JP2000298347A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項１】 光活性成分及びエステル基の繰り返し単位を含むポリマーからなる樹脂バインダーを含むフォトレジスト組成物であって、エステル基がカルボニル及びカルボキシル酸素原子を有し、少なくとも２個が第二級、第三級又は第四級炭素原子である約５個以上の炭素原子を有する任意に置換された非環状又は単環環式アルキル部を含み、かつエステル基カルボキシル基が第四級炭素原子に直接的に結合しているフォトレジスト組成物。
【請求項２】 アルキル部が少なくとも１個の第三級炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項３】 アルキル部が２個以上の第三級炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項４】 アルキル部が６個以上の炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項５】 アルキル部が５から約１２の炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項６】 エステル基が非環式アルキル部からなる請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項７】 エステル基が環式アルキル部からなる請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項８】 アルキル部がシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル又はシクロオクチル基である請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項９】 エステル基がポリマーの骨格から直接懸垂している請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１０】 エステル基がアクリレート又はメタクリレート基によるものである請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１１】 アルキル部がアルキル基だけで置換された請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１２】 アルキル部の基が、アルキルで置換された１個以上の環状炭素を持つ環式基である請求項１１に記載するフォトレジスト。
【請求項１３】 ポリマーが次式Ｉの単位を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化１】
上記式において、Ｗはリンカー基であり；Ｒは、少なくとも２個の第二級、第三級又は第四級炭素原子を有する約５個以上の炭素原子を有する非環式又は単環環式アルキル部であり；及びＺはポリマー単位間のブリッジ基である。
【請求項１４】 ポリマーが次式ＩＩの単位を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化２】
上記式において、Ｒは、少なくとも２個の第二級、第三級又は第四級炭素原子である約５個以上の炭素原子を有する非環式又は単環環式アルキル部であり；
Ｙは水素又はＣ１−６アルキル基である。
【請求項１５】 ポリマーがさらに芳香族基を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１６】 ポリマーがさらに置換されたフェニル基を含んでもよい請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１７】 ポリマーが約１モルパーセント未満の芳香族基を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１８】 ポリマーが芳香族基をまったく含まない請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１９】 光活性成分が波長約２４８ｎｍ又は約１９３ｎｍの照射で活性化される光酸発生化合物である請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項２０】 ポリマーが次式に示す単位を１種類以上含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化３】
上記式において、Ｙはそれぞれ独立して水素又はＣ１−６アルキルである。
【請求項２１】 Ｙがそれぞれ独立して水素又はメチルである請求項２０に記載するフォトレジスト。
【請求項２２】 ポリマーが次式に示す単位を１種類以上含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化４】
上記式において、Ｙはそれぞれ独立して水素又はＣ１−６アルキルである。
【請求項２３】 （ａ）請求項１に記載するフォトレジストの被膜層を基板上に塗布すること、
（ｂ）フォトレジスト層を露光及び現像してレリーフ像を形成させること、
とからなるポジ型フォトレジストレリーフ像を形成する方法。
【請求項２４】 フォトレジスト層が波長約１９３ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２５】 フォトレジスト層が波長約２４８ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２６】 フォトレジスト層が波長約３６５ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２７】 請求項１に記載するフォトレジスト組成物の層を被覆したマイクロエレクトロニクスウェーハ基板からなる工業製品。
【請求項２８】 エステル基が少なくとも２個の第二級、第三級又は第四級炭素原子を持つ約５個以上の炭素原子を有する置換基を有してもよい非環式又は単環環式アルキル部を含むエステル基の繰り返し単位を含むポリマー。
