JP2000319080A - 炭化珪素被覆黒鉛部材 - Google Patents

炭化珪素被覆黒鉛部材

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明 近藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＳｉＣ被膜の膜厚が薄くてもＳｉＯガスに対
する安定性が高く、例えばＣＺ法によるシリコン単結晶
引上げ装置用の各種部材として好適に使用することがで
きる炭化珪素被覆黒鉛部材を提供する。 【解決手段】 黒鉛基材面にＳｉＣ被膜が被着された黒
鉛部材であって、ＳｉＣ被膜の膜厚が３０〜５０μm 、
黒鉛基材面とＳｉＣ被膜の界面から黒鉛基材内部にかけ
て厚さ１０〜５００μm の黒鉛とＳｉＣとの混在層が存
在し、ＳｉＣ被膜の剥離強度が５ＭＰａ以上の炭化珪素
被覆黒鉛部材。なお、ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法により被着
され、この炭化珪素被覆黒鉛部材はシリコン単結晶引上
げ用の装置部材として好適である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳｉＣ被膜を被着
した黒鉛部材であって、例えばチョクラルスキー法（以
下、ＣＺ法ともいう）によるシリコン単結晶引上げ装置
用の各種部材として好適に使用することのできる炭化珪
素被覆黒鉛部材に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩなどの製造に用いるシリコ
ン単結晶は、通常ＣＺ法により製造されている。ＣＺ法
によるシリコン単結晶引上げ装置は、図１に示すように
高純度の石英ルツボ４の中にシリコン多結晶を入れ、黒
鉛ヒータ８により加熱してシリコン多結晶を溶融し、シ
リコン多結晶の融液３の表面に引上軸の先端部に取り付
けた種結晶１（シリコン単結晶）を浸し、回転軸７によ
り回転させながらゆっくりと引き上げてシリコン融液３
を凝固させることにより種結晶１の下端にシリコン単結
晶２を成長させるものである。
【０００３】しかしながら、石英ルツボ４は高温におい
ては軟化し強度も充分でないので、通常、石英ルツボ４
を黒鉛ルツボ５内に嵌合し、黒鉛ルツボ５で石英ルツボ
４を支持することにより補強して用いられている。ま
た、ガス整流筒９、熱遮蔽部材１０、断熱筒１１なども
高温下において安定な黒鉛材が用いられている。このよ
うに、シリコン単結晶引上げ装置には多くの黒鉛部材が
使用されている。
【０００４】しかしながら、シリコン単結晶の引き上げ
操作時において、装置内では溶融したシリコンと石英と
が下記 (1)式のように反応して、装置内にＳｉＯガスが
発生する。 Ｓｉ＋ＳｉＯ2 →２ＳｉＯ (g) …… (1)
【０００５】発生したＳｉＯガスは、装置内の黒鉛部材
と下記 (2)式のように反応して、一部がＳｉＣに転化す
るとともに、一部はＣＯガスとして揮散する。 ＳｉＯ (g)＋２Ｃ→ＳｉＣ＋ＣＯ (g) …… (2)
【０００６】このようにして、黒鉛部材はＳｉＯガスに
より次第に浸食され、また発生したＣＯガスは溶融シリ
コン中に溶解し、引き上げたシリコン単結晶中の炭素濃
度を増大させてシリコン単結晶の半導体的特性を劣化さ
せ、更に、黒鉛部材面に生成したＳｉＣにより黒鉛部材
面には微細なクラックが発生することになり、使用寿命
が短縮化する、などの難点がある。
【０００７】これらの難点を排除して、黒鉛部材とＳｉ
Ｏガスとの反応を抑制するために黒鉛部材面を炭化珪素
で被覆することが知られている。例えば、特開昭５８−
１７２２９２号公報にはシリコン単結晶の引上げ装置に
おいて使用する発熱体の材料となる黒鉛素材表層部に炭
化珪素を形成させてなるシリコン単結晶引上げ装置用黒
鉛発熱体、特開昭５８−１７２２９５号公報にはシリコ
ン単結晶の引上げ装置において使用する石英ルツボと、
黒鉛ルツボとの間に炭化珪素を介在させることを特徴と
するシリコン単結晶引上げ方法、が開示されている。
【０００８】また、特開昭６２−１３８３８６号公報に
はチョクラルスキー法による単結晶引上げ装置におい
て、該単結晶棒を取囲み、下端開口が融体面に近接し、
その上端が外方へ断面三角形もしくは弧状に曲折された
リム状環でルツボの頂部周辺をカバーするほぼ逆円錐形
