JPH0693453A - サセプタ - Google Patents
サセプタInfo
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- JPH0693453A JPH0693453A JP3298263A JP29826391A JPH0693453A JP H0693453 A JPH0693453 A JP H0693453A JP 3298263 A JP3298263 A JP 3298263A JP 29826391 A JP29826391 A JP 29826391A JP H0693453 A JPH0693453 A JP H0693453A
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Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウエハ上に均一な膜が形成され、しかもサセ
プタ上に堆積する膜の剥離もなくすることができるサセ
プタの提供。 【構成】 ３０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５
〜１％であり、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが
次式で示される範囲にある黒鉛から構成されてなること
を特徴とするサセプタ。さらに上記黒鉛にガラス状炭素
及び／又は熱分解炭素の被膜を形成させてなることを特
徴とするサセプタ。 ０．５×（θ／３０）2 ≦Ｒθ≦１×（θ／３０）2 （但し、θは３０、５０、８０である。）
プタ上に堆積する膜の剥離もなくすることができるサセ
プタの提供。 【構成】 ３０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５
〜１％であり、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが
次式で示される範囲にある黒鉛から構成されてなること
を特徴とするサセプタ。さらに上記黒鉛にガラス状炭素
及び／又は熱分解炭素の被膜を形成させてなることを特
徴とするサセプタ。 ０．５×（θ／３０）2 ≦Ｒθ≦１×（θ／３０）2 （但し、θは３０、５０、８０である。）
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特に気相成長を行なう
際に好適に使用されるサセプタに関する。
際に好適に使用されるサセプタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、気相成長用サセプタとしては、黒
鉛又は黒鉛基材表面にガラス状炭素、熱分解黒鉛、セラ
ミック膜等で被覆したものが知られている（例えば特開
昭６４ー４７０１９号公報）。
鉛又は黒鉛基材表面にガラス状炭素、熱分解黒鉛、セラ
ミック膜等で被覆したものが知られている（例えば特開
昭６４ー４７０１９号公報）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
黒鉛からなるものは、ダストが発生しやすく、しかもＣ
ＶＤによりウエハ上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
等の各種のＣＶＤ膜を成膜する際、サセプタ表面が粗い
ために外部ヒーター加熱や高周波加熱によりサセプタに
与えられた熱がウエハに均一に伝わらず、ウエハ内ある
いはウエハ間において均一な成膜が困難である等の問題
があった。一方、ガラス状炭素で被覆したものにおいて
は、そのような欠点はないが、表面が平坦なためにサセ
プタ上に堆積するＣＶＤ膜が剥離しやすく、それが形成
膜中に取り込まれる恐れがあった。
黒鉛からなるものは、ダストが発生しやすく、しかもＣ
ＶＤによりウエハ上にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
等の各種のＣＶＤ膜を成膜する際、サセプタ表面が粗い
ために外部ヒーター加熱や高周波加熱によりサセプタに
与えられた熱がウエハに均一に伝わらず、ウエハ内ある
いはウエハ間において均一な成膜が困難である等の問題
があった。一方、ガラス状炭素で被覆したものにおいて
は、そのような欠点はないが、表面が平坦なためにサセ
プタ上に堆積するＣＶＤ膜が剥離しやすく、それが形成
膜中に取り込まれる恐れがあった。
【０００４】上記問題点を解決するため、ウエハ接触部
の面とそれ以外の面の表面粗さを変えることが提案され
ているが（特開平３ー１４６６７２号公報）、この方法
は、ウエハ接触部以外の面をウエハ部にマスキングを施
してから機械的に表面を荒らす必要があったので、生産
性に問題があった。
の面とそれ以外の面の表面粗さを変えることが提案され
