JP2000284121A - 偏光分離膜および偏光分離プリズム - Google Patents
偏光分離膜および偏光分離プリズムInfo
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- JP2000284121A JP2000284121A JP11091378A JP9137899A JP2000284121A JP 2000284121 A JP2000284121 A JP 2000284121A JP 11091378 A JP11091378 A JP 11091378A JP 9137899 A JP9137899 A JP 9137899A JP 2000284121 A JP2000284121 A JP 2000284121A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、入射光をｓ偏光とｐ偏光に分離する
偏光分離膜とこの偏光分離膜を用いた偏光分離プリズム
に関するものであり、より少ない層数で、より高い消光
比を実現し、さらに波長の広帯域化も図ることを目的と
する。 【解決手段】偏光分離膜を、透明物体の面に高屈折率層
と低屈折率層を交互に多層堆積させ、上記低屈折率層の
物質として酸化ガリウムを用いるようにして構成した。
偏光分離膜とこの偏光分離膜を用いた偏光分離プリズム
に関するものであり、より少ない層数で、より高い消光
比を実現し、さらに波長の広帯域化も図ることを目的と
する。 【解決手段】偏光分離膜を、透明物体の面に高屈折率層
と低屈折率層を交互に多層堆積させ、上記低屈折率層の
物質として酸化ガリウムを用いるようにして構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、入射光をｓ偏光と
ｐ偏光に分離する偏光分離膜とこの偏光分離膜を用いた
偏光分離プリズムに関するものである。
ｐ偏光に分離する偏光分離膜とこの偏光分離膜を用いた
偏光分離プリズムに関するものである。
【０００２】光学用に用いられている偏光分離膜は、光
ディスクの検出光学系やプロジェクタの照明光学系とし
て広く使用されている。特にプロジェクタ用途として
は、一つの偏光分離膜で分離し得る波長帯の広帯域化へ
の要求が年々高まっている。
ディスクの検出光学系やプロジェクタの照明光学系とし
て広く使用されている。特にプロジェクタ用途として
は、一つの偏光分離膜で分離し得る波長帯の広帯域化へ
の要求が年々高まっている。
【０００３】このように、偏光分離膜は、より少ない層
数で、より高い消光比（ｐ偏光の透過率とｓ偏光の透過
率の比）を実現し、さらに波長の広帯域化を図れること
が必要とされている。
数で、より高い消光比（ｐ偏光の透過率とｓ偏光の透過
率の比）を実現し、さらに波長の広帯域化を図れること
が必要とされている。
【０００４】
【従来の技術】入射光をｓ偏光とｐ偏光に分離する偏光
ビームスプリッタとして、ガラス等を材料とした接合型
プリズムの接合面に、屈性率の異なる二つの層（高屈折
率層と低屈折率層）を交互に多層堆積させて偏光分離膜
を形成する形態の偏光分離プリズムが知られている。こ
の偏光分離膜の層に用いる屈折率の組み合わせとして
は、マクネイル（MacMeille)型偏光分離膜が知られてい
る。このマクネイル型偏光分離膜では、ｐ偏光の透過率
は広い波長範囲において高い値をもつが、ｓ偏光は使用
する膜物質の屈折率の組み合わせによってその反射率と
使用可能な波長範囲が制限される。
ビームスプリッタとして、ガラス等を材料とした接合型
プリズムの接合面に、屈性率の異なる二つの層（高屈折
率層と低屈折率層）を交互に多層堆積させて偏光分離膜
を形成する形態の偏光分離プリズムが知られている。こ
の偏光分離膜の層に用いる屈折率の組み合わせとして
は、マクネイル（MacMeille)型偏光分離膜が知られてい
る。このマクネイル型偏光分離膜では、ｐ偏光の透過率
は広い波長範囲において高い値をもつが、ｓ偏光は使用
する膜物質の屈折率の組み合わせによってその反射率と
使用可能な波長範囲が制限される。
【０００５】図３は、光学薄膜の界面でのｐ偏光の反射
率について説明するもので、ブリュースター角（偏光
角）を説明している。この図３は、高屈折率ｎH の物質
層と低屈折率ｎL の物質層を接合した界面に、高屈折率
ｎH 層側から入射角θH で光が入射し、その界面で主と
してｓ偏光成分が反射、主としてｐ偏光成分が透過し、
透過光は屈折角θL で屈折して低屈折率ｎL 層中に射出
する状態が示されている。この場合のｐ偏光成分の振幅
反射係数ｒp は以下の式で表される。
率について説明するもので、ブリュースター角（偏光