の輻射スクリーンを設けてなり、該輻射スクリーンの内
外表面は炭化珪素、窒化珪素あるいは窒化ホウ素の中の
１つから、中間層はカーボンフェルトから構成される断
熱複層構造であることを特徴とする単結晶の引上装置が
開示されている。
【０００９】更に、特開平５−２２１７５８号公報には
化学気相蒸着炭化珪素被覆黒鉛部材において、クラック
が生じ易い部分の膜厚を、全体の平均膜厚の５０〜７５
％の炭化珪素膜厚とし、かつそのうち薄膜化した部分の
炭化珪素膜厚が、６０〜９０μm であることを特徴とす
る炭化珪素被覆黒鉛部材が開示されている。
【００１０】このように黒鉛部材に被覆され炭化珪素
（ＳｉＣ）は、ＳｉＯガスと下記 (3)式により反応する
が、この反応開始温度は約１８２０℃以上の高温であ
り、一方、シリコンの融点は約１４２０℃であるので、
シリコン単結晶引き上げ操作時において (3)式の反応が
起こることはなく、黒鉛部材面の劣化を抑制することが
可能となる。 ＳｉＣ＋ＳｉＯ (g)→２Ｓｉ＋ＣＯ (g) …… (3)
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】したがって、炭化珪素
を被覆することにより黒鉛部材はＳｉＯガスとの反応が
抑制され安定に使用することが可能となるが、反面、製
造コストが上昇する問題がある。すなわち、被覆したＳ
ｉＣ被膜が厚くなるほどＳｉＯガスに対する安定性が向
上するが、製造コストはＳｉＣ被膜の厚さにほぼ比例し
て上昇する。
【００１２】また、炭化珪素被覆黒鉛部材はシリコン単
結晶引き上げ操作を繰り返し行う間に、シリコン蒸気や
溶融シリコン飛沫などの付着により使用寿命に達する
が、それとは別に部材の組立て時やメンテナンス時のハ
ンドリングミスにより物理的衝撃が加わり、ＳｉＣ被膜
にクラックや剥離などの損傷が発生して使用不能になる
問題もある。
【００１３】一般に、物理的衝撃に対する抵抗性の高い
ＳｉＣ被膜は、膜厚を厚く被覆することが効果的とされ
ており、経験的に６０〜１５０μm 程度のＳｉＣ被膜が
被覆されている。しかしながら、製造コストの高騰を抑
えるためには、当然に膜厚は薄いことが望まれる。本発
明は、これらの相反する問題点を解消するために開発さ
れたものであり、その目的とするところは製造コストが
安価であり、物理的衝撃に対する抵抗性に優れた炭化珪
素被覆黒鉛部材を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による炭化珪素被覆黒鉛部材は、黒鉛基材面
にＳｉＣ被膜が被着された黒鉛部材であって、ＳｉＣ被
膜の膜厚が３０〜５０μm 、黒鉛基材面とＳｉＣ被膜の
界面から黒鉛基材内部にかけて厚さ１０〜５００μm の
黒鉛とＳｉＣとの混在層が存在し、かつＳｉＣ被膜の剥
離強度が５ＭＰａ以上であることを構成上の特徴とす
る。なお、ＳｉＣ被膜はＣＶＤ法により被着されたもの
であり、この炭化珪素被覆黒鉛部材はシリコン単結晶引
上げ用の装置部材として好適に使用される。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の炭化珪素被覆黒鉛部材
は、黒鉛基材面とＳｉＣ被膜の界面において、界面から
黒鉛基材側にかけて厚さ１０〜５００μm の黒鉛とＳｉ
Ｃとの混在層が存在することが特徴の一つである。すな
わち、黒鉛基材の表層部の組織構造を黒鉛からＳｉＣへ
と傾斜的に変化する黒鉛とＳｉＣとの混在層とすると、
混在層のアンカー効果によりＳｉＣ被膜は黒鉛基材面と
強固に被着される。その結果、ＳｉＣ被膜は剥離し難
く、膜厚を薄くすることが可能となる。
【００１６】この混在層の厚さを１０〜５００μm の範
囲に設定するのは、厚さが１０μm未満であると、アン
カー効果が小さいために黒鉛基材面にＳｉＣ被膜を強固
に被着することが難しく、一方、混在層の厚さが５００
μm を越えてもアンカー効果の著しい向上は認められ
ず、またコストの増大を招くためである。
【００１７】黒鉛基材面にＳｉＣ被膜を被着した構造
は、高い剛性のＳｉＣ被膜の外膜と、ＳｉＣに比べ柔ら
かく、微視的には塑性変形し得る黒鉛基材とから成り、
物理的衝撃が加えられた場合、膜厚が厚ければＳｉＣ被
膜のみで応力を負担し、その剛性により応力を跳ね返す
ことができる。しかし、膜厚が薄くなると、その応力は
ＳｉＣ被膜と黒鉛基材との界面まで伝播し、更に薄くな
