JP2000294509A - 半導体真空装置 - Google Patents
半導体真空装置Info
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- JP2000294509A JP2000294509A JP11101397A JP10139799A JP2000294509A JP 2000294509 A JP2000294509 A JP 2000294509A JP 11101397 A JP11101397 A JP 11101397A JP 10139799 A JP10139799 A JP 10139799A JP 2000294509 A JP2000294509 A JP 2000294509A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空を伴うチャンバと外部との気密性を維持す
るためのＯリング部分に関しシール性（密着性）を向上
させる構造を有する半導体真空装置を提供する。 【解決手段】ＣＡＰ開閉駆動部１１は、真空用チャンバ
としての炉心管側１３に製品（ウェハ等）をセットした
ボード１４を出し入れする連絡口である。炉心管側１３
とＣＡＰ開閉駆動部１１との開閉密着部は、炉心管側１
３に設けられたＯリング５１に対向して逆側のＣＡＰ１
２にもＯリング５２が配備されている。これらのＯリン
グ５１，５２は互いにずれながら密着されている。
るためのＯリング部分に関しシール性（密着性）を向上
させる構造を有する半導体真空装置を提供する。 【解決手段】ＣＡＰ開閉駆動部１１は、真空用チャンバ
としての炉心管側１３に製品（ウェハ等）をセットした
ボード１４を出し入れする連絡口である。炉心管側１３
とＣＡＰ開閉駆動部１１との開閉密着部は、炉心管側１
３に設けられたＯリング５１に対向して逆側のＣＡＰ１
２にもＯリング５２が配備されている。これらのＯリン
グ５１，５２は互いにずれながら密着されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造に係
り、特に減圧を伴う炉心管にＯリングを有する半導体真
空装置に関する。
り、特に減圧を伴う炉心管にＯリングを有する半導体真
空装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造プロセスの重要な役割を果た
すＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、真空蒸
着装置等に関する半導体真空装置は、製品をチャンバ内
に出し入れする出し入れ口（ＣＡＰ）やチャンバ内を観
察する窓などを有する。このようなチャンバと一体にな
るＣＡＰや窓部は、チャンバ内の真空引きを行うときの
大気のリークを極力抑えるようシール性（密着性）が重
要である。
すＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置、真空蒸
着装置等に関する半導体真空装置は、製品をチャンバ内
に出し入れする出し入れ口（ＣＡＰ）やチャンバ内を観
察する窓などを有する。このようなチャンバと一体にな
るＣＡＰや窓部は、チャンバ内の真空引きを行うときの
大気のリークを極力抑えるようシール性（密着性）が重
要である。
【０００３】シール性（密着性）を高める構造としてＯ
リングが知られている。Ｏリングは例えばチャンバのＣ
ＡＰ取付け口に設けられたフッ素系のリング状のパッキ
ンである。このＯリングにより、チャンバの出し入れ口
周辺とＣＡＰの対向面が密着され、気密性を十分なもの
とする。
リングが知られている。Ｏリングは例えばチャンバのＣ
ＡＰ取付け口に設けられたフッ素系のリング状のパッキ
ンである。このＯリングにより、チャンバの出し入れ口
周辺とＣＡＰの対向面が密着され、気密性を十分なもの
とする。
【０００４】図４（ａ）は、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリ
ング使用の従来構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側
に設けられたＯリングを示す正面図である。ＣＡＰ開閉
駆動部８１は、真空用チャンバとしての炉心管側８３に
製品（ウェハ等）をセットしたボード８４を出し入れす
る連絡口である。ＣＡＰ開閉駆動部８１はＣＡＰ８２を
