JP2000285405A

JP2000285405A - 磁気ヘッド駆動回路および磁気記録装置

Info

Publication number: JP2000285405A
Application number: JP11090894A
Authority: JP
Inventors: Shigekazu Minechika; 重和峯近
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1999-03-31
Filing date: 1999-03-31
Publication date: 2000-10-13
Anticipated expiration: 2019-03-31
Also published as: JP3579290B2

Abstract

(57)【要約】【課題】入切用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気
ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さが規定値に達す
るように、界磁コイルに所定の電流値を流すことがで
き、且つ、入切用ＦＥＴが飽和状態であっても、界磁コ
イルに過度の電流が流れることを防止できる磁気ヘッド
駆動回路を提供する。【解決手段】本発明の磁気ヘッド駆動回路は、磁気を
用いて記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該
記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、入
切用ＦＥＴを使用し、該制御回路から受信した制御信号
に基づいて、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の
向きを切り替えるスイッチ回路を具えており、該ＦＥＴ
のドレイン及びソース間には、ＦＥＴが不飽和状態であ
っても、界磁コイルに所定値の電流が流れるような電圧
が供給されており、スイッチ回路は、界磁コイルに通電
する電流の大きさを制限する電流制限手段を具える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクド
ライブ、ハードディスクドライブ等のような、磁気を用
いて記録媒体に情報を記録する磁気記録装置に関し、特
に、前記磁気記録装置に用いられる磁気ヘッド駆動回路
に関するものである。具体的には、記録媒体に記録する
ための記録信号の周波数が高い領域にも適用可能な磁気
ヘッド駆動回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】前記磁気記録装置は、情報をデジタル式
の電圧信号である記録信号に変換し、記録媒体を該記録
信号に対応する方向に磁化して保持することにより、情
報を記録媒体に記録する装置である。磁気記録装置は、
記録媒体に磁界を形成する磁気ヘッドを具え、該磁気ヘ
ッドは、電流から磁界を発生させる界磁コイルを具え
る。また、磁気記録装置は、前記界磁コイルに通電する
と共に、前記記録信号に基づいて、界磁コイルに通電す
る電流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路を具え
る。

【０００３】図６は、一般的な磁気ヘッド駆動回路の概
要を示す回路図である。磁気ヘッド駆動回路(90)は、記
録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路(91)と、
該制御回路(91)から受信した制御信号に基づいて、界磁
コイル(92)に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ
回路(93)を具える。スイッチ回路(93)は、制御回路(91)
から受信した制御信号に基づいて、電流通路を入切する
スイッチ素子(94)(95)(96)(97)を具える。正電位の電源
端子(98)は、第１および第２スイッチ素子(94)(95)の一
端に接続される。第１スイッチ素子(94)の他端は、界磁
コイル(92)の一端と第３スイッチ素子(96)の一端に接続
され、第２スイッチ素子(95)の他端は、界磁コイル(92)
の他端と第４スイッチ素子（97）の一端に接続される。
第３および第４スイッチ素子(96)(97)の他端は、接地端
子(99)に接続される。このような、四角形の各辺にスイ
ッチ素子(94)(95)(96)(97)を配備し、一方の対角線上に
ある２つのノード(80)(81)間には電源から電力を供給
し、他方の対角線上にある２つのノード(82)(83)間に
は、界磁コイル(92)を接続する回路構成は、一般に「ブ
リッジ回路」と呼ばれている。

【０００４】上記構成の磁気ヘッド駆動回路(90)は、制
御回路からの制御信号に基づいて、第１および第４スイ
ッチ素子(94)(97)をオンにし、第２および第３スイッチ
素子(95)(96)をオフにすると、界磁コイル(92)には矢印
Ａ方向に電流が流れ、第１および第４スイッチ素子(94)
(97)をオフにし、第２および第３スイッチ素子(95)(96)
をオンにすると、界磁コイル(92)には矢印Ｂ方向に電流
が流れる。従って、上記構成の磁気ヘッド駆動回路(90)
は、記録信号に基づいて、制御回路(91)がスイッチ素子
(94)(95)(96)(97)の入切を制御することにより、界磁コ
イル(92)に流れる電流の向きを切り替えることができ
る。

