JP2000306875A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JP2000306875A JP2000306875A JP11115402A JP11540299A JP2000306875A JP 2000306875 A JP2000306875 A JP 2000306875A JP 11115402 A JP11115402 A JP 11115402A JP 11540299 A JP11540299 A JP 11540299A JP 2000306875 A JP2000306875 A JP 2000306875A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dicing
- semiconductor device
- tape
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P54/00—Cutting or separating of wafers, substrates or parts of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
- H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7422—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は大口径のウェーハを研削して薄型化
する半導体装置の製造方法に関し、製造歩留り及びスル
ープットの向上を図ることを課題とする。 【解決手段】 ウェーハ３０の表面に保護テープ３２を
貼り付け（ステップＳ２０）、ウェーハ３０をウェーハ
フレーム３４に張設されたダイシングテープ３６に保護
テープ３２を介して貼り付ける（ステップＳ２２）。ダ
イシングテープ３６にウェーハ３０が貼り付けられた状
態で、ウェーハ３０の背面を研削する（ステップＳ２
４）。その後、ダイシングテープ３６にウェーハ３０が
貼り付けられた状態でウェーハ３０をフルダイシングし
て半導体装置を形成する（ステップＳ２６）。
する半導体装置の製造方法に関し、製造歩留り及びスル
ープットの向上を図ることを課題とする。 【解決手段】 ウェーハ３０の表面に保護テープ３２を
貼り付け（ステップＳ２０）、ウェーハ３０をウェーハ
フレーム３４に張設されたダイシングテープ３６に保護
テープ３２を介して貼り付ける（ステップＳ２２）。ダ
イシングテープ３６にウェーハ３０が貼り付けられた状
態で、ウェーハ３０の背面を研削する（ステップＳ２
４）。その後、ダイシングテープ３６にウェーハ３０が
貼り付けられた状態でウェーハ３０をフルダイシングし
て半導体装置を形成する（ステップＳ２６）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に係り、特に大口径のウェーハをグラインディング
（研削）して薄型化する半導体装置の製造方法に関す
る。半導体装置の製造工程において、表面に素子が形成
されたウェーハは、その厚みを減少するためにグライン
ディング工程にかけられる。グラインディングは、ウェ
ーハの素子が形成されていない面（背面）に対して行わ
れる。
法に係り、特に大口径のウェーハをグラインディング
（研削）して薄型化する半導体装置の製造方法に関す
る。半導体装置の製造工程において、表面に素子が形成
されたウェーハは、その厚みを減少するためにグライン
ディング工程にかけられる。グラインディングは、ウェ
ーハの素子が形成されていない面（背面）に対して行わ
れる。
【０００２】近年、半導体装置の生産性を向上するため
に大口径のウェーハが使用されてきている。また、ＩＣ
カード等への用途により薄型の半導体装置が要求されて
おり、その分ウェーハの厚みを薄くしなくてはならな
い。更に、ウェーハの状態でバンプを形成してしまうい
わゆるバンプ付きウェーハが多くなってきている。しか
し、ウェーハの大口径化、厚みの減少及びバンプ付きウ
ェーハは、製造工程においてウェーハが割れる確率を増
大させてしまう。
に大口径のウェーハが使用されてきている。また、ＩＣ
カード等への用途により薄型の半導体装置が要求されて
おり、その分ウェーハの厚みを薄くしなくてはならな
い。更に、ウェーハの状態でバンプを形成してしまうい
わゆるバンプ付きウェーハが多くなってきている。しか
し、ウェーハの大口径化、厚みの減少及びバンプ付きウ
ェーハは、製造工程においてウェーハが割れる確率を増
大させてしまう。
【０００３】例えば、大口径のウェーハをグラインディ
ングする際、ウェーハの厚みは２００μｍ程度が限界で
ある。すなわち、ウェーハの厚みを２００μｍ以下まで
グラインディングすると、グラインディング時及びハン
ドリング時にウェーハの割れが多発する。また、バンプ
付きウェーハにおいては、バンプが突起物として作用す
るため、グラインディング時にウェーハが割れる確率は
更に増大してしまう。
ングする際、ウェーハの厚みは２００μｍ程度が限界で
ある。すなわち、ウェーハの厚みを２００μｍ以下まで
グラインディングすると、グラインディング時及びハン
ドリング時にウェーハの割れが多発する。また、バンプ
付きウェーハにおいては、バンプが突起物として作用す
るため、グラインディング時にウェーハが割れる確率は
更に増大してしまう。
【０００４】したがって、大口径で且つ厚さの薄いウェ
ーハであっても、ウェーハを破損させることなく且つ高
いスループットでグラインディング及びダイシングを行
なうことのできる技術が望まれている。
ーハであっても、ウェーハを破損させることなく且つ高
いスループットでグラインディング及びダイシングを行
なうことのできる技術が望まれている。
【０００５】
【従来の技術】従来の半導体装置の製造方法について、
図１乃至図６を用いて説明する。周知のように、半導体
装置の製造工程は、グラインディング工程とダイシング
工程とを含んでいる。グラインディング工程では、ウェ
ーハの背面に対しグラインディング（バックグラインデ
ィング）が行なわれ、ウェーハは所定の厚さとされる。
ダイシング工程では、ウェーハに対しダイシングが行な
われ、個々の半導体チップに分割される。
図１乃至図６を用いて説明する。周知のように、半導体
装置の製造工程は、グラインディング工程とダイシング
工程とを含んでいる。グラインディング工程では、ウェ
ーハの背面に対しグラインディング（バックグラインデ
ィング）が行なわれ、ウェーハは所定の厚さとされる。
ダイシング工程では、ウェーハに対しダイシングが行な
われ、個々の半導体チップに分割される。
【０００６】図１は、ダイシング工程とグラインディン
グ工程とを実施する従来方法の一例を示す。図１に示さ
れる従来方法では、表面に回路が形成されたウェーハに
保護テープを貼り付け（ステップＳ１０）、ウェーハの
背面をグラインディングし（ステップＳ１２）、ウェー
ハを裏返してからダイシングテープに貼り付け（ステッ
プＳ１４）、ウェーハを表面側からダイシングする（ス
テップＳ１６）。
グ工程とを実施する従来方法の一例を示す。図１に示さ
れる従来方法では、表面に回路が形成されたウェーハに
保護テープを貼り付け（ステップＳ１０）、ウェーハの
背面をグラインディングし（ステップＳ１２）、ウェー
ハを裏返してからダイシングテープに貼り付け（ステッ
プＳ１４）、ウェーハを表面側からダイシングする（ス
テップＳ１６）。
【０００７】図２は、図１に示す保護テープ貼り付け工
程（ステップＳ１０）を説明するための図である。図３
は、図１に示すグラインディング工程（ステップＳ１
２）を説明するための図である。図４は、図１に示すダ
イシングテープ貼り付け工程（ステップＳ１４）を説明
するための図である。図５は、図１に示すダイシング工
程（ステップＳ１６）を説明するための図である。
程（ステップＳ１０）を説明するための図である。図３
は、図１に示すグラインディング工程（ステップＳ１
２）を説明するための図である。図４は、図１に示すダ
イシングテープ貼り付け工程（ステップＳ１４）を説明
するための図である。図５は、図１に示すダイシング工
程（ステップＳ１６）を説明するための図である。
【０００８】グラインディングされるウェーハ１０の表
面には、予め半導体用回路が形成されている。まず、図
２に示されるように、ウェーハ１０の表面に形成されて
いる回路を保護するために、ウェーハ１０の表面に保護
テープ１２が貼られる。そして、ウェーハ１０は、保護
テープ１２を介して真空チャックテーブル上に吸引固定
される。保護テープ１２は樹脂により形成されており、
その表面には紫外線（ＵＶ）硬化型の接着剤が塗布され
ている。ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空
チャックグテーブル上に固定された状態でグラインディ
ングされる。
面には、予め半導体用回路が形成されている。まず、図
２に示されるように、ウェーハ１０の表面に形成されて
いる回路を保護するために、ウェーハ１０の表面に保護
テープ１２が貼られる。そして、ウェーハ１０は、保護
テープ１２を介して真空チャックテーブル上に吸引固定
される。保護テープ１２は樹脂により形成されており、
その表面には紫外線（ＵＶ）硬化型の接着剤が塗布され
ている。ウェーハ１０は、保護テープ１２を介して真空
チャックグテーブル上に固定された状態でグラインディ
ングされる。
【０００９】グラインディング工程では、図３に示すよ
うに、研削工具１８を用いてウェーハ１０の背面をグラ
インディングし、ウェーハ１０の厚さを所定の厚さまで
減少させる。具体的には、回転する研削工具１８を研磨
液を供給しつつ図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動させるこ
とによりグラインディングを行なう。これにより、所定
の厚さを有したウェーハ１０が形成される。
うに、研削工具１８を用いてウェーハ１０の背面をグラ
インディングし、ウェーハ１０の厚さを所定の厚さまで
減少させる。具体的には、回転する研削工具１８を研磨
液を供給しつつ図中矢印Ｘ１，Ｘ２方向に移動させるこ
とによりグラインディングを行なう。これにより、所定
の厚さを有したウェーハ１０が形成される。
【００１０】上述のグラインディング工程が終了する
と、保護テープ１２はウェーハ１０から剥がされる。そ
して、図４に示されるように、回路が形成された表面が
上を向くように、ウェーハフレーム１４に張られたダイ
シングテープ２０に貼り付けられる。ダイシングテープ
２０は樹脂により形成されており、その表面には接着剤
が塗布されている。ウェーハ１０は、上述の接着剤によ
りダイシングテープ２０に貼り付けられた状態でダイシ
ングされる。
と、保護テープ１２はウェーハ１０から剥がされる。そ
して、図４に示されるように、回路が形成された表面が
上を向くように、ウェーハフレーム１４に張られたダイ
シングテープ２０に貼り付けられる。ダイシングテープ
２０は樹脂により形成されており、その表面には接着剤
が塗布されている。ウェーハ１０は、上述の接着剤によ
