JP2000302857A - 光記録媒体用成形材料 - Google Patents
光記録媒体用成形材料Info
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- JP2000302857A JP2000302857A JP11113584A JP11358499A JP2000302857A JP 2000302857 A JP2000302857 A JP 2000302857A JP 11113584 A JP11113584 A JP 11113584A JP 11358499 A JP11358499 A JP 11358499A JP 2000302857 A JP2000302857 A JP 2000302857A
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- bis
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性および低複屈折性に優れた光記録媒体
用成形材料を提供する。 【解決手段】 1,1'−ビ−2-ナフトールから誘導され
た構造、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリ
デン)]ビスフェノールから誘導された構造、及び及
び以外のビスフェノールから誘導された構造を有する
ポリカーボネートであって、の構造単位が全構造単位
中５〜４０mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/g
であるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材
料。
用成形材料を提供する。 【解決手段】 1,1'−ビ−2-ナフトールから誘導され
た構造、4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリ
デン)]ビスフェノールから誘導された構造、及び及
び以外のビスフェノールから誘導された構造を有する
ポリカーボネートであって、の構造単位が全構造単位
中５〜４０mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/g
であるポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材
料。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンパクトディス
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。
ク、レーザーディスク、光カード、ＭＯディスクなどの
光記録媒体を製造するのに好適な成形性とともに複屈折
の低減されたポリカーボネート樹脂光記録媒体用成形材
料に関する。
【０００２】
【従来の技術】ビスフェノールＡ型ポリカーボネート
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。
は、その透明性、耐熱性、耐加水分解性、寸法安定性な
どの特徴を生かして、最近は光ディスク用基盤材料とし
て広く用いられるようになった。しかしながら、光ディ
スク用にポリカーボネートを用いる場合いくつかの問題
点があった。
【０００３】光ディスク基盤としての性能のうち、情報
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。
読み取り、書き込みに用いられるレーザー光線を実質的
に弱めてしまう複屈折は最も重要な問題であり、複屈折
が大きい材料ではエラーが増加し、記録媒体としての信
頼性が劣ってしまう。
【０００４】これらの複屈折低減を目的とした様々なポ
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策が十分とは言えなかっ
た。
リカーボネート樹脂材料が開発されている。（特開昭６
０−２１５０２０，特開昭６２−１８１１１５）しかし
ながら、近年、高密度化が進む光ディスク分野におい
て、これらの材料では複屈折対策が十分とは言えなかっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、優れた成形
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。
性と低複屈折性を両立した光記録媒体用成形材料を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、従来の課
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の３種類の
ビスフェノール類より誘導された３元共重合ポリカーボ
ネート樹脂は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた
良質の光記録媒体成形材料となることを見いだし、本発
明を完成するに至った。
題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、特定の３種類の
ビスフェノール類より誘導された３元共重合ポリカーボ
ネート樹脂は、低複屈折性と良好な成形性を兼ね備えた
良質の光記録媒体成形材料となることを見いだし、本発
明を完成するに至った。
【０００７】
【発明の実施の形態】即ち、本発明は、 一般式
（Ａ）、一般式（Ｂ）及び一般式（Ｃ）で表される構造
単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構造単位中5
〜40mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/gである
ポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材料であ
る。
（Ａ）、一般式（Ｂ）及び一般式（Ｃ）で表される構造
単位を有し、一般式（Ａ）の構造単位が全構造単位中5
〜40mol%であり、かつ極限粘度が0.30〜0.50dl/gである
ポリカーボネートからなる光記録媒体用成形材料であ
る。
【０００８】
【化７】
【０００９】
【化８】
【００１０】
【化９】
【００１１】（式中Ｗは、
【化１０】
【００１２】であり、Ｒ1 〜Ｒ4 は各々独立に、水素、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のア
ルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、又は炭素数
７〜１７のアラルキル基である。但し、これらの基が炭
素を有する場合には、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲ
ン、ジメチルポリシロキシ基、及びアルキルアリールポ
リシロキシ基で置換されているものも含む。Ｙは、
フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のア
ルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、又は炭素数
７〜１７のアラルキル基である。但し、これらの基が炭
素を有する場合には、炭素数１〜５のアルキル基、炭素
数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲ
ン、ジメチルポリシロキシ基、及びアルキルアリールポ
