JP2000293890A - 光学記録媒体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光学記録媒体の耐久性を向上させる。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録再生層と誘電体
層とが順次形成されており、当該誘電体層側から光が入
射されて情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学
記録媒体において、上記基板の積層膜が形成される主表
面に逆スパッタリングを施す。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に少なくと
も記録再生層と誘電体層とが順次形成されており、当該
誘電体層側から光が入射されて情報信号の記録及び／又
は再生が行われる光学記録媒体及びその製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの発達、普及ととも
に磁気記録媒体や光学記録媒体等の外部メモリは、高速
化、大容量化の方向へと進歩している。光学記録媒体に
おいては、光磁気ディスクや相変化型光ディスクなどの
ように、基板上に記録再生層や誘電体層などが積層され
た積層膜が形成されてなり、記録再生層に光が入射され
ることにより情報信号の読み出しや書き込みが行われる
光学記録媒体が従来より普及しており、これらの光学記
録媒体においても、現在、高密度化の研究が進められて
いる。

【０００３】このような光学記録媒体の高密度記録化に
ともない、光学記録媒体の情報信号の読み出しや書き込
みを行う光学ヘッドにおいても、記録再生層に入射する
光の短波長化とともに、スポット径を小径化し、解像度
を高めることが不可欠となり、種々の検討が行われてい
る。記録再生層に入射する光のスポット径を小径化する
ためには、光学レンズの開口数（Numerical Apertur
e：以下ＮＡと称する。）を高めること、すなわち高Ｎ
Ａ化を図る必要がある。そして、光学レンズの高ＮＡ化
を図るためには、光学レンズと記録層との距離を短くす
る必要がある。

【０００４】最近、光学ヘッドにおいては、ハードディ
スク装置等における浮上型磁気ヘッドの技術を応用し、
光学レンズをスライダに搭載した浮上型光学ヘッドを形
成し、この浮上型光学ヘッドを光学記録媒体の基板上に
形成された記録再生層や誘電体層等の積層膜と対向する
ように浮上させ、光学記録媒体に対して、積層膜が形成
された側から情報信号の読み出しや書き込みを行う研究
が進められている。

【０００５】このように、浮上型光学ヘッドを光学記録
媒体の基板上に形成された積層膜と対向するように浮上
させて情報信号の読み出しや書き込みを行う場合、浮上
型光学ヘッドからの光は、積層膜側から入射されること
になるので、基板を通過しない。そのため、光学レンズ
と光学記録媒体の記録再生層との距離は、従来のよう
に、光学ヘッドからの光を基板を介して記録再生層に入
射させる場合に比べて大幅に短くすることが可能とな
る。したがって、浮上型ヘッドを使用することにより、
光学レンズと記録再生層との距離を短くすることができ
るため、光学レンズの高ＮＡ化が可能となり、記録再生
層に入射する光のスポット径を小径化すること、すなわ
ち光学ヘッドの高解像度化が可能となる。

【０００６】以上のように浮上型光学ヘッドを光学記録
媒体の基板上に形成された積層膜と対向するように浮上
させて情報信号の読み出しや書き込みを行うようにした
場合、光学ヘッドからの光は、積層膜側から照射される
ことになるので、このタイプの光学記録媒体において
は、基板上に形成される積層膜の形成順序が、基板を介
して光が照射されるタイプの光学記録媒体と逆の順序と
されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来の光学記録媒体に
おいては、保護膜により積層膜の腐食が防がれ、また、
保護膜と基板との密着性により、積層膜の基板からの剥
離が防がれていた。

【０００８】しかしながら、上述した記録媒体側から光
を入射し、記録及び／又は再生を行う光学記録媒体で
は、従来の光学記録媒体のように成膜面を保護するため
の例えば紫外線硬化膜等からなる保護膜が形成されない
ため、記録媒体の腐食及び基板からの剥離が大きな問題
となっている。

【０００９】したがって、本発明は、上記のような実情
に鑑みて提案されたものであり、積層膜側から光を入射
し、記録及び／又は再生を行う光学記録媒体において積
層膜の腐食及び基板からの剥離を抑制し、耐久性の優れ
た光学記録媒体を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る光学記録媒
体は、基板上に少なくとも記録再生層と誘電体層とが順
次形成されており、当該誘電体層側から光が入射されて
情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学記録媒体
であって、上記基板は、積層膜が形成される主表面に逆
スパッタリングが施されていることを特徴とする。

