JP2000299550A - 配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 はんだと電極との間にクラックが発生するこ
とを防止して、両者の接続信頼性を向上すること。 【解決手段】 配線基板４は、絶縁基板上に形成される
銅メッキ層からなる配線と、その配線にはんだ付けが行
われる箇所において、配線上に形成されるニッケルメッ
キ層と、ニッケルメッキ層上に形成される金メッキ層と
を備える。そして、ニッケルメッキ層が電気ニッケルメ
ッキによって形成される。これにより、金メッキ層及び
ニッケルメッキ層によって被覆された配線に対してはん
だ付けが行われた場合に、はんだとニッケルメッキ層と
の密着力を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線基板
及びその製造方法に関するものである。本発明によるプ
リント配線基板は、特に携帯機器に搭載される電子素子
の実装に用いて好適である。

【０００２】

【従来の技術】従来の電子素子の基板への実装構造を図
６に示す。図６では、パッケージ部品としてボールグリ
ッドアレイ（以下、ＢＧＡ）パッケージ１０１を多層プ
リント配線基板１０９に実装した構造を示している。

【０００３】ＢＧＡパッケージ１０１は、回路配線１０
２が形成されたインターポーザ１０３上に接着剤１０４
ａ等を介して半導体チップ１０４を搭載し、回路配線１
０２と半導体チップ１０４とをＡｕワイヤ１０５等で電
気的に接続した後、封止樹脂１０６で半導体チップ１０
４及びＡｕワイヤ１０５を封止することによって構成さ
れる。インターポーザ１０３の裏面にはアレイ状に穴１
０３ａが形成されている。この穴１０３ａを介してイン
ターポーザ１０３にはんだ付けされたはんだボール１０
７によって、半導体チップ１０４と多層プリント配線基
板１０９に形成された配線との電気的接続が可能となっ
ている。

【０００４】このように構成されたＢＧＡパッケージ１
０１を、はんだボール１０７が配線パターン内に設けら
れた複数の電極１０８と接するように、多層プリント配
線基板１０９上に搭載して、はんだボール１０７を溶融
する。これにより、はんだボール１０７と電極１０８と
が接合し、ＢＧＡパッケージ１０１の多層プリント配線
基板１０９上への実装がなされる。

【０００５】ここで、多層プリント配線基板１０９にお
ける配線は、一般的に銅（Ｃｕ）メッキによって形成さ
れるが、その配線の電極１０８は、はんだ濡れ性を向上
する等の理由から金（Ａｕ）メッキ処理が施される場合
がある。

【０００６】しかしながら、金メッキ層と銅メッキ層と
は一般的に密着力が弱いと言われており、通常、銅メッ
キ層の上にニッケル（Ｎｉ）メッキ層を形成し、そのニ
ッケルメッキ層上に金メッキ層が形成される。この際、
銅メッキ層及びニッケルメッキ層は無電解メッキによっ
て、プリント配線基板１０９に形成される。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記のようにＢＧＡパ
ッケージ１０１を多層プリント配線基板１０９上に実装
して携帯機器内に搭載した場合、例えば携帯機器が落下
等により衝撃を受けたとき、プリント配線基板１０９に
は反り等の応力がかかる。この応力により、はんだボー
ル１０７と電極１０８との界面にクラックが入り、はん
だボール１０７と電極１０８との間で接触不良が生じる
場合がある。

【０００８】この問題の原因を解明するため、本発明者
が鋭意研究を行った結果、次のような事実が初めて明ら
かとなった。

【０００９】上述したように、銅メッキ層上に形成され
るニッケルメッキ層は無電解メッキによって形成され
る。この無電解ニッケルメッキにおいては、ニッケルメ
ッキを施すべき箇所のみを露出した状態で、プリント配
線基板１０９をニッケルメッキ溶液に含浸することによ
って行われる。このニッケルメッキ溶液中には、触媒と
して次亜リン酸が含まれている。このため、無電解ニッ
ケルメッキによってプリント配線基板１０９に形成され
るニッケルメッキ層は、主にニッケルとリン（Ｐ）を含
むものとなる。

