JP2000331780A

JP2000331780A - 有機電界発光装置の製造方法

Info

Publication number: JP2000331780A
Application number: JP11138122A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Fujimori; 茂雄藤森; Takeshi Ikeda; 武史池田; Tetsuo Oka; 哲雄岡
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-05-19
Filing date: 1999-05-19
Publication date: 2000-11-30

Abstract

(57)【要約】【課題】色純度の高い発光色を有する有機電界発光装置
の製造方法。【解決手段】発光層を発光効率の低いものから高いもの
の順にパターニングする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な電気エネ
ルギーを光に変換できる有機電界発光装置の製造方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光装置は、薄型、低駆動
電圧下での高輝度発光、蛍光体材料を選択することによ
る多色発光が特徴であり、注目を集めている。

【０００３】これらの有機電界発光装置は、基板上に形
成された第一電極と、その上に形成された少なくとも有
機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、第二電極をこ
の順で積層して形成されるものである。一般的に、陽極
となる第一電極には透明電極材料が使用され、この透明
電極を通して表示が行われる。第一電極と陰極となる第
二電極は互いに交差するように配置され、この交差部が
発光領域を形成することになるが、カラーディスプレイ
など多色発光装置においては、この交差部に赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する発光層をパターニングさ
れた状態で形成することが必要である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】少なくとも有機化合物
からなる発光層を含む薄膜層は透明な第一電極上に形成
される。カラーディスプレイの場合には、隣接した電極
上に、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれの発光層を形成しなければな
らない。Ｒ−Ｇ、Ｇ−Ｂ、Ｒ−Ｂという発光層の接触部
が存在することになる。マスク蒸着法において、シャド
ーマスクを基板に密着させることで他の発光層領域を完
全に遮蔽することは可能であるが、シャドーマスクに欠
けなどの欠陥が存在した場合などは、発光材料が隣接す
る発光領域にも付着してしまう「蒸着モレ」が生じる。
また、フォトリソグラフィ法などのウェットプロセスに
おいても、フォトマスクに異物が付着した場合などは、
発光材料が他の発光領域に入り込む問題が生じる。いず
れにおいても、このようなケースへの対策が必要にな
る。

【０００５】発光層を含む薄膜層として正孔輸送層／発
光層や正孔輸送層／発光層／電子輸送層などの構成が一
般的であるが、これらの場合、正孔輸送層と発光材料が
接する界面で発光が最も効果的に生起するので、正孔輸
送層に接する状態で隣接発光領域にまで形成された発光
材料の層は本来の発光色の純度を低下させる悪影響を与
えることになる。従って、発光層形成においての蒸着モ
レなどが発生した場合においても、それぞれの発光色の
色純度を高く保持するよう対策を講じる必要がある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明の有機電界発光装置の製造方法は、発光層を
発光効率の低いものから高いものの順にパターニング形
成することを特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の有機電界発光装置は、基
板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成さ
れた少なくとも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層
と、前記薄膜層上に形成された第二電極とを含み、複数
の色で発光する発光領域が形成されたものであり、これ
らの発光層を発光効率の低いものから高いものの順にパ
ターニングする方法で製造される。

【０００８】カラーディスプレイに用いられるＲ、Ｇ、
Ｂでは、ＲやＢに比べてＧの発光効率が高い。本発明
は、発光層を発光効率の低いものから高いものの順にパ
ターニングすることが好ましいので、カラーディスプレ
イにおいては、Ｒ、Ｂ、ＧもしくはＢ、Ｒ、Ｇの順で発
光層を形成することで、各色の色純度を高く保持し、優
れた表示特性を有する有機電界発光装置を得ることがで
きる。

【０００９】有機電界発光装置の第一および第二電極
は、発光のために十分な電流を供給する役割を有する
が、光を取り出すために少なくとも一方は透明であるこ
とが望ましい。基板上に形成される第一電極を陽極と
し、これを透明電極とすることが多く、これに限定され
るものではないが、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）膜をフ
ォトリソグラフィ法でパターニングして用いることが多
い。