【００１１】本発明に係る光学記録媒体は、基板の積層
膜が形成される主表面に逆スパッタリングを施されてい
ることにより、基板と積層膜との密着性が向上する。

【００１２】また、本発明に係る光学記録媒体の製造方
法は、基板上に少なくとも記録再生層と誘電体層とが順
次形成されており、当該誘電体層側から光が入射されて
情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学記録媒体
の製造方法であって、上記基板の積層膜が形成される主
表面に逆スパッタリングを施す逆スパッタリング工程
と、逆スパッタリングが施された上記基板の主表面上に
上記記録再生層を形成する記録再生層形成工程と、上記
記録再生層上に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と
を有することを特徴とする。

【００１３】本発明に係る光学記録媒体の製造方法によ
れば、上記基板の積層膜が形成される主表面に逆スパッ
タリングを施す逆スパッタリング工程を有し、逆スパッ
タリング工程を行った後に記録再生層形成工程と、誘電
体層形成工程を行うため、基板と積層膜との間の密着性
が向上する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
図面を参照して詳細に説明する。

【００１５】本実施の形態においては、樹脂材料がディ
スク状に成形されてなるディスク基板上に、光磁気記録
再生層を含む複数の層が積層されてなる積層膜が形成さ
れた光磁気ディスクに本発明を適用した例について説明
する。なお、本発明は、この例に限定されるものではな
く、例えば、記録再生層の相変化を利用して信号の記録
及び／又は再生を行う相変化型ディスク等、記録方式の
異なる他の光学記録媒体にも適用することが可能であ
る。

【００１６】本実施の形態の光学記録媒体は、例えば浮
上型光学ヘッドのように、記録再生層に近い位置にある
光学ヘッドにより、記録再生層側、すなわちディスク基
板において積層膜が形成されている側から光が入射され
ることにより情報信号の読み出しや書き込みを行う形式
の光磁気ディスクである。

【００１７】図１に本発明を適用した光磁気ディスクの
一構成例の要部断面図を示す。本発明を適用した光磁気
ディスク１は、ディスク基板２と、ディスク基板２上に
形成された下地層３と、下地層３上に形成された熱拡散
層４と、熱拡散層４上に形成された光磁気記録再生層５
と、光磁気記録再生層５上に形成された誘電体層６とを
備えて構成される。

【００１８】ディスク基板２は、アモルファスポリオレ
フィンやポリカーボネート等の樹脂材料を射出成形等に
よりディスク状に成形したものを用いることができ、例
えば、下記化１で表されるゼオネクス（日本ゼオン
（株）製）等の材料を好ましく用いることができる。

【００１９】

【化１】

【００２０】上記式中Ｒ１及びＲ２は、アルキル基であ
る。

【００２１】そして、本発明においては、ディスク基板
２は、ディスク基板の主表面に逆スパッタリングを施し
た状態で用いられる。ディスク基板２は、主表面に逆ス
パッタリングを施すことにより、ディスク基板２上に成
膜される薄膜との密着性が増し、ディスク基板２と積層
膜との剥離を抑制することができる。これにより、ディ
スク基板２と下地層３との密着性は向上し、従来の保護
膜層が無くてもディスク基板２と下地層３の剥離が防止
される。

【００２２】下地層３は、逆スパッタリングが施された
ディスク基板表面２ａ上に形成され、当該下地層３上に
形成される熱拡散層４の表面性を良好にするとともに、
ディスク基板２に含有される水分が熱拡散層４や光磁気
記録再生層５へ拡散することを抑制し、腐食の発生を低
減させる。また、下地層３を形成することにより、ディ
スク基板２上に直接熱拡散層４を形成した場合よりも、
熱拡散層４の密着性を向上させることができ、熱拡散層
４の剥離を抑制することができる。そして、下地層３
は、ＳｉＯ₂、ＳｉＮ等を用いることができる。

【００２３】熱拡散層４は、下地層３上に形成され、光
磁気記録再生層５に入射された光により発生する熱を拡
散することにより、光磁気記録再生層５の記録マークの
大きさをコントロールし、記録再生特性を良好なものと
するためのものである。熱拡散層４は、Ａｌ、ＡｌＭ
ｇ、ＡｌＴｉ、ＡｌＳｉ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ等を用い
ることができる。

