JP2000280666A - Ｉｃカードの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板層上に設けられたコンタクト端子を
精度良く露出させることのできるＩＣカードの製造方法
を提供する。 【解決手段】 配線基板保護層５の下面に配線基板層３
上に形成されたコンタクト端子３１と対抗する位置に所
定の深さの切れ込みを形成し、最下層から順に、第１の
保護層１と第１の接着層２と配線基板層３と第２の接着
層４と配線基板保護層５と第３の接着層６と第２の保護
層７とを積層し、積層された各層を上下方向から挟み込
み熱圧着し、第２の保護層７の表面からコンタクト端子
３１を露出するためのザグリ穴を切れ込み部分に相当す
る深さまで形成し、ザグリ穴の底部に残存する配線基板
保護層５の断片を除去し、除去されたザグリ穴にＩＣモ
ジュール８を搭載してコンタクト端子３１とＩＣモジュ
ール８の接続端子８１とを接続する。以上の方法によ
り、配線基板層３を傷つけることなくコンタクト端子を
精度良く露出させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣカードの製造
方法に関し、特に、外部機器とのデータ通信を行う際に
接触型および非接触型の両用可能なＩＣカードの製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の接触型および非接触型の両用可能
なＩＣカードの製造方法は、一般に、非接触型によるデ
ータ通信を行うループアンテナ及びＩＣチップと接触型
によるデータ通信を行うＩＣモジュールを接続するため
のコンタクト端子とが形成された配線基板層、あるいは
非接触型によるデータ通信を行うＩＣチップをＩＣモジ
ュールに搭載し、該ＩＣモジュールと接続するためのコ
ンタクト端子とループアンテナとが形成された配線基板
層を複数枚のプラスチックシート間に挟設して熱圧着処
理した後、ザグリ穴を形成して上述されるコンタクト端
子を露出させ、ＩＣモジュールの接続端子と当該コンタ
クト端子とを接続して構成するものである。

【０００３】従来例１としてのＩＣカードの製造方法に
おいて、接触型によるデータ通信を行うＩＣチップ内蔵
のＩＣモジュールを搭載するザグリ穴を形成する際に、
配線基板層自体を傷つけないようにコンタクト端子およ
びＩＣチップ用のコンタクト端子を露出させるため、積
層されたカードにＸ線を照射することにより、ザグリ穴
の深さを決定する方法が知られている。

【０００４】また、従来例２としてのＩＣカードの製造
方法において、配線基板層上に設けられたコンタクト端
子およびＩＣチップ用のコンタクト端子が埋設される領
域を、電源と抵抗を介して接続されたドリルにより掘削
し、ドリルの先端とコンタクト端子が接触した時点にお
ける電圧低下を測定することにより、ザグリ穴の深さを
電気的に測定する方法が知られている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例１および２の製造方法においては、Ｘ線または電気
的測定によりザグリ穴を形成するため、複雑な工程を必
要とする問題がある。

【０００６】また、上記各従来例に示されるＩＣカード
の製造方法においては、積層時及び熱圧着時において配
線基板層がずれたり、あるいは、保護層の厚みにバラツ
キがある等の理由により、ザグリ穴形成時において正確
に配線基板層上に設けられたコンタクト端子を露出させ
ることが困難であると同時に、配線基板層自体を傷つけ
てしまう可能性があるという問題がある。