【００１０】本発明の目的とする有機電界発光装置は、
複数の発光色に発光するマルチカラーまたはフルカラー
を表示する装置である。少なくとも有機化合物からなる
発光層を含む薄膜層としては、１）正孔輸送層／発光
層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層
／電子輸送層、そして４）以上の組合せ物質を一層に混
合した形態の発光層のいずれであってもよい。すなわ
ち、有機化合物からなる発光層が存在していれば、上記
１）〜３）の多層積層構造の他に４）のような発光材料
単独または発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含
む発光層を一層設けるだけでも良い。本発明の発光層形
成の順序を規制する方法は、薄膜層構成が１）および
２）の場合に特に効果的であるが、これに限定されるも
のではない。

【００１１】本発明では、隣接する電極の中心間の距離
を「ピッチ」、一つの電極の幅は「線幅」、隣り合う電
極間の距離は「ギャップ幅」と呼称する。例えば、１０
０μｍピッチで線幅７０μｍの第一電極があった場合、
そのギャップ幅は３０μｍである。

【００１２】本発明の有機電界発光装置は複数の発光色
に対応する発光層を有するので、それぞれの発光領域を
明確に区分するため、パターニングされていなければな
らない。例えば、単純マトリクス型ディスプレイでは、
発光領域は一定のピッチと間隔で配置された複数のスト
ライプ状にパターニングされた第一電極とこれと交差
し、一定のピッチと間隔で配置された複数のストライプ
状にパターニングされた第二電極とが重なる部分であ
る。さらにアクティブマトリクス型ディスプレイやセグ
メント型ディスプレイにおいても発光領域が形成される
が、それらも本発明の対象である。

【００１３】これに限定するものでないが、本発明の目
的を単純マトリクス型ディスプレイで説明する。発光層
としての機能を発揮するためには、発光層は第一電極上
に形成され、第一電極のストライプ状パターンにほぼ一
致するストライプ状パターンを有するものであってもよ
いし、また、第二電極のストライプ状のパターンにほぼ
一致するストライプ状パターンを有するものであっても
よい。通常は、製造工程上、先に形成されるストライプ
状第一電極の上に、ほぼ同様のストライプ状にパターニ
ングされる。例えば、第一電極が１００μｍのピッチで
線幅７０μｍ、ギャップ幅３０μｍのサイズで形成され
ている場合、発光層は第一電極のピッチ１００μｍに合
わせて形成される。例示された第一電極の場合におい
て、カラーディスプレイを作成するには、Ｒ、Ｇ、Ｂの
３つの発光層がそれぞれ３００μｍピッチの間隔をあけ
て配置されることになる。

【００１４】有機電界発光装置に形成される少なくとも
有機化合物からなる発光層を含む薄膜層は、パターニン
グ方法としてフォトリソグラフィ法などウエットプロセ
スを適用することも可能であるが、一般的には、マスク
蒸着法などのドライプロセスが用いられている。また、
第二電極の形成には、マスク蒸着法や隔壁法などが用い
られる。

【００１５】本発明の発光層はマスク蒸着法でパターニ
ングされることが好ましい。マスク蒸着法では、一定の
間隔をあけて配置された複数のストライプ状開口部が存
在するシャドーマスクを用いて発光層をパターニングす
る。前記の例示に従えば、マスクの開口部は幅１００μ
ｍ、ピッチ３００μｍで形成される。発光層形成におい
ての隣接発光領域への発光材料の付着を防ぐために開口
部をより狭くしたりすることも可能であるが、位置合わ
せ精度には最低でも±５μｍ程度の誤差が生じるし、マ
スクの欠陥などがあるとＩＴＯ透明電極上に発光層がな
い部分が発生して、表示画面に発光しない部分が生じる
などの欠陥ができる。従って通常は第一電極の形成幅よ
りやや広い幅で発光層を形成する。このため、マスクの
位置合わせ精度の問題やマスク自体の欠陥が生じていた
ような場合には、次に形成されるべき発光層の領域に先
に形成された発光層の発光材料が付着してしまうという
問題が生じる。