【００２４】光磁気記録再生層５は、熱拡散層４上に形
成され、情報信号が記録される層である。光磁気記録再
生層５は、例えば希土類としてＴｂ、遷移金属としてＦ
ｅ、Ｃｏを用いたＴｂＦｅＣｏやＴｂＦｅＣｏにＣｒや
Ｎｉ等の添加物を加えたものを用いることができる。ま
た、ＤｙＦｅＣｏやＧｄＦｅＣｏを用いることができ
る。そして、以上のものの合金等も用いることができ
る。

【００２５】光磁気記録再生層５は、異なる性質の光磁
気記録膜による多層膜構造であっても良く、あるいは、
光磁気記録膜と光磁気記録膜以外の膜との多層膜により
磁気的超解像や磁区拡大再生を行い得る構造であっても
良い。

【００２６】誘電体層６は、光磁気ディスク１の光学的
な効率の向上を図るためのものであり、光磁気記録再生
層５上に形成される。誘電体層６は、例えば、ＳｉＮ等
を用いることができる。誘電体層６にＳｉＮを用いるこ
とにより、光磁気記録再生層５における誘電体層６側か
らの腐食を低減することができる。

【００２７】また、本発明を適用した光磁気ディスク
は、図２に示すように、ディスク基板２と、ディスク基
板２上に形成された下地層３と、下地層３上に形成され
た熱拡散層４と、熱拡散層４上に形成された第２誘電体
層７と、第２誘電体層７上に形成された光磁気記録再生
層５と、光磁気記録再生層５上に形成された第１誘電体
層８Ａと第１誘電体層８Ａ上に形成された誘電体保護層
８Ｂとからなる誘電体層８とを備えた構成であっても良
い。

【００２８】ここでは、図１に示す光磁気ディスク１と
異なる構成要素について説明する。

【００２９】第２誘電体層７は、光学的エンハンスメン
トの効果を得るためのものであり、熱拡散層４と光磁気
記録層５との間に形成される。第２誘電体層７は、例え
ば、ＳｉＮ等を用いることができる。

【００３０】誘電体層８は、第１誘電体層８Ａと誘電体
保護層８Ｂとにより構成される。第１誘電体層８Ａは、
光磁気ディスク１の光学的な効率の向上を図るためのも
のであり、光磁気記録再生層５上に形成される。第１誘
電体層８Ａは、例えば、ＳｉＮ等を用いることができ
る。誘電体保護層８Ｂは、第１誘電体層８Ａよりも高屈
折率を有する材料を用いることにより、第１誘電体層８
Ａを単層で形成した場合に比べ、誘電体層の膜厚を薄く
することができる。また、誘電体保護層８Ｂに第１誘電
体層８Ａよりもじん性の高い材料を用いることにより、
外部より光磁気ディスク８にかかる応力に対する耐久性
を高めることができ、第１誘電体層８Ａに亀裂等が発生
することを防ぐことができる。このような第１誘電体層
８Ａと、誘電体層８Ｂの組み合わせとしては、例えば、
第１誘電体層８ＡにＳｉＮを用い、誘電体保護層８Ｂに
ＺｎＳ・ＳｉＯ₂を用いることができる。第１誘電体層
８ＡにＳｉＮを用いることにより、光磁気記録再生層５
における誘電体層６側からの腐食を低減することがで
き、また、光磁気記録再生層５が、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂に
より硫化され、腐食することを防ぐことができる。

【００３１】以上のような本発明を適用した光磁気ディ
スク１は、ディスク基板２の積層膜が形成される主表面
に逆スパッタリングを施されていることにより、ディス
ク基板２と積層膜との密着性が向上するため、ディスク
基板２と積層膜との剥離が防止され、また、剥離を起因
とする腐食の発生が防止され、優れた耐久性が得られ
る。

【００３２】次に、以上のように構成される本発明を適
用した光磁気ディスク９の製造方法について説明する。

【００３３】まず、成膜用のディスク基板２を第１のス
パッタリングチャンバ内にセットし、５×１０^-5Ｐａま
で真空引きを行う。続いて放電ガスとしてＡｒガスを第
１のスパッタリングチャンバに導入し、ディスク基板の
逆スパッタリングを行う。ここで、スパッタリングガス
圧力は、０．２〜０．８Ｐａが好ましい。そして、スパ
ッタリング装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Direct Cu
rret）又は高周波（ＲＦ：Radio Frequency）を使用す
ることができる。

