JP2000306818A - ストライプ状パターンの露光方法 - Google Patents
ストライプ状パターンの露光方法Info
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- JP2000306818A JP2000306818A JP11115609A JP11560999A JP2000306818A JP 2000306818 A JP2000306818 A JP 2000306818A JP 11115609 A JP11115609 A JP 11115609A JP 11560999 A JP11560999 A JP 11560999A JP 2000306818 A JP2000306818 A JP 2000306818A
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- JP
- Japan
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- shot
- pattern
- stepper
- exposure
- stripe
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ステッパのショットサイズを越えて例えばウ
ェーハ１の端から端まで連なるストライプ状パターン２
ａ，２ｂをステッパにより露光焼き付けを行う際にショ
ットパターン間のつなぎ目に起こるパターンのくずれを
緩和する。 【解決手段】 ショットパターン幅いっぱいに伸びる線
状パターンを備えるショットパターンをショットパター
ン幅の１／２ピッチで送ってショット露光を行い、２回
重ねた露光を行う。
ェーハ１の端から端まで連なるストライプ状パターン２
ａ，２ｂをステッパにより露光焼き付けを行う際にショ
ットパターン間のつなぎ目に起こるパターンのくずれを
緩和する。 【解決手段】 ショットパターン幅いっぱいに伸びる線
状パターンを備えるショットパターンをショットパター
ン幅の１／２ピッチで送ってショット露光を行い、２回
重ねた露光を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はステッパのショッ
トサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッ
パにより露光焼き付けを行う方法に関し、特にショット
パターン間のつなぎ目を改良した露光方法に関する。
トサイズを越えて連なるストライプ状パターンをステッ
パにより露光焼き付けを行う方法に関し、特にショット
パターン間のつなぎ目を改良した露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ある種の半導体装置を製造する際には長
い（例えばウェーハの端から端までの）ストライプ状の
パターンが形成される場合がある。このような例を図面
を用いて説明する。図４はパターン形成されたウェーハ
１の部分平面図である。このウェーハ１は半導体レーザ
装置の製造過程の状態である。ウェーハ１は半導体基板
上に所定の半導体層をエピタキシャル成長し、その表面
にフォトレジスト膜を塗布形成し、パターン焼き付け現
像して互いに所定の間隔で平行な２本のストライプ状パ
ターン（ハッチング部分）２ａ，２ｂがウェーハ１の端
から端に渡って形成されている。そして、このストライ
プ状パターン２ａ，２ｂの組は所定ピッチで平行に多数
組形成されている。このストライプ状パターン２ａ，２
ｂは露光され、現像処理によりフォトレジストが除去さ
れてウェーハ１の表面が露出している部分である。
い（例えばウェーハの端から端までの）ストライプ状の
パターンが形成される場合がある。このような例を図面
を用いて説明する。図４はパターン形成されたウェーハ
１の部分平面図である。このウェーハ１は半導体レーザ
装置の製造過程の状態である。ウェーハ１は半導体基板
上に所定の半導体層をエピタキシャル成長し、その表面
にフォトレジスト膜を塗布形成し、パターン焼き付け現
像して互いに所定の間隔で平行な２本のストライプ状パ
ターン（ハッチング部分）２ａ，２ｂがウェーハ１の端
から端に渡って形成されている。そして、このストライ
プ状パターン２ａ，２ｂの組は所定ピッチで平行に多数
組形成されている。このストライプ状パターン２ａ，２
ｂは露光され、現像処理によりフォトレジストが除去さ
れてウェーハ１の表面が露出している部分である。
【０００３】上記のようなパターン形成されたフォトレ
ジストをマスクとしてウェーハ１がメサエッチされ、２