【００１０】はんだボール１０７を溶解して電極１０８
と接合する際、ニッケルメッキ層上に形成された金メッ
キ層は、はんだに溶け込む。このため、溶解したはんだ
はニッケルメッキ層に達することになる。溶解したはん
だがニッケルメッキ層に達すると、ニッケルメッキ層中
のニッケルが金と同様に溶解したはんだに溶け込む。こ
の結果、ニッケルメッキ層の表層部分には、リンのみが
残ってリンの濃化層が形成されることになる。

【００１１】このリンの濃化層は、はんだボール１０７
に比較して熱膨張率が大きい。このため、使用される環
境温度の変動等に起因してリン濃化層が伸縮することに
よって、リン濃化層とはんだボール１０７との密着力が
弱まり、その界面にクラックが発生し易くなってしまう
のである。

【００１２】本発明は上記の問題に鑑みてなされたもの
であり、はんだと電極との間にクラックが発生すること
を防止して、両者の接続信頼性を向上することが可能な
配線基板及びその製造方法を提供することを目的とす
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載された配線基板は、絶縁基板と、絶
縁基板上に形成される導体金属からなる配線と、少なく
とも配線にはんだ付けが行われる箇所において、配線上
に形成されるニッケルメッキ層と、ニッケルメッキ層上
に形成される金メッキ層とを備え、ニッケルメッキ層が
電気ニッケルメッキによって形成されることを特徴とす
る。

【００１４】また、請求項２に記載された配線基板は、
絶縁基板と、絶縁基板上に形成される導体金属からなる
配線と、少なくとも配線にはんだ付けが行われる箇所に
おいて、配線上に形成されるニッケルメッキ層と、ニッ
ケルメッキ層上に形成される金メッキ層とを備え、配線
の所定箇所にはんだ付けが行われたとき、前記金メッキ
層は前記はんだに溶け込むとともに、当該はんだとニッ
ケルメッキ層はリン濃化層等の不純物層を介さずに直接
接合することを特徴とする。

【００１５】上記のように、導体金属からなる配線上に
電気ニッケルメッキによってニッケルメッキ層を形成す
ると、そのニッケルメッキ層のリン等の不純物の含有率
は非常に小さくなる。このため、金メッキ層及びニッケ
ルメッキ層によって被覆された配線に対してはんだ付け
が行われた場合であっても、はんだとニッケルメッキ層
はリン等の不純物からなる層を介することなく直接接合
される。このため、はんだとニッケルメッキ層表層部と
の熱膨張率の相違に基づくクラックの発生を効果的に防
止することができる。

【００１６】上記の配線基板は、請求項６に記載された
製造方法により製造することができる。すなわち、配線
基板の製造方法は、絶縁基板上に導体金属からなる所定
のパターンの配線を形成する配線形成工程と、少なくと
も配線にはんだ付けが行われる箇所において、電気ニッ
ケルメッキによって配線上にニッケルメッキ層を形成す
るニッケルメッキ層形成工程と、ニッケルメッキ層上の
少なくとも一部に金メッキ層を形成する金メッキ層形成
工程とからなる。

【００１７】上記の配線形成工程は、請求項７に記載す
るように、導電性物質を前記絶縁基板表面に形成する導
電性付与工程と、導電性付与工程によって形成された導
電性物質を電極として導体金属の電気メッキを行う電気
メッキ工程とからなることが好ましい。

【００１８】すなわち、電気メッキを行うための電極と
して利用するため、まず導電性物質を絶縁基板表面に形
成する。その後、配線として機能する導体金属を電気メ
ッキによって形成するのである。これにより、電気メッ
キによって形成される高品質な導体金属によって配線を
形成することが可能となる。