スライドさせて開閉を行えるようになっている。
ング使用の従来構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側
に設けられたＯリングを示す正面図である。ＣＡＰ開閉
駆動部８１は、真空用チャンバとしての炉心管側８３に
製品（ウェハ等）をセットしたボード８４を出し入れす
る連絡口である。ＣＡＰ開閉駆動部８１はＣＡＰ８２を
スライドさせて開閉を行えるようになっている。
【０００５】炉心管側８３にはＣＡＰ２と対向する位置
にＯリング８５が設けられている。ＣＡＰを閉め、チャ
ンバ内（８３）を真空引きする場合、真空度を損なわな
いようにするには、このＯリング８５のシール性能が非
常に重要である。
にＯリング８５が設けられている。ＣＡＰを閉め、チャ
ンバ内（８３）を真空引きする場合、真空度を損なわな
いようにするには、このＯリング８５のシール性能が非
常に重要である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、炉心管
側８３に設けられたＯリング８５だけではそのシール性
能の劣化が著しく、シール性を不十分なものとしてしま
い、真空引き時の大気のリーク（洩れ）が起こり、製品へ
の自然酸化膜の成長を促進させてしまう。これにより、
製品の特性が変動してしまうという問題があった。
側８３に設けられたＯリング８５だけではそのシール性
能の劣化が著しく、シール性を不十分なものとしてしま
い、真空引き時の大気のリーク（洩れ）が起こり、製品へ
の自然酸化膜の成長を促進させてしまう。これにより、
製品の特性が変動してしまうという問題があった。
【０００７】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
のであり、その課題は、真空を伴うチャンバと外部との
気密性を維持するためのＯリング部分に関しシール性
（密着性）を向上させる構造を有する半導体真空装置を
提供することにある。
のであり、その課題は、真空を伴うチャンバと外部との
気密性を維持するためのＯリング部分に関しシール性
（密着性）を向上させる構造を有する半導体真空装置を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体真空装置
は、気密性を伴うチャンバにおいて、外部との連絡経路
として設けられた開閉密着部を具備し、前記開閉密着部
の片側のＯリングに対向して逆側にもＯリングが配備さ
れ、かつこれらのＯリングは互いにずれながら密着構造
を呈していることを特徴とする。
は、気密性を伴うチャンバにおいて、外部との連絡経路
として設けられた開閉密着部を具備し、前記開閉密着部
の片側のＯリングに対向して逆側にもＯリングが配備さ
れ、かつこれらのＯリングは互いにずれながら密着構造
を呈していることを特徴とする。
【０００９】本発明によれば、開閉密着部のＯリングに
よる気密性が増し、シール性が向上してチャンバ内への
大気のリークを低減し、半導体製造プロセスの高信頼性
と安定性を得る。
よる気密性が増し、シール性が向上してチャンバ内への
大気のリークを低減し、半導体製造プロセスの高信頼性
と安定性を得る。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１（ａ）は、本発明の第一実施
形態を示す構成であり、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリング
使用の構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けら
れたＯリングとの密着状況を示す正面図、（ｃ）は、
（ａ）のＯリングの密着部を示す拡大図である。
形態を示す構成であり、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリング
使用の構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けら
れたＯリングとの密着状況を示す正面図、（ｃ）は、
（ａ）のＯリングの密着部を示す拡大図である。
【００１１】ＣＡＰ開閉駆動部１１は、真空用チャンバ
としての炉心管側１３に製品（ウェハ等）をセットした
ボード１４を出し入れする連絡口である。ＣＡＰ開閉駆
動部１１はＣＡＰ１２をスライドさせて開閉を行えるよ