角）を説明している。この図３は、高屈折率ｎH の物質
層と低屈折率ｎL の物質層を接合した界面に、高屈折率
ｎH 層側から入射角θH で光が入射し、その界面で主と
してｓ偏光成分が反射、主としてｐ偏光成分が透過し、
透過光は屈折角θL で屈折して低屈折率ｎL 層中に射出
する状態が示されている。この場合のｐ偏光成分の振幅
反射係数ｒp は以下の式で表される。
【０００６】ｒp ＝（ｎH ／ cosθH −ｎL ／ cos
θL ) ／（ｎH ／ cosθH ＋ｎL ／ cosθL ） ここで、ｐ偏光が全て透過されるという条件、すなわち
ｒp ＝０という条件から、 ｎH ／ cosθH ＝ｎL ／ cosθL θH ＝ tan-1（ｎH ／ｎL ） がブリュースター角（偏光角）として導かれる。この条
件を満たす高屈折率ｎHと低屈折率ｎL 、入射角θH 、
屈折角θL の組合せはマクネイル（MacMeille)条件とし
て知られている。つまり、このマクネイル条件を満たす
場合には、ｐ偏光成分は界面で反射せずに透過すること
になる。
θL ) ／（ｎH ／ cosθH ＋ｎL ／ cosθL ） ここで、ｐ偏光が全て透過されるという条件、すなわち
ｒp ＝０という条件から、 ｎH ／ cosθH ＝ｎL ／ cosθL θH ＝ tan-1（ｎH ／ｎL ） がブリュースター角（偏光角）として導かれる。この条
件を満たす高屈折率ｎHと低屈折率ｎL 、入射角θH 、
屈折角θL の組合せはマクネイル（MacMeille)条件とし
て知られている。つまり、このマクネイル条件を満たす
場合には、ｐ偏光成分は界面で反射せずに透過すること
になる。
【０００７】一方、ｓ偏光成分については、偏光分離膜
に用いる高屈折率層の屈折率ｎH と低屈折率層の屈折率
ｎL とに基づいて、その反射率と使用可能な波長範囲が
決まることになる。
に用いる高屈折率層の屈折率ｎH と低屈折率層の屈折率
ｎL とに基づいて、その反射率と使用可能な波長範囲が
決まることになる。
【０００８】上記のマクネイル条件を図４に例示するよ
うな接合型の偏光分離プリズムの偏光分離膜に適用する
場合について考える。いま入射側プリズムの材料（ここ
では通常のガラス）の屈折率ｎ0 を１．５２、プリズム
の頂角θ0 を４５度とした場合、マクネイル条件を満た
す層物質の屈折率の組合せの例を計算してみると、例え
ば低屈折率層の屈折率が１．３８であるときには高屈折
率層の屈折率は１．７１となる。
うな接合型の偏光分離プリズムの偏光分離膜に適用する
場合について考える。いま入射側プリズムの材料（ここ
では通常のガラス）の屈折率ｎ0 を１．５２、プリズム
の頂角θ0 を４５度とした場合、マクネイル条件を満た
す層物質の屈折率の組合せの例を計算してみると、例え
ば低屈折率層の屈折率が１．３８であるときには高屈折
率層の屈折率は１．７１となる。
【０００９】偏光分離膜の各層として使用できる物質
は、現在よく用いられるところでは、低屈折率物質とし
てはＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 など、高屈折率物資としてはＡ
ｌ2 Ｏ 3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 な
どである。偏光分離膜に使用できる屈折率の組合せは、
現実には、実用にかなう低屈折率物質があるか否かによ
り決まる。具体例としては、現在よく使われる低屈折率
物質としては屈折率（すなわちｎL ）が１．３８のＭｇ
Ｆ2 （フッ化マグネシュウム）があり、これと組み合わ
す高屈折物質としては屈折率（すなわちｎH ）が１．７
０のＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）などである。
は、現在よく用いられるところでは、低屈折率物質とし
てはＭｇＦ2 ，ＳｉＯ2 など、高屈折率物資としてはＡ
ｌ2 Ｏ 3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 な
どである。偏光分離膜に使用できる屈折率の組合せは、
現実には、実用にかなう低屈折率物質があるか否かによ
り決まる。具体例としては、現在よく使われる低屈折率
物質としては屈折率（すなわちｎL ）が１．３８のＭｇ
Ｆ2 （フッ化マグネシュウム）があり、これと組み合わ
す高屈折物質としては屈折率（すなわちｎH ）が１．７
０のＹ2 Ｏ3 （酸化イットリウム）などである。
【００１０】図５には、偏光分離膜の実用的な設計例と
して、低屈折率層の物質としＭｇＦ 2 （ｎL ＝１．３
８）を使用し、高屈折率層の物質としてＹ2 Ｏ3 （ｎH
