JP2000302533A - コージェライト・セラミック体の製造方法 - Google Patents
コージェライト・セラミック体の製造方法Info
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コージェライト・セラミック体の製造過程に
おいて回収される未焼成の再生原料を用いてコージェラ
イト・セラミック体を製造する際に、厳密な粉砕条件制
御が不要で、再生原料の歩留まりが良く、しかも元来の
出発原料を用いた場合と同程度の熱膨張係数を示すコー
ジェライト・セラミック体の製造方法を提供する。 【解決手段】 コージェライト・セラミック体の製造過
程において回収される、所定のコージェライト化原料調
合物からなる再生原料中に含まれるバインダーの少なく
とも一部を再生原料から取り除いた後に、該再生原料を
粉砕して粉砕粉を作製し、該粉砕粉に水分、バインダー
等を加え、かつ混練することによって再生坏土を作製
し、該再生坏土を成形し焼成してコージェライト・セラ
ミック体を製造する。
おいて回収される未焼成の再生原料を用いてコージェラ
イト・セラミック体を製造する際に、厳密な粉砕条件制
御が不要で、再生原料の歩留まりが良く、しかも元来の
出発原料を用いた場合と同程度の熱膨張係数を示すコー
ジェライト・セラミック体の製造方法を提供する。 【解決手段】 コージェライト・セラミック体の製造過
程において回収される、所定のコージェライト化原料調
合物からなる再生原料中に含まれるバインダーの少なく
とも一部を再生原料から取り除いた後に、該再生原料を
粉砕して粉砕粉を作製し、該粉砕粉に水分、バインダー
等を加え、かつ混練することによって再生坏土を作製
し、該再生坏土を成形し焼成してコージェライト・セラ
ミック体を製造する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコージェライト・セ
ラミック体の製造過程において回収される未焼成の再生
原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る、コージェライト・セラミック体の製造方法に関す
る。
ラミック体の製造過程において回収される未焼成の再生
原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る、コージェライト・セラミック体の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】コージェライト・セラミック体は耐熱性
を有し、また広い温度範囲において、低い熱膨張係数を
示すことが知られている。このためコージェライト・セ
ラミック体は、高い耐熱衝撃性が要求される排気ガス浄
化用ハニカム触媒担体として特に注目されている。通
常、コージェライト・セラミック体を製造する場合は、
カオリン、タルク、アルミナ等のセラミック原料に溶
媒、有機バインダー等の成形助剤を混合、混練して得た
坏土をハニカム構造体用の口金を通して押出成形した
後、焼成する。コージェライト・セラミック体の熱膨張
係数を低くするためには、上記製造工程において、出発
原料の粒子の直径、原料組成等を最適化する必要があ
る。コージェライト・セラミック体を経済的に製造する
には、成形工程から焼成工程に移行する際に除外される
未焼成の乾燥成形体またはその破片等の廃棄物を再生原
料として再生使用することが望ましい。
を有し、また広い温度範囲において、低い熱膨張係数を
示すことが知られている。このためコージェライト・セ
ラミック体は、高い耐熱衝撃性が要求される排気ガス浄
化用ハニカム触媒担体として特に注目されている。通
常、コージェライト・セラミック体を製造する場合は、
カオリン、タルク、アルミナ等のセラミック原料に溶
媒、有機バインダー等の成形助剤を混合、混練して得た
坏土をハニカム構造体用の口金を通して押出成形した
後、焼成する。コージェライト・セラミック体の熱膨張
係数を低くするためには、上記製造工程において、出発
原料の粒子の直径、原料組成等を最適化する必要があ
る。コージェライト・セラミック体を経済的に製造する
には、成形工程から焼成工程に移行する際に除外される
未焼成の乾燥成形体またはその破片等の廃棄物を再生原
料として再生使用することが望ましい。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、再生原
料として使用するために未焼成の乾燥成形体またはその
破片等の廃棄物を粉砕すると、その粉砕粉を用いて製造
したコージェライト・セラミック体は多くの場合、元来
の出発原料を用いて製造されたコージェライト・セラミ
ック体に比べて熱膨張係数が大きく耐熱衝撃性が低下し
て、排気ガス浄化用ハニカム触媒担体として使用できな
くなるという問題がある。そこで、そのような問題の対
処方法として、コージェライト・セラミック体の加圧成
形面におけるプロトエンスタタイト面とコージェライト
面とのＸ線回折ピーク強度が一定値になるように、再生
原料を調整する方法が提案されている（特公平３−７２
０３２）。この特許中では再生原料を粉砕する具体的な
方法として再生原料を歯付きロールクラッシャで粗粉砕
後、ピンミルを用いて微粉砕することが望ましいとの記