本のストライプ状パターン２ａ，２ｂに挟まれた部分が
ストライプ状のメサとなり、この部分がその後の工程を
経て光路となり、例えば図４に実線で示す矩形なエリア
Ｐを単位とするペレットに分割して半導体レーザペレッ
トとなるものである。
ジストをマスクとしてウェーハ１がメサエッチされ、２
本のストライプ状パターン２ａ，２ｂに挟まれた部分が
ストライプ状のメサとなり、この部分がその後の工程を
経て光路となり、例えば図４に実線で示す矩形なエリア
Ｐを単位とするペレットに分割して半導体レーザペレッ
トとなるものである。
【０００４】上記のようなパターンをステッパにより露
光焼き付けるは図３に示すようにウェーハ１上のストラ
イプ状パターン２ａ，２ｂに対応する線状のパターン２
０ａ，２０ｂを備えるショットパターン１０（破線で囲
まれた矩形部分）を用いる。このショットパターン１０
はレチクル上に形成され、ステッパでウェーハ１上にシ
ョット的に縮小投影されるものである。そしてこの線状
パターン２０ａ，２０ｂはショットパターン１０の幅Ｌ
いっぱいに伸びている。そして、ショットパターン１０
の幅Ｌ及びそれに直角方向の幅はステッパの能力内にお
いて、なるべく広くしてショットの回数を少なくするよ
うにしている。そして、ポジタイプのフォトレジストを
使用する場合にはこの線状パターン２０ａ，２０ｂは光
が当たる部分であり、他は破線の外も含めて光りの当た
らない暗部である。
光焼き付けるは図３に示すようにウェーハ１上のストラ
イプ状パターン２ａ，２ｂに対応する線状のパターン２
０ａ，２０ｂを備えるショットパターン１０（破線で囲
まれた矩形部分）を用いる。このショットパターン１０
はレチクル上に形成され、ステッパでウェーハ１上にシ
ョット的に縮小投影されるものである。そしてこの線状
パターン２０ａ，２０ｂはショットパターン１０の幅Ｌ
いっぱいに伸びている。そして、ショットパターン１０
の幅Ｌ及びそれに直角方向の幅はステッパの能力内にお
いて、なるべく広くしてショットの回数を少なくするよ
うにしている。そして、ポジタイプのフォトレジストを
使用する場合にはこの線状パターン２０ａ，２０ｂは光
が当たる部分であり、他は破線の外も含めて光りの当た
らない暗部である。
【０００５】ステッパによりウェーハ１に露光するには
ウェーハ１の送り方向とショットパターン１０の線状パ
ターン２０ａ（２０ｂ）の伸びる方向を正確に角度合わ
せを行った後に図４に破線で示すようにショットパター
ン１０を単位ショットとして送りステップをショットパ
ターン１０の幅Ｌのステップアンドリピートでショット
露光処理する。そして、１行終われば行替えして同様に
（または移動方向を逆に）露光して行く。
ウェーハ１の送り方向とショットパターン１０の線状パ
ターン２０ａ（２０ｂ）の伸びる方向を正確に角度合わ
せを行った後に図４に破線で示すようにショットパター
ン１０を単位ショットとして送りステップをショットパ
ターン１０の幅Ｌのステップアンドリピートでショット
露光処理する。そして、１行終われば行替えして同様に
（または移動方向を逆に）露光して行く。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
同じパターンを突き合わせ状に露光パターニングする
と、露光ショットのつなぎめで下記のような不具合が生
ずることがある。図４における露光ショットＳ１と次の
ショットＳ２とのつなぎめの当たりＡ部の拡大図である
図５を参照して説明する。ステッパの送りの精度や倍率
の精度の関係で図５−ａに示すようにストライプ状パタ
ーン２ａがつながらず途切れることがある。即ちショッ
トＳ１とショットＳ２との間に隙間ｄ１が生じた場合で
ある。隙間ｄ１が極めて小さい場合は近接効果によりパ
ターン２ａはつながるが、隙間ｄ１が大きくなると分断
される。又逆に図５−ｂに示すようにショットＳ１とシ
ョットＳ２とに重なりｄ２が生ずる場合がある。この場
合はパターン２ａはつながるが重なった部分は２回露光
されるのでオーバー露光となり太り３が生ずる。この２
つの不具合の内では後者は比較的にましであるが前者は
途切れた部分で不良となる。そこでこの発明はショット
のつなぎめでパターンが途切れず、太り等の変形を少な
くした露光方法を提供する。
同じパターンを突き合わせ状に露光パターニングする
と、露光ショットのつなぎめで下記のような不具合が生
ずることがある。図４における露光ショットＳ１と次の
ショットＳ２とのつなぎめの当たりＡ部の拡大図である
図５を参照して説明する。ステッパの送りの精度や倍率
の精度の関係で図５−ａに示すようにストライプ状パタ
ーン２ａがつながらず途切れることがある。即ちショッ