リシロキシ基で置換されているものも含む。Ｙは、
【００１３】
【化１１】
【００１４】であり、ここにＲ5 及びＲ6 は各々独立
に、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１
０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又は
炭素数６〜１２アリール基を表すか、Ｒ5 及びＲ6 が一
緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
す。但し、これらの基が炭素を含有する場合は、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、及び
ヨウ素で置換されているものも含む。a は０〜２０の整
数、b は１〜１００の整数を表す。）
に、水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１
０のアルケニル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又は
炭素数６〜１２アリール基を表すか、Ｒ5 及びＲ6 が一
緒に結合して、炭素環または複素環を形成する基を表
す。但し、これらの基が炭素を含有する場合は、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭
素数１〜５のアルコキシ基、フッ素、塩素、臭素、及び
ヨウ素で置換されているものも含む。a は０〜２０の整
数、b は１〜１００の整数を表す。）
【００１５】本発明のポリカーボネートは、ビスフェノ
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。
ールＡからポリカーボネートを製造する際に用いられて
いる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの
直接反応（ホスゲン法）、あるいは二価フェノールとビ
スアリールカーボネートとのエステル交換反応（エステ
ル交換法）などの方法を採用することができる。
【００１６】前者のホスゲン法においては、通常酸結合
剤および溶媒の存在下において、本発明における一般式
（Ａ）を誘導する1,1'−ビ−2-ナフトール、一般式
（Ｂ）を誘導する4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチル
エチリデン）］ビスフェノール、及び一般式（Ｃ）を誘
導する二価フェノールとホスゲンとを反応させる。酸結
合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム及
び水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが
用いられる。また、溶媒としては、例えば、塩化メチレ
ン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用
いられる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリ
エチルアミンのような三級アミン触媒および第四級アン
モニウム塩などの触媒を、また重合度調節には、フェノ
ール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、一般式（Ｄ）で表されるフェノール類等一官能基化
合物を分子量調節剤として加える。
剤および溶媒の存在下において、本発明における一般式
（Ａ）を誘導する1,1'−ビ−2-ナフトール、一般式
（Ｂ）を誘導する4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチル
エチリデン）］ビスフェノール、及び一般式（Ｃ）を誘
導する二価フェノールとホスゲンとを反応させる。酸結
合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウム及
び水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物などが
用いられる。また、溶媒としては、例えば、塩化メチレ
ン、クロロホルム、クロロベンゼン、キシレンなどが用
いられる。さらに、縮重合反応を促進するために、トリ
エチルアミンのような三級アミン触媒および第四級アン
モニウム塩などの触媒を、また重合度調節には、フェノ
ール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、一般式（Ｄ）で表されるフェノール類等一官能基化
合物を分子量調節剤として加える。
【００１７】
【化１２】 （式中、Ｒ7 は炭素数４〜２０のアルキル基を示し、Ｒ
8 〜Ｒ9 は各々独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアル
コキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表す。Ｚは
エステル基、エーテル基、カルボニル基を表すか、単に
結合を表す。）
8 〜Ｒ9 は各々独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアル
コキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表す。Ｚは
エステル基、エーテル基、カルボニル基を表すか、単に
結合を表す。）
【００１８】さらに、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハ
イドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノール、1,1,1-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル）エタン、α，α',α"-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼンなど分
岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常０〜１５０
℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とするのが適当であ
る。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常
０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。
また、反応中は、反応系のpHを１０以上に保持すること
が望ましい。
イドロサルファイトなどの酸化防止剤や、フロログルシ
ン、イサチンビスフェノール、1,1,1-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル）エタン、α，α',α"-トリス（4-ヒドロ
キシフェニル)-1,3,5-トリイソプロピルベンゼンなど分
岐化剤を小量添加してもよい。反応は通常０〜１５０
℃、好ましくは５〜４０℃の範囲とするのが適当であ
る。反応時間は反応温度によって左右されるが、通常
０．５分〜１０時間、好ましくは１分〜２時間である。
また、反応中は、反応系のpHを１０以上に保持すること
が望ましい。
【００１９】一方、後者のエステル交換法においては、
1,1'−ビ−2-ナフトールと4,4'-[1,3-フェニレンビス
（1-メチルエチリデン）］ビスフェノールと一般式