りダイシングテープ２０に貼り付けられた状態でダイシ
ングされる。
【００１１】ダイシング工程では、図５に示すように、
ウェーハ１０は、ダイシングソー２２を用いてダイシン
グされる。ダイシングはウェーハ１０の表面に形成され
ているスクライブラインの画像をモニタしながら行われ
る。これにより、ウェーハ１０は複数個の半導体チップ
１１に分割される。
ウェーハ１０は、ダイシングソー２２を用いてダイシン
グされる。ダイシングはウェーハ１０の表面に形成され
ているスクライブラインの画像をモニタしながら行われ
る。これにより、ウェーハ１０は複数個の半導体チップ
１１に分割される。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来の方法で
は、ダイシング工程に先立ってグラインディングが行わ
れるので、研削工具によりウェーハ１０の一部分に対し
て押圧力が加わることとなる。グラインディングにより
ウェーハ１０の厚さが減少して２００μｍ以下になる
と、ウェーハ１０自体の強度が減少するため、グライン
ディング時にウェーハの割れが発生する恐れがある。特
に、ウェーハ１０の厚さを５０μｍまでグラインディン
グする場合は、割れが多発するという問題がある。ま
た、バンプ付きウェーハの場合は、バンプが突起物とな
り、この突起物の上にウェーハ１０が位置してグライン
ディングされる状態となる。このため、ウェーハ１０に
割れが生じる確率は更に高くなる。
は、ダイシング工程に先立ってグラインディングが行わ
れるので、研削工具によりウェーハ１０の一部分に対し
て押圧力が加わることとなる。グラインディングにより
ウェーハ１０の厚さが減少して２００μｍ以下になる
と、ウェーハ１０自体の強度が減少するため、グライン
ディング時にウェーハの割れが発生する恐れがある。特
に、ウェーハ１０の厚さを５０μｍまでグラインディン
グする場合は、割れが多発するという問題がある。ま
た、バンプ付きウェーハの場合は、バンプが突起物とな
り、この突起物の上にウェーハ１０が位置してグライン
ディングされる状態となる。このため、ウェーハ１０に
割れが生じる確率は更に高くなる。
【００１３】また、上述の従来の方法では、所定の厚さ
までウェーハ１０をグラインディングした後に、ウェー
ハ１０は保護テープ１２が剥がされて裏返される。すな
わち、グラインディング工程が終了した時点では、ウェ
ーハ１０はその背面が上を向いている。したがって、ウ
ェーハ１０を表面側からダイシングするために、ウェー
ハ１０はその表面を上に向けてダイシングテープ２０に
貼り付けられる。
までウェーハ１０をグラインディングした後に、ウェー
ハ１０は保護テープ１２が剥がされて裏返される。すな
わち、グラインディング工程が終了した時点では、ウェ
ーハ１０はその背面が上を向いている。したがって、ウ
ェーハ１０を表面側からダイシングするために、ウェー
ハ１０はその表面を上に向けてダイシングテープ２０に
貼り付けられる。
【００１４】ところが、ウェーハ１０はグラインディン
グされその厚みが減少しているので、保護テープ１２が
剥がされると、図６に示すようにウェーハ１０に反りが
発生してしまう。この反りの大きさは、ダイシングテー
プ２０からのウェーハ１０の最大離間距離（図中、矢印
Ｈで示す）で表わすことができる。６インチウェーハを
厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約
２ｃｍの反り（Ｈ＝２ｃｍ）が発生する。また、８イン
チウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした
場合には、約３ｃｍの反り（Ｈ＝３ｃｍ）が発生する。
グされその厚みが減少しているので、保護テープ１２が
剥がされると、図６に示すようにウェーハ１０に反りが
発生してしまう。この反りの大きさは、ダイシングテー
プ２０からのウェーハ１０の最大離間距離（図中、矢印
Ｈで示す）で表わすことができる。６インチウェーハを
厚さ２００μｍまでグラインディングした場合には、約
２ｃｍの反り（Ｈ＝２ｃｍ）が発生する。また、８イン
チウェーハを厚さ２００μｍまでグラインディングした
場合には、約３ｃｍの反り（Ｈ＝３ｃｍ）が発生する。
【００１５】このようにウェーハ１０に反りが発生する
と、ウェーハ１０を適正にハンドリングすることが困難
となるという問題がある。最悪の場合には、ハンドリン
グ時にウェーハ１０の割れが多発するという問題が生じ
る。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、大
口径化され且つ厚みの減少したウェーハを用いて半導体
装置を製造する際に、製造歩留り及びスループットの向
上を図り得る半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
と、ウェーハ１０を適正にハンドリングすることが困難
となるという問題がある。最悪の場合には、ハンドリン
グ時にウェーハ１０の割れが多発するという問題が生じ
る。本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、大
口径化され且つ厚みの減少したウェーハを用いて半導体
装置を製造する際に、製造歩留り及びスループットの向
上を図り得る半導体装置の製造方法を提供することを目
的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る各手段を講じることにより解決することができる。請
求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、回路
が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウ
ェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装の置製造
方法であって、前記ウェーハの表面に保護テープを貼り
付ける保護テープ貼り付け工程と、前記ウェーハより径
の大きいウェーハフレームが周囲に設けられたダイシン
グテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り
付けるフレーム取り付け工程と、前記ダイシングテープ
に前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハ
の背面を研削する研削工程と、前記研削工程が終了した
後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付け
られた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記
半導体装置を形成するダイシング工程と、を有すること
を特徴とするものである。
る各手段を講じることにより解決することができる。請
求項１記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、回路
が形成された表面と該表面の反対側の背面とを有するウ
ェーハを用いて半導体装置を製造する半導体装の置製造
方法であって、前記ウェーハの表面に保護テープを貼り
付ける保護テープ貼り付け工程と、前記ウェーハより径
の大きいウェーハフレームが周囲に設けられたダイシン
グテープに前記ウェーハを前記保護テープを介して貼り
付けるフレーム取り付け工程と、前記ダイシングテープ
に前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハ
の背面を研削する研削工程と、前記研削工程が終了した
後に、前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付け
られた状態で、前記ウェーハをフルダイシングして前記
半導体装置を形成するダイシング工程と、を有すること
を特徴とするものである。
【００１７】また、請求項２記載の発明は、請求項１記
載の半導体装置の製造方法において、前記保護テープは
紫外線硬化型の粘着剤により前記ウェーハに貼り付けら
れ、前記ダイシング工程終了後に前記粘着剤に対して紫
外線を照射する紫外線照射工程を更に含むことを特徴と
するものである。
載の半導体装置の製造方法において、前記保護テープは
紫外線硬化型の粘着剤により前記ウェーハに貼り付けら
れ、前記ダイシング工程終了後に前記粘着剤に対して紫
外線を照射する紫外線照射工程を更に含むことを特徴と
するものである。
【００１８】また、請求項３記載の発明は、請求項１ま
たは２記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイ
シング工程では、前記ウェーハの背面から赤外線を照射
し、その反射光に基づきダイシング位置を認識すること
を特徴とするものである。また、請求項４記載の発明
は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装
置の製造方法において、前記研削工程は、前記ウェーハ
フレームを真空チャックテーブルに吸引固定する固定工
程を含み、前記チャックテーブルの大きさは前記ウェー
ハフレームより大きくしたことを特徴とするものであ
る。
たは２記載の半導体装置の製造方法において、前記ダイ
シング工程では、前記ウェーハの背面から赤外線を照射
し、その反射光に基づきダイシング位置を認識すること
を特徴とするものである。また、請求項４記載の発明
は、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の半導体装
置の製造方法において、前記研削工程は、前記ウェーハ
フレームを真空チャックテーブルに吸引固定する固定工
程を含み、前記チャックテーブルの大きさは前記ウェー
ハフレームより大きくしたことを特徴とするものであ
る。
【００１９】また、請求項５記載の発明は、請求項１乃
至４のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ダイシング工程が終了した後に、吸引保持
工具により前記半導体装置を保持しながら前記半導体装
置を前記ダイシングテープを介して突き上げることによ
り、前記半導体装置を前記保護テープから取り外す取り
外し工程を更に含むことを特徴とするものである。
至４のうちいずれか一項記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記ダイシング工程が終了した後に、吸引保持
工具により前記半導体装置を保持しながら前記半導体装
置を前記ダイシングテープを介して突き上げることによ
り、前記半導体装置を前記保護テープから取り外す取り
外し工程を更に含むことを特徴とするものである。
【００２０】上記の各手段は、次のように作用する。請
求項１の発明によれば、研削前のウェーハの回路が形成
された表面を有するウェーハに保護テープが貼り付けら
れる。この保護テープは研削時に回路を保護する役目を
果たすものである。また、保護テープは、研削時に研削
工具からの押圧力を吸収するクッション材としても作用
