JP2000323368A - 貼り合わせ半導体基板の製造方法及び製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板の周辺部を均一、かつ、従来より
も薄い厚さとなるように研削することの可能な半導体基
板の製造方法及び製造装置を提供すること。 【解決手段】 半導体基板の研削を行う半導体基板の製
造方法及び製造装置１において、回転軸３の周囲に環状
に砥石５を設置し、かつ、前記砥石５，５の内円周の直
径が、研削を行う半導体基板１５の直径と同一又は半導
体基板１５の直径よりも大きくなるように設置された砥
石５を用いて、前記砥石５の回転軸３を、半導体基板１
５の範囲内に設置して回転する半導体基板１５の研削を
行う半導体基板の製造方法及び製造装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板の製造
方法及び製造装置に関し、特に、貼り合わせ半導体基板
の製造に適する半導体基板の製造方法及び製造装置に関
する。

【０００２】

【従来の技術】 近年において、高耐圧性及び高速性等
の効果を有するＳＯＩ基板は、半導体デバイス用基板と
して要求されている。

【０００３】このＳＯＩ基板は、２枚の半導体基板の間
に薄膜層を介在させて貼り合わた後、活性側となる半導
体基板を薄膜化して形成される。

【０００４】一般的に貼り合わせ（ＳＯＩ）半導体基板
は、次のように形成される。

【０００５】図５は、一般に行われている半導体基板の
製造方法である。

【０００６】まず、少なくとも主面が鏡面研磨された２
枚の半導体基板１１，１２のうち少なくとも一方（本例
においては、半導体基板１１）に、酸化性雰囲気下にお
いて熱処理を施し、半導体基板表面に酸化膜１３を形成
する（図５（Ａ）参照）。

【０００７】次に、必要に応じて前記２枚の半導体基板
の洗浄処理を行った後、前記２枚の半導体基板の鏡面側
同士を貼り合わせる（図５（Ｂ）参照）。

【０００８】次に、貼り合わせた２枚の半導体基板を酸
化性雰囲気中で熱処理し、２枚の半導体基板を強固に接
着し、貼り合わせ半導体基板１５をなす。熱処理によっ
て貼り合わせ半導体基板１５表面には、酸化膜１４が形
成される（図５（Ｃ）参照）。

【０００９】前記貼り合わせ半導体基板１５は、その周
辺部に鏡面加工時に発生するダレや、中心部と比較して
周辺部の貼り合わせ強度が弱いため、未接着部分等を生
じる。

【００１０】この周辺部に生じるダレや、周辺部に生じ
る未接着部分を除去するため、貼り合わせ半導体基板１
５は、活性層側となる貼り合わせ半導体基板１２の周辺
部の面取り加工、すなわち、所定の厚さとなる残し代を
残して活性層側の半導体基板の周辺部を研削する（図５
（Ｄ）参照）。

【００１１】図６に示すように、従来において、半導体
基板の研削を行う製造装置３０は、中心に回転軸３３を
備えた円板状の砥石３２を備えた研削機３１と、研削を
行う半導体基板１５を保持するチャック３４から構成さ
れている。

【００１２】前記研削機３１は、円板状の砥石３１が回
転軸３２を中心として水平方向に回転する回転機構と、
前記研削機３２が垂直方向に上下に移動可能となる機動
機構を備えている。

【００１３】貼り合わせ半導体基板１５の周辺部の面取
りを行う場合は、チャック３４に保持された半導体基板
１５の周辺部の一部に回転する砥石３２の外周縁を接触
させて、前記砥石３２自体を回転させながら、半導体基
板１５の全周に移動して、半導体基板の全周辺部を研削
し、貼り合わせ半導体基板１５の周辺部の面取り加工が
なされる。この時、チャック３４自体も軸３５を中心と
してゆっくりと回転し、半導体基板１５が１回転する間
に高速回転する砥石３２によって、半導体基板１５の周
辺部の面取り加工が行われる。半導体基板１５が回転す
る回転速度は、砥石３２の回転速度の１／１０００程度
である。