＝１．７０）を使用して偏光分離膜を形成した場合の透
過率・相対波数特性が示される。図中、横軸は相対波数
(Relative Wave Number)、縦軸は透過率(Transmittanc
e) を表す。ここで、相対波数は所定の中心波長（例え
ば５５０ｎｍなど）に対する倍率で波長を表すものであ
り、相対波数１が中心波長に相当する。また、図中の
（ＨＬ）n Ｈ〔但し、図５の例ではｎ＝５〕の表示は、
偏光分離膜を、高屈折率層と低屈折率層の組合せをｎ層
堆積して更に高屈折率層を単独で１層加えて形成したこ
とを表す。よって、この例の場合、堆積層の数は１１層
となる。図５中、（１）はｐ偏光成分の特性、（２）は
ｓ偏光成分の特性である。この図５から分かるように、
ｐ偏光は透過率ほぼ１００％である。一方、ｓ偏光は相
対波数０．８５〜１．１５位の範囲の波長が反射してい
るが、透過する成分もあり、消光比としては十分なもの
が得られていない。
して、低屈折率層の物質としＭｇＦ 2 （ｎL ＝１．３
８）を使用し、高屈折率層の物質としてＹ2 Ｏ3 （ｎH
＝１．７０）を使用して偏光分離膜を形成した場合の透
過率・相対波数特性が示される。図中、横軸は相対波数
(Relative Wave Number)、縦軸は透過率(Transmittanc
e) を表す。ここで、相対波数は所定の中心波長（例え
ば５５０ｎｍなど）に対する倍率で波長を表すものであ
り、相対波数１が中心波長に相当する。また、図中の
（ＨＬ）n Ｈ〔但し、図５の例ではｎ＝５〕の表示は、
偏光分離膜を、高屈折率層と低屈折率層の組合せをｎ層
堆積して更に高屈折率層を単独で１層加えて形成したこ
とを表す。よって、この例の場合、堆積層の数は１１層
となる。図５中、（１）はｐ偏光成分の特性、（２）は
ｓ偏光成分の特性である。この図５から分かるように、
ｐ偏光は透過率ほぼ１００％である。一方、ｓ偏光は相
対波数０．８５〜１．１５位の範囲の波長が反射してい
るが、透過する成分もあり、消光比としては十分なもの
が得られていない。
【００１１】図６は反射光（ｓ偏光成分）の波長の広帯
域化を図った従来の偏光分離膜の設計例を示すものであ
る。この設計例では、高屈折率層と低屈折率層の組合せ
を１５層設けてそれに更に高屈折率層を単独で１層加え
て形成し、各層の膜厚を少しずつ変えることで、波長の
広帯域化を図ったものである。図示するように、この設
計例によれば、反射光（ｓ偏光成分）の波長は相対波数
０．７〜１．３位の範囲に広げられているが、以前とし
て、消光比としては十分なものが得られていない。
域化を図った従来の偏光分離膜の設計例を示すものであ
る。この設計例では、高屈折率層と低屈折率層の組合せ
を１５層設けてそれに更に高屈折率層を単独で１層加え
て形成し、各層の膜厚を少しずつ変えることで、波長の
広帯域化を図ったものである。図示するように、この設
計例によれば、反射光（ｓ偏光成分）の波長は相対波数
０．７〜１．３位の範囲に広げられているが、以前とし
て、消光比としては十分なものが得られていない。
【００１２】このｓ偏光成分の反射率をさらに大きくす
る手法としては、使用するプリズムの材料物質（ガラ
ス）として、さらに屈折率の高いもの、例えば屈折率
１．７〜１．８程度の高屈折率ガラスを用いる方法があ
る。高屈折率ガラスを使用した場合、前述のマクネイル
条件を満たす高屈折率と低屈折率の組合せの差が大きく
なり、ｓ偏光成分の反射率が大きくなる。
る手法としては、使用するプリズムの材料物質（ガラ
ス）として、さらに屈折率の高いもの、例えば屈折率
１．７〜１．８程度の高屈折率ガラスを用いる方法があ
る。高屈折率ガラスを使用した場合、前述のマクネイル
条件を満たす高屈折率と低屈折率の組合せの差が大きく
なり、ｓ偏光成分の反射率が大きくなる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】従来、実用化し得てい
る偏光分離膜では、まだ十分な消光比を実現できておら
ず、また波長の広帯域化も不十分である。広帯域化を図
るために図６に示すような設計手法も可能であるが、こ
の場合、堆積する層数が多くなり、製造手間がかかるこ
とになる。また、プリズムの材料として高屈折率ガラス
を使用する方法もあるが、かかる高屈折率ガラスは高価
なものであり、加工も難しくなるという問題がある。
る偏光分離膜では、まだ十分な消光比を実現できておら
ず、また波長の広帯域化も不十分である。広帯域化を図
るために図６に示すような設計手法も可能であるが、こ
の場合、堆積する層数が多くなり、製造手間がかかるこ
とになる。また、プリズムの材料として高屈折率ガラス
を使用する方法もあるが、かかる高屈折率ガラスは高価