載がある。しかしながらピンミル粉砕におけるピンの本
数、周速、材料の投入量により、再生原料に差が生じ、
得られたコージェライト・セラミック体の熱膨張係数は
大きく変化し、それらの粉砕条件を厳密に制御する必要
がある。また最適な条件で粉砕を行った場合でも、元来
の出発原料を用いて製造されたコージェライト・セラミ
ック体に比べて０．６×１０−７／℃ほど高い熱膨張係
数を示し、同等のものは得られていない。また厳密な粉
砕条件制御が不要な方法として、粒径１ｍｍ未満の粉砕
粉を除去し、残った粉砕粉のみ使用する方法が提案され
ている（特開平８−１１９７２６）。しかしながらこの
方法は粒径１ｍｍ未満の粉砕粉を除去するため歩留まり
が悪く経済的に問題がある。本発明はコージェライト・
セラミック体の製造過程において回収される未焼成の再
生原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る際に、厳密な粉砕条件制御が不要で、歩留まりが良
く、しかも元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱膨
張係数を示すコージェライト・セラミック体の製造方法
を提供することを目的とする。
料として使用するために未焼成の乾燥成形体またはその
破片等の廃棄物を粉砕すると、その粉砕粉を用いて製造
したコージェライト・セラミック体は多くの場合、元来
の出発原料を用いて製造されたコージェライト・セラミ
ック体に比べて熱膨張係数が大きく耐熱衝撃性が低下し
て、排気ガス浄化用ハニカム触媒担体として使用できな
くなるという問題がある。そこで、そのような問題の対
処方法として、コージェライト・セラミック体の加圧成
形面におけるプロトエンスタタイト面とコージェライト
面とのＸ線回折ピーク強度が一定値になるように、再生
原料を調整する方法が提案されている（特公平３−７２
０３２）。この特許中では再生原料を粉砕する具体的な
方法として再生原料を歯付きロールクラッシャで粗粉砕
後、ピンミルを用いて微粉砕することが望ましいとの記
載がある。しかしながらピンミル粉砕におけるピンの本
数、周速、材料の投入量により、再生原料に差が生じ、
得られたコージェライト・セラミック体の熱膨張係数は
大きく変化し、それらの粉砕条件を厳密に制御する必要
がある。また最適な条件で粉砕を行った場合でも、元来
の出発原料を用いて製造されたコージェライト・セラミ
ック体に比べて０．６×１０−７／℃ほど高い熱膨張係
数を示し、同等のものは得られていない。また厳密な粉
砕条件制御が不要な方法として、粒径１ｍｍ未満の粉砕
粉を除去し、残った粉砕粉のみ使用する方法が提案され
ている（特開平８−１１９７２６）。しかしながらこの
方法は粒径１ｍｍ未満の粉砕粉を除去するため歩留まり
が悪く経済的に問題がある。本発明はコージェライト・
セラミック体の製造過程において回収される未焼成の再
生原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る際に、厳密な粉砕条件制御が不要で、歩留まりが良
く、しかも元来の出発原料を用いた場合と同程度の熱膨
張係数を示すコージェライト・セラミック体の製造方法
を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はコージェライト
・セラミック体の製造過程において回収される、所定の
コージェライト化原料調合物からなる未焼成の再生原料
からコージェライト・セラミック体を製造する方法であ
って、再生原料中に含まれるバインダーの少なくとも一
部を再生原料から取り除いた後に、該再生原料を粉砕し
て粉砕粉を作製し、該粉砕粉に水分、バインダー等を加
え、かつ混練することによって再生坏土を作製し、該再
生坏土を成形し焼成することを特徴とするコージェライ
ト・セラミック体の製造方法である。本発明において最
も重要な点は、上記再生原料からバインダーの少なくと
も一部を取り除くことである。
・セラミック体の製造過程において回収される、所定の
コージェライト化原料調合物からなる未焼成の再生原料
からコージェライト・セラミック体を製造する方法であ
って、再生原料中に含まれるバインダーの少なくとも一
部を再生原料から取り除いた後に、該再生原料を粉砕し
て粉砕粉を作製し、該粉砕粉に水分、バインダー等を加
え、かつ混練することによって再生坏土を作製し、該再
生坏土を成形し焼成することを特徴とするコージェライ
ト・セラミック体の製造方法である。本発明において最
も重要な点は、上記再生原料からバインダーの少なくと
も一部を取り除くことである。
【０００５】
【作用】再生原料を使用する際には、水分、バインダー
等との均一な混合が容易になるように、混練する前に粉
砕して適切な大きさに分解することが望ましい。しかし
再生原料はメチルセルロース、ＰＶＡ、ＣＭＣ、澱粉の
り、グリセリン等のバインダーで比較的強固に結合され
ているため、粉砕には比較的大きな力が必要となる。と
ころが、コージェライト化原料として通常用いられるタ
ルク、カオリン等の層状形状を有する原料粒子は比較的
柔らかく、機械的衝撃に対して壊れやすい。特公平３−
７２０３２においては、粉砕時の衝撃により原料粒子に
