JP2000286366A

JP2000286366A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000286366A
Application number: JP11089464A
Authority: JP
Inventors: Sunao Kato; 加藤　　直
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1999-03-30
Filing date: 1999-03-30
Publication date: 2000-10-13

Abstract

(57)【要約】【課題】個片化されたＩＣパッケージの側面からＩＣ
パッケージを構成する基板の側面が露出することを抑制
し、基板側面から飛び出すガラス繊維がＩＣパッケージ
の外郭からはみ出さない半導体装置およびその製造方法
を提供する。【解決手段】ＩＣパッケージを構成する基板の側面が
モールド樹脂によって覆われた構造となるように、あら
かじめ、個片化する前の一続きの基板に、ＩＣパッケー
ジの外郭に相当する領域に基板を貫通するスリットを設
ける。樹脂封止時に、スリット内にモールド樹脂を充填
して、基板の切断面である側面がモールド樹脂に覆われ
た状態を得る。また、モールド樹脂の平面形状外郭がＩ
Ｃパッケージの平面形状外郭、スリットの外郭に相当す
る場合、樹脂封止後にスリットの外郭に沿って打ち抜き
を行うことで、モールド樹脂を切断することなく個片化
することが可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ボールグリッド
アレイタイプなどのガラスエポキシ基板や、ポリイミド
基板等に樹脂封止を行って組み立てる半導体装置に適用
するもので、半導体装置の個別化工程（単体加工工程）
における品質向上と、電気テスト工程および基板実装に
おける位置決め精度の向上が実現できる半導体装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術においては、図１５に示すよ
うに、ＩＣチップ１０１をガラスエポキシに代表される
基板１０２上に載置してワイヤ１０３によって接続し、
モールド樹脂１０４で封止したＩＣパッケージ１０５
を、その後、単体に切り離して半導体装置を製造してお
り、単体に切り離した基板の外周側面は、その切断面が
露出した状態となっていた。また、図において符号１０
６は基板１０２の裏面に配置形成されたボール端子を示
している。

【０００３】図１５に示した従来技術による半導体装置
の斜視図を図１６に示す。この図に示すように、ＩＣパ
ッケージ１０５を構成する基板１０２の露出した切断面
から、基板１０２内に含まれるガラス繊維１０７がほつ
れて飛び出しているため、製造現場においては全数検
査、手直しなどの作業負荷かかってしまい、製造コスト
の増大、製造工期伸長などの不具合の原因となってしま
う場合があった。

【０００４】また、切断金型の部品が磨耗するなどし
て、基板１０２の切断面の状態が良くない場合は、基板
１０２の端部が部分的に脱落したり、部分的に切れ残っ
て切断寸法のバラツキが大きくなってしまうなどの不具
合が生じていた。基板１０２の切断面のバラツキガ大き
くなると、そこを基準にして位置決めを行うテスト工程
や、基板１０２への部品などの搭載を行う工程におい
て、位置決め精度が低下し、位置ズレ不良が起きる可能
性があった。

【０００５】その他、従来の技術を示す特開平８−６４
７１８号公報には、一続きの基板から複数の個片化され
た半導体装置を得る場合において、あらかじめ一続きの
基板の、ＩＣパッケージの外周を構成する四辺の角部を
除く領域に、基板を貫通するスリットを設けておき、そ
の後の個片化工程において、角部のみを打ち抜くことで
一続きの基板から一つの半導体装置を切り出すことを可
能とする技術が示されている。なお、この技術によって
得られる個片化された半導体装置を構成する基板の外周
側面は、露出した状態となっている。従って、基板にガ
ラス繊維を含んでいるものの場合、切断面からガラス繊
維がほつれて飛び出してしまい、不都合が生じるかもし
れないという懸念があった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記のよ
うな背景に鑑み、露出した基板の外周側面からのガラス
繊維のほつれ、切断面の変動、悪化を防止することが可
能な半導体装置の構造に関する技術を提供し、さらに、
全数検査、手直しなどの作業を不要とし、基板端面（基
板外周に相当）で位置決めを行う工程での位置精度安定
化による、製造装置の安定稼動を実現し、部品交換頻
度、交換作業の手間を低減することにより、安価で高品
質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方
法に関する技術を提供するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明による半導体装
置は、基板、上記基板上に載置され、ワイヤによって接
続されたＩＣチップ、上記ＩＣチップおよびワイヤを上
記基板に樹脂封止するモールド樹脂からなるＩＣパッケ
ージを備え、上記基板の側面が上記モールド樹脂によっ
て覆われているものである。