なものであり、加工も難しくなるという問題がある。
【００１４】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、より少ない層数で、より高い消光比を実現
し、さらに波長の広帯域化も図ることを目的とする。
ものであり、より少ない層数で、より高い消光比を実現
し、さらに波長の広帯域化も図ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明にかかる偏光分離膜は、透明物体の面に高
屈折率層と低屈折率層を交互に多層堆積させ、上記低屈
折率層の物質として酸化ガリウム（ＧａＯ2 ）を用いる
ようにしたものである。また、本発明にかかる偏光分離
プリズムは、上記の偏光分離膜を接合型プリズムの接合
面に形成したものである。
めに、本発明にかかる偏光分離膜は、透明物体の面に高
屈折率層と低屈折率層を交互に多層堆積させ、上記低屈
折率層の物質として酸化ガリウム（ＧａＯ2 ）を用いる
ようにしたものである。また、本発明にかかる偏光分離
プリズムは、上記の偏光分離膜を接合型プリズムの接合
面に形成したものである。
【００１６】
【作用】図２は、図４に示す偏光分離プリズムの偏光分
離膜について、上記したマクネイル条件に従う偏光分離
膜の層物質の高屈折率と低屈折率の組合せを種々計算し
て示したものである。ここで、入射側プリズムの材料と
しては屈折率ｎ0 が１．５２の低屈折率ガラス（例えば
ＢＫ７など）を用い、プリズムの頂角θ0 は４５度とし
てある。この図２の計算結果によれば、低屈折率ｎL の
値が小さくなるほど、それと組み合わされる高屈折率ｎ
H との値の差が大きくなることが分かる。そこで、この
知見に基づき、本発明では、この低屈折率層の物質とし
て、１．２〜１．３程度の屈折率を持つ物質である酸化
ガリウム（ＧａＯ2 ）を使用するものである。これによ
り、層物質の組合せの低屈折率と高屈折率との差を大き
くとれ、それによりｓ偏光についても高い反射率と広い
使用波長範囲を実現できる。
離膜について、上記したマクネイル条件に従う偏光分離
膜の層物質の高屈折率と低屈折率の組合せを種々計算し
て示したものである。ここで、入射側プリズムの材料と
しては屈折率ｎ0 が１．５２の低屈折率ガラス（例えば
ＢＫ７など）を用い、プリズムの頂角θ0 は４５度とし
てある。この図２の計算結果によれば、低屈折率ｎL の
値が小さくなるほど、それと組み合わされる高屈折率ｎ
H との値の差が大きくなることが分かる。そこで、この
知見に基づき、本発明では、この低屈折率層の物質とし
て、１．２〜１．３程度の屈折率を持つ物質である酸化
ガリウム（ＧａＯ2 ）を使用するものである。これによ
り、層物質の組合せの低屈折率と高屈折率との差を大き
くとれ、それによりｓ偏光についても高い反射率と広い
使用波長範囲を実現できる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態として
の偏光分離プリズムの透過率・相対波数特性を示す図で
ある。この偏光分離プリズムは、入射側のプリズム材料
としては屈折率が１．５２の通常のガラス材料（具体的
にはＢＫ７）を用いている。プリズム接合面に形成する
偏光分離膜は、その層構造が（ＨＬ）5 Ｈ、すなわち、
高屈折率層と低屈折率層の組合せを５層堆積してそれに
更に高屈折率層を単独で１層加えた構造からなる。この
層構造の各層の厚さは通常の偏光分離膜の設計例に従
う。ここで、低屈折率層としては、屈折率（ｎL ）が
１．２５の酸化ガリウム（ＧａＯ2 ）を用いており、マ
クネイル条件に従ってこれに組み合わせる高屈折率層の
物質としては、屈折率（ｎH ）が２．１の酸化タンタル
（Ｔａ2 Ｏ5 ）を用いている。
を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態として
の偏光分離プリズムの透過率・相対波数特性を示す図で
ある。この偏光分離プリズムは、入射側のプリズム材料
としては屈折率が１．５２の通常のガラス材料（具体的
にはＢＫ７）を用いている。プリズム接合面に形成する
偏光分離膜は、その層構造が（ＨＬ）5 Ｈ、すなわち、
高屈折率層と低屈折率層の組合せを５層堆積してそれに
更に高屈折率層を単独で１層加えた構造からなる。この
層構造の各層の厚さは通常の偏光分離膜の設計例に従
う。ここで、低屈折率層としては、屈折率（ｎL ）が
１．２５の酸化ガリウム（ＧａＯ2 ）を用いており、マ
クネイル条件に従ってこれに組み合わせる高屈折率層の
物質としては、屈折率（ｎH ）が２．１の酸化タンタル
（Ｔａ2 Ｏ5 ）を用いている。
【００１８】ここで用いている酸化ガリウム（Ｇａ
