JPH0722358A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0722358A JPH0722358A JP5143393A JP14339393A JPH0722358A JP H0722358 A JPH0722358 A JP H0722358A JP 5143393 A JP5143393 A JP 5143393A JP 14339393 A JP14339393 A JP 14339393A JP H0722358 A JPH0722358 A JP H0722358A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/744—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or a wafer
- H10P72/7442—Separation by peeling
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超薄型樹脂封止型半導体装置用ウエハーを、
ウエハー裏面の研磨からダイシングまでウエハーを破壊
することなく安全に加工する方法の提供。 【構成】 超薄型樹脂封止型半導体装置用ウエハー１の
表面に保護・補強用テープ２を貼り付けた状態でウエハ
ー１裏面の研磨を行い、研磨完了後にウエハー３をダイ
シング工程へ搬送し、ウエハー３裏面の研磨後も表面保
護・補強用テープ２を貼り付けたままでウエハー３裏面
をダイシング用テープ４に貼り付け、その後、保護・補
強用テープ２を剥離してダイシングすることにより、ウ
エハー３の加工を行う。ウエハー３表面の保護・補強用
テープ２の剥離方法として、紫外線を照射することによ
り接着剤の接着強度を低下させた後に剥離するか、保護
・補強用テープ２とウエハー３表面の接着力よりも、保
護・補強用テープ２との接着力が大きい剥離用テープ９
を用いて剥離する手段がとられる。
ウエハー裏面の研磨からダイシングまでウエハーを破壊
することなく安全に加工する方法の提供。 【構成】 超薄型樹脂封止型半導体装置用ウエハー１の
表面に保護・補強用テープ２を貼り付けた状態でウエハ
ー１裏面の研磨を行い、研磨完了後にウエハー３をダイ
シング工程へ搬送し、ウエハー３裏面の研磨後も表面保
護・補強用テープ２を貼り付けたままでウエハー３裏面
をダイシング用テープ４に貼り付け、その後、保護・補
強用テープ２を剥離してダイシングすることにより、ウ
エハー３の加工を行う。ウエハー３表面の保護・補強用
テープ２の剥離方法として、紫外線を照射することによ
り接着剤の接着強度を低下させた後に剥離するか、保護
・補強用テープ２とウエハー３表面の接着力よりも、保
護・補強用テープ２との接着力が大きい剥離用テープ９
を用いて剥離する手段がとられる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方
法、特に、パッケージ厚が０．５ｍｍ以下の樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関するものであり、更に詳しく
は、該半導体装置に用いられるウエハーの裏面研磨工程
〜ダイシング工程に関するものである。
法、特に、パッケージ厚が０．５ｍｍ以下の樹脂封止型
半導体装置の製造方法に関するものであり、更に詳しく
は、該半導体装置に用いられるウエハーの裏面研磨工程
〜ダイシング工程に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在、図１１のメモリーカードにおけ
る、現在の樹脂封止型半導体装置及び本発明を用いて製
造された樹脂封止型半導体装置の実装状態図に示すよう
に、メモリーカードの厚さに関しては、規格が決まって
いる。例えば、現在のメモリーカードに搭載されている
パッケージ厚が、１．０ｍｍの樹脂封止型半導体装置の
場合、ＪＥＩＤＡ規格が３．３ｍｍｔでは両面実装、ま
た、２．２ｍｍｔでは片面実装が行われている。そし
て、このパッケージ厚１．０ｍｍの樹脂封止型半導体装
置に用いられるウエハーは、厚さが４００μｍ程度のも
のが用いられている。一方、ウエハー径は、取り数アッ
プを目的として、ますます大口経化され、８インチ径が
主流になりつつある。
る、現在の樹脂封止型半導体装置及び本発明を用いて製
造された樹脂封止型半導体装置の実装状態図に示すよう
に、メモリーカードの厚さに関しては、規格が決まって
いる。例えば、現在のメモリーカードに搭載されている
パッケージ厚が、１．０ｍｍの樹脂封止型半導体装置の
場合、ＪＥＩＤＡ規格が３．３ｍｍｔでは両面実装、ま
た、２．２ｍｍｔでは片面実装が行われている。そし
て、このパッケージ厚１．０ｍｍの樹脂封止型半導体装
置に用いられるウエハーは、厚さが４００μｍ程度のも
のが用いられている。一方、ウエハー径は、取り数アッ
プを目的として、ますます大口経化され、８インチ径が
主流になりつつある。
【０００３】以下に、図９及び図１０を用いて、従来の
厚さ４００μｍ、８インチ径のウエハーについての、ウ
エハーの裏面研磨からダイシング工程までを説明する。
厚さ４００μｍ、８インチ径のウエハーについての、ウ
エハーの裏面研磨からダイシング工程までを説明する。
【０００４】図９は従来のウエハーの裏面研磨からダイ
シング工程までのプロセスフローチャートであり、図１
０は同プロセスフローチャートに伴うウエハーの加工状
態の断面図である。
シング工程までのプロセスフローチャートであり、図１
０は同プロセスフローチャートに伴うウエハーの加工状
態の断面図である。
【０００５】まず、裏面の研磨前のウエハー１の回路形
成面である表面の保護を目的として、エチレン酢酸ビニ
ル共重合体（以下、「ＥＶＡ」とする。）等から成るプ
ラスチックフィルム（以下、「ベースフィルム」とす
る。）（１４０μｍ）の片面にアクリル系接着剤（１０
μｍ）をラミネートした保護用テープ１０を研磨前のウ
エハー１の表面に貼り付け（図９（ａ）、図１０
（ａ））、研磨前のウエハー１の裏面を研磨した後（図
９（ｂ）、図１０（ｂ））、研磨完了後のウエハー３の
表面から保護用テープ１０を剥離して（図９（ｄ）、図
１０（ｄ））、ウエハー３の洗浄を行う（図９（ｅ）、
図１０（ｅ））。この際、保護用テープ１０の剥離方法
としては、図１０ｄに示すように、保護用テープ１０の
接着剤塗布面と反対側の表面との接着力が、保護用テー
プ１０とウエハー３の表面との接着力よりも大きい剥離
用テープ９を用いて引き剥がす方法が多く用いられてい