うになっている。
としての炉心管側１３に製品（ウェハ等）をセットした
ボード１４を出し入れする連絡口である。ＣＡＰ開閉駆
動部１１はＣＡＰ１２をスライドさせて開閉を行えるよ
うになっている。
【００１２】炉心管側１３とＣＡＰ開閉駆動部１１との
開閉密着部は、炉心管側１３に設けられたＯリング５１
に対向して逆側のＣＡＰ１２にもＯリング５２が配備さ
れている。これらのＯリング５１，５２は互いにずれな
がら密着されている。例えば図１（ｂ）における点線
は、ＣＡＰ１２側のＯリング５２に関する炉心管側１３
への密着接点を示している。
開閉密着部は、炉心管側１３に設けられたＯリング５１
に対向して逆側のＣＡＰ１２にもＯリング５２が配備さ
れている。これらのＯリング５１，５２は互いにずれな
がら密着されている。例えば図１（ｂ）における点線
は、ＣＡＰ１２側のＯリング５２に関する炉心管側１３
への密着接点を示している。
【００１３】すなわち、これらＯリング５１，５２によ
る密着構造を詳述すると次のようになる。図１（ｃ）に
おいて、６はＯリング５１，５２のそれぞれを固定する
ためのザグリである。密着部は、炉心管側１３とＯリン
グ５２の密着部Ｚ、ＣＡＰ１２側とＯリング５１の密着
部Ｙ、Ｏリング５１と５２どうしの密着部Ｘの３箇所あ
る。
る密着構造を詳述すると次のようになる。図１（ｃ）に
おいて、６はＯリング５１，５２のそれぞれを固定する
ためのザグリである。密着部は、炉心管側１３とＯリン
グ５２の密着部Ｚ、ＣＡＰ１２側とＯリング５１の密着
部Ｙ、Ｏリング５１と５２どうしの密着部Ｘの３箇所あ
る。
【００１４】上記構成によれば、開閉密着部にＯリング
一つ分の領域が増えるだけでＸ，Ｙ，Ｚで三重のシール
効果が実現される。これにより、装置の真空引き中の大
気の微少リークを低減する効果は従来に比べ格段に優れ
る。
一つ分の領域が増えるだけでＸ，Ｙ，Ｚで三重のシール
効果が実現される。これにより、装置の真空引き中の大
気の微少リークを低減する効果は従来に比べ格段に優れ
る。
【００１５】なお、上記実施形態では炉心管側１３のＯ
リング５１が内側、ＣＡＰ１２側のＯリング５２が外側
に噛み合うように設けられている構造を示したが、逆の
配置構成でもよい。すなわち、図示しないが、炉心管側
１３のＯリング５１が外側、ＣＡＰ１２側のＯリング５
２が内側に噛み合うように設けられている構造でも同様
の効果が期待できる。
リング５１が内側、ＣＡＰ１２側のＯリング５２が外側
に噛み合うように設けられている構造を示したが、逆の
配置構成でもよい。すなわち、図示しないが、炉心管側
１３のＯリング５１が外側、ＣＡＰ１２側のＯリング５
２が内側に噛み合うように設けられている構造でも同様
の効果が期待できる。
【００１６】図２は、本発明の第二実施形態を示す構成
であり、半導体真空装置におけるＯリングの密着部を示
す拡大図である。この実施形態では炉心管側２３とＣＡ
Ｐ２２との開閉密着部が傾斜角度を持って結合するフラ
ンジ２１を有している。このフランジ２１の部分におい
て、前記第一実施形態と同様な構成、すなわち、炉心管
側２３のＯリング６１に対向して逆側のＣＡＰ２２にも
Ｏリング６２が配備されている。すなわち、これらのＯ
リング６１，６２は互いにずれながら密着されている。
であり、半導体真空装置におけるＯリングの密着部を示
す拡大図である。この実施形態では炉心管側２３とＣＡ
Ｐ２２との開閉密着部が傾斜角度を持って結合するフラ
ンジ２１を有している。このフランジ２１の部分におい
て、前記第一実施形態と同様な構成、すなわち、炉心管
側２３のＯリング６１に対向して逆側のＣＡＰ２２にも
Ｏリング６２が配備されている。すなわち、これらのＯ
リング６１，６２は互いにずれながら密着されている。
【００１７】開閉密着部を斜めにすることで、フランジ
２１のサイズｔ１を小さくすることができる。仮に、傾
斜角度を持たないフランジに比べたとすれば、図２に示
すように改善スペースｔは、ｔ＝ｔ１−ｔ２・ｃｏｓθ
である。
２１のサイズｔ１を小さくすることができる。仮に、傾
斜角度を持たないフランジに比べたとすれば、図２に示
すように改善スペースｔは、ｔ＝ｔ１−ｔ２・ｃｏｓθ
である。
【００１８】上記構成によっても、開閉密着部にＯリン
グを対向させずらして密着させることで、第一実施形態
に示したＸ，Ｙ，Ｚと同様の三重のシール効果により、