【０００８】また、この発明による半導体装置は、上記
のような構成において、基板の側面を取り囲み、上記基
板の側面の位置に相当する上記基板の外周の外側に突き
出した状態のモールド樹脂から構成されるつば部を備え
たものである。

【０００９】さらに、この発明による半導体装置は、上
記のような構成において、つば部には、ＩＣパッケージ
を構成する基板から突出した状態の基板吊り部が配置さ
れ、上記基板吊り部は、上記基板と一続きの部材により
構成されるものである。

【００１０】また、この発明による半導体装置は、上記
のような構成において、基板の側面の、モールド樹脂に
よって覆われていない領域は、レーザビームによって加
工されているものである。

【００１１】さらに、この発明による半導体装置は、上
記のような構成において、ＩＣパッケージの側面の外郭
は、基板の側面に対して平行となるように、上記基板の
側面から幅を持って取り囲んだ第一の側面と、上記第一
の面の上端外周から上記ＩＣパッケージの上面外周に向
かって切れあがった第二の側面とによって構成され、上
記ＩＣパッケージの上面および側面は、モールド樹脂の
表面によって構成されているものである。

【００１２】また、この発明による半導体装置は、上記
のような構成において、モールド樹脂の平面形状外郭
が、ＩＣパッケージの平面形状の外郭に相当するもので
ある。

【００１３】さらに、この発明による半導体装置の製造
方法は、一続きの基板に対し、少なくとも得ようとする
ＩＣパッケージの平面形状外郭に相当する位置から、基
板吊り部として残す部分を除いて、幅を持って上記平面
形状の中心に向かってスリットを形成する工程、上記パ
ッケージとして用いる上記基板の上面にＩＣチップを載
置し、ワイヤによって接続する工程、上記ＩＣチップが
搭載され、上記ＩＣパッケージとなる製造過程にある被
処理基板を樹脂封止し、同時に上記スリットにモールド
樹脂を充填して上記基板の側面を上記モールド樹脂で覆
う工程を含むものである。

【００１４】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、上記のような製造方法において、スリットの外郭
によって囲まれる領域がＩＣパッケージの平面形状に相
当する場合、樹脂封止後、スリットの外郭に沿って打ち
抜きを行い、基板吊り部も同時に切断することで上記Ｉ
Ｃパッケージを個片化する工程を含むものである。

【００１５】さらに、この発明による半導体装置の製造
方法は、上記のような製造方法において、スリットの外
郭によって囲まれる領域がＩＣパッケージの平面形状に
相当する場合、樹脂封止後、レーザビームによる加工で
基板吊り部を切断し、スリットの外郭に沿ってはずして
ＩＣパッケージを個片化する工程を含むものである。

【００１６】また、この発明による半導体装置の製造方
法は、上記のような製造方法において、スリットの外郭
によって囲まれる領域が、ＩＣパッケージの平面形状外
郭を取り囲み、より広く形成される場合、上記ＩＣパッ
ケージを構成する基板の側面がモールド樹脂によって覆
われた状態を保ちつつ、上記ＩＣパッケージの外郭に沿
って、上記スリットに充填され、また上記スリット上に
位置する上記モールド樹脂に対して切断を行うと同時
に、上記スリットとして開口されずに残された基板吊り
部も切断することによって上記ＩＣパッケージの個片化
を行うものである。

【００１７】さらに、この発明による半導体装置の製造
方法は、基板にＩＣパッケージの平面形状を含んでさら
に広がりを持つスリットを形成する工程、上記基板上に
載置されたＩＣチップがワイヤによって上記基板に接続
された被処理基板に対して、上記スリット内において上
記ＩＣパッケージに相当する形状のモールド金型が突き
合わせて樹脂封止を行い、上記基板の側面をモールド樹
脂で覆う工程、上記モールド金型を上記被処理基板から
はずし、上記基板の側面が上記モールド樹脂によって覆
われた状態を保ちつつ、上記スリットとして開口されず
に残された基板吊り部を上記モールド樹脂の外周に沿っ
て切断することで上記ＩＣパッケージを個片化する工程
を含むものである。

