JPH11353614A - 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 - Google Patents
薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置Info
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- JPH11353614A JPH11353614A JP10158974A JP15897498A JPH11353614A JP H11353614 A JPH11353614 A JP H11353614A JP 10158974 A JP10158974 A JP 10158974A JP 15897498 A JP15897498 A JP 15897498A JP H11353614 A JPH11353614 A JP H11353614A
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- G—PHYSICS
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
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- G11B5/313—Disposition of layers
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 上ポール層と下ポール層とのギャップ深さ、
及び上ポール層先端幅を精度良く微細化する。 【解決手段】 本発明の薄膜磁気ヘッド１０は、絶縁基
板７２上に、下シールド層７４、ＭＲ感磁素子７８を挟
持したリードギャップ層８０、共通ポール層１２及びラ
イトギャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６
近傍を除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層
８６、コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０が
この順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ
層８４上及び第二段差解消層９０上に上ポール層１４が
積層されてなるものである。そして、ＡＢＳ面７６から
離れた位置の共通ポール層１２に凹部１６が設けられ、
凹部１６に非磁性体１８が充填され、凹部１６によって
上ポール層１４と共通ポール層１２との間のギャップ深
さＤが規定されている。
及び上ポール層先端幅を精度良く微細化する。 【解決手段】 本発明の薄膜磁気ヘッド１０は、絶縁基
板７２上に、下シールド層７４、ＭＲ感磁素子７８を挟
持したリードギャップ層８０、共通ポール層１２及びラ
イトギャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６
近傍を除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層
８６、コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０が
この順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ
層８４上及び第二段差解消層９０上に上ポール層１４が
積層されてなるものである。そして、ＡＢＳ面７６から
離れた位置の共通ポール層１２に凹部１６が設けられ、
凹部１６に非磁性体１８が充填され、凹部１６によって
上ポール層１４と共通ポール層１２との間のギャップ深
さＤが規定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクティブ型
の薄膜磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記憶装置に関
する。
の薄膜磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記憶装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の記録密度の
上昇には目覚ましいものがある。1990年以降の記録密度
を見ると、年率でほぼ６０％の割合で上昇する傾向にあ
る。ハードディスク装置の記録密度を向上させるには、
磁気ヘッドのトラック幅を狭くすることにより、記録ト
ラック密度を向上させる必要がある。さらに、記録密度
の向上のためには、記録ビット密度の向上も同程度に重
要である。記録ビット密度の向上に対しては、磁気記憶
媒体の抗磁力（Ｈｃ）の増大が必要であるが、高Ｈｃの
磁気記憶媒体への書き込みには記録能力の高いインダク
ティブ記録ヘッドが必要となる。さらに、微小な記録ビ
ットからの信号を効率よく検出するためには、ＭＲ再生
ヘッドが必要となる。したがって、ＭＲ再生ヘッドとイ
ンダクティブ記録ヘッドとを組み合わせた、ＭＲ・イン
ダクティブ複合型の薄膜磁気ヘッドが高密度記録に対し
て有望である。
上昇には目覚ましいものがある。1990年以降の記録密度
を見ると、年率でほぼ６０％の割合で上昇する傾向にあ
る。ハードディスク装置の記録密度を向上させるには、
磁気ヘッドのトラック幅を狭くすることにより、記録ト
ラック密度を向上させる必要がある。さらに、記録密度
の向上のためには、記録ビット密度の向上も同程度に重
要である。記録ビット密度の向上に対しては、磁気記憶
媒体の抗磁力（Ｈｃ）の増大が必要であるが、高Ｈｃの
磁気記憶媒体への書き込みには記録能力の高いインダク
ティブ記録ヘッドが必要となる。さらに、微小な記録ビ
ットからの信号を効率よく検出するためには、ＭＲ再生
ヘッドが必要となる。したがって、ＭＲ再生ヘッドとイ
ンダクティブ記録ヘッドとを組み合わせた、ＭＲ・イン
ダクティブ複合型の薄膜磁気ヘッドが高密度記録に対し
て有望である。
【０００３】図１９は、従来の薄膜磁気ヘッドを示す断
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【０００４】従来の薄膜磁気ヘッド７０は、絶縁基板７
２上に、下シールド層７４、ＡＢＳ面７６にＭＲ感磁素
子７８を挟持したリードギャップ層８０、上シールド層
と下ポール層とを兼ねる共通ポール層８２及びライトギ
ャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍を
除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層８６、
コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０がこの順
に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ層８４
上及び第一段差解消層８６上並びに第二段差解消層９０
上に上ポール層９２が積層されてなる。
２上に、下シールド層７４、ＡＢＳ面７６にＭＲ感磁素
子７８を挟持したリードギャップ層８０、上シールド層
と下ポール層とを兼ねる共通ポール層８２及びライトギ
ャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍を
除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層８６、
コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０がこの順
に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ層８４
上及び第一段差解消層８６上並びに第二段差解消層９０
上に上ポール層９２が積層されてなる。
【０００５】共通ポール層８２は、ＭＲ再生ヘッドの再
生分解能を向上させる上シールド層と、インダクティブ
記録ヘッドの下ポール層との役割を兼ねている。ＭＲ感
磁素子７８は、ＡＢＳ面７６で対向する図示しない磁気
記憶媒体からの信号磁界を検出する。ライトギャップ層
８４の膜厚は、インダクティブ記録ヘッドのギャップと
なる。第一段差解消層８６はコイルパターン層８８の絶
縁土台となり、第二段差解消層９０はコイルパターン層
８８の凹凸を解消する。ＡＢＳ面７６近傍におけるライ
トギャップ層８４上の第一段差解消層８６のない部分
は、インダクティブ記録ヘッドのギャップ深さＤを規定
する。記録トラック幅は、上ポール層９２の先端幅Ｗ
（図示せず）により決定される。なお、先端幅Ｗとは、
上ポール層９２のＡＢＳ面（先端部）における図面に垂
直な方向での幅のことであり、図２等に図示されてい
る。
生分解能を向上させる上シールド層と、インダクティブ
記録ヘッドの下ポール層との役割を兼ねている。ＭＲ感
磁素子７８は、ＡＢＳ面７６で対向する図示しない磁気
記憶媒体からの信号磁界を検出する。ライトギャップ層
８４の膜厚は、インダクティブ記録ヘッドのギャップと
なる。第一段差解消層８６はコイルパターン層８８の絶