微細なクラック、更には結晶構造のメカノケミカル的反
応が惹起されやすく、このためにコージェライト反応過
程で元来の出発原料を使用した場合とは全く異なった反
応を起こすため、熱膨張係数が上昇するという記載があ
る。そこで粉砕前に再生原料からバインダーの少なくと
も一部を除去することによりバインダーの結合力を低減
ないし消滅させ、わずかな力での粉砕を可能にする。わ
ずかな力で粉砕することにより粉砕時の衝撃が著しく低
下するため、厳密な粉砕条件制御を行うことなく、原料
粒子を変質させずに粉砕が可能になる。再生原料中から
除去されるバインダーは、全部除去されればバインダー
としての結合力が無くなり、粉砕も容易になるが、結合
力がある程度弱くなる程度に少なくとも一部が除去され
れば十分であり、必ずしも全部除去される必要はない。
バインダーを除去する方法としては、加熱法、酸洗等の
化学洗浄法などがあるが、有機バインダーを用いる場合
には、加熱法による除去が工数的、設備的にも好適であ
る。バインダーがメチルセルロースの場合、加熱温度２
８０℃で９８％以上が分解し、粉砕が容易になるため加
熱温度は２８０℃以上が好ましい。また加熱温度が５８
０℃で９９％以上が分解し、これ以上高い温度での加熱
は経済的な面から望ましくないため、加熱温度は２８０
℃以上５８０℃以下がより好ましい。
等との均一な混合が容易になるように、混練する前に粉
砕して適切な大きさに分解することが望ましい。しかし
再生原料はメチルセルロース、ＰＶＡ、ＣＭＣ、澱粉の
り、グリセリン等のバインダーで比較的強固に結合され
ているため、粉砕には比較的大きな力が必要となる。と
ころが、コージェライト化原料として通常用いられるタ
ルク、カオリン等の層状形状を有する原料粒子は比較的
柔らかく、機械的衝撃に対して壊れやすい。特公平３−
７２０３２においては、粉砕時の衝撃により原料粒子に
微細なクラック、更には結晶構造のメカノケミカル的反
応が惹起されやすく、このためにコージェライト反応過
程で元来の出発原料を使用した場合とは全く異なった反
応を起こすため、熱膨張係数が上昇するという記載があ
る。そこで粉砕前に再生原料からバインダーの少なくと
も一部を除去することによりバインダーの結合力を低減
ないし消滅させ、わずかな力での粉砕を可能にする。わ
ずかな力で粉砕することにより粉砕時の衝撃が著しく低
下するため、厳密な粉砕条件制御を行うことなく、原料
粒子を変質させずに粉砕が可能になる。再生原料中から
除去されるバインダーは、全部除去されればバインダー
としての結合力が無くなり、粉砕も容易になるが、結合
力がある程度弱くなる程度に少なくとも一部が除去され
れば十分であり、必ずしも全部除去される必要はない。
バインダーを除去する方法としては、加熱法、酸洗等の
化学洗浄法などがあるが、有機バインダーを用いる場合
には、加熱法による除去が工数的、設備的にも好適であ
る。バインダーがメチルセルロースの場合、加熱温度２
８０℃で９８％以上が分解し、粉砕が容易になるため加
熱温度は２８０℃以上が好ましい。また加熱温度が５８
０℃で９９％以上が分解し、これ以上高い温度での加熱
は経済的な面から望ましくないため、加熱温度は２８０
℃以上５８０℃以下がより好ましい。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の実施例におけるコージェ
ライト・セラミック体の製造方法について説明する。使
用する再生原料は表１のような配合のセル壁厚さ０．１
７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、長径１４３ｍｍ、短径９
８ｍｍ、長さ１５２．４ｍｍのハニカム状の未焼成の乾
燥成形体である。この成形体２ｋｇに対して昇温速度
７．５℃／分にて２８０℃または５８０℃まで昇温後、
炉冷した。室温まで冷却後、ロールクラッシャにて成形
体を粉砕して粉砕粉を作製した。この時、粉砕をハニカ
ム構造を崩すのみに留める為、ロール面間距離は長径方
向のハニカム壁の厚さの合計よりわずかに大きい２０ｍ
ｍとした。その粉砕粉１００部に対して、水３１．５
部、メチルセルロース３．５部、ステアリン酸０．５部
を加え、混練して再生坏土を作製した。この再生坏土を
金型を用いた押出成形法により成形した。この成形体は
セル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直径３
０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次にこの
成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４００
℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。
ライト・セラミック体の製造方法について説明する。使
用する再生原料は表１のような配合のセル壁厚さ０．１
７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、長径１４３ｍｍ、短径９
８ｍｍ、長さ１５２．４ｍｍのハニカム状の未焼成の乾
燥成形体である。この成形体２ｋｇに対して昇温速度
７．５℃／分にて２８０℃または５８０℃まで昇温後、