【００１８】

【発明の実施の形態】実施の形態１.次に、この発明の
実施の形態１について説明する。図１は、この発明の実
施の形態１の半導体装置の断面図を示している。この図
において、符号１はＩＣチップであり、このＩＣチップ
１はガラスエポキシ基板２ａ上に載置され、ワイヤ３に
よって両者は接続されている。さらに、モールド樹脂４
によってＩＣチップ１とワイヤ３の表面とガラスエポキ
シ基板２ａの上面および側面（切断面）が覆われ、樹脂
封止がなされており、これらによってＩＣパッケージ５
が構成されている。なお、ＩＣパッケージ５の外周には
モールド樹脂４により構成されるつば部４ａが形成され
ており、ガラスエポキシ基板２ａの裏面にはボール端子
６が配置形成されている。

【００１９】図１のような断面構造を持つＩＣパッケー
ジ５の斜視図を図２に示す。この図において、つば部４
ａに配置され、符号２ｂで示された部分は、ガラスエポ
キシ基板２ａと連続し、同じ物質によって構成された基
板吊り部であり、ＩＣパッケージ５が個片化される前の
段階で、捨てしろとなるその他の基板領域との接続のた
めに必要な部分である。その他、既に説明に用いた符号
と同一符号は同一、若しくは相当部分を示している。

【００２０】図１および図２に示すように、ＩＣパッケ
ージ５が個片化された段階において、ガラスエポキシ基
板２ａの切断面がほとんど露出されておらず、モールド
樹脂４によって覆われているため、基板側面からガラス
繊維が飛び出していない。

【００２１】次に、上記のような半導体装置の製造方法
について説明する。まず、図３を用いて、この半導体装
置の製造に用いるガラスエポキシ基板の平面形状につい
て説明する。ＩＣパッケージ５が個片化される前の段階
においては、一続きのガラスエポキシ基板２は、ＩＣパ
ッケージ５の構成要素として用いる２ａで示す領域と、
捨てしろとなる符号２ｃで示す領域と、両者を接続する
基板吊り部２ｂとによって構成され、２ａで示す領域の
外周は、このガラスエポキシ基板２を貫通するスリット
７が取り囲んだ状態となっている。

【００２２】なお、このスリット７の開口幅は、図１の
断面図で言うところのモールド樹脂４のつば部４ａの端
部から、ＩＣパッケージ５の構成要素として用いるガラ
スエポキシ基板２ａの切断部までの距離に相当する寸法
である。スリット７の開口溝の、捨てしろとなるガラス
エポキシ基板２ｃ側の端面は、半導体装置の製品外形の
外周に相当している。

【００２３】この、一続きのガラスエポキシ基板２の上
面に、ＩＣチップ２を載置し、ワイヤ３を用いてガラス
エポキシ基板２に対して接続を行う（図示せず）。次
に、図４にその平面図を示すように、モールド樹脂４を
用いてＩＣチップ２およびワイヤ３とガラスエポキシ基
板２ａの上面と、側面とを樹脂封止する。

【００２４】図５に、ＩＣパッケージ５の角部の拡大平
面図を示すように、モールド樹脂４のつば部４ａとなる
部分は、スリット７にモールド樹脂４を充填することに
より形成可能である。また、図５に相当するＩＣパッケ
ージ５の角部の拡大断面図を図６に示す。

【００２５】次に、図７、図８に示すように、カットパ
ンチによって、一続きのガラスエポキシ基板２からＩＣ
パッケージ５を一個づつ打ち抜いて切り離して個片化を
行う。まず、図７に示すように、基板押さえ８とダイカ
ット９によって個片化するＩＣパッケージ５を固定し、
カットパンチ１０の押圧部分が、捨てしろとなるガラス
エポキシ基板２ｃの一面と対向するようにセットを行
う。

【００２６】次に、符号１０ａで示すカット方向に沿っ
てカットパンチ１０を動かし、ＩＣパッケージ５を一続
きのガラスエポキシ基板２から打ち抜き、個片化する。
なお、この打ち抜きによって、モールド樹脂４は切断さ
れることなく、スリット７の開口溝に接していたつば部
４ａの製品外形の外周に相当する側面が露出することに
なる。