（Ｃ）を誘導する二価フェノールとビスアリールカーボ
ネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。
この時、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、一般式（Ｄ）で表されるフェノール類等の一官能基
化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反応は通常
１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲
の温度において行われ、また減圧度は最終的には１mmHg
以下にすることが好ましく、エステル交換反応により生
成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノ
ール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧
度などによって左右されるが、通常１〜６時間程度であ
る。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で
行うことが好ましく。また、所望に応じ、酸化防止剤や
分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
1,1'−ビ−2-ナフトールと4,4'-[1,3-フェニレンビス
（1-メチルエチリデン）］ビスフェノールと一般式
（Ｃ）を誘導する二価フェノールとビスアリールカーボ
ネートとを混合し、減圧下で高温において反応させる。
この時、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、p-クミルフェノー
ル、一般式（Ｄ）で表されるフェノール類等の一官能基
化合物を分子量調節剤として加えてもよい。反応は通常
１５０〜３５０℃、好ましくは２００〜３００℃の範囲
の温度において行われ、また減圧度は最終的には１mmHg
以下にすることが好ましく、エステル交換反応により生
成した該ビスアリールカーボネートから由来するフェノ
ール類を系外へ留去させる。反応時間は反応温度や減圧
度などによって左右されるが、通常１〜６時間程度であ
る。反応は窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で
行うことが好ましく。また、所望に応じ、酸化防止剤や
分岐化剤を添加して反応を行ってもよい。
【００２０】ホスゲン法とエステル交換法では、一般式
（Ａ）構造を誘導する化合物および一般式（Ｂ）構造を
誘導する化合物の反応性を考慮した場合、ホスゲン法の
方が好ましい。
（Ａ）構造を誘導する化合物および一般式（Ｂ）構造を
誘導する化合物の反応性を考慮した場合、ホスゲン法の
方が好ましい。
【００２１】本発明中のポリカーボネートの製造に使用
される一般式（Ｃ）を誘導する二価フェノールとして
は、具体的には4,4'−ビフェニルジオール、ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）スルファイド、ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）ケトン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ビスフェノ−ルＡ；BPA ）、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）ブタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルＺ；BPZ ）、2,2-
ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロフェニル）
プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-ブロモフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-クロロフェ
ニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフ
ェニル）プロパン（ジメチルビスフェノールＡ；DMBPA
）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニ
ル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-
フェニルエタン（ビスフェノールＡＰ；BPAP）、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、2,2-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,
2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル）プロパン、
α，ω−ビス［2-（p-ヒドロキシフェニル）エチル］ポ
リジメチルシロキサン、α，ω−ビス［3-（o-ヒドロキ
シフェニル）プロピル］ポリジメチルシロキサン、9,9-
ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、
2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル）プロパ
ン、3,3,5-トリメチル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-
テトラメチル-1,1'-スピロビインダン、1,1,3-トリメチ
ル−3-（4-ヒドロキシフェニル）−インダン−5-オー
ル、6,6'−ジヒドロキシ−4,4,4',4'7,7'-ヘキサメチル
-2,2'-スピロビクロマンなどが例示される。これらは、
２種類以上併用することも可能である。
される一般式（Ｃ）を誘導する二価フェノールとして
は、具体的には4,4'−ビフェニルジオール、ビス（4-ヒ
ドロキシフェニル）メタン、ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）エーテル、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（4-ヒドロキシフェニル）スルホキシド、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）スルファイド、ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）ケトン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）エタン、2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロ
パン（ビスフェノ−ルＡ；BPA ）、2,2-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）ブタン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン（ビスフェノ−ルＺ；BPZ ）、2,2-
ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジブロモフェニル）プロパ
ン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジクロロフェニル）
プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-ブロモフェニ
ル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-クロロフェ
ニル）プロパン、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-メチルフ
ェニル）プロパン（ジメチルビスフェノールＡ；DMBPA
）、2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3,5-ジメチルフェニ
ル）プロパン、1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-
フェニルエタン（ビスフェノールＡＰ；BPAP）、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、2,2-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、2,
2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル）プロパン、
α，ω−ビス［2-（p-ヒドロキシフェニル）エチル］ポ
リジメチルシロキサン、α，ω−ビス［3-（o-ヒドロキ
シフェニル）プロピル］ポリジメチルシロキサン、9,9-
ビス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、
2,2-ビス（4-ヒドロキシ−3-アリルフェニル）プロパ
ン、3,3,5-トリメチル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-
テトラメチル-1,1'-スピロビインダン、1,1,3-トリメチ
ル−3-（4-ヒドロキシフェニル）−インダン−5-オー
ル、6,6'−ジヒドロキシ−4,4,4',4'7,7'-ヘキサメチル
-2,2'-スピロビクロマンなどが例示される。これらは、
２種類以上併用することも可能である。
【００２２】また、これらの中でも特に、1,1-ビス（4-
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、1,1-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）−1-フェニルエタン、9,9-ビス（3-メチ
ル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、3,3,5-トリメ
チル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,
1'-スピロビインダンから選ばれることが好ましい。こ
れらは、２種類以上併用して用いてもよい。
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）ジフェニルメタン、1,1-ビス（4-ヒドロ
キシフェニル）−1-フェニルエタン、9,9-ビス（3-メチ
ル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、3,3,5-トリメ
チル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ
ン、6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラメチル-1,
1'-スピロビインダンから選ばれることが好ましい。こ
れらは、２種類以上併用して用いてもよい。
【００２３】更に、本発明の分子量調節剤としては、流
動性改良に効果の期待できる一般式（Ｄ）で表される一
価フェノールが好ましく、具体的には、ｎ−ブチルフェ
ノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカ
ニルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデ
カニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖
アルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、
ヒドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニ
ル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸
ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエ
ステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノー
ル、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノー
ル、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニル
オキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等
の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。
動性改良に効果の期待できる一般式（Ｄ）で表される一
価フェノールが好ましく、具体的には、ｎ−ブチルフェ
ノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、デカ
ニルフェノール、テトラデカニルフェノール、ヘプタデ
カニルフェノール、オクタデカニルフェノール等の長鎖
アルキル置換フェノール；ヒドロキシ安息香酸ブチル、
ヒドロキシ安息香酸オクチル、ヒドロキシ安息香酸ノニ
ル、ヒドロキシ安息香酸デカニル、ヒドロキシ安息香酸
ヘプタデカニル等のヒドロキシ安息香酸長鎖アルキルエ
ステル；ブトキシフェノール、オクチルオキシフェノー
ル、ノニルオキシフェノール、デカニルオキシフェノー
ル、テトラデカニルオキシフェノール、ヘプタデカニル
オキシフェノール、オクタデカニルオキシフェノール等
の長鎖アルキルオキシフェノール類が例示される。
【００２４】本発明においてホスゲン法を採用する場合
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第四級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示される。これらのうちトリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモ
ニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、
一般に0.0005〜 5mol%使用されることが好ましい。第四
級アンモニウム塩の添加後、３〜１０分後に、トリエチ
ルアミンのような三級アミン及び分子量調節剤を添加し
て重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、
全ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。
また、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に
対して、3 〜10mol%である。
は、ホスゲン吹き込み終了後に反応を効率よく行うため
第四級アンモニウム塩を少量添加することが好ましい。