Ｏ2 ）は、例えば米国特許ＵＳＰNo.5,474,851号に反射
防止膜としての利用が開示されている物質であり、その
製法も同特許に開示されている公知のものである。この
酸化ガリウムは、屈折率として１．２〜１．３の値をも
つ。
Ｏ2 ）は、例えば米国特許ＵＳＰNo.5,474,851号に反射
防止膜としての利用が開示されている物質であり、その
製法も同特許に開示されている公知のものである。この
酸化ガリウムは、屈折率として１．２〜１．３の値をも
つ。
【００１９】図１は上記構成の偏光分離プリズムの透過
率・相対波数特性を示す図である。図中、横軸は相対波
数、縦軸は透過率を表し、（１）はｐ偏光成分の特性、
（２）はｓ偏光成分の特性である。この図１から分かる
ように、ｐ偏光成分は透過率ほぼ１００％であり、ｓ偏
光成分は相対波数０．７〜１．３位の範囲でほぼ全てが
反射（透過率が０）している。この図１の特性を図５に
示す従来の設計例の特性と比較すると分かるように、本
発明によれば、偏光分離膜として少ない層数で、非常に
広い波長域において高い消光比が得られるものである。
例えば、図６に示す従来の広帯域化を図る設計例（低屈
折率層にＭｇＦ2 を使用）と比較すると、従来の設計例
では偏光分離膜に３１層の堆積を要しているが、この実
施形態では１１層でより高い消光比を得ることができ
る。また、プリズムの材料物質としても、高屈折率の物
質を使用することを要せず、通常のガラス（例えば屈折
率１．５２のＢＫ７など）で足り、安価であるとともに
製造が容易である。
率・相対波数特性を示す図である。図中、横軸は相対波
数、縦軸は透過率を表し、（１）はｐ偏光成分の特性、
（２）はｓ偏光成分の特性である。この図１から分かる
ように、ｐ偏光成分は透過率ほぼ１００％であり、ｓ偏
光成分は相対波数０．７〜１．３位の範囲でほぼ全てが
反射（透過率が０）している。この図１の特性を図５に
示す従来の設計例の特性と比較すると分かるように、本
発明によれば、偏光分離膜として少ない層数で、非常に
広い波長域において高い消光比が得られるものである。
例えば、図６に示す従来の広帯域化を図る設計例（低屈
折率層にＭｇＦ2 を使用）と比較すると、従来の設計例
では偏光分離膜に３１層の堆積を要しているが、この実
施形態では１１層でより高い消光比を得ることができ
る。また、プリズムの材料物質としても、高屈折率の物
質を使用することを要せず、通常のガラス（例えば屈折
率１．５２のＢＫ７など）で足り、安価であるとともに
製造が容易である。
【００２０】また、本発明においてさらに波長の広帯域
化を図りたいときには、堆積する層数を増やし、それら
の層の厚さを少しずつ変化させる図６に示した従来の設
計手法を用いることができる。
化を図りたいときには、堆積する層数を増やし、それら
の層の厚さを少しずつ変化させる図６に示した従来の設
計手法を用いることができる。
【００２１】以上の説明では、本発明の偏光分離膜を、
マクネイル条件に従ってその多層膜を構成する各層の屈
折率を設定している設計を例にして説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、他の方法で屈性率を決
めている一般的な偏光分離膜に対しても、もちろん本発
明を適用できるものである。
マクネイル条件に従ってその多層膜を構成する各層の屈
折率を設定している設計を例にして説明したが、本発明
はこれに限られるものではなく、他の方法で屈性率を決
めている一般的な偏光分離膜に対しても、もちろん本発
明を適用できるものである。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、偏光分離膜を少ない層数で形成しながら、従来に比
べて顕著に高い消光比を得ることができ、しかも十分な
消光比を広い波長範囲において得ることができる。ま
た、高い消光比を得るために、プリズム材料として通常
のガラス材料で足りるので、高屈折率のものを用いる必
要がなく、偏光分離プリズムを容易にかつ低コストで製
造することができる。
ば、偏光分離膜を少ない層数で形成しながら、従来に比
べて顕著に高い消光比を得ることができ、しかも十分な
消光比を広い波長範囲において得ることができる。ま
た、高い消光比を得るために、プリズム材料として通常
のガラス材料で足りるので、高屈折率のものを用いる必
要がなく、偏光分離プリズムを容易にかつ低コストで製
造することができる。
【図１】本発明の一実施形態としての偏光分離プリズム
の透過率・相対波数特性を示す図である。
の透過率・相対波数特性を示す図である。
【図２】マクネイル条件を説明するための図である。
【図３】ブリュースター角（偏光角）を説明するための