ているが（特開平３ー１４６６７２号公報）、この方法
は、ウエハ接触部以外の面をウエハ部にマスキングを施
してから機械的に表面を荒らす必要があったので、生産
性に問題があった。
【０００５】本発明は、以上の問題点を解決し、ウエハ
上に均一な膜が形成され、しかも堆積するＣＶＤ膜の剥
離がないサセプタを提供することを目的とするものであ
る。
上に均一な膜が形成され、しかも堆積するＣＶＤ膜の剥
離がないサセプタを提供することを目的とするものであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、３
０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５〜１％であ
り、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが次式で示さ
れる範囲にある黒鉛から構成されてなることを特徴とす
るサセプタであり、また、この黒鉛からなるサセプタに
ガラス状炭素及び／又は熱分解炭素の被膜を形成させて
なることを特徴とするサセプタである。 ０．５×（θ／３０）2 ≦Ｒθ≦１×（θ／３０）2 （但し、θは３０、５０、８０である。）
０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５〜１％であ
り、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが次式で示さ
れる範囲にある黒鉛から構成されてなることを特徴とす
るサセプタであり、また、この黒鉛からなるサセプタに
ガラス状炭素及び／又は熱分解炭素の被膜を形成させて
なることを特徴とするサセプタである。 ０．５×（θ／３０）2 ≦Ｒθ≦１×（θ／３０）2 （但し、θは３０、５０、８０である。）
【０００７】以下、さらに詳しく本発明について説明す
ると、本発明で使用される黒鉛基材については特に制約
はないが、被膜形成のしやすさから密度１．６５g/cm3
以上の等方性黒鉛が望ましい。
ると、本発明で使用される黒鉛基材については特に制約
はないが、被膜形成のしやすさから密度１．６５g/cm3
以上の等方性黒鉛が望ましい。
【０００８】黒鉛の表面状態と光沢の間には密接な関係
があり、一般に表面が平坦であれば正反射率は大きくな
り、気孔が多くなると乱反射が大きくなって正反射率は
小さくなる。正反射率の低下は入射角が小さい程乱反射
の影響が強くなる。
があり、一般に表面が平坦であれば正反射率は大きくな
り、気孔が多くなると乱反射が大きくなって正反射率は
小さくなる。正反射率の低下は入射角が小さい程乱反射
の影響が強くなる。
【０００９】ウエハ上に均一な膜を形成させ、しかもサ
セプタ上の堆積膜の剥離を防止するには、多くの実験の
結果、３０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５〜１
％であり、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが上式
で示される範囲にある黒鉛であることを本発明者らは見
いだした。
セプタ上の堆積膜の剥離を防止するには、多くの実験の
結果、３０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が０．５〜１
％であり、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率Ｒθが上式
で示される範囲にある黒鉛であることを本発明者らは見
いだした。
【００１０】すなわち、Ｒ３０が０．５％未満では均一
な膜が生成しにくくなり、１％を越えると堆積膜が剥離
しやすくなる。一方、Ｒθ＜０．５×（θ／３０）2 で
は均一な膜が生成しにくくなり、１×（θ／３０）2 ＜
Ｒθでは堆積膜が剥離しやすくなる。
な膜が生成しにくくなり、１％を越えると堆積膜が剥離
しやすくなる。一方、Ｒθ＜０．５×（θ／３０）2 で
は均一な膜が生成しにくくなり、１×（θ／３０）2 ＜
Ｒθでは堆積膜が剥離しやすくなる。
【００１１】サセプタ表面を平坦にしてウエハ上に均一
な膜を生成させることとサセプタ表面を粗くして堆積膜
の剥離を防止することとは、相反する性質を利用するも
のであるので、現在までに両特性を備えたサセプタは開
発されなかった。しかし、本発明者らは、サセプタと堆
積膜とのアンカー効果は、サセプタの表面粗さだけでは
なくサセプタの気孔率にも大きく依存していることを見
いだしたものである。これは、原料ガスがサセプタの気
孔を通しサセプタ内部に深く侵入して反応することによ
りサセプタ内部に根をはった状態のＣＶＤ膜が形成され
たためと考えている。
な膜を生成させることとサセプタ表面を粗くして堆積膜
