JP2000290772A - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JP2000290772A JP2000290772A JP11131793A JP13179399A JP2000290772A JP 2000290772 A JP2000290772 A JP 2000290772A JP 11131793 A JP11131793 A JP 11131793A JP 13179399 A JP13179399 A JP 13179399A JP 2000290772 A JP2000290772 A JP 2000290772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtering
- screwed
- sputtering target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ボンディングを必要としないスパッタリングタ
ーゲットを提供する。 【解決手段】底部外周に螺旋状のネジを切った円盤状の
ターゲットと、該ターゲットがネジ込まれる部分に凹部
を設け該凹部側面に螺旋状のネジが切ってあるバッキン
グプレートとを、各ネジ合わせによって接合する。
ーゲットを提供する。 【解決手段】底部外周に螺旋状のネジを切った円盤状の
ターゲットと、該ターゲットがネジ込まれる部分に凹部
を設け該凹部側面に螺旋状のネジが切ってあるバッキン
グプレートとを、各ネジ合わせによって接合する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成に用いる
スパッタリングターゲットに関する。さらに詳しくは、
ボンディングを必要としないスパッタリングターゲット
に関する。
スパッタリングターゲットに関する。さらに詳しくは、
ボンディングを必要としないスパッタリングターゲット
に関する。
【0002】
【従来の技術】スパッタリング法は、真空中にArガス
を導入し、陰極に負電圧を与えてグロー放電を発生させ
る。ここで生成したAr+イオンはターゲット(陰極)
に衝突し、ターゲットをスパッタし、被スパッタ粒子は
対向した陽極上の基板上に堆積し薄膜を形成する技術で
ある。
を導入し、陰極に負電圧を与えてグロー放電を発生させ
る。ここで生成したAr+イオンはターゲット(陰極)
に衝突し、ターゲットをスパッタし、被スパッタ粒子は
対向した陽極上の基板上に堆積し薄膜を形成する技術で
ある。
【0003】一般的に、このスパッタリング法で用いら
れるターゲットはボンディング材でバッキングプレート
と接合して使用される。通常、バッキングプレートは純
銅あるいは銅系合金が使用され、ボンディング材はイン
ジウムのような低融点金属、半田のような低融点合金、
樹脂等が使用される。
れるターゲットはボンディング材でバッキングプレート
と接合して使用される。通常、バッキングプレートは純
銅あるいは銅系合金が使用され、ボンディング材はイン
ジウムのような低融点金属、半田のような低融点合金、
樹脂等が使用される。
【0004】この場合、ターゲットを使い終わるとバッ
キングプレートは回収され、使い残りのターゲットをバ
ッキングプレートから剥離して、また新しいターゲット
をボンディング材でそのバッキングプレートに接合す
る。つまり、バッキングプレートはその材質、形状等の
劣化による使用寿命がくるまで繰り返し再利用される。
したがって、バッキングプレートのメーカーとユーザー
間の移動、品質の管理等が必要になる欠点がある。ま
た、使い残りのターゲットをバッキングプレートから剥
離したのち、そのバッキングプレートを再利用するには
付着したボンディング材を完全に取り除く工程を必要と
する欠点がある。
キングプレートは回収され、使い残りのターゲットをバ
ッキングプレートから剥離して、また新しいターゲット
をボンディング材でそのバッキングプレートに接合す
る。つまり、バッキングプレートはその材質、形状等の
劣化による使用寿命がくるまで繰り返し再利用される。
したがって、バッキングプレートのメーカーとユーザー
間の移動、品質の管理等が必要になる欠点がある。ま
た、使い残りのターゲットをバッキングプレートから剥
離したのち、そのバッキングプレートを再利用するには
付着したボンディング材を完全に取り除く工程を必要と
する欠点がある。
【0005】また近年、スパッタリング装置はマグネト
ロンスパッタリング装置のように、高スパッタレイトを
得るために高出力でスパッタする装置が産業界の主流で
あるが、高出力でスパッタすると陰極の発熱量が多くな
り、高温のためボンディング材が溶けてターゲットがバ
ッキングプレートから剥離するという欠点がある。ま
た、この剥離はスパッタリング装置内において、バッキ
ングプレートの冷却水による冷却不足でも起こる。
ロンスパッタリング装置のように、高スパッタレイトを
得るために高出力でスパッタする装置が産業界の主流で
あるが、高出力でスパッタすると陰極の発熱量が多くな
り、高温のためボンディング材が溶けてターゲットがバ
ッキングプレートから剥離するという欠点がある。ま
た、この剥離はスパッタリング装置内において、バッキ
