JP2000294577A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 厚みが薄く、エッジショートの発生もない半
導体装置を提供する。 【解決手段】 加圧又は加圧加熱により容易に変形しう
る樹脂基板２に保持された半導体素子１を含む半導体装
置において、半導体素子１のダイシング面１ａが樹脂基
板２から露出せず且つ半導体素子１の接続端子１ｄが外
部回路３と接続可能となるように、半導体素子１を加圧
又は加圧加熱することにより樹脂基板２を変形させなが
ら樹脂基板２中に埋設する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加圧又は加圧加熱
により容易に変形しうる樹脂基板に、半導体素子が保持
されている半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】加圧又は加圧加熱により容易に変形しう
る樹脂基板に半導体素子が保持されている半導体装置の
代表的なものとして、ＩＣカードやＩＣタグ等のデータ
キャリアが挙げられる。
【０００３】従来のデータキャリアの代表例であるＩＣ
カードは、図５に示すように、両面銅張ポリイミド基板
の銅層からフォトリソグラフ法によりコンデンサ５１と
アンテナコイル５２とを形成し、それらの接続ランド
（図示せず）とＩＣチップ５３の外部接続バンプ端子
（図示せず）とを異方性導電フィルム（図示せず）を介
して接続した構造を有する。更に、ポリイミド基板から
突出しているＩＣチップを埋め込むに足る厚さの接着剤
層を介して保護フィルムを積層している。また両面銅張
ポリイミド基板の裏面にも接着剤層を介して保護フィル
ムが積層されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＩＣカード等のデータキャリアは、高価な両面銅張ポリ
イミド基板を利用しているために、製造コストを低減さ
せることが困難であるという問題がある。また、ポリイ
ミド基板の表面に、それから突出しているＩＣチップを
埋め込むに足る厚さの接着剤層を介して保護フィルムを
積層し、且つポリイミド基板の裏面にも接着剤層を介し
て保護フィルムが積層されているために、ＩＣカード等
のデータキャリアの厚みが厚くなり、取り扱い性が低下
するという問題がある。しかも、従来のＩＣカードの場
合、図６に示すように、ポリイミド基板６０上の接続端
子６１とＩＣチップ６２の外部接続バンプ端子６３とを
異方性導電フィルム６４を介して加熱押圧して接続した
ときに、ＩＣチップ６２の露出しているダイシング面６
２ａ（特に、ダイシングエッジ６２ｂ）がポリイミド基
板６０上の接続端子６１に食い込み、場合によりショー
ト（以下エッジショートと称する）が生じるという問題
がある。
【０００５】本発明は、以上の従来の技術の課題を解決
しようとするものであり、データキャリア（例えば、Ｉ
Ｃカード、ＩＣタグ）等の半導体装置の厚みを厚くする
ことなく、半導体素子（ＩＣチップ）のエッジショート
を生じさせることなく、且つ低コストで製造できる半導
体装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ボンディン
グヘッド等の加熱押圧ツールで半導体素子を、加圧又は
加圧加熱することにより、加圧又は加圧加熱により容易
に変形しうる樹脂基板を変形させながらその中に埋設す
ると、半導体素子のダイシング面を露出させず且つ半導
体素子の接続端子を外部回路と接続できることを見出
し、本発明を完成させるに至った。
【０００７】即ち、本発明は、加圧又は加圧加熱により
容易に変形しうる樹脂基板に保持された半導体素子を含
む半導体装置において、半導体素子のダイシング面が樹
脂基板から露出せず且つ半導体素子の接続端子が外部回
路と接続可能となるように、半導体素子が樹脂基板中に
埋設されたものであることを特徴とする半導体装置を提
供する。
【０００８】また、この半導体装置の好ましい具体的な
態様として、加圧又は加圧加熱により容易に変形しうる
樹脂基板に保持された半導体素子及びコンデンサと、樹
脂基板の表面に形成され且つ半導体素子及びコンデンサ
と接続しているアンテナコイルとを有するデータキャリ
アにおいて：半導体素子のダイシング面が樹脂基板から
露出せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続可
能となるように、半導体素子は樹脂基板中に埋設された
ものであること；コンデンサは樹脂基板中に埋設された
ものであること； 及びアンテナコイルは印刷回路又は
巻線から構成されていることを特徴とするデータキャリ
アを提供する。
【０００９】また、本発明は、樹脂基板表面の所定部位
に、半導体素子をその接続端子面が上を向くように載置
し、半導体素子のダイシング面が樹脂基板表面から露出
せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続可能と
なるように、半導体素子を加圧又は加圧加熱することに
より樹脂基板を変形させながら樹脂基板中に半導体素子
を埋設することを特徴とする半導体装置の製造方法を提