【０００５】磁気ヘッド駆動回路に使用されるスイッチ
素子は、制御回路から制御信号を受信してから、オン状
態またはオフ状態に切り替わるまでのスイッチング時間
が短い素子を使用することが望ましく、このため、ＦＥ
Ｔ（電界効果型トランジスタ）が専ら使用されている。
ＦＥＴは、ゲートおよびソース間の電圧（以下、「ゲー
ト電圧」と称する。）が入力信号によって閾値電圧にま
で充電されると、ドレインおよびソース間が導通してオ
ン状態となり、さらにゲート電圧が上昇するに連れてド
レインおよびソース間を流れる電流（以下、「ドレイン
電流」と称する。）の値が上昇し、ゲート電圧が所定値
まで充電されると、ドレイン電流の値が一定となる。ド
レイン電流が一定値となった状態は、「飽和状態」と呼
ばれ、オン状態となってから飽和状態となるまでの状態
は、「不飽和状態」と呼ばれている。

【０００６】磁気ヘッド駆動回路のスイッチ素子である
入切用ＦＥＴが飽和状態であるとき、界磁コイルに流れ
る電流値が一定となり、記録媒体に形成される磁界の強
さが一定となる。従って、従来の磁気記録装置は、入切
用ＦＥＴが飽和状態であるときに、磁気ヘッドが記録媒
体に形成する磁界の強さが規定の値となるように設定さ
れており、従って、入切用ＦＥＴが飽和状態であるとき
に記録媒体に信号が安定して記録されることになる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近時、記録媒体の記録
密度を向上させるため、記録信号の最大周波数を上昇さ
せることが要求されている。記録信号の最大周波数を上
昇させると、磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不
飽和状態から飽和状態に移行する前に、次の記録信号に
対応する制御信号を受信してオフ状態に移行することが
起こり得る。この場合、磁気ヘッドが記録媒体に形成す
る磁界の強さが規定値に達せず、記録媒体への信号の記
録が不安定となる虞れがある。

【０００８】この問題点を回避するため、入切用ＦＥＴ
が不飽和状態であっても、前記磁界の強さが規定値に達
するように、電源端子(98)から印加する電圧を上昇し
て、入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間の電
圧（以下、「ドレイン電圧」と称する。）を増加するこ
とが考えられる。しかしながら、入切用ＦＥＴのドレイ
ン電圧を増加すると、飽和状態において一定となる電流
値も増加することになる。従って、周波数の低い記録信
号を磁気ヘッド駆動回路が受信する場合、入切用ＦＥＴ
が飽和状態に達して、界磁コイルに過度の電流が流れ、
その結果、磁気ヘッドは、過度の電流によるコイル導線
の焼切れや、磁気ヘッドの過熱による破壊等の故障が起
こる虞れがある。

【０００９】

【発明の目的】本発明は、入切用ＦＥＴが不飽和状態で
あっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する磁界の強さ
が規定値に達するように、界磁コイルに所定の電流値を
流すことができ、且つ、入切用ＦＥＴが飽和状態に達し
ても、界磁コイルに過度の電流が流れることを防止でき
る磁気ヘッド駆動回路を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、磁気を用いて
記録媒体に記録するための記録信号を受信し、該記録信
号に基づいて制御信号を生成する制御回路と、該制御回
路から受信した制御信号に基づいて、磁気ヘッドの界磁
コイルに通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路
を具える磁気ヘッド駆動回路であって、スイッチ回路
は、入切用ＦＥＴを用いて前記切替えを行なう磁気ヘッ
ド駆動回路に関するものである。上記課題を解決するた
め、本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切用ＦＥＴが不
飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体に形成する
磁界の強さが規定値に達するような電圧が、入切用ＦＥ
Ｔのドレインおよびソース間に供給されており、且つス
イッチ回路が、界磁コイルに通電する電流の大きさを制
限する電流制限手段を具えることを特徴とする。

【００１１】例えば、電流制限手段は、界磁コイルに流
れる電流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段か
らの電流値に基づいて、界磁コイルに流れる電流を入切
する電流制限用入切手段を具える。該入切手段は、界磁
コイルに流れる電流値が所定値を超えると、該入切手段
が電流をオフにする。これにより、界磁コイルに流れる
電流の大きさを所定値に制限できる。（以下、この所定
値を「制限値」と称する。）