図である。
図である。
【図４】偏光分離プリズムの機能を説明するための図で
ある。
ある。
【図５】従来の典型的な設計例（ＭｇＦ2 を使用）によ
る偏光分離ブリズムの透過率・相対波数特性を示す図で
ある。
る偏光分離ブリズムの透過率・相対波数特性を示す図で
ある。
【図６】波長の広帯域化を図った従来の設計例（ＭｇＦ
2 を使用）による偏光分離ブリズムの透過率・相対波数
特性を示す図である。
2 を使用）による偏光分離ブリズムの透過率・相対波数
特性を示す図である。
ｎH 高屈折率 ｎL 低屈折率 ｎ0 入射光側プリズム材料の屈折率 θH 入射角 θL 屈折角θ θ0 プリズムの頂角
Claims (2)
- 【請求項１】透明物体の面に高屈折率層と低屈折率層を
交互に多層堆積させ、上記低屈折率層の物質として酸化
ガリウムを用いた偏光分離膜。 - 【請求項２】請求項１記載の偏光分離膜を接合型プリズ
ムの接合面に形成した偏光分離プリズム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11091378A JP2000284121A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 偏光分離膜および偏光分離プリズム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11091378A JP2000284121A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 偏光分離膜および偏光分離プリズム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000284121A true JP2000284121A (ja) | 2000-10-13 |
Family
ID=14024719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11091378A Pending JP2000284121A (ja) | 1999-03-31 | 1999-03-31 | 偏光分離膜および偏光分離プリズム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000284121A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003021807A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Ricoh Co Ltd | 偏光型光路分離素子および色分離合成素子および色分離方法および色合成方法およびカラー映像光合成装置およびカラー映像光合成方法および投影装置 |
| JP2012203329A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Canon Inc | 偏光分離素子および画像投射装置 |
| CN121432725A (zh) * | 2025-12-22 | 2026-01-30 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 深紫外波段宽带高消光比偏振分光棱镜 |
-
1999
- 1999-03-31 JP JP11091378A patent/JP2000284121A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003021807A (ja) * | 2001-07-09 | 2003-01-24 | Ricoh Co Ltd | 偏光型光路分離素子および色分離合成素子および色分離方法および色合成方法およびカラー映像光合成装置およびカラー映像光合成方法および投影装置 |
| JP2012203329A (ja) * | 2011-03-28 | 2012-10-22 | Canon Inc | 偏光分離素子および画像投射装置 |
| CN121432725A (zh) * | 2025-12-22 | 2026-01-30 | 沈阳仪表科学研究院有限公司 | 深紫外波段宽带高消光比偏振分光棱镜 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060307 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081216 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090414 |