供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１１】図１は、本発明の半導体装置の好ましい例
の断面図である。図１の半導体装置は、ＩＣチップ等の
半導体素子１が、加圧又は加圧加熱により容易に変形し
うる樹脂基板２（例えば、熱可塑性樹脂基板、一部の熱
硬化性樹脂基板、未延伸フィルム等）中に埋め込まれた
構造を有する。ここで、半導体素子１は、そのダイシン
グ面１ａが樹脂基板２から露出しないように埋め込まれ
る。特にダイシングエッジ１ｂが露出することを完全に
防止するために、半導体素子１の周縁部１ｃも露出しな
いように埋め込むことが好ましい。このように半導体素
子１を樹脂基板２中に埋め込むので、本発明の半導体装
置においては、エッジショートの問題は生じない。
【００１２】なお、樹脂基板２に埋め込まれた半導体素
子１の接続端子１ｄ（例えばバンプやランド）は、外部
回路３と接続可能となるようにする必要がある。
【００１３】本発明の半導体装置の構造は、樹脂基板２
上の半導体素子１をボンディングヘッド等の加熱押圧手
段でそれ自体を加圧又は加圧加熱しながら樹脂基板２を
変形させ、樹脂基板２中に埋設することにより実現でき
る。
【００１４】本発明の半導体装置においては、図１に示
すように、半導体素子１の接続端子１ｄ側表面と樹脂基
板２の表面とを、略同一平面レベルにすることが好まし
い。これにより、半導体装置をより薄くすることができ
る。また、略同一平面レベルにすると、半導体素子１の
接続端子１ｄ上に、直接、公知の銀ペースト等を用いる
スクリーン印刷等の印刷法で外部回路３として印刷回路
を安価に形成することができる。しかも、異方性導電接
着剤（フィルム）の使用を省略でき、製造コストの削減
を実現できる。
【００１５】また、必要に応じ、図１に示すように樹脂
基板２の外部回路３面上に接着剤層４を介して保護フィ
ルム５を積層することが好ましい。
【００１６】以上説明した図１の半導体装置において
は、外部回路３を印刷法により形成した例を示したが、
図２（図中、２１は絶縁基板、２２は外部回路及び２３
はバンプ等の接続端子を示している）に示すように、半
導体素子１の接続端子１ｄと、任意の方法で作製された
外部回路２２の接続端子２３とを異方性導電接着剤２４
を介して接続してもよい。ここで、半導体素子１以外の
領域は、絶縁性接着剤２５で接着すればよい。
【００１７】本発明の半導体装置の具体的な適用例とし
て、図３にデータキャリアとしてＩＣカードを示す。
【００１８】このＩＣカードは、半導体素子３１及びコ
ンデンサ３２が図１の半導体素子と同様に樹脂基板３３
中に埋設され、アンテナコイル３４が印刷法で樹脂基板
３３の表面に形成された構造を有する。ここで、半導体
素子３１は、そのダイシング面（図示せず）が樹脂基板
３３から露出しないように埋設されている。但し、半導
体素子３１の接続端子（図示せず）は、コンデンサ３２
及びアンテナコイル３４と接続できるように樹脂基板３
３中に埋め込まれていない。また、半導体素子３１の接
続端子側表面及びコンデンサ３２の接続端子側表面と樹
脂基板３３の表面とが、略同一平面レベルであることが
好ましい。更に、樹脂基板３３のアンテナコイル３４側
面上に保護フィルム（図示せず）を積層することが好ま
しい。
【００１９】なお、アンテナコイル３４として巻線を使
用することもできる。この場合、巻線を樹脂基板３３中
に埋め込むように配設することが好ましい。
【００２０】以上のようなＩＣカード等のデータキャリ
アは、図１の半導体装置と同様に、半導体素子のエッジ
ショートの問題がなく、厚みも薄くなり、安価に製造で
きる。
【００２１】本発明の半導体装置は、以下に説明する工
程を経て製造することができる。
【００２２】まず、半導体素子４１を、加圧又は加圧加
熱により容易に変形しうる樹脂基板４２の表面の所定部
位に、その接続端子４１ａが上を向くように載置する
（図４（ａ））。
【００２３】次に、半導体素子４１のダイシング面４１
ｂが樹脂基板４２表面に露出しないように、ボンディン
グヘッド４３で半導体素子４１を加圧又は加圧加熱し、
樹脂基板４２を変形させながら樹脂基板４２中に半導体
素子４１を埋設する（図４（ｂ））。このとき、半導体
素子４１の接続端子４１ａが外部回路と接続可能となる
ように、樹脂基板４２の表面に露出させる。
【００２４】更に、必要に応じて、種々の電子部品、例
えばコンデンサ４４をボンディングヘッド４３で加圧又
は加圧加熱し、樹脂基板４２を変形させながら樹脂基板
４２中にコンデンサ４４を埋設する（図４（ｃ））。
【００２５】続いて、半導体素子４１の接続端子４１ａ
及びコンデンサ４４の接続端子４４ａとを接続するため
に、アンテナコイル（図示せず）を含む回路４５を印刷
法により形成する（図４（ｄ））。
【００２６】更に、必要に応じて、樹脂基板４２の半導
体素子４１側表面に接着剤層４６を介して保護フィルム
４７を積層する（図４（ｅ））。
【００２７】本発明の半導体装置は、以上説明したＩＣ
カードやＩＣタグ等のデータキャリアに特に適したもの
であるが、それに限定されるものではない。
【００２８】なお、本発明の半導体装置を構成する各要