【００３４】次に、逆スパッタリングを行ったディスク
基板２を第２のスパッタリングチャンバ内にセットし、
５×１０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスと
してＡｒガスを第２のスパッタリングチャンバに導入
し、例えばＳｉＯ₂をターゲットとして下地層３のスパ
ッタリングを行い、ディスク基板の逆スパッタリングを
行った主面上にＳｉＯ₂を成膜する。ここで、スパッタ
リングガス圧力は、０．２〜０．８Ｐａが好ましい。成
膜する膜厚は、５〜１０ｎｍが好ましい。また、下地層
３は、ＳｉＮを成膜しても良く、この場合、放電ガスと
してはＡｒガスに加えてＮ₂ガスをスパッタリングチャ
ンバ内に導入し、例えばＳｉをターゲットとしてリアク
ティブスパッタリングを行い、ＳｉＮを成膜する。ここ
で、スパッタリングガス圧力は、０．２〜０．８Ｐａが
好ましい。また、Ｓｉターゲットを用いたリアクティブ
スパッタリングの代わりに、ＳｉＮターゲットを用いた
スパッタリングによりＳｉＮ膜を成膜しても良い。そし
て、スパッタリング装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Di
rect Curret）又は高周波（ＲＦ：Radio Frequency）
を使用することができる。

【００３５】次に、ＳｉＯ₂を成膜したディスク基板２
を第３のスパッタリングチャンバ内にセットし、５×１
０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスとしてＡ
ｒガスを第３のスパッタリングチャンバに導入し、例え
ばＡｌＭｇをターゲットとして熱拡散層４のスパッタリ
ングを行い、ＡｌＭｇ膜を先に成膜したＳｉＯ₂膜上に
成膜する。ここで、スパッタリングガス圧力は、０．２
〜０．８Ｐａが好ましい。

【００３６】また、熱拡散層４は、Ａｌ、ＡｌＴｉ、Ａ
ｌＳｉ、Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ等を成膜しても良く、この
場合、ターゲットしては、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＳｉ、
Ａｇ、ＡｇＰｄＣｕ等を用いることができる。成膜する
膜厚は、２３〜５０ｎｍが好ましい。そして、スパッタ
リング装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Direct Curre
t）又は高周波（ＲＦ：Radio Frequency）を使用する
ことができる。

【００３７】次に、ＡｌＭｇを成膜したディスク基板２
を第４のスパッタリングチャンバ内にセットし、５×１
０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスとしてＡ
ｒガスに加えてＮ₂ガスを第４のスパッタリングチャン
バに導入し、例えばＳｉをターゲットとして第２誘電体
層７のリアクティブスパッタリングを行い、ＳｉＮ膜を
先に成膜したＡｌＭｇ膜上に成膜する。ここで、スパッ
タリングガス圧力は、０．１〜０．７Ｐａが好ましい。
また、Ｓｉターゲットを用いたリアクティブスパッタリ
ングの代わりに、ＳｉＮターゲットを用いたスパッタリ
ングによりＳｉＮ膜を成膜しても良い。成膜する膜厚
は、５〜２０ｎｍが好ましい。そして、スパッタリング
装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Direct Curret）又は
高周波（ＲＦ：Radio Frequency）を使用することがで
きる。

【００３８】次に、ＳｉＮ膜を成膜したディスク基板２
を第５のスパッタリングチャンバ内にセットし、５×１
０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスとしてＡ
ｒガスを第５のスパッタリングチャンバ内に導入し、例
えばＴｂＦｅＣｏをターゲットとして光磁気記録再生層
５のスパッタリングを行い、ＴｂＦｅＣｏ膜を先に成膜
したＳｉＮ膜上に膜厚に成膜する。ここで、スパッタリ
ングガス圧力は、０．１〜０．８Ｐａが好ましい。ま
た、使用するターゲットは、ＴｂＦｅＣｏ以外に、Ｃ
ｒ、Ｎｉ等の添加物が混入していても良い。また、Ｔｂ
ＦｅＣｏ以外に、ＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏでも良
い。また、これらの合金膜の多層膜であっても良い。そ
して、ターゲットは、合金ターゲットである必要は無
く、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ等のター
ゲットからの同時スパッタリングにより成膜しても良
い。そして、スパッタリング装置の使用電源は、直流
（ＤＣ：DirectCurret）又は高周波（ＲＦ：Radio Fre
quency）を使用することができる。