具体的には、テトラメチルアンモニウムクロライド、ト
リメチルベンジルアンモニウムクロライド、トリエチル
ベンジルアンモニウムクロライド、テトラエチルアンモ
ニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムア
イオダイドなどが例示される。これらのうちトリメチル
ベンジルアンモニウムクロライド、トリエチルベンジル
アンモニウムクロライドが好ましい。この第四級アンモ
ニウム塩は、使用される全ビスフェノール類に対して、
一般に0.0005〜 5mol%使用されることが好ましい。第四
級アンモニウム塩の添加後、３〜１０分後に、トリエチ
ルアミンのような三級アミン及び分子量調節剤を添加し
て重合させることが好ましい。三級アミンの添加量は、
全ビスフェノール類に対して、0.01〜1.0mol% である。
また、分子量調節剤の添加量は、全ビスフェノール類に
対して、3 〜10mol%である。
【００２５】これらの反応で合成されたポリカーボネー
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。
ト重合体は、押出成形、射出成形、ブロ−成形、圧縮成
形、湿式成形など公知の成形法で成形可能であるが、光
記録媒体用成形材料としては、容易に押出、射出成形が
できることが望ましく、特に光記録媒体用の精密成形で
は極限粘度が0.30〜0.50dl/gの範囲であることが好まし
い。
【００２６】また、本発明の一般式（Ａ）の構造単位は
成形性、耐熱性、低複屈折性を考慮すると全構造単位中
5 〜40mol%が好ましい。一般式（Ａ）の構造単位が5mol
％未満では、複屈折性改善効果は小さく、40mol%を超え
るとガラス転移温度上昇により成形条件が狭くなるため
成形不良や分子配向による複屈折増加をおこしやすい。
成形性、耐熱性、低複屈折性を考慮すると全構造単位中
5 〜40mol%が好ましい。一般式（Ａ）の構造単位が5mol
％未満では、複屈折性改善効果は小さく、40mol%を超え
るとガラス転移温度上昇により成形条件が狭くなるため
成形不良や分子配向による複屈折増加をおこしやすい。
【００２７】更に、一般式（Ｂ）の構造単位は全構造単
位中10〜90mol%が好ましい。一般式（Ｂ）が10mol%未満
では流動性改善効果が小さく、90mol%を超えると流動性
が上がりすぎ、成形性が悪くなる。
位中10〜90mol%が好ましい。一般式（Ｂ）が10mol%未満
では流動性改善効果が小さく、90mol%を超えると流動性
が上がりすぎ、成形性が悪くなる。
【００２８】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m2、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10-2cc/secを超えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。
形材料は、射出成形で成形することが好ましく、その際
の流動性は大きすぎても小さすぎても成形性に問題が生
じる。例えば高化式フローテスター（280 ℃、160kgf/c
m2、ノズル径1mm ×10mm）測定で、15〜90×10-2cc/sec
の範囲が好ましい。15×10-2cc/sec未満では、流動性が
悪く金型への充填不良やフローマークが生じる場合があ
り、90×10-2cc/secを超えると金型剥離不良やソリを生
じやすい。
【００２９】本発明の光記録媒体用ポリカーボネート成
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
形材料は、一般の光ディスク用ポリカーボネートと同様
に高度に精製されたものでなければならない。具体的に
は、直径５０μｍ以上のダストが実質上検出されず、直
径０．５〜５０μｍのダストが３×１０4 以下、無機お
よび有機残留塩素が２ｐｐｍ以下、残留アルカリ金属が
２ｐｐｍ以下、残存水酸基２００ｐｐｍ以下、残存窒素
量５ｐｐｍ以下、残存モノマー２０ｐｐｍ以下等の基準
を可能な限り満たすように精製される。また、低分子量
体除去や溶媒除去のため抽出等の後処理が行われる場合
もある。
【００３０】光記録媒体用ポリカーボネート成形材料は
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から、一般の光記録媒体用ポリカーボネートを
性能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可
能である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形
温度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。
押出や射出成形時に必要な安定性や離型性を確保するた
め、所望に応じて、ヒンダードフェノール系やホスファ
イト系酸化防止剤；シリコン系、脂肪酸エステル系、脂
肪酸系、脂肪酸グリセリド系、密ろう等天然油脂などの
滑剤や離型剤；ベンゾトリアゾール系、ベンゾフェノン
系、ジベンゾイルメタン系、サリチレート系等の光安定
剤；ポリアルキレングリコール、脂肪酸グリセリド等帯
電防止剤などを適宜併用してよいものであり、さらには
コスト等から、一般の光記録媒体用ポリカーボネートを
性能を損なわない範囲で任意に混合して使用する事も可
能である。また、本成形材料を射出成形する場合の成形
温度は、流動性の観点から280 〜360 ℃が好ましい。
【００３１】
【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。
明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定
されるものではない。
【００３２】実施例１ 8.8%(w/v) の水酸化ナトリウム水溶液58リットルに、1,1'−
ビ−2-ナフトール2.86Kg（以下BNP と略称、10mol ）と
4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビ
スフェノール6.92Kg（以下BPM と略称、20mol ）とビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン3.52Kg（以
下BPBPと略称、10mol ）及びハイドロサルファイト10g
を加え溶解した。これにメチレンクロライド36リットルを加
え、15℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン5kg を50分
かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、トリエチルベンジ
ルアンモニウムクロライド5g(0.022mol)を加え５分間激
しく撹拌して反応液を乳化させ、次にp-ターシャルブチ
ルフェノール360g（以下PTBPと略称、2.4mol）を加え、
さらに20mlのトリエチルアミン(0.14mol) を加え、約１
時間撹拌し重合させた。重合液を水相と有機相に分離
し、有機相をリン酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以
下になるまで水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。
得られた精製樹脂液を、強攪拌されている４５℃の温水