【００１９】また、上記の配線形成工程は、請求項８に
記載するように、導電性物質を前記絶縁基板の全表面に
形成する導電性付与工程と、所定のパターンの配線を形
成するためのパターン有するメッキレジストを無電解メ
ッキ層上に形成するレジスト形成工程と、導電性付与工
程によって形成された導電性物質を電極として、導体金
属の電気メッキを行い、メッキレジストによって所定の
パターンに導体金属の電気メッキ層を形成する電気メッ
キ工程と、メッキレジストを剥離する剥離工程と、メッ
キレジスト直下の導電性物質をエッチングするエッチン
グ工程とを有しても良い。

【００２０】上記の場合、高品質な導体金属によって配
線が形成可能であるとともに、メッキレジストを形成す
る以前に、導電性付与工程を行うので、基板の取り扱い
が容易になる。

【００２１】請求項７又は８に記載の方法で配線を形成
する際には、請求項９に記載するように、電気メッキ工
程により形成される導体金属の厚さが、導電性付与工程
により形成される導電性物質の厚さよりも厚いことが好
ましい。つまり、導電性付与工程により形成される導電
性物質は電気メッキを行う際の電極として機能すれば十
分であり、不要に厚い導電性物質の形成はコストアップ
につながるため避けるべきである。

【００２２】なお、導電性付与工程としては、請求項１
０に記載するように、無電解メッキによって導体金属を
絶縁基板表面に形成する無電解メッキ工程とすることが
できる。

【００２３】請求項８に記載の方法で配線を形成する場
合には、請求項１１に記載するように、ニッケルメッキ
層形成工程が、電気メッキ工程と剥離工程との間に実行
されることが好ましい。すなわち、電気メッキ工程によ
って形成された所定のパターンを有する導体金属が電極
として利用しつつ、メッキレジストを、導体金属を形成
するための電気メッキとニッケルメッキ層を形成するた
めの電気メッキとで共用することができる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。

【００２５】図１に、パッケージ部品としてＢＧＡパッ
ケージ１及び４方向フラットパッケージ（以下、ＱＦＰ
という）２を電極（銅ランド）３を備えたプリント配線
基板４に実装したときの模式図を示す。図１に示すよう
に、ＢＧＡパッケージ１はその底面に、接続端子として
機能するはんだボール９が設けられている。また、ＱＦ
Ｐ２に関しては、各辺から接続ピン１０が伸びている。
ＢＧＡパッケージ１のはんだボール９及びＱＦＰ２の接
続ピン１０を、プリント配線基板４に形成された電極３
にはんだ付けすることにより、各パッケージ部品のプリ
ント配線基板４への実装がなされる。

【００２６】プリント配線基板４上には、上記の電極３
に加え、銅配線が所定のパターンに形成されており、プ
リント配線基板４に実装されるパッケージ部品等と外部
との電気的接続等を可能にしている。

【００２７】図２に、ＢＧＡパッケージ１のプリント配
線基板４への実装構造の詳細図を示す。図２に示すよう
に、本実施例のプリント配線基板４は、複数の電子素子
を高密度に実装すべく、多層に形成されている。

【００２８】図３に、ＢＧＡパッケージ１のはんだボー
ル９に対応してプリント配線基板４に設けられた電極３
の配列パターンを示す。なお、図３は、電極３の配列パ
ターンを簡略化して表したものであり、斜線部で示され
る円形の電極３がアレイ上に配置されることを示してい
る。

【００２９】ここで、ＢＧＡパッケージ１の製造方法に
ついて説明する。

【００３０】まず、半導体チップ１４を搭載するための
インターポーザ１５を用意する。このインターポーザ１
５の片面（表面）に銅の薄膜を接着剤等を用いて貼り付
けた後、この銅の薄膜をパターンエッチングして回路配
線１６を形成する。この後、回路配線１６が成形されて
いないインターポーザ１５の裏面側に、レーザ加工によ
り、アレイ状の配列をなす穴１５ａをインターポーザ１
５を貫通するように形成する。この穴１５ａを通じて、
インターポーザ１５の裏面側から回路配線１６との電気
的接続をとることができる。