る。
成面である表面の保護を目的として、エチレン酢酸ビニ
ル共重合体（以下、「ＥＶＡ」とする。）等から成るプ
ラスチックフィルム（以下、「ベースフィルム」とす
る。）（１４０μｍ）の片面にアクリル系接着剤（１０
μｍ）をラミネートした保護用テープ１０を研磨前のウ
エハー１の表面に貼り付け（図９（ａ）、図１０
（ａ））、研磨前のウエハー１の裏面を研磨した後（図
９（ｂ）、図１０（ｂ））、研磨完了後のウエハー３の
表面から保護用テープ１０を剥離して（図９（ｄ）、図
１０（ｄ））、ウエハー３の洗浄を行う（図９（ｅ）、
図１０（ｅ））。この際、保護用テープ１０の剥離方法
としては、図１０ｄに示すように、保護用テープ１０の
接着剤塗布面と反対側の表面との接着力が、保護用テー
プ１０とウエハー３の表面との接着力よりも大きい剥離
用テープ９を用いて引き剥がす方法が多く用いられてい
る。
【０００６】その後、研磨の終了したウエハー３はプロ
ービングによる電気テスト（以下、「ウエハーテスト」
とする。）を行い（図９（ｔ）、図１０（ｔ））、アセ
ンブリ工程に投入される。
ービングによる電気テスト（以下、「ウエハーテスト」
とする。）を行い（図９（ｔ）、図１０（ｔ））、アセ
ンブリ工程に投入される。
【０００７】アセンブリ工程では、まず、金属のキャリ
アフレーム５を介して、ウエハー３の裏面をダイシング
用テープ４に貼り付ける（図９（ｃ）、図１０
（ｃ））。その状態でフルカット又はハーフカットにダ
イシングされ（図９（ｆ）、図１０（ｆ））、洗浄・乾
燥した後、ダイボンド工程に投入される。ダイボンド工
程では、テープ４を介してウエハー３の裏面からピンに
より一のチップ７だけ突き上げ、ダイボンドコレットに
よりダイボンドされる。なお、ハーフカットされたウエ
ハー３はブレイクされた後、ダイボンド工程に投入され
る。
アフレーム５を介して、ウエハー３の裏面をダイシング
用テープ４に貼り付ける（図９（ｃ）、図１０
（ｃ））。その状態でフルカット又はハーフカットにダ
イシングされ（図９（ｆ）、図１０（ｆ））、洗浄・乾
燥した後、ダイボンド工程に投入される。ダイボンド工
程では、テープ４を介してウエハー３の裏面からピンに
より一のチップ７だけ突き上げ、ダイボンドコレットに
よりダイボンドされる。なお、ハーフカットされたウエ
ハー３はブレイクされた後、ダイボンド工程に投入され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記規格のメモリーカ
ードの容量アップを、パッケージ厚を薄くすることによ
って実現しようとする場合、１．０ｍｍ厚のパッケージ
を０．７〜０．８ｍｍ厚にしても、ＪＥＩＤＡ規格が
３．３ｍｍｔにおいては、３段実装しかできず、また、
ＪＥＩＤＡ規格が２．２ｍｍｔにおいては、パッケージ
厚１．０ｍｍの場合と同様に、片面（１段）実装しかで
きず、コスト面で問題があり、実用性に乏しい。 そこ
で、ＪＥＩＤＡ規格が３．３ｍｍｔにおける４段実装、
又は、ＪＥＩＤＡ規格が２．２ｍｍｔにおける２段実装
を行い、メモリカードの容量アップを図るためには、パ
ッケージ厚は、０．５ｍｍ以下となり、０．５ｍｍ厚の
パッケージに搭載可能な厚さが２００μｍ以下のチップ
を製造する必要が生じる。
ードの容量アップを、パッケージ厚を薄くすることによ
って実現しようとする場合、１．０ｍｍ厚のパッケージ
を０．７〜０．８ｍｍ厚にしても、ＪＥＩＤＡ規格が
３．３ｍｍｔにおいては、３段実装しかできず、また、
ＪＥＩＤＡ規格が２．２ｍｍｔにおいては、パッケージ
厚１．０ｍｍの場合と同様に、片面（１段）実装しかで
きず、コスト面で問題があり、実用性に乏しい。 そこ
で、ＪＥＩＤＡ規格が３．３ｍｍｔにおける４段実装、
又は、ＪＥＩＤＡ規格が２．２ｍｍｔにおける２段実装
を行い、メモリカードの容量アップを図るためには、パ
ッケージ厚は、０．５ｍｍ以下となり、０．５ｍｍ厚の
パッケージに搭載可能な厚さが２００μｍ以下のチップ
を製造する必要が生じる。
【０００９】しかし、上述の製造方法を用いて、現在主
流になりつつある８インチ径のウエハーを０．２ｍｍ以
下の厚さに研磨すると、ウエハー強度が極端に低下する
ため、その後のウエハーテスト工程、ダイシング用工程
における取り扱いや工程間搬送等でウエハーの割れる危
険性が非常に高くなるという問題点がある。
流になりつつある８インチ径のウエハーを０．２ｍｍ以
下の厚さに研磨すると、ウエハー強度が極端に低下する
ため、その後のウエハーテスト工程、ダイシング用工程
における取り扱いや工程間搬送等でウエハーの割れる危
険性が非常に高くなるという問題点がある。
【００１０】そこで、本発明では、ウエハー裏面の研磨
からダイシングまでの間で、ウエハーを破壊することな
く加工でき、パッケージ厚が０．５ｍｍ以下の樹脂封止
型半導体装置の製造工程の歩留りを向上させる手段を提
供することを目的とする。
からダイシングまでの間で、ウエハーを破壊することな
く加工でき、パッケージ厚が０．５ｍｍ以下の樹脂封止
型半導体装置の製造工程の歩留りを向上させる手段を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するため、樹脂封止型半導体装置を製造するに当た
り、ウエハーの回路形成面である表面に、保護・補強用
テープを貼り付け、上記ウエハーの裏面研磨を行い、上
記保護・補強用テープを上記ウエハーの表面に張り付け
た状態で、最終ウエハー厚になった上記ウエハーを搬送
し、上記ウエハーの裏面をダイシング用テープに貼り付
けた後、上記保護・補強用テープを剥離し、ダイシング
することを特徴としている。
解決するため、樹脂封止型半導体装置を製造するに当た
り、ウエハーの回路形成面である表面に、保護・補強用
テープを貼り付け、上記ウエハーの裏面研磨を行い、上
記保護・補強用テープを上記ウエハーの表面に張り付け
た状態で、最終ウエハー厚になった上記ウエハーを搬送
し、上記ウエハーの裏面をダイシング用テープに貼り付
けた後、上記保護・補強用テープを剥離し、ダイシング
することを特徴としている。
【００１２】上記ウエハーの裏面研磨は、最終ウエハー
厚が２００μｍ以下になるまで行われる。
厚が２００μｍ以下になるまで行われる。
【００１３】上記保護・補強用テープを剥離するには、
上記保護・補強用テープの接着剤塗布面と反対側の表面
に、紫外線を照射することにより、該保護・補強用テー
プの接着強度を低下させた後に剥離するという手段がと
られる。
上記保護・補強用テープの接着剤塗布面と反対側の表面