装置の真空引き中における大気の微少リークを低減す
る。また、この実施形態でもＯリングの噛み合わせは逆
の配置構成でもよい。すなわち、図示しないが、炉心管
側２３のＯリング６１が外側、ＣＡＰ２２側のＯリング
６２が内側に噛み合うように設けられている構造でも同
様の効果が期待できる。
グを対向させずらして密着させることで、第一実施形態
に示したＸ，Ｙ，Ｚと同様の三重のシール効果により、
装置の真空引き中における大気の微少リークを低減す
る。また、この実施形態でもＯリングの噛み合わせは逆
の配置構成でもよい。すなわち、図示しないが、炉心管
側２３のＯリング６１が外側、ＣＡＰ２２側のＯリング
６２が内側に噛み合うように設けられている構造でも同
様の効果が期待できる。
【００１９】図３は本発明の第三実施形態を示す構成で
あり、半導体真空装置におけるＯリングの密着部を示す
拡大図である。この実施形態では炉心管側３３とＣＡＰ
３２との開閉密着部において、炉心管側３３にも、ＣＡ
Ｐ３２側にも互いに複数のＯリング（７１，７２，７
３，７４）を設けてこれらのＯリング７１〜７４は互い
にずれながら密着されている。
あり、半導体真空装置におけるＯリングの密着部を示す
拡大図である。この実施形態では炉心管側３３とＣＡＰ
３２との開閉密着部において、炉心管側３３にも、ＣＡ
Ｐ３２側にも互いに複数のＯリング（７１，７２，７
３，７４）を設けてこれらのＯリング７１〜７４は互い
にずれながら密着されている。
【００２０】上記構成によれば、密着部は、図に示すよ
うな箇所Ａ〜Ｇとなる。すなわち、開閉密着部にＯリン
グ二つ分の領域が増えるだけで高いシール効果を得るこ
とができる。
うな箇所Ａ〜Ｇとなる。すなわち、開閉密着部にＯリン
グ二つ分の領域が増えるだけで高いシール効果を得るこ
とができる。
【００２１】Ｏリングの数をｎとするなら、密着箇所ｍ
は、ｍ＝１＋２（ｎ−１）である。このように、Ｏリン
グの数を増やすことでさらなるシール効果を高めること
ができる。また、互い違いにする噛み合わせは内側−外
側の位置関係を逆にしても同様の効果が期待できる。
は、ｍ＝１＋２（ｎ−１）である。このように、Ｏリン
グの数を増やすことでさらなるシール効果を高めること
ができる。また、互い違いにする噛み合わせは内側−外
側の位置関係を逆にしても同様の効果が期待できる。
【００２２】上記各実施形態による相互型のＯリング密
着形態を採用することで、次のような利点が得られる。
すなわち、（１）シール性（密着性）が向上することに
より、（２）大気の微少リーク低減がなされ、（３）製
品（ウェハ）の酸化膜成長の抑制、製品特性の安定化が
実現される。また、（４）Ｏリングの延命化対策に好適
であること等があげられる。
着形態を採用することで、次のような利点が得られる。
すなわち、（１）シール性（密着性）が向上することに
より、（２）大気の微少リーク低減がなされ、（３）製
品（ウェハ）の酸化膜成長の抑制、製品特性の安定化が
実現される。また、（４）Ｏリングの延命化対策に好適
であること等があげられる。
【００２３】なお、上記実施形態では減圧ＣＶＤ装置を
例にとって示したが、減圧するチャンバと外部との連絡
経路として設けられた開閉密着部、あるいは石英窓のよ
うな窓部を有する他の半導体製造装置にも有用である。
例にとって示したが、減圧するチャンバと外部との連絡
経路として設けられた開閉密着部、あるいは石英窓のよ
うな窓部を有する他の半導体製造装置にも有用である。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
開閉密着部に、対向させるＯリングを設け、噛み合わせ
をずらして密着させることにより、シール性能を向上さ
せ、もって半導体製品の製造プロセスの信頼性、安定性
を高めることのできる半導体真空装置を提供することが
できる。
開閉密着部に、対向させるＯリングを設け、噛み合わせ
をずらして密着させることにより、シール性能を向上さ
せ、もって半導体製品の製造プロセスの信頼性、安定性
を高めることのできる半導体真空装置を提供することが
できる。
【図１】（ａ）は、本発明の第一実施形態を示す構成で
あり、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリング使用の構成を示す
断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けられたＯリングとの