に樹脂液をゆっくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を
固形化した。固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合
体を得た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.5g／dlの溶液の温度20℃における極限粘度［η］は
0.36dl/gであった。得られた上記重合体を赤外線吸収ス
ペクトルより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカル
ボニル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結
合による吸収が認められ、カーボネート結合を有するこ
とが確認された。また、3650〜3200cm-1の位置に水酸基
由来の吸収はほとんど認められなかった。このポリカー
ボネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、い
ずれのモノマーも20ppm 以下であった。これらを総合し
た結果、この重合体は下記構造単位からなるポリカーボ
ネート重合体と認められた。
ビ−2-ナフトール2.86Kg（以下BNP と略称、10mol ）と
4,4'-[1,3-フェニレンビス（1-メチルエチリデン）］ビ
スフェノール6.92Kg（以下BPM と略称、20mol ）とビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン3.52Kg（以
下BPBPと略称、10mol ）及びハイドロサルファイト10g
を加え溶解した。これにメチレンクロライド36リットルを加
え、15℃に保ちながら撹拌しつつ、ホスゲン5kg を50分
かけて吹き込んだ。吹き込み終了後、トリエチルベンジ
ルアンモニウムクロライド5g(0.022mol)を加え５分間激
しく撹拌して反応液を乳化させ、次にp-ターシャルブチ
ルフェノール360g（以下PTBPと略称、2.4mol）を加え、
さらに20mlのトリエチルアミン(0.14mol) を加え、約１
時間撹拌し重合させた。重合液を水相と有機相に分離
し、有機相をリン酸で中和し、洗液の導電率が10μＳ以
下になるまで水洗を繰り返した後、精製樹脂液を得た。
得られた精製樹脂液を、強攪拌されている４５℃の温水
に樹脂液をゆっくり滴下し、溶媒を除去しつつ重合物を
固形化した。固形物を濾過後、乾燥して白色粉末状重合
体を得た。この重合体は、塩化メチレンを溶媒とする濃
度0.5g／dlの溶液の温度20℃における極限粘度［η］は
0.36dl/gであった。得られた上記重合体を赤外線吸収ス
ペクトルより分析した結果、1770cm-1付近の位置にカル
ボニル基による吸収、1240cm-1付近の位置にエーテル結
合による吸収が認められ、カーボネート結合を有するこ
とが確認された。また、3650〜3200cm-1の位置に水酸基
由来の吸収はほとんど認められなかった。このポリカー
ボネート中のモノマーをＧＰＣ分析で測定した場合、い
ずれのモノマーも20ppm 以下であった。これらを総合し
た結果、この重合体は下記構造単位からなるポリカーボ
ネート重合体と認められた。
【００３３】
【化１３】
【００３４】得られたポリカーボネート粉末にステアリ
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μｍポリマーフ
ィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３００
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出
圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後３０度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて
は、流れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安とし
た。またポリカーボネート粉末について、５０μｍ厚の
キャストフィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をか
け、光弾性感度を測定した。結果を表１に示した。
ン酸モノグリセリド300ppmを添加し、50μｍポリマーフ
ィルターを付けたベント付き５０ｍｍ押出機にて３００
℃で押出し、溶融ペレット化を行った。得られたペレッ
トを樹脂温度３５０℃で、金型温度１００℃、及び射出
圧２９．４ＭＰａの条件で、外径１２０ｍｍ、厚さ１．
２ｍｍの円盤を射出成形し、２日間室内放置後３０度斜
め入射時の複屈折を測定した。押出ペレットについて
は、流れ値（Ｑ値）を測定し、成形流動性の目安とし
た。またポリカーボネート粉末について、５０μｍ厚の
キャストフィルムを作成し、300 〜1100g の荷重をか
け、光弾性感度を測定した。結果を表１に示した。
【００３５】実施例２ BNP を4,58Kg（16mol ）に変更し、BPBPの代わりに1,1-
ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン1.07Kg
（以下BPZ と略称、4mol）、PTBPの代わりにp-ヘプタデ
カニルフェノール797g（以下PHPDP と略称、2.4mol）に
変更した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重
合体の極限粘度［η］は0.37dl/gで、赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は下記構造単位からなるポリカ
ーボネート重合体と認められた。結果を表１に示した。
ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン1.07Kg
（以下BPZ と略称、4mol）、PTBPの代わりにp-ヘプタデ
カニルフェノール797g（以下PHPDP と略称、2.4mol）に
変更した以外は、実施例１と同様に行った。得られた重
合体の極限粘度［η］は0.37dl/gで、赤外吸収スペクト
ル分析等よりこの重合体は下記構造単位からなるポリカ
ーボネート重合体と認められた。結果を表１に示した。
【００３６】
【化１４】
【００３７】実施例３ BNP を2.29Kg（8mol）、BPM を8.3Kg （24mol ）に変更
し、BPBPの代わりに9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシ
フェニル）フルオレン3.02Kg（以下BCF と略称、8mol）
を用い、PTBPの代わりに、p-ヒドロキシ安息香酸n-ブチ
ル466g（以下PHBBと略称、2.4mol）に変更した以外は実
施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は0.35dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重
合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合体と
認められた。結果を表１に示した。
し、BPBPの代わりに9,9-ビス（3-メチル−4-ヒドロキシ
フェニル）フルオレン3.02Kg（以下BCF と略称、8mol）
を用い、PTBPの代わりに、p-ヒドロキシ安息香酸n-ブチ