【００３９】次に、ＴｂＦｅＣｏ膜を成膜したディスク
基板２を第６のスパッタリングチャンバにセットし、５
×１０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスとし
てＡｒガスに加えてＮ₂ガスを第６のスパッタリングチ
ャンバに導入し、例えばＳｉをターゲットとして第１誘
電体層８Ａのリアクティブスパッタリングを行い、Ｓｉ
Ｎ膜を先に成膜したＴｂＦｅＣｏ膜上に成膜する。ここ
で、スパッタリングガス圧力は、０．１〜０．７Ｐａが
好ましい。また、Ｓｉターゲットを用いたリアクティブ
スパッタリングの代わりに、ＳｉＮターゲットを用いた
スパッタリングによりＳｉＮ膜を成膜しても良い。そし
て、スパッタリング装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Di
rect Curret）又は高周波（ＲＦ：Radio Frequency）
を使用することができる。

【００４０】最後に、ＳｉＮ膜を成膜したディスク基板
２を第７のスパッタリングチャンバにセットし、５×１
０^-5Ｐａまで真空引きを行う。続いて放電ガスとしてＡ
ｒガスを第７のスパッタリングチャンバに導入し、例え
ばＺｎＳ・ＳｉＯ₂をターゲットとして誘電体保護層８
Ｂのスパッタリングを行い、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂膜を先に
成膜したＳｉＮ膜上に成膜する。ここで、スパッタリン
グガス圧力は、０．１〜０．７Ｐａが好ましい。そし
て、スパッタリング装置の使用電源は、直流（ＤＣ：Di
rect Curret）又は高周波（ＲＦ：Radio Frequency）
を使用することができる。

【００４１】以上のような本発明を適用した光磁気ディ
スク９の製造方法によれば、まず初めにディスク基板２
の積層膜が形成される主表面に逆スパッタリングを施
し、その後、下地層３、熱拡散層４、第２誘電体層７、
光磁気記録再生層５、第１誘電体層８Ａ、及び誘電体保
護層８Ｂを形成することにより、ディスク基板２と積層
膜との間の密着性が向上するため、ディスク基板２と積
層膜との剥離が防止され、また、剥離を起因とする腐食
の発生が防止され、優れた耐久性を有する光磁気ディス
ク９を製造することができる。

【００４２】

【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。詳しくは、本発明の効果を評
価するために表１に示す条件において、以下に示すよう
な方法で光磁気ディスク９を作製した場合について説明
する。

【００４３】まず、下記化２で表されるゼオネクス（日
本ゼオン（株）製）製のディスク基板２を第１のスパッ
タリングチャンバにセットし、５×１０^-5Ｐａまで真空
引きを行った。

【００４４】

【化２】

【００４５】上記式中、Ｒ１及びＲ２は、アルキル基で
ある。

【００４６】続いて放電ガスとしてＡｒガスを第１のス
パッタリングチャンバに導入し、ディスク基板２に逆ス
パッタリングを施した。

【００４７】次に、逆スパッタリングを施したディスク
基板２を第２のスパッタリングチャンバにセットし、５
×１０^-5Ｐａまで真空引きを行った。続いて放電ガスと
してＡｒガスを第２のスパッタリングチャンバに導入
し、ＳｉＯ₂をターゲットとして下地層３のスパッタリ
ングを行い、逆スパッタリングを施したディスク基板２
の主表面上に１０ｎｍの膜厚のＳｉＯ₂膜を得た。

【００４８】次に、ＳｉＯ₂膜を成膜したディスク基板
２を第３のスパッタリングチャンバに移動し、放電ガス
としてＡｒガスをスパッタリングチャンバ内に導入し
た。そして、ＡｌＭｇをターゲットとして熱拡散層４の
スパッタリングを行い、先に成膜したＳｉＯ₂膜上に４
０ｎｍの膜厚のＡｌＭｇ膜を得た。

【００４９】次に、ＡｌＭｇ膜を成膜したディスク基板
２を第４のスパッタリングチャンバに移動し、放電ガス
としてＡｒガスに加えてＮ₂ガスをスパッタリングチャ
ンバ内に導入した。そしてＳｉをターゲットとして第２
誘電体層７のリアクティブスパッタリングを行い、先に
成膜したＡｌＭｇ膜上に２０ｎｍの膜厚のＳｉＮ膜を得
た。