【００３１】そして、インターポーザ１５の表面に形成
された回路配線１６を電極として電気ニッケルメッキを
行い、回路配線１６上に電気ニッケルメッキ層を形成す
る。このとき、インターポーザ１５の裏面側から形成さ
れた穴１５ａを介して、回路配線１６の裏面側にも電気
ニッケルメッキ層が形成される。その後、金の無電解メ
ッキ処理或いは電気メッキ処理を行い、電気ニッケルメ
ッキ層上に金メッキ層を形成する。この金メッキによ
り、半導体チップ１４との電気的接続をワイヤボンディ
ング等によって行う際に、接触抵抗の低減を図ることが
できる。

【００３２】次に、インターポーザ１５上に接着剤等を
介して半導体チップ１４を搭載し、回路配線１６と半導
体チップ１４とをＡｕワイヤ１７等を用いたワイヤボン
ディングによって電気的に接続する。その後、半導体チ
ップ１４及びＡｕワイヤ１７は、エポキシ樹脂等の封止
樹脂１８で樹脂封止される。

【００３３】次に、インターポーザ１５にアレイ状に形
成された穴１５ａのそれぞれに少なくともスズ（Ｓｎ）
を含むはんだボール９を配置する。これらのはんだボー
ル９を溶融し、回路基板１６と接合することにより、裏
面にアレイ状に配置されたはんだボール９を有するＢＧ
Ａパッケージ１が完成する。

【００３４】多層プリント配線基板４は、多数の配線層
２０を積層して形成される。これら配線層２０の最表層
側の配線層においては、図３に示すようなパターンで配
置された電極３が形成されている。この電極３の配置パ
ターンは、はんだボール９の配列と対応している。従っ
て、実装時に、それぞれ対応するＢＧＡパッケージ１の
はんだボール９と多層プリント配線基板４の電極３とが
はんだにより接合される。

【００３５】以下、多層プリント配線基板の製造方法に
ついて説明する。なお、本実施例では、４層の配線層２
０からなる多層プリント配線基板４の製造方法について
説明するが、その配線層２０の数は任意に増減可能であ
る。

【００３６】まず、図４（ａ）に示すようなコア材３０
を用意し、次いで図４（ｂ）に示すように、コア材３０
の所定の位置にドリルで穴を空けてスルーホール（ブラ
インドビアホール）３１を形成する。そして、図４
（ｃ）に示すように、このコア材３０の表面、裏面及び
スルーホール３１の内面を含む全面に、無電解銅メッキ
を施して、無電解銅メッキ層３２を形成する。具体的に
は、スルーホール３１が形成されたコア材３０をホルマ
リンを触媒として含む銅メッキ溶液に含浸して、コア材
３０の全面に無電解銅メッキ層３２を形成する。この無
電解銅メッキ層３２は、後に行われる電気銅メッキにお
ける電極として機能するものである。従って、単に導電
性を有すれば良いので、例えば１μｍ以下の非常に薄い
膜として形成される。

【００３７】その後、図４（ｄ）に示すように、電極３
及び所定のパターンの配線を形成するべく、メッキレジ
スト３３が無電解銅メッキ層上に形成される。図４
（ｅ）に示すように、このメッキレジスト３３をマスク
とし、かつ無電解銅メッキ層３２を電極として、電気銅
メッキを施すことにより、電極３及び所定のパターンを
有する配線が電気銅メッキ層３４によって形成され、ス
ルーホール３１の内面にも電気銅メッキ層３４が形成さ
れる。このとき形成される電気銅メッキ層３４の厚さ
は、約２０μｍである。この電気銅メッキ層３４は、無
電解銅メッキに比較して銅の純度が高く、高品質な電極
３及び配線パターンを形成することができる。

【００３８】その後、図４（ｆ）に示すように、同じメ
ッキレジスト３３をマスクとし、かつ電気銅メッキ層３
４を電極として電気ニッケルメッキを施すことにより、
電気銅メッキ層３４上に電気ニッケルメッキ層３５が形
成される。このとき形成される電気ニッケルメッキ層３
５の厚さは、約２μｍである。