ると黒鉛基材まで到達する。このように界面まで応力が
伝播すると、ＳｉＣ被膜の被着力が弱い場合にはＳｉＣ
被膜は容易に剥離してしまう。
【００１８】本発明は、上記の傾斜的に組成が変化する
混在層の存在によりＳｉＣ被膜は強固に被着されてお
り、その結果ＳｉＣ被膜の膜厚を薄くしても物理的衝撃
に対する高い抵抗性を備えることが可能となり、剥離し
難くなる。そして、具体的には膜厚を３０〜５０μm と
薄膜化することが可能となる。ＳｉＣ被膜の膜厚が３０
μm よりも薄い場合には、加わった応力が黒鉛基材にま
で到達し、黒鉛の塑性変形によりＳｉＣ被膜にクラック
が発生することとなる。一方、ＳｉＣ被膜の膜厚が厚く
なるほど製造コストが上昇し、５０μm より厚く被膜を
被着してもコストに見合う効果が得られない。このよう
な理由により、ＳｉＣ被膜の膜厚は３０〜５０μm の範
囲に設定制御される。
【００１９】このようにして混在層のアンカー効果なら
びにＳｉＣ被膜の膜厚により、黒鉛基材面に被着された
ＳｉＣ被膜の剥離強度を５ＭＰａ以上に設定することが
可能となる。なお、剥離強度が５ＭＰａ以上であれば、
通常の物理的衝撃を受けても容易に剥離するようなこと
はない。なお、剥離強度は直接引張り法〔D.S.Campbell
; Mechanical Properties of thin films , in Handbo
ok of Thin Film Technology , L.I.Maissel and R.Gla
ng , Editors , Chapter 12 , McGraw Hill ,N.Y.,pp.1
2.6〜12.21 (1970)〕により得られる値である。
【００２０】このＳｉＣ被膜はＣＶＤ法により黒鉛基材
面に被着されたものである。ＣＶＤ法によるＳｉＣ被膜
の被着は、例えば、常圧熱ＣＶＤ反応装置あるいは減圧
熱ＣＶＤ反応装置などのＣＶＤ反応装置内に黒鉛基材を
セットして、系内の空気を排気したのち、所定温度に加
熱保持しつつ水素ガスを送入して水素ガス雰囲気に置換
し、次いで水素ガスをキャリアガスとして、例えばＣＨ
3 ＳｉＣｌ3 、（ＣＨ 3)2 ＳｉＣｌ2 、ＣＨ3 ＳｉＨＣ
ｌ2 等のハロゲン化有機珪素化合物、あるいは、ＳｉＣ
ｌ4 等の珪素化合物とＣＨ4 等の炭素化合物を原料ガス
として送入し、気相熱分解反応させて黒鉛基材面にＳｉ
Ｃを析出させることによりＳｉＣ被膜が被着される。
【００２１】この際、黒鉛基材面に存在する細孔内への
原料ガスの拡散速度、気相熱分解反応によるＳｉＣ析出
速度などを調整、制御するために、ＣＶＤ反応の温度及
び時間、原料ガス送入量、原料ガスと水素ガスとの量
比、反応装置内の圧力等のＣＶＤ反応条件を適宜設定す
ることにより、黒鉛基材面に被着したＳｉＣ被膜の性状
を制御することができ、ＳｉＣ被膜の膜厚、混在層の厚
さ、ＳｉＣ被膜の剥離強度などを所定の範囲に制御する
ことができる。
【００２２】このように、本発明の炭化珪素被覆黒鉛部
材は、膜厚が比較的薄いＳｉＣ被膜が黒鉛基材面に強固
に被着されており、その剥離強度も高いので、特にシリ
コン単結晶引上げ装置を構成する、例えば、ガス整流
筒、熱遮蔽部材、断熱筒、ヒータ、黒鉛ルツボなどの各
種装置部材として好適に使用することができ、しかも安
価な装置部材として極めて有用である。
【００２３】以下、本発明の実施例を比較例と対比して
具体的に説明する。
【００２４】実施例１〜３、比較例１〜７ 縦１００mm、横１００mm、厚さ１０mmの等方性黒鉛材を
ＣＶＤ反応装置内にセットして、反応装置内を水素ガス
で充分に置換したのち所定の温度に加熱し、原料ガスと
してＣＨ4 とＳｉＣｌ4 を用いて水素ガス（キャリアガ
ス）とともに導入し、この際、反応温度、反応圧力、Ｃ
Ｈ4 ／ＳｉＣｌ4 ／Ｈ2 の混合比、原料ガスの導入量、
反応時間などを設定変更してＣＶＤ反応を生起させ、等
方性黒鉛材面にＳｉＣ被膜を被着した。
【００２５】このようにして作製した炭化珪素被覆黒鉛
部材について、ＳｉＣ被膜の膜厚、黒鉛とＳｉＣとの混
在層の厚さ、及びＳｉＣ被膜の剥離強度を測定した。な
お、混在層の厚さは電子顕微鏡の反射電子像から、また
剥離強度は直接引張り法により測定した。次に、物理的
衝撃に対するシミュレーションテストとして、インパク
トデバイス（重量８０g ）をＳｉＣ被膜より５０mmの高