素、例えば半導体素子、樹脂基板、接続端子、コンデン
サ等のサイズ、材質等については、公知のものを適宜選
択して使用することができる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、データキャリア（例え
ば、ＩＣカード、ＩＣタグ）等の半導体装置の厚みを厚
くすることなく、半導体素子（ＩＣチップ）のエッジシ
ョートを生じさせることなく、且つ低コストで製造でき
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の半導体装置の概略断面図である。
【図２】本発明の半導体装置の概略断面図である。
【図３】本発明のデータキャリアの概略斜視図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造工程図である。
【図５】従来のＩＣカードの概略斜視図である。
【図６】従来のＩＣカードで生じるエッジショートの説
明図である。
【符号の説明】
１ 半導体素子，２ 樹脂基板，３ 外部回路，４ 接
着剤層，５ 保護フィルム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲松▼村 孝 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケミ カル株式会社内 (72)発明者 周藤 俊之 栃木県鹿沼市さつき町12−３ ソニーケミ カル株式会社内 Ｆターム(参考） 5B035 AA00 AA04 AA11 BA05 BB09 BC00 CA01 CA08 CA12 CA23 CA31 5F047 AA17 CA01 CB05 FA52 5F061 AA01 BA03 CA26 FA03

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 加圧又は加圧加熱により容易に変形しう
    る樹脂基板に保持された半導体素子を含む半導体装置に
    おいて、半導体素子のダイシング面が樹脂基板から露出
    せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続可能と
    なるように、半導体素子が樹脂基板中に埋設されたもの
    であることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体素子の接続端子側表面と樹脂基板
    の表面とが、略同一平面レベルである請求項１記載の半
    導体装置。
  3. 【請求項３】 半導体素子の接続端子が、樹脂基板の表
    面に配設された印刷回路又は巻線と接続している請求項
    １記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 樹脂基板の印刷回路又は巻線側の表面に
    保護フィルムが積層されている請求項３記載の半導体装
    置。
  5. 【請求項５】 半導体素子の接続端子が、外部回路の表
    面に形成された回路の端子と異方性導電接着剤を介して
    接続されている請求項１記載の半導体装置。
  6. 【請求項６】 加圧又は加圧加熱により容易に変形しう
    る樹脂基板に保持された半導体素子及びコンデンサと、
    樹脂基板の表面に形成され且つ半導体素子及びコンデン
    サと接続しているアンテナコイルとを有するデータキャ
    リアにおいて：半導体素子のダイシング面が樹脂基板か
    ら露出せず且つ半導体素子の接続端子が外部回路と接続
    可能となるように、半導体素子は樹脂基板中に埋設され
    たものであること；コンデンサは樹脂基板中に埋設され
    たものであること； 及びアンテナコイルは印刷回路又
    は巻線から構成されていることを特徴とするデータキャ
    リア。
  7. 【請求項７】 半導体素子の接続端子側表面及びコンデ
    ンサの接続端子側表面と樹脂基板の表面とが、略同一平
    面レベルである請求項６記載のデータキャリア。
  8. 【請求項８】 樹脂基板のアンテナコイル側面上に保護
    フィルムが積層されている請求項７記載のデータキャリ
    ア。
  9. 【請求項９】 ＩＣカード又はＩＣタグである請求項６
    〜８のいずれかに記載のデータキャリア。
  10. 【請求項１０】 樹脂基板表面の所定部位に、半導体素
    子をその接続端子面が上を向くように載置し、半導体素
    子のダイシング面が樹脂基板表面から露出せず且つ半導
    体素子の接続端子が外部回路と接続可能となるように、
    半導体素子を加圧又は加圧加熱することにより樹脂基板
    を変形させながら樹脂基板中に半導体素子を埋設するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  11. 【請求項１１】 半導体素子の接続端子に接続するため
    の回路を樹脂基板上に印刷法により形成する請求項１０
    記載の製造方法。
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