【００３９】次いで、図４（ｇ）に示すように、メッキ
レジスト３３を剥離し、さらに、図４（ｈ）に示すよう
に、メッキレジスト３３直下に形成された無電解銅メッ
キ層３２をエッチング除去すべく、ソフトエッチングを
行う。これにより、電極３及び配線間相互の絶縁性が確
保される。

【００４０】次に、上述のような工程を経て、電極、配
線パターン等が形成された基板を２枚用意する。そし
て、エポキシ樹脂にガラスクロスを含有させたプリプレ
グを２枚の基板間に挟み込んだ状態で加熱プレス処理を
行い、２枚の基板を貼り合わせる。

【００４１】そして、所定の位置に４層の配線層全てを
貫通するようにドリルで穴を空けてスルーホールを形成
し、無電解銅メッキ及び必要に応じて電気銅メッキを行
って、４層に分かれた配線層が電気的に導通するように
する。この後、ＢＧＡパッケージ１等を実装する側、つ
まり多層プリント配線基板４の表面となる側にソルダレ
ジスト２２を印刷形成する。このソルダレジスト２２
は、プリント配線基板４の表面に形成された配線を保護
するとともに、電極３が配置された部位において開口し
たものである。

【００４２】この後、ソルダレジスト２２をマスクとし
て、無電解金メッキ或いは電気金メッキを施すことによ
り、電極３部分の電気ニッケルメッキ層上に金メッキ層
を形成する。これにより、電極３のはんだ濡れ性を向上
することができる。

【００４３】このような工程を経て完成された多層プリ
ント配線基板４上に、ＢＧＡパッケージ１及びＱＦＰ２
等を位置決めして搭載した後、はんだボール９及びＱＦ
Ｐ２の接続ピン１０に設けられたはんだを溶融する。こ
れにより、ＢＧＡパッケージ１及びＱＦＰ２等が多層プ
リント配線基板４上に実装される。

【００４４】このときのはんだボール９と電極３及びイ
ンターポーザ１５の回路配線１６との接合状態を図５に
示す。上述したように、はんだボール９が溶融して接合
される電極３及び回路配線１６には、銅ランド上に電気
ニッケルメッキ層及び金メッキ層が形成されている。金
メッキ層は、はんだ溶融時の濡れ性を向上するものであ
るが、徐々に溶融したはんだに溶け込んでしまう。この
ため、溶融したはんだは、電気ニッケルメッキ層３５に
達することになる。このとき、金と同様に、電気ニッケ
ルメッキ層３５に含まれるニッケルは、溶融したはんだ
に溶け込んで、はんだに含まれるスズとＮｉ−Ｓｎ合金
を形成する。

【００４５】しかしながら、電気ニッケルメッキ層３５
には、無電解ニッケルメッキ層のように多量のリンが含
有されていないので、ニッケルが溶融はんだに溶け込ん
だとしても、その表層部にリンの濃化層のような不純物
層が形成されることはない。

【００４６】このため、本プリント配線基板４を搭載し
た機器が使用される環境温度の変動等があっても、はん
だボール９と電極３及び回路配線１６との密着力が弱ま
ることはない。従って、プリント配線基板４が反る等し
て、はんだボール９と電極３或いは回路配線１６との間
に応力が生じても、それらの接合界面にクラックが生じ
ることを防止できる。この結果、はんだボール９と電極
３及び回路配線１６との接合信頼性を非常に向上するこ
とができ、それらの間の接触不良を防止することが可能
となる。

【００４７】なお、ＱＦＰ２の接続ピン１０の電極３へ
のはんだ付けに関しても、上述のはんだボール９と電極
３及び回路配線１６とのはんだ付け接合の場合と同様で
あり、接続ピン１０に設けられたはんだと電極３とが強
固に接合される。

【００４８】上述のように本実施例におけるプリント配
線基板４は、はんだ接合により搭載される素子との接触
不良を効果的に防止することができるので、落下等によ
り衝撃を受けやすい携帯機器、例えば携帯電話等に用い
ると、特に効果が大きい。