する。すなわち、フレーム取り付け工程において、ウェ
ーハは保護テープを介してダイシングテープに貼り付け
られる。続く研削工程において、研削工具がフレームの
背面に押し付けられたとき、その押圧力をダイシングテ
ープと共に吸収する。したがって、研削時にウェーハに
作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテー
プとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効
果的に防止することができる。
求項１の発明によれば、研削前のウェーハの回路が形成
された表面を有するウェーハに保護テープが貼り付けら
れる。この保護テープは研削時に回路を保護する役目を
果たすものである。また、保護テープは、研削時に研削
工具からの押圧力を吸収するクッション材としても作用
する。すなわち、フレーム取り付け工程において、ウェ
ーハは保護テープを介してダイシングテープに貼り付け
られる。続く研削工程において、研削工具がフレームの
背面に押し付けられたとき、その押圧力をダイシングテ
ープと共に吸収する。したがって、研削時にウェーハに
作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシングテー
プとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割れを効
果的に防止することができる。
【００２１】研削工程が終了すると、ウェーハがダイシ
ングテープに貼り付けられた状態で、ダイシング工程が
行われる。すなわち、ダイシングは、ウェーハの背面側
から行われる。したがって、研削後の厚みの薄いウェー
ハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無
くダイシングが行われる。したがって、厚みの薄いウェ
ーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無
い。
ングテープに貼り付けられた状態で、ダイシング工程が
行われる。すなわち、ダイシングは、ウェーハの背面側
から行われる。したがって、研削後の厚みの薄いウェー
ハからダイシングテープ及び保護テープを剥がすこと無
くダイシングが行われる。したがって、厚みの薄いウェ
ーハの反りに起因するウェーハの割れが生じることは無
い。
【００２２】上述のように、請求項１の発明によれば、
研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハ
ンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止す
ることができる。よって、高い製造歩留り及びスループ
ットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後
の保護テープの粘着剤に紫外線が照射される。粘着剤は
紫外線硬化型であり、したがって、紫外線が照射される
ことにより、粘着力が弱まってダイシングされたウェー
ハを容易に剥がすことができる。
研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハ
ンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止す
ることができる。よって、高い製造歩留り及びスループ
ットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
請求項２の発明によれば、ダイシング工程が終了した後
の保護テープの粘着剤に紫外線が照射される。粘着剤は
紫外線硬化型であり、したがって、紫外線が照射される
ことにより、粘着力が弱まってダイシングされたウェー
ハを容易に剥がすことができる。
【００２３】また、請求項３記載の発明によれば、ダイ
シング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射
し、その反射光に基づきダイシング位置を認識すること
により、ウェーハの回路が形成されていない面（すなわ
ち背面）からダイシングを行なうことが可能となる。一
般にダイシング工程においては、ウェーハの回路形成面
に回路パターンの形成と共に形成されたスクライブライ
ンを基準としてダイシングが行なわれる。しかるに、研
削を行なうのは回路形成面と反対側の背面であるため、
直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行な
うには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの
上下を反転させる必要が生じる。
シング工程において、ウェーハの背面から赤外線を照射
し、その反射光に基づきダイシング位置を認識すること
により、ウェーハの回路が形成されていない面（すなわ
ち背面）からダイシングを行なうことが可能となる。一
般にダイシング工程においては、ウェーハの回路形成面
に回路パターンの形成と共に形成されたスクライブライ
ンを基準としてダイシングが行なわれる。しかるに、研
削を行なうのは回路形成面と反対側の背面であるため、
直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行な
うには、研削工程とダイシング工程との間でウェーハの
上下を反転させる必要が生じる。
【００２４】スクライブライン上にはアルミニウム等で
形成されたマークが各所に存在しており、このマークを
基準としてスクライブラインを認識することができる。
赤外線は、ウェーハを透過するがアルミニウムのマーク
では反射されるので、赤外線を利用してウェーハの背面
からダイシング位置（スクライブライン）を画像認識す
ることができる。これにより、研削工程とダイシング工
程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくな
り、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハン
ドリングに起因する割れを防止することができる。ま
た、製造工程の簡単化を図ることができる。
形成されたマークが各所に存在しており、このマークを
基準としてスクライブラインを認識することができる。
赤外線は、ウェーハを透過するがアルミニウムのマーク
では反射されるので、赤外線を利用してウェーハの背面
からダイシング位置（スクライブライン）を画像認識す
ることができる。これにより、研削工程とダイシング工
程との間でウェーハの上下を反転させる必要がなくな
り、研削工程とダイシング工程との間のウェーハのハン
ドリングに起因する割れを防止することができる。ま
た、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００２５】請求項４記載の発明によれば、ウェーハフ
レーム吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウ
ェーハフレームと同じ大きさとされる。これにより、ウ
ェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真
空チャックテーブルに支持されることとなる。したがっ
て、ウェーハは、研削工程及びダイシング工程において
安定して平面上に支持される。
レーム吸引固定するための真空チャックテーブルは、ウ
ェーハフレームと同じ大きさとされる。これにより、ウ
ェーハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真
空チャックテーブルに支持されることとなる。したがっ
て、ウェーハは、研削工程及びダイシング工程において
安定して平面上に支持される。
【００２６】更に、請求項５記載の発明によれば、ダイ
シング工程が終了した後に保護テープから剥がされるの
で、貼り付けられている面積は小さい。したがって、半
導体装置を剥がすために必要な力は小さくてよい。加え
て、吸引保持工具により半導体装置を保持しながら半導
体装置をダイシングテープを介して突き上げることによ
り、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲
し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきかけ
となる。したがって、半導体装置を保護テープから容易
に取り外すことができる。
シング工程が終了した後に保護テープから剥がされるの
で、貼り付けられている面積は小さい。したがって、半
導体装置を剥がすために必要な力は小さくてよい。加え
て、吸引保持工具により半導体装置を保持しながら半導
体装置をダイシングテープを介して突き上げることによ
り、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲
し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきかけ
となる。したがって、半導体装置を保護テープから容易
に取り外すことができる。
【００２７】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図７は、本発明の一実施例によ
る半導体装置の製造方法を示す工程図である。尚、本発
明に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハをダイシン
グするダイシング工程及びウェーハをグラインディング
するグラインディング工程（研削工程）に特に関連する
ものであり、他の製造工程は従来と同様である。したが
って、本実施例では、研削工程及びダイシング工程及び
これに関連する工程について説明し、他の製造工程の説
明は省略するものとする。
て図面と共に説明する。図７は、本発明の一実施例によ
る半導体装置の製造方法を示す工程図である。尚、本発
明に係る半導体装置の製造方法は、ウェーハをダイシン
グするダイシング工程及びウェーハをグラインディング
するグラインディング工程（研削工程）に特に関連する
ものであり、他の製造工程は従来と同様である。したが
って、本実施例では、研削工程及びダイシング工程及び
これに関連する工程について説明し、他の製造工程の説
明は省略するものとする。
【００２８】本実施例に係る半導体装置の製造方法で
は、図７に示すように、保護テープ貼り付け工程（ステ
ップＳ２０），フレーム取り付け工程（ステップＳ２
２），研削工程（ステップＳ２４），ダイシング工程
（ステップＳ２６）及びチップ取り外し工程（ステップ
Ｓ２８）を順次実施する。以下、上述の各工程を詳細に
説明する。
は、図７に示すように、保護テープ貼り付け工程（ステ
ップＳ２０），フレーム取り付け工程（ステップＳ２
２），研削工程（ステップＳ２４），ダイシング工程
（ステップＳ２６）及びチップ取り外し工程（ステップ
Ｓ２８）を順次実施する。以下、上述の各工程を詳細に
説明する。
【００２９】図８は、保護テープ貼り付け工程（ステッ
プＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２