【００２７】また、基板吊り部２ｂはカットパンチ１０
によって製品外形の外周に相当する位置で切断される
が、他の基板領域との接続に必要となる基板吊り部２ｂ
の形成面積は小さく、打ち抜きによって切断面が露出し
たとしても、そこからのガラス繊維の飛び出しによる悪
影響は、基板側面全面が露出している場合と比較して極
めて小さく抑えられていることが分かる。

【００２８】その後、ＩＣパッケージ５を構成するガラ
スエポキシ基板２ａの裏面にボール端子６を配置形成す
ることで、図１に示すような断面構造の半導体装置を得
ることが可能となる。

【００２９】このように、ＩＣパッケージ５を構成する
ガラスエポキシ基板２ａの側面をモールド樹脂４によっ
て覆った構造とすることで、得られる半導体装置の外周
側面からのガラス繊維の飛び出しを抑制することが可能
であり、製造現場における作業負担を軽減することが可
能となる。

【００３０】さらに、スリット７の開口溝によって、製
品の平面形状外郭が決まるため、製品の外形寸法のバラ
ツキを抑制することが可能であり、これにともなって、
製品の外周によって位置決めがなされるボール端子６を
精度良く配置形成することが可能となる。また、個片化
の際に、製品の平面形状外郭に沿ってモールド樹脂やガ
ラスエポキシ基板を切断するという工程が不要であり、
一続きのガラスエポキシ基板２からＩＣパッケージ５を
スリット７の開口溝の外郭に沿って打ち抜くことで、比
較的容易に個片化が可能となる。

【００３１】なお、上記の例においては、基板吊り部２
ｂは、一つのＩＣパッケージ５に対して８箇所、一辺に
２箇所づつ設ける場合を図示したが、平面形状が四角形
であるＩＣパッケージ５の角部に１箇所づつ設けても良
いし、また別の配置、個数としても良い。ＩＣパッケー
ジ５の角部に基板吊り部２ｂを設ける場合では、カット
パンチ１０の形状を調整して、製品の角部を面取りでき
るようにすることも可能である。また、図面を用いて示
した例においても、ＩＣパッケージ５の角部は、スリッ
ト７の外郭の形状が反映するため、スリット７の製品角
部に位置する部分が丸みを帯びるように、あらかじめス
リット７を開口する際に調整しておくことも可能であ
る。また、上記の例においては、ＩＣパッケージ５を構
成する基板としてがｒ須エポキシ基板２ａを用いる例を
示したが、別の材質からなる基板、例えばポリイミド基
板を用いることも可能である。次に説明する実施の形態
２以降の例についても同様のことが言える。

【００３２】実施の形態２.次に、この発明の実施の形
態２について説明する。実施の形態１においては、製品
の構成要素として用いるガラスエポキシ基板２ａと、捨
てしろとなるガラスエポキシ基板２ｃとの接続部となる
基板吊り部２ｂは、製品の個片化の際のカットパンチに
よる打ち抜きによって行う例を示した。この実施の形態
２では、基板吊り部２ｂをレーザビームを用いて切断
し、製品の個片化を行う場合について説明する。

【００３３】図９は、個片化を行う前のＩＣパッケージ
５が、一続きのガラスエポキシ基板２に作り込まれた状
態を示しており、図面に付した符号１０ｂは、ＩＣパッ
ケージ５の外周を構成するつば部４ａに位置する基板吊
り部２ｂに対して、照射されるレーザビームの照射方向
を示している。このレーザビーム照射方向１０ｂに沿っ
て、ガラスエポキシ基板を切断することが可能な波長の
レーザービームを基板吊り部２に照射し、捨てしろとな
るガラスエポキシ基板２ｃと切り離す。これによって、
図１０に示すように、基板吊り部２ｂが形成されていた
部分はレーザ切断部２ｂｂとなる。

【００３４】上記のように、基板吊り部２ｂに対してレ
ーザビームを用いた切断処理を行った後、ＩＣパッケー
ジ５はまだスリット７に嵌まり込んだ状態となっている
ため、図示しない吸着ヘッド、あるいは金型などを用い
て外力を加え、ガラスエポキシ基板２から取りはずすこ
とで個片化が可能となる。

