JP2000281496A - 単結晶の処理方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡易な方法により単結晶の表面を原子レベル
で平坦にする処理方法を提供する 【解決手段】 サファイヤ単結晶の面方位（０００１）
からなる研磨された基板をｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶
液中に１分以上浸漬し、ついで溶液から上記基板を取り
出し、上記基板を純水で洗浄して、温風乾燥するもので
ある。
で平坦にする処理方法を提供する 【解決手段】 サファイヤ単結晶の面方位（０００１）
からなる研磨された基板をｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶
液中に１分以上浸漬し、ついで溶液から上記基板を取り
出し、上記基板を純水で洗浄して、温風乾燥するもので
ある。
Description
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体や
酸化物膜形成に用いるＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶
の処理方法に関するものである。
酸化物膜形成に用いるＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶
の処理方法に関するものである。
【従来の技術】従来より、サファイヤは雑誌「エレクト
ロニクス」の１９９４年６月号第３４〜３７頁に記載さ
れているように、青色発光ダイオード（Ｂｌｕｅ−ＬＥ
Ｄ）用窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を形成するための基板
材料として使用されることが知られている。サファイヤ
基板表面に高品質のＧａＮ膜を形成するためには、上記
表面が超平坦（原子レベルで平坦）である必要がある。
また例えば電子デバイスの作成では基板の上に半導体や
超電導物質の薄膜を均一に作成する必要があるので、基
板上面は超平坦（原子レベルで平坦）である必要があ
る。
ロニクス」の１９９４年６月号第３４〜３７頁に記載さ
れているように、青色発光ダイオード（Ｂｌｕｅ−ＬＥ
Ｄ）用窒化ガリウム（ＧａＮ）膜を形成するための基板
材料として使用されることが知られている。サファイヤ
基板表面に高品質のＧａＮ膜を形成するためには、上記
表面が超平坦（原子レベルで平坦）である必要がある。
また例えば電子デバイスの作成では基板の上に半導体や
超電導物質の薄膜を均一に作成する必要があるので、基
板上面は超平坦（原子レベルで平坦）である必要があ
る。
【発明が解決しようとする課題】そこで、本出願人は、
上記要求を満すための処理方法を提案した（特開平７−
２６７８００）。この処理方法は、ＳｒＴｉＯ3 単結晶
基板の表面を２次格子原子層単位に溶解する２種類の溶
液としてフッ素系酸性溶液と水とを使用し、上記単結晶
基板をそれぞれの溶液に交互に浸漬し、この浸漬工程を
くりかえして、原子的に平坦な面でかつ、分子層ステッ
プを有する基板表面を得るものである。この処理方法に
よれば、基板の表面は原子レベルで平坦であるから、電
子デバイスの作成の基板に利用でき、また例えば遺伝子
ＤＮＡなどを置いて観察するための実験用基板としても
利用できる。この分子層ステップの形状または有無は、
基板の用途に応じて許容される。この発明の目的は、簡
易な方法により単結晶の表面を原子レベルで平坦にする
処理方法を提供することにある。
上記要求を満すための処理方法を提案した（特開平７−
２６７８００）。この処理方法は、ＳｒＴｉＯ3 単結晶
基板の表面を２次格子原子層単位に溶解する２種類の溶
液としてフッ素系酸性溶液と水とを使用し、上記単結晶
基板をそれぞれの溶液に交互に浸漬し、この浸漬工程を
くりかえして、原子的に平坦な面でかつ、分子層ステッ
プを有する基板表面を得るものである。この処理方法に
よれば、基板の表面は原子レベルで平坦であるから、電
子デバイスの作成の基板に利用でき、また例えば遺伝子
ＤＮＡなどを置いて観察するための実験用基板としても
利用できる。この分子層ステップの形状または有無は、
基板の用途に応じて許容される。この発明の目的は、簡
易な方法により単結晶の表面を原子レベルで平坦にする
処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】この発明の処理方法は、
処理の対象となるＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表
面を所定の溶液を用いて溶解処理するものである。所定
の処理溶液による溶解処理方法としては、上記単結晶を
所定の処理溶液に所定時間浸漬するものを選択すれば、
確実な処理が行い得るが、浸漬方法の他に単結晶の表面
に処理溶液をかける等の方法を採用しても良い。処理空
間の温度も適宜であるが、室温が２５°Ｃ〜３５°Ｃの
範囲が特に望ましいものである。浸漬時間やｐＨの濃度
は異なるが、浸漬時間についてはあまり短いと、目的を
達成できないおそれがある。Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）
単結晶を処理する方法においては、表面を処理する溶液
としては、例えば （１）ＨＣｌ（塩酸）溶液 （２）ＨＣｌ（塩酸）溶液を含む混合溶液、例えばＨＣ
ｌ（塩酸）溶液とＨ2Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合
溶液など （３）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液 （４）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液を含む混合溶液、例えば
Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液
との混合溶液など （５）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液 （６）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液を含む混合溶液、例えばＨ
ＮＯ3 （硝酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との
混合溶液など などを挙げることができる。上記の処理溶液のｐＨは２
以下とするのが良い。処理溶液のｐＨを２以下とするの
が望ましいのは、ｐＨが２を越えると単結晶の処理表面
が原子レベルで平坦にならないからである。処理空間の
温度も適宜であるが、室温が望ましいものである。例え
ばＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶における面方位（０
００１）からなる表面を処理する場合には、室温の範囲
で、浸漬時間やｐＨに関して、時間は１分以上であっ
て、ｐＨが２以下が望ましい。浸漬時間があまり短い
と、超平坦化が期待できないおそれがある。またＡｌ2
Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を処理する方法において、表
面を処理する溶液としては、上例の他に例えば、 （７）ＮＨ3 （アンモニア）溶液 （８）ＮＨ3 （アンモニア）溶液を含む混合溶液、例え
ばＮＨ3（アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモ
ニウム）溶液との混合溶液など などを挙げることができる。上記の処理溶液（７）のｐ
Ｈは１２以上、（８）のｐＨは１０以上とするのが良
い。（７）の溶液ではｐＨが１２に満たないと、また
（８）の溶液ではｐＨが１０に満たないと、それぞれ単
結晶の処理表面が原子レベルで平坦にならないおそれが
あるからである。例えばＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結
晶における面方位（０００１）からなる表面を処理する
場合には、（７），（８）の処理溶液では特に室温の範
囲で、浸透時間が１分以上、（７）の処理溶液ではｐＨ
が１２以上、（８）の処理溶液ではｐＨが１１以上であ
ることが好ましい。
処理の対象となるＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表
面を所定の溶液を用いて溶解処理するものである。所定
の処理溶液による溶解処理方法としては、上記単結晶を
所定の処理溶液に所定時間浸漬するものを選択すれば、
確実な処理が行い得るが、浸漬方法の他に単結晶の表面
に処理溶液をかける等の方法を採用しても良い。処理空
間の温度も適宜であるが、室温が２５°Ｃ〜３５°Ｃの
範囲が特に望ましいものである。浸漬時間やｐＨの濃度
は異なるが、浸漬時間についてはあまり短いと、目的を
達成できないおそれがある。Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）
単結晶を処理する方法においては、表面を処理する溶液
としては、例えば （１）ＨＣｌ（塩酸）溶液 （２）ＨＣｌ（塩酸）溶液を含む混合溶液、例えばＨＣ
ｌ（塩酸）溶液とＨ2Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合
溶液など （３）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液 （４）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液を含む混合溶液、例えば
Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液
との混合溶液など （５）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液 （６）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液を含む混合溶液、例えばＨ
ＮＯ3 （硝酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との
混合溶液など などを挙げることができる。上記の処理溶液のｐＨは２
以下とするのが良い。処理溶液のｐＨを２以下とするの
が望ましいのは、ｐＨが２を越えると単結晶の処理表面
が原子レベルで平坦にならないからである。処理空間の
温度も適宜であるが、室温が望ましいものである。例え
ばＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶における面方位（０
００１）からなる表面を処理する場合には、室温の範囲
で、浸漬時間やｐＨに関して、時間は１分以上であっ
て、ｐＨが２以下が望ましい。浸漬時間があまり短い
と、超平坦化が期待できないおそれがある。またＡｌ2
Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を処理する方法において、表
面を処理する溶液としては、上例の他に例えば、 （７）ＮＨ3 （アンモニア）溶液 （８）ＮＨ3 （アンモニア）溶液を含む混合溶液、例え
ばＮＨ3（アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモ
ニウム）溶液との混合溶液など などを挙げることができる。上記の処理溶液（７）のｐ
Ｈは１２以上、（８）のｐＨは１０以上とするのが良
い。（７）の溶液ではｐＨが１２に満たないと、また
（８）の溶液ではｐＨが１０に満たないと、それぞれ単
結晶の処理表面が原子レベルで平坦にならないおそれが
あるからである。例えばＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結
晶における面方位（０００１）からなる表面を処理する
場合には、（７），（８）の処理溶液では特に室温の範
囲で、浸透時間が１分以上、（７）の処理溶液ではｐＨ
が１２以上、（８）の処理溶液ではｐＨが１１以上であ
ることが好ましい。
【実施例】（例１）この例では、サファイヤ単結晶の面
方位（０００１）からなる研磨された基板を使用した。
溶解処理溶液としてｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液を使
用し、この塩酸溶液の温度を室温２５°Ｃ〜３５°Ｃと
した。そこで処理工程を説明する。まず、表面処理する
基板を入れた治具を高純度の石英製容器内の塩酸溶液内
に入れて、この治具を回転させながら１分以上浸漬する
（浸漬工程）。ついで、溶液から上記基板を入れた治具
を取り出し、上記基板を純水で洗浄して、温風乾燥する
（洗浄・乾燥工程）。この結果、基板表面が、原子レベ
ルで平坦な表面となり、分子層ステップが合わせて得ら
れた。 （例２）例１におけるｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液に
代えて、ｐＨ０のＨＣｌ（塩酸）溶液を使用した以外
は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。こ
の例における処理方法により得られた結果は例１と同様
であった。 （例３）例１におけるｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液に
代えて、ｐＨ１のＨＣｌ（塩酸）溶液を使用した以外