２）を説明するための図である。ウェーハ３０には、予
めその表面に半導体装置を形成する回路が形成されてい
る。この表面と反対側の面、すなわち背面を研削してウ
ェーハの厚さを減少するのためにウェーハ３０は研削工
程にかけられる。保護テープ貼り付け工程（ステップＳ
２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）
は、研削工程（ステップＳ２４）の準備工程として実施
される。なお、ウェーハ３０の材料は特に限定されるも
のではなく、シリコン，ガリウムヒ素等の各種半導体基
板材料が使用される。またフェライト等の半導体以外の
基板、またはリチウムタンタレイト（ＬｉＴａＯ3 ) 等
の圧電基板を使用してもよい。
プＳ２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２
２）を説明するための図である。ウェーハ３０には、予
めその表面に半導体装置を形成する回路が形成されてい
る。この表面と反対側の面、すなわち背面を研削してウ
ェーハの厚さを減少するのためにウェーハ３０は研削工
程にかけられる。保護テープ貼り付け工程（ステップＳ
２０）及びフレーム取り付け工程（ステップＳ２２）
は、研削工程（ステップＳ２４）の準備工程として実施
される。なお、ウェーハ３０の材料は特に限定されるも
のではなく、シリコン，ガリウムヒ素等の各種半導体基
板材料が使用される。またフェライト等の半導体以外の
基板、またはリチウムタンタレイト（ＬｉＴａＯ3 ) 等
の圧電基板を使用してもよい。
【００３０】まず、保護テープ貼り付け工程（ステップ
Ｓ２０）において、ウェーハの表面（回路形成面）に保
護テープ３２が貼り付けられる。この保護テープ３２
は、例えばポリエチレンテープにより形成される。保護
テープ３２にはあらかじめ粘着剤が塗布されており、こ
の粘着剤により保護テープ３２はウェーハに貼り付けら
れる。ポリエチレンテープの厚さは約１５０μｍであ
り、粘着剤の厚みは３０〜４０μｍである。
Ｓ２０）において、ウェーハの表面（回路形成面）に保
護テープ３２が貼り付けられる。この保護テープ３２
は、例えばポリエチレンテープにより形成される。保護
テープ３２にはあらかじめ粘着剤が塗布されており、こ
の粘着剤により保護テープ３２はウェーハに貼り付けら
れる。ポリエチレンテープの厚さは約１５０μｍであ
り、粘着剤の厚みは３０〜４０μｍである。
【００３１】次に、フレーム取り付け工程（ステップＳ
２２）において、保護テープ３２が貼り付けられたウェ
ーハ３０は、ウェーハフレーム３４に取り付けられたダ
イシングテープ３６に貼り付けられる。ダイシングテー
プ３６はあらかじめウェーハフレームに張り付けられて
おり、ウェーハ３０を貼り付ける面には粘着剤が塗布さ
れている。ダイシングテープ３６は、例えばポリエチレ
ンテープにより形成されており、その上に粘着剤が塗布
されている。テープの厚さは約７０μｍであり、粘着剤
の厚さは約２０μｍである。この粘着剤により、ウェー
ハ３０は保護テープ３２を介してダイシングテープ３６
に貼り付けられる。すなわち、ウェーハ３０に保護テー
プ３２が貼り付けられ、その保護テープ３２がダイシン
グテープ３６に貼り付けられる。したがって、この状態
では、ウェーハ３０の表面（回路形成面）は保護テープ
３２で保護され、ウェーハ３０の背面が上を向いてい
る。上述のように、ウェーハ３０がウェーハフレーム３
４に取り付けられた後、研削工程（ステップＳ２４）が
実施される。
２２）において、保護テープ３２が貼り付けられたウェ
ーハ３０は、ウェーハフレーム３４に取り付けられたダ
イシングテープ３６に貼り付けられる。ダイシングテー
プ３６はあらかじめウェーハフレームに張り付けられて
おり、ウェーハ３０を貼り付ける面には粘着剤が塗布さ
れている。ダイシングテープ３６は、例えばポリエチレ
ンテープにより形成されており、その上に粘着剤が塗布
されている。テープの厚さは約７０μｍであり、粘着剤
の厚さは約２０μｍである。この粘着剤により、ウェー
ハ３０は保護テープ３２を介してダイシングテープ３６
に貼り付けられる。すなわち、ウェーハ３０に保護テー
プ３２が貼り付けられ、その保護テープ３２がダイシン
グテープ３６に貼り付けられる。したがって、この状態
では、ウェーハ３０の表面（回路形成面）は保護テープ
３２で保護され、ウェーハ３０の背面が上を向いてい
る。上述のように、ウェーハ３０がウェーハフレーム３
４に取り付けられた後、研削工程（ステップＳ２４）が
実施される。
【００３２】図９は、研削工程を説明するための図であ
る。研削工程（ステップＳ２４）において、ウェーハ３
０が取り付けられたウェーハフレーム３４は、真空チャ
ックテーブル（図９中、一点鎖線で示す）上に載置され
る。真空チャックテーブルの大きさは、ウェーハフレー
ム３４より大きい寸法とされており、ダイシングテープ
３２の全面が吸引作用により真空チャックテーブル上に
固定される。したがって、ダイシングテープ３２に貼り
付けられたウェーハ３０も、真空チャックテーブル上に
固定される。したがって、ウェーハ３０は真空チャック
テーブル上にその全面が支持されるため、平面上に安定
して支持される。また、真空チャックテーブルがウェー
ハフレーム３４より大きいため、ウェーハフレーム３４
も真空チャックテーブル上に安定して支持される。よっ
て、真空チャックテーブル上に固定されたウェーハ３０
を安定した状態でグラインディングすることができる。
る。研削工程（ステップＳ２４）において、ウェーハ３
０が取り付けられたウェーハフレーム３４は、真空チャ
ックテーブル（図９中、一点鎖線で示す）上に載置され
る。真空チャックテーブルの大きさは、ウェーハフレー
ム３４より大きい寸法とされており、ダイシングテープ
３２の全面が吸引作用により真空チャックテーブル上に
固定される。したがって、ダイシングテープ３２に貼り
付けられたウェーハ３０も、真空チャックテーブル上に
固定される。したがって、ウェーハ３０は真空チャック
テーブル上にその全面が支持されるため、平面上に安定
して支持される。また、真空チャックテーブルがウェー
ハフレーム３４より大きいため、ウェーハフレーム３４
も真空チャックテーブル上に安定して支持される。よっ
て、真空チャックテーブル上に固定されたウェーハ３０
を安定した状態でグラインディングすることができる。
【００３３】ウェーハ３０が真空チャックテーブル上に
固定された状態で研削が行われる。すなわち、研削工具
３８（例えばダイヤモンドホイール）によりウェーハの
背面を研削することにより、ウェーハ３０の厚さを減少
させる。本実施例では、ウェーハの厚さを約６００μｍ
から約５０μｍまで減少させることができる。本実施例
において、ウェーハ３０は、保護テープ３２及びダイシ
ングテープ３６を介して真空チャックテーブル上に固定
される。また、保護テープ３２及びダイシングテープ３
６に塗布された粘着剤の層も、ウェーハ３０と真空チャ
ックテーブルの間に介在する。したがって、これら保護
テープ３２、ダイシングテープ３６及び粘着剤層がクッ
ションの役割を果たし、研削工具３８による局所的な押
圧力を分散し緩和する。これにより、従来は約２００μ
ｍが限度であったウェーハ３０の厚さを、約５０μｍに
なるまで研削可能となる。
固定された状態で研削が行われる。すなわち、研削工具
３８（例えばダイヤモンドホイール）によりウェーハの
背面を研削することにより、ウェーハ３０の厚さを減少
させる。本実施例では、ウェーハの厚さを約６００μｍ
から約５０μｍまで減少させることができる。本実施例
において、ウェーハ３０は、保護テープ３２及びダイシ
ングテープ３６を介して真空チャックテーブル上に固定
される。また、保護テープ３２及びダイシングテープ３
６に塗布された粘着剤の層も、ウェーハ３０と真空チャ
ックテーブルの間に介在する。したがって、これら保護
テープ３２、ダイシングテープ３６及び粘着剤層がクッ
ションの役割を果たし、研削工具３８による局所的な押
圧力を分散し緩和する。これにより、従来は約２００μ
ｍが限度であったウェーハ３０の厚さを、約５０μｍに
なるまで研削可能となる。
【００３４】上述の研削工程（ステップＳ２４）が終了
すると、次にダイシング工程（ステップＳ２６）が実施
される。本実施例では、研削工程を終了したウェーハ３
０はダイシング装置（図示せず）に搬送されるが、ウェ
ーハフレーム３４に取り付られたままで搬送され、ダイ
シング装置の真空チャックテーブル上に載置される。ま
た、研削装置の真空チャックテーブルに固定されたまま
真空チャックテーブルごとダイシング装置に移動れても
よい。いずれにしろ、ウェーハ３０は保護テープ３２及
びダイシングテープ３６に貼り付けられた状態のままで
ダイシング工程にかけられる。
すると、次にダイシング工程（ステップＳ２６）が実施
される。本実施例では、研削工程を終了したウェーハ３
０はダイシング装置（図示せず）に搬送されるが、ウェ
ーハフレーム３４に取り付られたままで搬送され、ダイ
シング装置の真空チャックテーブル上に載置される。ま
た、研削装置の真空チャックテーブルに固定されたまま
真空チャックテーブルごとダイシング装置に移動れても
よい。いずれにしろ、ウェーハ３０は保護テープ３２及
びダイシングテープ３６に貼り付けられた状態のままで
ダイシング工程にかけられる。
【００３５】図１０及び図１１はダイシング工程を説明
するための図である。ダイシング工程（ステップＳ２
６）では、先ずダイシング装置に設けられている赤外線
カメラ４０を用い、ウェーハ３０のダイシング位置を確
認する処理が実施される。一般にダイシング工程では、
ウェーハ３０の回路形成面側に回路パターンの形成と同
時に形成されたスクライブグラインを基準としてダイシ
ングが行なわれる。
するための図である。ダイシング工程（ステップＳ２
６）では、先ずダイシング装置に設けられている赤外線
カメラ４０を用い、ウェーハ３０のダイシング位置を確
認する処理が実施される。一般にダイシング工程では、
ウェーハ３０の回路形成面側に回路パターンの形成と同
時に形成されたスクライブグラインを基準としてダイシ
ングが行なわれる。
【００３６】しかるに、グラインディング工程では回路
形成面（表面）と反対側の面（背面）をグラインディン
グするため、ウェーハ３０の回路形成面側を下にしてウ
ェーハフレーム３４に取り付ける必要がある。よって、
直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行な
うためには、研削工程とダイシング工程との間でウェー
ハ３０の貼り付け向きを上下反転させることとなる。こ
れは、製造工程数を増やすだけでなく、ウェーハ３０が
ハンドリング中に割れてしまうという問題の原因にもな
る。
形成面（表面）と反対側の面（背面）をグラインディン
グするため、ウェーハ３０の回路形成面側を下にしてウ
ェーハフレーム３４に取り付ける必要がある。よって、
直接ダイシングラインを画像認識してダイシングを行な
うためには、研削工程とダイシング工程との間でウェー