トＳ１とショットＳ２との間に隙間ｄ１が生じた場合で
ある。隙間ｄ１が極めて小さい場合は近接効果によりパ
ターン２ａはつながるが、隙間ｄ１が大きくなると分断
される。又逆に図５−ｂに示すようにショットＳ１とシ
ョットＳ２とに重なりｄ２が生ずる場合がある。この場
合はパターン２ａはつながるが重なった部分は２回露光
されるのでオーバー露光となり太り３が生ずる。この２
つの不具合の内では後者は比較的にましであるが前者は
途切れた部分で不良となる。そこでこの発明はショット
のつなぎめでパターンが途切れず、太り等の変形を少な
くした露光方法を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで、この発明は、ス
テッパのショットパターン幅を越えてステッパの送り方
向に連なるストライプ状パターンをステッパにより露光
焼き付けを行う方法であって、ショットパターン幅いっ
ぱいに伸びる線状パターンを備えるショットパターンを
前記ショットパターン幅のピッチで繰り返し配置した状
態の露光をそれぞれ前記ストライプ状パターンの伸びる
方向にずれた位置で複数回重ねあわせた状態で露光する
ことを特徴とするストライプ状パターンの露光方法を提
供する。
テッパのショットパターン幅を越えてステッパの送り方
向に連なるストライプ状パターンをステッパにより露光
焼き付けを行う方法であって、ショットパターン幅いっ
ぱいに伸びる線状パターンを備えるショットパターンを
前記ショットパターン幅のピッチで繰り返し配置した状
態の露光をそれぞれ前記ストライプ状パターンの伸びる
方向にずれた位置で複数回重ねあわせた状態で露光する
ことを特徴とするストライプ状パターンの露光方法を提
供する。
【０００８】この方法によれば、ウェーハ上に焼き付け
られるストライプ状パターンは複数回の露光が重なって
なされ、しかもショットパターンのつなぎめはずれてい
るので、ショットパターンのつなぎめで生じがちな隙間
の発生に伴う部分的な露光不足や重なりに伴う過剰な露
光の比率は重ねた回数分の１に薄められ、パターンのく
ずれを緩和する。
られるストライプ状パターンは複数回の露光が重なって
なされ、しかもショットパターンのつなぎめはずれてい
るので、ショットパターンのつなぎめで生じがちな隙間
の発生に伴う部分的な露光不足や重なりに伴う過剰な露
光の比率は重ねた回数分の１に薄められ、パターンのく
ずれを緩和する。
【０００９】
【発明の実施の形態】この発明はステッパのショットサ
イズを越えて連なるストライプ状パターン例えばウェー
ハの端から端まで連なって伸びるストライプ状のパター
ンをステッパにより露光焼き付けを行う方法において、
ショットパターン間のつなぎ目で生じがちなパターンの
とぎれ、くびれ、太り等のパターンくずれを無くす（ま
たは緩和する）ものである。このようなパターンをステ
ッパで露光するにはショットパターン幅いっぱいに伸び
る線状パターンをつなぎあわせる露光が行われる。この
発明は各露光量は少なくして、複数回の露光を重ねてト
ータル適正な露光量とする。そして、各回のつなぎめの
位置をずらすことにより各つなぎめに生ずる露光量の過
不足を比率として抑制するものであり、ショットパター
ン幅の１／Ｎ（Ｎは２以上の正の整数）のピッチで送っ
てショット露光を行いＮ回の露光を重ねる（この場合各
露光量は適正量の１／Ｎとする）ようにしても良い。さ
らに、従来同様にショットパターン幅のピッチで送って
ショット露光を行うがその位置をストライプ状パターン
の伸びる方向に毎回ずらしてＮ回（Ｎは２以上の整数）
繰り返す方法でも良い。
イズを越えて連なるストライプ状パターン例えばウェー
ハの端から端まで連なって伸びるストライプ状のパター
ンをステッパにより露光焼き付けを行う方法において、
ショットパターン間のつなぎ目で生じがちなパターンの
とぎれ、くびれ、太り等のパターンくずれを無くす（ま
たは緩和する）ものである。このようなパターンをステ
ッパで露光するにはショットパターン幅いっぱいに伸び
る線状パターンをつなぎあわせる露光が行われる。この
発明は各露光量は少なくして、複数回の露光を重ねてト
ータル適正な露光量とする。そして、各回のつなぎめの
位置をずらすことにより各つなぎめに生ずる露光量の過
不足を比率として抑制するものであり、ショットパター
ン幅の１／Ｎ（Ｎは２以上の正の整数）のピッチで送っ
てショット露光を行いＮ回の露光を重ねる（この場合各
露光量は適正量の１／Ｎとする）ようにしても良い。さ
らに、従来同様にショットパターン幅のピッチで送って
ショット露光を行うがその位置をストライプ状パターン
の伸びる方向に毎回ずらしてＮ回（Ｎは２以上の整数）