さから落下させ、衝撃によるＳｉＣ被膜表面の打痕の直
径及びＳｉＣ被膜の損傷状況を観察した。これらの結果
を表１に示した。
【００２６】
【表１】 表注； *1 打痕が黄色に変色しており、ヒートサイクル試験（常温〜１４００ ℃）を行った結果、打痕部分のＳｉＣ被膜は黒鉛基材面から完全に離脱した。
【００２７】表１の結果から、実施例の炭化珪素被覆黒
鉛部材は打痕径が小さく、衝撃による損傷も軽微であ
り、実使用上は問題ないレベルであった。これに対して
ＳｉＣ被膜の膜厚が薄い比較例１では打痕径が大きく、
衝撃によりクラックも発生しており、実用上問題が懸念
されるものであった。また、ＳｉＣ被膜の膜厚が厚くな
るにしたがい打痕径が小さくなり、耐物理衝撃性も向上
する傾向が認められ、比較例２の膜厚が１００μm では
衝撃による損傷は極めて僅かであるが、コスト的に高価
であり、極めて不利となる。
【００２８】また、黒鉛とＳｉＣとの混在層が存在しな
い比較例３〜７ではＳｉＣ被膜の剥離強度が小さく、衝
撃によりＳｉＣ被膜の剥離が認められ、実用上は黒鉛基
材面とＳｉＯガスとの反応により継続使用できないもの
であった。なお、比較例２と同様にＳｉＣ被膜の膜厚が
１００μm と厚くなると打痕径が小さくなり、損傷も僅
かとなるが、コスト面で高価となる。
【００２９】実施例４ ＳｉＣ被膜の膜厚４０μm 、混在層の厚さ１００μm 、
剥離強度１０ＭＰａの実施例２の炭化珪素被覆黒鉛部材
を用いて、図１に示したシリコン単結晶引上げ装置の熱
遮蔽部材（10）を作製し、シリコン単結晶引上げ操作を
行って耐用回数を測定した。
【００３０】実施例５ 実施例４の熱遮蔽部材（10）に重さ１０g のボルトを５
０cmの高さから落下させて直径約１．６mmの打痕をつけ
てシリコン単結晶引上げ操作を行い、その耐用回数を測
定した。
【００３１】比較例８ ＳｉＣ被膜の膜厚１００μm 、混在層が存在せず、剥離
強度が３ＭＰａの比較例７の炭化珪素被覆黒鉛部材を用
いて、図１に示したシリコン単結晶引上げ装置の熱遮蔽
部材（10）を作製し、シリコン単結晶引上げ操作を行っ
て耐用回数を測定した。
【００３２】得られた結果を表２に示した。
【表２】
【００３３】表２の結果から、ＳｉＣ被膜の膜厚が４０
μm の本発明の炭化珪素被覆黒鉛部材で作成した実施例
４の熱遮蔽部材は、膜厚が１００μm の比較例８の熱遮
蔽部材と同等の耐用回数を示しており、膜厚が薄くても
使用寿命が長いことが判る。また、衝撃によって直径約
１．６mmの打痕をつけた実施例５の熱遮蔽部材も、略同
等の使用回数が得られることが認められ、例えばハンド
リングミスなどにより物理的衝撃を受けても実用上問題
となる損傷に至らないことが判る。
【００３４】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の炭化珪素被覆黒
鉛部材は、黒鉛基材面とＳｉＣ被膜の界面から黒鉛基材
側にかけて黒鉛とＳｉＣとが混在する傾斜組織の混在層
を存在させ、そのアンカー効果によりＳｉＣ被膜が強固
に被着されている。その結果、膜厚が比較的薄いＳｉＣ
被膜が黒鉛基材面に強固に被着し、その剥離強度も高い
のでシリコン単結晶引上げ装置を構成する、例えば、ガ
ス整流筒、熱遮蔽部材、断熱筒、ヒータ、黒鉛ルツボな
どの各種装置部材として好適な高性能の炭化珪素被覆黒
鉛部材が提供され、安価な装置部材として極めて有用で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＺ法によるシリコン単結晶の引上げ装置を模
式的に示した断面図である。
【符号の説明】
１ 種結晶（シリコン単結晶） ２ シリコン単結晶 ３ シリコン融液 ４ 石英ルツボ ５ 黒鉛ルツボ ６ ルツボ受け ７ 回転軸 ８ 黒鉛ヒータ ９ ガス整流筒 10 熱遮蔽部材 11 断熱筒
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 599061936 4111Ｎ．Ｅ． 112ｔｈ Ａｖｅｎｕｅ Ｖａｎｃｏｕｖｅｒ，ＷＡ 98682−6776 ＵＳＡ (72)発明者 近藤 明 アメリカ合衆国 97223 オレゴン州 タ イガード市 ブリストルコーンウエイ サ ウス・ウエスト 15867 (72)発明者 ニール サルストーム アメリカ合衆国 98607 ワシントン州 カマス市 ワトキンス コート ノース・ ウエスト 3020 Ｆターム(参考） 4G077 CF10 EG02 PD01 PD05 4K030 AA03 AA06 AA10 AA17 BA37 BB11 CA01 JA01 LA11 5F053 AA12 AA13 BB08 BB09 BB13 BB15 DD01 FF04 GG01 HH10 RR03 RR07 RR20