ングプレートの冷却水による冷却不足でも起こる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上記のよ
うな欠点を克服するためボンディングを必要としないス
パッタリングターゲットとして、底部外周に螺旋状のネ
ジを切ったターゲットと内周に螺旋状のネジを切った円
環状のツバ部とを、各ネジ合わせによって接合した一体
構造型スパッタリングターゲットを先に特許出願した
(特願平10−303171号)。本発明は、この特許
出願の改良に関する。
うな欠点を克服するためボンディングを必要としないス
パッタリングターゲットとして、底部外周に螺旋状のネ
ジを切ったターゲットと内周に螺旋状のネジを切った円
環状のツバ部とを、各ネジ合わせによって接合した一体
構造型スパッタリングターゲットを先に特許出願した
(特願平10−303171号)。本発明は、この特許
出願の改良に関する。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、底部外周に螺
旋状のネジを切った円盤状のターゲットと、該ターゲッ
トがネジ込まれる部分に凹部を設け該凹部側面に螺旋状
のネジが切ってあるバッキングプレートとを、各ネジ合
わせによって接合したスパッタリングターゲットであ
る。
旋状のネジを切った円盤状のターゲットと、該ターゲッ
トがネジ込まれる部分に凹部を設け該凹部側面に螺旋状
のネジが切ってあるバッキングプレートとを、各ネジ合
わせによって接合したスパッタリングターゲットであ
る。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、図1に基づいて本発明を説
明する。図1は、本発明になるスパッタリングターゲッ
トの断面図である。図中、1はターゲットであり、該タ
ーゲットの底部外周は螺旋状のネジが切ってある。2は
バッキングプレートであり、該バッキングプレートの中
央部は、図2のバッキングプレートの加工断面図(a)
に示すように、凹状に旋盤加工され、その後加工断面図
(b)に示すように、その凹状部側面にターゲットのネ
ジと一致するように螺旋状のネジを切った。ターゲット
とバッキングプレートはネジ部3でネジ合わせし、ター
ゲットを回転させながらバッキングプレートにネジ入
れ、図1に示すように、バッキングプレートに接合し固
定する。次にターゲットを使い終わった時には、ターゲ
ットを逆回転させることによってターゲットをバッキン
グプレートから取り外すことができる。さらに、このバ
ッキングには新しいターゲットが取り付けられ、バッキ
ングプレートは繰り返し再利用される。これらの操作は
バッキングプレートをスパッタリング装置に装着したま
までも、脱着後でも、何人も簡単に行うことができる。
明する。図1は、本発明になるスパッタリングターゲッ
トの断面図である。図中、1はターゲットであり、該タ
ーゲットの底部外周は螺旋状のネジが切ってある。2は
バッキングプレートであり、該バッキングプレートの中
央部は、図2のバッキングプレートの加工断面図(a)
に示すように、凹状に旋盤加工され、その後加工断面図
(b)に示すように、その凹状部側面にターゲットのネ
ジと一致するように螺旋状のネジを切った。ターゲット
とバッキングプレートはネジ部3でネジ合わせし、ター
ゲットを回転させながらバッキングプレートにネジ入
れ、図1に示すように、バッキングプレートに接合し固
定する。次にターゲットを使い終わった時には、ターゲ
ットを逆回転させることによってターゲットをバッキン
グプレートから取り外すことができる。さらに、このバ
ッキングには新しいターゲットが取り付けられ、バッキ
ングプレートは繰り返し再利用される。これらの操作は
バッキングプレートをスパッタリング装置に装着したま
までも、脱着後でも、何人も簡単に行うことができる。
【0009】本発明においては、ターゲット1およびバ
ッキングプレート2にはどのような金属材料も使用する
ことができる。ただし、バッキングプレートは機械的強
度や熱伝導のよい金属を選択することが好ましい。一般
的には銅、銅合金、ステンレス等が使用される。
ッキングプレート2にはどのような金属材料も使用する
ことができる。ただし、バッキングプレートは機械的強
度や熱伝導のよい金属を選択することが好ましい。一般
的には銅、銅合金、ステンレス等が使用される。
【0010】本発明においては、ターゲットとバッキン
グプレートとをボンディング材で接合することなく、ネ
ジ合わせにより接合しているため、スパッタ中の発熱に
よりターゲットやバッキングプレートの反りや歪みが発
生した場合、接合部4で接合があまくなり冷却水による
冷却効率が落ちる場合が考えられる。この場合は、ター
ゲットとバッキングプレートとの接合部4の間にインジ
ウム箔、錫箔あるいはこれらの合金箔を挟み込むような
簡単な対策により、冷却効率の低下を防止することが可
能である。
グプレートとをボンディング材で接合することなく、ネ
ジ合わせにより接合しているため、スパッタ中の発熱に
よりターゲットやバッキングプレートの反りや歪みが発
生した場合、接合部4で接合があまくなり冷却水による
冷却効率が落ちる場合が考えられる。この場合は、ター
