波フィルタなど、様々
なＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置
の製造に用いることができる。
装置として、１個のＩＤＴ３を有する端面反射型表面波
共振子１の製造方法を説明したが、本発明は、複数のＩ
ＤＴが設けられた端面反射型表面波フィルタなど、様々
なＳＨタイプの表面波を利用した端面反射型表面波装置
の製造に用いることができる。
【００２７】なお、本実施例のように上記切断溝１５，
１６を他方主面１１ｂ側には至らないように形成した場
合には、上記切断溝１５，１６を形成した後に、切断溝
１５，１６よりも下方あるいはＩＤＴ３に対して切断溝
１５，１６よりも外側の表面波基板部分を再度切断する
ことにより、あるいは下方の表面波基板部分を折ること
により、個々の端面反射型表面波共振子１を得ることが
できる。切断溝１５，１６を形成し、しかる後、ＩＤＴ
３に対して切断溝１５，１６より外側の表面波基板部分
を切断もしくは切断溝１５，１６の下方の表面波基板部
分を切断もしくは折るのは、表面波基板１１の下面１１
ｂに至らないように切断溝１５，１６を形成しておくこ
とにより、反射端面を高精度に形成することができるか
らである。ただし、上記切断溝１５，１６を他方主面１
１ｂ側まで形成しても、本発明の目的であるマザーの表
面波基板から多くの端面反射型表面波装置を高い生産性
でもってかつ効率よく製造することを達成できる。
１６を他方主面１１ｂ側には至らないように形成した場
合には、上記切断溝１５，１６を形成した後に、切断溝
１５，１６よりも下方あるいはＩＤＴ３に対して切断溝
１５，１６よりも外側の表面波基板部分を再度切断する
ことにより、あるいは下方の表面波基板部分を折ること
により、個々の端面反射型表面波共振子１を得ることが
できる。切断溝１５，１６を形成し、しかる後、ＩＤＴ
３に対して切断溝１５，１６より外側の表面波基板部分
を切断もしくは切断溝１５，１６の下方の表面波基板部
分を切断もしくは折るのは、表面波基板１１の下面１１
ｂに至らないように切断溝１５，１６を形成しておくこ
とにより、反射端面を高精度に形成することができるか
らである。ただし、上記切断溝１５，１６を他方主面１
１ｂ側まで形成しても、本発明の目的であるマザーの表
面波基板から多くの端面反射型表面波装置を高い生産性
でもってかつ効率よく製造することを達成できる。
【００２８】また、上記実施例では、切断装置１４とし
てダイシングソーを示したが、ダイシングソー以外に、
ワイヤー・ソーまたはスクライバーなどの適宜の切断装
置を用いることができる。
てダイシングソーを示したが、ダイシングソー以外に、
ワイヤー・ソーまたはスクライバーなどの適宜の切断装
置を用いることができる。
【００２９】なお、上記実施例では、切断溝１５，１６
を形成したが、切断溝１５，１６の形成は上述した反射
端面２ａ，２ｂを形成するためであるので、切断溝１
５，１６の幅は特に限定されず、例えば、ほとんど幅を
有しない線状の切断溝であってもよい。
を形成したが、切断溝１５，１６の形成は上述した反射
端面２ａ，２ｂを形成するためであるので、切断溝１
５，１６の幅は特に限定されず、例えば、ほとんど幅を
有しない線状の切断溝であってもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明に係る端面反射型表面波装置の製
造方法では、マザーの表面波基板の一方主面側から表面
波基板を切断する工程を繰り返すことにより個々の表面
波装置の第１の反射端面が順次形成され、次に、同じく
切断工程を繰り返すことにより第２の反射端面が順次形
成される。他方、マザーの表面波基板においては、隣り
合う端面反射型表面波装置部分の第１の反射端面間の距
離、並びに第２の反射端面間の距離は全て等しい。従っ
て、本発明によれば、第１の反射端面を順次形成する工
程及び第２の反射端面を順次形成する工程において、切
断装置や表面波基板を等ピッチで送りつつ切断すること
ができるので、生産性を高めることができると共に、第
１，第２の反射端面を高精度に形成することができる。
よって、安価であり、かつ共振特性などのばらつきが生
じ難い、信頼性に優れた端面反射型表面波装置を提供す
ることが可能となる。
造方法では、マザーの表面波基板の一方主面側から表面
波基板を切断する工程を繰り返すことにより個々の表面
波装置の第１の反射端面が順次形成され、次に、同じく
切断工程を繰り返すことにより第２の反射端面が順次形
成される。他方、マザーの表面波基板においては、隣り
合う端面反射型表面波装置部分の第１の反射端面間の距
離、並びに第２の反射端面間の距離は全て等しい。従っ
て、本発明によれば、第１の反射端面を順次形成する工
程及び第２の反射端面を順次形成する工程において、切
断装置や表面波基板を等ピッチで送りつつ切断すること
ができるので、生産性を高めることができると共に、第
１，第２の反射端面を高精度に形成することができる。
よって、安価であり、かつ共振特性などのばらつきが生
じ難い、信頼性に優れた端面反射型表面波装置を提供す
ることが可能となる。
【００３１】本発明において、第１の反射端面を順次形
成する工程及び第２の反射端面を順次形成する工程にお
いて、切断装置またはマザーの表面波基板を第１，第２
の反射端面を結ぶ方向に順送りしつつ切断を行う場合、
該切断装置あるいはマザーの表面波基板の送りピッチを
一定とすることができる。
成する工程及び第２の反射端面を順次形成する工程にお
いて、切断装置またはマザーの表面波基板を第１，第２
の反射端面を結ぶ方向に順送りしつつ切断を行う場合、
該切断装置あるいはマザーの表面波基板の送りピッチを
一定とすることができる。
【００３２】また、第１の反射端面を形成した後、表面
波基板を両主面の中心を結ぶ軸を中心として１８０度回
転させ、しかる後第２の反射端面を順次形成する場合に
は、切断装置を等ピッチで順送りしつつ第１の反射端面
を形成した後に、第２の反射端面を形成し得るだけでな
く、切断装置の切断刃の同じ面により第１の反射端面及
び第２の反射端面が形成される。従って、共振特性など
のばらつきがより一層少ない端面反射型表面波装置を提
供することができる。
波基板を両主面の中心を結ぶ軸を中心として１８０度回
転させ、しかる後第２の反射端面を順次形成する場合に
は、切断装置を等ピッチで順送りしつつ第１の反射端面
を形成した後に、第２の反射端面を形成し得るだけでな
く、切断装置の切断刃の同じ面により第１の反射端面及
び第２の反射端面が形成される。従って、共振特性など
のばらつきがより一層少ない端面反射型表面波装置を提
供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る端面反射型表面波装置
の製造方法を説明するための図であり、マザーの表面波
基板を切断する工程を説明するための平面図。
の製造方法を説明するための図であり、マザーの表面波
基板を切断する工程を説明するための平面図。
【図２】マザーの表面波基板を切断し切断溝及び反射端
面を形成する工程を説明するための模式的断面図。
面を形成する工程を説明するための模式的断面図。
【図３】本発明により得られる端面反射型表面波装置の
一例としての端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
一例としての端面反射型表面波共振子を示す斜視図。
【図４】従来の端面反射型表面波装置の製造方法を説明
するための部分切欠平面図。
するための部分切欠平面図。