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 黒鉛基材面にＳｉＣ被膜が被着された黒
    鉛部材であって、ＳｉＣ被膜の膜厚が３０〜５０μm 、
    黒鉛基材面とＳｉＣ被膜の界面から黒鉛基材内部にかけ
    て厚さ１０〜５００μm の黒鉛とＳｉＣとの混在層が存
    在し、かつＳｉＣ被膜の剥離強度が５ＭＰａ以上である
    ことを特徴とする炭化珪素被覆黒鉛部材。
  2. 【請求項２】 ＳｉＣ被膜がＣＶＤ法により被着された
    ものである、請求項１記載の炭化珪素被覆黒鉛部材。
  3. 【請求項３】 シリコン単結晶引上げ用の装置部材とし
    て用いる、請求項１記載の炭化珪素被覆黒鉛部材。
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DE10022333A DE10022333B4 (de) 1999-05-07 2000-05-08 CVD-Verfahren zu Herstellung eines siliciumcarbidbeschichteten Graphitwerkstoff und Verwendung eines siliciumcarbidbeschichteten Graphitwerkstoffs

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010236717A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Ube Ind Ltd 坩堝とその製造方法、それを用いた窒化ケイ素粉末製造方法
KR101364587B1 (ko) * 2012-05-24 2014-02-19 주식회사 티씨케이 사파이어 단결정 성장장치의 도가니
US9212431B2 (en) 2006-09-29 2015-12-15 Sumco Techxiv Corporation Silicon single crystal pulling device and graphite member used therein
JP2016204202A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 イビデン株式会社 焼成治具及び焼成治具の製造方法
JP2017515778A (ja) * 2014-05-12 2017-06-15 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 融液処理装置
KR20170129246A (ko) * 2015-07-02 2017-11-24 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 인상 장치 내의 부재의 재생 방법
JP2020026370A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 イビデン株式会社 反応装置
CN118207514A (zh) * 2024-05-15 2024-06-18 浙江美晶新材料股份有限公司 一种石英坩埚及其制备方法与应用

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005243667A (ja) * 2004-02-24 2005-09-08 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 熱処理装置
US7540919B2 (en) * 2005-04-01 2009-06-02 Gt Solar Incorporated Solidification of crystalline silicon from reusable crucible molds