【００１４】次に、前記面取り加工時に、貼り合わせ半
導体基板の活性層側の周辺部に残された残し代１６を、
アルカリ性薬液等を用いたエッチングによって完全に除
去する（図５（Ｅ）参照）。

【００１５】最後に、デバイス形成層となる活性層側の
半導体基板の基板面を所望の厚みに研削した後、仕上げ
として鏡面研磨を行い、貼り合わせ半導体基板１７を得
る（図５（Ｆ）参照）。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の研削機
を用いて、前述のように半導体基板の全周辺部の面取り
加工、すなわち、研削を行うと、面取り加工を行う製造
装置の精度により、面取り加工後の半導体基板の周辺部
の残し代が全周で大きくばらつくという問題を生じてい
る。

【００１７】すなわち、従来の製造装置３０は、研削さ
れる半導体基板１５の回転軸３５と高速回転する砥石３
２の回転軸３３が大きくずれているため、砥石３２の高
さ位置の規制が困難であった。従って、半導体基板１５
の周辺部が全周にわたって均一な厚さとなるように研削
されず、周辺部の各部位において残り代の厚さが異な
り、取り代が大きくなったり、過剰に研削されて活性側
の基板にクラックが発生したり、研削加工によるダメー
ジが深く残りやすいという問題があった。

【００１８】また、半導体基板１５の周辺部の残し代１
６の厚さが半導体基板の全周で大きくばらついている
と、全周で一番厚い部分にエッチングに要する時間を合
せる必要がある。エッチングに要する時間が長いと、残
し代が薄い部分は、エッチングにより埋込酸化膜が露出
し、エッチング液に晒されて、ダメージを負うという問
題を生じていた。さらに、埋込酸化膜に傷がつくと、そ
の下の支持側の半導体基板までエッチングされてしま
い、支持側の半導体基板もダメージを負うという問題を
生じる場合があった。

【００１９】このため、従来の製造方法及び製造装置３
０では、半導体基板における加工ダメージとの関係で、
周辺部における残し代が、４０μｍ〜６０μｍ程度の厚
みとなるまでしか研削できなかった。残し代の厚さが厚
いと、後工程のエッチングに要する時間が長くなり、残
し代の下面に位置する酸化膜層に傷を付ける等の問題を
生じる場合がある。また、エッチングに要する時間が長
くなるため、製造時間に長くかかるという問題を生じ
る。

【００２０】そこで、本発明は前記問題点に鑑みて、貼
り合わせ半導体基板の周辺部を均一、かつ、従来よりも
薄い厚さとなるように研削することの可能な半導体基板
の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】本願第１請求項に記載し
た発明は、貼り合わせ半導体基板の製造方法において、
回転軸の周囲に環状に設置した砥石を用いて、回転
する貼り合わせ半導体基板の周辺部及び／又は基板面を
研削する貼り合せ半導体基板の製造方法である。

【００２２】本発明の製造方法によれば、回転軸の周囲
に環状に設置した砥石によって、半導体基板の研削を行
うため、半導体基板の研削部分に応じて、前記砥石の回
転軸を導体基板面の範囲内外に、自由に設置できる。ま
た、研削される半導体基板自体も所定の速度で回転して
いるため、停止状態で高速回転する砥石によって研削さ
れる場合よりも、研削時に受けるダメージが少ない。

【００２３】本願第２請求項に記載した発明は、前記請
求項1記載の発明において、前記貼り合せ半導体基板の
研削時に、前記砥石の回転軸を少なくとも研削される前
記半導体基板面の範囲内に設置して研削する貼り合せ半
導体基板の製造方法である。