１…端面反射型表面波共振子 ２…表面波基板 ２ａ，２ｂ…第１，第２の反射端面 ３…ＩＤＴ １１…マザーの表面波基板 １４…切断装置 １５，１６…切断溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吾郷 純也 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 林 誠剛 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 高桑 泰徳 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 Ｆターム(参考） 5J097 AA28 AA31 AA34 BB01 BB17 GG07 HA07 KK09 5J108 MM08
Claims (3)
- 【請求項１】 対向し合う第１，第２の反射端面を有す
る端面反射型表面波装置の製造方法であって、 複数のインターデジタルトランスデューサが一方面側に
形成されたマザーの表面波基板を用意する工程と、 前記マザーの表面波基板の一方主面側から切断装置によ
り切断溝を形成する工程を繰り返すことにより、個々の
表面波装置の第１の反射端面を順次形成する工程と、 前記マザーの表面波基板の一方主面側から切断装置を用
いて切断溝を形成する工程を繰り返すことにより、個々
の表面波装置の第２の反射端面を順次形成する工程とを
備えることを特徴とする、端面反射型表面波装置の製造
方法。 - 【請求項２】 第１の反射端面を順次形成する工程及び
第２の反射端面を順次形成する工程において、切断装置
またはマザーの表面波基板を第１，第２の反射端面を結
ぶ方向に順送りしつつ順次第１または第２の反射端面を
形成する、請求項１に記載の端面反射型表面波装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記第１の反射端面を順次形成した後、
前記マザーの表面波基板をその両主面の中心を結ぶ軸を
中心として１８０度回転させる工程をさらに備え、該回
転されたマザーの表面波基板について第２の反射端面を
順次形成することを特徴とする、請求項１または２に記
載の端面反射型表面波装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07380199A JP3341704B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
| US09/528,467 US6637087B1 (en) | 1999-03-18 | 2000-03-17 | Method of producing edge reflection type surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07380199A JP3341704B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000269766A true JP2000269766A (ja) | 2000-09-29 |
| JP3341704B2 JP3341704B2 (ja) | 2002-11-05 |
Family
ID=13528653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07380199A Expired - Lifetime JP3341704B2 (ja) | 1999-03-18 | 1999-03-18 | 端面反射型表面波装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6637087B1 (ja) |
| JP (1) | JP3341704B2 (ja) |
Cited By (2)
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| WO2026075154A1 (ja) * | 2024-10-04 | 2026-04-09 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器及び通信装置 |
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| JP2004336503A (ja) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波素子及びその製造方法 |
| DE102019109022A1 (de) * | 2019-04-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Akustische-Oberflächenwellen-Resonatoranordnung |
| US20230006125A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Acoustic wave device with reduced acoustic coupling |
| US20250112613A1 (en) * | 2023-09-29 | 2025-04-03 | Rf360 Singapore Pte. Ltd. | Scattering elements for coupling prevention with electroacoustic resonators |
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| JPH0773177B2 (ja) * | 1984-12-17 | 1995-08-02 | 株式会社東芝 | 弾性表面波共振子 |
| JPH0740609B2 (ja) | 1985-12-20 | 1995-05-01 | セイコー電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPS63115408A (ja) | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面波フイルタ加工法 |
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| JPH02230809A (ja) | 1989-03-02 | 1990-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JPH06103820B2 (ja) | 1989-05-19 | 1994-12-14 | 三洋電機株式会社 | 弾性表面波素子の製造方法 |
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1999
- 1999-03-18 JP JP07380199A patent/JP3341704B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-03-17 US US09/528,467 patent/US6637087B1/en not_active Expired - Lifetime
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|---|---|
| US6637087B1 (en) | 2003-10-28 |
| JP3341704B2 (ja) | 2002-11-05 |
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