の剥離を防止することとは、相反する性質を利用するも
のであるので、現在までに両特性を備えたサセプタは開
発されなかった。しかし、本発明者らは、サセプタと堆
積膜とのアンカー効果は、サセプタの表面粗さだけでは
なくサセプタの気孔率にも大きく依存していることを見
いだしたものである。これは、原料ガスがサセプタの気
孔を通しサセプタ内部に深く侵入して反応することによ
りサセプタ内部に根をはった状態のＣＶＤ膜が形成され
たためと考えている。
【００１２】上記黒鉛の表面状態からなる本発明のサセ
プタは、その表面を機械的に研磨し正反射率を上記値よ
りも大きめにした後、温度３００℃程度の空気中で加熱
し、表面を酸化消耗させることによって得ることができ
る。
プタは、その表面を機械的に研磨し正反射率を上記値よ
りも大きめにした後、温度３００℃程度の空気中で加熱
し、表面を酸化消耗させることによって得ることができ
る。
【００１３】上記黒鉛からなる本発明のサセプタにガラ
ス状炭素又は熱分解炭素の被膜を形成させることによっ
て黒鉛ダストの発生を低減することができる。
ス状炭素又は熱分解炭素の被膜を形成させることによっ
て黒鉛ダストの発生を低減することができる。
【００１４】ガラス状炭素又は熱分解炭素の被膜を形成
させるには、有機重合体の熱分解物を溶解してコーテイ
ングする方法（例えば特公昭５２ー３９６８４号公
報）、有機重合体又はその前駆体を溶融してコーテイン
グする方法（例えば特開昭６２ー２８３８０７号公
報）、炭化水素の蒸気を熱分解する方法（例えば特開昭
６４ー９９００号公報）などを採用することができる。
させるには、有機重合体の熱分解物を溶解してコーテイ
ングする方法（例えば特公昭５２ー３９６８４号公
報）、有機重合体又はその前駆体を溶融してコーテイン
グする方法（例えば特開昭６２ー２８３８０７号公
報）、炭化水素の蒸気を熱分解する方法（例えば特開昭
６４ー９９００号公報）などを採用することができる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例と比較例をあげてさらに具体的
に本発明を説明する。 実施例１〜４ 比較例１〜４ 特開平３ー１４６６７２号公報に示された形状を有する
ＣＶＤ用サセプタ黒鉛基材（８０×１５０×４mm）の表
面を機械研磨し、その正反射率の異なるものを数種類準
備した後、それらを温度３００℃の空気中で加熱処理し
て表１に示す正反射率の異なるサセプタを製造した。
に本発明を説明する。 実施例１〜４ 比較例１〜４ 特開平３ー１４６６７２号公報に示された形状を有する
ＣＶＤ用サセプタ黒鉛基材（８０×１５０×４mm）の表
面を機械研磨し、その正反射率の異なるものを数種類準
備した後、それらを温度３００℃の空気中で加熱処理し
て表１に示す正反射率の異なるサセプタを製造した。
【００１６】上記によって得られたサセプタの一部につ
いては、ポリ塩化ビニルを窒素雰囲気中５００℃で熱分
解させてタール状の前駆体を製造し、それをトリクロル
エチレンに溶解して１０重量％の溶液としたものを塗布
した後、真空雰囲気下、温度１０００℃で焼成して３．
５μm のガラス状炭素被膜を形成させた。
いては、ポリ塩化ビニルを窒素雰囲気中５００℃で熱分
解させてタール状の前駆体を製造し、それをトリクロル
エチレンに溶解して１０重量％の溶液としたものを塗布
した後、真空雰囲気下、温度１０００℃で焼成して３．
５μm のガラス状炭素被膜を形成させた。
【００１７】上記サセプタの性能を評価するため、拡散
炉型プラズマＣＶＤ装置を用い、４インチＳｉウエハを
５枚ずつサセプタにセットしてベルジャー内に入れ、外
部から３００℃に加熱してサセプタ間に高周波１３．５
６ＭＨｚをかけ、モノシランとアンモニアを原料とし、
Ｓｉウエハ上にシリコン窒化膜を約１．２μm 堆積させ
たときの膜付着力と膜に混入した異物量及び顕微鏡観察
による膜の均一性を測定した。それらの結果を表１に示
す。
炉型プラズマＣＶＤ装置を用い、４インチＳｉウエハを
５枚ずつサセプタにセットしてベルジャー内に入れ、外
部から３００℃に加熱してサセプタ間に高周波１３．５
６ＭＨｚをかけ、モノシランとアンモニアを原料とし、
Ｓｉウエハ上にシリコン窒化膜を約１．２μm 堆積させ
たときの膜付着力と膜に混入した異物量及び顕微鏡観察
による膜の均一性を測定した。それらの結果を表１に示
す。
【００１８】なお、付着力は、シリコン窒化膜にエポキ
シ系接着剤を用いてＳＵＳ製金具を接着し試料を固定し
た後、ＳＵＳ製金具を引張りシリコン窒化膜が剥離した
際の引張り力を測定することにより、また、異物量は、
光学顕微鏡により測定し評価した。
シ系接着剤を用いてＳＵＳ製金具を接着し試料を固定し
た後、ＳＵＳ製金具を引張りシリコン窒化膜が剥離した
際の引張り力を測定することにより、また、異物量は、