【０００７】本発明は、配線基板層上に形成されたコン
タクト端子を配線基板層を傷付けることなく確実に露出
させることにより、精度良くＩＣモジュールを搭載する
ことのできるＩＣカードの製造方法を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、接触及び非接触によりデー
タ通信を行うＩＣカードの製造方法において、アンテナ
部材とコンタクト端子とを備える配線基板層の上面に設
けられ該配線基板層を保護する配線基板保護層の下面に
対して、コンタクト端子と対向する位置に所定の深さの
切れ込みを形成する切れ込み形成工程と、最下層から順
に、第１の保護層と第１の接着層と配線基板層とコンタ
クト端子と対向する位置に透孔を備える第２の接着層と
切れ込み形成工程により切れ込みを形成された配線基板
保護層と第３の接着層と第２の保護層とを積層する積層
工程と、積層工程により積層された各層を上下方向から
挟み込み熱圧着する熱圧着工程と、熱圧着工程により熱
圧着された各層の最上層である第２の保護層からコンタ
クト端子を露出するためのザグリ穴を切れ込み形成工程
により形成された配線基板保護層の切れ込み部分に相当
する深さまで形成するザグリ穴形成工程と、ザグリ穴形
成工程により切れ込み部分まで形成されたザグリ穴の底
部に残存する配線基板保護層の切れ込み部分における断
片を除去する除去工程と、除去工程により断片を除去さ
れたザグリ穴にＩＣモジュールを搭載して底部に露出し
たコンタクト端子と該ＩＣモジュールの接続端子とを接
続する接続工程と、を有することを特徴とする。

【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の発
明において、配線基板保護層と第２の接着層は、配線基
板層上にＩＣチップを実装する場合に、該ＩＣチップを
収容する透孔が設けられていることを特徴とする。

【００１０】請求項３記載の発明は、請求項１または２
記載の発明において、ザグリ穴形成工程は、積層工程に
より第２の保護層と第３の接着層と配線基板保護層とを
積層した厚みデータ及び切れ込みの深さに基づいてザグ
リ穴を形成することを特徴とする。

【００１１】請求項４記載の発明は、請求項３記載の発
明において、厚みデータは、第２の保護層と第３の接着
層と配線基板保護層との各層及び切れ込みの深さにおけ
る誤差を補正するオフセット値を加算した値であること
を特徴とする。

【００１２】〈作用〉本発明によれば、配線基板層上に
形成されたループアンテナやコンタクト端子を保護する
ために設けられた配線基板保護層の下面に対して、当該
コンタクト端子と対向する位置に所定の深さの切れ込み
（ハーフカット）を設け、最下層から順に、第１の保護
層と、第１の接着層と、配線基板層と、第２の接着層
と、配線基板保護層と、第３の接着層と、第２の保護層
とを積層して熱圧着処理し、第２の保護層から上述のコ
ンタクト端子を露出させるためにハーフカットに達する
までザグリ穴を形成し、ハーフカットにより脱落した配
線基板保護層片を取り除いてコンタクト端子を露出させ
る。

【００１３】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
の実施形態であるＩＣカードの製造方法を詳細に説明す
る。図１から図１３を参照すると、本発明によるＩＣカ
ードの製造方法の実施の形態が示されている。

【００１４】〈第１の実施形態〉図１は、本発明の第１
の実施形態であるＩＣカードの製造方法により製造され
たＩＣカードの構成を示す断面図である。図１におい
て、本発明の第１の実施形態である製造方法により製造
されたＩＣカード１００は、最下層から順に、第１の保
護層１と、第１の接着層２と、図示されないループアン
テナ及びコンタクト端子３１が形成された配線基板層３
と、第２の接着層４と、配線基板保護層５と、第３の接
着層６と、第２の保護層７とを有し、ＩＣモジュール８
の接続端子８１がコンタクト端子３１に接続されて構成
される。

【００１５】第１の保護層１は、ＩＣカード１００の最
下層に設けられ、カード本体の裏面を形成する。なお、
第１の保護層１の裏面部分に対して印字加工することも
可能である。

【００１６】第１の接着層２は、第１の保護層１と配線
基板層３との層間を接着するための接着層である。

【００１７】配線基板層３は、その表面に図示されない
ループアンテナやＩＣモジュール８の接続端子８１と接
続するためのコンタクト端子３１等が形成されている。
配線基板層３に形成される配線パターンは、エッチン
グ、印刷、あるいは金属の巻線等により形成される。