に、紫外線を照射することにより、該保護・補強用テー
プの接着強度を低下させた後に剥離するという手段がと
られる。
【００１４】更に、上記ウエハーの裏面との接着力が上
記ウエハーの表面と上記保護・補強用テープとの接着力
より大きい上記ダイシング用テープに、上記ウエハーの
裏面を張り付け、上記保護・補強用テープの表面との接
着力が、上記ウエハーの表面と上記保護・補強用テープ
との接着力より大きい剥離用テープを、上記保護・補強
用テープの表面に張り付け、上記剥離用テープを剥離す
ることにより、上記保護・補強用テープを剥離すること
を特徴としている。
記ウエハーの表面と上記保護・補強用テープとの接着力
より大きい上記ダイシング用テープに、上記ウエハーの
裏面を張り付け、上記保護・補強用テープの表面との接
着力が、上記ウエハーの表面と上記保護・補強用テープ
との接着力より大きい剥離用テープを、上記保護・補強
用テープの表面に張り付け、上記剥離用テープを剥離す
ることにより、上記保護・補強用テープを剥離すること
を特徴としている。
【００１５】更に、ウエハーテストは、最終ウエハー厚
に研磨するまでに行う。又は、上記ウエハーをダイシン
グ用テープに貼り付け、上記保護・補強用テープを剥離
した後に行うという工程がとられる。
に研磨するまでに行う。又は、上記ウエハーをダイシン
グ用テープに貼り付け、上記保護・補強用テープを剥離
した後に行うという工程がとられる。
【００１６】
【作用】本発明では、ウエハー裏面の研磨完了後に、最
終ウエハー厚（２００μｍ以下）のウエハー表面に保護
・補強用テープを貼り付けたままでダイシング工程へ搬
送し、このウエハー裏面にダイシング用テープを貼り付
けた後、剥離用テープを用いて保護・補強用テープを剥
離して、ダイシングにより１チップづつに切り分けられ
る。この結果、ウエハー研磨後はチップ状にダイシング
されるまで、保護・補強用テープまたはダイシング用テ
ープのいずれかによってウエハーが補強されているの
で、ウエハーハンドリングや搬送中にウエハーが破損す
る危険性が大幅に低減される。
終ウエハー厚（２００μｍ以下）のウエハー表面に保護
・補強用テープを貼り付けたままでダイシング工程へ搬
送し、このウエハー裏面にダイシング用テープを貼り付
けた後、剥離用テープを用いて保護・補強用テープを剥
離して、ダイシングにより１チップづつに切り分けられ
る。この結果、ウエハー研磨後はチップ状にダイシング
されるまで、保護・補強用テープまたはダイシング用テ
ープのいずれかによってウエハーが補強されているの
で、ウエハーハンドリングや搬送中にウエハーが破損す
る危険性が大幅に低減される。
【００１７】さらに、従来ウエハー研磨後に実施してい
たウエハーテストを、（１）最終ウエハー厚（２００μ
ｍ以下）まで研磨する前に、又は（２）ウエハー裏面の
研磨完了後ダイシング用テープに貼り付け、その後保護
・補強用テープを剥離した状態で実施することにより、
ウエハーテスト工程でのウエハー破損を防止することが
できる。
たウエハーテストを、（１）最終ウエハー厚（２００μ
ｍ以下）まで研磨する前に、又は（２）ウエハー裏面の
研磨完了後ダイシング用テープに貼り付け、その後保護
・補強用テープを剥離した状態で実施することにより、
ウエハーテスト工程でのウエハー破損を防止することが
できる。
【００１８】また、紫外線を照射することにより、ウエ
ハーとダイシング用テープの接着力を維持したまま保護
・補強用テープ剥離することができる。
ハーとダイシング用テープの接着力を維持したまま保護
・補強用テープ剥離することができる。
【００１９】
【実施例】本発明による４実施例を下記に示す。
【００２０】実施例１ 図１及び図２に，ウエハーの加工工程のプロセスフロー
チャートとそれに伴うウエハーの加工状態を示す。
チャートとそれに伴うウエハーの加工状態を示す。
【００２１】（ｔ）所定の金属配線・パッシベーション
膜形成工程が完了し、裏面の研磨前の８インチ径ウエハ
ー１（ウエハー厚：７２５μｍ）の状態でウェハーテス
トを実施する。
膜形成工程が完了し、裏面の研磨前の８インチ径ウエハ
ー１（ウエハー厚：７２５μｍ）の状態でウェハーテス
トを実施する。
【００２２】（ａ）裏面研磨前にウエハー１（以下、
「ウエハー１」とする。）表面に保護・補強用テープ２
を貼り付ける。保護・補強用テープ２は例えば、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（５００μｍ
厚）にアクリル系保護・補強用テープ接着剤（１０μ
ｍ）をラミネートしたものであり、４０℃程度に加熱し
た状態でウエハー１表面に貼り付ける。
「ウエハー１」とする。）表面に保護・補強用テープ２
を貼り付ける。保護・補強用テープ２は例えば、ポリエ
チレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（５００μｍ
厚）にアクリル系保護・補強用テープ接着剤（１０μ
ｍ）をラミネートしたものであり、４０℃程度に加熱し
た状態でウエハー１表面に貼り付ける。
【００２３】（ｂ）ウエハー１裏面を約５２５μｍ研磨
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３（以下、「ウエハ
ー３」とする。）表面に保護・補強用テープ２を貼り付
けたままでウエハー３をダイシング工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態のウエハ
ー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダイシング
用テープ４に貼り付ける。ダイシング用テープ４は、例
えば、塩化ビニルフィルムに接着剤をラミネートしたも
のであり、テープ厚は８０μｍである。
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３（以下、「ウエハ
ー３」とする。）表面に保護・補強用テープ２を貼り付
けたままでウエハー３をダイシング工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態のウエハ
ー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダイシング
用テープ４に貼り付ける。ダイシング用テープ４は、例
えば、塩化ビニルフィルムに接着剤をラミネートしたも
のであり、テープ厚は８０μｍである。
【００２４】（ｄ）図２に示すように、保護・補強用テ