【請求項２９】 エステル基がカルボニル及びカルボキシル酸素原子を有し、かつエステル基のカルボキシル酸素が第四級炭素原子に直接的に結合している請求項２８に記載のポリマー。
【請求項３０】 次式Ｉの単位を含む請求項２８のポリマー。
【化５】
上記式において、Ｗはリンカー基であり；Ｒは、少なくとも２個の第二級、第三級又は第四級炭素原子を有する約５個以上の炭素原子を有する非環式又は単環環式アルキル部であり；及びＺはポリマー単位間のブリッジ基である。
【請求項３１】 次式の単位の１種類以上を含む請求項２８のポリマー。
【化６】
上記式において、Ｙはそれぞれ独立して水素又はＣ１−６アルキルである。
【請求項１】 光活性成分及びエステル基の繰り返し単位を含むポリマーからなる樹脂バインダーを含むフォトレジスト組成物であって、エステル基がカルボニル及びカルボキシル酸素原子を有し、少なくとも２個が第二級、第三級又は第四級炭素原子である約５個以上の炭素原子を有する任意に置換された非環状又は単環環式アルキル部を含み、かつエステル基カルボキシル基が第四級炭素原子に直接的に結合しているフォトレジスト組成物。
【請求項２】 アルキル部が少なくとも１個の第三級炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項３】 アルキル部が２個以上の第三級炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項４】 アルキル部が６個以上の炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項５】 アルキル部が５から約１２の炭素原子を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項６】 エステル基が非環式アルキル部からなる請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項７】 エステル基が環式アルキル部からなる請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項８】 アルキル部がシクロペンチル、シクロヘキシル、シクロへプチル又はシクロオクチル基である請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項９】 エステル基がポリマーの骨格から直接懸垂している請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１０】 エステル基がアクリレート又はメタクリレート基によるものである請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１１】 アルキル部がアルキル基だけで置換された請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１２】 アルキル部の基が、アルキルで置換された１個以上の環状炭素を持つ環式基である請求項１１に記載するフォトレジスト。
【請求項１３】 ポリマーが次式Ｉの単位を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化１】
【請求項１４】 ポリマーが次式ＩＩの単位を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化２】
Ｙは水素又はＣ１−６アルキル基である。
【請求項１５】 ポリマーがさらに芳香族基を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１６】 ポリマーがさらに置換されたフェニル基を含んでもよい請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１７】 ポリマーが約１モルパーセント未満の芳香族基を含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１８】 ポリマーが芳香族基をまったく含まない請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項１９】 光活性成分が波長約２４８ｎｍ又は約１９３ｎｍの照射で活性化される光酸発生化合物である請求項１に記載するフォトレジスト。
【請求項２０】 ポリマーが次式に示す単位を１種類以上含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化３】
【請求項２１】 Ｙがそれぞれ独立して水素又はメチルである請求項２０に記載するフォトレジスト。
【請求項２２】 ポリマーが次式に示す単位を１種類以上含む請求項１に記載するフォトレジスト。
【化４】
【請求項２３】 （ａ）請求項１に記載するフォトレジストの被膜層を基板上に塗布すること、
（ｂ）フォトレジスト層を露光及び現像してレリーフ像を形成させること、
とからなるポジ型フォトレジストレリーフ像を形成する方法。
【請求項２４】 フォトレジスト層が波長約１９３ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２５】 フォトレジスト層が波長約２４８ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２６】 フォトレジスト層が波長約３６５ｎｍの照射で露光される請求項２３に記載する方法。
【請求項２７】 請求項１に記載するフォトレジスト組成物の層を被覆したマイクロエレクトロニクスウェーハ基板からなる工業製品。
【請求項２８】 エステル基が少なくとも２個の第二級、第三級又は第四級炭素原子を持つ約５個以上の炭素原子を有する置換基を有してもよい非環式又は単環環式アルキル部を含むエステル基の繰り返し単位を含むポリマー。
【請求項２９】 エステル基がカルボニル及びカルボキシル酸素原子を有し、かつエステル基のカルボキシル酸素が第四級炭素原子に直接的に結合している請求項２８に記載のポリマー。
【請求項３０】 次式Ｉの単位を含む請求項２８のポリマー。
【化５】
【請求項３１】 次式の単位の１種類以上を含む請求項２８のポリマー。
【化６】
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