【００１６】図１に示すように、基板１の上のパターニ
ングされたＩＴＯ電極２があり、それをカバーするよう
に正孔輸送層３が形成され、その上にＲ、Ｇ、Ｂの発光
層がそれぞれ隣接して形成される。この後に、必要に応
じて全面に電子輸送層を、さらに第二電極を形成して有
機電界発光装置が製造される。この場合、例えば、発光
効率の高いＧ発光層を先に形成し、発光効率の低いＢ発
光層を後に形成した場合、図２のように、先に蒸着した
Ｇ発光材料がＢ発光領域に付着するということが発生し
得る。Ｇ発光層の発光効率の方が高いために、この欠陥
部分７では緑色の発光が強調され、Ｂ発光領域の色純度
が低下するという欠陥を発生することになる。このよう
なことはＧからＲの順の場合にも生起する問題である。

【００１７】薄膜層の構成において正孔輸送層を予め形
成し、その上に発光層を形成する場合においては、発光
がその両層の界面で最も活性であるため、先に蒸着され
た成分の発光が著しくなる。従って、このような蒸着モ
レに基づく発光層の欠陥発生を防止することが重要であ
るが、少なくとも色純度低下に関わる欠陥発生を防止す
る対策として、発光効率の低いものから先に蒸着してい
く方法が好ましい。

【００１８】２種類の発光色の発光効率が同程度である
場合には、発光エネルギーの高いものを先に形成するこ
とが好ましい。例えば、Ｂ発光層とＲ発光層の効率が同
程度であり、Ｇ発光層の発光効率が両者のそれよりも高
い場合には、Ｂ、Ｒ、Ｇの順に発光層を形成することが
好ましい。

【００１９】本発明はカラーディスプレイ形成の場合、
Ｂ、Ｒ、ＧもしくはＲ、Ｂ、Ｇの順にパターニングする
ことを特徴とするが、このようなパターニング順で形成
した発光層は隣接する発光層との間で部分的に積層構造
になった場合、これを深さ方向に分析する手段、例え
ば、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ）、オージェ分光
法（ＡＥＳ）、あるいは、発光層の吸収波長を考慮した
蛍光顕微鏡観測などの手段で積層順を明らかにすること
が可能である。

【００２０】本発明は、第一電極のギャップ幅が５０μ
ｍ以下のように隣接電極間距離が接近して形成される高
精細を特徴とする有機電界発光装置の製造方法として特
に効果的である。カラーディスプレイの場合、それぞれ
の発光色の発光層は電極の線幅より広くして形成される
ことは既述の通りであるが、隣接する発光色間の重なり
や蒸着モレなどの欠陥を防ぐための余裕部分が電極のギ
ャップ幅であり、それが十分な場合には色純度が阻害さ
れる懸念は少ないが、その値が５０μｍ以下では特に注
意が必要である。さらに高精細になると、間隔が３０μ
ｍや２０μｍという装置となるので、隣接発光層の色純
度を高く保持する対策として本発明の発光効率の低いも
のから順に形成する方法が、例え蒸着モレなどの欠陥が
あっても色純度を低下させることが少なくなるものとし
て有効である。

【００２１】発光層の材料としては、例えば、８−ヒド
ロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などのキノリ
ノール誘導体、ビススチリルアントラセン誘導体、アン
トラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、ク
マリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベ
ンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ピロロピロール
誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、
チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポリフ
ェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、
そしてポリチオフェン誘導体などが使用できる。また、
発光層に添加するドーパントとしては、ルブレン、キナ
クリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、ペリノン、ペ
リレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導
体、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ
−ジメチルアミノスチリル）−４−ピラン（ＤＣＭ）や
４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（ジ
ュロリジルスチリル）ピラン（ＤＣＪＴＢ）に代表され
るピラン誘導体などが使用できる。

【００２２】特に、Ｂ発光層についてはジスチリルベン
ゼン誘導体を、Ｇ発光層についてはキノリノール誘導体
とジアザインダセン誘導体やクマリン誘導体、キナクリ
ドン誘導体との組み合わせを、Ｒ発光層についてはキノ
リノール誘導体とＤＣＭやＤＣＪＴＢとの組み合わせを
用いることが好ましい。

【００２３】発光層を含む薄膜層が形成された後、第一
電極に交差するようにして第二電極がパターニングされ
るが、その形成にはマスク蒸着法や隔壁法など公知の技
術が用いられる。さらに、第二電極形成後、公知の技術
を用いての保護層形成や発光領域の封止を行って有機電
界発光装置が得られる。