繰り返す方法でも良い。
【００１０】
【実施例】この発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。この実施例は図４に示すパターンと同じものを形成
するために適用したものである。１ショット焼き付ける
レチクルのパターンは図４に示す従来の方法で使用し、
図３に示すショットパターン１０で良い。図１はパター
ン形成されたウェーハ１の部分平面図である。このウェ
ーハ１は従来例の説明のように半導体レーザ装置の製造
過程の状態である。この実施例では上記のようなパター
ンをステッパにより焼き付けるのに図１に１点鎖線で示
す矩形状の領域Ｔ１のように最初のショットＴ１を図４
に示す従来方法における最初のショットＳ１に比較して
ショットパターン１０の幅Ｌの半分だけ外側からスター
トする。そして、ステップ送りもショットパターン幅の
半分のＬ／２として同じパターンをＴ１、Ｔ２、Ｔ３、
Ｔ４、…のようにステップアンドリピートで露光処理す
る。そうするとストライプ状パターン２ａ，２ｂの部分
は２回の露光が重なってなされる。従って１回の露光量
は適正な露光量の半分で良い。
る。この実施例は図４に示すパターンと同じものを形成
するために適用したものである。１ショット焼き付ける
レチクルのパターンは図４に示す従来の方法で使用し、
図３に示すショットパターン１０で良い。図１はパター
ン形成されたウェーハ１の部分平面図である。このウェ
ーハ１は従来例の説明のように半導体レーザ装置の製造
過程の状態である。この実施例では上記のようなパター
ンをステッパにより焼き付けるのに図１に１点鎖線で示
す矩形状の領域Ｔ１のように最初のショットＴ１を図４
に示す従来方法における最初のショットＳ１に比較して
ショットパターン１０の幅Ｌの半分だけ外側からスター
トする。そして、ステップ送りもショットパターン幅の
半分のＬ／２として同じパターンをＴ１、Ｔ２、Ｔ３、
Ｔ４、…のようにステップアンドリピートで露光処理す
る。そうするとストライプ状パターン２ａ，２ｂの部分
は２回の露光が重なってなされる。従って１回の露光量
は適正な露光量の半分で良い。
【００１１】そうすれば、例えばショットＴ１とショッ
トＴ３とのつなぎめ、ショットＴ２とショットＴ３との
つなぎめ目等パターンのつなぎめは図４に示す従来の露
光方法に比較して約２倍の個所に生ずる。しかしなが
ら、図１における露光ショットＴ２とショットＴ４との
つなぎめの当たりＢ部の拡大図である図２に示すよう
に、ステッパの送りの精度や倍率の精度の関係で図２−
ａに示すようなショットＴ２とショットＴ４との間に隙
間ｄ１が生じた場合でも、隙間ｄ１の部分はショットＴ
３で露光されているのでストライプ状パターン２ａが途
切れずに接続する。しかしながら、露光量が他の部分の
１／２と不足するのでくびれ４が発生することがある。
しかしながら、分断するよりはましである。そして、逆
に図２−ｂに示すようにショットＴ２とショットＴ４と
に重なりｄ２が生ずる場合は重なった部分は３回露光さ
れるのでオーバー露光となるが、他の部分の１．５倍な
ので図５−ｂに示す場合のように２倍の露光が行われた
もののような大きな太りは生じない。
トＴ３とのつなぎめ、ショットＴ２とショットＴ３との
つなぎめ目等パターンのつなぎめは図４に示す従来の露
光方法に比較して約２倍の個所に生ずる。しかしなが
ら、図１における露光ショットＴ２とショットＴ４との
つなぎめの当たりＢ部の拡大図である図２に示すよう
に、ステッパの送りの精度や倍率の精度の関係で図２−
ａに示すようなショットＴ２とショットＴ４との間に隙
間ｄ１が生じた場合でも、隙間ｄ１の部分はショットＴ
３で露光されているのでストライプ状パターン２ａが途
切れずに接続する。しかしながら、露光量が他の部分の
１／２と不足するのでくびれ４が発生することがある。
しかしながら、分断するよりはましである。そして、逆
に図２−ｂに示すようにショットＴ２とショットＴ４と
に重なりｄ２が生ずる場合は重なった部分は３回露光さ
れるのでオーバー露光となるが、他の部分の１．５倍な
ので図５−ｂに示す場合のように２倍の露光が行われた
もののような大きな太りは生じない。
【００１２】
【実施例２】次に上記第１実施例に比較してつなぎめに
おける露光の過不足の割合をより小さくしてパターンの
異常を無くすことが出来る方法を説明する。この実施例
で上記第１の実施例と異なる点は第１の実施例では最初
のショットＴ１を図４に示す従来方法における最初のシ
ョットＳ１に比較してショットパターン１０の幅Ｌの半
分だけ外側よりスタートしたのに対し、この実施例では
３Ｌ／４だけ外側からスタートする。そして、ステップ
送りは第１の実施例がＬ／２であるのに対してこの実施
例ではＬ／４とする。そうするとストライプ状パターン
２ａ，２ｂの部分は４回の露光が重なってなされる。従
って１回の露光量は適正な露光量の１／４で良い。そう
すれば、ショットとショットとのつなぎめは多く出来る
が、それらつなぎめで生ずる露光の過不足は適正露光量
の１／４に小さくなるのでつなぎめ目におけるパターン
の太りやくびれは無視できるようになる。その代わりに
ショットの回数は図４に示す従来の露光方法に比較して
約４倍のとなる。但し、１ショットの露光時間は１／４
に短くなる。
おける露光の過不足の割合をより小さくしてパターンの
異常を無くすことが出来る方法を説明する。この実施例
で上記第１の実施例と異なる点は第１の実施例では最初
のショットＴ１を図４に示す従来方法における最初のシ
ョットＳ１に比較してショットパターン１０の幅Ｌの半
分だけ外側よりスタートしたのに対し、この実施例では
３Ｌ／４だけ外側からスタートする。そして、ステップ
送りは第１の実施例がＬ／２であるのに対してこの実施
例ではＬ／４とする。そうするとストライプ状パターン
２ａ，２ｂの部分は４回の露光が重なってなされる。従
って１回の露光量は適正な露光量の１／４で良い。そう
すれば、ショットとショットとのつなぎめは多く出来る
が、それらつなぎめで生ずる露光の過不足は適正露光量
の１／４に小さくなるのでつなぎめ目におけるパターン
の太りやくびれは無視できるようになる。その代わりに
ショットの回数は図４に示す従来の露光方法に比較して
約４倍のとなる。但し、１ショットの露光時間は１／４
に短くなる。
【００１３】上記第１、第２の実施例はショットパター
ンの幅Ｌの１／Ｎ（正の整数）を送り寸法としてＮ回の
露光を重ねるのが１回のステップアンドリピート露光処
理で行なえるようにしたが、例えば第１の実施例に代え
てまず露光量は１／２とするが図４に示す従来の方法で
（即ちショットパターンの幅Ｌでステップ送りして）ウ
ェーハ全面に渡って１回目の露光処理をおこない、引き
続きスタート位置を１回目の位置から例えば移動方向の
反対側にＬより小さい寸法（正確に１／２である必要は
ない）ずらせて送りステップは同じＬで２回目の露光処
理を行う方法でも良い。同様に第２の実施例に代わる方
法として毎回少しづつスタート位置をずらして各回送り
ステップをＬとしてウェーハ全面に露光処理して、その
結果４回の露光が重なるようにしても良い。
ンの幅Ｌの１／Ｎ（正の整数）を送り寸法としてＮ回の
露光を重ねるのが１回のステップアンドリピート露光処
理で行なえるようにしたが、例えば第１の実施例に代え
てまず露光量は１／２とするが図４に示す従来の方法で
（即ちショットパターンの幅Ｌでステップ送りして）ウ
ェーハ全面に渡って１回目の露光処理をおこない、引き
続きスタート位置を１回目の位置から例えば移動方向の
反対側にＬより小さい寸法（正確に１／２である必要は
ない）ずらせて送りステップは同じＬで２回目の露光処
理を行う方法でも良い。同様に第２の実施例に代わる方
法として毎回少しづつスタート位置をずらして各回送り
ステップをＬとしてウェーハ全面に露光処理して、その
結果４回の露光が重なるようにしても良い。
【００１４】なお、上記各実施例はステッパの順次送り
方向（行方向）に伸びるストライプパターンに付いて説
明したが、列方向に伸びるストライプ状パターンに対し
てはステッパの行がえ処理を上記思想に基づいて行えば
良いことは言うまでもない。
方向（行方向）に伸びるストライプパターンに付いて説
明したが、列方向に伸びるストライプ状パターンに対し
てはステッパの行がえ処理を上記思想に基づいて行えば
良いことは言うまでもない。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明よれば、
ステッパのショットパターンサイズを越えて連なるスト
ライプ状パターン（例えばウェーハの端から端まで連な
るストライプ状パターン）をステッパにより露光焼き付
けを行う際にショットパターンのつなぎめで生ずるパタ
ーンのくずれを緩和する。
ステッパのショットパターンサイズを越えて連なるスト
ライプ状パターン（例えばウェーハの端から端まで連な
るストライプ状パターン）をステッパにより露光焼き付
けを行う際にショットパターンのつなぎめで生ずるパタ
ーンのくずれを緩和する。
【図１】 この発明の一実施例を説明するウェーハの平
面図
面図
【図２】 その部分拡大図 （ａ）隙間が生じた場合 （ｂ）重なりが生じた場合
【図３】 ショットパターンを示す平面図
【図４】 従来の方法を説明するウェーハの平面図