【００３５】このように、局部的にレーザ加工を行うこ
とにより、しかも樹脂部分を加工しない場合には、加工
時に発生するスス（カーボン）が最小限に抑えられ、絶
縁性劣化や、異物付着などの品質低下を抑制することが
可能であり、かつ、レーザエネルギーも最小で済み、ラ
ンニングコストを抑えられるという効果が得られる。

【００３６】実施の形態３.次に、図１１に実施の形態
３による半導体装置の断面図を示す。先述の実施の形態
１および実施の形態２においては、ＩＣパッケージ５に
モールド樹脂４から構成されるつば部４ａが形成されて
いたが、この実施の形態３のＩＣパッケージ５ａにはつ
ば部４ａは形成されていない。

【００３７】実施の形態１または実施の形態２において
示した製造方法に従って製造を行ってＩＣパッケージ５
を製造し、その後、つば部４ａのみを切断し、ガラスエ
ポキシ基板２ａの裏面にボール端子６を配置形成するこ
とで図１１に示す構造の半導体装置を得る。

【００３８】このように、つば部４ａが形成されていな
い半導体装置を得ることで、実施の形態１および実施の
形態２において示したガラスエポキシ基板２ａの切断面
をモールド樹脂４によって覆うことでガラス繊維の飛び
出しを抑制することが可能である上、さらにつば部４ａ
を設けた場合よりも、より製品の外形寸法を小型化する
ことが可能となる。

【００３９】また、つば部４ａの切断は個片化の前の工
程で切断しても、個片化後に切断しても良い。さらに、
ボール端子６は、つば部４ａの切断の前後のどちらの工
程で配置形成することが可能である。さらに、切断方法
については、ダイシングソーを用いて切断する方法や、
レーザビームの照射による方法などがあり、レーザビー
ムを照射してつば部４ａを切断する場合は、処置中にエ
アーを噴き付けたり、水などの液体を加工部に供給した
りすることによって発生するススなどが加工面に付着す
ることを抑制することが可能であり、また、切断処理後
に、加工面に化学研磨処理を行うなどして洗浄を行うこ
とも可能であることは言うまでもない。

【００４０】実施の形態４.次に、この発明の実施の形
態４について説明する。この実施の形態４によって製造
する半導体装置は、図１１に示す実施の形態３によるも
のと同様の断面構造を持っており、その製造工程に特徴
があるものである。実施の形態３においては、一旦形成
したモールド樹脂４からなるつば部４ａを切断する方法
について示した。この実施の形態４では、最初からつば
部４ａに相当する部分を形成しない製造方法について説
明する。

【００４１】まず、図３に示したものと同様のガラスエ
ポキシ基板２を用意する。その後、モールド金型を用い
て樹脂封止を行う。この時、用いるモールド金型は、隣
接して配置される半導体装置間に位置する捨てしろとな
るガラスエポキシ基板２ｃの境界領域のスリット７の開
口溝の外郭上端からＩＣパッケージ５ａの上面外周に向
かって斜めに切り上がった面を持ち、このモールド金型
を用いて樹脂封止を行うとつば部４ａを持たないＩＣパ
ッケージ５ａを得ることが可能となる。樹脂封止後の構
造断面図を図１２（ａ）に示す。

【００４２】図１２（ａ）は、モールド金型と、製造過
程にある被処理基板とがズレることなく接触した場合に
得られる断面構造について示した図であるが、ズレが生
じた場合は図１２（ｂ）に示すような構造となる。図１
２（ｂ）にはズレ幅ｘである場合を示す。この場合にお
いても、ズレ幅ｘがスリット７の開口幅よりも小さく収
まってる場合はガラスエポキシ基板２ａの表面および断
面が露出することなく、ガラスエポキシ基板２ａの断面
からガラス繊維が飛び出すこともなく、作業負荷が大き
くなることもない。

【００４３】実施の形態５.次に、この発明の実施の形
態５について説明する。上述の実施の形態１〜４におい
ては、一続きのガラスエポキシ基板２に複数個のＩＣパ
ッケージを連続的に配置する際に、隣り合うＩＣパッケ
ージ間に捨てしろとなる部分のガラスエポキシ基板２ｃ
が設けられた例について示したが、この実施の形態５に
よる半導体装置の製造方法では、捨てしろとなる基板面
積をより小さく抑制し、基板の有効利用を可能とする場
合について説明する。