縁土台となり、第二段差解消層９０はコイルパターン層
８８の凹凸を解消する。ＡＢＳ面７６近傍におけるライ
トギャップ層８４上の第一段差解消層８６のない部分
は、インダクティブ記録ヘッドのギャップ深さＤを規定
する。記録トラック幅は、上ポール層９２の先端幅Ｗ
（図示せず）により決定される。なお、先端幅Ｗとは、
上ポール層９２のＡＢＳ面（先端部）における図面に垂
直な方向での幅のことであり、図２等に図示されてい
る。
【０００６】高密度記録時の記録能力を高めるために
は、ギャップ深さＤを１μｍ程度以下に小さくする必要
がある。また、高記録密度に対応するためには、できる
だけ狭い先端幅Ｗを持つ上ポール層９２を実現すること
が必要である。
は、ギャップ深さＤを１μｍ程度以下に小さくする必要
がある。また、高記録密度に対応するためには、できる
だけ狭い先端幅Ｗを持つ上ポール層９２を実現すること
が必要である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】必要なギャップ深さＤ
を形成するためには、ギャップ深さＤを規定する第一段
差解消層８６を、ＡＢＳ面７６側にかなり接近させなけ
ればならない。そのため、従来の薄膜磁気ヘッド７０で
は、上ポール層９２をフレームメッキ法で形成するため
のレジストフレームパターン（図示せず）を形成すると
きに、次のような問題があった。
を形成するためには、ギャップ深さＤを規定する第一段
差解消層８６を、ＡＢＳ面７６側にかなり接近させなけ
ればならない。そのため、従来の薄膜磁気ヘッド７０で
は、上ポール層９２をフレームメッキ法で形成するため
のレジストフレームパターン（図示せず）を形成すると
きに、次のような問題があった。
【０００８】第一段差解消層８６、コイルパターン層８
８及び第二段差解消層９０が順次積層された後、レジス
トフレームパターンが形成される。このとき、先端部に
おいて、ライトギャップ層８４と第二段差解消層９０と
の間には大きな段差が生じている。そのため、先端部に
おけるレジストフレームパターンのレジスト膜厚が例え
ば１０μｍ以上になってしまう。また、第一段差解消層
８６の先端は曲面形状になっている。そのため、その曲
面に露光時の光が反射することにより、レジストフレー
ムパターンがオーバー露光になりやすい。
８及び第二段差解消層９０が順次積層された後、レジス
トフレームパターンが形成される。このとき、先端部に
おいて、ライトギャップ層８４と第二段差解消層９０と
の間には大きな段差が生じている。そのため、先端部に
おけるレジストフレームパターンのレジスト膜厚が例え
ば１０μｍ以上になってしまう。また、第一段差解消層
８６の先端は曲面形状になっている。そのため、その曲
面に露光時の光が反射することにより、レジストフレー
ムパターンがオーバー露光になりやすい。
【０００９】このように、上ポール層９２の先端部を形
成するためのレジストフレームパターンは、膜厚が大き
くかつオーバー露光になりやすい。したがって、必要な
ギャップ深さＤを得ようとすると、必要な先端幅Ｗが得
にくくなる。
成するためのレジストフレームパターンは、膜厚が大き
くかつオーバー露光になりやすい。したがって、必要な
ギャップ深さＤを得ようとすると、必要な先端幅Ｗが得
にくくなる。
【００１０】
【発明の目的】そこで、本発明の目的は、ギャップ深さ
Ｄ及び先端幅Ｗを精度良く微細化することができる薄膜
磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記憶装置を提供する
ことにある。
Ｄ及び先端幅Ｗを精度良く微細化することができる薄膜
磁気ヘッド、及びこれを用いた磁気記憶装置を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、下ポール層上にライトギャップ層が積層さ
れ、ＡＢＳ面近傍を除くライトギャップ層上に、第一段
差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層がこの
順に積層され、少なくともＡＢＳ面近傍のライトギャッ
プ層上に上ポール層が積層されてなるものである。そし
て、ＡＢＳ面から離れた位置の下ポール層に凹部が設け
られ、この凹部に非磁性体が充填され、この凹部によっ
て上ポール層と下ポール層との間のギャップ深さが規定
されている。
ヘッドは、下ポール層上にライトギャップ層が積層さ
れ、ＡＢＳ面近傍を除くライトギャップ層上に、第一段
差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層がこの
順に積層され、少なくともＡＢＳ面近傍のライトギャッ
プ層上に上ポール層が積層されてなるものである。そし
て、ＡＢＳ面から離れた位置の下ポール層に凹部が設け
られ、この凹部に非磁性体が充填され、この凹部によっ
て上ポール層と下ポール層との間のギャップ深さが規定
されている。
【００１２】ギャップ深さは、ＡＢＳ面から第一段差解
消層の先端までの距離によって規定されるのではなく、
ＡＢＳ面から凹部の淵までの距離によって規定される。
凹部は平坦な下ポール層に形成されるので、凹部を形成
するためのフォトリソグラフィ技術における問題点は生
じない。また、上ポール層の先端部を形成するためのレ
ジストフレームパターンは、第一段差解消層をＡＢＳ面
から十分に離すことができるので、膜厚が大きくなった
り、オーバー露光になったりすることがない。
消層の先端までの距離によって規定されるのではなく、
ＡＢＳ面から凹部の淵までの距離によって規定される。
凹部は平坦な下ポール層に形成されるので、凹部を形成
するためのフォトリソグラフィ技術における問題点は生
じない。また、上ポール層の先端部を形成するためのレ
ジストフレームパターンは、第一段差解消層をＡＢＳ面
から十分に離すことができるので、膜厚が大きくなった
り、オーバー露光になったりすることがない。
【００１３】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドは、絶縁基
板上に、下シールド層、ＡＢＳ面にＭＲ感磁素子を挟持
したリードギャップ層、上シールド層と下ポール層とを
兼ねる共通ポール層及びライトギャップ層がこの順に積
層され、ＡＢＳ面近傍を除くライトギャップ層上に、第
一段差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層が
この順に積層され、少なくともＡＢＳ面近傍のライトギ
ャップ層上に上ポール層が積層されてなるものである。
そして、ＡＢＳ面から離れた位置の前記共通ポール層に
凹部が設けられ、この凹部に非磁性体が充填され、この
凹部によって上ポール層と下ポール層との間のギャップ
深さが規定されている。すなわち、請求項２記載の薄膜
磁気ヘッドは、ＭＲ再生ヘッドとインダクティブ記録ヘ
ッドとを組み合わせた、ＭＲ・インダクティブ複合型の
薄膜磁気ヘッドである。
板上に、下シールド層、ＡＢＳ面にＭＲ感磁素子を挟持
したリードギャップ層、上シールド層と下ポール層とを
兼ねる共通ポール層及びライトギャップ層がこの順に積
層され、ＡＢＳ面近傍を除くライトギャップ層上に、第
一段差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層が
この順に積層され、少なくともＡＢＳ面近傍のライトギ
ャップ層上に上ポール層が積層されてなるものである。
そして、ＡＢＳ面から離れた位置の前記共通ポール層に
凹部が設けられ、この凹部に非磁性体が充填され、この
凹部によって上ポール層と下ポール層との間のギャップ
深さが規定されている。すなわち、請求項２記載の薄膜
磁気ヘッドは、ＭＲ再生ヘッドとインダクティブ記録ヘ
ッドとを組み合わせた、ＭＲ・インダクティブ複合型の
薄膜磁気ヘッドである。
【００１４】請求項３乃至１３記載の薄膜磁気ヘッド
は、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、構
成要素の一部を限定したものである。請求項１４記載の
磁気記憶装置は、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド
を用いたものである。
は、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、構
成要素の一部を限定したものである。請求項１４記載の
磁気記憶装置は、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド
を用いたものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明に係る
実施形態を説明する。ただし、全図において、同一部分
には同一符号を付すこととし、これにより重複説明を省
略する。
実施形態を説明する。ただし、全図において、同一部分
には同一符号を付すこととし、これにより重複説明を省
略する。
【００１６】図１及び図２は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの第一実施形態（基本構成）を示し、図１は図２にお
けるＩ−Ｉ線縦断面図、図２は一部を省略した斜視図で