ハ３０の貼り付け向きを上下反転させることとなる。こ
れは、製造工程数を増やすだけでなく、ウェーハ３０が
ハンドリング中に割れてしまうという問題の原因にもな
る。
【００３７】本実施例では、赤外線を利用することによ
り、ウェーハ３０の背面からダイシング位置（スクライ
ブグライン）を認識している。即ち、ウェーハ３０に対
して赤外線を照射した場合、スクライブライン上に形成
されているアルミ製のマークは赤外線を反射する。この
反射された赤外線を赤外線カメラ４０で撮像することに
より、ウェーハ３０の背面からスクライブラインを認識
することが可能となる。よって、研削工程とダイシング
工程との間でウェーハ３０の向きを上下反転させる必要
がなくなり、ハンドリング時のウェーハ３０の割れの問
題が解消され、製造工程の簡単化を図ることができる。
り、ウェーハ３０の背面からダイシング位置（スクライ
ブグライン）を認識している。即ち、ウェーハ３０に対
して赤外線を照射した場合、スクライブライン上に形成
されているアルミ製のマークは赤外線を反射する。この
反射された赤外線を赤外線カメラ４０で撮像することに
より、ウェーハ３０の背面からスクライブラインを認識
することが可能となる。よって、研削工程とダイシング
工程との間でウェーハ３０の向きを上下反転させる必要
がなくなり、ハンドリング時のウェーハ３０の割れの問
題が解消され、製造工程の簡単化を図ることができる。
【００３８】上記のようにスクライブライン位置の認識
が行なわれると、図１１に示すように、ダイシングソー
４２が駆動されスクライブラインに沿って移動される。
これにより、ウェーハ３０はダイシングされ、複数の半
導体チップ３０Ａに分割される。このダイシング工程で
は、ウェーハ３０がダイシングソー４２により完全に分
割される、いわゆるフルダイシングが行われる。
が行なわれると、図１１に示すように、ダイシングソー
４２が駆動されスクライブラインに沿って移動される。
これにより、ウェーハ３０はダイシングされ、複数の半
導体チップ３０Ａに分割される。このダイシング工程で
は、ウェーハ３０がダイシングソー４２により完全に分
割される、いわゆるフルダイシングが行われる。
【００３９】上述のダイシング工程（ステップＳ２６）
が終了すると、続いてチップ取り外し工程（ステップＳ
２８）が実施される。図１２及び図１３は、チップ取り
外し工程を説明するための図である。チップ取り外し工
程（ステップＳ２８）では、先ず図１２に示すように、
ダイシングテープ３６の背面側から紫外線（ＵＶ光）を
照射する。この時に照射されるＵＶ光は、ウェーハ３０
（半導体チップ３０Ａ）を保護テープ３２に貼り付けて
いる紫外線硬化型粘着剤を硬化できる強いＵＶ光（例え
ば、２００mj/cm2以上）とされている。よって、このＵ
Ｖ光の照射を行なうことにより、紫外線硬化型粘着剤は
硬化し、保護テープ３２とウェーハ３０（半導体チップ
３０Ａ）との間の粘着力は低下する。
が終了すると、続いてチップ取り外し工程（ステップＳ
２８）が実施される。図１２及び図１３は、チップ取り
外し工程を説明するための図である。チップ取り外し工
程（ステップＳ２８）では、先ず図１２に示すように、
ダイシングテープ３６の背面側から紫外線（ＵＶ光）を
照射する。この時に照射されるＵＶ光は、ウェーハ３０
（半導体チップ３０Ａ）を保護テープ３２に貼り付けて
いる紫外線硬化型粘着剤を硬化できる強いＵＶ光（例え
ば、２００mj/cm2以上）とされている。よって、このＵ
Ｖ光の照射を行なうことにより、紫外線硬化型粘着剤は
硬化し、保護テープ３２とウェーハ３０（半導体チップ
３０Ａ）との間の粘着力は低下する。
【００４０】続いて、図１３に示すように、半導体チッ
プ３０Ａを吸引保持工具（バキューム・ピックアップ）
４４で保持しながら、突き上げ装置４６を用いて半導体
チップ３０Ａを突き上げる。突き上げ装置４６は、ピン
４６Ａ（プローブ）を有しており、このピン４６Ａをダ
イシングテープ３２の背面に押し付けられる。これによ
り、半導体チップ３０Ａの下にあるダイシングテープ３
６及び保護テープ３２は局部的に湾曲し、半導体チップ
３０Ａの一部が保護テープ３２から剥離する。そして、
吸引保持工具４４が上方へ引き上げられて、半導体チッ
プ３０Ａは保護テープ３２から完全に剥離する。保護テ
ープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤は、紫外線硬化
により粘着力が弱くなっているので、保護テープ３２は
ダイシングテープ３６に貼り付いたままとなる。したが
って、保護テープ３２を半導体チップ３０Ａから剥がす
工程は不要となる。保護テープ３２とウェーハ３０との
間の粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を使用しない場合
は、保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤の粘
着力を、ダイシングテープ３６と保護テープ３２との間
の粘着剤の粘着力より弱く設定しておくことが好まし
い。
プ３０Ａを吸引保持工具（バキューム・ピックアップ）
４４で保持しながら、突き上げ装置４６を用いて半導体
チップ３０Ａを突き上げる。突き上げ装置４６は、ピン
４６Ａ（プローブ）を有しており、このピン４６Ａをダ
イシングテープ３２の背面に押し付けられる。これによ
り、半導体チップ３０Ａの下にあるダイシングテープ３
６及び保護テープ３２は局部的に湾曲し、半導体チップ
３０Ａの一部が保護テープ３２から剥離する。そして、
吸引保持工具４４が上方へ引き上げられて、半導体チッ
プ３０Ａは保護テープ３２から完全に剥離する。保護テ
ープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤は、紫外線硬化
により粘着力が弱くなっているので、保護テープ３２は
ダイシングテープ３６に貼り付いたままとなる。したが
って、保護テープ３２を半導体チップ３０Ａから剥がす
工程は不要となる。保護テープ３２とウェーハ３０との
間の粘着剤として紫外線硬化型粘着剤を使用しない場合
は、保護テープ３２とウェーハ３０との間の粘着剤の粘
着力を、ダイシングテープ３６と保護テープ３２との間
の粘着剤の粘着力より弱く設定しておくことが好まし
い。
【００４１】上述のように取り外された半導体チップ３
０Ａは吸引保持工具４４で保持されたまま、チップ収納
容器まで搬送され収納される。
０Ａは吸引保持工具４４で保持されたまま、チップ収納
容器まで搬送され収納される。
【００４２】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、研削時にウェ
ーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシン
グテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割
れを効果的に防止することができ、且つウェーハの厚さ
を従来より薄くまで研削することができる。また、研削
工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り
付けられた状態のままで、ダイシング工程が行われるた
め、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ
及び保護テープを剥がすこと無くダイシングを行うこと
ができる。このため、厚みの薄いウェーハの反りに起因
するウェーハの割れが生じることは無い。したがって、
研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハ
ンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止す
ることができる。よって、高い製造歩留り及びスループ
ットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
ーハに作用する局所的な押圧力が保護テープとダイシン
グテープとにより吸収緩和され、研削時のウェーハの割
れを効果的に防止することができ、且つウェーハの厚さ
を従来より薄くまで研削することができる。また、研削
工程が終了すると、ウェーハがダイシングテープに貼り
付けられた状態のままで、ダイシング工程が行われるた
め、研削後の厚みの薄いウェーハからダイシングテープ
及び保護テープを剥がすこと無くダイシングを行うこと
ができる。このため、厚みの薄いウェーハの反りに起因
するウェーハの割れが生じることは無い。したがって、
研削工程時及び、研削工程とダイシング工程との間のハ
ンドリングに起因するウェーハの割れを効果的に防止す
ることができる。よって、高い製造歩留り及びスループ
ットをもって半導体装置を製造することが可能となる。
【００４３】請求項２の発明によれば、ダイシング工程
が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射され
るため、紫外線硬化型の粘着剤の粘着力が弱まって、ダ
イシングされたウェーハ（半導体チップ）を容易に剥が
すことができる。また、請求項３記載の発明によれば、
ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を
照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識する
ことにより、研削工程とダイシング工程との間でウェー
ハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイ
シング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する
割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化
を図ることができる。
が終了した後の保護テープの粘着剤に紫外線が照射され
るため、紫外線硬化型の粘着剤の粘着力が弱まって、ダ
イシングされたウェーハ（半導体チップ）を容易に剥が
すことができる。また、請求項３記載の発明によれば、
ダイシング工程において、ウェーハの背面から赤外線を
照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識する
ことにより、研削工程とダイシング工程との間でウェー
ハの上下を反転させる必要がなくなり、研削工程とダイ
シング工程との間のウェーハのハンドリングに起因する
割れを防止することができる。また、製造工程の簡単化
を図ることができる。
【００４４】請求項４記載の発明によれば、ウェーハフ
レームを吸引固定するための真空チャックテーブルは、
ウェーハフレームより大きい寸法とされるため、ウェー
ハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チ
ャックテーブルに支持されることとなる。したがって、
ウェーハは研削工程及びダイシング工程において安定し
て平面上に支持される。
レームを吸引固定するための真空チャックテーブルは、