ープ２を、保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面
の接着力よりも保護・補強用テープ２表面との接着力が
大きい剥離用テープ９を用いて引きはがす。この時、ウ
エハー３裏面を真空吸着により固定しておく。剥離用テ
ープ９は、ベースフィルムにＰＥＴを用い、これにアク
リル系接着剤より接着力が大きい天然ゴム系接着剤をラ
ミネートしたものを使用する。
ープ２を、保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面
の接着力よりも保護・補強用テープ２表面との接着力が
大きい剥離用テープ９を用いて引きはがす。この時、ウ
エハー３裏面を真空吸着により固定しておく。剥離用テ
ープ９は、ベースフィルムにＰＥＴを用い、これにアク
リル系接着剤より接着力が大きい天然ゴム系接着剤をラ
ミネートしたものを使用する。
【００２５】（ｅ）純水による超音波洗浄によりウエハ
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
【００２６】（ｆ）ダイヤモンドホイールを用いてウエ
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
【００２７】（ｇ）ダイボンド工程に移る。
【００２８】本発明に用いるウエハー３表面の保護・補
強用テープ２の目的は、 研磨時のウエハー表面保護
と、 研磨後からウエハー３裏面をダイシング用テー
プ４に貼り付けるまでのウエハー３の補強である。
強用テープ２の目的は、 研磨時のウエハー表面保護
と、 研磨後からウエハー３裏面をダイシング用テー
プ４に貼り付けるまでのウエハー３の補強である。
【００２９】従来は、上記だけの目的で保護用テープ
を用いていたが、本発明のウエハー補強効果を最大限に
引き出すにはベースフィルムの合成を高める必要があ
る。フィルムの合成は、弾性率と厚みが大きくなるほど
高くなるので、ウエハー裏面研磨厚精度、テープ剥離性
に影響を及ぼさない範囲で弾性率を高く、厚膜化するこ
とが望ましい。
を用いていたが、本発明のウエハー補強効果を最大限に
引き出すにはベースフィルムの合成を高める必要があ
る。フィルムの合成は、弾性率と厚みが大きくなるほど
高くなるので、ウエハー裏面研磨厚精度、テープ剥離性
に影響を及ぼさない範囲で弾性率を高く、厚膜化するこ
とが望ましい。
【００３０】そこで、本発明では、従来の１４０μｍ厚
さのＥＶＡ（弾性率３５０ｋｇ／ｃｍ2 ）の代わりに、
例えば、５００μｍ厚さのＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート弾性率１，０００ｋｇ／ｃｍ2 ）をベースフィ
ルムとして用いることにより、補強効果をより高めるこ
とができる。接着剤については、従来と同様なもので対
応できる。
さのＥＶＡ（弾性率３５０ｋｇ／ｃｍ2 ）の代わりに、
例えば、５００μｍ厚さのＰＥＴ（ポリエチレンテレフ
タレート弾性率１，０００ｋｇ／ｃｍ2 ）をベースフィ
ルムとして用いることにより、補強効果をより高めるこ
とができる。接着剤については、従来と同様なもので対
応できる。
【００３１】次に、本発明では、ウエハー３裏面をダイ
シング用テープ４に接着した状態で、ウエハー３表面に
添付した保護・補強用テープ２を剥離するが、この場
合、ウエハー３裏面をダイシング用テープ４を介して真
空吸着固定し、保護・補強用テープ２裏面とウエハー３
表面の接着力よりも、保護・補強用テープ２表面との接
着力が大きい剥離用テープ９を用いて引き剥がす。この
時点での各テープの接着力は、次の関係を有していなく
てはならない。
シング用テープ４に接着した状態で、ウエハー３表面に
添付した保護・補強用テープ２を剥離するが、この場
合、ウエハー３裏面をダイシング用テープ４を介して真
空吸着固定し、保護・補強用テープ２裏面とウエハー３
表面の接着力よりも、保護・補強用テープ２表面との接
着力が大きい剥離用テープ９を用いて引き剥がす。この
時点での各テープの接着力は、次の関係を有していなく
てはならない。
【００３２】［剥離用テープ９と保護・補強用テープ２
表面の接着力］＞［保護・補強用テープ２裏面とウエハ
ー３表面の接着力］ ［ウエハー３裏面とダイシング用テープ４の接着力］＞
［保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面の接着
力］ 例えば、シリコンウエハーとのピール接着力（２０ｍｍ
長さの剥離に必要な力）において、 ［剥離用テープ９と保護・補強用テープ２表面の接着
力］が ２０００ｇ ［保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面の接着
力］が ７５ｇ ［ウエハー３裏面とダイシング用テープ４の接着力］が
１００ｇ の関係にあるテープを用いることで、本発明の実施が可
能である。
表面の接着力］＞［保護・補強用テープ２裏面とウエハ
ー３表面の接着力］ ［ウエハー３裏面とダイシング用テープ４の接着力］＞
［保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面の接着
力］ 例えば、シリコンウエハーとのピール接着力（２０ｍｍ
長さの剥離に必要な力）において、 ［剥離用テープ９と保護・補強用テープ２表面の接着
力］が ２０００ｇ ［保護・補強用テープ２裏面とウエハー３表面の接着
力］が ７５ｇ ［ウエハー３裏面とダイシング用テープ４の接着力］が
１００ｇ の関係にあるテープを用いることで、本発明の実施が可
能である。
【００３３】実施例２ この実施例は実施例１に対してウエハー３表面の保護・
補強用テープ２の剥離工程において紫外線照射による接
着剤硬化により接着性を低下させ、剥離時にウエハー３
に与えるストレスを低下させる方法について説明する。
補強用テープ２の剥離工程において紫外線照射による接
着剤硬化により接着性を低下させ、剥離時にウエハー３
に与えるストレスを低下させる方法について説明する。
【００３４】図３及び図４にウエハーの加工工程のプロ
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
【００３５】（ｔ）裏面の研磨前の８インチ径ウエハー
１（ウエハー厚：７２５μｍ）の状態でウエハーテスト
を実施する。
１（ウエハー厚：７２５μｍ）の状態でウエハーテスト
を実施する。
【００３６】（ａ）裏面の研磨前のウエハー１表面に、
保護・補強用テープ２を貼り付ける。この場合の保護・
補強用テープ２の接着剤は、紫外線照射により硬化反応