ある。以下、これらの図面に基づき説明する。
ドの第一実施形態（基本構成）を示し、図１は図２にお
けるＩ−Ｉ線縦断面図、図２は一部を省略した斜視図で
ある。以下、これらの図面に基づき説明する。
【００１７】本実施形態の薄膜磁気ヘッド１０は、絶縁
基板７２上に、下シールド層７４、ＡＢＳ面７６にＭＲ
感磁素子７８を挟持したリードギャップ層８０、上シー
ルド層と下ポール層とを兼ねる共通ポール層１２及びラ
イトギャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６
近傍を除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層
８６、コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０が
この順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ
層８４上及び第二段差解消層９０上に上ポール層１４が
積層されてなるものである。そして、ＡＢＳ面７６から
離れた位置の共通ポール層１２に凹部１６が設けられ、
凹部１６に非磁性体１８が充填され、凹部１６によって
上ポール層１４と共通ポール層１２との間のギャップ深
さＤが規定されている。ギャップ深さＤは図１に、先端
幅Ｗは図２にそれぞれ示す。
基板７２上に、下シールド層７４、ＡＢＳ面７６にＭＲ
感磁素子７８を挟持したリードギャップ層８０、上シー
ルド層と下ポール層とを兼ねる共通ポール層１２及びラ
イトギャップ層８４がこの順に積層され、ＡＢＳ面７６
近傍を除くライトギャップ層８４上に、第一段差解消層
８６、コイルパターン層８８及び第二段差解消層９０が
この順に積層され、ＡＢＳ面７６近傍のライトギャップ
層８４上及び第二段差解消層９０上に上ポール層１４が
積層されてなるものである。そして、ＡＢＳ面７６から
離れた位置の共通ポール層１２に凹部１６が設けられ、
凹部１６に非磁性体１８が充填され、凹部１６によって
上ポール層１４と共通ポール層１２との間のギャップ深
さＤが規定されている。ギャップ深さＤは図１に、先端
幅Ｗは図２にそれぞれ示す。
【００１８】ＭＲ感磁素子７８、下シールド層７４、リ
ードギャップ層８０、上シールド層としての共通ポール
層１２等により、ＭＲ再生ヘッドが構成されている。下
ポール層としての共通ポール層１２、ライトギャップ層
８４、第一段差解消層８６、コイルパターン層８８、第
二段差解消層９０、上ポール層１４等により、インダク
ティブ記録ヘッドが構成されている。共通ポール層１２
は、下側の共通ポール層１２１と上側の共通ポール層１
２２とからなり、共通ポール層１２２の一部が貫通して
凹部１６となっている。上ポール層１４は、ＡＢＳ面７
６に臨む先端部１４１と、先端部１４１に接続するヨー
ク部１４２とからなる。先端部１４１とヨーク部１４２
とは、接続部１４３を介して接続されている。凹部１６
には、レジストからなる非磁性体１８が平坦に埋め込ま
れている。共通ポール層１２２の表面と非磁性体１８の
表面とは、面一になっている。先端部１４１及び共通ポ
ール層１２には、飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．４〜２．
１Ｔの高Ｂｓ材料が使用されている。
ードギャップ層８０、上シールド層としての共通ポール
層１２等により、ＭＲ再生ヘッドが構成されている。下
ポール層としての共通ポール層１２、ライトギャップ層
８４、第一段差解消層８６、コイルパターン層８８、第
二段差解消層９０、上ポール層１４等により、インダク
ティブ記録ヘッドが構成されている。共通ポール層１２
は、下側の共通ポール層１２１と上側の共通ポール層１
２２とからなり、共通ポール層１２２の一部が貫通して
凹部１６となっている。上ポール層１４は、ＡＢＳ面７
６に臨む先端部１４１と、先端部１４１に接続するヨー
ク部１４２とからなる。先端部１４１とヨーク部１４２
とは、接続部１４３を介して接続されている。凹部１６
には、レジストからなる非磁性体１８が平坦に埋め込ま
れている。共通ポール層１２２の表面と非磁性体１８の
表面とは、面一になっている。先端部１４１及び共通ポ
ール層１２には、飽和磁束密度（Ｂｓ）が１．４〜２．
１Ｔの高Ｂｓ材料が使用されている。
【００１９】ギャップ深さＤは、ＡＢＳ面７６から第一
段差解消層８６の先端までの距離によって規定されるの
ではなく、ＡＢＳ面７６から凹部１６の淵までの距離に
よって規定される。凹部１６は、平坦な下ポール層とし
ての共通ポール層１２に形成される。そのため、凹部１
６を形成するフォトリソグラフィ技術では、特に問題点
は生じない。また、先端部１４１を形成するためのレジ
ストフレームパターン（図示せず）は、第一段差解消層
８６を積層する前の平坦な面で行うため、フォトリソグ
ラフィ技術では、特に問題無く先端部１４１の先端幅を
精度良く微細化することが出来る。
段差解消層８６の先端までの距離によって規定されるの
ではなく、ＡＢＳ面７６から凹部１６の淵までの距離に
よって規定される。凹部１６は、平坦な下ポール層とし
ての共通ポール層１２に形成される。そのため、凹部１
６を形成するフォトリソグラフィ技術では、特に問題点
は生じない。また、先端部１４１を形成するためのレジ
ストフレームパターン（図示せず）は、第一段差解消層
８６を積層する前の平坦な面で行うため、フォトリソグ
ラフィ技術では、特に問題無く先端部１４１の先端幅を
精度良く微細化することが出来る。
【００２０】図３乃至図５は、図１の薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一例を断面図である。この断面図は、図１と
同様、薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅中心部で切断し
たものである。以下、この図面に基づき、図１の薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する。
製造方法の一例を断面図である。この断面図は、図１と
同様、薄膜磁気ヘッドの記録トラック幅中心部で切断し
たものである。以下、この図面に基づき、図１の薄膜磁
気ヘッドの製造方法を説明する。
【００２１】プロセス(a) …図３(a) まず、スライダ材料となるＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣセラミッ
ク基板にＡｌ2 Ｏ3 絶縁層を設けた絶縁基板７２上に、
ＮｉＦｅ下地膜（図示せず）をスパッタ法で成膜する。
続いて、露光現像工程で所定のレジストパターンを形成
し、膜厚２μｍのＮｉＦｅメッキ膜からなる下シールド
層７４をメッキ法で形成する。続いて、レジストフレー
ムを有機溶剤で除去し、ＮｉＦｅ下地膜をドライエッチ
ング法で除去する。以下、フレームメッキ法に伴う、メ
ッキ下地の成膜及び除去並びにレジスト除去の工程は、
どこでもこれと同じであるので、その説明を省略する。
続いて、膜厚１００ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 からなるリードギ
ャップ層８０の下側部をスパッタ法で成膜し、磁気記憶
媒体より信号磁界を検出するＭＲ感磁素子７８を形成す
る。なお、ＭＲ感磁素子７８は、ＣｏＺｒＴａ(200nm)/
Ｔａ(15nm)/ ＮｉＦｅ(20nm)の三層構造からなるソフト
・アジェイセント・レイヤＭＲ素子である。さらに、膜
厚８０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 からなるリードギャップ層８０
の上側部をスパッタ法で形成する。
ク基板にＡｌ2 Ｏ3 絶縁層を設けた絶縁基板７２上に、
ＮｉＦｅ下地膜（図示せず）をスパッタ法で成膜する。
続いて、露光現像工程で所定のレジストパターンを形成
し、膜厚２μｍのＮｉＦｅメッキ膜からなる下シールド
層７４をメッキ法で形成する。続いて、レジストフレー
ムを有機溶剤で除去し、ＮｉＦｅ下地膜をドライエッチ
ング法で除去する。以下、フレームメッキ法に伴う、メ
ッキ下地の成膜及び除去並びにレジスト除去の工程は、
どこでもこれと同じであるので、その説明を省略する。
続いて、膜厚１００ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 からなるリードギ
ャップ層８０の下側部をスパッタ法で成膜し、磁気記憶
媒体より信号磁界を検出するＭＲ感磁素子７８を形成す
る。なお、ＭＲ感磁素子７８は、ＣｏＺｒＴａ(200nm)/
Ｔａ(15nm)/ ＮｉＦｅ(20nm)の三層構造からなるソフト
・アジェイセント・レイヤＭＲ素子である。さらに、膜
厚８０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 からなるリードギャップ層８０
の上側部をスパッタ法で形成する。
【００２２】プロセス(b) …図３(b) 下側の共通ポール層１２１のレジストフレームパターン
を露光現像工程で形成し、膜厚１μｍのＮｉＦｅメッキ
膜からなる共通ポール層１２１をフレームメッキ法によ
り形成する。