炉冷した。室温まで冷却後、ロールクラッシャにて成形
体を粉砕して粉砕粉を作製した。この時、粉砕をハニカ
ム構造を崩すのみに留める為、ロール面間距離は長径方
向のハニカム壁の厚さの合計よりわずかに大きい２０ｍ
ｍとした。その粉砕粉１００部に対して、水３１．５
部、メチルセルロース３．５部、ステアリン酸０．５部
を加え、混練して再生坏土を作製した。この再生坏土を
金型を用いた押出成形法により成形した。この成形体は
セル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直径３
０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次にこの
成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４００
℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。
【０００７】
【表１】
【０００８】比較例として、以下の方法でコージェライ
ト・セラミック体を製造した。表１の乾燥成形体をイン
パクトクラッシャを用いて粉砕した。ここでインパクト
クラッシャとは、固定されている衝突板と、回転するロ
ーターに取り付けられた打撃板の間で粉砕を行う装置で
ある。粉砕後、粉砕粉を各種の篩を用いて、０．２ｍｍ
未満、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ未満、０．５ｍｍ以上
１．０ｍｍ未満、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ未満、２．
０ｍｍ以上４．０ｍｍ未満の５種類に選別した。それぞ
れの粒径範囲の粉砕粉１００部に対して、水３０．３部
を加え、混練して再生坏土を作製した。この再生坏土を
金型を用いた押出成形法により成形した。この成形体は
セル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直径３
０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次にこの
成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４００
℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。また元来の出発原料を使用して、表１
の乾燥成形体と同じ配合の坏土を作製し、上記と同じ方
法で成形、焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。
ト・セラミック体を製造した。表１の乾燥成形体をイン
パクトクラッシャを用いて粉砕した。ここでインパクト
クラッシャとは、固定されている衝突板と、回転するロ
ーターに取り付けられた打撃板の間で粉砕を行う装置で
ある。粉砕後、粉砕粉を各種の篩を用いて、０．２ｍｍ
未満、０．２ｍｍ以上０．５ｍｍ未満、０．５ｍｍ以上
１．０ｍｍ未満、１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ未満、２．
０ｍｍ以上４．０ｍｍ未満の５種類に選別した。それぞ
れの粒径範囲の粉砕粉１００部に対して、水３０．３部
を加え、混練して再生坏土を作製した。この再生坏土を
金型を用いた押出成形法により成形した。この成形体は
セル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直径３
０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次にこの
成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４００
℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。また元来の出発原料を使用して、表１
の乾燥成形体と同じ配合の坏土を作製し、上記と同じ方
法で成形、焼成してハニカム状のコージェライト・セラ
ミック体を得た。
【０００９】実施例、比較例で作製したコージェライト
・セラミック体の４０〜８００℃における平均熱膨張係
数を測定した。結果を表２に示す。実施例においては加
熱温度が２８０℃、５８０℃のいずれにおいても、元来
の出発原料を使用したコージェライト・セラミック体と
同程度の熱膨張係数が得られた。インパクトクラッシャ
により粉砕した粉砕粉においては、粒径０．５ｍｍ未満
では粒径の低下と共に熱膨張係数が上昇し、粒径０．５
ｍｍ以上では熱膨張係数はほぼ一定となっている。しか
しながらいずれの粒径における熱膨張係数も元来の出発
原料を使用したコージェライト・セラミック体に比べて
高くなっている。
・セラミック体の４０〜８００℃における平均熱膨張係
数を測定した。結果を表２に示す。実施例においては加
熱温度が２８０℃、５８０℃のいずれにおいても、元来
の出発原料を使用したコージェライト・セラミック体と
同程度の熱膨張係数が得られた。インパクトクラッシャ
により粉砕した粉砕粉においては、粒径０．５ｍｍ未満
では粒径の低下と共に熱膨張係数が上昇し、粒径０．５