ゲットとバッキングプレートとの接合部4の間にインジ
ウム箔、錫箔あるいはこれらの合金箔を挟み込むような
簡単な対策により、冷却効率の低下を防止することが可
能である。
【0011】
【実施例】170mφ×15mtの銀のターゲット1を
作成し、ターゲットの底部から10mmの高さまでピッ
チ1で螺旋状にネジ切りした。次に、225mφ×15
mtの銅のバッキングプレートを用意し、ターゲットが
ネジ込まれる寸法の凹部を旋盤加工で作成し、その凹部
側面にターゲットのネジに合致するようなピッチ1の螺
旋状のネジ切りした。ターゲットを回転させながらバッ
キングプレートにネジ入れ、ターゲットを固定した。こ
のターゲットをスパッタリング装置に装着しスパッタし
た。ターゲットを使い終わったのち、ターゲットをバッ
キングプレートから取り外し、新しいターゲットをバッ
キングプレートにネジ入れスパッタに供した。この操作
を繰り返したところ、バッキングプレートは30回繰り
返し再使用することができた。
作成し、ターゲットの底部から10mmの高さまでピッ
チ1で螺旋状にネジ切りした。次に、225mφ×15
mtの銅のバッキングプレートを用意し、ターゲットが
ネジ込まれる寸法の凹部を旋盤加工で作成し、その凹部
側面にターゲットのネジに合致するようなピッチ1の螺
旋状のネジ切りした。ターゲットを回転させながらバッ
キングプレートにネジ入れ、ターゲットを固定した。こ
のターゲットをスパッタリング装置に装着しスパッタし
た。ターゲットを使い終わったのち、ターゲットをバッ
キングプレートから取り外し、新しいターゲットをバッ
キングプレートにネジ入れスパッタに供した。この操作
を繰り返したところ、バッキングプレートは30回繰り
返し再使用することができた。
【0012】
【発明の効果】本発明によれば、ターゲットとバッキン
グプレートをボンディング法を用いずに、ネジ合わせに
より接合しているため、高出力でスパッタしてもターゲ
ットがバッキングプレートから剥離するということは生
じない特徴がある。また、バッキングプレートとターゲ
ットの取り付け、取り外しが容易であるため、ターゲッ
トの交換効率が向上する効果がある。さらに、ボンディ
ング工程がなく、バッキングプレートに付着したボンデ
ィング材を取り除く工程もないので、加工コストが安価
になる利点がある。
グプレートをボンディング法を用いずに、ネジ合わせに
より接合しているため、高出力でスパッタしてもターゲ
ットがバッキングプレートから剥離するということは生
じない特徴がある。また、バッキングプレートとターゲ
ットの取り付け、取り外しが容易であるため、ターゲッ
トの交換効率が向上する効果がある。さらに、ボンディ
ング工程がなく、バッキングプレートに付着したボンデ
ィング材を取り除く工程もないので、加工コストが安価
になる利点がある。
【図1】本発明になるスパッタリングターゲットの断面
図である。
図である。
【図2】バッキングプレートの加工断面図である。
1. ターゲット 2. バッキングプレート 3. ネジ部 4. 接合部
Claims (1)
- 【請求項1】 底部外周に螺旋状のネジを切った円盤状
のターゲットと、該ターゲットがネジ込まれる部分に凹
部を設け該凹部側面に螺旋状のネジが切ってあるバッキ
ングプレートとを、各ネジ合わせによって接合したこと
を特徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131793A JP2000290772A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11131793A JP2000290772A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | スパッタリングターゲット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000290772A true JP2000290772A (ja) | 2000-10-17 |
Family
ID=15066271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11131793A Pending JP2000290772A (ja) | 1999-04-02 | 1999-04-02 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000290772A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101112982B1 (ko) * | 2009-04-11 | 2012-03-14 | (주)국민진공 | 타깃의 사용효율이 증대된 아크 증착장치 |
| CN112059345A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件 |
| CN112958864A (zh) * | 2021-02-18 | 2021-06-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种圆形靶材和背板的钎焊焊接方法 |