を露光現像工程で形成し、膜厚１μｍのＮｉＦｅメッキ
膜からなる共通ポール層１２１をフレームメッキ法によ
り形成する。
【００２３】プロセス(c) …図３(c) ギャップ深さＤを規定する平面的に矩形状の凹部１６を
形成するために、矩形のレジストパターンを露光現像工
程で形成し、膜厚３．０μｍのＮｉＦｅメッキ膜からな
る上側の共通ポール層１２２をメッキ法で形成する。メ
ッキ終了後、矩形のレジストパターンを除去することに
より、凹部１６が形成される。
形成するために、矩形のレジストパターンを露光現像工
程で形成し、膜厚３．０μｍのＮｉＦｅメッキ膜からな
る上側の共通ポール層１２２をメッキ法で形成する。メ
ッキ終了後、矩形のレジストパターンを除去することに
より、凹部１６が形成される。
【００２４】プロセス(d) …図４(d) 凹部１６の部分にレジストからなる非磁性体１８を埋め
込むために、共通ポール層１２２の１．５倍の膜厚のレ
ジストパターンを露光現像工程で形成する。続いて、オ
ーブン又はホットプレートを用い１００〜１２０℃かつ
３０分の熱処理によりレジストを軟化させ、これにより
凹部１６内部をレジストで埋め込む。続いて、さらに２
５０〜２７０℃かつ３０分で熱硬化させる。この時点
で、共通ポール層１２２の上部とレジストの上部とは、
ほぼ平坦になる。
込むために、共通ポール層１２２の１．５倍の膜厚のレ
ジストパターンを露光現像工程で形成する。続いて、オ
ーブン又はホットプレートを用い１００〜１２０℃かつ
３０分の熱処理によりレジストを軟化させ、これにより
凹部１６内部をレジストで埋め込む。続いて、さらに２
５０〜２７０℃かつ３０分で熱硬化させる。この時点
で、共通ポール層１２２の上部とレジストの上部とは、
ほぼ平坦になる。
【００２５】プロセス(e) …図４(e) 膜厚３５０ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜をスパッタ法で成膜する
ことにより、ライトギャップ層８４を形成する。
ことにより、ライトギャップ層８４を形成する。
【００２６】プロセス(f) …図４(f) 膜厚４μｍかつトラック幅（先端幅Ｗ）１μｍの上ポー
ル層１４を実現するため、ＮｉＦｅメッキ膜からなる先
端部１４１をフレームメッキ法により形成する。
ル層１４を実現するため、ＮｉＦｅメッキ膜からなる先
端部１４１をフレームメッキ法により形成する。
【００２７】プロセス(g) …図５(g) 先端部１４１の膜厚とほぼ等しい膜厚の第一段差解消層
８６を、レジストパターンを露光現像工程で形成する。
続いて、オーブン又はホットプレートで１００〜１２０
℃かつ３０分の熱処理によりレジストを軟化させ、さら
に２５０〜２７０℃かつ３０分でレジストを熱硬化させ
ることにより第一段差解消層８６を形成する。
８６を、レジストパターンを露光現像工程で形成する。
続いて、オーブン又はホットプレートで１００〜１２０
℃かつ３０分の熱処理によりレジストを軟化させ、さら
に２５０〜２７０℃かつ３０分でレジストを熱硬化させ
ることにより第一段差解消層８６を形成する。
【００２８】プロセス(h) …図５(h) 所定の形状のレジストパターンを露光現像工程で形成し
た後、膜厚４．５μｍのＣｕメッキ膜からなるコイルパ
ターン８８をメッキ法により形成する。
た後、膜厚４．５μｍのＣｕメッキ膜からなるコイルパ
ターン８８をメッキ法により形成する。
【００２９】プロセス(i) …図５(i) レジストパターンを露光現像工程で所定の形状に形成す
ることにより、第二段差解消層９０形成する。続いて、
オーブン又はホットプレートで１００〜１２０℃かつ３
０分の熱処理によりレジストを軟化させ、さらに２５０
〜２７０℃かつ６０分でレジストを熱硬化させる。
ることにより、第二段差解消層９０形成する。続いて、
オーブン又はホットプレートで１００〜１２０℃かつ３
０分の熱処理によりレジストを軟化させ、さらに２５０
〜２７０℃かつ６０分でレジストを熱硬化させる。
【００３０】プロセス(j) …図１ 先端部１４１の後方の接続部１４３にヨーク部１４２が
重なるように、ヨーク部１４２を形成するレジストフレ
ームパターンを露光現像工程で形成する。続いて、フレ
ームメッキ法により、先端部１４１より厚い膜厚４μｍ
のＮｉＦｅ膜からなるヨーク部１４２をメッキ法で形成
する。
重なるように、ヨーク部１４２を形成するレジストフレ
ームパターンを露光現像工程で形成する。続いて、フレ
ームメッキ法により、先端部１４１より厚い膜厚４μｍ
のＮｉＦｅ膜からなるヨーク部１４２をメッキ法で形成
する。
【００３１】図６は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
二実施形態（ラップ平坦化）を示す断面図である。以
下、この図面に基づき説明する。
二実施形態（ラップ平坦化）を示す断面図である。以
下、この図面に基づき説明する。
【００３２】図３（ｃ）のプロセスの後に、図６（ａ）
で示すように、共通ポール層１２２上にＡｌ2 Ｏ3 膜１
８１をスパッタ法で成膜する。続いて、図６（ｂ）で示
すように、共通ポール層１２２の表面が出るまでＡｌ2
Ｏ3 膜１８１をラップ加工で研磨することにより、共通
ポール層１２２を平坦化するとともに非磁性体１８２を
形成する。これにより、共通ポール層１２２の表面と非
磁性体１８２の表面とが面一となる。したがって、上ポ
ール層１４の先端部１４１を形成するためのレジストフ
レームパターン幅の寸法精度を上げることができるの
で、上ポール層１４の狭トラック幅化が容易に実現でき
る。
で示すように、共通ポール層１２２上にＡｌ2 Ｏ3 膜１
８１をスパッタ法で成膜する。続いて、図６（ｂ）で示
すように、共通ポール層１２２の表面が出るまでＡｌ2
Ｏ3 膜１８１をラップ加工で研磨することにより、共通
ポール層１２２を平坦化するとともに非磁性体１８２を
形成する。これにより、共通ポール層１２２の表面と非
磁性体１８２の表面とが面一となる。したがって、上ポ
ール層１４の先端部１４１を形成するためのレジストフ
レームパターン幅の寸法精度を上げることができるの
で、上ポール層１４の狭トラック幅化が容易に実現でき
る。
【００３３】図７は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
三実施形態（貫通凹部）を示す断面図である。以下、こ
の図面に基づき説明する。なお、図７以降の図面では、
すべて絶縁基板７２を省略する。
三実施形態（貫通凹部）を示す断面図である。以下、こ
の図面に基づき説明する。なお、図７以降の図面では、
すべて絶縁基板７２を省略する。
【００３４】図３（ａ）のプロセスの後に、図７に示す
ように、一層のみの共通ポール層１２３を形成し、貫通
した凹部１６を形成する。なお、凹部１６の広さ（底面
積）を狭くすれば、磁気抵抗を低減できる。本実形態に
よれば、共通ポール層１２３の形成プロセスが一工程省
略でき、これにより製造コストも低減できる。
ように、一層のみの共通ポール層１２３を形成し、貫通
した凹部１６を形成する。なお、凹部１６の広さ（底面
積）を狭くすれば、磁気抵抗を低減できる。本実形態に
よれば、共通ポール層１２３の形成プロセスが一工程省
略でき、これにより製造コストも低減できる。
【００３５】図８は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
四実施形態（凹部コーナ形状）を一部を省略して示す平
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
四実施形態（凹部コーナ形状）を一部を省略して示す平
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００３６】図３（ｃ）で示したプロセスにおいて、共
通ポール層１２２に設けられた凹部１６の水平方向の断
面形状は矩形である。これに対して、本実施形態におけ
る凹部１６１は、図８に示すように、凹部１６１のＡＢ
Ｓ面７６側の淵の形状がＡＢＳ面７６に近づくにつれて
狭くなっている。これにより、磁気抵抗を下げることが
できる。このとき、接続部１４３ａは、凹部１６１の外
形より小さくする。これにより、磁束の漏れが制限でき
るので、磁気記録効率の良いインダクティブ記録ヘッド
が得られる。
通ポール層１２２に設けられた凹部１６の水平方向の断
面形状は矩形である。これに対して、本実施形態におけ
る凹部１６１は、図８に示すように、凹部１６１のＡＢ
Ｓ面７６側の淵の形状がＡＢＳ面７６に近づくにつれて
狭くなっている。これにより、磁気抵抗を下げることが
できる。このとき、接続部１４３ａは、凹部１６１の外
形より小さくする。これにより、磁束の漏れが制限でき
るので、磁気記録効率の良いインダクティブ記録ヘッド
が得られる。
【００３７】図９は、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
五実施形態（凹部円形）を一部を省略して示す平面図で
ある。以下、この図面に基づき説明する。
五実施形態（凹部円形）を一部を省略して示す平面図で
ある。以下、この図面に基づき説明する。
【００３８】本実施形態における凹部１６２は、図９に
示すように、水平方向の断面形状がほぼ円形になってい
る。これにより、磁気抵抗をさらに下げることができ
る。このとき、接続部１４３ｂは、凹部１６２の外形よ
り小さい円形とする。これにより、磁束の漏れが制限で
きるので、磁気記録効率の良いインダクティブ記録ヘッ
ドが得られる。
示すように、水平方向の断面形状がほぼ円形になってい
る。これにより、磁気抵抗をさらに下げることができ
る。このとき、接続部１４３ｂは、凹部１６２の外形よ
り小さい円形とする。これにより、磁束の漏れが制限で
きるので、磁気記録効率の良いインダクティブ記録ヘッ
ドが得られる。
【００３９】図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
六実施形態（接続部かぶさり）を示し、図１０（ａ）は
一部を省略して示す正面図、図１０（ｂ）は図１０
（ａ）におけるＸ−Ｘ線縦断面図、図１０（ｃ）は一部
を省略して示す平面図である。以下、これらの図面に基
づき説明する。
六実施形態（接続部かぶさり）を示し、図１０（ａ）は
一部を省略して示す正面図、図１０（ｂ）は図１０
（ａ）におけるＸ−Ｘ線縦断面図、図１０（ｃ）は一部
を省略して示す平面図である。以下、これらの図面に基
づき説明する。
【００４０】ヨーク部１４２ａは、接続部１４３ｃ，１
４３ｄを介して先端部１４１に接続されている。接続部
１４３ｃは先端部１４１の上面であり、接続部１４３ｄ
は先端部１４１の両側面である。つまり、ヨーク部１４
２ａは、先端部１４１の外周を覆い、ライトギャップ層
８４にも接触している。本実施形態によれば、接続部に
おける接触面積が大きいので、接続部での磁気抵抗を下
げることができる。また、ヨーク部１４２ａと先端部１
４１とを接続する接続精度に対して十分な余裕がある。
４３ｄを介して先端部１４１に接続されている。接続部
１４３ｃは先端部１４１の上面であり、接続部１４３ｄ
は先端部１４１の両側面である。つまり、ヨーク部１４
２ａは、先端部１４１の外周を覆い、ライトギャップ層
８４にも接触している。本実施形態によれば、接続部に
おける接触面積が大きいので、接続部での磁気抵抗を下
げることができる。また、ヨーク部１４２ａと先端部１
４１とを接続する接続精度に対して十分な余裕がある。
【００４１】図１１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
七実施形態（共通ポール層トリム）を示し、図１１
（ａ）は一部を省略して示す正面図、図１１（ｂ）は図
１１（ａ）におけるXI−XI線横断面図、図１１（ｃ）は
図１１（ａ）におけるXI−XI線横断面図である。以下、
これらの図面に基づき説明する。
七実施形態（共通ポール層トリム）を示し、図１１
（ａ）は一部を省略して示す正面図、図１１（ｂ）は図
１１（ａ）におけるXI−XI線横断面図、図１１（ｃ）は
図１１（ａ）におけるXI−XI線横断面図である。以下、
これらの図面に基づき説明する。
【００４２】本実施形態では、凹部１６のＡＢＳ面７６
側の淵からＡＢＳ面７６までの共通ポール層１２２は、
先端部１４１に対向する部分を残して、全部又は一部が
除去されている。図１１（ｂ）はその第一例であり、共
通ポール層１２２が除去された切欠き部１２２ａ，１２
２ｂと、残った共通ポール層１２２からなる先端部１４
２ｃとが形成されている。切欠き部１２２ａ，１２２ｂ
は、ＡＢＳ面７６から凹部１６のＡＢＳ面７６側の淵ま
で達している。図１１（ｃ）はその第二例であり、共通
ポール層１２２が除去された切欠き部１２２ｄ，１２２
ｅと、残った共通ポール層１２２からなる先端部１４２
ｆとが形成されている。切欠き部１２２ｄ，１２２ｅ
は、ＡＢＳ面７６に形成され、凹部１６のＡＢＳ面７６
側の淵までは達していない。本実施形態によれば、記録
磁界がトラック幅方向の広がりを最小限に制限できるの
で、記録トラック幅密度の向上が可能である。なお、切
欠き部１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｄ，１２２ｅ内に
は、凹部１６と同様、非磁性体１８が充填されている。
側の淵からＡＢＳ面７６までの共通ポール層１２２は、
先端部１４１に対向する部分を残して、全部又は一部が
除去されている。図１１（ｂ）はその第一例であり、共
通ポール層１２２が除去された切欠き部１２２ａ，１２
２ｂと、残った共通ポール層１２２からなる先端部１４
２ｃとが形成されている。切欠き部１２２ａ，１２２ｂ
は、ＡＢＳ面７６から凹部１６のＡＢＳ面７６側の淵ま
で達している。図１１（ｃ）はその第二例であり、共通
ポール層１２２が除去された切欠き部１２２ｄ，１２２
ｅと、残った共通ポール層１２２からなる先端部１４２
ｆとが形成されている。切欠き部１２２ｄ，１２２ｅ
は、ＡＢＳ面７６に形成され、凹部１６のＡＢＳ面７６
側の淵までは達していない。本実施形態によれば、記録
磁界がトラック幅方向の広がりを最小限に制限できるの
で、記録トラック幅密度の向上が可能である。なお、切
欠き部１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｄ，１２２ｅ内に
は、凹部１６と同様、非磁性体１８が充填されている。
【００４３】図１２は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
八実施形態（高Ｂｓ材料：上ポール層先端一部）を示す
断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
八実施形態（高Ｂｓ材料：上ポール層先端一部）を示す
断面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００４４】近年、磁気ヘッドの高密度化に伴い、磁気
記憶媒体の高Ｈｃ化が進んできている。高Ｈｃ媒体に飽
和記録できる記録ポールの高Ｂｓ材料として、ＣｏＺｒ
Ｔａ（Ｂｓ＝１．４〜１．６Ｔ）又はＣｏＮｉＦｅ（Ｂ
ｓ＝１．８〜２．１Ｔ）等がある。これらの高Ｂｓ材料
のＢｓは、普通の磁性材料であるＮｉＦｅが１．０Ｔで
あるのに対して、１．４〜２．１Ｔもある。以下、Ｂｓ
＝１．４〜２．１Ｔの材料を高Ｂｓ材料と総称する。
記憶媒体の高Ｈｃ化が進んできている。高Ｈｃ媒体に飽
和記録できる記録ポールの高Ｂｓ材料として、ＣｏＺｒ
Ｔａ（Ｂｓ＝１．４〜１．６Ｔ）又はＣｏＮｉＦｅ（Ｂ
ｓ＝１．８〜２．１Ｔ）等がある。これらの高Ｂｓ材料
のＢｓは、普通の磁性材料であるＮｉＦｅが１．０Ｔで
あるのに対して、１．４〜２．１Ｔもある。以下、Ｂｓ
＝１．４〜２．１Ｔの材料を高Ｂｓ材料と総称する。
【００４５】本実施形態では、先端部１４１を先端部下
側１４１ａと先端部上側１４１ｂとの積層構造とし、ラ
イトギャップ層８４側の先端部下側１４１ａを、高Ｂｓ
材料を用いてメッキ法又はスパッタ法で形成する。メッ
キ法を用いた場合は、先端部下側１４１ａの高Ｂｓ材料
メッキと先端部上側１４１ｂのＮｉＦｅメッキとで共通
のメッキフレームパターンを用い、０．３μｍのＣｏＮ
ｉＦｅと２．７μｍのＮｉＦｅとを連続してメッキす
る。スパッタ法を用いた場合は、先端部下側１４１ａを
形成する部分以外に露光現像工程でカバーレジストパタ
ーンを形成後、スパッタ工程で０．３μｍのＣｏＮｉＦ
ｅを成膜する。続いて、前記カバーレジストパターンを
有機溶剤等で除去することにより、先端部下側１４１ａ
を形成する。続いて、フレームメッキ法で２．７μｍの
ＮｉＦｅからなる先端部上側１４１ｂを形成する。本実
施形態によれば、高Ｈｃ媒体に飽和記録できるため、狭
トラック記録に適した磁気ヘッドを提供することが可能
である。なお、高Ｂｓ材料を使った場合の効果は、以下
同様である。
側１４１ａと先端部上側１４１ｂとの積層構造とし、ラ
イトギャップ層８４側の先端部下側１４１ａを、高Ｂｓ
材料を用いてメッキ法又はスパッタ法で形成する。メッ
キ法を用いた場合は、先端部下側１４１ａの高Ｂｓ材料
メッキと先端部上側１４１ｂのＮｉＦｅメッキとで共通
のメッキフレームパターンを用い、０．３μｍのＣｏＮ
ｉＦｅと２．７μｍのＮｉＦｅとを連続してメッキす
る。スパッタ法を用いた場合は、先端部下側１４１ａを
形成する部分以外に露光現像工程でカバーレジストパタ
ーンを形成後、スパッタ工程で０．３μｍのＣｏＮｉＦ
ｅを成膜する。続いて、前記カバーレジストパターンを
有機溶剤等で除去することにより、先端部下側１４１ａ
を形成する。続いて、フレームメッキ法で２．７μｍの
ＮｉＦｅからなる先端部上側１４１ｂを形成する。本実
施形態によれば、高Ｈｃ媒体に飽和記録できるため、狭
トラック記録に適した磁気ヘッドを提供することが可能
である。なお、高Ｂｓ材料を使った場合の効果は、以下
同様である。
【００４６】図１３は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
九実施形態（高Ｂｓ材料：上ポール層全体）を示す断面
図である。以下、この図面に基づき説明する。
九実施形態（高Ｂｓ材料：上ポール層全体）を示す断面
図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００４７】本実施形態では、上ポール層１４の先端部
