JP3661482B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板に、半導体素子が保持されている半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板に半導体素子が保持されている半導体装置の代表的なものとして、ICカードやICタグ等のデータキャリアが挙げられる。
【0003】
従来のデータキャリアの代表例であるICカードは、図5に示すように、両面銅張ポリイミド基板の銅層からフォトリソグラフ法によりコンデンサ51とアンテナコイル52とを形成し、それらの接続ランド(図示せず)とICチップ53の外部接続バンプ端子(図示せず)とを異方性導電フィルム(図示せず)を介して接続した構造を有する。更に、ポリイミド基板から突出しているICチップを埋め込むに足る厚さの接着剤層を介して保護フィルムを積層している。また両面銅張ポリイミド基板の裏面にも接着剤層を介して保護フィルムが積層されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来のICカード等のデータキャリアは、高価な両面銅張ポリイミド基板を利用しているために、製造コストを低減させることが困難であるという問題がある。また、ポリイミド基板の表面に、それから突出しているICチップを埋め込むに足る厚さの接着剤層を介して保護フィルムを積層し、且つポリイミド基板の裏面にも接着剤層を介して保護フィルムが積層されているために、ICカード等のデータキャリアの厚みが厚くなり、取り扱い性が低下するという問題がある。しかも、従来のICカードの場合、図6に示すように、ポリイミド基板60上の接続端子61とICチップ62の外部接続バンプ端子63とを異方性導電フィルム64を介して加熱押圧して接続したときに、ICチップ62の露出しているダイシング面62a(特に、ダイシングエッジ62b)がポリイミド基板60上の接続端子61に食い込み、場合によりショート(以下エッジショートと称する)が生じるという問題がある。
【0005】
本発明は、以上の従来の技術の課題を解決しようとするものであり、データキャリア(例えば、ICカード、ICタグ)等の半導体装置の厚みを厚くすることなく、半導体素子(ICチップ)のエッジショートを生じさせることなく、且つ低コストで製造できる半導体装置を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、ボンディングヘッド等の加熱押圧ツールで半導体素子を、加圧又は加圧加熱することにより、加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板を変形させながらその中に埋設すると、半導体素子のダイシング面を露出させず且つ半導体素子の接続端子を外部回路と接続できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【0009】
また、本発明は、加圧加熱により容易に変形しうるカード基材としての樹脂基板に保持された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、カード基材としての樹脂基板表面の所定部位に、半導体素子をその接続端子面が上を向くように載置し、半導体素子のダイシング面が樹脂基板表面から露出せず且つ半導体素子の接続端子が印刷法により形成されてなる外部回路と接続可能となるように、半導体素子を加圧加熱することにより樹脂基板を変形させながら樹脂基板中に半導体素子をその接続端子側表面と樹脂基板との表面が略同一平面レベルとなるように埋設し、樹脂基板の半導体素子側の面上に接着剤層を介して保護フィルムを積層することを特徴とする製造方法を提供する。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
【0011】
図1は、本発明の半導体装置の好ましい例の断面図である。図1の半導体装置は、ICチップ等の半導体素子1が、加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板2(例えば、熱可塑性樹脂基板、一部の熱硬化性樹脂基板、未延伸フィルム等)中に埋め込まれた構造を有する。ここで、半導体素子1は、そのダイシング面1aが樹脂基板2から露出しないように埋め込まれる。特にダイシングエッジ1bが露出することを完全に防止するために、半導体素子1の周縁部1cも露出しないように埋め込むことが好ましい。このように半導体素子1を樹脂基板2中に埋め込むので、本発明の半導体装置においては、エッジショートの問題は生じない。
【0012】
なお、樹脂基板2に埋め込まれた半導体素子1の接続端子1d(例えばバンプやランド)は、外部回路3と接続可能となるようにする必要がある。
【0013】
本発明の半導体装置の構造は、樹脂基板2上の半導体素子1をボンディングヘッド等の加熱押圧手段でそれ自体を加圧又は加圧加熱しながら樹脂基板2を変形させ、樹脂基板2中に埋設することにより実現できる。
【0014】
本発明の半導体装置においては、図1に示すように、半導体素子1の接続端子1d側表面と樹脂基板2の表面とを、略同一平面レベルにすることが好ましい。これにより、半導体装置をより薄くすることができる。また、略同一平面レベルにすると、半導体素子1の接続端子1d上に、直接、公知の銀ペースト等を用いるスクリーン印刷等の印刷法で外部回路3として印刷回路を安価に形成することができる。しかも、異方性導電接着剤(フィルム)の使用を省略でき、製造コストの削減を実現できる。
【0015】
また、必要に応じ、図1に示すように樹脂基板2の外部回路3面上に接着剤層4を介して保護フィルム5を積層することが好ましい。
【0016】
以上説明した図1の半導体装置においては、外部回路3を印刷法により形成した例を示したが、図2(図中、21は絶縁基板、22は外部回路及び23はバンプ等の接続端子を示している)に示すように、半導体素子1の接続端子1dと、任意の方法で作製された外部回路22の接続端子23とを異方性導電接着剤24を介して接続してもよい。ここで、半導体素子1以外の領域は、絶縁性接着剤25で接着すればよい。
【0017】
本発明の半導体装置の具体的な適用例として、図3にデータキャリアとしてICカードを示す。
【0018】
このICカードは、半導体素子31及びコンデンサ32が図1の半導体素子と同様に樹脂基板33中に埋設され、アンテナコイル34が印刷法で樹脂基板33の表面に形成された構造を有する。ここで、半導体素子31は、そのダイシング面(図示せず)が樹脂基板33から露出しないように埋設されている。但し、半導体素子31の接続端子(図示せず)は、コンデンサ32及びアンテナコイル34と接続できるように樹脂基板33中に埋め込まれていない。また、半導体素子31の接続端子側表面及びコンデンサ32の接続端子側表面と樹脂基板33の表面とが、略同一平面レベルであることが好ましい。更に、樹脂基板33のアンテナコイル34側面上に保護フィルム(図示せず)を積層することが好ましい。
【0019】
なお、アンテナコイル34として巻線を使用することもできる。この場合、巻線を樹脂基板33中に埋め込むように配設することが好ましい。
【0020】
以上のようなICカード等のデータキャリアは、図1の半導体装置と同様に、半導体素子のエッジショートの問題がなく、厚みも薄くなり、安価に製造できる。
【0021】
本発明の半導体装置は、以下に説明する工程を経て製造することができる。
【0022】
まず、半導体素子41を、加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる樹脂基板42の表面の所定部位に、その接続端子41aが上を向くように載置する(図4(a))。
【0023】
次に、半導体素子41のダイシング面41bが樹脂基板42表面に露出しないように、ボンディングヘッド43で半導体素子41を加圧又は加圧加熱し、樹脂基板42を変形させながら樹脂基板42中に半導体素子41を埋設する(図4(b))。このとき、半導体素子41の接続端子41aが外部回路と接続可能となるように、樹脂基板42の表面に露出させる。
【0024】
更に、必要に応じて、種々の電子部品、例えばコンデンサ44をボンディングヘッド43で加圧又は加圧加熱し、樹脂基板42を変形させながら樹脂基板42中にコンデンサ44を埋設する(図4(c))。
【0025】
続いて、半導体素子41の接続端子41a及びコンデンサ44の接続端子44aとを接続するために、アンテナコイル(図示せず)を含む回路45を印刷法により形成する(図4(d))。
【0026】
更に、必要に応じて、樹脂基板42の半導体素子41側表面に接着剤層46を介して保護フィルム47を積層する(図4(e))。
【0027】
本発明の半導体装置は、以上説明したICカードやICタグ等のデータキャリアに特に適したものであるが、それに限定されるものではない。
【0028】
なお、本発明の半導体装置を構成する各要素、例えば半導体素子、樹脂基板、接続端子、コンデンサ等のサイズ、材質等については、公知のものを適宜選択して使用することができる。
【0029】
【発明の効果】
本発明によれば、データキャリア(例えば、ICカード、ICタグ)等の半導体装置の厚みを厚くすることなく、半導体素子(ICチップ)のエッジショートを生じさせることなく、且つ低コストで製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の概略断面図である。
【図2】本発明の半導体装置の概略断面図である。
【図3】本発明のデータキャリアの概略斜視図である。
【図4】本発明の半導体装置の製造工程図である。
【図5】従来のICカードの概略斜視図である。
【図6】従来のICカードで生じるエッジショートの説明図である。
【符号の説明】
1 半導体素子,2 樹脂基板,3 外部回路,4 接着剤層,5 保護フィルム

Claims (2)

  1. 加圧加熱により容易に変形しうるカード基材としての樹脂基板に保持された半導体素子を含む半導体装置の製造方法であって、カード基材としての樹脂基板表面の所定部位に、半導体素子をその接続端子面が上を向くように載置し、半導体素子のダイシング面が樹脂基板表面から露出せず且つ半導体素子の接続端子が印刷法により形成されてなる外部回路と接続可能となるように、半導体素子を加圧加熱することにより樹脂基板を変形させながら樹脂基板中に半導体素子をその接続端子側表面と樹脂基板との表面が略同一平面レベルとなるように埋設し、樹脂基板の半導体素子側の面上に接着剤層を介して保護フィルムを積層することを特徴とする製造方法。
  2. 該樹脂基板として、未延伸フィルムを使用する請求項1記載の製造方法。
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