【００２４】例えば、貼り合せ半導体基板の周辺部の研
削を行う場合に、砥石の回転軸は、半導体基板の回転軸
と略同一（少なくとも、研削される半導体基板面の範囲
内）の位置で回転するため、従来のように砥石及び半導
体基板の双方の回転軸が大幅にずれているために生じる
研削時の厚さのばらつきを低減することができ、貼り合
せ半導体基板の周辺部に形成する残し代を均一な厚さと
なるように研削できる。また、周辺部の厚さが均一に研
削できるため、半導体基板の周辺部は、従来よりも薄い
残し代の形成が可能となる。

【００２５】特に、貼り合わせ半導体基板の周辺部の研
削を行う場合は、周辺部の厚さのばらつきによって、後
のエッチング工程で、厚さのばらつきから発生する支持
側基板のダメージを低減する。

【００２６】本願第３請求項に記載した発明は、前記請
求項１又は２記載の発明の半導体基板の製造方法におい
て、研削される半導体基板は、研削する砥石の回転速度
の１／１０〜１／３０程度の速度で回転しながら研削が
行われる。

【００２７】このように、研削する砥石の回転速度の１
／１０〜１／３０程度の速度で半導体基板を回転しつ
つ、半導体基板の研削を行うと、高速回転する砥石で停
止状態の半導体基板又は停止に近い状態の半導体基板が
研削される場合よりも、半導体基板が受けるダメージが
少ない。従って、研削時のダメージを低減でき、良品率
の向上を図ることが可能となる。

【００２８】本願第４請求項に記載した発明は、前記請
求項１乃至３いずれか記載の発明において、半導体基板
の製造方法は、２枚の半導体基板の間に酸化膜層を介在
させた貼り合わせ半導体基板の製造に用いるものであ
る。

【００２９】前述した製造方法により貼り合わせ半導体
基板の製造を行うと、貼り合わせ半導体基板の周辺部を
均一に、かつ、従来よりも薄い厚さに研削し、研削時に
受けるクラック等のダメージを低減できる。また、後の
エッチング工程においても、半導体基板の残し代は、均
一な厚さ且つ従来よりも薄く研削されているため、従来
問題となっていたエッチング工程時の支持側基板のダメ
ージの低減が可能となる。

【００３０】本願第５請求項に記載した発明は、貼り合
わせ半導体基板の製造に用いる製造装置において、前記
製造装置は、主に、半導体基板の研削を行うものであっ
て、前記製造装置は、回転軸の周囲に環状に設置した一
又は複数の砥石を備えている。

【００３１】本発明の製造装置を用いて、半導体基板の
研削を行う場合、特に、貼り合わせ半導体基板の周辺部
の研削を行う場合は、前記環状に並べられた砥石の内周
の一部を半導体基板の周辺部に接触させて、半導体基板
自体を回転する回転軸と、研削を行う砥石の回転軸を略
同一（少なくとも、研削される半導体基板面の範囲内）
の位置に設定し、半導体基板の周辺部の研削を行うた
め、半導体基板の回転軸と研削する砥石の回転軸の位置
が大幅にずれることによって生じる研削時の厚さのばら
つきがなくなり、均一かつ従来よりも薄い厚さの研削が
可能となる。

【００３２】特に、貼り合わせ半導体基板の周辺部の研
削を行う場合は、前記環状に設置された砥石の内周縁を
半導体基板の曲率を有する周辺部に接触して、この周辺
部を研削し、更に、前記環状に設置された砥石の外周縁
を半導体基板の直線状の周辺部に接触して、この直線状
の周辺部を研削し、半導体基板の全周辺部を均一且つ従
来よりも薄く研削する。

【００３３】本願第６請求項に記載した発明は、前記請
求項５記載の発明において、前記製造装置は、回転軸の
周囲に環状に設置された砥石の内円周の直径が、研削を
行う半導体基板の直径と同一又は半導体基板の直径より
も大きくなるように設置している。