１４１ｃ全体を高Ｂｓ材料で形成している。本実施形態
によれば、先端部１４１ｃ全体が高Ｂｓ材料で形成され
ているため、磁気記録能力の増大が図れる。
１４１ｃ全体を高Ｂｓ材料で形成している。本実施形態
によれば、先端部１４１ｃ全体が高Ｂｓ材料で形成され
ているため、磁気記録能力の増大が図れる。
【００４８】図１４は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
十実施形態（高Ｂｓ材料：上側共通ポール層）を示す断
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
十実施形態（高Ｂｓ材料：上側共通ポール層）を示す断
面図である。以下、この図面に基づき説明する。
【００４９】本実施形態では、共通ポール層１２２ｇを
高Ｂｓ材料を用いてメッキ法又はスパッタ法で形成して
いる。先端部下側１４１ａ及び先端部上側１４１ｂに関
しては、第八実施形態で説明した方法で形成する。共通
ポール層１２２ｇ及び先端部１４１に高Ｂｓ材料を用い
ることにより、オーバーライトの特性を向上させること
ができる。
高Ｂｓ材料を用いてメッキ法又はスパッタ法で形成して
いる。先端部下側１４１ａ及び先端部上側１４１ｂに関
しては、第八実施形態で説明した方法で形成する。共通
ポール層１２２ｇ及び先端部１４１に高Ｂｓ材料を用い
ることにより、オーバーライトの特性を向上させること
ができる。
【００５０】図１５は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
十一実施形態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内有
り）を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明
する。
十一実施形態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内有
り）を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明
する。
【００５１】本実施形態では、共通ポール層１２２が共
通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１２２ｉと
の二層構造になっている。共通ポール層上側１２２ｉ
は、凹部１６形成後に、高Ｂｓ材料を用いてメッキ法又
はスパッタ法で形成され、凹部１６の内面にも形成され
る。また、先端部下側１４１ａ及び先端部上側１４１ｂ
に関しては、第八実施形態で説明した方法で形成する。
本実施形態によれば、凹部１６の内部の側面及び底面と
先端部下側１４１ａとが連続して高Ｂｓ材料で形成され
るため、凹部１６で磁束が途切れることがなく、効率よ
く流れる効果がある。
通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１２２ｉと
の二層構造になっている。共通ポール層上側１２２ｉ
は、凹部１６形成後に、高Ｂｓ材料を用いてメッキ法又
はスパッタ法で形成され、凹部１６の内面にも形成され
る。また、先端部下側１４１ａ及び先端部上側１４１ｂ
に関しては、第八実施形態で説明した方法で形成する。
本実施形態によれば、凹部１６の内部の側面及び底面と
先端部下側１４１ａとが連続して高Ｂｓ材料で形成され
るため、凹部１６で磁束が途切れることがなく、効率よ
く流れる効果がある。
【００５２】図１６は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
十二実施形態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内無
し）を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明
する。
十二実施形態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内無
し）を示す断面図である。以下、この図面に基づき説明
する。
【００５３】本実施形態では、共通ポール層１２２が共
通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１２２ｊと
の二層構造となっている。共通ポール層下側１２２ｈは
膜厚２．７μｍのＮｉＦｅからなり、共通ポール層下側
１２２ｈは膜厚３００ｎｍの高Ｂｓ材料からなり、これ
らは連続してメッキ法により形成される。また、先端部
歯科側１４１ａと先端部上側１４１ｂとに関しては、第
八実施形態で説明した方法で形成する。本実施形態によ
れば、共通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１
２２ｊとのレジストフレームパターンの形状が同じであ
るため、新たなレジストフレームパターンを形成するこ
となく高Ｂｓの共通ポール層上側１２２ｊをメッキ工程
で形成することができる。そのため製造コストの低減に
なる。
通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１２２ｊと
の二層構造となっている。共通ポール層下側１２２ｈは
膜厚２．７μｍのＮｉＦｅからなり、共通ポール層下側
１２２ｈは膜厚３００ｎｍの高Ｂｓ材料からなり、これ
らは連続してメッキ法により形成される。また、先端部
歯科側１４１ａと先端部上側１４１ｂとに関しては、第
八実施形態で説明した方法で形成する。本実施形態によ
れば、共通ポール層下側１２２ｈと共通ポール層上側１
２２ｊとのレジストフレームパターンの形状が同じであ
るため、新たなレジストフレームパターンを形成するこ
となく高Ｂｓの共通ポール層上側１２２ｊをメッキ工程
で形成することができる。そのため製造コストの低減に
なる。
【００５４】図１７は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第
十三実施形態（高Ｂｓ材料：全部）を示す断面図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。
十三実施形態（高Ｂｓ材料：全部）を示す断面図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。
【００５５】本実施形態では、共通ポール層１２１ｋ，
１２２ｋ及び先端部１４１ｄの全体が、高Ｂｓ材料のメ
ッキ法又はスパッタ法で形成されている。本実施形態に
よれば、磁気記録能力をより増大できる。
１２２ｋ及び先端部１４１ｄの全体が、高Ｂｓ材料のメ
ッキ法又はスパッタ法で形成されている。本実施形態に
よれば、磁気記録能力をより増大できる。
【００５６】図１８は本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用
いた磁気記憶装置の一実施形態を示す概略構成図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。
いた磁気記憶装置の一実施形態を示す概略構成図であ
る。以下、この図面に基づき説明する。
【００５７】本実施形態の磁気記憶装置３０は、第一実
施形態の薄膜磁気ヘッド１０、磁気記憶媒体３２、磁気
記憶媒体３２を回転させるスピンドルモータ３４、薄膜
磁気ヘッド１０を磁気記憶媒体３２上で移動させるボイ
スコイルモータ３６、図示しない上位装置にからの指令
に基づき動作する制御部３８等によって構成されてい
る。制御部３８は、スピンドルモータ３４及びボイスコ
イルモータ３６を駆動するとともに、薄膜磁気ヘッド１
０によって磁気記憶媒体３２に対しデータの記録・再生
を行う。
施形態の薄膜磁気ヘッド１０、磁気記憶媒体３２、磁気
記憶媒体３２を回転させるスピンドルモータ３４、薄膜
磁気ヘッド１０を磁気記憶媒体３２上で移動させるボイ
スコイルモータ３６、図示しない上位装置にからの指令
に基づき動作する制御部３８等によって構成されてい
る。制御部３８は、スピンドルモータ３４及びボイスコ
イルモータ３６を駆動するとともに、薄膜磁気ヘッド１
０によって磁気記憶媒体３２に対しデータの記録・再生
を行う。
【００５８】本実施形態の磁気記録装置は、薄膜磁気ヘ
ッド１０を用いているので、記録トラック幅が１．２μ
ｍ以下である。このトラック幅で実現できる記録密度は
４Ｇビット／（インチ）2 以上である。そのため、３．
５インチφディスクを用いれば、１枚あたり５Ｇバイト
以上の高記録密度を有する磁気記録装置が容易に提供で
きる。
ッド１０を用いているので、記録トラック幅が１．２μ
ｍ以下である。このトラック幅で実現できる記録密度は
４Ｇビット／（インチ）2 以上である。そのため、３．
５インチφディスクを用いれば、１枚あたり５Ｇバイト
以上の高記録密度を有する磁気記録装置が容易に提供で
きる。
【００５９】なお、本発明は、いうまでもなく、上記実
施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係
る薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ・インダクティブ複合型の薄
膜磁気ヘッドに限らず、インダクティブ型のみからなる
薄膜磁気ヘッド、ＭＲ型以外の再生ヘッドとインダクテ
ィブ型の記録ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッド等でもよ
い。また、下シールド層としては、ＮｉＦｅのメッキ膜
に限らず、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴ
ａＮ等のスパッタ膜でもよい。
施形態に限定されるものではない。例えば、本発明に係
る薄膜磁気ヘッドは、ＭＲ・インダクティブ複合型の薄
膜磁気ヘッドに限らず、インダクティブ型のみからなる
薄膜磁気ヘッド、ＭＲ型以外の再生ヘッドとインダクテ
ィブ型の記録ヘッドとの複合型薄膜磁気ヘッド等でもよ
い。また、下シールド層としては、ＮｉＦｅのメッキ膜
に限らず、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＣｏＺｒＴａ、ＦｅＴ
ａＮ等のスパッタ膜でもよい。
【００６０】
【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、
ＡＢＳ面から離れた位置の下ポール層又は共通ポール層
に凹部が設けられ、この凹部に非磁性体が充填され、こ
の凹部によってギャップ深さが規定されていることによ
り、ＡＢＳ面から第一段差解消層の先端までの距離によ
ってギャップ深さが規定されない。そのため、第一段差
解消層をＡＢＳ面から十分に離すことができるので、上
ポール層の先端部を形成するためのレジストフレームパ
ターンは、第一段差解消層等の段差によって膜厚が大き
くなったり、第一段差解消層等の反射光によってオーバ
ー露光になったりすることがない。したがって、ギャッ
プ深さ及び先端幅を精度良く微細化することができる。
ＡＢＳ面から離れた位置の下ポール層又は共通ポール層
に凹部が設けられ、この凹部に非磁性体が充填され、こ
の凹部によってギャップ深さが規定されていることによ
り、ＡＢＳ面から第一段差解消層の先端までの距離によ
ってギャップ深さが規定されない。そのため、第一段差
解消層をＡＢＳ面から十分に離すことができるので、上
ポール層の先端部を形成するためのレジストフレームパ
ターンは、第一段差解消層等の段差によって膜厚が大き
くなったり、第一段差解消層等の反射光によってオーバ
ー露光になったりすることがない。したがって、ギャッ
プ深さ及び先端幅を精度良く微細化することができる。
【００６１】例えば、上ポール層の先端部を形成するた
めのレジストフレームパターンは、膜厚が約５μｍと薄
くでき、また、平坦な部分で形成できる。その結果、Ｈ
ｇのｉ線による縮小投影露光機方式を本発明に適用する
と、上ポール層の先端幅で規定している記録トラック幅
を１．０μｍ以下にできる。
めのレジストフレームパターンは、膜厚が約５μｍと薄
くでき、また、平坦な部分で形成できる。その結果、Ｈ
ｇのｉ線による縮小投影露光機方式を本発明に適用する
と、上ポール層の先端幅で規定している記録トラック幅
を１．０μｍ以下にできる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第一実施形態
（基本構成）を示す、図２におけるＩ−Ｉ線縦断面図で
ある。
（基本構成）を示す、図２におけるＩ−Ｉ線縦断面図で
ある。
【図２】図１の薄膜磁気ヘッドを示す、一部を省略した
斜視図である。
斜視図である。
【図３】図１の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示す
断面図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）の
順に工程が進行する。
断面図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）の
順に工程が進行する。
【図４】図１の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示す
断面図であり、図４（ｄ）、図４（ｅ）、図４（ｆ）の
順に工程が進行する。
断面図であり、図４（ｄ）、図４（ｅ）、図４（ｆ）の
順に工程が進行する。
【図５】図１の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一例を示す
断面図であり、図５（ｇ）、図５（ｈ）、図５（ｉ）の
順に工程が進行する。
断面図であり、図５（ｇ）、図５（ｈ）、図５（ｉ）の
順に工程が進行する。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第二実施形態
（ラップ平坦化）における製造方法を示す断面図であ
り、図６（ａ）、図６（ｂ）の順に工程が進行する。
（ラップ平坦化）における製造方法を示す断面図であ
り、図６（ａ）、図６（ｂ）の順に工程が進行する。
【図７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第三実施形態
（貫通凹部）を示す断面図である。
（貫通凹部）を示す断面図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第四実施形態
（凹部コーナ形状）を一部を省略して示す平面図であ
る。
（凹部コーナ形状）を一部を省略して示す平面図であ
る。
【図９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第五実施形態
（凹部円形）を一部を省略して示す平面図である。
（凹部円形）を一部を省略して示す平面図である。
【図１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第六実施形態
（接続部かぶさり）を示し、図１０（ａ）は一部を省略
して示す正面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）における
Ｘ−Ｘ線縦断面図、図１０（ｃ）は一部を省略して示す
平面図である。
（接続部かぶさり）を示し、図１０（ａ）は一部を省略
して示す正面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）における
Ｘ−Ｘ線縦断面図、図１０（ｃ）は一部を省略して示す
平面図である。
【図１１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第七実施形態
（共通ポール層トリム）を示し、図１１（ａ）は一部を
省略して示す正面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）にお
けるXI−XI線横断面図、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に
おけるXI−XI線横断面図である。
（共通ポール層トリム）を示し、図１１（ａ）は一部を
省略して示す正面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）にお
けるXI−XI線横断面図、図１１（ｃ）は図１１（ａ）に
おけるXI−XI線横断面図である。
【図１２】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第八実施形態
（高Ｂｓ材料：上ポール層先端一部）を示す断面図であ
る。
（高Ｂｓ材料：上ポール層先端一部）を示す断面図であ
る。
【図１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第九実施形態
（高Ｂｓ材料：上ポール層全体）を示す断面図である。
（高Ｂｓ材料：上ポール層全体）を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第十実施形態
（高Ｂｓ材料：上側共通ポール層）を示す断面図であ
る。
（高Ｂｓ材料：上側共通ポール層）を示す断面図であ
る。
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第十一実施形
態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内有り）を示す断
面図である。
態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内有り）を示す断
面図である。
【図１６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第十二実施形
態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内無し）を示す断
面図である。
態（高Ｂｓ材料：共通ポール層、凹部内無し）を示す断
面図である。
【図１７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第十三実施形
態（高Ｂｓ材料：全部）を示す断面図である。
態（高Ｂｓ材料：全部）を示す断面図である。
【図１８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記
憶装置の一実施形態を示す概略構成図である。
憶装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図１９】従来の薄膜磁気ヘッドを示す断面図である。
１０ 薄膜磁気ヘッド １２ 共通ポール層 １４ 上ポール層 １６ 凹部 １８ 非磁性体 ７２ 絶縁基板 ７４ 下シールド層 ７６ ＡＢＳ面 ７８ ＭＲ感磁素子 ８０ リードギャップ層 ８４ ライトギャップ層 ８６ 第一段差解消層 ８８ コイルパターン層 ９０ 第二段差解消層 Ｄ ギャップ深さ Ｗ 先端幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋林 清孝 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 野中 義弘 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 鳥羽 環 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 下ポール層上にライトギャップ層が積層
され、ＡＢＳ面近傍を除く前記ライトギャップ層上に、
第一段差解消層、コイルパターン層及び第二段差解消層
がこの順に積層され、少なくともＡＢＳ面近傍の前記ラ
イトギャップ層上に上ポール層が積層されてなる、薄膜
磁気ヘッドにおいて、 ＡＢＳ面から離れた位置の前記下ポール層に凹部が設け
られ、この凹部に非磁性体が充填され、この凹部によっ
て前記上ポール層と前記下ポール層との間のギャップ深
さが規定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 絶縁基板上に、下シールド層、ＡＢＳ面
にＭＲ感磁素子を挟持したリードギャップ層、上シール
ド層と下ポール層とを兼ねる共通ポール層及びライトギ
ャップ層がこの順に積層され、ＡＢＳ面近傍を除く前記
ライトギャップ層上に、第一段差解消層、コイルパター
ン層及び第二段差解消層がこの順に積層され、少なくと
もＡＢＳ面近傍の前記ライトギャップ層上に上ポール層
が積層されてなる、薄膜磁気ヘッドにおいて、 ＡＢＳ面から離れた位置の前記共通ポール層に凹部が設
けられ、この凹部に非磁性体が充填され、この凹部によ
って前記上ポール層と前記下ポール層との間のギャップ
深さが規定されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項３】 前記非磁性体が高分子樹脂である、請求
項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項４】 前記非磁性体は、前記凹部内及び前記下
ポール層上又は前記共通ポール層上に酸化物絶縁物質を
被着し、この酸化物絶縁物質を前記下ポール層又は前記
共通ポール層に達するまで平面的に研磨して形成したも
のである、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項５】 前記凹部は、前記下ポール層又は前記共
通ポール層を貫通したものである、請求項１又は２記載
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 前記凹部の前記ＡＢＳ面側の淵の形状が
当該ＡＢＳ面に近づくにつれて狭くなっている、請求項
１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項７】 前記凹部の淵の形状がほぼ円形である、
請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 前記上ポール層は、前記ＡＢＳ面に臨む
先端部と、この先端部に接続部を介して接続されたヨー
ク部とからなり、 前記凹部の淵は、前記接続部の外側に位置している、 請求項６又は７記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 前記上ポール層は、前記ＡＢＳ面に臨む
先端部と、この先端部に接続部を介して接続されたヨー
ク部とからなり、 前記接続部における前記ヨーク部は、前記先端部の上面
及び両側面と前記ライトギャップ層とに接触している、
請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 前記凹部の前記ＡＢＳ面側の淵から当
該ＡＢＳ面までの前記下ポール層又は前記共通ポール層
は、前記上ポール層の先端部に対向する部分を残して、
全部又は一部が除去されている、請求項１又は２記載の
薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 前記上ポール層の先端部の少なくとも
前記ライトギャップ層側は、飽和磁束密度が１．４Ｔ以
上の材料からなる、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。 - 【請求項１２】 前記共通ポール層又は前記下ポール層
の少なくとも前記リードギャップ層側及び前記凹部の内
面は、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の材料からなる、請
求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 【請求項１２】 前記共通ポール層又は前記下ポール層
の少なくとも前記リードギャップ層側は、前記凹部の内
面を除き、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の材料からな
る、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１３】 前記上ポール層の先端部の少なくとも
前記ライトギャップ層側、前記共通ポール層又は前記下
ポール層の少なくとも前記リードギャップ層側及び前記
凹部の内面は、飽和磁束密度が１．４Ｔ以上の材料から
なる、請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド
と、磁気記憶媒体と、この磁気記憶媒体と前記薄膜磁気
ヘッドとの間で相対運動を生じさせる駆動手段とを備え
た磁気記憶装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10158974A JPH11353614A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 |
| US09/317,542 US6597543B1 (en) | 1998-06-08 | 1999-05-24 | Thin-film magnetic head and magnetic storage apparatus using the same |
| US10/375,239 US7054107B2 (en) | 1998-06-08 | 2003-02-27 | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US11/333,897 US7239482B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-01-18 | Thin-film magnetic head and nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
| US11/388,695 US7230794B2 (en) | 1998-06-08 | 2006-03-24 | Thin-film magnetic head with nonmagnetic body filled concave portion formed on a pole layer and magnetic storage apparatus using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10158974A JPH11353614A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11353614A true JPH11353614A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15683452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10158974A Pending JPH11353614A (ja) | 1998-06-08 | 1998-06-08 | 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US6597543B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11353614A (ja) |
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