GB2432830A (en) * 2005-12-02 2007-06-06 Morganite Elect Carbon Formation of thermally anisotropic carbon material
KR100740633B1 (ko) * 2005-12-22 2007-07-18 재단법인 포항산업과학연구원 실리카가 코팅된 흑연의 제조방법
AT504908B1 (de) * 2007-03-29 2008-09-15 Boehlerit Gmbh & Co Kg Beschichtetes werkzeug
US20100310860A1 (en) * 2008-02-28 2010-12-09 Changwon National University Industry Academy Cooperation Corps Synthetic method for anti-oxidation ceramic coatings on graphite substrates
CN101775590B (zh) * 2010-01-08 2011-08-10 刘锡潜 一种具有保护涂层的石墨基座及其制备方法
KR101274079B1 (ko) * 2011-09-28 2013-06-12 주식회사 티씨케이 엘이디 성장 설비의 천정판 제조방법
KR101385862B1 (ko) * 2011-12-13 2014-04-18 (주)엘지하우시스 고경도 인조대리석 및 그 제조방법
WO2017031304A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Entegris, Inc. Silicon carbide/graphite composite and articles and assemblies comprising same
US10054149B2 (en) 2015-12-08 2018-08-21 Jonix Llc Dual sliding wedge T-nut
DE102016201495B4 (de) * 2016-02-01 2019-05-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Tiegel mit einer Innenbeschichtung aus SiC als Diffusionsbarriere für Metalle sowie Verfahren zu dessen Herstellung, Verwendung und darin hergestellte Halbleiterkristalle
EP3514259A1 (en) * 2018-01-18 2019-07-24 Heraeus GMSI LLC Process for manufacturing a silicon carbide coated body
CN108359958B (zh) * 2018-03-14 2020-01-07 深圳市志橙半导体材料有限公司 一种cvd法碳化硅涂层的制备方法
CN118125866A (zh) * 2024-04-30 2024-06-04 湖南德智新材料有限公司 一种碳化硅复合材料及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0426576A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 炭化けい素被覆炭素製品及びその製造方法
JPH05306169A (ja) * 1992-05-06 1993-11-19 Kobe Steel Ltd 炭素材料の製造方法
JPH06263568A (ja) * 1993-03-05 1994-09-20 Japan Atom Energy Res Inst 炭素系材料の耐酸化性改良法
JPH06263569A (ja) * 1993-03-08 1994-09-20 Tokai Carbon Co Ltd 炭素質基材の耐酸化性被膜形成法
JPH07257987A (ja) * 1994-03-16 1995-10-09 Sumitomo Sitix Corp 半導体単結晶引上げ装置用黒鉛部材および半導体単結晶引上げ装置