【００３４】例えば、環状に設置された砥石の内円周の
直径が、研削を行う半導体基板の直径よりも小さい場合
は、環状の砥石が全周に亘って半導体基板と接触してし
まうため、環状に設置された砥石の内円周の直径と、半
導体基板の周辺部に形成する残し代の内円周の直径が合
致していなければならず、製造できる半導体基板の大き
さが制限される。

【００３５】本発明によれば、製造装置は、回転軸の周
囲に環状に設置された砥石の内円周の直径が、研削を行
う半導体基板の直径と同一又は半導体基板の直径よりも
大きくなるように砥石が設置されているため、環状に設
置された砥石の内周縁の一部半導体基板に接触させて、
半導体基板の大きさにかかわらず、半導体基板の周辺部
の研削を行うことができ、製造装置の汎用性が向上す
る。

【００３６】本願第７請求項に記載した発明は、前記請
求項５又は６記載の発明において、前記製造装置は、粗
削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石の２種類の砥石を
備え、一方の砥石と並列となる位置に他方の砥石を設置
している。

【００３７】このように、粗削り用の砥石及び仕上げ削
り用の砥石の２種類の砥石を備えていると、粗削り用の
砥石で研削した後、仕上げ削り用の砥石で、表面を滑ら
かにでき、研削時に生じたダレ等を除去できるため、後
の工程において研削屑が飛散して基板表面に傷がつくの
を防止できる。例えば、回転軸の外周に粗削り用の砥石
を設置し、その内周に前記粗削り用の砥石と並列になる
ように仕上げ削り用の砥石を設置すると、貼り合わせ半
導体基板の外周を研削する際に、外周に設置された粗削
り用の砥石で研削し、次に、その内周に設置された仕上
げ削り用の砥石で残し代を均一な厚さ且つ従来よりも薄
く、しかも滑らかな研削面となるように、研削する。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体例に基づいて
詳細に説明する。

【００３９】本発明の半導体基板の製造方法に用いる半
導体基板は、前述した図５に示す工程によって貼り合わ
せられた貼り合わせ半導体基板１５を用いている。

【００４０】図１は、本発明の具体例に係り、製造装置
１を用いて２枚の半導体基板が貼り合わせられた貼り合
わせ半導体基板１５の周辺部の研削を行う状態の図であ
る。

【００４１】図１に示すように、半導体基板の製造装置
１の研削機２は、回転軸３を中心とする円板状の土台４
の円周に沿って半導体基板を研削する複数の砥石５を備
えている。図２は、前記研削機２の概略構成を示す平面
図である。

【００４２】図２に示すように、本例の研削機２は、円
板状の土台４の円周に沿って並ぶ複数の砥石５，５を備
えている。本例においては、円板状の土台４の円周を８
分割する形状で、土台４の周辺に沿って八つの砥石５，
５を設置している。

【００４３】この砥石５は、セラミック等の母材にダイ
ヤモンド粒子を埋め込んだものである。また、円板状の
土台４の周辺に沿って並べられた八つの砥石５，５の対
向する各砥石同士の間隔は、研削を行う半導体基板の直
径よりも１０ｍｍ程度大きくなるように、砥石５が土台
４の円周上に並べて設置されている。

【００４４】半導体基板の研削を行う砥石は、前述のよ
うに設置する場合に限られず、一つの環状の砥石を土台
に設置する場合、又は任意の間隔で複数の砥石を設置す
る場合等が考えられる。

【００４５】また、図１に示すように、製造装置１は、
貼り合わせ半導体基板１５を設置するステージ６を備
え、このステージ６上に、例えば、真空吸着等の方法に
よって、半導体基板１１を保持している。このステージ
６は、軸７を中心として回転する回転機構が備えられて
いる。

【００４６】また、前記研削機２は、回転軸３を中心と
して前記土台４を回転する回転機構、及び、ステージ６
に対して研削機２を水平方向及び垂直方向、すなわち、
上下左右に移動する移動機構が備えられている。