【００４４】図１３（ａ）は、この実施の形態５による
半導体装置の製造過程の断面構造を示すものであり、個
片化前の段階のものを示している。この図１３（ａ）に
示すように、隣り合う２つの半導体装置を構成するガラ
スエポキシ基板２ａ間にはスリット幅Ｓ１のスリットが
設けられており、そのスリット幅Ｓ１の中心（一点鎖線
で示す）をダイシングソー若しくはレーザービームを用
いて切断することにより、個片化されたＩＣパッケージ
５ａを得ることが可能となる。この場合は、図１３
（ａ）に示すように、モールド樹脂４のＩＣパッケージ
５ａの平面形状外郭に相当する領域に狭い溝を形成でき
るようなモールド金型を用いて製造を行う。スリット幅
Ｓ１をより小さく設定することで基板面積をさらに有効
利用することが可能となる。

【００４５】その他、図１３（ｂ）に示すように、異な
るモールド金型を用いてつば部４ａを有する構造とする
ことも可能である。この場合においても、一点鎖線で示
す領域で切断するため、基板の捨てしろとなる領域を極
力小さくすることができる。また、切断する部分のモー
ルド樹脂４の厚みが小さいほど個片化の際の切断を容易
に行うことが可能となる。

【００４６】この場合、樹脂封止は、スリット幅Ｓ２で
示す領域において一点鎖線で示した位置を中心として、
ＩＣパッケージ５ａのつば部４ａの幅の２倍に相当する
底を有する溝を形成できるようなモールド金型を用いて
製造を行う。スリット幅Ｓ２の幅をより小さくし、つば
部４ａの幅を小さくするように設定することでさらに基
板面積を有効利用することは可能である。

【００４７】実施の形態６.次に、この発明の実施の形
態６について説明する。この実施の形態６においては、
図１１に示す断面構造を有するＩＣパッケージ５ａを、
捨てしろとなるガラスエポキシ基板２ｃの面積を極力小
さくし、基板面積を有効利用する例について説明する。
この実施の形態６では、ガラスエポキシ基板２に開口し
たスリット７内で、モールド金型同士を突き合わせた状
態で樹脂封止を行うことを特徴としている。

【００４８】図１４（ａ）は、樹脂封止を行う前の段階
で、製造過程にある被処理基板１２を樹脂封止する際に
用いるモールド金型１１ｂに被処理基板１２を載置した
場合の断面図を示している。その後、図１４（ｂ）に示
すように、スリット７の開口溝内においてモールド金型
１１ｂの上面にモールド金型１１ａを突き合わせ、モー
ルド樹脂４を注入して樹脂封止し、個片化されていない
状態のＩＣパッケージ５ａを得る。

【００４９】図１４（ｃ）に、樹脂封止を行った後の平
面図を示す。隣り合うＩＣパッケージ５ａ間には捨てし
ろとなるガラスエポキシ基板２ｃが配置されておらず、
スリット７の形成領域においてモールド樹脂４が切り離
された状態であり、後の工程においてモールド樹脂を切
断する必要もなく、基板吊り部２ｂを切断するだけで個
片化を行うことが可能である。

【００５０】また、図１４（ｄ）に示すように、上部と
下部のモールド金型１１ａ、１１ｂとの突き合わせ面積
を極力小さくすることで、スリット７の幅をより小さく
することが可能であり、ガラスエポキシ基板２の面積の
有効利用を行うことが可能となる。なお、図１４（ｃ）
では、ＩＣパッケージ５ａが一方向に複数個並ぶ状態と
なる例を示したが、図１４（ｄ）に示すように、基板の
基準となる位置から左右上下に複数個配置することも可
能であることは言うまでもない。

【００５１】ただし、いずれの場合においてもモールド
金型１１ａは、基板吊り部２ｂを逃がすような状態とな
るように基板吊り部２ｂの配置領域には溝部を形成する
ものとする。