ウェーハフレームより大きい寸法とされるため、ウェー
ハフレーム内に位置するウェーハは、その全面が真空チ
ャックテーブルに支持されることとなる。したがって、
ウェーハは研削工程及びダイシング工程において安定し
て平面上に支持される。
【００４５】更に、請求項５記載の発明によれば、半導
体チップをダイシングテープを介して突き上げることに
より、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲
し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきっか
けとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容
易に取り外すことができる。
体チップをダイシングテープを介して突き上げることに
より、ダイシングテープと保護テープとが部分的に湾曲
し、これが半導体装置が保護テープから剥がれるきっか
けとなる。したがって、半導体装置を保護テープから容
易に取り外すことができる。
【図１】従来の半導体装置の製造方法の一例を示す工程
図である。
図である。
【図２】図１に示す保護テープ貼り付け工程を説明する
ための図である。
ための図である。
【図３】図１に示すグラインディング工程を説明するた
めの図である。
めの図である。
【図４】図１に示すダイシングテープ貼り付け工程を説
明するための図である。
明するための図である。
【図５】図１に示すダイシング工程を説明するための図
である。
である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法の問題点を説明す
るための図である。
るための図である。
【図７】本発明の一実施例による半導体装置の製造方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図８】図７に示す保護テープ貼り付け工程及びフレー
ム取り付け工程を説明するための図である。
ム取り付け工程を説明するための図である。
【図９】図７に示す研削工程を説明するための図であ
る。
る。
【図１０】図７に示すダイシング工程を説明するための
図（その１）である。
図（その１）である。
【図１１】図７に示すダイシング工程を説明するための
図（その２）である。
図（その２）である。
【図１２】図７に示すチップ取り外し工程を説明するた
めの図（その１）である。
めの図（その１）である。
【図１３】図７に示すチップ取り外し工程を説明するた
めの図（その２）である。
めの図（その２）である。
３０ ウェーハ ３０Ａ 半導体チップ ３２ 保護テープ ３４ ウェーハフレーム ３６ ダイシングテープ ３８ 研削工具 ４０ 赤外線カメラ ４２ ダイシングソー ４４ 吸引保持工具 ４６ 突き上げ装置 ４６Ａ ピン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村本 孝紀 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２ 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA13 HA13 JA06 MA22 MA34 MA35 MA37 MA40 PA18
Claims (5)
- 【請求項１】 回路が形成された表面と該表面の反対側
の背面とを有するウェーハを用いて半導体装置を製造す
る半導体装置の製造方法であって、 前記ウェーハの表面に保護テープを貼り付ける保護テー
プ貼り付け工程と、 前記ウェーハより径の大きいウェーハフレームが周囲に
設けられたダイシングテープに前記ウェーハを前記保護
テープを介して貼り付けるフレーム取り付け工程と、 前記ダイシングテープに前記ウェーハが貼り付けられた
状態で、前記ウェーハの背面を研削する研削工程と、 前記研削工程が終了した後に、前記ダイシングテープに
前記ウェーハが貼り付けられた状態で、前記ウェーハを
フルダイシングして前記半導体装置を形成するダイシン
グ工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記保護テープは紫外線硬化型の粘着剤により前記ウェ
ーハに貼り付けられ、前記ダイシング工程終了後に前記
粘着剤に対して紫外線を照射する紫外線照射工程を更に
含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記ダイシング工程では、前記ウェーハの背面から赤外
線を照射し、その反射光に基づきダイシング位置を認識
することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のうちいずれか一項記載
の半導体装置の製造方法において、 前記研削工程は、前記ウェーハフレームを真空チャック
テーブルに吸引固定する固定工程を含み、前記チャック
テーブルの大きさは前記ウェーハフレームより大きくし
たことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のうちいずれか一項記載
の半導体装置の製造方法において、 前記ダイシング工程が終了した後に、吸引工具により前
記半導体装置を保持しながら前記半導体装置を前記ダイ
シングテープを介して突き上げることにより、前記半導
体装置を前記保護テープから取り外す取り外し工程を更
に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11540299A JP3865184B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
| US09/357,657 US6297131B1 (en) | 1999-04-22 | 1999-07-20 | Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11540299A JP3865184B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000306875A true JP2000306875A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3865184B2 JP3865184B2 (ja) | 2007-01-10 |
Family
ID=14661689
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11540299A Expired - Fee Related JP3865184B2 (ja) | 1999-04-22 | 1999-04-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6297131B1 (ja) |
| JP (1) | JP3865184B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004193576A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハの保護用粘着テープ及びこれを用いた半導体ウエハの製造方法 |
| US7211370B2 (en) | 2003-01-20 | 2007-05-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method for dicing wafer |
| US7323397B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing |
| US7395847B2 (en) | 2001-10-19 | 2008-07-08 | Fujitsu Limited | Jig for a semiconductor substrate |
| JP2011091293A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2012071410A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Disco Corp | 研削方法 |
| JP2018074083A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2018074082A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Families Citing this family (54)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4322328B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2009-08-26 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド | ウエハをウエハテープに接着する方法および装置 |
| US6425971B1 (en) | 2000-05-10 | 2002-07-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes |
| US6528393B2 (en) * | 2000-06-13 | 2003-03-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Method of making a semiconductor package by dicing a wafer from the backside surface thereof |
| JP3906962B2 (ja) * | 2000-08-31 | 2007-04-18 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3544362B2 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-21 | リンテック株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| US6982184B2 (en) * | 2001-05-02 | 2006-01-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer |
| US6869831B2 (en) * | 2001-09-14 | 2005-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Adhesion by plasma conditioning of semiconductor chip surfaces |
| JP3745260B2 (ja) * | 2001-10-02 | 2006-02-15 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| BR0213202A (pt) * | 2001-10-11 | 2004-08-31 | Yappa Corp | Sistema de exibição de imagem 3d baseado na rede |