ｍｍ以上では熱膨張係数はほぼ一定となっている。しか
しながらいずれの粒径における熱膨張係数も元来の出発
原料を使用したコージェライト・セラミック体に比べて
高くなっている。
【００１０】
【表２】
【００１１】実施例Ｎｏ．１の再生原料と元来の出発原
料を下記表３に示される割合で配合し、更にこの配合物
１００部に対して、水３１．５部、メチルセルロース
３．５部、ステアリン酸０．５部を加え、混練して再生
坏土を作製した。また実施例１における比較例Ｎｏ．７
の再生原料と元来の出発原料を下記表３に示される割合
で配合し、適量の水、メチルセルロース、ステアリン酸
を加え、混練して再生坏土を作製した。これらの再生坏
土を金型を用いた押出成形法により成形した。この成形
体はセル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直
径３０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次に
この成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４０
０℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セ
ラミック体を得た。
料を下記表３に示される割合で配合し、更にこの配合物
１００部に対して、水３１．５部、メチルセルロース
３．５部、ステアリン酸０．５部を加え、混練して再生
坏土を作製した。また実施例１における比較例Ｎｏ．７
の再生原料と元来の出発原料を下記表３に示される割合
で配合し、適量の水、メチルセルロース、ステアリン酸
を加え、混練して再生坏土を作製した。これらの再生坏
土を金型を用いた押出成形法により成形した。この成形
体はセル壁厚さ０．１７ｍｍ、ピッチ１．２７ｍｍ、直
径３０ｍｍ、長さ１００ｍｍのハニカム体である。次に
この成形体を高周波乾燥機を用いて乾燥した後、１４０
０℃、４時間焼成してハニカム状のコージェライト・セ
ラミック体を得た。
【００１２】上記で作製したコージェライト・セラミッ
ク体の４０〜８００℃における平均熱膨張係数を測定し
た。結果を表３に併せて示す。実施例においては、どの
ような割合で配合しても、元来の出発原料を使用したコ
ージェライト・セラミック体と同程度の熱膨張係数が得
られた。これに対して、比較例においては、配合比率１
０％までは元来の出発原料を使用したコージェライト・
セラミック体と同程度の熱膨張係数が得られるが、それ
以上配合すると、熱膨張係数の上昇が認められる。
ク体の４０〜８００℃における平均熱膨張係数を測定し
た。結果を表３に併せて示す。実施例においては、どの
ような割合で配合しても、元来の出発原料を使用したコ
ージェライト・セラミック体と同程度の熱膨張係数が得
られた。これに対して、比較例においては、配合比率１
０％までは元来の出発原料を使用したコージェライト・
セラミック体と同程度の熱膨張係数が得られるが、それ
以上配合すると、熱膨張係数の上昇が認められる。
【００１３】
【表３】
【００１４】
【発明の効果】以上の説明の通り、本発明によるコージ
ェライト・セラミック体の製造方法はコージェライト・
セラミック体の製造過程において回収される未焼成の再
生原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る際に、厳密な粉砕条件制御が不要で、かつ再生原料の
歩留まりが良好なコージェライト・セラミック体の製造
を可能にするので、コストの低減に寄与するところが大
きい。
ェライト・セラミック体の製造方法はコージェライト・
セラミック体の製造過程において回収される未焼成の再
生原料を用いてコージェライト・セラミック体を製造す
る際に、厳密な粉砕条件制御が不要で、かつ再生原料の
歩留まりが良好なコージェライト・セラミック体の製造
を可能にするので、コストの低減に寄与するところが大
きい。
Claims (6)
- 【請求項１】 コージェライト・セラミック体の製造過
程において回収される、所定のコージェライト化原料調
合物からなる未焼成の再生原料からコージェライト・セ
ラミック体を製造する方法であって、再生原料中に含ま
れるバインダーの少なくとも一部を再生原料から取り除
いた後に、該再生原料を粉砕して粉砕粉を作製し、該粉
砕粉に水分、バインダー等を加え、かつ混練することに
よって再生坏土を作製し、該再生坏土を成形し焼成する
ことを特徴とするコージェライト・セラミック体の製造
方法。 - 【請求項２】 粉砕粉に元来の出発原料及び、水分、バ
インダー等を加え、かつ混練することによって再生坏土
を作製することを特徴とする請求項１に記載したコージ
ェライト・セラミック体の製造方法。 - 【請求項３】 加熱することにより、再生原料中に含ま
れるバインダーの少なくとも一部を再生原料から取り除
くことを特徴とする請求項１に記載したコージェライト
・セラミック体の製造方法。 - 【請求項４】 バインダーとしてメチルセルロースを使
用することを特徴とする請求項３に記載したコージェラ
イト・セラミック体の製造方法。 - 【請求項５】 ２８０℃以上の温度で加熱することによ
り再生原料中に含まれるバインダーの少なくとも一部を