【００５２】

【発明の効果】この発明によれば、半導体装置を構成す
る基板の側面が、モールド樹脂によって覆われた構造と
なっているため、基板の側面からガラス繊維がほつれて
飛び出したとしても、製品の表面からはガラス繊維がは
み出すことはなく、製造現場における作業性に悪影響を
与えることがない。

【００５３】また、この発明によれば、あらかじめ一続
きのガラスエポキシ基板に対して、ＩＣパッケージの平
面形状外郭に相当する位置からＩＣパッケージの中心に
向かって幅を持って開口されたスリットを形成し、樹脂
封止を行う段階でこのスリット内にモールド樹脂を充填
することで、ＩＣパッケージとして用いる領域のガラス
エポキシ基板の側面をモールド樹脂で覆い、その後、Ｉ
Ｃパッケージの平面形状外郭に相当するスリットの外郭
に沿って打ち抜きを行うことで、モールド樹脂を切断す
ることなく、また基板吊り部としてスリットを開口する
ことなく残した部分を切断するだけでＩＣパッケージを
個片化することが可能である。

【００５４】さらに、この発明によれば、ＩＣパッケー
ジの平面形状外郭が、スリットの外郭の形状に一致し、
スリットに充填するモールド樹脂の外郭がＩＣパッケー
ジの平面形状外郭と一致するため、得られるＩＣパッケ
ージの外形のバラツキを抑制できるとともに、ボール端
子の配置形成を高精度に行うことが可能となる。

【００５５】また、この発明によれば、ガラスエポキシ
基板に、基板吊り部としてスリットを開口せずに残した
部分の、ＩＣパッケージの平面形状外郭に相当する位置
の切断は、レーザビームによって行うことで、そのレー
ザ加工面からのガラス繊維のほつれによる飛び出しを防
止することが可能である。

【００５６】さらに、スリットに充填されたモールド樹
脂によって構成されるつば部を、ＩＣパッケージを構成
するガラスエポキシ基板の側面がモールド樹脂に覆われ
た状態を保持した上で切断することで、ＩＣパッケージ
の外形寸法の小型化が可能となる。

【００５７】また、この発明によれば、一続きのガラス
エポキシ基板に形成したスリット内に、ＩＣパッケージ
の平面形状外郭が位置する状態とし、樹脂封止後にＩＣ
パッケージの平面形状外郭に沿ってモールド樹脂を切断
することでＩＣパッケージの個片化が可能となる。スリ
ットの開口幅を小さくすることで、ガラスエポキシ基板
の捨てしろを少なくし、基板面積の有効利用が可能とな
る。

【００５８】さらに、この発明によれば、一続きのガラ
スエポキシ基板に形成したスリット内において、樹脂封
止時に用いるモールド金型が突き合わされる状態とし、
樹脂封止後にモールド金型をはずした後、基板吊り部を
切断するだけで、モールド樹脂を切断することなくＩＣ
パッケージを個片化することが可能となる。スリットの
開口幅を小さくすることで、ガラスエポキシ基板の捨て
しろを少なくし、基板面積の有効利用が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施の形態１による半導体装置の
断面図である。