【００４７】面取り加工時において、まず、半導体基板
１５の曲率を有する周辺部の研削を行う。

【００４８】まず、ステージ６は、軸７を中心として１
００〜３００ｒｐｍの速さで回転し、ステージ６上に固
定している半導体基板１５を共に同様の速さで回転す
る。また、研削機２は、回転軸３を中心として、１００
０〜３０００ｒｐｍの速さで回転する。

【００４９】研削機２は、土台４に環状に設置された砥
石５の内周縁が、ステージ６上に保持された半導体基板
１５の面取り部分である周辺部に位置するように左右に
移動する。

【００５０】その後、研削機２は、回転軸３を中心とし
て環状に設置された砥石５を回転させつつ、砥石５の内
周縁の一部が半導体基板１５の曲率を有する周辺部に接
触するように上下に移動する。

【００５１】そして、半導体基板１５及び砥石５の双方
をそれぞれの回転軸３，７を中心として回転しつつ、砥
石５によって半導体基板１５の周辺部を所望の厚さとな
るように研削し、残し代１６を形成する。

【００５２】その後、前記研削機２は、砥石５が半導体
基板１５に接触しない位置まで上方向に移動し、土台４
の回転を停止する。

【００５３】次に、前記研削機２は、前記砥石５の外周
縁の一部が半導体基板１５の周辺の直線部、すなわち、
オリエーテーションフラットの部分に位置するように移
動し、その後、研削機２を上下に移動し、前記砥石５の
外周縁の一部をオリエーテーションフラットの部分に接
触させる。

【００５４】そして、研削機２は、砥石５及び半導体基
板１５を前述した各速度で回転させつつ、半導体基板１
５のオリエーテーションフラットの部分を所望の残し代
１６となるように研削する。

【００５５】このようにして、貼り合わせ半導体基板１
１の全周辺部の研削が終了する。

【００５６】従来の研削機は、図６に示すように回転軸
中心が研削を行う半導体基板面内にはなく、中心軸が半
導体基板面からずれた位置で研削機が回転し、回転して
いる砥石の端部のみが半導体基板と重なりあって研削し
ている。従って、研削を行う砥石面と半導体基板面は、
その高さ位置を一致させることが困難であり、回転に伴
う振動によって、半導体基板の周辺部の残し代の厚さが
ばらつくという問題を生じている。

【００５７】本例の研削機２は、研削機２の回転軸３中
心が半導体基板１５面上に存在し、環状に設置した砥石
５を備えた土台４と、ステージ６上に保持された半導体
基板１５が重なり合う位置となり、前記環状に設置した
砥石５の回転軸３と半導体基板自体を回転する軸７が略
一致する位置で回転しつつ、半導体基板１５の周辺部が
研削されるため、半導体基板１５の回転に伴う高さ的な
位置ずれが生じにくく、半導体基板の曲率を有する周辺
部が均等に研削される。

【００５８】また、本例においては、半導体基板自体も
研削機の１／１０程度の速さで回転しつつその周辺部が
徐々に研削されるため、研削機の１／１０００程度の速
さで半導体基板を回転しながら研削する場合よりも、研
削時の振動等によるダメージが少なくし、かつ、残し代
の厚さが薄くなるように研削できる。

【００５９】次に、他の具体例として、粗削り用の砥石
及び仕上げ削り用の砥石の２種類の砥石を有する研削機
を備えた製造装置２０について説明する。

【００６０】図３は、製造装置の他の具体例に係り、研
削機２０を示す平面図である。

【００６１】図３に示すように、本例の研削機２０は、
前述した研削機２と同様に円板状の土台２４の外周辺に
複数の粗削り用の砥石２１を環状に設置している。ま
た、環状に設置した粗削り用の砥石２１の外周に仕上げ
削り用の砥石２２を同様に環状に設置している。また、
研削機２０は、土台２４の中心に、前記２種類の砥石２
１，２２が突出する方向と反対の方向に突出する回転軸
２３を備えている。