【００１２】他の例としては、電流制限手段は、界磁コ
イルに流れる電流値を検出する検出手段と、該検出手段
からの電流値に基づいて、入切用ＦＥＴにおけるゲート
電圧を制限するゲート電圧制限手段を具える。該ゲート
電圧制御手段は、オン−オフ状態が正反対である少なく
とも２つの入切用ＦＥＴに配備される。ゲート電圧制御
手段は、界磁コイルに流れる電流値が所定値を超えない
ように、ゲート電圧を制限する。入切用ＦＥＴは、ドレ
イン電流がゲート電圧に依存するから、ゲート電圧を制
限することによりドレイン電流が制限される。

【００１３】

【作用及び効果】本発明の磁気ヘッド駆動回路は、入切
用ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒
体に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が
入切用ＦＥＴのドレインおよびソース間に供給されてい
るが、スイッチ回路が、界磁コイルに通電する電流の大
きさを制限する電流制限手段を具えるから、入切用ＦＥ
Ｔが飽和状態であっても、界磁コイルに過度の電流が流
れることを防止できる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の磁気ヘッド駆動回路が使用
される光磁気ディスクドライブの要部を示している。光
磁気ディスクドライブ(10)は、記録媒体として、保磁力
の強い磁性体を記録層に配備したディスク（光磁気ディ
スク）(11)を使用し、該光磁気ディスク(11)に対し、レ
ーザ光および外部磁界を用いて信号の書込みを行ない、
レーザ光を用いて信号の読出しを行なうディスク記録再
生装置である。光磁気ディスクドライブ(10)は、光磁気
ディスク(11)を回転させるディスクモータ(12)と、光磁
気ディスク(11)のトラック上にレーザ光を照射すると共
に、その反射光を検出する光ピックアップ(13)と、光磁
気ディスク(11)のトラックに磁界を形成する磁気ヘッド
(14)を具える。磁気ヘッド(14)は、電流から磁界を発生
させる界磁コイル(16)を具える（図２、図４および図５
を参照）。また、光磁気ディスクドライブ(10)は、磁気
ヘッド(14)の前記界磁コイル(16)に通電すると共に、光
磁気ディスク(11)に記録するための記録信号を本体から
受信し、該記録信号に基づいて界磁コイルに通電する電
流の向きを切り替える磁気ヘッド駆動回路(15)を具え
る。

【００１５】実施形態１図２は、本発明の一実施形態である磁気ヘッド駆動回路
を示している。磁気ヘッド駆動回路(20)は、前記記録信
号を本体から受信し、該記録信号に基づいて制御信号を
生成する制御回路(21)と、該制御回路(21)から受信した
制御信号に基づいて、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)
に通電する電流の向きを切り替えるスイッチ回路(23)を
具える。

【００１６】記録信号は、Ｈ(高)レベルの電圧とＬ(低)
レベルの電圧からなる電圧信号である（図３を参照）。
制御回路(21)は、制御信号として、該記録信号を後記す
るスイッチ回路(23)の第１ＦＥＴ(25)および第４ＦＥＴ
(28)のゲート(Ｇ)に送信し、インバータ(24)により記録
信号を反転した信号を、後記するスイッチ回路(23)の第
２ＦＥＴ(26)および第３ＦＥＴ(27)のゲートに送信す
る。

【００１７】本実施形態では、スイッチ回路(23)は、ス
イッチ素子として、４個のＮチャネルＦＥＴ(25)(26)(2
7)(28)を用いたブリッジ回路である。正電位（Ｖd[Ｖ
(ボルト)]）の電源端子(29)は、第１ＦＥＴ(25)および
第２ＦＥＴ(26)のドレイン(Ｄ)に接続される。第１ＦＥ
Ｔ(25)は、ゲートが記録信号を受信し、ソース(Ｓ)が界
磁コイル(16)の一端と第３ＦＥＴ(27)のドレインに接続
される。第３ＦＥＴ(27)は、ゲートが記録信号の反転信
号を受信し、ソースがトランジスタ(30)のコレクタ(Ｃ)
に接続される。一方、第２ＦＥＴ(26)は、ゲートが記録
信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル(16)の他
端と第４ＦＥＴ(28)のドレインに接続される。第４ＦＥ
Ｔ(28)は、ゲートが記録信号を受信し、ソースがトラン
ジスタ(30)のコレクタに接続される。