【図５】 その部分拡大図 （ａ）隙間が生じた場合 （ｂ）重なりが生じた場合
１０ ショットパターン Ｌ ショットパターン幅 ２ａ，２ｂ ストライプ状パターン ２０ａ，２０ｂ 線状パターン
Claims (3)
- 【請求項１】ステッパのショットパターン幅を越えてス
テッパの送り方向に連なるストライプ状パターンをステ
ッパにより露光焼き付けを行う方法であって、 ショットパターン幅いっぱいに伸びる線状パターンを備
えるショットパターンを前記ショットパターン幅のピッ
チで繰り返し配置した状態の露光をそれぞれ前記ストラ
イプ状パターンの伸びる方向にずれた位置で複数回重ね
あわせた状態で露光することを特徴とするストライプ状
パターンの露光方法。 - 【請求項２】ステッパのショットパターン幅を越えてス
テッパの送り方向に連なるストライプ状パターンをステ
ッパにより露光焼き付けを行う方法であって、 ショットパターン幅いっぱいに伸びる線状パターンを備
えるショットパターンを前記ショットパターン幅の１／
Ｎ（Ｎは２以上の正の整数）のピッチで送ってショット
露光を行うことを特徴とするストライプ状パターンの露
光方法。 - 【請求項３】ステッパのショットパターン幅を越えてス
テッパの送り方向に連なるストライプ状パターンをステ
ッパにより露光焼き付けを行う方法であって、 ショットパターン幅いっぱいに伸びる線状パターンを備
えるショットパターンを前記ショットパターン幅のピッ
チで送ってショット露光を行う処理をその位置を前記ス
トライプ状パターンの伸びる方向に毎回ずらして２回以
上繰り返すことを特徴とするストライプ状パターンの露
光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115609A JP2000306818A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | ストライプ状パターンの露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11115609A JP2000306818A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | ストライプ状パターンの露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306818A true JP2000306818A (ja) | 2000-11-02 |
Family
ID=14666890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11115609A Pending JP2000306818A (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | ストライプ状パターンの露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000306818A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025266A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Toray Industries, Inc. | ディスプレイ用部材の露光方法およびプラズマディスプレイ用部材の製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50159268A (ja) * | 1974-06-11 | 1975-12-23 | ||
| JPS57112016A (en) * | 1980-12-29 | 1982-07-12 | Fujitsu Ltd | Exposure of electron beam |
| JPS62285418A (ja) * | 1986-06-03 | 1987-12-11 | Fujitsu Ltd | 微細幅パタ−ンの露光方法 |
| JPH0330313A (ja) * | 1989-06-27 | 1991-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パターン形成方法 |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11115609A patent/JP2000306818A/ja active Pending
Patent Citations (4)
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