は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。例
３における処理方法により得られた結果は例１と同様で
あった。 （比較例１）例１〜例３において、ｐＨ１のＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えてｐＨ２を越えるＨＣｌ（塩酸）溶液を
使用すると、基板表面が原子レベルで平坦にならなかっ
た。 （例４〜例６）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えて、ｐＨ−１のＨＮＯ3（硝酸）溶液
（例４）を、ｐＨ０のＨＮＯ3 （硝酸）溶液（例５）
を、ｐＨ１のＨＮＯ3 （硝酸）溶液（例６）を使用した
以外は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理し
た。例４乃至例６のそれぞれに示す処理方法により得ら
れた結果は例１と同様であった。 （比較例２）例４において、ｐＨ−１の硝酸溶液に代え
て、ｐＨ２を越える硝酸溶液を使用して処理したとこ
ろ、基板表面が原子レベルで平坦にならなかった。 （例７〜例９）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えて、ｐＨ−１のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液
（例７）を、ｐＨ０のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液（例８）
を、ｐＨ１のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液（例９）を使用し
た以外は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理し
た。例７乃至例９のそれぞれに示す処理方法により得ら
れた結果は例１と同様であった。 （比較例３）例７において、ｐＨ−１の硫酸溶液に代え
てｐＨ２を越える硫酸溶液を使用して処理したところ、
基板表面が原子レベルで平坦にならなかった。 （例１０）この例では、溶解処理溶液として、ｐＨ１の
Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液とｐＨ１のＨ2 Ｏ2 （過酸化水
素）溶液とを混合した混合溶液を用いている点を除い
て、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。そ
の結果は、例１と同様であった。 （例１１）この例では、溶解処理溶液として、ｐＨ１３
のＮＨ3 （アンモニア）溶液を使用した点を除いて、例
１と同様の処理工程及び処理条件により処理した。その
結果は、例１で得られた結果と同様であった。 （例１２）この例では、溶解処理溶液として、ＮＨ
3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモニウ
ム）溶液とを混合したｐＨ１２の混合溶液を使用してい
る点を除いて、例１と同様の処理工程及び処理条件で処
理した。この例における処理方法により得られた結果
は、例１で得られた結果と同様であった。 （例１３）例１の処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）からなる研磨された
基板に代えて、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方
位（１１−２０）からなる研磨された基板を使用した以
外は、例１と同様の処理工程及び処理条件により処理し
た。この例により得られた結果は例１と同様であった。 （例１４）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩酸）溶
液に代えて、ＮＨ3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フ
ッ化アンモニウム）溶液とを混合したｐＨ１１の混合溶
液を使用した点、処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）の基板に代えて、Ａ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方位（１１−２０）
からなる研磨された基板を使用した点を除いて、例１と
同様の処理工程及び処理条件により処理した。この例に
より得られた結果は例１と同様であった。 （例１５）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩酸）溶
液に代えて、ＮＨ3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フ
ッ化アンモニウム）溶液とを混合したｐＨ１１の混合溶
液を使用した点、処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）の基板に代えて、Ａ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方位（−１０１２）
からなる研磨された基板を使用した点を除いて、例１と
同様の処理工程及び処理条件により処理した。この例に
より得られた結果は例１と同様であった。
方位（０００１）からなる研磨された基板を使用した。
溶解処理溶液としてｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液を使
用し、この塩酸溶液の温度を室温２５°Ｃ〜３５°Ｃと
した。そこで処理工程を説明する。まず、表面処理する
基板を入れた治具を高純度の石英製容器内の塩酸溶液内
に入れて、この治具を回転させながら１分以上浸漬する
（浸漬工程）。ついで、溶液から上記基板を入れた治具
を取り出し、上記基板を純水で洗浄して、温風乾燥する
（洗浄・乾燥工程）。この結果、基板表面が、原子レベ
ルで平坦な表面となり、分子層ステップが合わせて得ら
れた。 （例２）例１におけるｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液に
代えて、ｐＨ０のＨＣｌ（塩酸）溶液を使用した以外
は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。こ
の例における処理方法により得られた結果は例１と同様
であった。 （例３）例１におけるｐＨ−１のＨＣｌ（塩酸）溶液に
代えて、ｐＨ１のＨＣｌ（塩酸）溶液を使用した以外
は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。例
３における処理方法により得られた結果は例１と同様で