が起こり接着性が低下するタイプ、例えば、アクリル系
接着剤（ＵＶ反応架橋剤）である。
保護・補強用テープ２を貼り付ける。この場合の保護・
補強用テープ２の接着剤は、紫外線照射により硬化反応
が起こり接着性が低下するタイプ、例えば、アクリル系
接着剤（ＵＶ反応架橋剤）である。
【００３７】（ｂ）ウエハー１裏面を約５２５μｍ研磨
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態の研磨後
のウエハー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダ
イシング用テープ４に貼り付ける。
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態の研磨後
のウエハー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダ
イシング用テープ４に貼り付ける。
【００３８】（ｄ）ウエハー３表面側から強度２００〜
３００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を２〜３ｓｅｃ照射して接
着力を低下させる。その後、剥離用テープ９を用いて引
きはがす。
３００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を２〜３ｓｅｃ照射して接
着力を低下させる。その後、剥離用テープ９を用いて引
きはがす。
【００３９】（ｅ）純水による超音波洗浄によりウエハ
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
【００４０】（ｆ）ダイヤモンドホイールを用いてウエ
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
【００４１】（ｇ）ダイボンド工程に移る。
【００４２】実施例３ この実施例は最終ウエハー厚（この場合、２００μｍ
厚）まで研磨する前にウエハーテストを実施する場合の
製造方法について説明する。これはウエハーテスト時に
ウエハーのバルク電位を測定回路に組み込む必要がある
場合に用いる製造方法に関する。
厚）まで研磨する前にウエハーテストを実施する場合の
製造方法について説明する。これはウエハーテスト時に
ウエハーのバルク電位を測定回路に組み込む必要がある
場合に用いる製造方法に関する。
【００４３】また、ウエハー３表面の保護・補強用テー
プ２剥離後の純水洗浄をダイシング後の洗浄工程で兼用
する方法について説明する。
プ２剥離後の純水洗浄をダイシング後の洗浄工程で兼用
する方法について説明する。
【００４４】図５及び図６にウエハーの加工工程のプロ
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
【００４５】（ａ）８インチ径ウエハー１（ウエハー
厚：７２５μｍ）の表面に、実施例１と同じ保護・補強
用テープ２を貼り付ける。
厚：７２５μｍ）の表面に、実施例１と同じ保護・補強
用テープ２を貼り付ける。
【００４６】（ｂ）ウエハー１裏面を約５０μｍ研磨す
る（ウエハー厚：６７５μｍ）。
る（ウエハー厚：６７５μｍ）。
【００４７】（ｄ）実施例１と同じ剥離用テープ９を用
いて、６７５μｍ厚の一次研磨後のウエハー８（以下
「ウエハー８」とする。）から保護・補強用テープ２を
剥離する。
いて、６７５μｍ厚の一次研磨後のウエハー８（以下
「ウエハー８」とする。）から保護・補強用テープ２を
剥離する。
【００４８】（ｅ）純水超音波洗浄を行う。
【００４９】（ｔ）ウエハーテストを行う。
【００５０】（ａ）再度、ウエハー８に保護・補強用テ
ープ２を貼り付ける。
ープ２を貼り付ける。
【００５１】（ｂ）ウエハー８裏面を約４７５μｍ研磨
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態の研磨後
のウエハー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダ
イシング用テープ４に貼り付ける。
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態の研磨後
のウエハー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダ
イシング用テープ４に貼り付ける。
【００５２】（ｄ）実施例１と同じ剥離用テープ９を用
いて保護・補強用テープ２を引きはがす。
いて保護・補強用テープ２を引きはがす。
【００５３】（ｆ）ダイヤモンドホイールを用いてウエ
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
し、その後の純水洗浄でダイシングのシリコン切屑と一
緒にウエハー３表面の保護・補強用テープ２の接着剤残
渣を除去する。
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
し、その後の純水洗浄でダイシングのシリコン切屑と一
緒にウエハー３表面の保護・補強用テープ２の接着剤残
渣を除去する。
【００５４】（ｇ）ダイボンド工程に移る。
【００５５】実施例４ この実施例はウエハーテストをウエハー裏面の研磨完了
後ダイシング用テープ４に貼付し、保護・補強用テープ
２を剥離した状態で実施する製造方法について説明す
る。
後ダイシング用テープ４に貼付し、保護・補強用テープ
２を剥離した状態で実施する製造方法について説明す
る。
【００５６】この方法は最終ウエハー厚まで研磨した状
態でウエハーテストできるのでウエハー３に加わるスト
レス等を考慮するとフローチャート上では最も好ましい
と言える。
態でウエハーテストできるのでウエハー３に加わるスト
レス等を考慮するとフローチャート上では最も好ましい
と言える。
【００５７】図７及び図８にウエハーの加工工程のプロ
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
セスフローチャートとそれに伴うウエハーの加工状態を
示す。
【００５８】（ａ）裏面の研磨前の８インチ径ウエハー
１（ウエハー厚：７２５μｍ）表面に、実施例１と同じ
保護・補強用テープ２を貼り付ける。
１（ウエハー厚：７２５μｍ）表面に、実施例１と同じ
保護・補強用テープ２を貼り付ける。
【００５９】（ｂ）ウエハー１裏面を約５２５μｍ研磨
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態でウエハ