【００１８】トランジスタ(30)は、ベース(Ｂ)が差動ア
ンプ(31)の出力端子に接続され、エミッタ(Ｅ)が第１抵
抗器(32)（抵抗値Ｒ1[Ω(オーム)]）の一端に接続され
る。第１抵抗器(32)の他端は、接地端子(33)に接続され
る。差動アンプ(31)の一方の入力端子は、第２抵抗器(3
4)（抵抗値Ｒ2[Ω]）および第３抵抗器(35)（抵抗値Ｒ3
[Ω]）の一端に接続され、他方の入力端子は、第１抵抗
器(32)の一端に接続される。第２抵抗器(34)の他端は、
前記電源端子(29)に接続され、第３抵抗器(35)の他端
は、前記接地端子(33)に接続される。各抵抗器(32)(34)
(35)の抵抗値Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、Ｒ3×Ｖd／(Ｒ2＋Ｒ3)＝Ｉ_lim×Ｒ1 （式１）が成立するように設定される。ここで、Ｉ_lim[Ａ(アン
ペア)]は、界磁コイル(16)に通電する電流の制限値であ
る。

【００１９】上記構成の磁気ヘッド駆動回路(20)におい
て、制御回路(21)がＨレベルの記録信号を受信すると、
制御回路(21)は、第１ＦＥＴ(25)および第４ＦＥＴ(28)
の各ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ(26)
および第３ＦＥＴ(27)の各ゲートにＬレベルの電圧を印
加する。これにより、第１ＦＥＴ(25)および第４ＦＥＴ
(28)がオン状態となり、第２ＦＥＴ(26)および第３ＦＥ
Ｔ(27)がオフ状態となる。従って、電源端子(29)から第
１ＦＥＴ(26)、界磁コイル(16)、第４ＦＥＴ(28)、トラ
ンジスタ(30)および第１抵抗器(32)を介して接地端子(3
3)に電流を流すことができ、界磁コイル(16)には、矢印
Ａ方向に電流が流れることになる。

【００２０】次に、制御回路(21)がＬレベルの記録信号
を受信すると、制御回路(21)は、第１ＦＥＴ(25)および
第４ＦＥＴ(28)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、
第２ＦＥＴ(26)および第３ＦＥＴ(27)の各ゲートにＨレ
ベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ(25)およ
び第４ＦＥＴ(28)がオフ状態となり、第２ＦＥＴ(26)お
よび第３ＦＥＴ(27)がオン状態となる。従って、電源端
子(29)から第２ＦＥＴ(26)、界磁コイル(16)、第３ＦＥ
Ｔ(27)、トランジスタ(30)および第１抵抗器(32)を介し
て接地端子(33)に電流を流すことができ、界磁コイル(1
6)には、矢印Ｂ方向に電流が流れることになる。従っ
て、上記構成の磁気ヘッド駆動回路(20)は、記録信号の
電圧レベルに応じて、界磁コイル(16)に流れる電流の向
きを切り替えることができる。

【００２１】このとき、界磁コイル(16)に流れる電流が
制限値Ｉ_limに達すると、第１抵抗器(32)に流れる電流
値もＩ_limとなるから、上記(式１)より差動アンプ(31)
における入力端子間の電圧がゼロとなって、トランジス
タ(30)のコレクタおよびエミッタ間がオフ状態となる。
従って、界磁コイル(16)に流れる電流が制限値Ｉ_limを
超えることは無い。

【００２２】図３は、界磁コイルに流れる電流値の時間
変化を示すグラフである。上のグラフは、磁気ヘッド駆
動回路が受信する記録信号を示しており、中央および下
のグラフは、それぞれ、従来および本実施形態の磁気ヘ
ッド駆動回路が該記録信号に基づいて界磁コイルに流す
電流値を示している。ここで、従来の磁気ヘッド駆動回
路は、図２に示す本実施形態の磁気ヘッド駆動回路(20)
から、電流制御手段を構成するトランジスタ(30)、差動
アンプ(31)、第１抵抗器(32)、第２抵抗器(34)および第
３抵抗器(35)を省略したものである。