あった。 （比較例１）例１〜例３において、ｐＨ１のＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えてｐＨ２を越えるＨＣｌ（塩酸）溶液を
使用すると、基板表面が原子レベルで平坦にならなかっ
た。 （例４〜例６）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えて、ｐＨ−１のＨＮＯ3（硝酸）溶液
（例４）を、ｐＨ０のＨＮＯ3 （硝酸）溶液（例５）
を、ｐＨ１のＨＮＯ3 （硝酸）溶液（例６）を使用した
以外は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理し
た。例４乃至例６のそれぞれに示す処理方法により得ら
れた結果は例１と同様であった。 （比較例２）例４において、ｐＨ−１の硝酸溶液に代え
て、ｐＨ２を越える硝酸溶液を使用して処理したとこ
ろ、基板表面が原子レベルで平坦にならなかった。 （例７〜例９）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩
酸）溶液に代えて、ｐＨ−１のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液
（例７）を、ｐＨ０のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液（例８）
を、ｐＨ１のＨ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液（例９）を使用し
た以外は、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理し
た。例７乃至例９のそれぞれに示す処理方法により得ら
れた結果は例１と同様であった。 （比較例３）例７において、ｐＨ−１の硫酸溶液に代え
てｐＨ２を越える硫酸溶液を使用して処理したところ、
基板表面が原子レベルで平坦にならなかった。 （例１０）この例では、溶解処理溶液として、ｐＨ１の
Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液とｐＨ１のＨ2 Ｏ2 （過酸化水
素）溶液とを混合した混合溶液を用いている点を除い
て、例１と同様の処理工程及び処理条件で処理した。そ
の結果は、例１と同様であった。 （例１１）この例では、溶解処理溶液として、ｐＨ１３
のＮＨ3 （アンモニア）溶液を使用した点を除いて、例
１と同様の処理工程及び処理条件により処理した。その
結果は、例１で得られた結果と同様であった。 （例１２）この例では、溶解処理溶液として、ＮＨ
3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモニウ
ム）溶液とを混合したｐＨ１２の混合溶液を使用してい
る点を除いて、例１と同様の処理工程及び処理条件で処
理した。この例における処理方法により得られた結果
は、例１で得られた結果と同様であった。 （例１３）例１の処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）からなる研磨された
基板に代えて、Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方
位（１１−２０）からなる研磨された基板を使用した以
外は、例１と同様の処理工程及び処理条件により処理し
た。この例により得られた結果は例１と同様であった。 （例１４）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩酸）溶
液に代えて、ＮＨ3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フ
ッ化アンモニウム）溶液とを混合したｐＨ１１の混合溶
液を使用した点、処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）の基板に代えて、Ａ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方位（１１−２０）
からなる研磨された基板を使用した点を除いて、例１と
同様の処理工程及び処理条件により処理した。この例に
より得られた結果は例１と同様であった。 （例１５）例１の溶解処理溶液であるＨＣｌ（塩酸）溶
液に代えて、ＮＨ3 （アンモニア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フ
ッ化アンモニウム）溶液とを混合したｐＨ１１の混合溶
液を使用した点、処理対象物であるＡｌ2 Ｏ3 （サファ
イヤ）単結晶の面方位（０００１）の基板に代えて、Ａ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の面方位（−１０１２）
からなる研磨された基板を使用した点を除いて、例１と
同様の処理工程及び処理条件により処理した。この例に
より得られた結果は例１と同様であった。
【発明の効果】この発明によれば、簡単な方法によって
基板の表面を原子レベルで平坦にすることができる。
基板の表面を原子レベルで平坦にすることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G077 AA02 AA03 AB02 BB01 BE15 ED06 EE04 FG06 4M113 AD36 BA01 BC05 5F043 AA37 BB25 EE04 GG10
Claims (32)
- 【請求項１】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表面
を所定の処理溶液を用いて溶解処理する方法であって、
上記所定の処理溶液は下記の（１），（２）の中から選
択されるものであり、上記処理溶液はｐＨ２以下である
ことを特徴とする単結晶の処理方法。 （１）ＨＣｌ（塩酸）溶液 （２）ＨＣｌ（塩酸）溶液を含む混合溶液 - 【請求項２】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
であることを特徴とする請求項１記載の単結晶の処理方
法。 - 【請求項３】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
であって、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）
単結晶を浸漬することを特徴とする請求項１記載の単結
晶の処理方法。 - 【請求項４】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
を含む混合溶液であることを特徴とする請求項１記載の