ー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダイシング
用テープ４に貼り付ける。
し（ウエハー厚：２００μｍ）、研磨完了後に、最終ウ
エハー厚（２００μｍ）のウエハー３表面に保護・補強
用テープ２を貼り付けたままでウエハー３をダイシング
工程へ搬送し、 （ｃ）保護・補強用テープ２を貼り付けた状態でウエハ
ー３裏面を金属キャリアフレーム５を介してダイシング
用テープ４に貼り付ける。
【００６０】（ｄ）実施例１と同じ剥離用テープ９を用
いて保護・補強用テープ２を引きはがす。
いて保護・補強用テープ２を引きはがす。
【００６１】（ｅ）純水による超音波洗浄によりウエハ
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
ー３表面の接着剤の残りを洗い落とす。
【００６２】（ｔ）ウエハーテストを実施する。
【００６３】（ｆ）ダイヤモンドホイールを用いてウエ
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
ハー３をダイシングし、所定のサイズのチップ７を形成
する。
【００６４】（ｇ）ダイボンド工程に移る。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はウエハー
裏面の研磨完了後、最終ウエハー厚（２００μｍ）のウ
エハー表面に保護・補強用テープを貼り付けたままで次
工程であるダイシング工程へ搬送し、このウエハー裏面
にダイシング用テープを貼り付けた後、剥離用テープを
用いて保護・補強用テープを剥離して、ダイシングされ
る。この結果、ウエハー研磨後もウエハーはいつも保護
・補強用テープ又はダインシング用テープのいずれかに
よって補強されているので、ウエハーハンドリングや搬
送中にウエハーの割れることがない安定した製造方法を
得ることができる。
裏面の研磨完了後、最終ウエハー厚（２００μｍ）のウ
エハー表面に保護・補強用テープを貼り付けたままで次
工程であるダイシング工程へ搬送し、このウエハー裏面
にダイシング用テープを貼り付けた後、剥離用テープを
用いて保護・補強用テープを剥離して、ダイシングされ
る。この結果、ウエハー研磨後もウエハーはいつも保護
・補強用テープ又はダインシング用テープのいずれかに
よって補強されているので、ウエハーハンドリングや搬
送中にウエハーの割れることがない安定した製造方法を
得ることができる。
【００６６】さらに加えて、従来ウエハー研磨後に実施
していたウエハーテストを、（１）最終ウエハー厚（２
００μｍ）まで研磨する前に、又は（２）ウエハー裏面
の研磨完了後ダイシング用テープに貼り付け、その後、
保護・補強用テープを剥離した状態で実施するため、ウ
エハーテスト工程でのウエハー破損も防止することがで
きる。
していたウエハーテストを、（１）最終ウエハー厚（２
００μｍ）まで研磨する前に、又は（２）ウエハー裏面
の研磨完了後ダイシング用テープに貼り付け、その後、
保護・補強用テープを剥離した状態で実施するため、ウ
エハーテスト工程でのウエハー破損も防止することがで
きる。
【００６７】以上のことにより、パッケージ厚０．５ｍ
ｍ以下の半導体装置の製造工程の歩留りを向上させるこ
とできる。
ｍ以下の半導体装置の製造工程の歩留りを向上させるこ
とできる。
【図１】本発明の実施例１のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
【図２】本発明の実施例１のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
【図３】本発明の実施例２のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
【図４】本発明の実施例２のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
【図５】本発明の実施例３のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
【図６】本発明の実施例３のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
【図７】本発明の実施例４のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
イシング工程までのプロセスフローチャートである。
【図８】本発明の実施例４のウエハー裏面の研磨からダ
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
イシング工程に伴うウエハーの加工状態の断面図であ
る。
【図９】従来のウエハー裏面の研磨からダイシング工程
までのプロセスフローチャートである。
までのプロセスフローチャートである。
【図１０】従来のウエハー裏面の研磨からダイシング工
程までのプロセスフローチャートに伴うウエハーの加工
状態の断面図である。
程までのプロセスフローチャートに伴うウエハーの加工
状態の断面図である。
【図１１】パッケージの薄型化と高密度化の関係の説明
図である。
図である。
１ 研磨前のウエハー ２ 保護・補強用テープ ３ 最終厚まで研磨後のウエハー ４ ダイシング用テープ ５ 金属製キャリアフレーム ７ チップ ８ １次研磨後のウエハー ９ 剥離用テープ
Claims (6)
- 【請求項１】 ウエハーの回路形成面である表面に、保
護・補強用テープを貼り付け、上記ウエハーの裏面研磨
を行い、上記保護・補強用テープを上記ウエハーの表面
に張り付けた状態で、最終ウエハー厚になった上記ウエ
ハーを搬送し、上記ウエハーの裏面をダイシング用テー
プに貼り付けた後、上記保護・補強用テープを剥離し、
ダイシングすることを特徴とする、半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 最終ウエハー厚が２００μｍ以下になる
まで、上記ウエハーの裏面研磨を行うことを特徴とす
る、請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 上記保護・補強用テープの接着剤塗布面
と反対側の表面に、紫外線を照射することにより、該保
護・補強用テープの接着強度を低下させた後、上記保護
・補強用テープを剥離することを特徴とする、請求項１
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 上記ウエハーの裏面との接着力が上記ウ