【００４９】なお、本発明は上述の実施例に制限される
ものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々変形
可能である。

【００５０】例えば、プリント配線基板として、多層の
配線層を有する多層プリント配線基板４について説明し
たが、一層の配線層からなる単層のプリント配線基板を
用いることもできる。

【００５１】また、多層プリント配線基板４の全ての配
線層２０に関して、電気銅メッキ層３４上に電気ニッケ
ルメッキ層３５を形成する必要はなく、少なくとも、プ
リント配線基板の表面側の配線層について電気ニッケル
メッキ層が形成されていれば良い。

【００５２】すなわち、下層の基板については、従来の
サブトラクティブ法やフルアディティブ法を用いて、コ
ア材３０に所定のパターンを有する配線を形成し、上述
の工程を経て形成される配線及び電極上に電気ニッケル
メッキ層が形成された基板と貼り合わせても良い。

【００５３】また、上述の実施例では、配線及び電極を
電気銅メッキ層３４によって形成したが、予めメッキレ
ジスト３３を形成した状態で無電解銅メッキを行って所
定の厚さを有する無電解銅メッキ層を形成して、これを
配線及び電極として用いても良い。この場合、無電解銅
メッキ層に電圧を印加しつつ、電気ニッケルメッキが施
されることになる。さらに、予めコア材に銅箔を張り付
け、その銅箔を所定のパターンにエッチングすることに
よって電極及び配線を形成し、その上に電気ニッケルメ
ッキ層を形成しても良い。

【００５４】さらに、上述の実施例では、無電解銅メッ
キを施してコア材３０の全面に無電解銅メッキ層３２を
形成した。しかしながら、この無電解銅メッキ層３２は
その後に行われる電気銅メッキの電極として機能すれば
良いものであり、他の導電性物質によりコア材３０に導
電性を付与しても良い。つまり、パラジウム等の導電性
金属、炭素等の導電性有機物をコア材にコーティングし
て、電気銅メッキのダイレクトプレーティングを行って
も良い。なお、導電性金属、有機物のコア材へのコーテ
ィングは、例えばマイナスに帯電した界面活性剤を介し
てコア材表面に塗布することにより行うことができる。

【００５５】また、上述の実施例では、電気銅メッキ層
３４の全面に電気ニッケルメッキ層３５を形成したが、
電極３となる銅ランド上に電気ニッケルメッキ及び無電
解もしくは電気金メッキを形成しても良い。この場合、
電極３部分に開口部を有するソルダレジスト２２が形成
された後に、電極３に電圧を印加しつつ電気ニッケルメ
ッキ及び無電解あるいは電気金メッキを行えば良い。

【００５６】さらに、上述の実施例では、電極３及び配
線を形成する導体金属として銅を用いたが、基板となる
コア材がセラミックからなる場合、導体金属としてタン
グステン、銀、パラジウムも使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるプリント配線基板に素子
を実装した状態を示す実装図である。

【図２】ＢＧＡパッケージ１のプリント配線基板４への
詳細な実装構造を示す断面図である。

【図３】プリント配線基板４に設けられた電極３の配列
パターンを示す模式図である。

【図４】プリント配線基板４の製造工程を示す製造工程
図である。

【図５】はんだボール９の接合状態を示す説明図であ
る。

【図６】従来のＢＧＡパッケージ１０１のプリント配線
基板１０９への実装構造を示す断面図である。

【符号の説明】

１…ＢＧＡパッケージ、２…ＱＦＰ、３…電極、４…プ
リント配線基板、９…はんだボール、３０…コア材、３
２…無電解銅メッキ層、３４…電気銅メッキ層、３５…
電気ニッケルメッキ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水野 哲 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4E351 AA03 BB33 CC06 CC07 DD06 DD19 GG02 GG15 5E319 AA03 AB05 AC17 AC18 BB04 CC33 GG11