【００２３】図３では、記録密度を上昇させるため、記
録信号は、記録信号の最短周期（最大周波数）において
ＦＥＴ(25)(26)(27)(28)が飽和状態に到達し得ない程度
の記録レートが設定されている。このため、従来および
本実施形態の磁気ヘッド駆動回路は、図示のように、電
源端子(29)の正電位を上昇して、ドレイン電圧を上昇さ
せており、これにより、磁気ヘッドが記録媒体に規定の
磁界強さを形成するために必要な界磁コイルの所望電流
値Ｉ₀に、前記最短周期の期間Ｔ₁内で到達させている。

【００２４】しかしながら、ＦＥＴ(25)(26)(27)(28)の
ドレイン電圧を上昇させることにより、ＦＥＴが飽和状
態で一定となる飽和電流値Ｉ_sも上昇することになる。
従って、従来の磁気ヘッド駆動回路では、図３に示すよ
うに、ＨレベルおよびＬレベルの何れかの記録信号が継
続する期間Ｔ₂内に、前記所望電流値Ｉ₀よりも高い飽和
電流値Ｉ_sが界磁コイルに流れることになり、磁気ヘッ
ドが故障する虞れがある。一方、本実施形態の磁気ヘッ
ド駆動回路(20)では、電流制御手段により界磁コイル(1
6)に流れる電流が制限値Ｉ_limに制限されるから、電流
制限値Ｉ_limを前記所望電流値Ｉ₀より稍高い値に設定す
ることにより、図３に示すように、前記期間Ｔ₂内であ
っても、界磁コイルに流れる電流を飽和電流値Ｉ_sより
も低く制限できる。その結果、界磁コイルに過度の電流
が流れることによる磁気ヘッドの故障を防止できる。

【００２５】なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥ
Ｔ(25)(26)(27)(28)を使用しているが、ＰチャネルＦＥ
Ｔを使用してもよい。この場合、ドレインとソースの接
続位置を入れ替え、ゲートにＮチャネルとは反転した信
号を受信するように配備される。例えば、電源端子(29)
に接続する第１ＦＥＴおよび第２ＦＥＴにＰチャネルＦ
ＥＴを使用する場合には、図４に示すように、第１ＦＥ
Ｔ(37)のゲートに記録信号の反転信号を受信し、第２Ｆ
ＥＴ(38)のゲートに記録信号を受信するように変更すれ
ばよい。また、本実施形態では、電流制御手段を構成す
るトランジスタ(30)、差動アンプ(31)、第１抵抗器(3
2)、第２抵抗器(34)および第３抵抗器(35)は、第３ＦＥ
Ｔ(27)および第４ＦＥＴ(28)のノード(61)と接地端子(3
3)の間に配備しているが、電源端子(29)と、第１ＦＥＴ
(25)および第２ＦＥＴ(26)のノード(60)の間に配備して
もよい。

【００２６】実施形態２図５は、第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示してい
る。磁気ヘッド駆動回路(40)は、記録信号を本体から受
信した記録信号に基づいて制御信号を生成する制御回路
(41)と、該制御回路(41)から受信した制御信号に基づい
て、磁気ヘッド(14)の界磁コイル(16)に通電する電流の
向きを切り替えるスイッチ回路(43)を具える。記録信号
および制御回路(41)の構成は第１実施形態（図２）と同
様であるから、その説明を省略する。

【００２７】本実施形態では、スイッチ回路(43)は、４
個のＮチャネルＦＥＴ(45)(46)(47)(48)を用いたブリッ
ジ回路である。正電位（Ｖd[Ｖ]）の電源端子(49)は、
第１ＦＥＴ(45)および第２ＦＥＴ(46)のドレインに接続
される。第１ＦＥＴ(45)は、ゲートが記録信号を受信
し、ソースが界磁コイル(16)の一端と第３ＦＥＴ(47)の
ドレインに接続される。第２ＦＥＴ(46)は、ゲートが記
録信号の反転信号を受信し、ソースが界磁コイル(16)の
他端と第４ＦＥＴ(48)のドレインに接続される。第３お
よび第４ＦＥＴ(47)(48)は、ゲートがそれぞれ第１およ
び第２差動アンプ(50)(51)の出力端子に接続され、ソー
スが第１抵抗器(52)（抵抗値Ｒ4[Ω]）の一端に接続さ
れる。第１抵抗器(52)の他端は、接地端子(53)に接続さ
れる。