エハーの表面と上記保護・補強用テープとの接着力より
大きい上記ダイシング用テープに、上記ウエハーの裏面
を張り付け、上記保護・補強用テープの表面との接着力
が、上記ウエハーの表面と上記保護・補強用テープとの
接着力より大きい剥離用テープを、上記保護・補強用テ
ープの表面に張り付け、上記剥離用テープを剥離するこ
とにより、上記保護・補強用テープを剥離することを特
徴とする、請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 ウエハーテストを最終ウエハー厚に研磨
するまでに行うことを特徴とする、請求項１記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項６】 上記ウエハーを上記ダイシング用テープ
に貼り付け、上記保護・補強用テープを剥離した後、ウ
エハーテストを行うことを特徴とする、請求項１記載の
半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143393A JPH0722358A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5143393A JPH0722358A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0722358A true JPH0722358A (ja) | 1995-01-24 |
Family
ID=15337724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5143393A Pending JPH0722358A (ja) | 1993-06-15 | 1993-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722358A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008745A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer |
| JPH09148280A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-06-06 | Samsung Electron Co Ltd | Ｕｖ過敏テープを用いてウェーハの裏面を研磨する半導体素子の製造方法 |
| KR19990017672A (ko) * | 1997-08-25 | 1999-03-15 | 윤종용 | 반도체 칩 패키지 제조 방법 |
| EP1026725A2 (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a semiconductor device |
| US6297131B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer |
| US6425971B1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-07-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes |
| WO2003060972A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Ic chip manufacturing method |
| WO2003063219A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic component |
| JP2003332267A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Lintec Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| JP2005039114A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハ移し替え装置 |
| JPWO2003085714A1 (ja) * | 2002-04-11 | 2005-08-18 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| US6982184B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-01-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer |
| US7122447B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-10-17 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor circuit device |
| WO2010038717A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック電工株式会社 | 機能デバイスの製造方法、および、機能デバイスを備えた半導体装置の製造方法 |
| JP2012114265A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハ用保持具及び半導体ウェーハの取り扱い方法 |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
-
1993
- 1993-06-15 JP JP5143393A patent/JPH0722358A/ja active Pending
Cited By (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997008745A1 (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-06 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer |
| JPH09148280A (ja) * | 1995-11-08 | 1997-06-06 | Samsung Electron Co Ltd | Ｕｖ過敏テープを用いてウェーハの裏面を研磨する半導体素子の製造方法 |