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成される導体金属からなる配線と、 少なくとも前記配線にはんだ付けが行われる箇所におい
   て、前記配線上に形成されるニッケルメッキ層と、 前記ニッケルメッキ層上の少なくとも一部に形成される
   金メッキ層とを備え、 前記ニッケルメッキ層は電気ニッケルメッキによって形
   成されることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 絶縁基板と、 前記絶縁基板上に形成される導体金属からなる配線と、 少なくとも前記配線にはんだ付けが行われる箇所におい
   て、前記配線上に形成されるニッケルメッキ層と、 前記ニッケルメッキ層上の少なくとも一部に形成される
   金メッキ層とを備え、 前記配線の所定箇所にはんだ付けが行われたとき、前記
   金メッキ層が前記はんだに溶け込むとともに、前記はん
   だと前記ニッケルメッキ層が、ニッケルメッキ層に含ま
   れる不純物の層を介さずに直接接合することを特徴とす
   る配線基板。
3. 【請求項３】 前記導体金属は銅であることを特徴とす
   る請求項１又は２記載の配線基板。
4. 【請求項４】 前記配線基板は、少なくともパッケージ
   部品を搭載するマザーボードであることを特徴とする請
   求項１又は２記載の配線基板。
5. 【請求項５】 前記配線基板は、携帯機器に使用される
   電子素子を実装するために用いられることを特徴とする
   請求項１又は２記載の配線基板。
6. 【請求項６】 絶縁基板上に導体金属からなる所定のパ
   ターンの配線を形成する配線形成工程と、 少なくとも前記配線にはんだ付けが行われる箇所におい
   て、電気ニッケルメッキによって前記配線上にニッケル
   メッキ層を形成するニッケルメッキ層形成工程と、 前記ニッケルメッキ層上の少なくとも一部に金メッキ層
   を形成する金メッキ層形成工程とからなる配線基板の製
   造方法。
7. 【請求項７】 前記配線形成工程は、 導電性物質を前記絶縁基板表面に形成することにより前
   記絶縁基板に導電性を付与する導電性付与工程と、 前記導電性付与工程によって形成された導体性物質を電
   極として前記導体金属の電気メッキを行う電気メッキ工
   程とからなることを特徴とする請求項６記載の配線基板
   の製造方法。
8. 【請求項８】 前記配線形成工程は、 導電性物質を前記絶縁基板の全表面に形成して前記絶縁
   基板に導電性を付与する導電性付与工程と、 前記所定のパターンの配線を形成するためのパターン有
   するメッキレジストを前記導電性物質上に形成するメッ
   キレジスト形成工程と、 前記導電性付与工程によって形成された導電性物質を電
   極として、前記導体金属の電気メッキを行い、前記メッ
   キレジストによって前記所定のパターンに前記導体金属
   の電気メッキ層を形成する電気メッキ工程と、 前記メッキレジストを剥離する剥離工程と、 前記メッキレジスト直下の前記導電性物質をエッチング
   するエッチング工程とからなることを特徴とする請求項
   ６記載の配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記電気メッキ工程により形成される導
   体金属の厚さは、前記導電性付与工程により形成される
   導電性物質の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項７
   又は８記載の配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記導電性付与工程は、無電解メッキ
    によって前記導体金属を前記絶縁基板表面に形成する無
    電解メッキ工程であることを特徴とする請求項７乃至９
    記載の配線基板の製造方法。
11. 【請求項１１】 前記ニッケルメッキ層形成工程は、前
    記電気メッキ工程と前記剥離工程との間に実行され、前
    記メッキレジストが、前記導体金属の電気メッキと前記
    ニッケルの電気メッキとで共用されることを特徴とする
    請求項８記載の配線基板の製造方法。
12. 【請求項１２】 前記配線基板は、少なくともパッケー
    ジ部品を搭載するマザーボードであることを特徴とする
    請求項６乃至１１記載の配線基板の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記配線基板は、携帯機器に使用され
    る電子素子を実装するために用いられることを特徴とす
    る請求項６乃至１１記載の配線基板の製造方法。