JPH10182284A (ja) * 1996-12-18 1998-07-07 Toyo Tanso Kk 炭化ケイ素被膜の形成方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3925577A (en) * 1972-11-24 1975-12-09 Westinghouse Electric Corp Silicon carbide coated graphite members and process for producing the same
JPH01249679A (ja) * 1988-03-29 1989-10-04 Toyo Tanso Kk 黒鉛一炭化珪素複合体並びにその製造法
JP3196966B2 (ja) * 1992-02-10 2001-08-06 東洋炭素株式会社 炭化珪素被覆黒鉛部材

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0426576A (ja) * 1990-05-21 1992-01-29 Toshiba Ceramics Co Ltd 炭化けい素被覆炭素製品及びその製造方法
JPH05306169A (ja) * 1992-05-06 1993-11-19 Kobe Steel Ltd 炭素材料の製造方法
JPH06263568A (ja) * 1993-03-05 1994-09-20 Japan Atom Energy Res Inst 炭素系材料の耐酸化性改良法
JPH06263569A (ja) * 1993-03-08 1994-09-20 Tokai Carbon Co Ltd 炭素質基材の耐酸化性被膜形成法
JPH07257987A (ja) * 1994-03-16 1995-10-09 Sumitomo Sitix Corp 半導体単結晶引上げ装置用黒鉛部材および半導体単結晶引上げ装置
JPH10182284A (ja) * 1996-12-18 1998-07-07 Toyo Tanso Kk 炭化ケイ素被膜の形成方法

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9212431B2 (en) 2006-09-29 2015-12-15 Sumco Techxiv Corporation Silicon single crystal pulling device and graphite member used therein
JP2010236717A (ja) * 2009-03-30 2010-10-21 Ube Ind Ltd 坩堝とその製造方法、それを用いた窒化ケイ素粉末製造方法
KR101364587B1 (ko) * 2012-05-24 2014-02-19 주식회사 티씨케이 사파이어 단결정 성장장치의 도가니
JP2017515778A (ja) * 2014-05-12 2017-06-15 ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド 融液処理装置
JP2016204202A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 イビデン株式会社 焼成治具及び焼成治具の製造方法
KR20170129246A (ko) * 2015-07-02 2017-11-24 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 인상 장치 내의 부재의 재생 방법
KR101983751B1 (ko) 2015-07-02 2019-05-29 가부시키가이샤 사무코 실리콘 단결정 인상 장치 내의 부재의 재생 방법
JP2020026370A (ja) * 2018-08-10 2020-02-20 イビデン株式会社 反応装置
JP7093264B2 (ja) 2018-08-10 2022-06-29 イビデン株式会社 反応装置
CN118207514A (zh) * 2024-05-15 2024-06-18 浙江美晶新材料股份有限公司 一种石英坩埚及其制备方法与应用

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DE10022333A1 (de) 2001-01-18

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