光学顕微鏡により測定し評価した。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から、本発明の表面状態を満たす黒鉛
からなるサセプタは、ウエハ上に均一な膜が形成され、
しかもサセプタ上に堆積する膜の付着力も大きくなるこ
とがわかる。さらに、ガラス状炭素で被覆したものは異
物量が少なくなる。
からなるサセプタは、ウエハ上に均一な膜が形成され、
しかもサセプタ上に堆積する膜の付着力も大きくなるこ
とがわかる。さらに、ガラス状炭素で被覆したものは異
物量が少なくなる。
【００２１】
【発明の効果】本発明のサセプタによれば、ウエハ上に
均一な膜が形成され、しかもサセプタ上に堆積する膜の
剥離もなくすることができる。
均一な膜が形成され、しかもサセプタ上に堆積する膜の
剥離もなくすることができる。
Claims (2)
- 【請求項１】 ３０ｄｅｇ入射光の正反射率Ｒ３０が
０．５〜１％であり、しかもθｄｅｇ入射光の正反射率
Ｒθが次式で示される範囲にある黒鉛から構成されてな
ることを特徴とするサセプタ。 ０．５×（θ／３０）2 ≦Ｒθ≦１×（θ／３０）2 （但し、θは３０、５０、８０である。） - 【請求項２】 黒鉛にガラス状炭素及び／又は熱分解炭
素の被膜を形成させてなることを特徴とする請求項１記
載のサセプタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298263A JPH0693453A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | サセプタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3298263A JPH0693453A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | サセプタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0693453A true JPH0693453A (ja) | 1994-04-05 |
Family
ID=17857369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3298263A Pending JPH0693453A (ja) | 1991-10-17 | 1991-10-17 | サセプタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693453A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100480182B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2005-03-31 | 주성엔지니어링(주) | 산화방지 처리가 된 웨이퍼 서셉터 |
| KR100520914B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-10-11 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 웨이퍼처리부재 |
| JP2006135290A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
| JP2007012933A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
-
1991
- 1991-10-17 JP JP3298263A patent/JPH0693453A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100520914B1 (ko) * | 2001-07-30 | 2005-10-11 | 도시바세라믹스가부시키가이샤 | 웨이퍼처리부재 |
| KR100480182B1 (ko) * | 2002-01-04 | 2005-03-31 | 주성엔지니어링(주) | 산화방지 처리가 된 웨이퍼 서셉터 |
| JP2006135290A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-05-25 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
| JP2007012933A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造装置用部材及び半導体製造装置 |
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