【００６２】研削機２０の土台２４に設置された２重の
環状の砥石のうち、内側に設置された砥石の内円周の直
径は、研削を行う半導体基板の直径よりも大きく設定さ
れている。従って、２重環状に設置された砥石の円周の
一部を利用して半導体基板の周辺部又は基板面の研削を
行う。

【００６３】本例の研削機２０を用いて基板の研削を行
うと、粗削り用の砥石２１を用いて研削を行った後、仕
上げ削り用の砥石２２を用いて、半導体基板の滑らかな
仕上がりを可能とするものである。

【００６４】次に、前述の研削機２を用いて半導体基板
の周辺部を研削し、製造した半導体基板（具体例１）
と、粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石の２種の砥
石を備えた研削機２０を用いて半導体基板の周辺部を研
削して製造した半導体基板（具体例２）及び従来の研削
機３０を用いて周辺部の研削を行って製造した半導体基
板（従来例）の各半導体基板の残し代の厚さを測定し、
比較を行った。

【００６５】図４（ａ）は、各製造装置を用いて製造さ
れた各半導体基板の残し代の厚さを示す図である。

【００６６】図４（ａ）に示すように、従来の製造装置
３０を用いて製造した半導体基板の周辺部の残し代の厚
さは、４０μｍ〜６０μｍの厚さであったのに対し、前
記研削機２を用いて製造した半導体基板の周辺部の残し
代の厚さは２０μｍ〜３０μｍの厚さであり、また、粗
削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石を備えた研削機２
０を用いて製造した半導体基板の周辺部の残し代の厚さ
は、１０μｍ〜２０μｍであった。この結果から、従来
の製造装置３０を用いて製造した半導体基板の周辺部の
残し代と比較して、本例の研削機２及び研削機２０を用
いて製造した半導体基板の周辺部に薄い残し代を形成し
ている。

【００６７】次に、図４（ａ）に示す場合と同様に、前
述した研削機２を用いて研削した半導体基板（具体例
１）、粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石の２種の
砥石を備えた研削機２０を用いて研削した半導体基板
（具体例２）及び従来の製造装置３０を用いて研削した
半導体基板（従来例）の周辺部の残し代（厚さ）の均一
性を測定した。

【００６８】図４（ｂ）に結果を示す。

【００６９】図４（ｂ）に示すように、従来例において
は、残し代の均一性のばらつきは１０（±μｍ）と大き
い値を示すが、具体例１においては、残し代の均一性の
ばらつきは８（±μｍ）と低くなり、具体例２において
は、残し代の均一性ばらつきは４（±μｍ）程度とさら
に低くなる。

【００７０】従って、図４（ｂ）に示す結果から、本例
の回転軸の周囲に環状に設置した砥石を備えた研削機
２、又は粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石を備え
た研削機２０で半導体基板の周辺部を研削すると、従来
の製造装置３０を用いて研削した場合と比較して、研削
後の半導体基板の残し代の均一性を向上していることが
確認できた。

【００７１】このように、残し代が均一な厚さとなるよ
うに研削されると、残し代の厚さのばらつきによって、
エッチングにより活性層側の半導体基板の下側に位置す
る埋込酸化膜が露出してしまい、支持側の半導体基板ま
でエッチングされてしまうという不都合を回避すること
ができる。

【００７２】次に、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示す場
合と同様に、前述した研削機２を用いて研削した半導体
基板（具体例１）、粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の
砥石を備えた研削機２０を用いて研削した半導体基板
（具体例２）及び従来の製造装置３０を用いて研削した
半導体基板（従来例）の製造時間を測定した。

【００７３】図４（ｃ）に結果を示す。

【００７４】図４（ｃ）に示すように、半導体基板の周
辺部の面取りに要する加工時間は、従来の製造装置３０
を用いて研削を行った半導体基板（従来例）は、５（分
／枚）であり、環状に設置した砥石を備えた研削機２を
用いて研削を行った半導体基板（具体例１）は、２（分
／枚）であり、粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の砥石
を備えた研削機２０を用いて研削を行った半導体基板
（具体例２）は、４（分／枚）であった。