| KR19990017672A (ko) * | 1997-08-25 | 1999-03-15 | 윤종용 | 반도체 칩 패키지 제조 방법 |
| EP1026725A2 (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for a semiconductor device |
| US6730579B1 (en) | 1999-02-05 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor dice by partially dicing the substrate and subsequent chemical etching |
| US6297131B1 (en) | 1999-04-22 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Semiconductor device manufacturing method for grinding and dicing a wafer from a back side of the wafer |
| US6846692B2 (en) | 2000-05-10 | 2005-01-25 | Silverbrook Research Pty Ltd. | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes |
| US6425971B1 (en) * | 2000-05-10 | 2002-07-30 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating devices incorporating microelectromechanical systems using UV curable tapes |
| US7285437B2 (en) | 2001-05-02 | 2007-10-23 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of separating MEMS devices from a composite structure |
| US6982184B2 (en) | 2001-05-02 | 2006-01-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Method of fabricating MEMS devices on a silicon wafer |
| WO2003060972A1 (en) * | 2002-01-15 | 2003-07-24 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Ic chip manufacturing method |
| CN1322554C (zh) * | 2002-01-15 | 2007-06-20 | 积水化学工业株式会社 | Ic片的生产方法 |
| US6939741B2 (en) | 2002-01-15 | 2005-09-06 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | IC chip manufacturing method |
| US6984572B2 (en) | 2002-01-25 | 2006-01-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic component |
| WO2003063219A1 (en) * | 2002-01-25 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing electronic component |
| JPWO2003085714A1 (ja) * | 2002-04-11 | 2005-08-18 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| JP4791693B2 (ja) * | 2002-04-11 | 2011-10-12 | 積水化学工業株式会社 | 半導体チップの製造方法 |
| JP2003332267A (ja) * | 2002-05-09 | 2003-11-21 | Lintec Corp | 半導体ウエハの加工方法 |
| US7122447B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-10-17 | Renesas Technology Corp. | Fabrication method of semiconductor circuit device |
| US7968428B2 (en) | 2002-10-25 | 2011-06-28 | Renesas Electronics Corporation | Fabrication method of semiconductor circuit device |
| JP2005039114A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウェーハ移し替え装置 |
| WO2010038717A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | パナソニック電工株式会社 | 機能デバイスの製造方法、および、機能デバイスを備えた半導体装置の製造方法 |
| JP2010087280A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 機能性デバイスの製造方法および、それにより製造された機能性デバイスを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP2012114265A (ja) * | 2010-11-25 | 2012-06-14 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 半導体ウェーハ用保持具及び半導体ウェーハの取り扱い方法 |
| JP2015098565A (ja) * | 2013-11-20 | 2015-05-28 | 東京応化工業株式会社 | 処理方法 |
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