| US6884717B1 (en) * | 2002-01-03 | 2005-04-26 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Stiffened backside fabrication for microwave radio frequency wafers |
| JP3553551B2 (ja) * | 2002-01-11 | 2004-08-11 | 沖電気工業株式会社 | 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2003234359A (ja) * | 2002-02-08 | 2003-08-22 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7018268B2 (en) * | 2002-04-09 | 2006-03-28 | Strasbaugh | Protection of work piece during surface processing |
| US20030209310A1 (en) * | 2002-05-13 | 2003-11-13 | Fuentes Anastacio C. | Apparatus, system and method to reduce wafer warpage |
| JP4256115B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2009-04-22 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | マーク認識方法及び半導体装置の製造方法 |
| US6713366B2 (en) * | 2002-06-12 | 2004-03-30 | Intel Corporation | Method of thinning a wafer utilizing a laminated reinforcing layer over the device side |
| JP4307825B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-08-05 | リンテック株式会社 | 半導体ウエハの保護構造、半導体ウエハの保護方法、これらに用いる積層保護シートおよび半導体ウエハの加工方法 |
| JP2004119718A (ja) * | 2002-09-26 | 2004-04-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 薄型半導体チップの製造方法 |
| KR100486290B1 (ko) * | 2002-12-23 | 2005-04-29 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 조립방법 및 반도체 패키지 공정의보호테이프 제거장치 |
| JP4256214B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-04-22 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割装置 |
| JP4796271B2 (ja) * | 2003-07-10 | 2011-10-19 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| TWI222173B (en) * | 2003-08-20 | 2004-10-11 | Advanced Semiconductor Eng | Method of making a package structure by dicing a wafer from the backside surface thereof |
| JP2005150177A (ja) * | 2003-11-12 | 2005-06-09 | Nitto Denko Corp | 半導体ウエハ裏面への粘着テープ貼付方法及び粘着テープ貼付装置 |
| US20050147489A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-07 | Tian-An Chen | Wafer supporting system for semiconductor wafers |
| JP4514490B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-07-28 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハの小片化方法 |
| KR100582056B1 (ko) * | 2004-07-05 | 2006-05-23 | 삼성전자주식회사 | 박형 칩 분리 장치 및 그를 이용한 박형 칩 분리 방법 |
| US7244663B2 (en) * | 2004-08-31 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer reinforcement structure and methods of fabrication |
| CN100541747C (zh) * | 2004-11-05 | 2009-09-16 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 从晶片背面切割以制成封装构造的方法 |
| US7364945B2 (en) * | 2005-03-31 | 2008-04-29 | Stats Chippac Ltd. | Method of mounting an integrated circuit package in an encapsulant cavity |
| US7354800B2 (en) | 2005-04-29 | 2008-04-08 | Stats Chippac Ltd. | Method of fabricating a stacked integrated circuit package system |
| JP4731241B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2011-07-20 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| US7662668B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-16 | Denso Corporation | Method for separating a semiconductor substrate into a plurality of chips along with a cutting line on the semiconductor substrate |
| US7768125B2 (en) * | 2006-01-04 | 2010-08-03 | Stats Chippac Ltd. | Multi-chip package system |
| US7723146B2 (en) * | 2006-01-04 | 2010-05-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with image sensor system |
| US7456088B2 (en) * | 2006-01-04 | 2008-11-25 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including stacked die |
| US7750482B2 (en) | 2006-02-09 | 2010-07-06 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system including zero fillet resin |
| US8704349B2 (en) | 2006-02-14 | 2014-04-22 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit package system with exposed interconnects |
| US7385299B2 (en) * | 2006-02-25 | 2008-06-10 | Stats Chippac Ltd. | Stackable integrated circuit package system with multiple interconnect interface |
| DE112006003839T5 (de) | 2006-04-21 | 2009-02-26 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines dünnen Halbleiter-Chips |
| CN101244613B (zh) * | 2007-02-16 | 2012-02-22 | 探微科技股份有限公司 | 保护晶片正面结构及进行晶片切割的方法 |
| JP4742252B2 (ja) * | 2008-12-10 | 2011-08-10 | カシオ計算機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP5356890B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2013-12-04 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP5089643B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2012-12-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光接続要素の製造方法、光伝送基板、光接続部品、接続方法および光伝送システム |
| JP2010263041A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Nitto Denko Corp | ダイアタッチフィルム付きダイシングテープおよび半導体装置の製造方法 |
| US20110207253A1 (en) * | 2010-02-23 | 2011-08-25 | Yueh-Hsun Yang | Flip-chip led module fabrication method |
| KR101748334B1 (ko) * | 2011-01-17 | 2017-06-16 | 삼성전자 주식회사 | 백색 발광 소자의 제조 방법 및 제조 장치 |