【００７５】図４（ｃ）に示す結果から、半導体基板の
面取りに要する時間として、前述した研削機２を用いて
研削した場合がもっとも短く、従来の製造装置３０を用
いて面取り加工を行った場合と比較して、加工時間が約
半分に短縮する。また、粗削り用の砥石及び仕上げ削り
用の砥石を備えた研削機２０を用いて半導体基板の製造
を行った場合であっても、従来の製造装置３０を用いた
加工時間と比較して加工時間は、短縮することが確認で
きた。

【００７６】以上の結果から、回転軸の周囲に環状に砥
石を設置した本例の研削機２を用いて半導体基板の製造
を行うと、従来の製造方法よりも研削時に受けるダメー
ジが少なく、また、従来の製造方法と比較して残し代の
薄さを約半分以下となるまで薄くすることができ、か
つ、当該残し代の均一性も向上している。従って、特
に、酸化膜層を介在させた貼り合わせ半導体基板の研削
を行う場合、本例の貼り合わせ半導体基板の製造方法及
び製造装置を用いると、貼り合わせ半導体基板の良品率
を向上できる。また、製造時間も従来と比較して大幅に
短縮できるため、スループットが向上する。

【００７７】また、粗削り用の砥石及び仕上げ削り用の
砥石を備えた研削機２０を用いて半導体基板の製造を行
うと、滑らかな研削が可能となり、後工程において残し
代の研削時のダレ等が飛散し、半導体基板表面がを傷つ
けられるのを防止できる。

【００７８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明は、貼り合
わせ半導体基板の製造方法及び製造装置において、回転
軸の周囲に環状に設置した砥石を用いて、回転する貼り
合わせた半導体基板の周辺部及び／又は基板面を研削す
る貼り合わせ半導体基板の製造方法及び製造装置であ
る。

【００７９】また、例えば、貼り合わせ半導体基板の周
辺部の研削を行う場合は、研削時に、前記砥石の回転軸
を少なくとも研削される半導体基板面の範囲内に設置し
て研削を行う。

【００８０】また、研削される半導体基板は、研削する
砥石の回転速度の１／１０〜１／３０程度の速度で回転
しながら研削を行う。

【００８１】本発明の製造方法によれば、回転軸の周囲
に環状に設置した砥石によって、半導体基板の研削を行
うため、半導体基板の研削部分に応じて、前記砥石の回
転軸を半導体基板面の範囲内外に、自由に設置できる。

【００８２】例えば、貼り合せ半導体基板の周辺部の研
削を行う場合に、砥石の回転軸は、半導体基板の回転軸
と略同一（少なくとも、研削される半導体基板面の範囲
内）の位置に設置する。このように、砥石の回転軸が半
導体基板の回転軸と略同一の位置に設置して研削を行う
と、半導体基板は、砥石及び半導体基板の双方の回転軸
が大幅にずれているために生じていた厚さのばらつきが
なくなり、基板の周辺部の残し代を均一かつ薄く研削で
きる。従って、後工程のエッチングを要する時間を短く
することができ、スループットが向上する。また、エッ
チング時の支持側基板のダメージも低減でき、良品率が
向上する。

【００８３】また、研削される半導体基板自体も所定の
速度で回転しているため、停止状態で高速回転する砥石
によって研削される場合よりも、研削時に受けるダメー
ジが少なくなる。

【００８４】また、本発明の半導体基板の製造に用いる
製造装置は、回転軸の周囲に環状に設置された砥石の内
周の直径が、研削を行う半導体基板の直径と同一又は半
導体基板の円周よりも大きい直径となるように設置して
おり、環状に設置された砥石の円周の一部を半導体基板
に接触させて研削するため、半導体基板の直径の大きさ
にかかわらず本発明の製造装置を用いることができ、汎
用性が向上する。