単結晶の処理方法。 - 【請求項５】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
を含む混合溶液であって、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3
（サファイヤ）単結晶を浸漬することを特徴とする請求
項１記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項６】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液であること
を特徴とする請求項１記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項７】 所定の処理溶液は、ＨＣｌ（塩酸）溶液
とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液であって、
この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を浸
漬することを特徴とする請求項１記載の単結晶の処理方
法。 - 【請求項８】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶は、面
方位（０００１）からなるものであることを特徴とする
請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、
請求項６または請求項７記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項９】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表面
を所定の処理溶液を用いて溶解処理する方法であって、
上記所定の処理溶液は下記の（１），（２）の中から選
択されるものであり、上記処理溶液はｐＨ２以下である
ことを特徴とする単結晶の処理方法。 （１）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液 （２）Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）溶液を含む混合溶液 - 【請求項１０】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液であることを特徴とする請求項９記載の単結晶
の処理方法。 - 【請求項１１】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液であって、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サフ
ァイヤ）単結晶を浸漬することを特徴とする請求項９記
載の単結晶の処理方法。 - 【請求項１２】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液を含む混合溶液であることを特徴とする請求項
９記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項１３】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液を含む混合溶液であって、この処理溶液中にＡ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を浸漬することを特徴と
する請求項９記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項１４】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液で
あることを特徴とする請求項９記載の単結晶の処理方
法。 - 【請求項１５】 所定の処理溶液は、Ｈ2 ＳＯ4 （硫
酸）溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液で
あって、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単
結晶を浸漬することを特徴とする請求項９記載の単結晶
の処理方法。 - 【請求項１６】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶は、
面方位（０００１）からなるものであることを特徴とす
る請求項９、請求項１０、請求項１１、請求項１２、請
求項１３、請求項１４または請求項１５記載の単結晶の
処理方法。 - 【請求項１７】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表
面を所定の処理溶液を用いて溶解処理する方法であっ
て、上記所定の処理溶液は下記の（１），（２）の中か
ら選択されるものであり、上記処理溶液はｐＨ２以下で
あることを特徴とする単結晶の処理方法。 （１）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液 （２）ＨＮＯ3 （硝酸）溶液を含む混合溶液 - 【請求項１８】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液であることを特徴とする請求項１７記載の単結晶の
処理方法。 - 【請求項１９】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液であって、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイ
ヤ）単結晶を浸漬することを特徴とする請求項１７記載
の単結晶の処理方法。 - 【請求項２０】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液を含む混合溶液であることを特徴とする請求項１７
記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２１】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液を含む混合溶液であって、この処理溶液中にＡｌ2
Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を浸漬することを特徴とする
請求項１７記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２２】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液である
ことを特徴とする請求項１７記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２３】 所定の処理溶液は、ＨＮＯ3 （硝酸）