【００２８】第１差動アンプ(50)の一方の入力端子は、
第２抵抗器(54)（抵抗値Ｒ5[Ω]）および第３抵抗器(5
5)（抵抗値Ｒ6[Ω]）の一端に接続され、他方の入力端
子は、第１抵抗器(52)の一端に接続される。第２抵抗器
(54)の他端は、制御回路(41)のインバータ(44)に接続さ
れ、第３抵抗器(55)の他端は、前記接地端子(53)に接続
される。同様に、第２差動アンプ(51)の一方の入力端子
は、第４抵抗器(56)（抵抗値Ｒ7[Ω]）および第５抵抗
器(57)（抵抗値Ｒ8[Ω]）の一端に接続され、他方の入
力端子は、第１抵抗器(52)の一端に接続される。第４抵
抗器(56)の他端は、制御回路(41)に接続され、第５抵抗
器(57)の他端は、前記接地端子(53)に接続される。

【００２９】各抵抗器(52)(54)〜(57)の抵抗値Ｒ4〜Ｒ8
は、Ｒ6×Ｖd／(Ｒ5＋Ｒ6)＝Ｉ_lim×Ｒ4 （式２）、およびＲ8×Ｖd／(Ｒ7＋Ｒ8)＝Ｉ_lim×Ｒ4 （式３）が成立するように設定される。

【００３０】上記構成のヘッド駆動回路(40)において、
制御回路(41)がＨレベルの記録信号を受信すると、制御
回路(41)は、第１ＦＥＴ(45)および第４ＦＥＴ(48)の各
ゲートにＨレベルの電圧を印加し、第２ＦＥＴ(46)およ
び第３ＦＥＴ(47)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加す
る。これにより第１ＦＥＴ(45)および第４ＦＥＴ(48)が
オン状態となり、第２ＦＥＴ(46)および第３ＦＥＴ(47)
がオフ状態となる。従って、電源端子(49)から第１ＦＥ
Ｔ(46)、界磁コイル(16)、第４ＦＥＴ(48)および第１抵
抗器(52)を介して接地端子(53)に電流を流すことがで
き、界磁コイル(16)には、矢印Ａ方向に電流が流れるこ
とになる。

【００３１】このとき、界磁コイル(16)に流れる電流が
制限値Ｉ_limに達すると、第１抵抗器(52)に流れる電流
値もＩ_limとなるから、上記(式３)より第２差動アンプ
(51)における入力端子間の電圧がゼロとなって、第４Ｆ
ＥＴ(48)がオフ状態となる。従って、界磁コイル(16)に
流れる電流が制限値Ｉ_limを超えることは無い。

【００３２】次に、制御回路(41)がＬレベルの記録信号
を受信すると、制御回路(41)は、第１ＦＥＴ(45)および
第４ＦＥＴ(48)の各ゲートにＬレベルの電圧を印加し、
第２ＦＥＴ(46)および第３ＦＥＴ(47)の各ゲートにＨレ
ベルの電圧を印加する。これにより第１ＦＥＴ(45)およ
び第４ＦＥＴ(48)がオフ状態となり、第２ＦＥＴ(46)お
よび第３ＦＥＴ(47)がオン状態となる。従って、電源端
子(49)から第２ＦＥＴ(46)、界磁コイル(16)、第３ＦＥ
Ｔ(47)および第１抵抗器(52)を介して接地端子(53)に電
流を流すことができ、界磁コイル(16)には、矢印Ｂ方向
に電流が流れることになる。従って、上記構成のヘッド
駆動回路(40)は、記録信号の電圧レベルに応じて、界磁
コイル(16)を流れる電流の向きを切り替えることができ
る。

【００３３】このとき、界磁コイル(16)に流れる電流が
制限値Ｉ_limに達すると、上述と同様に、上記(式２)よ
り第１差動アンプ(50)における入力端子間の電圧がゼロ
となって、第３ＦＥＴ(47)がオフ状態となる。従って、
界磁コイル(16)に流れる電流が制限値Ｉ_limを超えるこ
とは無い。従って、本実施形態の磁気ヘッド駆動回路(4
0)は、第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路(20)と同様
に、界磁コイル(16)に流れる電流を制限値Ｉ_limに制限
でき、その結果、界磁コイルに過度の電流が流れること
による磁気ヘッドの故障を防止できる。