【００８５】また、前記製造装置が、粗削り用の砥石及
び仕上げ削り用の砥石の２種類の砥石を備え、一方の種
類の砥石と並列となる位置に他方の種類の砥石を設置し
ていると、例えば、まず、外周側に設置した粗削り用の
砥石で研削した後、内周に設置した仕上げ削り用の砥石
で表面を滑らかに且つ均一に研削できる。

【００８６】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の具体例に係り、半導体基板の製造装置
の概略構成及び半導体基板の研削時の状態を示す図であ
る。

【図２】本発明の具体例に係り、半導体基板を研削する
製造装置の一部平面図である。

【図３】本発明の具体例に係り、半導体基板を研削する
製造装置の一部平面図である。

【図４】本発明の具体例に係り、（ａ）は、従来例、具
体例１及び具体例２の残し代（μｍ）の厚さを比較した
図であり、（ｂ）は、従来例、具体例１及び具体例２の
残し代の均一性（±μｍ）を比較した図であり、（ｃ）
は、従来例、具体例１及び具体例２の加工時間（分／
枚）を比較した図である。

【図５】従来例に係り、貼り合わせ半導体基板の製造工
程を示す説明図である。

【図６】従来例に係り、半導体基板を研削する製造装置
の概略構成及び半導体基板の研削時の状態を示す図であ
る。

【符号の説明】

１ 製造装置 ２ 研削機 ３ 回転軸 ４ 土台 ５ 砥石 ６ ステージ ７ 軸 １１ 半導体基板 １２ 半導体基板 １３ 酸化膜 １４ 酸化膜 １５ 貼り合わせ半導体基板 １６ 残し代 １７ 貼り合わせ半導体基板 ２０ 研削機 ２１ 粗削り用砥石 ２２ 仕上げ削り用砥石 ２３ 回転軸 ２４ 土台 ３０ 製造装置 ３１ 研削機 ３２ 砥石 ３３ 回転軸 ３４ チャック ３５ 軸

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 貼り合わせ半導体基板の製造方法におい
   て、回転軸の周囲に環状に設置した砥石を用いて、回転
   する貼り合わせ半導体基板の周辺部及び／又は基板面を
   研削することを特徴とする貼り合わせ半導体基板の製造
   方法。
2. 【請求項２】 前記貼り合わせ半導体基板の研削時に、
   前記回砥石の回転軸を少なくとも研削される前記半導体
   基板面の範囲内に設置することを特徴とする前記請求項
   １記載の貼り合わせ半導体基板の製造方法。
3. 【請求項３】 前記製造方法において、前記半導体基板
   は、研削する砥石の回転速度の１／１０〜１／３０程度
   の速度で回転しながら研削が行われることを特徴とする
   前記請求項１又は２記載の貼り合わせ半導体基板の製造
   方法。
4. 【請求項４】 前記製造方法は、２枚の半導体基板の間
   に酸化膜層を介在させた貼り合わせ半導体基板の製造に
   用いることを特徴とする前記請求項１乃至３いずれか記
   載の貼り合わせ半導体基板の製造方法。
5. 【請求項５】 貼り合わせ半導体基板の製造に用いる製
   造装置において、 前記製造装置は、回転軸の周囲に環状に設置した一又は
   複数の砥石を備えたことを特徴とする半導体基板の製造
   装置。
6. 【請求項６】 前記製造装置は、回転軸の周囲に環状に
   設置された砥石の内円周の直径が、研削を行う半導体基
   板の直径と同一又は半導体基板の直径よりも大きくなる
   ように前記砥石を設置したことを特徴とする前記請求項
   ５記載の半導体基板の製造装置。
7. 【請求項７】 前記製造装置は、粗削り用の砥石及び仕
   上げ削り用の砥石の２種類の砥石を備え、 一方の砥石と並列となる位置に他方の砥石を設置したこ
   とを特徴とする前記請求項５又は６記載の半導体基板の
   製造装置。