密着状況を示す正面図、（ｃ）は、Ｏリングの密着部を
示す拡大図である。
あり、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリング使用の構成を示す
断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けられたＯリングとの
密着状況を示す正面図、（ｃ）は、Ｏリングの密着部を
示す拡大図である。
【図２】本発明の第二実施形態を示す構成であり、半導
体真空装置におけるＯリングの密着部を示す拡大図であ
る。
体真空装置におけるＯリングの密着部を示す拡大図であ
る。
【図３】本発明の第三実施形態を示す構成であり、半導
体真空装置におけるＯリングの密着部を示す拡大図であ
る。
体真空装置におけるＯリングの密着部を示す拡大図であ
る。
【図４】（ａ）は、減圧ＣＶＤ炉におけるＯリング使用
の従来構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けら
れたＯリングを示す正面図である。
の従来構成を示す断面図、（ｂ）はＣＶＤ炉側に設けら
れたＯリングを示す正面図である。
１１…ＣＡＰ開閉駆動部、１２…ＣＡＰ（製品出し入れ
口）、１３…減圧ＣＶＤ炉心管側、１４…製品搭載ボー
ド、５１，５２，６１，６２，７１〜７４…Ｏリング。
口）、１３…減圧ＣＶＤ炉心管側、１４…製品搭載ボー
ド、５１，５２，６１，６２，７１〜７４…Ｏリング。
Claims (3)
- 【請求項１】 気密性を伴うチャンバにおいて、外部と
の連絡経路として設けられた開閉密着部を具備し、 前記開閉密着部の片側のＯリングに対向して逆側にもＯ
リングが配備され、かつこれらのＯリングは互いにずれ
ながら密着構造を呈していることを特徴とする真空半導
体装置。 - 【請求項２】 前記開閉密着部は傾斜角度を持って結合
するフランジを有し、このフランジの部分に前記Ｏリン
グの密着構造が設けられていることを特徴とする請求項
１記載の真空半導体装置。 - 【請求項３】 前記Ｏリングは少なくとも片側に複数設
けられていることを特徴とする請求項１記載の真空半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11101397A JP2000294509A (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 半導体真空装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11101397A JP2000294509A (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 半導体真空装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000294509A true JP2000294509A (ja) | 2000-10-20 |
Family
ID=14299612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11101397A Pending JP2000294509A (ja) | 1999-04-08 | 1999-04-08 | 半導体真空装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000294509A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115116892A (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 东京毅力科创株式会社 | 开闭装置和输送室 |
-
1999
- 1999-04-08 JP JP11101397A patent/JP2000294509A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115116892A (zh) * | 2021-03-17 | 2022-09-27 | 东京毅力科创株式会社 | 开闭装置和输送室 |
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