ル466g（以下PHBBと略称、2.4mol）に変更した以外は実
施例１と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は0.35dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重
合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合体と
認められた。結果を表１に示した。
【００３８】
【化１５】
【００３９】実施例４ BNP を1.14Kg（4mol）、BPM を11.07kg （32mol ）に変
更し、BPBPの代わりに6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-
テトラメチル-1,1'-スピロビインダン1.23kg（以下SPI
と略称、4mol）を用いた以外は実施例１と同様に行っ
た。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl/gで、赤
外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を有
するポリカーボネート重合体と認められた。結果を表１
に示した。
更し、BPBPの代わりに6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-
テトラメチル-1,1'-スピロビインダン1.23kg（以下SPI
と略称、4mol）を用いた以外は実施例１と同様に行っ
た。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl/gで、赤
外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造単位を有
するポリカーボネート重合体と認められた。結果を表１
に示した。
【００４０】
【化１６】
【００４１】実施例５ BPZ の代わりに、3,3,5-トリメチル-1,1- ビス（4-ヒド
ロキシフェニル）シクロヘキサン2.48Kg（以下TMZ と略
称、8mol）に、PHBBを329g（1.7mol）に変更した以外は
実施例３と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は0.48dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重
合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合体と
認められた。結果を表１に示した。
ロキシフェニル）シクロヘキサン2.48Kg（以下TMZ と略
称、8mol）に、PHBBを329g（1.7mol）に変更した以外は
実施例３と同様に行った。得られた重合体の極限粘度
［η］は0.48dl/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重
合体は下記構造単位を有するポリカーボネート重合体と
認められた。結果を表１に示した。
【００４２】
【化１７】
【００４３】実施例６ BNP を2,86Kg（10mol ）、BPM を3.46kg（10mol ）に変
更し、BPBPの代わりに1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）−1-フェニルエタン5.80kg（以下BPAPと略称、20mo
l ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
重合体の極限粘度［η］は0.38dl/gで、赤外吸収スペク
トル等よりこの重合体は下記構造単位を有するポリカー
ボネート重合体と認められた。結果を表１に示した。
更し、BPBPの代わりに1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニ
ル）−1-フェニルエタン5.80kg（以下BPAPと略称、20mo
l ）を用いた以外は実施例１と同様に行った。得られた
重合体の極限粘度［η］は0.38dl/gで、赤外吸収スペク
トル等よりこの重合体は下記構造単位を有するポリカー
ボネート重合体と認められた。結果を表１に示した。
【００４４】
【化１８】
【００４５】比較例１ 実施例１のポリカーボネートの代わりに、市販光記録媒
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）
製Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１
と同様の試験を行った。結果を表１に示した。
体用2,2-ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン（以下
BPA と略称）型ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）
製Ｈ−４０００、［η］＝0.35dl/g）を用いて実施例１
と同様の試験を行った。結果を表１に示した。
【００４６】比較例２ BNP 及びBPBPを用いず、BPM のみ13.84Kg(40mol)用い、
PTBPを288g(1.92mol)に変更した以外は、実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl
/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造
単位を有するポリカーボネート重合体と認められた。結
果を表１に示した。
PTBPを288g(1.92mol)に変更した以外は、実施例１と同
様に行った。得られた重合体の極限粘度［η］は0.35dl
/gで、赤外吸収スペクトル等よりこの重合体は下記構造
単位を有するポリカーボネート重合体と認められた。結
果を表１に示した。
【００４７】
【化１９】
【００４８】比較例３ BPBP及びBPM を用いず、BNP のみ11.44Kg(40mol)用いた
以外は実施例１と同様に行った。BNP の反応性が悪く、
未反応モノマーが大量に発生した。極限粘度0.25dl/g
で、強度不足により成形できなかった。
以外は実施例１と同様に行った。BNP の反応性が悪く、
未反応モノマーが大量に発生した。極限粘度0.25dl/g
で、強度不足により成形できなかった。
【００４９】
【表１】
【００５０】〔表１の説明〕 複屈折：（株）溝尻光学工業製、自動エリフ゜ソメータ-使用。
測定波長:632.8nm。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm2、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10-2cc/sec） 光弾性感度：50μｍのキャストフィルムに300 〜1100g
の荷重をかけ、エリプソメーターで波長:632.8mmにて、
光弾性感度を測定。 BNP :1,1'-ビ-2-ナフトール BPM :4,4'-[1,3- フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール BPBP: ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン BPAP:1,1- ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニル
エタン SPI :6,6'-ジヒドロキシ-3,3,3',3'- テトラメチル-1,