【００１８】第２の接着層４は、配線基板層３のコンタ
クト端子３１に対向する部分に透孔を備えて形成され、
配線基板層３と配線基板保護層５との層間をを接着する
ための接着層である。

【００１９】配線基板保護層５は、後述される熱圧着処
理による熱および圧力から配線基盤層３上に形成される
ループアンテナやコンタクト端子３１を保護すると同時
に、カードの厚み調整や製造時におけるカードの平滑性
を保つために設けられ、当該配線基板保護層５の下面に
接続端子８１と接続するコンタクト端子３１に対向する
部分には、本発明の製造方法における特徴である所定の
深さの切れ込み（ハーフカット）が形成されている。

【００２０】第３の接着層６は、配線基板保護層５と第
２の保護層７との層間を接着するための接着層である。

【００２１】第２の保護層７は、ＩＣカード１００の最
上層に設けられ、カード本体の表面を形成する。なお、
第２の保護層７の表面部分のＩＣモジュール８を搭載す
る予定位置以外の領域において印字加工することも可能
である。

【００２２】ＩＣモジュール８は、非接触によりデータ
通信を行うＩＣチップが内蔵され、各種データを備える
デバイスである。後述されるザグリ穴形成工程により配
線基板層３上のコンタクト端子３１が露出した部分に当
該ＩＣモジュール８の接続端子８１を接続してデータ通
信を行う。

【００２３】図２は、本発明の第１の実施形態である製
造方法の特徴である切れ込み形成工程を示す斜視図であ
る。図２において、切れ込み部分（斜線部）５１は、配
線基板層３上に形成された図示されないＩＣモジュール
の接続端子と接続するためのコンタクト端子３１が形成
される位置に対向する配線基板保護層５の下面の所定の
位置に所定の深さで形成される。配線基板保護層５に形
成される切れ込み部分５１の外周は、第２の接着層４に
形成されるコンタクト端子３１用の透孔４１より若干大
きく形成されている。

【００２４】図３は、本発明の第１の実施形態である製
造方法における積層工程を示す斜視図である。図３に示
されるように、第１の保護層１の上面に第１の接着層２
を積層し、第１の接着層２の上面には、図示されないル
ープアンテナ及びＩＣモジュールと接続するためのコン
タクト端子３１が形成されている配線基板層３を積層
し、配線基板層３の上面には、コンタクト端子３１と対
向する位置に透孔を備える第２の接着層４を積層し、第
２の接着層４の上面に切れ込み部分（ハーフカット）５
１が形成された配線基板保護層５を積層し、第３の接着
層６および第２の保護層７が積層される。

【００２５】図４は、本発明の第１の実施形態である製
造方法における熱圧着工程を示す斜視図である。図４に
示されるように、上述される積層工程により積層された
ＩＣカード１００を上下から挟み込むようなサンドイッ
チ構造により熱圧着処理することで、本発明の実施形態
により製造されるＩＣカードを形成することができる。
この際、熱圧着処理以前に第１の保護層１の裏面および
第２の保護層９の表面に対し印刷処理を施すことも可能
である。

【００２６】従って、第１の接着層２、第２の接着層
４、第３の接着層６のそれぞれは、熱により溶融された
状態で加圧されるので、配線基板層３上に形成されたル
ープアンテナやコンタクト端子３１等への影響を少なく
することができる。

【００２７】なお、各接着層における溶融粘度は、図示
されないループアンテナ等の凹凸に対する追従性が良
く、融点はあまり高温をかけずにカードを作成する点に
おいて大変重要である。

【００２８】図５は、本発明の第１の実施形態である製
造方法におけるザグリ穴形成工程を示す斜視図である。
図４に示される熱圧着工程により熱圧着処理されて形成
されたＩＣカード１００にデータ通信を行うためのＩＣ
モジュールを搭載し、配線基板層３上に形成されたコン
タクト端子３１とを接続するためのザグリ穴を形成す
る。

【００２９】図５に示されるように、熱圧着処理された
ＩＣカード１００の第２の保護層７の上方から、コンタ
クト端子３１の位置する部分へエンドミル３０によりザ
グリ穴を形成する。この時、形成されるザグリ穴の深さ
は、配線基板保護層５に形成された切り込み部分（斜線
により図示）の上端部に達するまで行うものとする。エ
ンドミル３０の先端は、第２の保護層７と第３の接着層
６と配線基板保護層５及び切れ込みの深さのそれぞれの
厚みデータに基づいて掘削する。

【００３０】この厚みデータは、上層から積層される順
に、第２の保護層７と第３の接着層６との厚さと配線基
板保護層５に形成される切れ込み部分の上端部までの厚
さとを加算した値に、さらに各層及び切れ込みの深さに
おける誤差を補正するためのオフセット値を加算して求
められる。このオフセット値を加算されたデータに基づ
いて、エンドミル３０によりザグリ穴を形成する。

【００３１】オフセット値を加算するのは、上述の各層
の厚さ及び切れ込みの深さのバラツキに対応するためで
あり、このオフセット値は、各層を構成する材料及び材
質により種々設定および変更が可能である。

【００３２】図６は、本発明の第１の実施形態である製
造方法における除去工程を示す斜視図である。上述のザ
グリ穴形成工程により形成されたザグリ穴の底部には、
配線基板保護層５に形成された切れ込み部分５１の断片
が残存している。従って、ＩＣモジュール接続用のコン
タクト端子３１を露出させるために、この断片を取り除
く必要がある。

【００３３】上述の断片が除去されると、第２の接着層
６は、コンタクト端子３１と対向する位置に透孔が設け
られているので、すぐにコンタクト端子３１が露出す
る。

【００３４】図７は、本発明の第１の実施形態である製
造方法における接続工程を示す斜視図である。図７に示
されるように、ＩＣモジュール８の下部には、コンタク
ト端子３１と接続するための接続端子８１が形成されて
いる。このＩＣモジュール８を形成されたザグリ穴に挿
入して、上述の接続端子８１とコンタクト端子３１とを
接続する。

【００３５】〈第２の実施形態〉図８は、本発明の第２
の実施形態であるＩＣカードの製造方法により製造され
たＩＣカードの構成を示す断面図である。図８におい
て、本発明の第２の実施形態である製造方法により製造
されたＩＣカード２００は、最下層から順に、第１の保
護層１と、第１の接着層２と、図示されないループアン
テナ及びコンタクト端子３１が形成され、ＩＣチップ９
を実装された配線基板層３と、第２の接着層４と、配線
基板保護層５と、第３の接着層６と、第２の保護層７と
を有し、ＩＣモジュール８の接続端子８１がコンタクト
端子３１に接続されて構成される。

【００３６】本発明の第１の実施形態であるＩＣカード
の製造方法により製造されたＩＣカードの構成と異なる
点は、配線基板層３上にＩＣチップ９を実装して構成し
た点にある。以下、本発明の第１の実施形態と異なる点
を説明する。

【００３７】配線基板層３は、その表面に図示されない
ループアンテナやＩＣモジュール８の接続端子８１と接
続するためのコンタクト端子３１等が形成されると同時
に、各種データを備えるＩＣチップ９を実装されて形成
される。

【００３８】第２の接着層４は、配線基板層３のコンタ
クト端子３１に対向する部分に透孔を備えると共に、Ｉ
Ｃチップ９を収容するための透孔を備えて形成され、配
線基板層３と配線基板保護層５との層間を接着するため
の接着層である。なお、図８に示されるように、配線基
板保護層５に設けられたＩＣチップ９を収容するための
透孔は、ＩＣチップ９の外周よりも若干大きめに形成さ
れる。

【００３９】配線基板保護層５は、後述される熱圧着処
理による熱および圧力から配線基盤層３上に形成される
ループアンテナやコンタクト端子３１及びＩＣチップ９
を保護するためのもので、下面において接続端子８１と
接続するためのコンタクト端子３１に対向する部分に本
発明の製造方法における特徴である所定の深さの切れ込
み（ハーフカット）を備えて形成される。

【００４０】図９は、本発明の第２の実施形態である製
造方法の切れ込み形成工程を示す斜視図である。図９に
おいて、切れ込み部分（斜線部）５１は、配線基板層３
上に形成された図示されないＩＣモジュールの接続端子
と接続するためのコンタクト端子３１が形成される位置
に対向する配線基板保護層５の下面の所定の位置に所定
の深さで形成される。配線基板保護層５に形成される切
れ込み部分５１の外周は、第２の接着層４に形成される
コンタクト端子３１用の透孔４１より若干小さく形成さ
れている。

【００４１】また、図示されるように、配線基板層３上
に実装されたＩＣチップ９を収容するために、第２の接
着層４及び配線基板保護層５のそれぞれには、透孔（４
２，５２）が設けられている。

【００４２】図１０は、本発明の第２の実施形態である
製造方法における積層工程を示す斜視図である。図１０
に示されるように、第１の保護層１の上面に第１の接着
層２を積層し、第１の接着層２の上面には、図示されな
いループアンテナ及びＩＣモジュールと接続するための
コンタクト端子３１が形成され、ＩＣチップ９を実装さ
れている配線基板層３を積層し、配線基板層３の上面に
は、コンタクト端子３１と対向する位置に透孔を備える
と共に、ＩＣチップ９を収容するための透孔４２を備え
る第２の接着層４を積層し、第２の接着層４の上面に
は、切れ込み部分（ハーフカット）５１が形成されると
共に、ＩＣチップ９を収容する透孔を備えた配線基板保
護層５を積層し、第３の接着層６および第２の保護層７
が積層される。

【００４３】以上のように積層されたＩＣカード２００
は、上下から挟み込むようなサンドイッチ構造により熱
圧着処理される。この際、第１の接着層２、第２の接着
層４、第３の接着層６のそれぞれは、上述されるように
熱により溶融された状態で加圧されるので、配線基板層
３上に形成されたループアンテナやコンタクト端子及び
ＩＣチップ９への影響を低減することができる。

【００４４】本発明の第２の実施形態であるＩＣカード
の製造方法は、以下、ザグリ穴形成工程、除去工程、接
続工程において、本発明の第１の実施形態の製造方法と
同様のものであるで、説明を省略する。

【００４５】図１１は、本発明の第１の実施形態である
ＩＣカードの製造方法を示すフローチャートである。

【００４６】まず、配線基板層上にループアンテナ及び
ＩＣモジュール接続用のコンタクト端子を形成する（ス
テップＳ１）。熱圧着時における熱及び圧力から保護す
るための配線基板保護層の下面に対して、コンタクト端
子と対向する位置に所定の深さの切れ込み（ハーフカッ
ト）を形成する（ステップＳ２）。次に、最下層から、
第１の保護層、第１の接着層、配線基板層、第２の接着
層、配線基板保護層、第３の接着層、第２の保護層の順
に積層する（ステップＳ３）。以上のように積層された
各層を上下方向から熱圧着処理する（ステップＳ４）。

【００４７】ステップＳ４において熱圧着処理された各
層の最上層である第２の保護層からコンタクト端子を露
出させるため、第２の保護層の表面から配線基板保護層
の下面に形成されたハーフカットの上端部までの厚さデ
ータに、各層における誤差を補正するためのオフセット
値を加算した値に基づいてザグリ穴を形成する（ステッ
プＳ５）。ステップＳ５において形成されたザグリ穴の
底部に残存する配線基板保護層の断片を取り除いてコン
タクト端子を露出させ（ステップＳ６）、ＩＣモジュー
ルの接続端子と露出したコンタクト端子とを接続する
（ステップＳ７）。

【００４８】〈他の実施形態〉図１２は、本発明の他の
実施形態であるＩＣカードの製造方法により製造された
ＩＣカード３００の構成を示す断面図である。図１２に
おいて、本発明の第１および第２の実施形態と異なる点
は、配線基板層３の外周部に枠材層１０を設けて構成し
た点にある。

【００４９】通常、配線基板層３は、ポリイミド樹脂等
により形成されるので有色のため、カード製造後におけ
る断面の外観を損なうという問題がある。この点を解消
するために、配線基板層３の外周を囲むように枠材層１
０を設けて構成することで、配線基板層３の色相により
外観を損なうことが無くなる。

【００５０】図１３は、本発明の他の実施形態であるＩ
Ｃカードの製造方法における積層工程を示す斜視図であ
る。図１３に示されるように、第１の接着層２の上面
に、枠材層１０にはめ込まれるように配線基板層３が載
置され、以下、上述される第１及び第２の実施形態によ
る製造方法と同様の工程により処理される。

【００５１】本発明の他の実施形態により製造されたＩ
Ｃカード３００は、カード断面において、配線基板層３
の色相により外観が損なわれること無く、美観の優れた
ＩＣカードを提供するものである。

【００５２】〈各層の具体的な構成例〉上述される製造
方法により製造されるＩＣカードの具体的な構成例を最
下層から順に以下に示す。 第１の保護層１ 東レ（株）製 商品名「ルミラーＥ−２２」 第１の接着層２ 東亜合成（株）製 商品名「ＰＥＳ−ＩＩＩＥＥＥ」 配線基板層３ ニッカン工業（株） 商品名「ニカフレックス」 第２の接着層４ 東亜合成（株）製 商品名「ＰＥＳ−ＩＩＩＥＥＥ」 配線基板保護層５ 東レ（株）製 商品名「ルミラーＥ−２２」 第３の接着層６ 東亜合成（株）製 商品名「ＰＥＳ−ＩＩＩＥＥＥ」 第２の保護層７ 東レ（株）製 商品名「ルミラーＥ−２２」

【００５３】なお、上述される具体例における配線基板
層をＰＥＴ樹脂等により構成することも可能である。

【００５４】

【発明の効果】以上の説明より明らかなように、請求項
１記載の発明によれば、配線基板層の上面に設けられた
保護層の下面に対し、当該配線基板層上に形成されたＩ
Ｃモジュール接続用のコンタクト端子と対向する位置に
所定の深さの切れ込みを形成後、各層を積層して熱圧着
処理を行う。このように圧着された各層の最上層からコ
ンタクト端子を露出させる部分に積層された厚みデータ
に基づいてザグリ穴を形成する。このザグリ穴底部に残
存する保護層の断片を除去した後、ＩＣモジュールの接
続端子と露出したコンタクト端子とを接続する。従っ
て、ザグリ穴形成時において、配線基板層を傷つけるこ
と無く、確実にコンタクト端子を露出させることができ
る。

【００５５】請求項２記載の発明によれば、請求項１記
載の発明において、配線基板層上にＩＣチップを実装す
る場合、該ＩＣチップを収容可能な透孔を第２の接着層
と保護層層とに設ける。従って、熱圧着処理された際の
ＩＣチップへの余分な負荷を軽減することができ、実装
されたＩＣチップの性能を低下させることを防止するこ
とができる。

【００５６】請求項３記載の発明によれば、請求項１ま
たは２記載の発明において、ザグリ穴を形成する深さを
積層された第２の保護層と第３の接着層と保護層とによ
る各層の厚さデータ及び切れ込みの深さに基づいて掘削
するので、従来のようにＸ線や電気的に測定する等の複
雑な工程を必要とせずにコンタクト端子を確実に露出さ
せることができる。

【００５７】請求項４記載の発明によれば、請求項３記
載の発明において、積層された第２の保護層と第３の接
着層と保護層との厚さデータ及び切れ込みの深さに、各
層における誤差を補正するためのオフセット値を加算し
た値に基づいてザグリ穴を形成するので、配線基板層を
傷つけることなく、確実にコンタクト端子を露出させる
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態である製造方法により
製造されたＩＣカードの断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態における切り込み形成
工程を示す斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施形態における積層工程を示
す斜視図である。

【図４】本発明の第１の実施形態における熱圧着工程を
示す斜視図である。

【図５】本発明の第１の実施形態におけるザグリ穴形成
工程を示す斜視図である。

【図６】本発明の第１の実施形態における除去工程を示
す斜視図である。

【図７】本発明の第１の実施形態における接続工程を示
す斜視図である。

【図８】本発明の第２の実施形態である製造方法により
製造されたＩＣカードの断面図である。

【図９】本発明の第２の実施形態における切り込み形成
工程を示す斜視図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態における積層工程を
示す斜視図である。

【図１１】本発明の第１の実施形態である製造方法を示
すフローチャートである。

【図１２】本発明の他の実施形態である製造方法により
製造されたＩＣカードの断面図である。

【図１３】本発明の他の実施形態における積層工程を示
す斜視図である。

【符号の説明】

１ 第１の保護層 ２ 第１の接着層 ３ 配線基板層 ４ 第２の接着層 ５ 配線基板保護層 ６ 第３の接着層 ７ 第２の保護層 ８ ＩＣモジュール ３１ コンタクト端子 ８１ 接続端子

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 接触及び非接触によりデータ通信を行う
   ＩＣカードの製造方法において、 アンテナ部材とコンタクト端子とを備える配線基板層の
   上面に設けられ該配線基板層を保護する配線基板保護層
   の下面に対して、前記コンタクト端子と対向する位置に
   所定の深さの切れ込みを形成する切れ込み形成工程と、 最下層から順に、第１の保護層と第１の接着層と前記配
   線基板層と前記コンタクト端子と対向する位置に透孔を
   備える第２の接着層と前記切れ込み形成工程により切れ
   込みを形成された前記配線基板保護層と第３の接着層と
   第２の保護層とを積層する積層工程と、 前記積層工程により積層された前記各層を上下方向から
   挟み込み熱圧着する熱圧着工程と、 前記熱圧着工程により熱圧着された前記各層の最上層で
   ある前記第２の保護層から前記コンタクト端子を露出す
   るためのザグリ穴を前記切れ込み形成工程により形成さ
   れた前記配線基板保護層の切れ込み部分に相当する深さ
   まで形成するザグリ穴形成工程と、 前記ザグリ穴形成工程により前記切れ込み部分まで形成
   された前記ザグリ穴の底部に残存する前記配線基板保護
   層の切れ込み部分における断片を除去する除去工程と、 前記除去工程により前記断片を除去された前記ザグリ穴
   にＩＣモジュールを搭載して前記底部に露出した前記コ
   ンタクト端子と該ＩＣモジュールの接続端子とを接続す
   る接続工程と、 を有することを特徴とするＩＣカードの製造方法。
2. 【請求項２】 前記配線基板保護層と前記第２の接着層
   は、 前記配線基板層上にＩＣチップを実装する場合に、該Ｉ
   Ｃチップを収容する透孔が設けられていることを特徴と
   する請求項１記載のＩＣカードの製造方法。
3. 【請求項３】 前記ザグリ穴形成工程は、 前記積層工程により前記第２の保護層と前記第３の接着
   層と前記配線基板保護層とを積層した厚みデータ及び切
   れ込みの深さに基づいて前記ザグリ穴を形成することを
   特徴とする請求項１または２記載のＩＣカードの製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記厚みデータは、 前記第２の保護層と前記第３の接着層と前記配線基板保
   護層との各層及び前記切れ込みの深さにおける誤差を補
   正するオフセット値を加算した値であることを特徴とす
   る請求項３記載のＩＣカードの製造方法。