JP2000323902A - 積層型ｌｃフィルタ - Google Patents
積層型ｌｃフィルタInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 20
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 20
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
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- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
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- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れたＱ特性を有する積層型ＬＣフィルタを
得る。 【解決手段】 ＬＣフィルタ３１は、三つのＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を備えている。ＬＣ共振器Ｑ１はイン
ダクタパターン３３とコンデンサパターン３９にて構成
され、ＬＣ共振器Ｑ２はインダクタパターン３４とコン
デンサパターン４０にて構成され、ＬＣ共振器Ｑ３はイ
ンダクタパターン３５とコンデンサパターン４１にて構
成されている。中央に位置するＬＣ共振器Ｑ２のインダ
クタパターン３４のパターン幅は、両端に位置するＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３のインダクタパターン３３，３５のパ
ターン幅より広く設定されている。
得る。 【解決手段】 ＬＣフィルタ３１は、三つのＬＣ共振器
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３を備えている。ＬＣ共振器Ｑ１はイン
ダクタパターン３３とコンデンサパターン３９にて構成
され、ＬＣ共振器Ｑ２はインダクタパターン３４とコン
デンサパターン４０にて構成され、ＬＣ共振器Ｑ３はイ
ンダクタパターン３５とコンデンサパターン４１にて構
成されている。中央に位置するＬＣ共振器Ｑ２のインダ
クタパターン３４のパターン幅は、両端に位置するＬＣ
共振器Ｑ１，Ｑ３のインダクタパターン３３，３５のパ
ターン幅より広く設定されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣフィルタに関
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
し、特に、高周波で使用される積層型ＬＣフィルタに関
する。
【０００２】
【従来の技術】特定の周波数帯の信号を通過させる３段
以上のバンドパスフィルタとして、例えば、図８に示す
回路構成のものが提案されている。該バンドパスフィル
タは第１段〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３からなる３
段のバンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ３は互いに隣接するものが結合コンデンサＣｓ１，
Ｃｓ２により電気的に結合されている。
以上のバンドパスフィルタとして、例えば、図８に示す
回路構成のものが提案されている。該バンドパスフィル
タは第１段〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３からなる３
段のバンドパスフィルタである。これらＬＣ共振器Ｑ１
〜Ｑ３は互いに隣接するものが結合コンデンサＣｓ１，
Ｃｓ２により電気的に結合されている。
【０００３】従来より、前記のような回路構成を有する
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図９〜図１
１に示すような構成を有するものがある。該ＬＣフィル
タ１は、四角形状のセラミックシート２を積層してなる
積層体２１内に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
を形成し、これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３により、図８に
示す等価回路を構成したものである。
積層型バンドパスフィルタとしては、例えば図９〜図１
１に示すような構成を有するものがある。該ＬＣフィル
タ１は、四角形状のセラミックシート２を積層してなる
積層体２１内に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
を形成し、これらＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３により、図８に
示す等価回路を構成したものである。
【０００４】ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３のインダクタンスＬ
１〜Ｌ３は、それぞれインダクタパターン３，４，５に
より形成される。インダクタパターン３，４，５のパタ
ーン幅は等しく設定されている。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
のコンデンサＣ１〜Ｃ３は、それぞれコンデンサパター
ン９，１０，１１と、これらコンデンサパターン９，１
０，１１に対向しているインダクタパターン３，４，５
の先端部６，７，８とで形成される。以上のＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ３は、コンデンサパターン９〜１１とこれらコ
ンデンサパターン９〜１１に対向している結合コンデン
サパターン１２，１３とで形成する結合コンデンサＣｓ
１，Ｃｓ２にて電気的に結合している。このＬＣ共振器
Ｑ１とＱ３はそれぞれ、入力用コンデンサパターン１４
及び出力用コンデンサパターン１５に容量結合してい
る。そして、これらのパターン３〜５，９〜１５を間に
挟んでシールドパターン１６ａ，１６ｂが配置されてい
る。
１〜Ｌ３は、それぞれインダクタパターン３，４，５に
より形成される。インダクタパターン３，４，５のパタ
ーン幅は等しく設定されている。ＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３
のコンデンサＣ１〜Ｃ３は、それぞれコンデンサパター
ン９，１０，１１と、これらコンデンサパターン９，１
０，１１に対向しているインダクタパターン３，４，５
の先端部６，７，８とで形成される。以上のＬＣ共振器
Ｑ１〜Ｑ３は、コンデンサパターン９〜１１とこれらコ
ンデンサパターン９〜１１に対向している結合コンデン
サパターン１２，１３とで形成する結合コンデンサＣｓ
１，Ｃｓ２にて電気的に結合している。このＬＣ共振器
Ｑ１とＱ３はそれぞれ、入力用コンデンサパターン１４
及び出力用コンデンサパターン１５に容量結合してい
る。そして、これらのパターン３〜５，９〜１５を間に
挟んでシールドパターン１６ａ，１６ｂが配置されてい
る。
【０００５】積層体２１には、図１０に示すような入力
端子電極２６、出力端子電極２７及びシールド端子電極
２８，２９が形成されている。入力端子電極２６には入
力用コンデンサパターン１４が接続され、出力端子電極
２７には出力用コンデンサパターン１５が接続される。
シールド端子電極２８には、インダクタパターン３，
４，５の引出し部とシールドパターン１６ａ，１６ｂの
一方の端部が接続される。シールド端子電極２９には、
コンデンサパターン９〜１１の引出し部とシールドパタ
ーン１６ａ，１６ｂの他方の端部が接続される。
端子電極２６、出力端子電極２７及びシールド端子電極
２８，２９が形成されている。入力端子電極２６には入
力用コンデンサパターン１４が接続され、出力端子電極
２７には出力用コンデンサパターン１５が接続される。
シールド端子電極２８には、インダクタパターン３，
４，５の引出し部とシールドパターン１６ａ，１６ｂの
一方の端部が接続される。シールド端子電極２９には、
コンデンサパターン９〜１１の引出し部とシールドパタ
ーン１６ａ，１６ｂの他方の端部が接続される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、通常、中央
に位置する第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダク
タパターン４は、両端に位置する第１段及び第３段のＬ
Ｃ共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン３，
５と比較して、パターンエッジ部での磁界集中が大き
い。従って、インダクタパターン４を流れる電流の密度
が他のインダクタパターン３，５より大きくなり、不均
一となる。このため、ＬＣフィルタ１のＱ特性が悪いと
いう問題があった。
に位置する第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するインダク
タパターン４は、両端に位置する第１段及び第３段のＬ
Ｃ共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパターン３，
５と比較して、パターンエッジ部での磁界集中が大き
い。従って、インダクタパターン４を流れる電流の密度
が他のインダクタパターン３，５より大きくなり、不均
一となる。このため、ＬＣフィルタ１のＱ特性が悪いと
いう問題があった。
【０００７】そこで、本発明の目的は、優れたＱ特性を
有する積層型ＬＣフィルタを提供することにある。
有する積層型ＬＣフィルタを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段と作用】以上の目的を達成
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで少なくとも３
個のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおい
て、少なくとも３個の前記ＬＣ共振器を接続して３段以
上のフィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共振器
を構成するインダクタパターンのパターン幅を、両端に
位置するＬＣ共振器を構成するインダクタパターンのパ
ターン幅より広くしたことを特徴とする。
するため、本発明に係る積層型ＬＣフィルタは、複数の
絶縁層と複数のインダクタパターンと複数のコンデンサ
パターンとを積み重ねて構成した積層体内部に、前記イ
ンダクタパターンにより形成される複数のインダクタ
と、前記コンデンサパターンが前記インダクタパターン
に対向して形成する複数のコンデンサとで少なくとも３
個のＬＣ共振器を形成した積層型ＬＣフィルタにおい
て、少なくとも３個の前記ＬＣ共振器を接続して３段以
上のフィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共振器
を構成するインダクタパターンのパターン幅を、両端に
位置するＬＣ共振器を構成するインダクタパターンのパ
ターン幅より広くしたことを特徴とする。
【０００９】両端以外に位置するＬＣ共振器のインダク
タパターンのパターン幅を広くすることにより、該イン
ダクタパターンのエッジ部での磁界が緩和される。
タパターンのパターン幅を広くすることにより、該イン
ダクタパターンのエッジ部での磁界が緩和される。
【００１０】また、インダクタを多重構造とすることに
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのがさらに緩和される。
より、インダクタの周囲に発生する磁界がインダクタパ
ターンのエッジ部に集中するのがさらに緩和される。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型ＬＣフ
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態はバンドパスフィルタを例にして説明す
るが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等であ
ってもよい。
ィルタの実施形態について添付図面を参照して説明す
る。各実施形態はバンドパスフィルタを例にして説明す
るが、バンドエルミネート（帯域阻止）フィルタ等であ
ってもよい。
【００１２】［第１実施形態、図１〜図３］本発明に係
るバンドパスフィルタの一つの実施形態を図１〜図３に
示す。該バンドパスフィルタ３１は、図８で説明した第
１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３にて構成されたＬＣ
フィルタに本発明を適用したものである。本第１実施形
態のＬＣフィルタ３１はチタン酸バリウム等のセラミッ
ク誘電体材料からなる四角形状のセラミックシート６１
〜６９を積層し、一体的に焼成してなる積層体５１内
に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３を配置したも
のである。
るバンドパスフィルタの一つの実施形態を図１〜図３に
示す。該バンドパスフィルタ３１は、図８で説明した第
１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３にて構成されたＬＣ
フィルタに本発明を適用したものである。本第１実施形
態のＬＣフィルタ３１はチタン酸バリウム等のセラミッ
ク誘電体材料からなる四角形状のセラミックシート６１
〜６９を積層し、一体的に焼成してなる積層体５１内
に、第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ３を配置したも
のである。
【００１３】第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１のインダ
クタンスＬ１は、図１に示すように、帯状インダクタパ
ターン３３自身が有するインダクタンスにより形成され
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のコンデンサＣ１は、コンデ
ンサパターン３９と、該コンデンサパターン３９にシー
ト６５を介して対向しているインダクタパターン３３の
先端部３６とで構成されている。
クタンスＬ１は、図１に示すように、帯状インダクタパ
ターン３３自身が有するインダクタンスにより形成され
る。また、ＬＣ共振器Ｑ１のコンデンサＣ１は、コンデ
ンサパターン３９と、該コンデンサパターン３９にシー
ト６５を介して対向しているインダクタパターン３３の
先端部３６とで構成されている。
【００１４】第２段のＬＣ共振器Ｑ２のインダクタンス
Ｌ２は、帯状インダクタパターン３４自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ２の
コンデンサＣ２は、コンデンサパターン４０と、該コン
デンサパターン４０に対向しているインダクタパターン
３４の先端部３７とで構成されている。
Ｌ２は、帯状インダクタパターン３４自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ２の
コンデンサＣ２は、コンデンサパターン４０と、該コン
デンサパターン４０に対向しているインダクタパターン
３４の先端部３７とで構成されている。
【００１５】第３段のＬＣ共振器Ｑ３のインダクタンス
Ｌ３は、帯状インダクタパターン３５自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ３の
コンデンサＣ３は、コンデンサパターン４１と、該コン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３５の先端部３８とで構成されている。
Ｌ３は、帯状インダクタパターン３５自身が有するイン
ダクタンスにより形成される。また、ＬＣ共振器Ｑ３の
コンデンサＣ３は、コンデンサパターン４１と、該コン
デンサパターン４１に対向しているインダクタパターン
３５の先端部３８とで構成されている。
【００１６】以上の第１〜第３段のＬＣ共振器Ｑ１〜Ｑ
３は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２並びにＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３が、結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気
的に結合している。さらに、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ３はそ
れぞれ、入力用コンデンサパターン４４及び出力用コン
デンサパターン４５に容量結合している。
３は、隣接するＬＣ共振器Ｑ１とＱ２並びにＬＣ共振器
Ｑ２とＱ３が、結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２にて電気
的に結合している。さらに、ＬＣ共振器Ｑ１とＱ３はそ
れぞれ、入力用コンデンサパターン４４及び出力用コン
デンサパターン４５に容量結合している。
【００１７】シート６６の左寄り、中央及び右寄りの位
置にそれぞれ形成されたインダクタパターン３３，３４
及び３５は、その一端がシート６６の手前側の辺に露出
している。シート６５の左寄り、中央及び右寄りの位置
にそれぞれ形成されたコンデンサパターン３９，４０及
び４１は、その一端がシート６５の奥側の辺に露出して
いる。そして、中央に位置するインダクタパターン３４
は、両端に位置するインダクタパターン３３，３５と比
較して、そのパターン幅を約１０％以上広く設定してい
る。
置にそれぞれ形成されたインダクタパターン３３，３４
及び３５は、その一端がシート６６の手前側の辺に露出
している。シート６５の左寄り、中央及び右寄りの位置
にそれぞれ形成されたコンデンサパターン３９，４０及
び４１は、その一端がシート６５の奥側の辺に露出して
いる。そして、中央に位置するインダクタパターン３４
は、両端に位置するインダクタパターン３３，３５と比
較して、そのパターン幅を約１０％以上広く設定してい
る。
【００１８】結合コンデンサパターン４２，４３は、シ
ート６４の奥側寄りに配置され、シート６４を介してコ
ンデンサパターン３９，４０，４１に対向し、それぞれ
結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を形成する。さらに、イ
ンダクタパターン３３，３５はそれぞれ、シート６６を
挟んで入力用コンデンサパターン４４及び出力用コンデ
ンサパターン４５に容量結合している。そして、これら
パターン３３〜３５，３９〜４５を間に挟んでシールド
パターン４６ａ，４６ｂが配置されている。
ート６４の奥側寄りに配置され、シート６４を介してコ
ンデンサパターン３９，４０，４１に対向し、それぞれ
結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を形成する。さらに、イ
ンダクタパターン３３，３５はそれぞれ、シート６６を
挟んで入力用コンデンサパターン４４及び出力用コンデ
ンサパターン４５に容量結合している。そして、これら
パターン３３〜３５，３９〜４５を間に挟んでシールド
パターン４６ａ，４６ｂが配置されている。
【００１９】積層体５１には、図２に示すような入力端
子電極５６、出力端子電極５７及びシールド端子電極５
８，５９が形成されている。入力端子電極５６には入力
用コンデンサパターン４４が接続され、出力端子電極５
７には出力用コンデンサパターン４５が接続される。シ
ールド端子電極５８には、インダクタパターン３３，３
４，３５の引出し部とシールドパターン４６ａ，４６ｂ
の一方の端部が接続される。シールド端子電極５９に
は、コンデンサパターン３９〜４１の引出し部とシール
ドパターン４６ａ，４６ｂの他方の端部が接続される。
子電極５６、出力端子電極５７及びシールド端子電極５
８，５９が形成されている。入力端子電極５６には入力
用コンデンサパターン４４が接続され、出力端子電極５
７には出力用コンデンサパターン４５が接続される。シ
ールド端子電極５８には、インダクタパターン３３，３
４，３５の引出し部とシールドパターン４６ａ，４６ｂ
の一方の端部が接続される。シールド端子電極５９に
は、コンデンサパターン３９〜４１の引出し部とシール
ドパターン４６ａ，４６ｂの他方の端部が接続される。
【００２０】以上の構成からなるＬＣフィルタ３１は、
中央に位置する第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するイン
ダクタパターン３４は、両端に位置する第１段及び第３
段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパター
ン３３，３５と比較して、そのパターン幅を約１０％以
上広くしている。従って、インダクタパターン３４のエ
ッジ部での磁界Ｈを緩和することができる。こうしてＱ
特性の優れたＬＣフィルタ３１を得ることができる。
中央に位置する第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成するイン
ダクタパターン３４は、両端に位置する第１段及び第３
段のＬＣ共振器Ｑ１，Ｑ３を構成するインダクタパター
ン３３，３５と比較して、そのパターン幅を約１０％以
上広くしている。従って、インダクタパターン３４のエ
ッジ部での磁界Ｈを緩和することができる。こうしてＱ
特性の優れたＬＣフィルタ３１を得ることができる。
【００２１】［第２実施形態、図４〜図７］図４にＬＣ
フィルタ８１の構成を示し、図５にＬＣフィルタ８１の
外観斜視図を示す。ＬＣフィルタ８１は３段のバンドパ
スフィルタであり、第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と
第２段のＬＣ共振器Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器
Ｑ３とを結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接
続している。
フィルタ８１の構成を示し、図５にＬＣフィルタ８１の
外観斜視図を示す。ＬＣフィルタ８１は３段のバンドパ
スフィルタであり、第１段（初段）のＬＣ共振器Ｑ１と
第２段のＬＣ共振器Ｑ２と第３段（終段）のＬＣ共振器
Ｑ３とを結合コンデンサＣｓ１，Ｃｓ２を介して縦続接
続している。
【００２２】図４に示すように、ＬＣフィルタ８１は、
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を設けたセラミックシート８２等にて構成
されている。
インダクタパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂ，
８５ａ，８５ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシー
ト８２と、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂ，９０
ａ，９０ｂ，９１ａ，９１ｂをそれぞれ表面に設けたセ
ラミックシート８２と、シールドパターン９２ａ，９２
ｂをそれぞれ表面に設けたセラミックシート８２と、結
合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ
を表面に設けたセラミックシート８２と、ポール調整用
パターン９５を設けたセラミックシート８２等にて構成
されている。
【００２３】インダクタパターン８３ａ，８３ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ１を構成している。シート８２の左寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８３ａ，８３ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８３ａ，８３ｂの他端部８６
ａ，８６ｂは幅広になっており、この幅広部８６ａ，８
６ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８３ａ，８３ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている入力引出しパターン９６ａ，９６ｂは、シート８
２の左辺に露出している。
【００２４】インダクタパターン８４ａ，８４ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ２を構成している。インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのパターン幅は、インダクタパターン８３
ａ，８３ｂ，８５ａ，８５ｂのパターン幅と比較して約
１０％以上広く設定されている。シート８２の中央位置
に形成されたインダクタパターン８４ａ，８４ｂは、そ
の一端がシート８２の手前側の辺に露出している。イン
ダクタパターン８４ａ，８４ｂの他端部８７ａ，８７ｂ
は幅広になっており、この幅広部８７ａ，８７ｂはコン
デンサパターンとしても機能する。
【００２５】インダクタパターン８５ａ，８５ｂは同一
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
形状であり、シート８２を介して積層され、２重構造の
インダクタＬ３を構成している。シート８２の右寄りの
位置に形成されたインダクタパターン８５ａ，８５ｂ
は、その一端がシート８２の手前側の辺に露出してい
る。インダクタパターン８５ａ，８５ｂの他端部８８
ａ，８８ｂは幅広になっており、この幅広部８８ａ，８
８ｂはコンデンサパターンとしても機能する。インダク
タパターン８５ａ，８５ｂの中央部からそれぞれ延在し
ている出力引出しパターン９７ａ，９７ｂは、シート８
２の右辺に露出している。
【００２６】コンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、シ
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、シート８２を間に
挟んでインダクタパターン８３ａ，８３ｂの幅広部８６
ａ，８６ｂに対向し、コンデンサＣ１を形成する。そし
て、コンデンサＣ１と２重構造のインダクタＬ１とでＬ
Ｃ並列共振回路を形成し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構
成する。
ート８２の左寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。シート８２の積み重ね
方向において、コンデンサパターン８９ａ，８９ｂの間
には、インダクタパターン８３ａ，８３ｂにて構成され
た２重構造のインダクタＬ１が配置されている。このコ
ンデンサパターン８９ａ，８９ｂは、シート８２を間に
挟んでインダクタパターン８３ａ，８３ｂの幅広部８６
ａ，８６ｂに対向し、コンデンサＣ１を形成する。そし
て、コンデンサＣ１と２重構造のインダクタＬ１とでＬ
Ｃ並列共振回路を形成し、第１段のＬＣ共振器Ｑ１を構
成する。
【００２７】コンデンサパターン９０ａ，９０ｂは、シ
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
ート８２の中央位置に形成され、その一端はシート８２
の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９０ａ
と９０ｂの間には、インダクタパターン８４ａ，８４ｂ
にて構成された２重構造のインダクタＬ２が配置されて
いる。このコンデンサパターン９０ａ，９０ｂはインダ
クタパターン８４ａ，８４ｂの幅広部８７ａ，８７ｂに
対向し、コンデンサＣ２を形成する。そして、コンデン
サＣ２と２重構造のインダクタＬ２とでＬＣ並列共振回
路を形成し、第２段のＬＣ共振器Ｑ２を構成する。
【００２８】コンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、シ
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
ート８２の右寄りの位置に形成され、その一端はシート
８２の奥側の辺に露出している。コンデンサパターン９
１ａと９１ｂの間には、インダクタパターン８５ａ，８
５ｂにて構成された２重構造のインダクタＬ３が配置さ
れている。このコンデンサパターン９１ａ，９１ｂは、
インダクタパターン８５ａ，８５ｂの幅広部８８ａ，８
８ｂに対向し、コンデンサＣ３を形成する。そして、コ
ンデンサＣ３と２重構造のインダクタＬ３とでＬＣ並列
共振回路を形成し、第３段のＬＣ共振器Ｑ３を構成す
る。
【００２９】結合コンデンサパターン９３ａ，９３ｂ，
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側よりに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向においてインダクタパターン８
３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，８
４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサパ
ターン９３ａ，９３ｂは、シート８２を挟んでインダク
タパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、
結合コンデンサＣｓ１を形成する。結合コンデンサパタ
ーン９４ａ，９４ｂは、シート８２を挟んでインダクタ
パターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，８５ｂに対向し、結
合コンデンサＣｓ２を形成する。
９４ａ，９４ｂはシート８２の奥側よりに配設され、シ
ート８２の積み重ね方向においてインダクタパターン８
３ａ，８４ａ，８５ａとインダクタパターン８３ｂ，８
４ｂ，８５ｂとの間に位置する。この結合コンデンサパ
ターン９３ａ，９３ｂは、シート８２を挟んでインダク
タパターン８３ａ，８３ｂ，８４ａ，８４ｂに対向し、
結合コンデンサＣｓ１を形成する。結合コンデンサパタ
ーン９４ａ，９４ｂは、シート８２を挟んでインダクタ
パターン８４ａ，８４ｂ，８５ａ，８５ｂに対向し、結
合コンデンサＣｓ２を形成する。
【００３０】ポール調整用パターン９５は、結合コンデ
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、シー
ト８２を挟んで結合コンデンサパターン９３ａ，９４
ａ，９３ｂ，９４ｂと対向して静電容量を発生する。広
面積のシールドパターン９２ａ，９２ｂは、それぞれの
一端が手前側の辺に露出し、他端が奥側の辺に露出して
いる。
ンサパターン９３ａ，９４ａと９３ｂ，９４ｂの間に配
置されている。このポール調整用パターン９５は、シー
ト８２を挟んで結合コンデンサパターン９３ａ，９４
ａ，９３ｂ，９４ｂと対向して静電容量を発生する。広
面積のシールドパターン９２ａ，９２ｂは、それぞれの
一端が手前側の辺に露出し、他端が奥側の辺に露出して
いる。
【００３１】以上の構成からなる各シート８２は図４に
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図５に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
示すように順に積み重ねられ、一体的に焼成されること
により、図５に示す積層体１０１とされる。積層体１０
１の左右の端面にはそれぞれ入力端子電極１０６及び出
力端子電極１０７が形成され、手前と奥の側面にはそれ
ぞれシールド端子電極１０８，１０９が形成されてい
る。入力端子電極１０６には入力引出しパターン９６
ａ，９６ｂが接続され、出力端子電極１０７には出力引
出しパターン９７ａ，９７ｂが接続される。シールド端
子電極１０８には、インダクタパターン８３ａ〜８５ｂ
の一端とシールドパターン９２ａ，９２ｂの一端とが接
続される。シールド端子電極１０９には、コンデンサパ
ターン８９ａ〜９１ｂの一端とシールドパターン９２
ａ，９２ｂの他端とが接続される。
【００３２】このＬＣフィルタ８１において、図６に示
すように、フィルタ８１の中央に位置する第２段のＬＣ
共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４ａ，８４
ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ共振器Ｑ
１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３ａ，８３
ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン幅を約１
０％以上広くしている。従って、インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを緩和することがで
きる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィルタ８１を得る
ことができる。
すように、フィルタ８１の中央に位置する第２段のＬＣ
共振器Ｑ２を構成するインダクタパターン８４ａ，８４
ｂは、両端に位置する第１段及び第３段のＬＣ共振器Ｑ
１，Ｑ３を構成するインダクタパターン８３ａ，８３
ｂ，８５ａ，８５ｂと比較して、そのパターン幅を約１
０％以上広くしている。従って、インダクタパターン８
４ａ，８４ｂのエッジ部での磁界Ｈを緩和することがで
きる。こうしてＱ特性の優れたＬＣフィルタ８１を得る
ことができる。
【００３３】また、インダクタＬ１〜Ｌ３が２重構造で
あるため、インダクタパターン８３ａと８３ｂの間隔、
インダクタパターン８４ａと８４ｂの間隔及びインダク
タパターン８５ａと８５ｂの間隔を調整することによ
り、インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に発生する
磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈがインダ
クタパターン８３ａ〜８５ｂのエッジ部に集中するのを
更に緩和することができる。こうして、Ｑ特性の優れた
ＬＣフィルタ８１が得られる。
あるため、インダクタパターン８３ａと８３ｂの間隔、
インダクタパターン８４ａと８４ｂの間隔及びインダク
タパターン８５ａと８５ｂの間隔を調整することによ
り、インダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれの周囲に発生する
磁界Ｈの分布を最適化することができ、磁界Ｈがインダ
クタパターン８３ａ〜８５ｂのエッジ部に集中するのを
更に緩和することができる。こうして、Ｑ特性の優れた
ＬＣフィルタ８１が得られる。
【００３４】また、各インダクタＬ１〜Ｌ３を構成する
インダクタパターン８３ａと８３ｂの間、インダクタパ
ターン８４ａと８４ｂの間、並びに、インダクタパター
ン８５ａと８５ｂの間には、磁界Ｈが発生せず、インダ
クタパターン８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８４
ｂ，８５ｂとの間に配置された結合コンデンサパターン
９３ａ〜９４ｂ及びポール調整用パターン９５がインダ
クタＬ１〜Ｌ３の磁界を殆ど遮断しない。このため、均
一な磁界Ｈが形成され、大きなインダクタンスが得られ
る。
インダクタパターン８３ａと８３ｂの間、インダクタパ
ターン８４ａと８４ｂの間、並びに、インダクタパター
ン８５ａと８５ｂの間には、磁界Ｈが発生せず、インダ
クタパターン８３ａ，８４ａ，８５ａと８３ｂ，８４
ｂ，８５ｂとの間に配置された結合コンデンサパターン
９３ａ〜９４ｂ及びポール調整用パターン９５がインダ
クタＬ１〜Ｌ３の磁界を殆ど遮断しない。このため、均
一な磁界Ｈが形成され、大きなインダクタンスが得られ
る。
【００３５】また、ポール調整用パターン９５と結合コ
ンデンサパターン９３ａ〜９４ｂとの対向面積を変える
ことにより、ＬＣフィルタ８１のポール間隔を調整する
ことができる。例えば、対向面積が大きい場合、ポール
調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ〜
９４ｂとの間に発生する静電容量が大きくなり、図７の
実線Ａで示すように、ポール間隔が大きい減衰特性とな
る。逆に、対向面積が小さい場合、図７の点線Ｂで示す
ように、ポール間隔が小さい減衰特性となる。
ンデンサパターン９３ａ〜９４ｂとの対向面積を変える
ことにより、ＬＣフィルタ８１のポール間隔を調整する
ことができる。例えば、対向面積が大きい場合、ポール
調整用パターン９５と結合コンデンサパターン９３ａ〜
９４ｂとの間に発生する静電容量が大きくなり、図７の
実線Ａで示すように、ポール間隔が大きい減衰特性とな
る。逆に、対向面積が小さい場合、図７の点線Ｂで示す
ように、ポール間隔が小さい減衰特性となる。
【００３６】［他の実施形態］なお、本発明に係る積層
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。ＬＣ共振器が四つ以上の場合、必
ずしも両端以外に位置する全てのインダクタパターンを
広幅にしなくとも、少なくとも一つのインダクタパター
ンを広幅にしても効果は得られる。
型ＬＣフィルタは前記実施形態に限定するものではな
く、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
例えば、積層型ＬＣフィルタが有するＬＣ共振器は四つ
以上であってもよい。ＬＣ共振器が四つ以上の場合、必
ずしも両端以外に位置する全てのインダクタパターンを
広幅にしなくとも、少なくとも一つのインダクタパター
ンを広幅にしても効果は得られる。
【００３７】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
ンが形成されたセラミックシートを積み重ねた後、一体
的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限定されな
い。セラミックシートは予め焼成されたものを用いても
よい。また、以下に説明する製法によってＬＣフィルタ
を作成してもよい。印刷等の方法によりペースト状のセ
ラミック材料にてセラミック層を形成した後、そのセラ
ミック層の表面にペースト状の導電性パターン材料を塗
布して任意のパターンを形成する。次に、ペースト状の
セラミック材料を前記パターンの上から塗布してパター
ンが内蔵されたセラミック層とする。同様にして、順に
重ね塗りすることにより積層構造を有するＬＣフィルタ
が得られる。
【００３８】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、両端以外に位置するＬＣ共振器を構成するイン
ダクタパターンのパターン幅を、両端に位置するＬＣ共
振器を構成するインダクタパターンのパターン幅より広
くしたので、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダク
タパターンのエッジ部での磁界を緩和することができ
る。この結果、Ｑ特性の優れた積層型ＬＣフィルタを得
ることができる。
よれば、両端以外に位置するＬＣ共振器を構成するイン
ダクタパターンのパターン幅を、両端に位置するＬＣ共
振器を構成するインダクタパターンのパターン幅より広
くしたので、両端以外に位置するＬＣ共振器のインダク
タパターンのエッジ部での磁界を緩和することができ
る。この結果、Ｑ特性の優れた積層型ＬＣフィルタを得
ることができる。
【００３９】また、インダクタを多重構造にすることに
より、磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中する
のをさらに緩和することができる。
より、磁界がインダクタパターンのエッジ部に集中する
のをさらに緩和することができる。
【図１】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第１実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図２】図１に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩから見た模式図。
【図４】本発明に係る積層型ＬＣフィルタの第２実施形
態の構成を示す分解斜視図。
態の構成を示す分解斜視図。
【図５】図４に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩから見た模式図。
【図７】図５に示した積層型ＬＣフィルタの減衰特性を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図８】積層型ＬＣフィルタの電気等価回路図。
【図９】従来の積層型ＬＣフィルタの構成を示す分解斜
視図。
視図。
【図１０】図９に示した積層型ＬＣフィルタの外観斜視
図。
図。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩから見た模式図。
３１，８１…ＬＣフィルタ ６１〜６９，８２…セラミックシート ３３，３４，３５…インダクタパターン ３９，４０，４１…コンデンサパターン ４２，４３…結合コンデンサパターン ４６ａ，４６ｂ…シールドパターン ５１…積層体 ８３ａ〜８５ａ，８３ｂ〜８５ｂ…インダクタパターン ８６ａ〜８８ａ，８６ｂ〜８８ｂ…幅広部 ８９ａ〜９１ａ，８９ｂ〜９１ｂ…コンデンサパターン ９２ａ，９２ｂ…シールドパターン ９３ａ，９３ｂ，９４ａ，９４ｂ…結合コンデンサパタ
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
ーン ９５…ポール調整用パターン １０１…積層体 Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３…インダクタ Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３…コンデンサ Ｃｓ１，Ｃｓ２…結合コンデンサ Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３…ＬＣ共振器
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の絶縁層と複数のインダクタパター
ンと複数のコンデンサパターンとを積み重ねて構成した
積層体内部に、前記インダクタパターンにより形成され
る複数のインダクタと、前記コンデンサパターンが前記
インダクタパターンに対向して形成する複数のコンデン
サとで少なくとも３個のＬＣ共振器を形成した積層型Ｌ
Ｃフィルタにおいて、 少なくとも３個の前記ＬＣ共振器を接続して３段以上の
フィルタを構成し、両端以外に位置するＬＣ共振器を構
成するインダクタパターンのパターン幅を、両端に位置
するＬＣ共振器を構成するインダクタパターンのパター
ン幅より広くしたことを特徴とする積層型ＬＣフィル
タ。 - 【請求項２】 各々のＬＣ共振器の前記インダクタが、
二つ以上の略同一形状の前記インダクタパターンを前記
絶縁層を介して積層してなる多重構造であることを特徴
とする請求項１記載の積層型ＬＣフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781999A JP3444230B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
| DE60043473T DE60043473D1 (de) | 1999-05-07 | 2000-05-05 | Laminiertes LC-Filter |
| EP00401250A EP1050959B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-05 | Laminated LC filter |
| US09/566,327 US6424235B1 (en) | 1999-05-07 | 2000-05-08 | Laminated LC filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12781999A JP3444230B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000323902A true JP2000323902A (ja) | 2000-11-24 |
| JP3444230B2 JP3444230B2 (ja) | 2003-09-08 |
Family
ID=14969457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12781999A Expired - Lifetime JP3444230B2 (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 積層型ｌｃフィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6424235B1 (ja) |
| EP (1) | EP1050959B1 (ja) |
| JP (1) | JP3444230B2 (ja) |
| DE (1) | DE60043473D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20150070947A (ko) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 인덕터 및 mmic |
| US9083070B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| WO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6898070B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-05-24 | Avx Corporation | Transmission line capacitor |
| JP7180582B2 (ja) * | 2019-10-03 | 2022-11-30 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529147A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層チツプトランス |
| JPH05199008A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタおよびその周波数特性調整方法 |
| JPH0653046A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsubishi Materials Corp | ノイズフィルタ |
| JPH0897603A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Kyocera Corp | 積層型誘電体フィルタ |
| JPH09148802A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バンドパスフィルタ |
| JPH09307389A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| JPH1155003A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Kyocera Corp | 積層型誘電体フィルタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2682282B2 (ja) * | 1991-08-21 | 1997-11-26 | 株式会社村田製作所 | 積層チップｌｃフィルタ |
| US5404118A (en) * | 1992-07-27 | 1995-04-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter with resonator having spiral electrodes formed of coil electrodes on plurality of dielectric layers |
| US5892415A (en) * | 1995-11-20 | 1999-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Laminated resonator and laminated band pass filter using same |
| JPH09214274A (ja) * | 1996-02-08 | 1997-08-15 | Murata Mfg Co Ltd | Ｌｃ複合部品 |
| JP3438859B2 (ja) * | 1996-11-21 | 2003-08-18 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型電子部品とその製造方法 |
| JP3371812B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2003-01-27 | 株式会社村田製作所 | 積層型インダクタアレイ |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12781999A patent/JP3444230B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-05-05 DE DE60043473T patent/DE60043473D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-05 EP EP00401250A patent/EP1050959B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-08 US US09/566,327 patent/US6424235B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0529147A (ja) * | 1991-07-24 | 1993-02-05 | Murata Mfg Co Ltd | 積層チツプトランス |
| JPH05199008A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | バンドパスフィルタおよびその周波数特性調整方法 |
| JPH0653046A (ja) * | 1992-07-27 | 1994-02-25 | Mitsubishi Materials Corp | ノイズフィルタ |
| JPH0897603A (ja) * | 1994-09-29 | 1996-04-12 | Kyocera Corp | 積層型誘電体フィルタ |
| JPH09148802A (ja) * | 1995-11-20 | 1997-06-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型バンドパスフィルタ |
| JPH09307389A (ja) * | 1996-05-10 | 1997-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタ |
| JPH1155003A (ja) * | 1997-07-30 | 1999-02-26 | Kyocera Corp | 積層型誘電体フィルタ |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9083070B2 (en) | 2012-02-21 | 2015-07-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| KR20150070947A (ko) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 인덕터 및 mmic |
| KR101633316B1 (ko) | 2013-12-17 | 2016-06-24 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 인덕터 및 mmic |
| WO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JPWO2016157928A1 (ja) * | 2015-03-27 | 2017-12-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| US10340875B2 (en) | 2015-03-27 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60043473D1 (de) | 2010-01-21 |
| EP1050959A2 (en) | 2000-11-08 |
| JP3444230B2 (ja) | 2003-09-08 |
| EP1050959A3 (en) | 2002-07-17 |
| EP1050959B1 (en) | 2009-12-09 |
| US6424235B1 (en) | 2002-07-23 |
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