1'-スピロビインダンBCF :9,9- ビス（3-メチル−4-ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン BPZ :1,1- ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ TMZ :3,3,5- トリメチル-1,1- ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン BPA :2,2- ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン BNP 濃度：式（Ａ）構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 BPM 濃度：式（Ｂ）構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 二価フェノール ：一般式（Ｃ）の構造単位を誘導する二価フ
ェノール類。 極限粘度：0.5g/100ccジクロロメタン樹脂溶液を20℃、
ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求めた。
測定波長:632.8nm。 流れ値（Ｑ値）：島津製作所（株）製高化式フローテス
ター使用。280 ℃、160kgf/cm2、ノズル径1mm ×10mm条
件での単位時間あたりの流量。（単位×10-2cc/sec） 光弾性感度：50μｍのキャストフィルムに300 〜1100g
の荷重をかけ、エリプソメーターで波長:632.8mmにて、
光弾性感度を測定。 BNP :1,1'-ビ-2-ナフトール BPM :4,4'-[1,3- フェニレンビス（1-メチルエチリデ
ン）］ビスフェノール BPBP: ビス（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン BPAP:1,1- ビス（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニル
エタン SPI :6,6'-ジヒドロキシ-3,3,3',3'- テトラメチル-1,
1'-スピロビインダンBCF :9,9- ビス（3-メチル−4-ヒ
ドロキシフェニル）フルオレン BPZ :1,1- ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサ TMZ :3,3,5- トリメチル-1,1- ビス（4-ヒドロキシフェ
ニル）シクロヘキサン BPA :2,2- ビス（4-ヒドロキシフェニル）プロパン BNP 濃度：式（Ａ）構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 BPM 濃度：式（Ｂ）構造単位の全構造単位に対する割合
(mol%)。 二価フェノール ：一般式（Ｃ）の構造単位を誘導する二価フ
ェノール類。 極限粘度：0.5g/100ccジクロロメタン樹脂溶液を20℃、
ハギンズ定数0.45で極限粘度［η］(dl/g)を求めた。
【００５１】
【発明の効果】本発明より、優れた成形性、低複屈折性
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。
を両立した光記録媒体用成形材料を提供できる。特に、
高密度記録と信頼性が要求される書換可能な光ディスク
および光磁気ディスクに好適である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB07 AC02 AD01 AE05 BB13A BH04 DB07 DB10 DB13 HC01 JB171 JC021 5D029 KA07 KC07
Claims (6)
- 【請求項１】 一般式（Ａ）、一般式（Ｂ）及び一般式
（Ｃ）で表される構造単位を有し、一般式（Ａ）の構造
単位が全構造単位中5 〜40mol%であり、かつ極限粘度が
0.30〜0.50dl/gであるポリカーボネートからなる光記録
媒体用成形材料。 【化１】 【化２】 【化３】 （式中Ｗは、 【化４】 であり、Ｒ1 〜Ｒ4 は各々独立に、水素、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素
数６〜１２のアリール基、炭素数２〜５のアルケニル
基、炭素数１〜５のアルコキシ基、又は炭素数７〜１７
のアラルキル基である。但し、これらの基が炭素を有す
る場合には、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数２〜５
のアルケニル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、フッ
素、塩素、臭素、ヨウ素から選ばれるハロゲン、ジメチ
ルポリシロキシ基、及びアルキルアリールポリシロキシ
基で置換されているものも含む。Ｙは、 【化５】 であり、ここにＲ5 及びＲ6 は各々独立に、水素、炭素
数１〜１０のアルキル基、炭素数２〜１０のアルケニル
基、炭素数１〜１０のアルコキシ基又は炭素数６〜１２
アリール基を表すか、Ｒ5 及びＲ6 が一緒に結合して、
炭素環または複素環を形成する基を表す。但し、これら
の基が炭素を含有する場合は、炭素数１〜５のアルキル
基、炭素数２〜５のアルケニル基、炭素数１〜５のアル
コキシ基、フッ素、塩素、臭素、及びヨウ素で置換され
ているものも含む。a は０〜２０の整数、b は１〜１０
０の整数を表す。） - 【請求項２】 一般式（Ｂ）で表される構造単位が全構
造単位中10〜90mol%である請求項１記載の光記録媒体用
成形材料。 - 【請求項３】 一般式（Ｃ）で表される構造単位が1,1-
ビス（4-ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、ビス
（4-ヒドロキシフェニル）ジフェニルメタン、1,1-ビス
（4-ヒドロキシフェニル）−1-フェニルエタン、9,9-ビ
ス（3-メチル−4-ヒドロキシフェニル）フルオレン、3,
3,5-トリメチル−1,1-ビス（4-ヒドロキシフェニル）シ
クロヘキサン、6,6'−ジヒドロキシ−3,3,3',3'-テトラ
メチル-1,1'-スピロビインダンより誘導された請求項１
記載の光記録媒体用成形材料。 - 【請求項４】 分子末端が、下記一般式（Ｄ）で表され
る一価フェノールより誘導された請求項１記載の光記録
媒体用成形材料。 【化６】 （式中、Ｒ7 は炭素数４〜２０のアルキル基を示し、Ｒ
8 〜Ｒ9 は各々独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル
基、炭素数２〜６のアルケニル基、炭素数１〜６のアル
コキシ基又は炭素数６〜１２のアリール基を表す。Ｚは
エステル基、エーテル基、カルボニル基を表すか、単に
結合を表す。） - 【請求項５】 アルカリ水溶液と有機溶媒存在下で、ビ
スフェノール類にホスゲンを吹き込んだ後、第四級アン
モニウム塩を添加し重縮合反応を開始させ、次に分子量
調節剤となる一価フェノールを添加し、さらに三級アミ
ン重合触媒を添加し、重縮合を促進せしめることを特徴
とする請求項１記載の光記録媒体用成形材料の製造方
法。 - 【請求項６】 第四級アンモニウム塩が、トリエチルベ
ンジルアンモニウムクロライド又はトリメチルベンジル
アンモニウムクロライドである請求項５記載の光記録媒
体用成形材料の製造方法。
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