【００２４】第二電極となる陰極は、電子を発光層に効
率よく注入できる物質であれば特に限定されない。従っ
て、アルカリ金属などの低仕事関数金属の使用も可能で
あるが、電極の安定性を考えると、白金、金、銀、銅、
鉄、錫、アルミニウム、マグネシウム、インジウムなど
の金属、またはこれら金属と低仕事関数金属との合金な
どが好ましい例として挙げられる。また、あらかじめ有
機層に低仕事関数金属を微量ドーピングしておき、その
後に比較的安定な金属を陰極として成膜することで、電
極注入効率を高く保ちながら安定な電極を得ることもで
きる。

【００２５】

【実施例】以下に実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、これらによって限定されるものではない。

【００２６】実施例１厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング蒸着法によって厚さ１３０ｎｍのＩＴＯ透明膜が
形成されたＩＴＯ基板を１２０×１００ｍｍの大きさに
切断した。ＩＴＯ基板上にフォトレジストを塗布して、
通常のフォトリソグラフィ法により露光・現像を行って
フォトレジストをパターニングした。ＩＴＯの不要部分
をエッチングして除去した後、フォトレジストを除去す
ることで、ＩＴＯ膜を長さ９０ｍｍ、線幅８０μｍのス
トライプ状にパターニングした。このようにして形成さ
れたストライプ状第一電極は１００μｍピッチで８１６
本配置された。間隔（ギャップ）は２０μｍである。

【００２７】次にネガティブ型のリフトオフ用フォトレ
ジスト（日本ゼオン社製：ＺＰＮ１１００）を全面に厚
さ３μｍに塗布した。このレジストのパターニングに用
いたフォトマスクは６５μｍ幅で２３５μｍの長さの開
口部が幅方向は１００μｍピッチで、長さ方向は３００
μｍピッチで配置されたものを用いた。ストライプ状第
一電極上にフォトマスクの幅６５μｍがその中心に配置
されるように位置合わせしてパターニングした。引き続
き基板上に電子ビーム蒸着法で厚さ１５０ｎｍの酸化ケ
イ素膜を形成した。この基板をアセトン中で超音波洗浄
するとリフトオフ用レジストが溶解し、その上の酸化ケ
イ素膜が除去され、発光画素部分以外の領域に酸化ケイ
素膜の絶縁層が形成される。

【００２８】第一電極および絶縁層が形成された基板上
の全面に、ポリイミド系の感光性コーティング剤（東レ
社製、ＵＲ−３１００）をスピンコート法で塗布し、ク
リーンオーブンにより窒素雰囲気下で８０℃、１時間プ
リベーキングした。次に、この塗布膜に、５０μｍ幅で
５０μｍ長さの開口部が第一電極に沿った方向に０．３
ｍｍピッチで、そして第一電極に直交する方向に０．１
ｍｍピッチで配置されたフォトマスクを、ストライプ状
にパターニングされた第一電極の中央部にフォトマスク
の５０μｍ幅の開口部が配置されるように位置合わせし
て露光し、現像液（東レ社製、ＤＶ−５０５）を用いて
現像した。その後、クリーンオーブン中で１８０℃、３
０分間、さらに２５０℃、３０分間ベーキングして、厚
さ２μｍのドット状スペーサー１６３，２００個を形成
した。

【００２９】少なくとも有機化合物からなる発光層を含
む薄膜層は、抵抗線加熱方式による真空蒸着法で形成す
る。この時の真空度は２×１０^-4Ｐａ以下で、蒸着中は
蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔輸送層と
して、銅フタロシアニンを１５ｎｍ、ビス（Ｎ−エチル
カルバゾール）を６０ｎｍ基板全面に蒸着した。

【００３０】次に発光層の形成を行うが、用いるシャド
ーマスクは次のようにして形成したものである。すなわ
ち、電鋳法によって電鋳母型上にＮｉ−Ｃｏ合金を析出
させることで、図３に示すようにストライプ状の開口部
３２を有し、それを横切るように形成された補強線３３
が存在し、マスク部分と補強線とが同一平面内に形成さ
れた構造を有する。このシャドーマスクの外形は１２０
×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍである。
長さ６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部３２
がピッチ３００μｍで２７２本配置されている。各スト
ライプ形状開口部には、開口部を横切り直交する幅２０
μｍの補強線３３がピッチ１．８ｍｍで形成されてい
る。シャドーマスクは外形が等しい幅４ｍｍのステンレ
ス鋼製フレーム３４に固定されている。