溶液とＨ2 Ｏ2 （過酸化水素）溶液との混合溶液であっ
て、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶
を浸漬することを特徴とする請求項１７記載の単結晶の
処理方法。 - 【請求項２４】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶は、
面方位（０００１）からなるものであることを特徴とす
る請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２０、
請求項２１、請求項２２または請求項２３記載の単結晶
の処理方法。 - 【請求項２５】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶の表
面を所定の処理溶液を用いて溶解処理する方法であっ
て、上記所定の処理溶液は下記の（１），（２）の中か
ら選択されるものであることを特徴とする単結晶の処理
方法。 （１）ＮＨ3 （アンモニア）溶液 （２）ＮＨ3 （アンモニア）溶液を含む混合溶液 - 【請求項２６】 所定の処理溶液は、ｐＨ１２以上のＮ
Ｈ3 （アンモニア）溶液であることを特徴とする請求項
２５記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２７】 所定の処理溶液は、ｐＨ１２以上のＮ
Ｈ3 （アンモニア）溶液であって、この処理溶液中にＡ
ｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を浸漬することを特徴と
する請求項２５記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２８】 所定の処理溶液は、ＮＨ3 （アンモニ
ア）溶液を含む混合溶液であり、ｐＨが１２以上である
ことを特徴とする請求項２５記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項２９】 所定の処理溶液は、ＮＨ3 （アンモニ
ア）溶液を含む混合溶液でかつｐＨが１２以上であっ
て、この処理溶液中にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶
を浸漬することを特徴とする請求項２５記載の単結晶の
処理方法。 - 【請求項３０】 所定の処理溶液は、ＮＨ3 （アンモニ
ア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモニウム）溶液との混
合溶液であり、この混合溶液のｐＨが１０以上であるこ
とを特徴とする請求項２５記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項３１】 所定の処理溶液は、ＮＨ3 （アンモニ
ア）溶液とＮＨ4 Ｆ（フッ化アンモニウム）溶液との混
合溶液でかつｐＨが１０以上であって、この処理溶液中
にＡｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶を浸漬することを特
徴とする請求項２５記載の単結晶の処理方法。 - 【請求項３２】 Ａｌ2 Ｏ3 （サファイヤ）単結晶は、
面方位（０００１）からなるものであることを特徴とす
る請求項２５、請求項２６、請求項２７、請求項２８、
請求項２９、請求項３０または請求項３１記載の単結晶
の処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094730A JP2000281496A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 単結晶の処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11094730A JP2000281496A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 単結晶の処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000281496A true JP2000281496A (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=14118241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11094730A Pending JP2000281496A (ja) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | 単結晶の処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000281496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011084887A1 (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-14 | Avantor Performance Materials, Inc. | Chemical compositions for wet chemical modification of sapphire surfaces |
| JP2014143330A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 半導体発光素子用基材の製造方法、半導体発光素子の製造方法、及び、ＧａＮ系半導体発光素子 |
-
1999
- 1999-04-01 JP JP11094730A patent/JP2000281496A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011084887A1 (en) * | 2010-01-06 | 2011-07-14 | Avantor Performance Materials, Inc. | Chemical compositions for wet chemical modification of sapphire surfaces |
| JP2014143330A (ja) * | 2013-01-25 | 2014-08-07 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 半導体発光素子用基材の製造方法、半導体発光素子の製造方法、及び、ＧａＮ系半導体発光素子 |
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