【００５０】次に、ＳｉＮ膜を成膜したディスク基板２
を第５のスパッタリングチャンバに移動し、放電ガスと
してＡｒガスをスパッタリングチャンバ内に導入した。
そしてＴｂＦｅＣｏをターゲットとして光磁気記録再生
層５のスパッタリングを行い、先に成膜したＳｉＮ膜上
に２０ｎｍの膜厚のＴｂＦｅＣｏ膜を得た。

【００５１】次に、ＴｂＦｅＣｏ膜を成膜したディスク
基板２を第６のスパッタリングチャンバに移動し、放電
ガスとしてＡｒガスに加えてＮ₂ガスをスパッタリング
チャンバ内に導入した。そしてＳｉをターゲットとして
第１誘電体層８Ａのリアクティブスパッタリングを行
い、先に成膜したＴｂＦｅＣｏ膜上に３０ｎｍの膜厚の
ＳｉＮ膜を得た。

【００５２】最後に、ＳｉＮ膜を成膜したディスク基板
２を第７のスパッタリングチャンバに移動し、放電ガス
としてＡｒガスをスパッタリングチャンバ内に導入し
た。そして、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂をターゲットとして誘電
体保護層８Ｂのスパッタリングを行い、先に成膜したＳ
ｉＮ膜上に６０ｎｍの膜厚のＺｎＳ・ＳｉＯ₂膜を得
た。

【００５３】上記のディスク基板２の逆スパッタリング
及び各層の成膜は、下記の条件において実施した。

【００５４】ディスク基板２の逆スパッタリング条件 放電ガス ：Ａｒ スパッタガス圧：０．５ＰａＳｉＯ₂の成膜条件 成膜方法 ：ＤＣスパッタリング法 ターゲット ：ＳｉＯ₂ 放電ガス ：Ａｒ スパッタガス圧：０．５ＰａＡｌＭｇの成膜条件 成膜方法 ：ＤＣスパッタリング法 ターゲット ：ＡｌＭｇ 放電ガス ：Ａｒ スパッタガス圧：０．５ＰａＳｉＮの成膜条件 成膜方法 ：ＤＣリアクティブスパッタリング法 ターゲット ：Ｓｉ 放電ガス ：ＡｒとＮ₂の混合ガス（Ｎ₂１９体積
％） スパッタガス圧：０．５ＰａＴｂＦｅＣｏの成膜条件 成膜方法 ：ＤＣスパッタリング法 ターゲット ：ＴｂＦｅＣｏ 放電ガス ：Ａｒ スパッタガス圧：０．２ＰａＺｎＳ・ＳｉＯ₂の成膜条件 成膜方法 ：ＲＦスパッタリング法 ターゲット ：ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ 放電ガス ：Ａｒ スパッタガス圧：０．５Ｐａ

【００５５】＜特性評価＞以上の条件により作製したサ
ンプル１乃至サンプル１８の１８枚の光磁気ディスク９
を温度８０℃、湿度８５％の恒温層に入れ、４００時間
経過後の剥離及び腐食の発生状況を調べた。

【００５６】評価は、ディスク基板２と上記により成膜
した積層膜との剥離、及び積層膜の腐食の有無により行
った。

【００５７】その結果を表１に示す。なお、表１中での
評価記号は以下のような意味とする。

【００５８】Ａ ：剥離、腐食が全く観察されなかった
場合 Ｂ１：剥離が１０箇所以下有り、腐食が無い場合 Ｂ２：剥離が１００箇所未満有り、腐食が無い場合 Ｂ３：剥離が１００箇所以上有り、腐食が無い場合 Ｃ１：腐食が１０箇所以下有り、剥離が無い場合 Ｃ２：腐食が１００所未満有り、剥離が無い場合 Ｃ３：腐食が１００所以上有り、剥離が無い場合 Ｄ１：剥離及び腐食がそれぞれ１０箇所未満有る場合 Ｄ２：剥離及び腐食がそれぞれ１０箇所以上有る場合 Ｄ３：剥離及び腐食がそれぞれ１００箇所以上有る場合

【００５９】

【表１】

【００６０】表１から、ディスク基板２に逆スパッタリ
ングを施すことにより、ディスク基板２に逆スパッタリ
ングを施さない場合に比べて、ディスク基板２と積層膜
との剥離が低減することが分かった。