| US10043701B2 (en) * | 2013-05-15 | 2018-08-07 | Infineon Technologies Ag | Substrate removal from a carrier |
| JP6078581B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2017-02-08 | 日東電工株式会社 | 一体型フィルム、フィルム、半導体装置の製造方法および保護チップの製造方法 |
| CN106229286B (zh) * | 2016-08-30 | 2020-04-14 | 浙江中纳晶微电子科技有限公司 | 薄工件临时键合的加工方法 |
| US10615075B2 (en) * | 2018-06-13 | 2020-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Dicing a wafer |
| KR102769067B1 (ko) | 2019-09-05 | 2025-02-18 | 삼성전자주식회사 | 자외선 조사 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
| US20230042659A1 (en) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | Meta Platforms, Inc. | Complex photonics circuit fabrication |
| CN115533537B (zh) * | 2022-08-26 | 2024-11-26 | 天通日进精密技术有限公司 | 一种具有上下料翻转组件的开磨一体机 |
| CN118610112A (zh) * | 2024-06-06 | 2024-09-06 | 深圳市鹏新旭技术有限公司 | 半导体器件加工方法和固定工具 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722358A (ja) | 1993-06-15 | 1995-01-24 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3467611B2 (ja) * | 1995-09-29 | 2003-11-17 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3535318B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-06-07 | 富士通株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
1999
- 1999-04-22 JP JP11540299A patent/JP3865184B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-20 US US09/357,657 patent/US6297131B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7395847B2 (en) | 2001-10-19 | 2008-07-08 | Fujitsu Limited | Jig for a semiconductor substrate |
| US7571538B2 (en) | 2001-10-19 | 2009-08-11 | Fujitsu Microelectronics Limited | Vacuum fixing jig for semiconductor device |
| JP2004193576A (ja) * | 2002-11-28 | 2004-07-08 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体ウエハの保護用粘着テープ及びこれを用いた半導体ウエハの製造方法 |
| US7211370B2 (en) | 2003-01-20 | 2007-05-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method for dicing wafer |
| US7323397B2 (en) | 2004-03-03 | 2008-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing |
| US7495315B2 (en) | 2004-03-03 | 2009-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing |
| JP2011091293A (ja) * | 2009-10-26 | 2011-05-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2012071410A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-12 | Disco Corp | 研削方法 |
| JP2018074083A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2018074082A (ja) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6297131B1 (en) | 2001-10-02 |
| JP3865184B2 (ja) | 2007-01-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3865184B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3816253B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US20230115122A1 (en) | Method of bonding thin substrates | |
| JP3368876B2 (ja) | 半導体チップ製造方法 | |
| US5476566A (en) | Method for thinning a semiconductor wafer | |
| KR101561359B1 (ko) | 적층체, 및 그 적층체의 분리 방법 | |
| JP2001044144A (ja) | 半導体チップの製造プロセス | |
| US7495315B2 (en) | Method and apparatus of fabricating a semiconductor device by back grinding and dicing | |
| US6730579B1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching | |
| US9905453B2 (en) | Protective sheeting for use in processing a semiconductor-sized wafer and semiconductor-sized wafer processing method | |
| KR20050067019A (ko) | 반도체 집적회로장치의 제조방법 | |
| CN110047745A (zh) | 处理晶圆的方法 | |
| US20110189928A1 (en) | Wafer mount tape, wafer processing apparatus and method of using the same for use in thinning wafers | |
| US11764066B2 (en) | Peeling method for peeling off substrate from support plate | |
| JP6067348B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP4271409B2 (ja) | 脆質材料の加工方法 | |
| US7825010B2 (en) | Die singulation methods | |
| JP4768963B2 (ja) | ウェハの転写方法 | |
| US20070057410A1 (en) | Method of fabricating wafer chips | |
| JP2000331963A (ja) | ウェーハフレームへのウェーハ取付方法と装置及びそれを組込んだ平面加工装置 | |
| JP6125170B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP3094488B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20110055977A (ko) | 반도체 패키지 제조용 장비 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조방법 | |
| JP7325903B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JPH04336448A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040309 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20050830 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20060419 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060615 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060926 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060928 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091013 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101013 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111013 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121013 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131013 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |