JP2000276706A - 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 １μｍ以下の磁気記録トラック幅の磁気ヘッ
ドにおいて、ギャップデプス位置設定における正確性を
向上する。 【解決手段】 上部コア層４７および下部コア層２７が
後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在してそれらの
端面が媒体対向面１５２に露出し、磁極端領域Ｘにて上
部コア層４７と下部コア層２７との間にギャップ層４５
が設けられ、下部コア層２７に積層された絶縁層４２の
磁極端領域Ｘに媒体対向面１５２から後部領域Ｙに向け
て延在する溝４３が設けられ、溝４３に下部磁極層４４
とギャップ層４５と上部磁極層４６とが積層され、下部
磁極層４４が下部コア層２７に接続され、上部磁極層４
６が上部コア層４７に接続されて、溝４３が、媒体対向
面１５２における開口の寸法と略同一断面寸法で磁極端
領域Ｘに延在する溝本体部５１と、溝本体部５１に連続
して後部領域Ｙに延在する溝連続部９０とを有してな
る。
ドにおいて、ギャップデプス位置設定における正確性を
向上する。 【解決手段】 上部コア層４７および下部コア層２７が
後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在してそれらの
端面が媒体対向面１５２に露出し、磁極端領域Ｘにて上
部コア層４７と下部コア層２７との間にギャップ層４５
が設けられ、下部コア層２７に積層された絶縁層４２の
磁極端領域Ｘに媒体対向面１５２から後部領域Ｙに向け
て延在する溝４３が設けられ、溝４３に下部磁極層４４
とギャップ層４５と上部磁極層４６とが積層され、下部
磁極層４４が下部コア層２７に接続され、上部磁極層４
６が上部コア層４７に接続されて、溝４３が、媒体対向
面１５２における開口の寸法と略同一断面寸法で磁極端
領域Ｘに延在する溝本体部５１と、溝本体部５１に連続
して後部領域Ｙに延在する溝連続部９０とを有してな
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法に係り、特に、トラック幅が１μｍ以
下の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に用いて好適な
技術に関する。
よびその製造方法に係り、特に、トラック幅が１μｍ以
下の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に用いて好適な
技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３６は、従来の複合型薄膜磁気ヘッド
をスライダに備えた磁気ヘッド１５０を示す斜視図、図
３７は、図３６の磁気ヘッド１５０を示す断面図であ
る。この浮上式磁気ヘッド１５０は、図３６に示すよう
に、スライダ１５１と、スライダ１５１に備えられた複
合型薄膜磁気ヘッド１５７を主体として構成されてい
る。ここで、符号１５５は、スライダ１５１の磁気記録
媒体の移動方向の上流側であるリーディング側を示し、
符号１５６は、同じく移動方向の下流側であるトレーリ
ング側を示す。このスライダ１５１の磁気記録媒体に対
向する媒体対向面１５２には、レール１５１ａ、１５１
ｂ、１５１ａが形成され、各レール同士間は、エアーグ
ルーブ１５１ｃ、１５１ｃとされている。そして、この
スライダ１５１のトレーリング側１５６の端面１５１ｄ
に複合型薄膜磁気ヘッド１５７が設けられている。図３
８は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７を示す斜視図であ
る。複合型薄膜磁気ヘッド１５７は、図３７および図３
８に示すように、磁気抵抗効果素子を備えたＭＲ磁気ヘ
ッドｈ１と、書込みヘッドである薄膜磁気ヘッドｈ２と
が、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に積層されてなる
ものである。
をスライダに備えた磁気ヘッド１５０を示す斜視図、図
３７は、図３６の磁気ヘッド１５０を示す断面図であ
る。この浮上式磁気ヘッド１５０は、図３６に示すよう
に、スライダ１５１と、スライダ１５１に備えられた複
合型薄膜磁気ヘッド１５７を主体として構成されてい
る。ここで、符号１５５は、スライダ１５１の磁気記録
媒体の移動方向の上流側であるリーディング側を示し、
符号１５６は、同じく移動方向の下流側であるトレーリ
ング側を示す。このスライダ１５１の磁気記録媒体に対
向する媒体対向面１５２には、レール１５１ａ、１５１
ｂ、１５１ａが形成され、各レール同士間は、エアーグ
ルーブ１５１ｃ、１５１ｃとされている。そして、この
スライダ１５１のトレーリング側１５６の端面１５１ｄ
に複合型薄膜磁気ヘッド１５７が設けられている。図３
８は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７を示す斜視図であ
る。複合型薄膜磁気ヘッド１５７は、図３７および図３
８に示すように、磁気抵抗効果素子を備えたＭＲ磁気ヘ
ッドｈ１と、書込みヘッドである薄膜磁気ヘッドｈ２と
が、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に積層されてなる
ものである。
【０００３】ＭＲ磁気ヘッドｈ１は、図３７，図３８に
示すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成さ
れた磁性合金からなる下部シールド層１６３と、下部シ
ールド層１６３に積層された読出ギャップ層１６４と、
媒体対向面１５２に一部を露出させた磁気抵抗効果素子
１６５と、磁気抵抗効果素子１６５および読出ギャップ
層１６４を覆う上部ギャップ層１６６と、上部ギャップ
層１６６を覆う上部シールド層１６７とから構成されて
いる。上部シールド層１６７は、薄膜磁気ヘッドｈ２の
下部コア層と兼用とされている。
示すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成さ
れた磁性合金からなる下部シールド層１６３と、下部シ
ールド層１６３に積層された読出ギャップ層１６４と、
媒体対向面１５２に一部を露出させた磁気抵抗効果素子
１６５と、磁気抵抗効果素子１６５および読出ギャップ
層１６４を覆う上部ギャップ層１６６と、上部ギャップ
層１６６を覆う上部シールド層１６７とから構成されて
いる。上部シールド層１６７は、薄膜磁気ヘッドｈ２の
下部コア層と兼用とされている。
【０００４】上述のＭＲ磁気ヘッドｈ１は、読出ヘッド
として用いられるものであり、磁気記録媒体からの微小
の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子１６５に印加されて磁気
抵抗効果素子１６５の抵抗が変化し、この抵抗変化に基
づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生信号として読み取
るものである。
として用いられるものであり、磁気記録媒体からの微小
の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子１６５に印加されて磁気
抵抗効果素子１６５の抵抗が変化し、この抵抗変化に基
づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生信号として読み取
るものである。
【０００５】薄膜磁気ヘッドｈ２は、下部コア層（上部
シールド層）１６７と、下部コア層１６７に積層された
ギャップ層１７４と、ギャップ層１７４の後部領域Ｙに
形成されたコイル１７６と、コイル１７６を覆う上部絶
縁層１７７と、磁極端領域Ｘにてギャップ層１７４に接
合されるとともに後部領域Ｙにて下部コア層１６７に接
合される上部コア層１７８とから構成されている。コイ
ル１７６は、平面的に螺旋状となるようにパターン化さ
れている。また、上部コア層１７８は、コイル１７６の
ほぼ中央部分にてその基端部１７８ｂが下部コア層１６
７に磁気的に接続されている。また、上部コア層１７８
上には、アルミナなどからなる保護層１７９が積層され
ている。
シールド層）１６７と、下部コア層１６７に積層された
ギャップ層１７４と、ギャップ層１７４の後部領域Ｙに
形成されたコイル１７６と、コイル１７６を覆う上部絶
縁層１７７と、磁極端領域Ｘにてギャップ層１７４に接
合されるとともに後部領域Ｙにて下部コア層１６７に接
合される上部コア層１７８とから構成されている。コイ
ル１７６は、平面的に螺旋状となるようにパターン化さ
れている。また、上部コア層１７８は、コイル１７６の
ほぼ中央部分にてその基端部１７８ｂが下部コア層１６
７に磁気的に接続されている。また、上部コア層１７８
上には、アルミナなどからなる保護層１７９が積層され
ている。
【０００６】下部コア層１６７、ギャップ層１７４、お
よび上部コア層１７８は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７
の後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在するととも
に、媒体対向面１５２に露出している。この媒体対向面
１５２においては、上部コア層１７８と下部コア層１６
７とがギャップ層１７４を挟んで対向した状態で磁気ギ
ャップを形成している。ここで、図３７に示すように、
磁極端領域Ｘは、媒体対向面１５２近傍において、上部
コア層１７８と下部コア層１６７とがギャップ層１７４
のみを挟んで対向している領域をいい、後部領域Ｙは、
磁極端領域Ｘ以外の領域をいう。
よび上部コア層１７８は、複合型薄膜磁気ヘッド１５７
の後部領域Ｙから磁極端領域Ｘに向けて延在するととも
に、媒体対向面１５２に露出している。この媒体対向面
１５２においては、上部コア層１７８と下部コア層１６
７とがギャップ層１７４を挟んで対向した状態で磁気ギ
ャップを形成している。ここで、図３７に示すように、
磁極端領域Ｘは、媒体対向面１５２近傍において、上部
コア層１７８と下部コア層１６７とがギャップ層１７４
のみを挟んで対向している領域をいい、後部領域Ｙは、
磁極端領域Ｘ以外の領域をいう。
【０００７】上述の薄膜磁気ヘッドｈ２は、書込みヘッ
ドとして用いられるものであり、コイル１７６に記録電
流が与えられると、この記録電流により上部コア層１７
８および下部コア層１６７に磁束が発生し、この磁束が
磁気ギャップから外部に漏れて漏れ磁界を生じ、この漏
れ磁界により磁気記録媒体が磁化されて記録信号が記録
される。
ドとして用いられるものであり、コイル１７６に記録電
流が与えられると、この記録電流により上部コア層１７
８および下部コア層１６７に磁束が発生し、この磁束が
磁気ギャップから外部に漏れて漏れ磁界を生じ、この漏
れ磁界により磁気記録媒体が磁化されて記録信号が記録
される。
【０００８】ところで、上記の薄膜磁気ヘッドｈ２を製
造する際においては、予め下部コア層１６７、ギャップ
層１７４および上部コア層１７８を順次積層パターンニ
ングし形成する。ここで、上部コア層１７８は、フレー
ムメッキ法により、メッキ、イオンミーリングを用いて
加工され、媒体対向面１５２に露出する上部コア層１７
８の幅は、前記フレームメッキ等のレジスト幅や、メッ
キ、エッチング加工により規定され、この媒体対向面１
５２に露出する上部コア層１７８の幅により、磁気記録
トラック幅が規定されている。このように、薄膜磁気ヘ
ッドｈ２の磁気記録トラック幅（媒体対向面に露出する
上部コア層１７８の磁極端側の幅）を狭く設定すること
により、磁気記録媒体のトラック幅を小さくすることが
可能になって、磁気記録媒体のトラック密度を増大で
き、ひいては、記録密度を高めることが可能になる。
造する際においては、予め下部コア層１６７、ギャップ
層１７４および上部コア層１７８を順次積層パターンニ
ングし形成する。ここで、上部コア層１７８は、フレー
ムメッキ法により、メッキ、イオンミーリングを用いて
加工され、媒体対向面１５２に露出する上部コア層１７
８の幅は、前記フレームメッキ等のレジスト幅や、メッ
キ、エッチング加工により規定され、この媒体対向面１
５２に露出する上部コア層１７８の幅により、磁気記録
トラック幅が規定されている。このように、薄膜磁気ヘ
ッドｈ２の磁気記録トラック幅（媒体対向面に露出する
上部コア層１７８の磁極端側の幅）を狭く設定すること
により、磁気記録媒体のトラック幅を小さくすることが
可能になって、磁気記録媒体のトラック密度を増大で
き、ひいては、記録密度を高めることが可能になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の薄膜磁
気ヘッドｈ２においては、上部コア層の厚さが厚いの
で、フレームメッキ等の手段によりこれらの各層を精度
良く形成し、磁極端を現状の最高の加工精度で加工した
としても、レジストのパターン形成時における露光の分
解能の限界により、磁気記録トラック幅を１μｍ以下に
するのは困難であり、磁気記録媒体の記録密度をより向
上させることができないという課題があった。
気ヘッドｈ２においては、上部コア層の厚さが厚いの
で、フレームメッキ等の手段によりこれらの各層を精度
良く形成し、磁極端を現状の最高の加工精度で加工した
としても、レジストのパターン形成時における露光の分
解能の限界により、磁気記録トラック幅を１μｍ以下に
するのは困難であり、磁気記録媒体の記録密度をより向
上させることができないという課題があった。
【００１０】さらに、磁気記録トラック幅を小さく設定
した場合には、磁極端領域Ｘにおいて、ギャップ層１７
４を挟み込んでいる下部コア層１６７および上部コア層
１７８の後部領域Ｙ側の端部、即ち、磁気ギャップの媒
体対向面からの深さ；ギャップデプスＧｄが、媒体対向
面１５２に対して平行にならないことがあり、この場
合、漏れ磁界が大きくなり、薄膜磁気ヘッドの書き込み
能力が低下したり、ギャップデプスＧｄがばらつくた
め、薄膜磁気ヘッドの書き込み能力にばらつきが発生す
る可能性があるために、ギャップデプスＧｄの位置設定
を正確に行いたいという要求があった。
した場合には、磁極端領域Ｘにおいて、ギャップ層１７
４を挟み込んでいる下部コア層１６７および上部コア層
１７８の後部領域Ｙ側の端部、即ち、磁気ギャップの媒
体対向面からの深さ；ギャップデプスＧｄが、媒体対向
面１５２に対して平行にならないことがあり、この場
合、漏れ磁界が大きくなり、薄膜磁気ヘッドの書き込み
能力が低下したり、ギャップデプスＧｄがばらつくた
め、薄膜磁気ヘッドの書き込み能力にばらつきが発生す
る可能性があるために、ギャップデプスＧｄの位置設定
を正確に行いたいという要求があった。
【００１１】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 １μｍ以下のトラック幅に対応し磁気記録トラック幅
が１μｍ以下である薄膜磁気ヘッドを提供すること。 このような磁気ヘッドにおいて、磁気記録トラックの
媒体対向面からの深さ；ギャップデプス位置設定におけ
る正確性を向上すること。 同様に、磁気記録トラック幅が１μｍ以下である薄膜
磁気ヘッドを製造する方法を提供すること。
ので、以下の目的を達成しようとするものである。 １μｍ以下のトラック幅に対応し磁気記録トラック幅
が１μｍ以下である薄膜磁気ヘッドを提供すること。 このような磁気ヘッドにおいて、磁気記録トラックの
媒体対向面からの深さ；ギャップデプス位置設定におけ
る正確性を向上すること。 同様に、磁気記録トラック幅が１μｍ以下である薄膜
磁気ヘッドを製造する方法を提供すること。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜磁
気ヘッドは、上部コア層および下部コア層が後部領域か
ら磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対向
面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前記
下部コア層が接続され、この上部コア層と下部コア層と
の接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端領域
にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャップ
層が設けられてなる構造を有し、前記下部コア層に絶縁
層が積層され、該絶縁層の前記磁極端領域に前記媒体対
向面から前記後部領域に向けて延在する溝が設けられ、
該溝に下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層とが積
層され、前記下部磁極層が前記下部コア層に接続され、
前記上部磁極層が前記上部コア層に接続されて、上部磁
極層により上部磁極端が下部磁極層により下部磁極端が
構成されてなり、前記溝が、前記下部コア層側と前記上
部コア層側と前記媒体対向面側とに各々開口し、前記媒
体対向面における開口の寸法と略同一断面寸法で前記磁
極端領域に延在する溝本体部と、該溝本体部に連続して
前記後部領域に延在する溝連続部とを有してなることに
より上記課題を解決した。本発明において、前記ギャッ
プ層の前記後部領域側には、後部絶縁層が積層されてな
ることが好ましい。本発明において、前記後部絶縁層上
側には、絶縁レジスト層が形成されてなることが可能で
ある。本発明において、前記溝連続部が、前記溝本体部
と略同一断面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を
有してなる技術か、または、前記溝連続部が、該溝本体
部の前記後部領域側に接続され該後部領域側に向けて前
記上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を有して
なる技術を選択することができる。
めに、本発明は以下の構成を採用した。本発明の薄膜磁
気ヘッドは、上部コア層および下部コア層が後部領域か
ら磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対向
面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前記
下部コア層が接続され、この上部コア層と下部コア層と
の接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端領域
にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャップ
層が設けられてなる構造を有し、前記下部コア層に絶縁
層が積層され、該絶縁層の前記磁極端領域に前記媒体対
向面から前記後部領域に向けて延在する溝が設けられ、
該溝に下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層とが積
層され、前記下部磁極層が前記下部コア層に接続され、
前記上部磁極層が前記上部コア層に接続されて、上部磁
極層により上部磁極端が下部磁極層により下部磁極端が
構成されてなり、前記溝が、前記下部コア層側と前記上
部コア層側と前記媒体対向面側とに各々開口し、前記媒
体対向面における開口の寸法と略同一断面寸法で前記磁
極端領域に延在する溝本体部と、該溝本体部に連続して
前記後部領域に延在する溝連続部とを有してなることに
より上記課題を解決した。本発明において、前記ギャッ
プ層の前記後部領域側には、後部絶縁層が積層されてな
ることが好ましい。本発明において、前記後部絶縁層上
側には、絶縁レジスト層が形成されてなることが可能で
ある。本発明において、前記溝連続部が、前記溝本体部
と略同一断面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を
有してなる技術か、または、前記溝連続部が、該溝本体
部の前記後部領域側に接続され該後部領域側に向けて前
記上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を有して
なる技術を選択することができる。
【００１３】また、本発明におけるその具体例として、
前記溝本体部と前記溝延長部とには、前記下部コア層上
に立設されて前記媒体対向面に到達する略平行状態の２
つの平行側壁面が設けられてなる技術か、または、前記
溝本体部には、前記下部コア層上に立設されて前記媒体
対向面に到達する略平行状態の２つの平行側壁面が設け
られてなり、前記溝拡大部には、前記平行側壁面に連続
して前記下部コア層上に立設され前記後部領域側方向に
間隔の増大する２つの拡大側壁面が設けられてなる技術
を選択することができる。前記溝には、その前記上部コ
ア層側に傾斜部が設けられ、該傾斜部には、前記側壁面
に連結されて前記溝本体部の幅方向外側に向けて傾斜す
る側壁傾斜面が設けられることが可能である。前記下部
磁極端層と前記ギャップ層が、前記溝の前記磁極端領域
および前記後部領域に積層されてなることができる。前
記上部磁極端層が、前記溝の前記磁極端領域に積層され
てなることができる。前記上部磁極端層の前記後部領域
側の端部により、ギャップデプスが規定されていること
ができる。前記後部絶縁層は、前記媒体対向面側から前
記後部領域側に向かってその厚みを増加するよう傾斜し
たアペックス面を備えてなることができる。前記コイル
絶縁層は、前記後部絶縁層のアペックス面に向けて傾斜
する傾斜面を備えてなることが可能である。前記ギャッ
プデプスが、前記上部磁極端層の幅寸法と同一の寸法か
それ以上の寸法に設定されてなることが可能である。
前記溝本体部と前記溝延長部とには、前記下部コア層上
に立設されて前記媒体対向面に到達する略平行状態の２
つの平行側壁面が設けられてなる技術か、または、前記
溝本体部には、前記下部コア層上に立設されて前記媒体
対向面に到達する略平行状態の２つの平行側壁面が設け
られてなり、前記溝拡大部には、前記平行側壁面に連続
して前記下部コア層上に立設され前記後部領域側方向に
間隔の増大する２つの拡大側壁面が設けられてなる技術
を選択することができる。前記溝には、その前記上部コ
ア層側に傾斜部が設けられ、該傾斜部には、前記側壁面
に連結されて前記溝本体部の幅方向外側に向けて傾斜す
る側壁傾斜面が設けられることが可能である。前記下部
磁極端層と前記ギャップ層が、前記溝の前記磁極端領域
および前記後部領域に積層されてなることができる。前
記上部磁極端層が、前記溝の前記磁極端領域に積層され
てなることができる。前記上部磁極端層の前記後部領域
側の端部により、ギャップデプスが規定されていること
ができる。前記後部絶縁層は、前記媒体対向面側から前
記後部領域側に向かってその厚みを増加するよう傾斜し
たアペックス面を備えてなることができる。前記コイル
絶縁層は、前記後部絶縁層のアペックス面に向けて傾斜
する傾斜面を備えてなることが可能である。前記ギャッ
プデプスが、前記上部磁極端層の幅寸法と同一の寸法か
それ以上の寸法に設定されてなることが可能である。
【００１４】本発明においては、例えば、前記下部コア
層の上面が研磨加工された平坦面とされたことや、前記
側壁傾斜面の傾斜角度が、前記下部コア層に対して１０
〜８０度の範囲であること、または、前記後部絶縁層の
アペックス面の傾斜角度は、前記下部コア層に対して１
０〜８０度の範囲であること、および、前記後部絶縁層
が前記絶縁層の上側に連続して延在していることが可能
である。そして、前記絶縁層は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなること
が好ましく、単層膜または、それらの多層膜で形成して
もよい。前記ギャップ層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、ＮｉＰ合金、
ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２種以上から
なることができる。前記溝本体部の幅が１μｍ以下であ
ることが好ましい。磁気抵抗効果素子を備えたＭＲ磁気
ヘッドまたはＧＭＲヘッドとされる読出ヘッドと、上述
の手段を選択した薄膜磁気ヘッドとが積層されてなる複
合型薄膜磁気ヘッドとする技術を選択することができ
る。
層の上面が研磨加工された平坦面とされたことや、前記
側壁傾斜面の傾斜角度が、前記下部コア層に対して１０
〜８０度の範囲であること、または、前記後部絶縁層の
アペックス面の傾斜角度は、前記下部コア層に対して１
０〜８０度の範囲であること、および、前記後部絶縁層
が前記絶縁層の上側に連続して延在していることが可能
である。そして、前記絶縁層は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなること
が好ましく、単層膜または、それらの多層膜で形成して
もよい。前記ギャップ層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、ＮｉＰ合金、
ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２種以上から
なることができる。前記溝本体部の幅が１μｍ以下であ
ることが好ましい。磁気抵抗効果素子を備えたＭＲ磁気
ヘッドまたはＧＭＲヘッドとされる読出ヘッドと、上述
の手段を選択した薄膜磁気ヘッドとが積層されてなる複
合型薄膜磁気ヘッドとする技術を選択することができ
る。
【００１５】本発明における薄膜磁気ヘッドは、下部コ
ア層と下部磁極層とにより下部コアが形成され、上部コ
ア層と上部磁極層とにより上部コアが形成され、下部磁
極層とギャップ層と上部磁極層とにより磁気ギャップが
形成されて、上部コアと下部コアとの間に磁気ギャップ
が介在してなるものである。磁気ギャップを構成する下
部磁極層とギャップ層と上部磁極層の一部が、予め形成
された溝本体部に積層されるので、磁気記録トラックの
幅は溝本体部の幅により決定される。従って、溝本体部
の幅を狭く設定することにより、磁気記録トラックの幅
を例えば１μｍ以下のサブミクロンオーダーにまで狭く
することが可能になる。
ア層と下部磁極層とにより下部コアが形成され、上部コ
ア層と上部磁極層とにより上部コアが形成され、下部磁
極層とギャップ層と上部磁極層とにより磁気ギャップが
形成されて、上部コアと下部コアとの間に磁気ギャップ
が介在してなるものである。磁気ギャップを構成する下
部磁極層とギャップ層と上部磁極層の一部が、予め形成
された溝本体部に積層されるので、磁気記録トラックの
幅は溝本体部の幅により決定される。従って、溝本体部
の幅を狭く設定することにより、磁気記録トラックの幅
を例えば１μｍ以下のサブミクロンオーダーにまで狭く
することが可能になる。
【００１６】本発明において、溝が下部コア層側と上部
コア層側と媒体対向面側とに各々開口し、媒体対向面に
おける開口の寸法と略同一断面寸法で磁極端領域に延在
する溝本体部と、この溝本体部に連続して後部領域に延
在する溝連続部とを有し、ギャップ層の後部領域側に後
部絶縁層が積層され、この後部絶縁層上側にコイル絶縁
層が形成されることにより、磁気ギャップのギャップデ
プスを、上部磁極層の端部および後部絶縁層の位置によ
って設定することができる。このため、媒体対向面から
上部磁極層の端部までの距離がばらつくことを防止でき
るため、ギャップデプスがばらつくことがない。また、
本発明において、溝連続部が、溝本体部と略同一断面寸
法で後部領域に延在する溝延長部を有する技術か、また
は、溝連続部が、溝本体部の後部領域側に接続され後部
領域側に向けて上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡
大部を有する技術を選択することにより、上部磁極層お
よび後部絶縁層の位置設定をより正確に行うことがで
き、磁気ギャップのギャップデプスのばらつきを、より
抑制することができる。
コア層側と媒体対向面側とに各々開口し、媒体対向面に
おける開口の寸法と略同一断面寸法で磁極端領域に延在
する溝本体部と、この溝本体部に連続して後部領域に延
在する溝連続部とを有し、ギャップ層の後部領域側に後
部絶縁層が積層され、この後部絶縁層上側にコイル絶縁
層が形成されることにより、磁気ギャップのギャップデ
プスを、上部磁極層の端部および後部絶縁層の位置によ
って設定することができる。このため、媒体対向面から
上部磁極層の端部までの距離がばらつくことを防止でき
るため、ギャップデプスがばらつくことがない。また、
本発明において、溝連続部が、溝本体部と略同一断面寸
法で後部領域に延在する溝延長部を有する技術か、また
は、溝連続部が、溝本体部の後部領域側に接続され後部
領域側に向けて上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡
大部を有する技術を選択することにより、上部磁極層お
よび後部絶縁層の位置設定をより正確に行うことがで
き、磁気ギャップのギャップデプスのばらつきを、より
抑制することができる。
【００１７】そして、後部絶縁層の上側にコイル絶縁層
を形成することにより、溝の後部領域における下部コア
層と上部コア層との間隔を拡大することができ、磁気ヘ
ッドの性能を向上することができる。
を形成することにより、溝の後部領域における下部コア
層と上部コア層との間隔を拡大することができ、磁気ヘ
ッドの性能を向上することができる。
【００１８】また、溝に傾斜部が形成され、該傾斜部お
よび溝本体部に渡って上部磁極層が積層されて上部コア
層に接合されるので、上部磁極層の上部コア層側にテー
パ部が形成される。また、後部絶縁層のギャップデプス
側には、アペックス面が形成されているため、上部コア
層の上部磁極層側にテーパ部が形成される。これらのテ
ーパ部の存在により、上部コア層と上部磁極層との間で
の磁束の流れが円滑になって、上部コア層と上部磁極層
との接合部分にて漏れる漏れ磁界を低減することが可能
になる。また、下部コア層の上面を研磨加工することに
より、下部コア層の上面が表面粗さ０．００１μｍ〜
０．０１５μｍの範囲の平坦面となるので、溝を精度良
く形成することが可能になって、磁気記録トラック幅を
より狭くすることが可能になる。
よび溝本体部に渡って上部磁極層が積層されて上部コア
層に接合されるので、上部磁極層の上部コア層側にテー
パ部が形成される。また、後部絶縁層のギャップデプス
側には、アペックス面が形成されているため、上部コア
層の上部磁極層側にテーパ部が形成される。これらのテ
ーパ部の存在により、上部コア層と上部磁極層との間で
の磁束の流れが円滑になって、上部コア層と上部磁極層
との接合部分にて漏れる漏れ磁界を低減することが可能
になる。また、下部コア層の上面を研磨加工することに
より、下部コア層の上面が表面粗さ０．００１μｍ〜
０．０１５μｍの範囲の平坦面となるので、溝を精度良
く形成することが可能になって、磁気記録トラック幅を
より狭くすることが可能になる。
【００１９】また、前記溝本体部の平行側壁面間の幅が
１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるの
で、磁気ギャップ幅を１μｍ以下に設定することが可能
になる。
１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるの
で、磁気ギャップ幅を１μｍ以下に設定することが可能
になる。
【００２０】また、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいて
は、前記側壁側傾斜面の傾斜角度が、前記下部コア層に
対して１０〜８０度の範囲であることが好ましい。さら
に、前記後部絶縁層におけるアペックス面の傾斜角度
は、前記下部コア層に対して１０〜８０度の範囲である
ことが好ましい。側壁側傾斜面の傾斜角度が１０度未満
では、上部コア層と下部コア層との間のリアクタンスが
小さくなり、磁気記録トラック端部の漏れ磁束が大きく
なるので好ましくなく、８０度を超えると、上部磁極層
の体積が減少し上部磁極層のリアクタンスが大きくなる
ため、上部コア層から上部磁極層に供給される磁束の損
失が生じ、磁気ギャップに有効な磁束量が減少するので
好ましくない。また、アペックス面の傾斜角度が１０度
未満では、上部コア層と下部コア層との間のリアクタン
スが小さくなり、アペックス面付近で上部コア層から上
部磁極層への漏れ磁界が増大するので好ましくなく、８
０度を超えると、必然的に上部コア層の断面形状を滑ら
かに形成することができず、上部コア層断面形状が部分
的に鋭角的になり、この付近の反磁界が大きくなるた
め、記録効率が落ちるので好ましくない。
は、前記側壁側傾斜面の傾斜角度が、前記下部コア層に
対して１０〜８０度の範囲であることが好ましい。さら
に、前記後部絶縁層におけるアペックス面の傾斜角度
は、前記下部コア層に対して１０〜８０度の範囲である
ことが好ましい。側壁側傾斜面の傾斜角度が１０度未満
では、上部コア層と下部コア層との間のリアクタンスが
小さくなり、磁気記録トラック端部の漏れ磁束が大きく
なるので好ましくなく、８０度を超えると、上部磁極層
の体積が減少し上部磁極層のリアクタンスが大きくなる
ため、上部コア層から上部磁極層に供給される磁束の損
失が生じ、磁気ギャップに有効な磁束量が減少するので
好ましくない。また、アペックス面の傾斜角度が１０度
未満では、上部コア層と下部コア層との間のリアクタン
スが小さくなり、アペックス面付近で上部コア層から上
部磁極層への漏れ磁界が増大するので好ましくなく、８
０度を超えると、必然的に上部コア層の断面形状を滑ら
かに形成することができず、上部コア層断面形状が部分
的に鋭角的になり、この付近の反磁界が大きくなるた
め、記録効率が落ちるので好ましくない。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、前記
絶縁層、前記下部磁極層、前記ギャップ層および前記上
部磁極層が前記媒体対向面に露出していることが好まし
い。このように構成することにより、媒体対向面におけ
る磁気記録トラック幅が絶縁層の溝本体部の幅と一致す
るので磁気記録トラック幅を狭く設定することが可能に
なり、また、磁気ギャップが媒体対向面から露出するの
で、磁気ギャップから生じる漏れ磁界によって磁気記録
媒体に対して効率よく磁気記録することが可能となる。
絶縁層、前記下部磁極層、前記ギャップ層および前記上
部磁極層が前記媒体対向面に露出していることが好まし
い。このように構成することにより、媒体対向面におけ
る磁気記録トラック幅が絶縁層の溝本体部の幅と一致す
るので磁気記録トラック幅を狭く設定することが可能に
なり、また、磁気ギャップが媒体対向面から露出するの
で、磁気ギャップから生じる漏れ磁界によって磁気記録
媒体に対して効率よく磁気記録することが可能となる。
【００２２】また、前記絶縁層は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ
3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなることが
好ましく、単層膜または、それらの多層膜で形成しても
よい。絶縁層が前記記載の材質からなるものであれば、
溝を形成する際に異方性エッチングを行うことが可能に
なって、サイドエッチングが発生することなく、特に溝
の深さ方向に対する溝（溝本体部）の幅の寸法精度を向
上することが可能になる。
ＳｉＯ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳ
ｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ
3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなることが
好ましく、単層膜または、それらの多層膜で形成しても
よい。絶縁層が前記記載の材質からなるものであれば、
溝を形成する際に異方性エッチングを行うことが可能に
なって、サイドエッチングが発生することなく、特に溝
の深さ方向に対する溝（溝本体部）の幅の寸法精度を向
上することが可能になる。
【００２３】また、前記ギャップ層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましい。これらの材料は、いず
れも非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ層を構成するものとして最適であるとと
もに、これら材料は金属材料であって下部コア層を電極
とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可能とな
るので、ギャップ層を溝の溝本体部に確実に形成するこ
とができ、ギャップ層の幅を溝本体部の幅と一致させる
ことが可能になる。
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましい。これらの材料は、いず
れも非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘ
ッドのギャップ層を構成するものとして最適であるとと
もに、これら材料は金属材料であって下部コア層を電極
とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可能とな
るので、ギャップ層を溝の溝本体部に確実に形成するこ
とができ、ギャップ層の幅を溝本体部の幅と一致させる
ことが可能になる。
【００２４】さらに、上部磁極層および下部磁極層は、
ＦｅＮｉ合金、ＦｅがＮｉよりも高濃度のＦｅＮｉ合
金、ＣｏＦｅＮｉ合金のうちのいずれか１種からなるこ
とが好ましく、単層膜、またはそれらの多層膜であって
もよい。これらの材料は、いずれも軟磁気特性に優れた
磁性材料であって薄膜磁気ヘッドのコアを構成するもの
として最適であるとともに、これら材料は金属材料であ
って下部コア層を電極とする電気メッキ法にて溝内に積
層することが可能となる。
ＦｅＮｉ合金、ＦｅがＮｉよりも高濃度のＦｅＮｉ合
金、ＣｏＦｅＮｉ合金のうちのいずれか１種からなるこ
とが好ましく、単層膜、またはそれらの多層膜であって
もよい。これらの材料は、いずれも軟磁気特性に優れた
磁性材料であって薄膜磁気ヘッドのコアを構成するもの
として最適であるとともに、これら材料は金属材料であ
って下部コア層を電極とする電気メッキ法にて溝内に積
層することが可能となる。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法におい
ては、上部コア層および下部コア層が後部領域から磁極
端領域に向けて延在して媒体対向面に露出され、前記後
部領域にて前記上部コア層と前記下部コア層とが磁気的
に接続され、この上部コア層と下部コア層との接続部分
の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端領域にて前記上
部コア層と前記下部コア層との間にギャップ層が設けら
れてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法であり、前記下部コ
ア層の上面を研磨して平坦化し、前記下部コア層に絶縁
層を積層し、前記磁極端領域の前記媒体対向面外側，前
記磁極端領域および前記後部領域に延在する溝を前記絶
縁層に形成するとともに、該溝の底面を前記下部コア層
に到達させ、該溝に、下部磁極層と前記ギャップ層と上
部磁極層とを積層して前記下部コア層と前記下部磁極層
とを接続し、前記上部磁極層に前記媒体対向と略平行な
ギャップデプスを形成し、前記ギャップ層上の前記後部
領域に後部絶縁層を形成し、前記後部領域にコイルを形
成し、前記磁極端領域にて前記上部磁極層と接合すると
ともに前記後部領域にて前記コイルの一部を覆う前記上
部コアを形成することにより上記課題を解決した。本発
明において、前記絶縁層に異方性エッチングを施すこと
により、前記溝を形成することが好ましい。前記溝に、
前記媒体対向面における開口の寸法と略同一断面寸法で
前記磁極端領域に延在する溝本体部と、該溝本体部に連
続して前記後部領域に延在する溝連続部とを形成するこ
とができる。前記溝連続部に、前記溝本体部と略同一断
面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を形成する技
術か、または、前記溝連続部に、前記後部領域側に向け
て前記上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を形
成する技術が選択される。前記溝を形成した後に、前記
絶縁層の上面と前記溝との接続部分にイオンビームを照
射してエッチングすることにより、前記溝の前記上部コ
ア層側に形成された傾斜部を形成することが可能であ
る。前記媒体平行面位置における前記溝の幅を１μｍ以
下に設定することが好ましい。前記下部磁極層および前
記ギャップ層を、前記溝本体部，前記溝連続部に積層
し、前記上部磁極層を、前記溝本体部、前記溝連続部お
よび前記傾斜部に亘って形成してもよい。前記下部磁極
層と前記ギャップ層と前記上部磁極層とを、前記下部コ
ア層を電極とする電気メッキ法にて形成する技術が選択
可能である。前記上部磁極層に上マスク層を積層した後
に、前記上部磁極層にイオンミーリングを施すことによ
り前記ギャップデプスを形成することが好ましい。前記
ギャップ層上の前記後部領域に位置し、かつ、前記媒体
対向面側から前記後部領域側に向かってその厚みを増加
するよう傾斜したアペックス面を備えた前記後部絶縁層
を、前記上部磁極層上に前記上マスク層が付着した状態
でスパッタリングし、その後上マスク層を除去すること
により形成することができる。前記後部絶縁層上側にコ
イル絶縁層を形成するとともに、該コイル絶縁層には、
前記後部絶縁層のアペックス面に向けて傾斜する傾斜面
が形成されることが可能である。
ては、上部コア層および下部コア層が後部領域から磁極
端領域に向けて延在して媒体対向面に露出され、前記後
部領域にて前記上部コア層と前記下部コア層とが磁気的
に接続され、この上部コア層と下部コア層との接続部分
の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端領域にて前記上
部コア層と前記下部コア層との間にギャップ層が設けら
れてなる薄膜磁気ヘッドの製造方法であり、前記下部コ
ア層の上面を研磨して平坦化し、前記下部コア層に絶縁
層を積層し、前記磁極端領域の前記媒体対向面外側，前
記磁極端領域および前記後部領域に延在する溝を前記絶
縁層に形成するとともに、該溝の底面を前記下部コア層
に到達させ、該溝に、下部磁極層と前記ギャップ層と上
部磁極層とを積層して前記下部コア層と前記下部磁極層
とを接続し、前記上部磁極層に前記媒体対向と略平行な
ギャップデプスを形成し、前記ギャップ層上の前記後部
領域に後部絶縁層を形成し、前記後部領域にコイルを形
成し、前記磁極端領域にて前記上部磁極層と接合すると
ともに前記後部領域にて前記コイルの一部を覆う前記上
部コアを形成することにより上記課題を解決した。本発
明において、前記絶縁層に異方性エッチングを施すこと
により、前記溝を形成することが好ましい。前記溝に、
前記媒体対向面における開口の寸法と略同一断面寸法で
前記磁極端領域に延在する溝本体部と、該溝本体部に連
続して前記後部領域に延在する溝連続部とを形成するこ
とができる。前記溝連続部に、前記溝本体部と略同一断
面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を形成する技
術か、または、前記溝連続部に、前記後部領域側に向け
て前記上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を形
成する技術が選択される。前記溝を形成した後に、前記
絶縁層の上面と前記溝との接続部分にイオンビームを照
射してエッチングすることにより、前記溝の前記上部コ
ア層側に形成された傾斜部を形成することが可能であ
る。前記媒体平行面位置における前記溝の幅を１μｍ以
下に設定することが好ましい。前記下部磁極層および前
記ギャップ層を、前記溝本体部，前記溝連続部に積層
し、前記上部磁極層を、前記溝本体部、前記溝連続部お
よび前記傾斜部に亘って形成してもよい。前記下部磁極
層と前記ギャップ層と前記上部磁極層とを、前記下部コ
ア層を電極とする電気メッキ法にて形成する技術が選択
可能である。前記上部磁極層に上マスク層を積層した後
に、前記上部磁極層にイオンミーリングを施すことによ
り前記ギャップデプスを形成することが好ましい。前記
ギャップ層上の前記後部領域に位置し、かつ、前記媒体
対向面側から前記後部領域側に向かってその厚みを増加
するよう傾斜したアペックス面を備えた前記後部絶縁層
を、前記上部磁極層上に前記上マスク層が付着した状態
でスパッタリングし、その後上マスク層を除去すること
により形成することができる。前記後部絶縁層上側にコ
イル絶縁層を形成するとともに、該コイル絶縁層には、
前記後部絶縁層のアペックス面に向けて傾斜する傾斜面
が形成されることが可能である。
【００２６】ここで、下部コア層を研磨して平坦化すれ
ば、後の工程において積層する絶縁層が平坦化されて、
異方性エッチングにて溝を精度良く形成することが可能
になって、磁気記録トラック幅を狭く設定することが可
能になる。また、溝を異方性エッチングにて形成すれ
ば、サイドエッチングが発生することなく、溝の深さ方
向に対する溝幅の寸法精度を向上することが可能にな
る。また、溝を形成するに際しては、絶縁層にマスク層
を積層してこのマスク層にパターンを形成し、このパタ
ーンから露出する絶縁層に対して異方性エッチングを行
うことが好ましい。
ば、後の工程において積層する絶縁層が平坦化されて、
異方性エッチングにて溝を精度良く形成することが可能
になって、磁気記録トラック幅を狭く設定することが可
能になる。また、溝を異方性エッチングにて形成すれ
ば、サイドエッチングが発生することなく、溝の深さ方
向に対する溝幅の寸法精度を向上することが可能にな
る。また、溝を形成するに際しては、絶縁層にマスク層
を積層してこのマスク層にパターンを形成し、このパタ
ーンから露出する絶縁層に対して異方性エッチングを行
うことが好ましい。
【００２７】異方性エッチングは、反応性イオンエッチ
ング法にて行うのが、寸法精度良く溝を形成できる点で
最も好ましい。
ング法にて行うのが、寸法精度良く溝を形成できる点で
最も好ましい。
【００２８】前記マスク層としては、フォトレジスト
層、金属膜層、フォトレジスト層と金属膜層との積層
体、金属酸化物層のいずれか１種であることが好まし
い。前記フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネ
ガ型フォトレジストのほか、遠紫外線、電子線、Ｘ線、
イオン線等により露光可能なフォトレジストであっても
良い。また、前記金属膜層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉのいずれか
１種または２種以上であることが好ましく、単層膜また
は、それらの多層膜で形成してもよい。さらに、前記金
属酸化物層としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＴａＯ、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＣｒＯ、ＷＯ、Ｚｒ
Ｏ、ＮｉＯ、ＡｌＯ、ＩｒＯのいずれか１種または２種
以上であることが好ましく、単層膜または、それらの多
層膜で形成してもよい。
層、金属膜層、フォトレジスト層と金属膜層との積層
体、金属酸化物層のいずれか１種であることが好まし
い。前記フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネ
ガ型フォトレジストのほか、遠紫外線、電子線、Ｘ線、
イオン線等により露光可能なフォトレジストであっても
良い。また、前記金属膜層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、
Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉのいずれか
１種または２種以上であることが好ましく、単層膜また
は、それらの多層膜で形成してもよい。さらに、前記金
属酸化物層としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、ＴａＯ、Ｔａ
2Ｏ5、ＴｉＯ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＣｒＯ、ＷＯ、Ｚｒ
Ｏ、ＮｉＯ、ＡｌＯ、ＩｒＯのいずれか１種または２種
以上であることが好ましく、単層膜または、それらの多
層膜で形成してもよい。
【００２９】さらに、溝を反応性イオンエッチング法に
て形成する際に用いる反応ガスは、ＣＦ4 、ＣＦ4 とＯ
2 との混合ガス、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｆ6とＯ2 との混合ガス、
Ｃ4Ｆ8、Ｃ4Ｆ8とＯ2 との混合ガス、Ｃｌ2 、ＢＣ
ｌ3 、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 との混合ガス、ＣＨＦ3 、のい
ずれか１種、または、Ａｒとの混合ガスを用いることが
好ましい。これらの反応ガスは、絶縁層およびマスク層
の材質に基づいて上記のガスの中から好適なものが選定
される。
て形成する際に用いる反応ガスは、ＣＦ4 、ＣＦ4 とＯ
2 との混合ガス、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｆ6とＯ2 との混合ガス、
Ｃ4Ｆ8、Ｃ4Ｆ8とＯ2 との混合ガス、Ｃｌ2 、ＢＣ
ｌ3 、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 との混合ガス、ＣＨＦ3 、のい
ずれか１種、または、Ａｒとの混合ガスを用いることが
好ましい。これらの反応ガスは、絶縁層およびマスク層
の材質に基づいて上記のガスの中から好適なものが選定
される。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を、
図面に基づいて説明する。図１は本実施形態にかかる複
合型薄膜磁気ヘッドの正面図、図２は同側断面図であ
る。なお、これらの図において、前述の図３６ないし図
３８に示す構成要素と略同一の構成要素には同一の符号
を付してその説明を省略する。図１に示すように、本実
施形態の複合型薄膜磁気ヘッド１は、磁気抵抗効果素子
を備えた読出ヘッド（ＭＲ磁気ヘッドまたはＧＭＲ磁気
ヘッド）２１とインダクティブヘッド（書込ヘッド）４
１とが、スライダ１５１の端面１５１ｄに積層されてな
るものである。
ドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法の第１実施形態を、
図面に基づいて説明する。図１は本実施形態にかかる複
合型薄膜磁気ヘッドの正面図、図２は同側断面図であ
る。なお、これらの図において、前述の図３６ないし図
３８に示す構成要素と略同一の構成要素には同一の符号
を付してその説明を省略する。図１に示すように、本実
施形態の複合型薄膜磁気ヘッド１は、磁気抵抗効果素子
を備えた読出ヘッド（ＭＲ磁気ヘッドまたはＧＭＲ磁気
ヘッド）２１とインダクティブヘッド（書込ヘッド）４
１とが、スライダ１５１の端面１５１ｄに積層されてな
るものである。
【００３１】図１に示すように、読出ヘッド２１は、ス
ライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成された絶縁層２２
と、該絶縁層２２に積層されて磁性合金からな下部シー
ルド層２３と、下部シールド層２３に積層された読出ヘ
ッド２１を挟んだ形で設けられ読出ヘッド２１のシール
ド間隔を決める読出ギャップ層２４と、読出ギャップ層
２４に埋め込まれて一部を媒体対向面に露出させた磁気
抵抗効果素子２５と、読出ギャップ層２４に積層された
上部シールド平坦化ギャップ層２６と、上部シールド平
坦化ギャップ層２６に埋め込まれた上部シールド層２７
とからなるものである。上部シールド層２７は、書込ヘ
ッド４１の下部コア層と兼用とされている。また、上部
シールド層（下部コア層）２７は、ＦｅＮｉ合金，Ｆｅ
ＣｏＮｉ合金等からなる軟磁性合金であることが好まし
く、単層膜またはそれらの多層膜で形成してもよい。下
部シールド層２３、読出ギャップ層２４、上部シールド
平坦化ギャップ層２６、上部シールド層２７、および磁
気抵抗効果素子２５の各端面は、媒体対向面１５２側に
露出している。また、磁気抵抗効果素子２５には、セン
ス電流を与えるための電極層２８，２８が接続されてい
る。
ライダ１５１の端面１５１ｄ上に形成された絶縁層２２
と、該絶縁層２２に積層されて磁性合金からな下部シー
ルド層２３と、下部シールド層２３に積層された読出ヘ
ッド２１を挟んだ形で設けられ読出ヘッド２１のシール
ド間隔を決める読出ギャップ層２４と、読出ギャップ層
２４に埋め込まれて一部を媒体対向面に露出させた磁気
抵抗効果素子２５と、読出ギャップ層２４に積層された
上部シールド平坦化ギャップ層２６と、上部シールド平
坦化ギャップ層２６に埋め込まれた上部シールド層２７
とからなるものである。上部シールド層２７は、書込ヘ
ッド４１の下部コア層と兼用とされている。また、上部
シールド層（下部コア層）２７は、ＦｅＮｉ合金，Ｆｅ
ＣｏＮｉ合金等からなる軟磁性合金であることが好まし
く、単層膜またはそれらの多層膜で形成してもよい。下
部シールド層２３、読出ギャップ層２４、上部シールド
平坦化ギャップ層２６、上部シールド層２７、および磁
気抵抗効果素子２５の各端面は、媒体対向面１５２側に
露出している。また、磁気抵抗効果素子２５には、セン
ス電流を与えるための電極層２８，２８が接続されてい
る。
【００３２】磁気抵抗効果素子２５としては、磁気抵抗
効果を有する軟磁性材料の他、いわゆる巨大磁気抵抗効
果素子（ＧＭＲ素子）を例示することができる。
効果を有する軟磁性材料の他、いわゆる巨大磁気抵抗効
果素子（ＧＭＲ素子）を例示することができる。
【００３３】上述の読出磁気ヘッド２１においては、磁
気記録媒体からの微小の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子２
５に印加されて磁気抵抗効果素子２５の抵抗が変化し、
この抵抗変化に基づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生
信号として読み取る。
気記録媒体からの微小の漏れ磁界が磁気抵抗効果素子２
５に印加されて磁気抵抗効果素子２５の抵抗が変化し、
この抵抗変化に基づいた電圧変化を磁気記録媒体の再生
信号として読み取る。
【００３４】図３は、本実施形態の薄膜磁気ヘッドにお
ける溝４３および磁極端領域の要部を示す斜視図、図４
は同正面図、図５は同側断面図である。本実施形態にお
ける書込ヘッド４１は、図１ないし図５に示すように、
下部コア層（上部シールド層）２７に絶縁層４２が積層
され、絶縁層４２の磁極端領域Ｘに、媒体対向面１５２
から後部領域Ｙに向けて延在する溝４３が設けられ、下
部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後部
絶縁層８０とコイル絶縁層４８とが溝４３に積層される
とともに、下部磁極層４４が下部コア層２７に接続さ
れ、さらに、上部磁極層４６が上部コア層４７に接続さ
れてなるものである。ここで、上部磁極層４６により上
部磁極端が構成され、下部磁極層４４により下部磁極端
が構成されている。
ける溝４３および磁極端領域の要部を示す斜視図、図４
は同正面図、図５は同側断面図である。本実施形態にお
ける書込ヘッド４１は、図１ないし図５に示すように、
下部コア層（上部シールド層）２７に絶縁層４２が積層
され、絶縁層４２の磁極端領域Ｘに、媒体対向面１５２
から後部領域Ｙに向けて延在する溝４３が設けられ、下
部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後部
絶縁層８０とコイル絶縁層４８とが溝４３に積層される
とともに、下部磁極層４４が下部コア層２７に接続さ
れ、さらに、上部磁極層４６が上部コア層４７に接続さ
れてなるものである。ここで、上部磁極層４６により上
部磁極端が構成され、下部磁極層４４により下部磁極端
が構成されている。
【００３５】上部コア層４７および下部コア層２７は、
図２に示すように、後部領域Ｙから磁気端領域Ｘに向け
て延在して、それらの端面が媒体対向面１５２に露出し
ている。また、上部コア層４７および下部コア層２７は
後部領域Ｙにおいて磁気的に接続されている。後部絶縁
層８０は、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ側に位置され
るとともに、絶縁層４２上の後部領域Ｙ側に配置されて
いる。ここで、磁極端領域Ｘとは、図２に示すように、
媒体対向面１５２近傍において上部コア層４７と下部コ
ア層２７とがギャップ層４５を挟んで対向している領域
をいい、後部領域Ｙとは、磁極端領域Ｘ以外の領域をい
う。
図２に示すように、後部領域Ｙから磁気端領域Ｘに向け
て延在して、それらの端面が媒体対向面１５２に露出し
ている。また、上部コア層４７および下部コア層２７は
後部領域Ｙにおいて磁気的に接続されている。後部絶縁
層８０は、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ側に位置され
るとともに、絶縁層４２上の後部領域Ｙ側に配置されて
いる。ここで、磁極端領域Ｘとは、図２に示すように、
媒体対向面１５２近傍において上部コア層４７と下部コ
ア層２７とがギャップ層４５を挟んで対向している領域
をいい、後部領域Ｙとは、磁極端領域Ｘ以外の領域をい
う。
【００３６】溝４３は、図３ないし図５に示すように、
媒体対向面１５２における開口の寸法と略同一断面寸法
で磁極端領域Ｘに延在し下部コア層２７に隣接する溝本
体部５１と、この溝本体部５１に連続して後部領域Ｙに
延在して下部コア層２７に隣接する溝連続部９０とから
なるものである。これら溝本体部５１および溝連続部９
０には、その上部コア層４７側に傾斜部６１が設けられ
る。溝連続部９０は、前記溝本体部５１と略同一断面寸
法で、前記後部領域Ｙに延在する溝延長部９１を有す
る。溝本体部５１および溝延長部９１には、下部コア層
２７上に立設されて媒体対向面１５２に到達する略平行
状態の２つの平行側壁面５２，５２が設けられてなり、
これら２つの平行側壁面５２，５２は、後部領域Ｙの溝
延長部９１の最奥部にて、前記媒体対向面１５２に略平
行であるが平行側壁面５２，５２との接続コーナー部が
円曲面となった端面５３により連結されてなる。
媒体対向面１５２における開口の寸法と略同一断面寸法
で磁極端領域Ｘに延在し下部コア層２７に隣接する溝本
体部５１と、この溝本体部５１に連続して後部領域Ｙに
延在して下部コア層２７に隣接する溝連続部９０とから
なるものである。これら溝本体部５１および溝連続部９
０には、その上部コア層４７側に傾斜部６１が設けられ
る。溝連続部９０は、前記溝本体部５１と略同一断面寸
法で、前記後部領域Ｙに延在する溝延長部９１を有す
る。溝本体部５１および溝延長部９１には、下部コア層
２７上に立設されて媒体対向面１５２に到達する略平行
状態の２つの平行側壁面５２，５２が設けられてなり、
これら２つの平行側壁面５２，５２は、後部領域Ｙの溝
延長部９１の最奥部にて、前記媒体対向面１５２に略平
行であるが平行側壁面５２，５２との接続コーナー部が
円曲面となった端面５３により連結されてなる。
【００３７】また、傾斜部６１は、平行側壁面５２に接
続されて溝本体部５１および溝延長部９１の幅方向の外
側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面６２，６２と、
端面５３に接続されて後部領域Ｙ側に傾斜する端傾斜面
６３とに少なくとも区画されてなる。下部磁極層４４お
よびギャップ層４５は、溝本体部５１および溝延長部９
１に位置して積層されて、下部磁極層４４が下部コア層
２７に接続されている。また、上部磁極層４６は、溝本
体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜部６１に亘って積層
されて上部コア層４７と接続されており、この上部磁極
層４６の後部領域Ｙ側の端部によりギャップデプスが規
定されている。
続されて溝本体部５１および溝延長部９１の幅方向の外
側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面６２，６２と、
端面５３に接続されて後部領域Ｙ側に傾斜する端傾斜面
６３とに少なくとも区画されてなる。下部磁極層４４お
よびギャップ層４５は、溝本体部５１および溝延長部９
１に位置して積層されて、下部磁極層４４が下部コア層
２７に接続されている。また、上部磁極層４６は、溝本
体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜部６１に亘って積層
されて上部コア層４７と接続されており、この上部磁極
層４６の後部領域Ｙ側の端部によりギャップデプスが規
定されている。
【００３８】後部絶縁層８０およびコイル絶縁層４８
は、図５に示すように、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ
側の溝延長部９１に位置して積層されており、後部絶縁
層８０は、媒体対向面１５２から後部領域Ｙ側に向かっ
てその厚みを増加するよう傾斜したアペックス面８０ａ
を備えてなり、コイル絶縁層４８は、前記アペックス面
８０ａに向けて傾斜する傾斜面４８ａを備えてなる。ま
た、絶縁層４２、下部磁極層４４、ギャップ層４５およ
び上部磁極層４６は、媒体対向面１５２に露出してい
る。このように構成することにより、媒体対向面１５２
における磁気記録トラック幅が溝４３の幅と一致するの
で、溝４３の溝幅の形成精度を向上させるならば、磁気
記録トラック幅を狭くすることが可能になり、また、磁
気記録トラックが媒体対向面１５２に露出するので、磁
気記録トラックから生じる漏れ磁界によって磁気記録媒
体に対して効率よく磁気記録することが可能となる。
は、図５に示すように、ギャップ層４５上の後部領域Ｙ
側の溝延長部９１に位置して積層されており、後部絶縁
層８０は、媒体対向面１５２から後部領域Ｙ側に向かっ
てその厚みを増加するよう傾斜したアペックス面８０ａ
を備えてなり、コイル絶縁層４８は、前記アペックス面
８０ａに向けて傾斜する傾斜面４８ａを備えてなる。ま
た、絶縁層４２、下部磁極層４４、ギャップ層４５およ
び上部磁極層４６は、媒体対向面１５２に露出してい
る。このように構成することにより、媒体対向面１５２
における磁気記録トラック幅が溝４３の幅と一致するの
で、溝４３の溝幅の形成精度を向上させるならば、磁気
記録トラック幅を狭くすることが可能になり、また、磁
気記録トラックが媒体対向面１５２に露出するので、磁
気記録トラックから生じる漏れ磁界によって磁気記録媒
体に対して効率よく磁気記録することが可能となる。
【００３９】本発明の薄膜磁気ヘッド４１は、下部コア
層２７と下部磁極層４４とにより下部コアが形成され、
上部コア層４７と上部磁極層４６とにより上部コアが形
成され、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層
４６とにより磁気ギャップが形成されて、上部コアと下
部コアとの間に磁気ギャップが介在してなるものであ
る。磁気ギャップを構成する下部磁極層４４の一部とギ
ャップ層４５と上部磁極層４６とが、予め形成された溝
本体部５１に積層されるので、磁気記録トラックの幅は
溝本体部５１の幅により決定される。従って、溝本体部
５１の幅を狭くすることにより、磁気記録トラックの幅
を狭くすることが可能になる。ここで、溝本体部５１の
幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされ
るならば、磁気記録トラック幅を１μｍ以下とすること
が可能になる。
層２７と下部磁極層４４とにより下部コアが形成され、
上部コア層４７と上部磁極層４６とにより上部コアが形
成され、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層
４６とにより磁気ギャップが形成されて、上部コアと下
部コアとの間に磁気ギャップが介在してなるものであ
る。磁気ギャップを構成する下部磁極層４４の一部とギ
ャップ層４５と上部磁極層４６とが、予め形成された溝
本体部５１に積層されるので、磁気記録トラックの幅は
溝本体部５１の幅により決定される。従って、溝本体部
５１の幅を狭くすることにより、磁気記録トラックの幅
を狭くすることが可能になる。ここで、溝本体部５１の
幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下とされ
るならば、磁気記録トラック幅を１μｍ以下とすること
が可能になる。
【００４０】また、本発明の薄膜磁気ヘッド４１におい
ては、磁気ギャップのギャップデプスが媒体対向面１５
２から後部絶縁層８０の先端部までの距離にて規定され
ているので、ギャップデプスの設定がばらつくことがな
い。
ては、磁気ギャップのギャップデプスが媒体対向面１５
２から後部絶縁層８０の先端部までの距離にて規定され
ているので、ギャップデプスの設定がばらつくことがな
い。
【００４１】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、図３，図４に示すように、上部磁極層４６が溝本体
部５１と傾斜部６１とに渡って積層されて上部コア層４
７に接続されるので、上部磁極層４６の上部コア層４７
側にテーパ部４６ａが形成される。このテーパ部４６ａ
の存在により、上部コア層４７と上部磁極層４６との間
での磁束の流れがテーパ部４６ａに沿って円滑になり、
上部コア層４７と上部磁極層４６との接合部分におい
て、周囲の余分な領域に磁束が漏れることがない。同様
に、上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、図５に示す
ように、後部絶縁層８０およびコイル絶縁層４８にアペ
ックス面８０ａおよび傾斜面４８ａが形成されているの
で、このアペックス面８０ａ，傾斜面４８ａの存在によ
り、上部コア層４７と上部磁極層４６との境界部分での
磁束の流れが円滑になって、上部コア層４７と上部磁極
層４６との接合部分にて、周囲の余分な領域に磁束が漏
れることがない。
は、図３，図４に示すように、上部磁極層４６が溝本体
部５１と傾斜部６１とに渡って積層されて上部コア層４
７に接続されるので、上部磁極層４６の上部コア層４７
側にテーパ部４６ａが形成される。このテーパ部４６ａ
の存在により、上部コア層４７と上部磁極層４６との間
での磁束の流れがテーパ部４６ａに沿って円滑になり、
上部コア層４７と上部磁極層４６との接合部分におい
て、周囲の余分な領域に磁束が漏れることがない。同様
に、上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、図５に示す
ように、後部絶縁層８０およびコイル絶縁層４８にアペ
ックス面８０ａおよび傾斜面４８ａが形成されているの
で、このアペックス面８０ａ，傾斜面４８ａの存在によ
り、上部コア層４７と上部磁極層４６との境界部分での
磁束の流れが円滑になって、上部コア層４７と上部磁極
層４６との接合部分にて、周囲の余分な領域に磁束が漏
れることがない。
【００４２】ここで、側壁傾斜面６２の傾斜角度αは、
図４に示すように、前記下部コア層２７の上面に対して
１０〜８０度の範囲であることが好ましい。さらに、後
部絶縁層８０のアペックス面８０ａの傾斜角度βが、下
部コア層２７に対して１０〜８０度の範囲であるととも
に、コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａの傾斜角度が、ア
ペックス面８０ａの傾斜角度βに追従して、下部コア層
２７に対して１０〜８０度の範囲であることが好まし
い。側壁側傾斜面６２の傾斜角度αが１０度未満では、
上部コア層４７と下部コア層２７との間のリアクタンス
が小さくなり、磁気記録トラック端部の漏れ磁束が大き
くなるので好ましくなく、８０度を超えると、上部磁極
層４６の体積が減少し上部磁極層４６のリアクタンスが
大きくなるため、上部コア層４７から上部磁極層４６に
供給される磁束の損失が生じ、磁気ギャップに有効な磁
束量が減少するので好ましくない。また、アペックス面
８０ａの傾斜角度βおよび傾斜面４８ａの傾斜角度が１
０度未満では、上部コア層４７と下部コア層２７との間
のリアクタンスが小さくなり、アペックス面８０ａ付近
で上部コア層４７から上部磁極層４６への漏れ磁界が増
大するので好ましくなく、８０度を超えると、必然的に
上部コア層４７の断面形状を滑らかに形成することがで
きず、上部コア層４７断面形状が部分的に鋭角的にな
り、この付近の反磁界が大きくなるため、記録効率が落
ちるので好ましくない。
図４に示すように、前記下部コア層２７の上面に対して
１０〜８０度の範囲であることが好ましい。さらに、後
部絶縁層８０のアペックス面８０ａの傾斜角度βが、下
部コア層２７に対して１０〜８０度の範囲であるととも
に、コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａの傾斜角度が、ア
ペックス面８０ａの傾斜角度βに追従して、下部コア層
２７に対して１０〜８０度の範囲であることが好まし
い。側壁側傾斜面６２の傾斜角度αが１０度未満では、
上部コア層４７と下部コア層２７との間のリアクタンス
が小さくなり、磁気記録トラック端部の漏れ磁束が大き
くなるので好ましくなく、８０度を超えると、上部磁極
層４６の体積が減少し上部磁極層４６のリアクタンスが
大きくなるため、上部コア層４７から上部磁極層４６に
供給される磁束の損失が生じ、磁気ギャップに有効な磁
束量が減少するので好ましくない。また、アペックス面
８０ａの傾斜角度βおよび傾斜面４８ａの傾斜角度が１
０度未満では、上部コア層４７と下部コア層２７との間
のリアクタンスが小さくなり、アペックス面８０ａ付近
で上部コア層４７から上部磁極層４６への漏れ磁界が増
大するので好ましくなく、８０度を超えると、必然的に
上部コア層４７の断面形状を滑らかに形成することがで
きず、上部コア層４７断面形状が部分的に鋭角的にな
り、この付近の反磁界が大きくなるため、記録効率が落
ちるので好ましくない。
【００４３】さらに、コイル絶縁層４８上には、図２に
示すように、コイル４９が形成され、さらに、コイル絶
縁層４８とコイル４９を覆う上部絶縁層５０が積層され
ている。コイル４９は、コイル絶縁層４８にて平面的に
螺旋状となるようにパターン化されている。上部コア層
４７は、上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス
面８０ａ，コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａ，および上
部絶縁層５０を覆っており、上部絶縁層５０を介してコ
イル４９を覆うようにして形成されている。後部絶縁層
８０とコイル４９との間にコイル絶縁層４８が設けられ
ているので、上部コア層４７，コイル４９に対して、下
部磁極層４４，下部コア層２７の絶縁を向上するととも
に、アペックス面８０ａにおける後部絶縁層８０アペッ
クス角度をさらに補正することも可能である。これは、
絶縁層４８の厚みにより傾斜面４８ａのアペックスをコ
ントロールでき、より最適な上部コア層４７の形状を制
御する役割を果たす。後部絶縁層８０のアペックス面８
０ａのアペックス角度βも後部絶縁層８０の膜厚によっ
て制御できるが、後部絶縁層８０の膜厚が増大するほ
ど、スパッタ、イオンミーリング等による成膜時間が増
大し、さらに、膜厚が増大するほど、リフトオフ法によ
るギャップデプスのパターニングが困難になるため、な
るべく薄くすることが望ましい。そのため、アペックス
角度の補正としてコイル絶縁層４８に傾斜面４８ａを設
ける。
示すように、コイル４９が形成され、さらに、コイル絶
縁層４８とコイル４９を覆う上部絶縁層５０が積層され
ている。コイル４９は、コイル絶縁層４８にて平面的に
螺旋状となるようにパターン化されている。上部コア層
４７は、上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス
面８０ａ，コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａ，および上
部絶縁層５０を覆っており、上部絶縁層５０を介してコ
イル４９を覆うようにして形成されている。後部絶縁層
８０とコイル４９との間にコイル絶縁層４８が設けられ
ているので、上部コア層４７，コイル４９に対して、下
部磁極層４４，下部コア層２７の絶縁を向上するととも
に、アペックス面８０ａにおける後部絶縁層８０アペッ
クス角度をさらに補正することも可能である。これは、
絶縁層４８の厚みにより傾斜面４８ａのアペックスをコ
ントロールでき、より最適な上部コア層４７の形状を制
御する役割を果たす。後部絶縁層８０のアペックス面８
０ａのアペックス角度βも後部絶縁層８０の膜厚によっ
て制御できるが、後部絶縁層８０の膜厚が増大するほ
ど、スパッタ、イオンミーリング等による成膜時間が増
大し、さらに、膜厚が増大するほど、リフトオフ法によ
るギャップデプスのパターニングが困難になるため、な
るべく薄くすることが望ましい。そのため、アペックス
角度の補正としてコイル絶縁層４８に傾斜面４８ａを設
ける。
【００４４】絶縁層４２は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3 、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなること
が好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形成して
もよい。絶縁層４２が前記記載の材質からなるものであ
れば、溝４３を形成する際、後述するように異方性エッ
チングを行うことが可能になってサイドエッチングが発
生することなく、特に溝４３の深さ方向に対して溝幅の
寸法精度を向上することが可能になる。
Ｏ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3 、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなること
が好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形成して
もよい。絶縁層４２が前記記載の材質からなるものであ
れば、溝４３を形成する際、後述するように異方性エッ
チングを行うことが可能になってサイドエッチングが発
生することなく、特に溝４３の深さ方向に対して溝幅の
寸法精度を向上することが可能になる。
【００４５】また、ギャップ層４５は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましく、単層膜またはそれらの
多層膜から形成してもよい。これらの材料は、いずれも
非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘッド
のギャップ層を構成するものとして最適であるととも
に、これらの材料はいずれも金属材料であって下部コア
層２７を電極とする電気メッキ法によって溝４３内に積
層することが可能となるので、上部磁極層４６が積層さ
れる部分のギャップ層４５を溝４３の溝本体部５１部分
に確実に形成することができ、ギャップ層４５の幅を溝
本体部５１の幅と一致させることが可能になる。
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２
種以上からなることが好ましく、単層膜またはそれらの
多層膜から形成してもよい。これらの材料は、いずれも
非磁性材料であって磁化することがなく薄膜磁気ヘッド
のギャップ層を構成するものとして最適であるととも
に、これらの材料はいずれも金属材料であって下部コア
層２７を電極とする電気メッキ法によって溝４３内に積
層することが可能となるので、上部磁極層４６が積層さ
れる部分のギャップ層４５を溝４３の溝本体部５１部分
に確実に形成することができ、ギャップ層４５の幅を溝
本体部５１の幅と一致させることが可能になる。
【００４６】さらに、下部磁極層４４および上部磁極層
４６は、ＦｅＮｉ合金，ＦｅがＮｉより高濃度のＦｅＮ
ｉ合金，ＣｏＦｅＮｉ合金のうちのいずれか１種からな
ることが好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形
成してもよい。これらの材料は、いずれも軟磁気特性に
優れた磁性材料であって薄膜磁気ヘッドのコアを構成す
るものとして最適であるとともに、これらの材料はいず
れも金属材料であって下部コア層２７を電極とする電気
メッキ法にて溝４３内に積層することが可能となる。
４６は、ＦｅＮｉ合金，ＦｅがＮｉより高濃度のＦｅＮ
ｉ合金，ＣｏＦｅＮｉ合金のうちのいずれか１種からな
ることが好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形
成してもよい。これらの材料は、いずれも軟磁気特性に
優れた磁性材料であって薄膜磁気ヘッドのコアを構成す
るものとして最適であるとともに、これらの材料はいず
れも金属材料であって下部コア層２７を電極とする電気
メッキ法にて溝４３内に積層することが可能となる。
【００４７】上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、コ
イル４９に記録電流が与えられ、この記録電流により上
部コア層４７および下部コア層２７に磁界が発生し、さ
らに、この磁界が上部磁極層４６および下部磁極層４４
に印加され、磁界がギャップ層４５から外部に漏れて漏
れ磁界を生じ、この漏れ磁界により磁気記録媒体が磁化
されて記録信号が記録される。
イル４９に記録電流が与えられ、この記録電流により上
部コア層４７および下部コア層２７に磁界が発生し、さ
らに、この磁界が上部磁極層４６および下部磁極層４４
に印加され、磁界がギャップ層４５から外部に漏れて漏
れ磁界を生じ、この漏れ磁界により磁気記録媒体が磁化
されて記録信号が記録される。
【００４８】次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造
方法を説明する。本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、後に図６ないし図２７に基づいて詳細に説明する
が、要約すると、下部コア層２７の上面を研磨して平坦
化し、前記下部コア層２７に絶縁層４２を積層し、前記
磁極端領域Ｘの前記媒体対向面１５２の外側，前記磁極
端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙに延在する溝４３を前記
絶縁層４２に形成するとともに、この溝４３に、下部磁
極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６とを積層し
て前記下部コア層２７と前記下部磁極層４４とを接続
し、次に、後部絶縁層８０とコイル絶縁層４８とを積層
して、上部磁極層４７と接合する上部コア層４７を形成
する。
方法を説明する。本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、後に図６ないし図２７に基づいて詳細に説明する
が、要約すると、下部コア層２７の上面を研磨して平坦
化し、前記下部コア層２７に絶縁層４２を積層し、前記
磁極端領域Ｘの前記媒体対向面１５２の外側，前記磁極
端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙに延在する溝４３を前記
絶縁層４２に形成するとともに、この溝４３に、下部磁
極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６とを積層し
て前記下部コア層２７と前記下部磁極層４４とを接続
し、次に、後部絶縁層８０とコイル絶縁層４８とを積層
して、上部磁極層４７と接合する上部コア層４７を形成
する。
【００４９】さらに詳細に説明すると、まず、図６に示
すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に、基板絶
縁層２２、下部シールド層２３、磁気抵抗効果素子２
５、電極２８、２８、読出ギャップ層２４を順次形成
し、さらに読出ギャップ層２４上に下部コア層（上部シ
ールド層）２７を形成する。
すように、スライダ１５１の端面１５１ｄ上に、基板絶
縁層２２、下部シールド層２３、磁気抵抗効果素子２
５、電極２８、２８、読出ギャップ層２４を順次形成
し、さらに読出ギャップ層２４上に下部コア層（上部シ
ールド層）２７を形成する。
【００５０】次に、図７に示すように、読出ギャップ層
２４及び下部コア層２７を覆う上部シールド平坦化ギャ
ップ層２６を形成する。
２４及び下部コア層２７を覆う上部シールド平坦化ギャ
ップ層２６を形成する。
【００５１】次に、図８に示すように、上部シールド平
坦化ギャップ層２６の上面を研磨して下部コア層２７の
上面２７ａを露出させ、さらにこの上面２７ａを研磨し
て平坦化する。ここでの研磨は、いわゆるＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）法等の手段により行うこ
とができる。上面２７ａの平坦度は、表面粗さとして
０．００１μｍ〜０．０１５μｍの範囲とするのが好ま
しい。この時点でＭＲ磁気ヘッド２１が完成する。
坦化ギャップ層２６の上面を研磨して下部コア層２７の
上面２７ａを露出させ、さらにこの上面２７ａを研磨し
て平坦化する。ここでの研磨は、いわゆるＣＭＰ（Chem
ical Mechanical Polishing）法等の手段により行うこ
とができる。上面２７ａの平坦度は、表面粗さとして
０．００１μｍ〜０．０１５μｍの範囲とするのが好ま
しい。この時点でＭＲ磁気ヘッド２１が完成する。
【００５２】ここで、下部コア層２７の上面２７ａを研
磨して平坦化するのは、後の工程において積層する絶縁
層が平坦化され、後述のように異方性エッチングにて溝
を精度良く形成することが可能になって、磁気記録トラ
ック幅を狭くすることが可能になるからである。
磨して平坦化するのは、後の工程において積層する絶縁
層が平坦化され、後述のように異方性エッチングにて溝
を精度良く形成することが可能になって、磁気記録トラ
ック幅を狭くすることが可能になるからである。
【００５３】次に、図９に示すように、上部シールド平
坦化ギャップ層２６の一部および下部コア層２７を覆う
絶縁層４２を積層する。絶縁層４２は、ＡｌＯ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ3 、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からな
り、単層膜またはそれらの多層膜からなるものであり、
スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の手段により積
層する。ここで、絶縁層４２の厚さは、０．５μｍ〜２
μｍの範囲とすることが好ましい。
坦化ギャップ層２６の一部および下部コア層２７を覆う
絶縁層４２を積層する。絶縁層４２は、ＡｌＯ、Ａｌ2
Ｏ3、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、
ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、Ｗ
Ｏ、ＷＯ3 、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からな
り、単層膜またはそれらの多層膜からなるものであり、
スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法等の手段により積
層する。ここで、絶縁層４２の厚さは、０．５μｍ〜２
μｍの範囲とすることが好ましい。
【００５４】次に、図１０に示すように、絶縁層４２に
マスク層７１を形成し、このマスク層７１にフォトリソ
グラフィ技術によりパターン７１ａを形成し、パターン
７１ａから露出した絶縁層４２に対して異方性エッチン
グを行うことにより、溝４３を形成する。異方性エッチ
ングの手段としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩ
Ｅ法）を好適に用いることができる。
マスク層７１を形成し、このマスク層７１にフォトリソ
グラフィ技術によりパターン７１ａを形成し、パターン
７１ａから露出した絶縁層４２に対して異方性エッチン
グを行うことにより、溝４３を形成する。異方性エッチ
ングの手段としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩ
Ｅ法）を好適に用いることができる。
【００５５】ここで、マスク層７１は、好ましくは、厚
さが０．５μｍ〜２μｍの範囲とされ、フォトレジスト
層、金属膜層、フォトレジスト層と金属膜層との積層
体、金属酸化物層のいずれか１種であることが好まし
い。フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネガ型
フォトレジストの他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン
線等により露光可能なフォトレジストであっても良い。
また、金属膜層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉのいずれか１種であるこ
とが好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形成し
てもよい。更に、金属酸化物層としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＴａＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、
ＣｒＯ、ＷＯ、ＺｒＯ、ＮｉＯ、ＡｌＯ、ＩｒＯのいず
れか１種または２種以上であることが好ましく、単層膜
またはそれらの多層膜から形成してもよい。さらに、溝
４３をＲＩＥ法にて形成する際に用いる反応ガスは、Ｃ
Ｆ4 、ＣＦ 4 とＯ2 との混合ガス、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｆ6とＯ
2 との混合ガス、Ｃ4Ｆ8、Ｃ4Ｆ8とＯ2 との混合ガス、
Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 との混合ガス、Ｃ
ＨＦ 3 、のいずれか１種、または、Ａｒとの混合ガスを
用いることができる。これらの反応ガスは、絶縁層４２
およびマスク層７１の材質に基づいて上記のガスの中か
ら好適なものが選定される。
さが０．５μｍ〜２μｍの範囲とされ、フォトレジスト
層、金属膜層、フォトレジスト層と金属膜層との積層
体、金属酸化物層のいずれか１種であることが好まし
い。フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネガ型
フォトレジストの他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン
線等により露光可能なフォトレジストであっても良い。
また、金属膜層としては、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、
Ｐｔ、Ａｕ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｓｉのいずれか１種であるこ
とが好ましく、単層膜またはそれらの多層膜から形成し
てもよい。更に、金属酸化物層としては、ＳｉＯ、Ｓｉ
Ｏ2 、ＴａＯ、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、
ＣｒＯ、ＷＯ、ＺｒＯ、ＮｉＯ、ＡｌＯ、ＩｒＯのいず
れか１種または２種以上であることが好ましく、単層膜
またはそれらの多層膜から形成してもよい。さらに、溝
４３をＲＩＥ法にて形成する際に用いる反応ガスは、Ｃ
Ｆ4 、ＣＦ 4 とＯ2 との混合ガス、Ｃ2Ｆ6、Ｃ2Ｆ6とＯ
2 との混合ガス、Ｃ4Ｆ8、Ｃ4Ｆ8とＯ2 との混合ガス、
Ｃｌ2 、ＢＣｌ3 、Ｃｌ2 とＢＣｌ3 との混合ガス、Ｃ
ＨＦ 3 、のいずれか１種、または、Ａｒとの混合ガスを
用いることができる。これらの反応ガスは、絶縁層４２
およびマスク層７１の材質に基づいて上記のガスの中か
ら好適なものが選定される。
【００５６】形成された溝４３は、図１１にＺで示す磁
極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対向面１５２
から後部領域Ｙに向けて（図１２中矢印ｙ方向）前記磁
極端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙの一部に延在するとと
もに、溝４３の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露
出するように形成される。この溝本体部５１の幅は、１
μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とされる。
極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対向面１５２
から後部領域Ｙに向けて（図１２中矢印ｙ方向）前記磁
極端領域Ｘおよび前記後部領域Ｙの一部に延在するとと
もに、溝４３の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露
出するように形成される。この溝本体部５１の幅は、１
μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下とされる。
【００５７】次に、図１３に示すように、マスク層７１
を剥離し、新たに保護層７２を形成する。この保護層７
２は、溝４３の周囲を除いて絶縁層４２を覆うように形
成する。次に、図１４および図１５に示すように、物理
的イオンビームエッチング法（Ａｒなどの希ガスによる
イオンミリング法）により、絶縁層４２の上面と溝４３
の接続部分をエッチングすることにより、溝４３に側壁
傾斜面６２，６２および端傾斜面６３を形成する。エッ
チングする際のイオンビームの照射角度θは、図中鉛直
方向に対して３０°≦θ≦７０°の範囲とされ、またス
ライダ１５１を回転させながらエッチングを行うことが
好ましい。側壁傾斜面６２，６２および端傾斜面６３
は、溝４３の周辺を除き形成された保護層７２およびイ
オンビームとの相互作用であるシャドウ効果により下部
コア層２７の上面２７ａに対し所定の角度に傾斜して形
成される。
を剥離し、新たに保護層７２を形成する。この保護層７
２は、溝４３の周囲を除いて絶縁層４２を覆うように形
成する。次に、図１４および図１５に示すように、物理
的イオンビームエッチング法（Ａｒなどの希ガスによる
イオンミリング法）により、絶縁層４２の上面と溝４３
の接続部分をエッチングすることにより、溝４３に側壁
傾斜面６２，６２および端傾斜面６３を形成する。エッ
チングする際のイオンビームの照射角度θは、図中鉛直
方向に対して３０°≦θ≦７０°の範囲とされ、またス
ライダ１５１を回転させながらエッチングを行うことが
好ましい。側壁傾斜面６２，６２および端傾斜面６３
は、溝４３の周辺を除き形成された保護層７２およびイ
オンビームとの相互作用であるシャドウ効果により下部
コア層２７の上面２７ａに対し所定の角度に傾斜して形
成される。
【００５８】このようにして側壁側傾斜面６２、６２及
び端傾斜面６３が形成されることにより、図１５、図１
６及び図１７に示すように、溝４３には、下部コア層２
７に隣接する溝本体部５１と、絶縁層４２の上面（上部
コア層４７側）に隣接する傾斜部６１が形成される。
び端傾斜面６３が形成されることにより、図１５、図１
６及び図１７に示すように、溝４３には、下部コア層２
７に隣接する溝本体部５１と、絶縁層４２の上面（上部
コア層４７側）に隣接する傾斜部６１が形成される。
【００５９】次に、図１８，図１９，および図２０に示
すように、溝４３に下部磁極層４４、ギャップ層４５を
形成し、更に上部磁極層４６を形成する。これら各層４
４、４５、４６の形成は、電気メッキ法により行うのが
好ましく、特に、軟磁性合金からなる下部コア層２７を
電極とし、各層４４、４５、４６の材料を順次積層して
いくことが好ましい。下部コア層２７は、その大部分が
絶縁層４２により覆われているが、溝４３の底面におい
て、図１７に示すように、下部コア層２７の上面２７ａ
が露出しているので、この露出した下部コア層２７に、
下部磁極層４４、ギャップ層４５および上部磁極層４６
が堆積し、これらが溝４３内にのみ形成される。
すように、溝４３に下部磁極層４４、ギャップ層４５を
形成し、更に上部磁極層４６を形成する。これら各層４
４、４５、４６の形成は、電気メッキ法により行うのが
好ましく、特に、軟磁性合金からなる下部コア層２７を
電極とし、各層４４、４５、４６の材料を順次積層して
いくことが好ましい。下部コア層２７は、その大部分が
絶縁層４２により覆われているが、溝４３の底面におい
て、図１７に示すように、下部コア層２７の上面２７ａ
が露出しているので、この露出した下部コア層２７に、
下部磁極層４４、ギャップ層４５および上部磁極層４６
が堆積し、これらが溝４３内にのみ形成される。
【００６０】具体的には、図１８に示すように、まず下
部磁極層４４およびギャップ層４５を電気メッキ法によ
り下部コア層２７の上面２７ａに順次積層する。このと
き、下部磁極層４４およびギャップ層４５は、溝４３の
溝本体部５１および溝延長部９１内に位置し、傾斜部６
１に達しないようにその厚さを調整して形成される。下
部磁極層４４の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下
とされ、好ましくは０．２μｍとされる。また、ギャッ
プ層４５の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下とさ
れ、好ましくは０．２μｍとされる。次に、図１９，図
２０に示すように、上部磁極層４６を電気メッキ法によ
りギャップ層４５上に積層する。このとき、上部磁極層
４６は、溝４３の溝本体部５１から傾斜部６１に渡って
位置するようにその厚さを調整して形成される。上部磁
極層４６の厚さは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下とさ
れ、好ましくは１．０μｍとされる。
部磁極層４４およびギャップ層４５を電気メッキ法によ
り下部コア層２７の上面２７ａに順次積層する。このと
き、下部磁極層４４およびギャップ層４５は、溝４３の
溝本体部５１および溝延長部９１内に位置し、傾斜部６
１に達しないようにその厚さを調整して形成される。下
部磁極層４４の厚さは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下
とされ、好ましくは０．２μｍとされる。また、ギャッ
プ層４５の厚さは、０．１μｍ以上０．３μｍ以下とさ
れ、好ましくは０．２μｍとされる。次に、図１９，図
２０に示すように、上部磁極層４６を電気メッキ法によ
りギャップ層４５上に積層する。このとき、上部磁極層
４６は、溝４３の溝本体部５１から傾斜部６１に渡って
位置するようにその厚さを調整して形成される。上部磁
極層４６の厚さは、０．２μｍ以上１．５μｍ以下とさ
れ、好ましくは１．０μｍとされる。
【００６１】また、図１９，および図２０においては、
上部磁極層４６が溝４３から溢れないようにして形成さ
れているが、上部磁極層４６の一部が傾斜部６１に位置
していればよく、上部磁極層４６の上面を絶縁層４２の
上面とほぼ面一としても良い溝４３から溢れさせること
も可能である。また、下部磁極層４４、ギャップ層４５
および上部磁極層４６を電気メッキ法で形成するに際し
ては、これら各層４４、４５、４６が金属材料からなる
ことが必要とされる。これらの層の内のいずれか１つが
絶縁材料であると、絶縁層が積層されることになり、電
気メッキを継続することが困難になるからである。ま
た、下部磁極層４４および上部磁極層４６は軟磁性材料
であることが必要とされ、ギャップ層４５は非磁性材料
からなることが必要とされる。
上部磁極層４６が溝４３から溢れないようにして形成さ
れているが、上部磁極層４６の一部が傾斜部６１に位置
していればよく、上部磁極層４６の上面を絶縁層４２の
上面とほぼ面一としても良い溝４３から溢れさせること
も可能である。また、下部磁極層４４、ギャップ層４５
および上部磁極層４６を電気メッキ法で形成するに際し
ては、これら各層４４、４５、４６が金属材料からなる
ことが必要とされる。これらの層の内のいずれか１つが
絶縁材料であると、絶縁層が積層されることになり、電
気メッキを継続することが困難になるからである。ま
た、下部磁極層４４および上部磁極層４６は軟磁性材料
であることが必要とされ、ギャップ層４５は非磁性材料
からなることが必要とされる。
【００６２】従って、下部磁極層４４および上部磁極層
４６の好ましい材質としては、ＦｅＮｉ合金、ＦｅがＮ
ｉよりも高濃度であるＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金
の１種の単層膜またはそれらの多層膜等が例示され、ギ
ャップ層４５の好ましい材質としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金等の１種または２種以上の材料
が例示される。
４６の好ましい材質としては、ＦｅＮｉ合金、ＦｅがＮ
ｉよりも高濃度であるＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金
の１種の単層膜またはそれらの多層膜等が例示され、ギ
ャップ層４５の好ましい材質としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒ
ｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、Ｎ
ｉＰ合金、ＮｉＰｄ合金等の１種または２種以上の材料
が例示される。
【００６３】次に、図２１に示すように、上部磁極層４
６に上マスク層８１を形成する。この上マスク層８１
は、フォトリソグラフィ技術により溝４３の磁極端領域
Ｘを覆うように形成するが、ギャップデプスとなる磁極
端領域Ｘと後部領域Ｙとの境界においては、磁極端領域
Ｘ側にその下側が抉れ込んだ形状とされる凹部８１ａを
有するものとされる。この凹部８１ａの形状は、次工程
における、物理的イオンビームエッチング法によるリフ
トオフ法が可能なレジストとなる。ここで、上マスク層
８１は、厚さが０．７μｍ〜５．０μｍの範囲とされ、
フォトレジスト層であることが好ましい。フォトレジス
ト層としては、通常のポジ型、ネガ型フォトレジストの
他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン線等により露光可
能なフォトレジストであっても良い。
６に上マスク層８１を形成する。この上マスク層８１
は、フォトリソグラフィ技術により溝４３の磁極端領域
Ｘを覆うように形成するが、ギャップデプスとなる磁極
端領域Ｘと後部領域Ｙとの境界においては、磁極端領域
Ｘ側にその下側が抉れ込んだ形状とされる凹部８１ａを
有するものとされる。この凹部８１ａの形状は、次工程
における、物理的イオンビームエッチング法によるリフ
トオフ法が可能なレジストとなる。ここで、上マスク層
８１は、厚さが０．７μｍ〜５．０μｍの範囲とされ、
フォトレジスト層であることが好ましい。フォトレジス
ト層としては、通常のポジ型、ネガ型フォトレジストの
他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン線等により露光可
能なフォトレジストであっても良い。
【００６４】そして、図２２に示すように、物理的イオ
ンビームエッチング法（Ａｒ等の希ガスによるイオンミ
リング法）により、上部磁極層４６の後部領域Ｙをエッ
チングすることにより、後部領域Ｙの上部磁極層４６を
除去し、ギャップデプスＧｄを形成する。ここで、上マ
スク層８１には、リフトオフ法によりパターンニングす
るため、磁極端領域Ｘと後部領域Ｙとの境界部分が下部
コア層２７上面に対して略垂直にエッチングされて、磁
極端領域Ｘの上部磁極層４６端部に媒体対向面１５２に
略平行なギャップデプスＧｄを形成することができる。
このエッチングする際のイオンビームの照射角度θは、
図中鉛直方向に対して、０°≦θ≦４５°の範囲とされ
ることが好ましい。
ンビームエッチング法（Ａｒ等の希ガスによるイオンミ
リング法）により、上部磁極層４６の後部領域Ｙをエッ
チングすることにより、後部領域Ｙの上部磁極層４６を
除去し、ギャップデプスＧｄを形成する。ここで、上マ
スク層８１には、リフトオフ法によりパターンニングす
るため、磁極端領域Ｘと後部領域Ｙとの境界部分が下部
コア層２７上面に対して略垂直にエッチングされて、磁
極端領域Ｘの上部磁極層４６端部に媒体対向面１５２に
略平行なギャップデプスＧｄを形成することができる。
このエッチングする際のイオンビームの照射角度θは、
図中鉛直方向に対して、０°≦θ≦４５°の範囲とされ
ることが好ましい。
【００６５】次に、図２３に示すように、上マスク層８
１の形成された状態で、スパッタリング法により後部絶
縁層８０を形成する。ここで、異方性スパッタか、また
は、イオンビームスパッタを用いることが好ましい。こ
のとき、上マスク層８１の存在により、該上マスク層８
１の上部に付着層８２が付着するとともに、上マスク層
８１の境界部分においては、図２３に示すように、後部
絶縁層８０の境界部分にアペックス面８０ａとなる傾斜
を形成することができる。
１の形成された状態で、スパッタリング法により後部絶
縁層８０を形成する。ここで、異方性スパッタか、また
は、イオンビームスパッタを用いることが好ましい。こ
のとき、上マスク層８１の存在により、該上マスク層８
１の上部に付着層８２が付着するとともに、上マスク層
８１の境界部分においては、図２３に示すように、後部
絶縁層８０の境界部分にアペックス面８０ａとなる傾斜
を形成することができる。
【００６６】その後、図２４に示すように、アセトン，
Ｎメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）等により上マスク層８
１を剥離して、同時に上マスク層８１に付着していた付
着層８２を除去する。次に、図２４，図２５に示すよう
に、後部絶縁層８０上にコイル絶縁層４８を積層する。
コイル絶縁層４８は、その磁極端領域Ｘ側の上面が、後
部絶縁層８０のアペックス面８０ａに向けて傾斜する傾
斜面４８ａを有するものとされる。この傾斜面４８ａ
は、後部絶縁層８０のアペックス面８０ａに追従して、
その傾斜角度が設定される。なお、コイル絶縁層４８を
形成しないことも可能である。
Ｎメチル２ピロリドン（ＮＭＰ）等により上マスク層８
１を剥離して、同時に上マスク層８１に付着していた付
着層８２を除去する。次に、図２４，図２５に示すよう
に、後部絶縁層８０上にコイル絶縁層４８を積層する。
コイル絶縁層４８は、その磁極端領域Ｘ側の上面が、後
部絶縁層８０のアペックス面８０ａに向けて傾斜する傾
斜面４８ａを有するものとされる。この傾斜面４８ａ
は、後部絶縁層８０のアペックス面８０ａに追従して、
その傾斜角度が設定される。なお、コイル絶縁層４８を
形成しないことも可能である。
【００６７】次に、図２５に示すように、コイル４９を
コイル絶縁層４８上に形成し、このコイル４９を埋める
上部絶縁層５０を積層する。次に図２６に示すように、
上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス面８０
ａ，コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａ，および上部絶縁
層５０を覆う上部コア層４７を形成する。上部コア層４
７は、図２７に示すように、上部磁極層４６を完全に覆
うとともに、磁気記録トラック幅方向においては、溝４
３の傾斜部６１内に位置するように形成することが好ま
しい。また、上部磁極層４６の上面が絶縁層４２の上面
とほぼ面一とされた構造の場合も、上部コア層４７で、
上部磁極層４６を完全に覆うように形成することが好ま
しい。次いで、媒体対向面１５２から切断する切断加
工、および該媒体対向面１５２を研磨加工して、本発明
に係る薄膜磁気ヘッド４１が製造される。
コイル絶縁層４８上に形成し、このコイル４９を埋める
上部絶縁層５０を積層する。次に図２６に示すように、
上部磁極層４６，後部絶縁層８０のアペックス面８０
ａ，コイル絶縁層４８の傾斜面４８ａ，および上部絶縁
層５０を覆う上部コア層４７を形成する。上部コア層４
７は、図２７に示すように、上部磁極層４６を完全に覆
うとともに、磁気記録トラック幅方向においては、溝４
３の傾斜部６１内に位置するように形成することが好ま
しい。また、上部磁極層４６の上面が絶縁層４２の上面
とほぼ面一とされた構造の場合も、上部コア層４７で、
上部磁極層４６を完全に覆うように形成することが好ま
しい。次いで、媒体対向面１５２から切断する切断加
工、および該媒体対向面１５２を研磨加工して、本発明
に係る薄膜磁気ヘッド４１が製造される。
【００６８】上述の薄膜磁気ヘッド４１は、溝４３にて
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後
部絶縁層８０とが積層されて磁気ギャップが形成され
て、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
とがこれら媒体対向面１５２から露出しているので、媒
体対向面１５２において磁気記録トラック幅を溝４３の
幅と一致させることにより磁気記録トラック幅を狭くす
ることができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界
によって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録するこ
とができる。また、磁気ギャップのギャップデプスが媒
体対向面１５２から上部磁極層４６の後部領域Ｙ側端部
までの距離にて規定されており、磁気ギャップを構成す
る上部磁極層４６の端部が、溝４３を形成した後に、上
マスク層８１によるエッチングにより位置設定および形
状設定できるため、ばらつきのある可能性がある溝４３
の平行側壁面５２，５２との接続コーナー部が円曲面と
なった端面５３によって規定されることが防止され、ギ
ャップデプスの設定がばらつくことがない。
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後
部絶縁層８０とが積層されて磁気ギャップが形成され
て、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
とがこれら媒体対向面１５２から露出しているので、媒
体対向面１５２において磁気記録トラック幅を溝４３の
幅と一致させることにより磁気記録トラック幅を狭くす
ることができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界
によって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録するこ
とができる。また、磁気ギャップのギャップデプスが媒
体対向面１５２から上部磁極層４６の後部領域Ｙ側端部
までの距離にて規定されており、磁気ギャップを構成す
る上部磁極層４６の端部が、溝４３を形成した後に、上
マスク層８１によるエッチングにより位置設定および形
状設定できるため、ばらつきのある可能性がある溝４３
の平行側壁面５２，５２との接続コーナー部が円曲面と
なった端面５３によって規定されることが防止され、ギ
ャップデプスの設定がばらつくことがない。
【００６９】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、上部磁極層４６が溝本体部５１と傾斜部６１とに渡
って積層されて上部コア層４７に接合されるので、上部
磁極層４６の上部コア層４７側にテーパ部４６ａが形成
され、このテーパ部４６ａの存在により、上部コア層４
７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑になっ
て、上部コア層４７と上部磁極層４６との接続部分に
て、余計な部分に磁束が漏れるのを防ぐことができる。
同様に、上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、後部絶
縁層８０およびコイル絶縁層４８にアペックス面８０ａ
および傾斜面４８ａが形成されているので、このアペッ
クス面８０ａ，傾斜面４８ａの存在により、上部コア層
４７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑にな
って、上部コア層４７と上部磁極層４６との接続部分に
て余計な部分に磁束が漏れることがない。また、溝本体
部５１の幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以
下とされるので、磁気記録トラック幅を１μｍ以下とす
ることができる。さらに、上マスク層８１を剥離する際
に、いわゆるリフトオフレジストとして、この上マスク
層８１に付着していた付着層８２を同時に除去するた
め、作業工程の簡略化、および、薄膜磁気ヘッドの加工
雰囲気の制御容易性を向上することができる。
は、上部磁極層４６が溝本体部５１と傾斜部６１とに渡
って積層されて上部コア層４７に接合されるので、上部
磁極層４６の上部コア層４７側にテーパ部４６ａが形成
され、このテーパ部４６ａの存在により、上部コア層４
７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑になっ
て、上部コア層４７と上部磁極層４６との接続部分に
て、余計な部分に磁束が漏れるのを防ぐことができる。
同様に、上述の薄膜磁気ヘッド４１においては、後部絶
縁層８０およびコイル絶縁層４８にアペックス面８０ａ
および傾斜面４８ａが形成されているので、このアペッ
クス面８０ａ，傾斜面４８ａの存在により、上部コア層
４７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑にな
って、上部コア層４７と上部磁極層４６との接続部分に
て余計な部分に磁束が漏れることがない。また、溝本体
部５１の幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以
下とされるので、磁気記録トラック幅を１μｍ以下とす
ることができる。さらに、上マスク層８１を剥離する際
に、いわゆるリフトオフレジストとして、この上マスク
層８１に付着していた付着層８２を同時に除去するた
め、作業工程の簡略化、および、薄膜磁気ヘッドの加工
雰囲気の制御容易性を向上することができる。
【００７０】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよび
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態を、図面に基
づいて説明する。図２８ないし図３１は本実施形態にか
かる薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す薄膜磁気ヘッドの
正面図である。なお、これらの図において、前述した図
１ないし図２７に示す第１実施形態における構成要素と
略同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省
略する。
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第２実施形態を、図面に基
づいて説明する。図２８ないし図３１は本実施形態にか
かる薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す薄膜磁気ヘッドの
正面図である。なお、これらの図において、前述した図
１ないし図２７に示す第１実施形態における構成要素と
略同一の構成要素には同一の符号を付してその説明を省
略する。
【００７１】本実施形態においては、まず、図９に示し
た第１実施形態と同様に絶縁層４２を積層した後、図２
８に示すように、この絶縁層４２にマスク層７３を形成
する。ここで、マスク層７３にフォトリソグラフィ技術
によりパターン７３ａを形成し、パターン７３ａから露
出した絶縁層４２に対して反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ；Reactive Ion Etching）を行うことにより溝４３
を形成する。
た第１実施形態と同様に絶縁層４２を積層した後、図２
８に示すように、この絶縁層４２にマスク層７３を形成
する。ここで、マスク層７３にフォトリソグラフィ技術
によりパターン７３ａを形成し、パターン７３ａから露
出した絶縁層４２に対して反応性イオンエッチング（Ｒ
ＩＥ；Reactive Ion Etching）を行うことにより溝４３
を形成する。
【００７２】マスク層７３は、厚さが０．５μｍ〜４μ
ｍの範囲とされ、その厚さは、ＲＩＥ法におけるマスク
層７３のエッチングレートと、磁気記録トラックとなる
べきパターン７３ａの幅を形成できる厚さにより決定さ
れる。このパターン７３ａの幅寸法は、磁気記録トラッ
クの幅寸法が０．５μｍ以下であれば２．０μｍ以下で
あることが好ましい。このマスク層７３は、絶縁層４２
の材質とほぼ同一のエッチングレートを有する材質が選
択され、例えば、フォトレジスト層であることが好まし
い。フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネガ型
フォトレジストの他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン
線等により露光可能なフォトレジストであっても良い。
ｍの範囲とされ、その厚さは、ＲＩＥ法におけるマスク
層７３のエッチングレートと、磁気記録トラックとなる
べきパターン７３ａの幅を形成できる厚さにより決定さ
れる。このパターン７３ａの幅寸法は、磁気記録トラッ
クの幅寸法が０．５μｍ以下であれば２．０μｍ以下で
あることが好ましい。このマスク層７３は、絶縁層４２
の材質とほぼ同一のエッチングレートを有する材質が選
択され、例えば、フォトレジスト層であることが好まし
い。フォトレジスト層としては、通常のポジ型、ネガ型
フォトレジストの他、遠紫外線、電子線、Ｘ線、イオン
線等により露光可能なフォトレジストであっても良い。
【００７３】まず、図２９に示すように、マスク層７３
に形成したパターン７３ａから露出した絶縁層４２に対
して、第１実施形態よりも異方性を弱めた、より等方性
エッチングに近い反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Re
active Ion Etching）を行い、パターン７３ａの底部の
絶縁層４２とマスク層７３におけるパターン７３ａの角
部分がエッチングされる。そして、パターン７３ａの角
部分に所定の角度を有する斜面が形成された後、図３０
に示すように、反応性イオンエッチングの異方性を回復
させてエッチングを行い、マスク層７３，パターン７３
ａの底部の絶縁層４２を同時にエッチングしてゆき、図
３１に示すように、溝４３を形成する。
に形成したパターン７３ａから露出した絶縁層４２に対
して、第１実施形態よりも異方性を弱めた、より等方性
エッチングに近い反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Re
active Ion Etching）を行い、パターン７３ａの底部の
絶縁層４２とマスク層７３におけるパターン７３ａの角
部分がエッチングされる。そして、パターン７３ａの角
部分に所定の角度を有する斜面が形成された後、図３０
に示すように、反応性イオンエッチングの異方性を回復
させてエッチングを行い、マスク層７３，パターン７３
ａの底部の絶縁層４２を同時にエッチングしてゆき、図
３１に示すように、溝４３を形成する。
【００７４】その後、第１実施形態で説明した工程と同
様の工程により、インダクティブヘッド４１を製造す
る。
様の工程により、インダクティブヘッド４１を製造す
る。
【００７５】本実施形態によれば、反応性イオンエッチ
ング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）における条件
を、第１実施形態よりも異方性を弱めたパターン７３ａ
斜面形成条件、また、異方性を回復させたマスク層７
３，絶縁層４２条件のように、段階的にステップして制
御することにより、溝４３のエッチングとマスク層７３
の剥離（除去）を同時におこなうとともに、このとき磁
気ヘッド周辺の雰囲気を大きく変化しないことが可能な
ため、各層の形成、膜厚制御性、再現性を向上すること
ができるとともに、反応ガス雰囲気の制御等工程数の削
減が可能であり、作業性の向上が可能で、生産性に優れ
るという効果を奏する。
ング（ＲＩＥ；Reactive Ion Etching）における条件
を、第１実施形態よりも異方性を弱めたパターン７３ａ
斜面形成条件、また、異方性を回復させたマスク層７
３，絶縁層４２条件のように、段階的にステップして制
御することにより、溝４３のエッチングとマスク層７３
の剥離（除去）を同時におこなうとともに、このとき磁
気ヘッド周辺の雰囲気を大きく変化しないことが可能な
ため、各層の形成、膜厚制御性、再現性を向上すること
ができるとともに、反応ガス雰囲気の制御等工程数の削
減が可能であり、作業性の向上が可能で、生産性に優れ
るという効果を奏する。
【００７６】以下、本発明に係る薄膜磁気ヘッドおよび
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３実施形態を、図面に基
づいて説明する。図３２は本実施形態にかかる薄膜磁気
ヘッドにおける溝を示す斜視図、図３３は薄膜磁気ヘッ
ドの正面図であり、図３４は同側面図である。なお、こ
れらの図において、前述した図１ないし図２７に示す第
１実施形態における構成要素と略同一の構成要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。
薄膜磁気ヘッドの製造方法の第３実施形態を、図面に基
づいて説明する。図３２は本実施形態にかかる薄膜磁気
ヘッドにおける溝を示す斜視図、図３３は薄膜磁気ヘッ
ドの正面図であり、図３４は同側面図である。なお、こ
れらの図において、前述した図１ないし図２７に示す第
１実施形態における構成要素と略同一の構成要素には同
一の符号を付してその説明を省略する。
【００７７】本実施形態においては、溝４３は、図３２
ないし図３４に示すように、溝本体部５１と、この溝本
体部５１に連続して後部領域Ｙに延在して下部コア層２
７に隣接する溝連続部９０とからなるものである。これ
ら溝本体部５１および溝連続部９０には、その上部コア
層４７側に傾斜部６１が設けられる。溝連続部９０は、
図３２に示すように、溝本体部５１の前記後部領域Ｙ側
に接続され該後部領域Ｙ側に向けて前記上部コア層４７
幅方向に寸法の拡大する溝拡大部９２を有する。溝本体
部５１には、下部コア層２７上に立設されて媒体対向面
１５２に到達する略平行状態の２つの平行側壁面５２，
５２と、該平行側壁面５２，５２に連続してその間隔が
拡大する拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設けられてなり、
溝拡大部９２には、この拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設
けられてなる。
ないし図３４に示すように、溝本体部５１と、この溝本
体部５１に連続して後部領域Ｙに延在して下部コア層２
７に隣接する溝連続部９０とからなるものである。これ
ら溝本体部５１および溝連続部９０には、その上部コア
層４７側に傾斜部６１が設けられる。溝連続部９０は、
図３２に示すように、溝本体部５１の前記後部領域Ｙ側
に接続され該後部領域Ｙ側に向けて前記上部コア層４７
幅方向に寸法の拡大する溝拡大部９２を有する。溝本体
部５１には、下部コア層２７上に立設されて媒体対向面
１５２に到達する略平行状態の２つの平行側壁面５２，
５２と、該平行側壁面５２，５２に連続してその間隔が
拡大する拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設けられてなり、
溝拡大部９２には、この拡大側壁面５２Ａ，５２Ａが設
けられてなる。
【００７８】また、傾斜部６１には、平行側壁面５２に
接続されて溝本体部５１および溝拡大部９２の幅方向の
外側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面６２，６２が
設けられてなる。下部磁極層４４およびギャップ層４５
は、溝本体部５１および溝拡大部９２に配置されて積層
されコイル４９の下方位置まで連続しており、下部磁極
層４４が下部コア層２７に接続されている。また、上部
磁極層４６は、溝本体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜
部６１に亘って積層されて上部コア層４７と接続されて
おり、この上部磁極層４６の後部領域Ｙ側の端部により
ギャップデプスが規定されている。
接続されて溝本体部５１および溝拡大部９２の幅方向の
外側に向けて傾斜する２つの側壁側傾斜面６２，６２が
設けられてなる。下部磁極層４４およびギャップ層４５
は、溝本体部５１および溝拡大部９２に配置されて積層
されコイル４９の下方位置まで連続しており、下部磁極
層４４が下部コア層２７に接続されている。また、上部
磁極層４６は、溝本体部５１および磁極端領域Ｘの傾斜
部６１に亘って積層されて上部コア層４７と接続されて
おり、この上部磁極層４６の後部領域Ｙ側の端部により
ギャップデプスが規定されている。
【００７９】後部絶縁層８０およびコイル絶縁層４８
は、図３３，図３４に示すように、ギャップ層４５上の
後部領域Ｙ側の溝拡大部９２に位置して積層されてお
り、後部絶縁層８０は、媒体対向面１５２から後部領域
Ｙ側に向かってその厚みを増加するよう傾斜したアペッ
クス面８０ａを備えてなり、コイル絶縁層４８は、前記
アペックス面８０ａに向けて傾斜する傾斜面４８ａを備
えてなる。また、絶縁層４２、下部磁極層４４、ギャッ
プ層４５および上部磁極層４６は、媒体対向面１５２に
露出している。このように構成することにより、第１実
施形態と同様に、媒体対向面１５２における磁気記録ト
ラック幅が溝４３の幅と一致するので磁気記録トラック
幅を狭くすることが可能になり、また、磁気ギャップが
媒体対向面１５２に露出するので、磁気ギャップから生
じる漏れ磁界によって磁気記録媒体に対して効率よく磁
気記録することが可能となる。さらに、第１実施形態に
比べて下部磁極層４４、ギャップ層４５を積層する際の
電気メッキ範囲が拡大することにより、電気メッキ時に
おけるメッキ液の流れが溝本体部５１に対してさらに有
効となり、その結果、下部磁極層４４、ギャップ層４５
の電気メッキにおける膜厚制御性、再現性が向上する。
したがって、これらの層４４，４５の膜厚の正確性が向
上し、書き込みヘッド４１における磁気記録特性の安定
化を図ることができる。
は、図３３，図３４に示すように、ギャップ層４５上の
後部領域Ｙ側の溝拡大部９２に位置して積層されてお
り、後部絶縁層８０は、媒体対向面１５２から後部領域
Ｙ側に向かってその厚みを増加するよう傾斜したアペッ
クス面８０ａを備えてなり、コイル絶縁層４８は、前記
アペックス面８０ａに向けて傾斜する傾斜面４８ａを備
えてなる。また、絶縁層４２、下部磁極層４４、ギャッ
プ層４５および上部磁極層４６は、媒体対向面１５２に
露出している。このように構成することにより、第１実
施形態と同様に、媒体対向面１５２における磁気記録ト
ラック幅が溝４３の幅と一致するので磁気記録トラック
幅を狭くすることが可能になり、また、磁気ギャップが
媒体対向面１５２に露出するので、磁気ギャップから生
じる漏れ磁界によって磁気記録媒体に対して効率よく磁
気記録することが可能となる。さらに、第１実施形態に
比べて下部磁極層４４、ギャップ層４５を積層する際の
電気メッキ範囲が拡大することにより、電気メッキ時に
おけるメッキ液の流れが溝本体部５１に対してさらに有
効となり、その結果、下部磁極層４４、ギャップ層４５
の電気メッキにおける膜厚制御性、再現性が向上する。
したがって、これらの層４４，４５の膜厚の正確性が向
上し、書き込みヘッド４１における磁気記録特性の安定
化を図ることができる。
【００８０】また、本実施形態の薄膜磁気ヘッドにおい
ては、図３５に示すように、形成された溝４３が、符号
Ｚで示す磁極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対
向面１５２から後部領域Ｙに向けて前記磁極端領域Ｘお
よび前記後部領域Ｙの一部に延在するとともに、溝４３
の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露出するように
形成される。この溝本体部５１の幅は、１μｍ以下、好
ましくは０．５μｍ以下とされ、溝拡大部９２は後部領
域Ｙに向けてその幅寸法が拡大する様に設定される。
ては、図３５に示すように、形成された溝４３が、符号
Ｚで示す磁極端領域Ｘの媒体対向面１５２外側，媒体対
向面１５２から後部領域Ｙに向けて前記磁極端領域Ｘお
よび前記後部領域Ｙの一部に延在するとともに、溝４３
の底面に下部コア層２７の上面２７ａが露出するように
形成される。この溝本体部５１の幅は、１μｍ以下、好
ましくは０．５μｍ以下とされ、溝拡大部９２は後部領
域Ｙに向けてその幅寸法が拡大する様に設定される。
【００８１】上述の薄膜磁気ヘッド４１は、溝４３にて
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後
部絶縁層８０とが積層されて磁気ギャップが形成され
て、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
とがこれら媒体対向面１５２から露出しているので、媒
体対向面１５２において磁気記録トラック幅が溝４３の
幅と一致することにより磁気記録トラック幅を狭くする
ことができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界に
よって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録すること
ができる。また、磁気ギャップのギャップデプスが媒体
対向面１５２から上部磁極層４６の後部領域Ｙ側端部ま
での距離にて規定されており、磁気ギャップを構成する
上部磁極層４６の端部が、溝４３を形成した後に、上マ
スク層８１によるエッチングの位置形状によって再度設
定できるため、ばらつきのある可能性がある溝４３の端
面５３によって規定されず、ギャップデプスの設定がば
らつくことがない。
下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６と後
部絶縁層８０とが積層されて磁気ギャップが形成され
て、下部磁極層４４とギャップ層４５と上部磁極層４６
とがこれら媒体対向面１５２から露出しているので、媒
体対向面１５２において磁気記録トラック幅が溝４３の
幅と一致することにより磁気記録トラック幅を狭くする
ことができ、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界に
よって磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録すること
ができる。また、磁気ギャップのギャップデプスが媒体
対向面１５２から上部磁極層４６の後部領域Ｙ側端部ま
での距離にて規定されており、磁気ギャップを構成する
上部磁極層４６の端部が、溝４３を形成した後に、上マ
スク層８１によるエッチングの位置形状によって再度設
定できるため、ばらつきのある可能性がある溝４３の端
面５３によって規定されず、ギャップデプスの設定がば
らつくことがない。
【００８２】また、上述の薄膜磁気ヘッド４１において
は、上部磁極層４６が溝本体部５１と傾斜部６１とに渡
って積層されて上部コア層４７に接合されるので、上部
磁極層４６の上部コア層４７側にテーパ部４６ａが形成
され、このテーパ部４６ａの存在により、上部コア層４
７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑になっ
て、磁束が上部コア層４７と上部磁極層４６との接合部
分にて漏れるのを防ぐことができる。同様に、上述の薄
膜磁気ヘッド４１においては、後部絶縁層８０およびコ
イル絶縁層４８にアペックス面８０ａおよび傾斜面４８
ａが形成されているので、このアペックス面８０ａ，傾
斜面４８ａの存在により、上部コア層４７と上部磁極層
４６との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が上部
コア層４７と上部磁極層４６との接合部分にて磁界が漏
れることがない。また、溝本体部５１の幅が１μｍ以
下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるので、磁気
記録トラック幅を１μｍ以下とすることができる。
は、上部磁極層４６が溝本体部５１と傾斜部６１とに渡
って積層されて上部コア層４７に接合されるので、上部
磁極層４６の上部コア層４７側にテーパ部４６ａが形成
され、このテーパ部４６ａの存在により、上部コア層４
７と上部磁極層４６との間での磁束の流れが円滑になっ
て、磁束が上部コア層４７と上部磁極層４６との接合部
分にて漏れるのを防ぐことができる。同様に、上述の薄
膜磁気ヘッド４１においては、後部絶縁層８０およびコ
イル絶縁層４８にアペックス面８０ａおよび傾斜面４８
ａが形成されているので、このアペックス面８０ａ，傾
斜面４８ａの存在により、上部コア層４７と上部磁極層
４６との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が上部
コア層４７と上部磁極層４６との接合部分にて磁界が漏
れることがない。また、溝本体部５１の幅が１μｍ以
下、より好ましくは０．５μｍ以下とされるので、磁気
記録トラック幅を１μｍ以下とすることができる。
【００８３】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気
ヘッドの製造方法によれば、以下の効果を奏する。
ヘッドの製造方法によれば、以下の効果を奏する。
【００８４】下部コア層に絶縁層が積層され、該絶縁層
に溝が設けられ、前記溝は、溝本体部と傾斜部とからな
り、前記溝に下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層
と後部絶縁層とが積層されると共に、前記下部磁極層が
前記下部コア層に接合され、前記上部磁極層が上部コア
層に接合されてなり、磁気ギャップを構成する前記下部
磁極層と前記ギャップ層と前記上部磁極層とが予め形成
された溝本体部に積層されるので、磁気記録トラックの
幅は溝本体部の幅により決定される。従って、溝本体部
の幅を狭くすることにより、磁気記録トラックの幅を狭
くすることができる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドに
おいては、磁気ギャップのギャップデプスが媒体対向面
から溝本体部の後部絶縁層端部までの距離にて規定さ
れ、磁気ギャップを構成する上部磁極層が溝本体部に積
層されるので、ギャップデプスがばらつくことがない。
に溝が設けられ、前記溝は、溝本体部と傾斜部とからな
り、前記溝に下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層
と後部絶縁層とが積層されると共に、前記下部磁極層が
前記下部コア層に接合され、前記上部磁極層が上部コア
層に接合されてなり、磁気ギャップを構成する前記下部
磁極層と前記ギャップ層と前記上部磁極層とが予め形成
された溝本体部に積層されるので、磁気記録トラックの
幅は溝本体部の幅により決定される。従って、溝本体部
の幅を狭くすることにより、磁気記録トラックの幅を狭
くすることができる。また、本発明の薄膜磁気ヘッドに
おいては、磁気ギャップのギャップデプスが媒体対向面
から溝本体部の後部絶縁層端部までの距離にて規定さ
れ、磁気ギャップを構成する上部磁極層が溝本体部に積
層されるので、ギャップデプスがばらつくことがない。
【００８５】前記下部磁極層および前記ギャップ層が前
記溝本体部に位置して積層され、前記上部磁極層が前記
溝本体部および前記傾斜部に渡って積層されており、上
部磁極層の上部コア層側にテーパ部が形成され、このテ
ーパ部の存在により、前記上部コア層と前記上部磁極層
との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が前記上部
コア層と前記上部磁極層との接続部分にて漏れるのを防
止できるとともに、後部絶縁層およびコイル絶縁層にア
ペックス面および傾斜面が形成されているので、このア
ペックス面，傾斜面の存在により、上部コア層と上部磁
極層との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が上部
コア層と上部磁極層との接続部分にて磁界が漏れること
がない。また、前記下部磁極層、前記ギャップ層および
前記上部磁極層の一部が前記溝本体部に形成され、前記
溝本体部の幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされるので、磁気記録トラック幅を１μｍ以下と
することができる。
記溝本体部に位置して積層され、前記上部磁極層が前記
溝本体部および前記傾斜部に渡って積層されており、上
部磁極層の上部コア層側にテーパ部が形成され、このテ
ーパ部の存在により、前記上部コア層と前記上部磁極層
との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が前記上部
コア層と前記上部磁極層との接続部分にて漏れるのを防
止できるとともに、後部絶縁層およびコイル絶縁層にア
ペックス面および傾斜面が形成されているので、このア
ペックス面，傾斜面の存在により、上部コア層と上部磁
極層との間での磁界の流れが円滑になって、磁界が上部
コア層と上部磁極層との接続部分にて磁界が漏れること
がない。また、前記下部磁極層、前記ギャップ層および
前記上部磁極層の一部が前記溝本体部に形成され、前記
溝本体部の幅が１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされるので、磁気記録トラック幅を１μｍ以下と
することができる。
【００８６】前記絶縁層、前記下部磁極層、前記ギャッ
プ層及び前記上部磁極層が前記媒体対向面に露出してい
るので、媒体対向面における磁気記録トラック幅が前記
溝の幅と一致して磁気記録トラック幅を狭くすることが
でき、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界によって
磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録することができ
る。
プ層及び前記上部磁極層が前記媒体対向面に露出してい
るので、媒体対向面における磁気記録トラック幅が前記
溝の幅と一致して磁気記録トラック幅を狭くすることが
でき、また、磁気ギャップから生じる漏れ磁界によって
磁気記録媒体に対して効率よく磁気記録することができ
る。
【００８７】前記絶縁層は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなり、単
層膜またはそれらの多層膜からなるので、前記溝を形成
する際に異方性エッチングを行うことができ、サイドエ
ッチングが発生することなく、特に溝の深さ方向に対す
る溝幅の寸法精度を向上することができる。
Ｏ、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ3、ＢＮ、ＣｒＮのうちのいずれか１種からなり、単
層膜またはそれらの多層膜からなるので、前記溝を形成
する際に異方性エッチングを行うことができ、サイドエ
ッチングが発生することなく、特に溝の深さ方向に対す
る溝幅の寸法精度を向上することができる。
【００８８】前記ギャップ層は、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、ＮｉＰ合
金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２種以上
からなり、単層膜またはそれらの多層膜でもよい。これ
らはいずれも非磁性材料であって磁化することがなく薄
膜磁気ヘッドのギャップ層を構成するものとして最適で
あると共に、これら材料は金属材料であって下地コア層
を電極とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可
能となるので、ギャップ層を溝の溝本体部に確実に形成
することができ、ギャップ層の幅を溝本体部の幅と一致
させることができる。
ｄ、Ｒｕ、Ｃｒ、ＮｉＭｏ合金、ＮｉＷ合金、ＮｉＰ合
金、ＮｉＰｄ合金のうちのいずれか１種または２種以上
からなり、単層膜またはそれらの多層膜でもよい。これ
らはいずれも非磁性材料であって磁化することがなく薄
膜磁気ヘッドのギャップ層を構成するものとして最適で
あると共に、これら材料は金属材料であって下地コア層
を電極とする電気メッキ法にて溝内に積層することが可
能となるので、ギャップ層を溝の溝本体部に確実に形成
することができ、ギャップ層の幅を溝本体部の幅と一致
させることができる。
【００８９】磁気抵抗効果素子を備えた読出磁気ヘッド
と、先に記載の薄膜磁気ヘッドとが積層されてなるの
で、特にコンピュータ等の磁気記録装置にこの複合型薄
膜磁気ヘッドが用いられた場合に、高い記録密度と大き
な記憶容量を有する磁気記録装置を提供することができ
る。
と、先に記載の薄膜磁気ヘッドとが積層されてなるの
で、特にコンピュータ等の磁気記録装置にこの複合型薄
膜磁気ヘッドが用いられた場合に、高い記録密度と大き
な記憶容量を有する磁気記録装置を提供することができ
る。
【００９０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下
部コア層の上面を研磨して平坦化し、前記下部コア層に
絶縁層を積層し、前記絶縁層の磁極端領域に、媒体対向
面から後部領域に向けて延在する溝を形成すると共に、
該溝の底面を前記下部コア層に到達させ、該溝に、下部
磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層と後部絶縁層とを
積層して前記下部コア層と前記下部磁極層とを接合さ
せ、前記絶縁層の前記後部領域にコイルを形成し、前記
磁極端領域にて前記上部磁極層と接合し、前記後部領域
にて前記コイルの一部を覆う前記上部コア層を形成する
ので、前記下部磁極層と前記上部磁極層とにより磁気ギ
ャップが形成され、磁気記録トラックの幅が溝の幅によ
り決定され、溝の幅は１μｍ以下、より好ましくは０．
５μｍ以下とすることが可能なので、磁気記録トラック
幅を従来の薄膜磁気ヘッドの磁気記録トラック幅よりも
狭くすることができ、また媒体対向面から後部絶縁層ま
での距離によりギャップデプスを規制するのでギャプデ
プスのばらつきをなくすことができ、また下部コア層を
研磨して平坦化するので、後の工程において積層する絶
縁層が平坦化されて、異方性エッチングにて溝を精度良
く形成することが可能になり、磁気記録トラック幅を狭
くすることができる。
部コア層の上面を研磨して平坦化し、前記下部コア層に
絶縁層を積層し、前記絶縁層の磁極端領域に、媒体対向
面から後部領域に向けて延在する溝を形成すると共に、
該溝の底面を前記下部コア層に到達させ、該溝に、下部
磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層と後部絶縁層とを
積層して前記下部コア層と前記下部磁極層とを接合さ
せ、前記絶縁層の前記後部領域にコイルを形成し、前記
磁極端領域にて前記上部磁極層と接合し、前記後部領域
にて前記コイルの一部を覆う前記上部コア層を形成する
ので、前記下部磁極層と前記上部磁極層とにより磁気ギ
ャップが形成され、磁気記録トラックの幅が溝の幅によ
り決定され、溝の幅は１μｍ以下、より好ましくは０．
５μｍ以下とすることが可能なので、磁気記録トラック
幅を従来の薄膜磁気ヘッドの磁気記録トラック幅よりも
狭くすることができ、また媒体対向面から後部絶縁層ま
での距離によりギャップデプスを規制するのでギャプデ
プスのばらつきをなくすことができ、また下部コア層を
研磨して平坦化するので、後の工程において積層する絶
縁層が平坦化されて、異方性エッチングにて溝を精度良
く形成することが可能になり、磁気記録トラック幅を狭
くすることができる。
【００９１】また、前記絶縁層に異方性エッチングを施
すことにより、前記溝を形成するので、溝の形成時にサ
イドエッチングが発生することなく、溝の深さ方向に対
する溝幅の寸法精度を向上することができる。
すことにより、前記溝を形成するので、溝の形成時にサ
イドエッチングが発生することなく、溝の深さ方向に対
する溝幅の寸法精度を向上することができる。
【００９２】更に、前記下部磁極層と前記ギャップ層と
前記上部磁極層を、前記下部コア層を電極とする電気メ
ッキ法にて形成するので、前記下部磁極層と前記ギャッ
プ層と前記上部磁極層を溝内に確実に形成することがで
きる。
前記上部磁極層を、前記下部コア層を電極とする電気メ
ッキ法にて形成するので、前記下部磁極層と前記ギャッ
プ層と前記上部磁極層を溝内に確実に形成することがで
きる。
【図１】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドを示す正面図である。
気ヘッドを示す正面図である。
【図２】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドを示す側面断面図である。
ドを示す側面断面図である。
【図３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの溝および磁極端領域の要部を示す斜視図である。
ドの溝および磁極端領域の要部を示す斜視図である。
【図４】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す正面図である。
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す正面図である。
【図５】 本発明の第１実施形態における複合型薄膜磁
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
気ヘッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
【図６】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図７】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図８】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
ドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図９】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘ
ッドの正面図である。
ドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘ
ッドの正面図である。
【図１０】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
【図１１】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
【図１２】 本発明の実施形態である薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の溝を示す斜視図である。
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の溝を示す斜視図である。
【図１３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
【図１４】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドを示す正面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドを示す正面図である。
【図１５】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
【図１６】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
【図１７】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄
膜磁気ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、複合型薄
膜磁気ヘッドの側面断面図である。
【図１８】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの斜視図である。
【図１９】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面断面図である。
【図２０】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２１】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２２】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２３】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２４】 本発明の実施形態である薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の側面断面図である。
製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気ヘッド
の側面断面図である。
【図２５】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの側面断面図である。
【図２６】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
【図２７】 本発明の第１実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの正面図である。
【図２８】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図２９】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図３０】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図３１】 本発明の第２実施形態におけである薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
気ヘッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜
磁気ヘッドの正面図である。
【図３２】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドにおける溝を示す斜視図である。
ッドにおける溝を示す斜視図である。
【図３３】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドを示す側面断面図である。
ッドを示す側面断面図である。
【図３４】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
ッドの磁極端領域の要部を示す側面断面図である。
【図３５】 本発明の第３実施形態における薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
ッドの製造方法を説明するための図であって、薄膜磁気
ヘッドの平面図である。
【図３６】 従来の浮上式磁気ヘッドを示す斜視図であ
る。
る。
【図３７】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す側面断
面図である。
面図である。
【図３８】 従来の複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図
である。
である。
１…複合型薄膜磁気ヘッド，２７…下部コア層（上部シ
ールド層），２７ａ…上面，４１…薄膜磁気ヘッド，４
２…絶縁層，４３…溝，４４…下部磁極層，４５…ギャ
ップ層，４６…上部磁極層，４６ａ…テーパ部，４７…
上部コア層，４８…コイル絶縁層，４９…コイル，５０
…上部絶縁層，５１…溝本体部，５２…平行側壁面，５
２Ａ…拡大側壁部，５３…端面，６１…傾斜部，６２…
側壁傾斜面，６３…端傾斜面，７１…マスク層，７１ａ
…パターン，７２…保護層，８０…後部絶縁層，８０ａ
…アペックス面，８１…上マスク層，８１ａ…凹部，８
２…付着層，９０…溝連続部，９１…溝延長部，９２…
溝拡大部
ールド層），２７ａ…上面，４１…薄膜磁気ヘッド，４
２…絶縁層，４３…溝，４４…下部磁極層，４５…ギャ
ップ層，４６…上部磁極層，４６ａ…テーパ部，４７…
上部コア層，４８…コイル絶縁層，４９…コイル，５０
…上部絶縁層，５１…溝本体部，５２…平行側壁面，５
２Ａ…拡大側壁部，５３…端面，６１…傾斜部，６２…
側壁傾斜面，６３…端傾斜面，７１…マスク層，７１ａ
…パターン，７２…保護層，８０…後部絶縁層，８０ａ
…アペックス面，８１…上マスク層，８１ａ…凹部，８
２…付着層，９０…溝連続部，９１…溝延長部，９２…
溝拡大部
Claims (22)
- 【請求項１】 上部コア層および下部コア層が後部領域
から磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体対
向面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と前
記下部コア層とが接続され、この上部コア層と下部コア
層との接続部分の周囲にコイルが設けられ、前記磁極端
領域にて前記上部コア層と前記下部コア層との間にギャ
ップ層が設けられてなる構造を有し、 前記下部コア層に絶縁層が積層され、 該絶縁層の前記磁極端領域に前記媒体対向面から前記後
部領域に向けて延在する溝が設けられ、 該溝に下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層とが積
層され、 前記下部磁極層が前記下部コア層に接続され、前記上部
磁極層が前記上部コア層に接続されて、上部磁極層によ
り上部磁極端が下部磁極層により下部磁極端が構成され
てなり、 前記溝が、前記下部コア層側と前記上部コア層側と前記
媒体対向面側とに各々開口し、前記媒体対向面における
開口の寸法と略同一断面寸法で少なくとも前記磁極端領
域の一部に延在する溝本体部と、該溝本体部に連続して
前記後部領域に延在する溝連続部とを有してなることを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記ギャップ層の前記後部領域には、後
部絶縁層が積層されてなることを特徴とする請求項１記
載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記後部絶縁層上側には、コイル絶縁層
が形成されてなることを特徴とする請求項２記載の薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記溝連続部が、前記溝本体部と略同一
断面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を有してな
ることを特徴とする請求項１から３のいずれか記載の薄
膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記溝連続部が、該溝本体部の前記後部
領域側に接続され該後部領域側方向に向けて前記下部コ
ア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を有してなること
を特徴とする請求項１から３のいずれか記載の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項６】 前記溝には、その前記上部コア層側に傾
斜部が設けられ、該傾斜部には、前記溝本体部の幅方向
外側方向に向けて傾斜する側壁傾斜面が設けられ、この
側壁傾斜面に対応するテーパ部が前記上部磁極層に設け
られてなることを特徴とする請求項１から５のいずれか
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記後部絶縁層は、前記媒体対向面側か
ら前記後部領域側に向かってその厚みを増加するよう傾
斜したアペックス面を備えてなることを特徴とする請求
項２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記コイル絶縁層は、前記後部絶縁層の
アペックス面に向けて傾斜する傾斜面を備えてなること
を特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記上部磁極層の前記媒体対向面からの
長さが、前記上部磁極端層の幅寸法と同一の寸法かそれ
以上の寸法に設定されてなることを特徴とする請求項１
から８のいずれか記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記溝本体部の幅が１μｍ以下に設定
されてなることを特徴とする請求項１から９のいずれか
記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 磁気抵抗効果素子を備えた読出磁気ヘ
ッドと、請求項１から１０のいずれかに記載された薄膜
磁気ヘッドとが積層されてなることを特徴とする複合型
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１２】 上部コア層および下部コア層が後部領
域から磁極端領域に向けて延在してそれらの端面が媒体
対向面に露出され、前記後部領域にて前記上部コア層と
前記下部コア層とが磁気的に接続され、この上部コア層
と下部コア層との接続部分の周囲にコイルが設けられ、
前記磁極端領域にて前記上部コア層と前記下部コア層と
の間にギャップ層が設けられてなる薄膜磁気ヘッドの製
造方法であり、 前記下部コア層の上面を研磨して平坦化し、前記下部コ
ア層に絶縁層を積層し、 前記磁極端領域の前記媒体対向面外側，前記磁極端領域
および前記後部領域に延在する溝を前記絶縁層に形成す
るとともに、該溝の底面を前記下部コア層に到達させ、 該溝に、下部磁極層と前記ギャップ層と上部磁極層とを
積層して前記下部コア層と前記下部磁極層とを接続し、 前記上部磁極層に前記媒体対向と略平行なギャップデプ
スを形成し、 前記ギャップ層上の前記後部領域に後部絶縁層を形成
し、 前記後部領域にコイルを形成し、 前記磁極端領域にて前記上部磁極層と接合するとともに
前記後部領域にて前記コイルの一部を覆う前記上部コア
を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方
法。 - 【請求項１３】 前記絶縁層に異方性エッチングを施す
ことにより、前記溝を形成することを特徴とする請求項
１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１４】 前記溝に、前記媒体対向面における開
口の寸法と略同一断面寸法で前記磁極端領域に延在する
溝本体部と、該溝本体部に連続して前記後部領域に延在
する溝連続部とを形成することを特徴とする請求項１３
記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１５】 前記溝連続部に、前記溝本体部と略同
一断面寸法で前記後部領域に延在する溝延長部を形成す
ることを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項１６】 前記溝連続部に、前記後部領域側に向
けて前記上部コア層幅方向に寸法の拡大する溝拡大部を
形成することを特徴とする請求項１４記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項１７】 前記溝を形成した後に、前記絶縁層の
上面と前記溝との接続部分にイオンビームを照射してエ
ッチングすることにより、前記溝の前記上部コア層側に
形成された傾斜部を形成することを特徴とする請求項１
５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１８】 前記媒体平行面位置における前記溝の
幅が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１２記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項１９】 前記下部磁極層および前記ギャップ層
を、前記溝本体部，前記溝連続部に積層し、前記上部磁
極層を、前記溝本体部、前記溝連続部および前記傾斜部
に亘って形成することを特徴とする請求項１２記載の薄
膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２０】 前記下部磁極層と前記ギャップ層と前
記上部磁極層とを、前記下部コア層を電極とする電気メ
ッキ法にて形成することを特徴とする請求項１２記載の
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２１】 前記上部磁極層に上マスク層を積層し
た後に、前記上部磁極層にイオンミーリングを施すこと
により前記ギャップデプスを形成することを特徴とする
請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２２】 前記ギャップ層上の前記後部領域に位
置し、かつ、前記媒体対向面側から前記後部領域側に向
かってその厚みを増加するよう傾斜したアペックス面を
備えた前記後部絶縁層を、前記上部磁極層上に前記上マ
スク層が付着した状態でスパッタリングし、その後上マ
スク層を除去することにより形成することを特徴とする
請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080552A JP2000276706A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| KR1020000012284A KR100334833B1 (ko) | 1999-03-24 | 2000-03-11 | 박막 자기헤드 및 그 제조방법 |
| US09/532,941 US6456461B1 (en) | 1999-03-24 | 2000-03-22 | Thin-film magnetic head having improved accuracy in setting gap depth position |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11080552A JP2000276706A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000276706A true JP2000276706A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13721517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11080552A Pending JP2000276706A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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|---|---|
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