【００６１】また、ディスク基板２に逆スパッタリング
を施した後、逆スパッタリングを施したディスク基板２
の表面上に形成する下地層３としてＳｉＯ₂、又はＳｉ
Ｎを選択することにより、下地層３としてＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ₂を選択した場合に比べて、ディスク基板２と積層膜
との剥離状態が更に改善されることが分かった。

【００６２】そして、ディスク基板２に逆スパッタリン
グを施して光磁気ディスク９を作製する際、誘電体保護
層８ＢとしてＺｎＳ・ＳｉＯ₂を選択することにより、
誘電体保護層としてＳｉＯ₂又はＳｉＮを選択した場合
に比べて、剥離状態及び腐食状態が更に改善されること
が分かった。

【００６３】なお、以上は、記録再生層に光磁気記録膜
を用いた光磁気ディスク９において説明したが、記録再
生層に相変化記録膜を用いた相変化型の光ディスク等に
おいても、光磁気ディスク９と同様の結果が得られた。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光学
記録媒体は、基板上に少なくとも記録再生層と誘電体層
とが順次形成されており、当該誘電体層側から光が入射
されて情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学記
録媒体であって、上記基板は、積層膜が形成される主表
面に逆スパッタリングが施されている。

【００６５】これにより、基板と積層膜との密着性が向
上し、基板と積層膜との剥離が防止され、また、剥離を
起因とする腐食の発生が防止され、優れた耐久性が得ら
れる。

【００６６】また、本発明に係る光学記録媒体の製造方
法は、基板上に少なくとも記録再生層と誘電体層とが順
次形成されており、当該誘電体層側から光が入射されて
情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学記録媒体
の製造方法であって、上記基板の積層膜が形成される主
表面に逆スパッタリングを施す逆スパッタリング工程
と、逆スパッタリングが施された上記基板の主表面上に
上記記録再生層を形成する記録再生層形成工程と、上記
記録再生層上に誘電体層を形成する誘電体層形成工程と
を有する。

【００６７】これにより、基板と積層膜との密着性が向
上させることができるため、基板と積層膜との剥離が防
止され、また、剥離を起因とする腐食の発生が防止さ
れ、優れた耐久性を有する光学記録媒体を製造すること
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した光磁気ディスクの一構成例を
示す要部断面図である。

【図２】本発明を適用した光磁気ディスクの他の構成例
を示す要部断面図である。

【符号の説明】

１ 光磁気ディスク、２ ディスク基板、２ａ 逆スパ
ッタリングを施されたディスク表面、３ 下地層、４
熱拡散層、５ 光磁気記録再生層、６ 誘電体層、７
第２誘電体層、８Ａ 第１誘電体層、８Ｂ 誘電体保護
層、９ 光磁気ディスク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 誠 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 KB11 NA07 5D121 AA02 GG04

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に少なくとも記録再生層と誘電体
   層とが順次形成されており、当該誘電体層側から光が入
   射されて情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学
   記録媒体であって、 上記基板は、積層膜が形成される主表面に逆スパッタリ
   ングが施されていることを特徴とする光学記録媒体。
2. 【請求項２】 上記基板と上記記録再生層との間に、下
   地層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の
   光学記録媒体。
3. 【請求項３】 上記下地層は、ＳｉＯ₂よりなることを
   特徴とする請求項２記載の光学記録媒体。
4. 【請求項４】 上記下地層は、ＳｉＮよりなることを特
   徴とする請求項２記載の光学記録媒体。
5. 【請求項５】 上記誘電体層は、基板側からＳｉＮ層
   と、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂層との２層構造であることを特徴
   とする請求項１記載の光学記録媒体。
6. 【請求項６】 基板上に少なくとも記録再生層と誘電体
   層とが順次形成されており、当該誘電体層側から光が入
   射されて情報信号の記録及び／又は再生が行われる光学
   記録媒体の製造方法であって、 上記基板の積層膜が形成される主表面に逆スパッタリン
   グを施す逆スパッタリング工程と、 逆スパッタリングが施された上記基板の主表面上に上記
   記録再生層を形成する記録再生層形成工程と、 上記記録再生層上に誘電体層を形成する誘電体層形成工
   程とを有することを特徴とする光学記録媒体の製造方
   法。