| CN113458728A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-01 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材组件及其制备方法和用途 |
-
1999
- 1999-04-02 JP JP11131793A patent/JP2000290772A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101112982B1 (ko) * | 2009-04-11 | 2012-03-14 | (주)국민진공 | 타깃의 사용효율이 증대된 아크 증착장치 |
| CN112059345A (zh) * | 2020-08-31 | 2020-12-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种高纯铝靶材组件的钎焊方法及高纯铝靶材组件 |
| CN112958864A (zh) * | 2021-02-18 | 2021-06-15 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种圆形靶材和背板的钎焊焊接方法 |
| CN113458728A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-10-01 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种靶材组件及其制备方法和用途 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4672834B2 (ja) | スパッタリングターゲットを受け板に接合する方法 | |
| US7721939B2 (en) | Sputter target and backing plate assembly | |
| JPH07504945A (ja) | スパッタ・ターゲット受け板組立体を結合する方法とそれにより製造される組立体 | |
| CN102165092A (zh) | 圆筒形溅镀靶及其制造方法 | |
| JPH11503793A (ja) | 機械的に取り付けられたスパッタリングターゲットとアダプタ | |
| JP2000265265A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| JPH10121232A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| US7791005B2 (en) | Coil constructions configured for utilization in physical vapor deposition chambers, and methods of forming coil constructions | |
| JP2000290772A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JPH10303286A (ja) | 静電チャック及び半導体製造装置 | |
| JP2000303171A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| CN113272468B (zh) | 溅射靶制品以及溅射靶制品的再生品的制造方法 | |
| JP2001064771A (ja) | スパッタリングターゲット | |
| WO1992017622A1 (en) | Thermally compatible sputter target and backing plate assembly | |
| JPH08218166A (ja) | スパッタリング用ターゲットの接合方法 | |
| JP2000096221A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲット | |
| GB2053763A (en) | Soldering a non-solderable sputtering target to a metallic support | |
| JP2004079961A (ja) | プラズマエッチング用シリコン電極板 | |
| JPH06172991A (ja) | マグネトロンスパッタリング用セラミックスターゲット | |
| JP2001164361A (ja) | スパッタリングターゲット冷却構造 | |
| JP2745145B2 (ja) | スパッタ用ターゲットの接合方法 | |
| JP3498291B2 (ja) | スパッタリングカソード | |
| JP2001049427A (ja) | 一体構造型スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
| JP2000219963A (ja) | スパッタリング装置用のバッキングプレート | |
| JPH05222524A (ja) | スパッタ装置 |