再生原料から取り除くことを特徴とする請求項４に記載
したコージェライト・セラミック体の製造方法。 - 【請求項６】 ２８０℃以上５８０℃以下の温度で加熱
することにより再生原料中に含まれるバインダーの少な
くとも一部を再生原料から取り除くことを特徴とする請
求項４に記載したコージェライト・セラミック体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105981A JP2000302533A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | コージェライト・セラミック体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11105981A JP2000302533A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | コージェライト・セラミック体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000302533A true JP2000302533A (ja) | 2000-10-31 |
Family
ID=14421936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11105981A Pending JP2000302533A (ja) | 1999-04-14 | 1999-04-14 | コージェライト・セラミック体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000302533A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7132066B2 (en) | 2003-09-30 | 2006-11-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for producing honeycomb structure and honeycomb structure |
| BE1016535A3 (fr) * | 2003-01-24 | 2007-01-09 | Denso Corp | Materiau ceramique de depart regenere et procede de production d'un corps ceramique de cordierite au moyen de ce procede. |
| JP2010510959A (ja) * | 2006-11-29 | 2010-04-08 | コーニング インコーポレイテッド | チタン酸アルミニウムバッチ組成物および方法 |
| CN115893983A (zh) * | 2023-01-10 | 2023-04-04 | 山东奥福环保科技股份有限公司 | 蜂窝陶瓷载体生坯回坯料制备蜂窝陶瓷载体的方法及载体 |
| CN117986030A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-05-07 | 山东奥福环保科技股份有限公司 | 一种蜂窝陶瓷载体及其制备方法与应用 |
-
1999
- 1999-04-14 JP JP11105981A patent/JP2000302533A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| BE1016535A3 (fr) * | 2003-01-24 | 2007-01-09 | Denso Corp | Materiau ceramique de depart regenere et procede de production d'un corps ceramique de cordierite au moyen de ce procede. |
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| US7524450B2 (en) | 2003-09-30 | 2009-04-28 | Ngk Insulators, Ltd. | Method for manufacturing silicon carbide based honeycomb structure and silicon carbide based honeycomb structure |
| JP4528263B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-08-18 | 日本碍子株式会社 | 炭化珪素質ハニカム構造体の製造方法及び炭化珪素質ハニカム構造体 |
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| CN117986030A (zh) * | 2024-01-30 | 2024-05-07 | 山东奥福环保科技股份有限公司 | 一种蜂窝陶瓷载体及其制备方法与应用 |
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