【図２】この発明の実施の形態１による半導体装置の
斜視図である。

【図３】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す平面図である。

【図４】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す平面図である。

【図５】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す平面図である。

【図６】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す断面図である。

【図７】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す断面図である。

【図８】この発明の実施の形態１の半導体装置の製造
過程を示す断面図である。

【図９】この発明の実施の形態２の半導体装置の製造
過程を示す断面図である。

【図１０】この発明の実施の形態２の半導体装置の製
造過程を示す断面図である。

【図１１】この発明の実施の形態３の半導体装置の断
面を示す図である。

【図１２】この発明の実施の形態４の半導体装置の製
造過程を示す断面図である。

【図１３】この発明の実施の形態５の半導体装置の製
造過程を示す断面図である。

【図１４】この発明の実施の形態６の半導体装置の製
造過程を示す図である。

【図１５】従来の技術による半導体装置の断面を示す
図である。

【図１６】従来の技術による半導体装置の斜視図であ
る。

【符号の説明】

１. ＩＣチップ２、２ａ、２ｃ. ガラスエポキシ基
板２ｂ. 基板吊り部２ｂｂ. レーザ切断部３. ワ
イヤ４. モールド樹脂４ａ. つば部、４ｂ. パッケージ
端部５、５ａ. ＩＣパッケージ６. ボール端子、７.
スリット８. 基板押さえ９. ダイカット１０. カットパ
ンチ、１０ａ. カット方向１０ｂ. レーザビーム照
射方向、１１ａ、１１ｂ. モールド金型１２. 被処
理基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板、上記基板上に載置され、ワイヤに
よって接続されたＩＣチップ、上記ＩＣチップおよびワ
イヤを上記基板に樹脂封止するモールド樹脂からなるＩ
Ｃパッケージを備え、上記基板の側面が上記モールド樹
脂によって覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】基板の側面を取り囲み、上記基板の側面
の位置に相当する上記基板の外周の外側に突き出した状
態のモールド樹脂から構成されるつば部を備えたことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】つば部には、ＩＣパッケージを構成する
基板から突出した状態の基板吊り部が配置され、上記基
板吊り部は、上記基板と一続きの部材により構成される
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】基板の側面の、モールド樹脂によって覆
われていない領域は、レーザビームによって加工されて
いることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半
導体装置。
【請求項５】ＩＣパッケージの側面の外郭は、基板の
側面に対して平行となるように、上記基板の側面から幅
を持って取り囲んだ第一の側面と、上記第一の側面の上
端外周から上記ＩＣパッケージの上面外周に向かって切
れあがった第二の側面とによって構成され、上記ＩＣパ
ッケージの上面および側面は、モールド樹脂の表面によ
って構成されていることを特徴とする請求項１記載の半
導体装置。
【請求項６】モールド樹脂の平面形状外郭が、ＩＣパ
ッケージの平面形状の外郭に相当することを特徴とする
請求項１、請求項２または請求項５のいずれか一項記載
の半導体装置。
【請求項７】一続きの基板に対し、少なくとも得よう
とするＩＣパッケージの平面形状外郭に相当する位置か
ら、基板吊り部として残す部分を除いて、幅を持って上
記平面形状の中心に向かって開口してスリットを形成す
る工程、上記パッケージとして用いる上記基板の上面に
ＩＣチップを載置し、ワイヤによって接続する工程、上
記ＩＣチップが搭載され、上記ＩＣパッケージとなる製
造過程にある被処理基板を樹脂封止し、同時に上記スリ
ットにモールド樹脂を充填して上記基板の側面を上記モ
ールド樹脂で覆う工程を含むことを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項８】スリットの外郭によって囲まれる領域が
ＩＣパッケージの平面形状に相当する場合、樹脂封止
後、スリットの外郭に沿って打ち抜きを行い、基板吊り
部も同時に切断することで上記ＩＣパッケージを個片化
する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項９】スリットの外郭によって囲まれる領域が
ＩＣパッケージの平面形状に相当するする場合、樹脂封
止後、レーザビームによる加工で基板吊り部を切断し、
スリットの外郭に沿ってはずしてＩＣパッケージを個片
化する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の半導
体装置の製造方法。
【請求項１０】スリットの外郭によって囲まれる領域
が、ＩＣパッケージの平面形状外郭を取り囲み、より広
く形成される場合、上記ＩＣパッケージを構成する基板
の側面がモールド樹脂によって覆われた状態を保ちつ
つ、上記ＩＣパッケージの外郭に沿って、上記スリット
に充填され、また上記スリット上に位置する上記モール
ド樹脂に対して切断を行うと同時に、上記スリットとし
て開口されずに残された基板吊り部も切断することによ
って上記ＩＣパッケージの個片化を行うことを特徴とす
る請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】基板にＩＣパッケージの平面形状を含
んでさらに広がりを持つスリットを形成する工程、上記
基板上に載置されたＩＣチップがワイヤによって上記基
板に接続された被処理基板に対して、上記スリット内に
おいて上記ＩＣパッケージに相当する形状のモールド金
型が突き合わせて樹脂封止を行い、上記基板の側面をモ
ールド樹脂で覆う工程、上記モールド金型を上記被処理
基板からはずし、上記基板の側面が上記モールド樹脂に
よって覆われた状態を保ちつつ、上記スリットとして開
口されずに残された基板吊り部を上記モールド樹脂の外
周に沿って切断することで上記ＩＣパッケージを個片化
する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。