【００３４】なお、本実施形態では、ＮチャネルのＦＥ
Ｔ(45)(46)(47)(48)を使用しているが、上述のようにし
て、ＰチャネルＦＥＴを使用することもできる。また、
本実施形態において、第３ＦＥＴ(47)のゲートと制御回
路(41)の間に配備した第１差動アンプ(50)、第２抵抗器
(54)および第３抵抗器(55)を、第２ＦＥＴ(46)のゲート
と制御回路(41)の間に配備し、第４ＦＥＴ(48)のゲート
と制御回路(41)の間に配備した第２差動アンプ(51)、第
４抵抗器(56)および第５抵抗器(57)を、第１ＦＥＴ(45)
のゲートと制御回路(41)の間に配備してもよい。

【００３５】上記実施形態の説明は、本発明を説明する
ためのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限
定し、或いは範囲を減縮する様に解すべきではない。
又、本発明の各部構成は上記実施形態に限らず、特許請
求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であ
ることは勿論である。例えば、上記実施形態では、光磁
気ディスクドライブについて説明しているが、ハードデ
ィスクドライブ等のような、磁気ヘッドにより情報を記
録媒体に高速に記録するその他の磁気記録装置にも本発
明を適用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光磁気ディスクドライブの要部を示す模式図で
ある。

【図２】第１実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路
図である。

【図３】磁気ヘッドの界磁コイルに流れる電流値の時間
変化を示すグラフである。

【図４】図２にＰチャネルＦＥＴを用いた場合の磁気ヘ
ッド駆動回路を示す回路図である。

【図５】第２実施形態の磁気ヘッド駆動回路を示す回路
図である。

【図６】一般的な磁気ヘッド駆動回路を示す回路図であ
る。

【符号の説明】

(10) 光磁気ディスクドライブ (14) 磁気ヘッド (16) 界磁コイル (20) 磁気ヘッド駆動回路 (21) 制御回路 (23) スイッチ回路 (25)(26)(27)(28) ＦＥＴ (29) 電源端子 (30) トランジスタ (31) 差動アンプ (32)(34)(35) 抵抗器 (33) 接地端子

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気を用いて記録媒体に記録するための
記録信号を受信し、該記録信号に基づいて制御信号を生
成する制御回路と、該制御回路から受信した制御信号に
基づいて、磁気ヘッドの界磁コイルに通電する電流の向
きを切り替えるスイッチ回路を具える磁気ヘッド駆動回
路であって、スイッチ回路は、入切用ＦＥＴ（電界効果
型トランジスタ）を用いて前記切替えを行なう磁気ヘッ
ド駆動回路に於て、入切用ＦＥＴにおけるドレインおよびソース間には、該
ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体
に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧が供
給されており、スイッチ回路は、界磁コイルに通電する電流の大きさを
制限する電流制限手段を具えることを特徴とする磁気ヘ
ッド駆動回路。
【請求項２】スイッチ回路は、各ブリッジ辺に入切用
ＦＥＴを具えるブリッジ回路を有し、ブリッジ回路は、一方の対角線上にある２つのノード間
には電源から電力が供給されるようにしており、他方の
対角線上にある２つのノード間には、界磁コイルが接続
されるようにしている、請求項１に記載の磁気ヘッド駆
動回路。
【請求項３】電流制限手段は、界磁コイルに流れる電
流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電
流値に基づいて、界磁コイルに流れる電流を入切する電
流制限用入切手段を具える、請求項１又は請求項２に記
載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項４】電流制限手段は、界磁コイルに流れる電
流の大きさを検出する検出手段と、該検出手段からの電
流値に基づいて、入切用ＦＥＴにおけるゲートおよびソ
ース間の電圧を制限するゲート電圧制限手段を具え、該
ゲート電圧制御手段は、オン−オフ状態が正反対である
少なくとも２つの入切用ＦＥＴに配備される、請求項１
又は請求項２に記載の磁気ヘッド駆動回路。
【請求項５】請求項１乃至請求項４の何れかに記載の
磁気ヘッド駆動回路と、磁気ヘッド駆動回路の入切用Ｆ
ＥＴにおけるドレインおよびソース間の電圧として、該
ＦＥＴが不飽和状態であっても、磁気ヘッドが記録媒体
に形成する磁界の強さが規定値に達するような電圧を供
給する電源を具えた磁気記録装置。