【００３１】前記発光層形成用シャドーマスクを基板前
方に配置してドット状スペーサーに密着させ、基板後方
にはフェライト系磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）
を配置した。この際、ストライプ状第一電極がシャドー
マスクのストライプ状開口部の中心に位置し、補強線が
スペーサーのある位置と一致するように、両者は位置合
わせされている。

【００３２】このように配置した基板に対して、先ずＢ
発光層の形成した。Ｂ発光層としては、４，４’−ビス
（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル（ＤＰＶＢ
ｉ）を用いた。この場合にはゲスト材料を使用せず、Ｄ
ＰＶＢｉのみを２０ｎｍ蒸着した。次いで、発光層形成
用シャドーマスクの配置を第一電極の１ピッチ分だけず
らした状態でＲ発光層を形成した。Ｒ発光層のホスト材
料はＡｌｑ３であり、これにゲスト材料として０．５重
量％のＤＣＪＴＢを共蒸着しながら、１５ｎｍの厚さに
蒸着した。さらに、シャドーマスクを第一電極の１ピッ
チ分ずらし、Ａｌｑ３と１，３，５，７，８−ペンタメ
チル−４，４−ジフロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジア
ザ−ｓ−インダセン（ＰＭ５４６）を共蒸着して厚さ２
１ｎｍのＧ発光層を形成した。

【００３３】この後、基板全面にＤＰＶＢｉを３５ｎ
ｍ、Ａｌｑ₃を１０ｎｍ蒸着し、最後に薄膜層をリチウ
ム蒸気に曝して電子輸送層を形成した。

【００３４】第二電極のパターニングには図４に示すよ
うにマスク部分３１の一方の面と補強線３３との間に隙
間が存在する構造のシャドーマスクを用いた。このシャ
ドーマスクの外形は１２０×８４ｍｍ、マスク部分の厚
さは１００μｍであり、長さ１００ｍｍ、幅２５０μｍ
のストライプ状開口部がピッチ３００μｍで２００本配
置されている。マスク部分の上には、幅４０μｍ、厚さ
３５μｍ、対向する二辺の間隔が２００μｍの正六角形
構造からなるメッシュ状の補強線が形成されている。隙
間の高さはマスク部分の厚さと等しく１００μｍであ
る。このシャドーマスクはステンレス鋼製のフレーム３
４に固定して用いられる。

【００３５】第二電極の蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐ
ａ以下で、蒸着中は２つの蒸着源に対して基板を回転さ
せた。発光層のパターニング形成と同様に、第二電極用
マスクを薄膜層までが形成された基板前方に配置して所
定の位置で密着させ、基板後方には板磁石を配置した。
この状態でアルミニウムを３２０ｎｍの厚さに蒸着して
第二電極をパターニングした。第二電極は、一定ピッチ
で配置された複数のストライプ状にパターニングされて
いる第一電極と直交する配置で、一定ピッチで配置され
た複数のストライプ状にパターニングされている。

【００３６】本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一電
極上にパターニングされたＢ、Ｇ、Ｒ発光層が形成さ
れ、第一電極と直交する線幅２４０μｍ、ピッチ３００
μｍのストライプ状第二電極が２００本配置された単純
マトリクス型ストライプ配列のカラー表示の有機電界発
光装置が作製された。Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの発光領域が１
画素を形成するので、本発光装置は３００μｍピッチで
２７２×２００画素を有する。各色の発光効率はＢ発光
層とＲ発光層が同程度であり、Ｇ発光層は両者よりも高
かった。本実施例により、色純度に優れると共に、表示
欠陥の目立たない有機電界発光装置が得られた。

【００３７】表示欠陥を分析したところ、マスク欠陥に
よりＢ発光材料もしくはＲ発光材料がＧ発光領域にはみ
出して付着していたが、この場合、Ｂ発光層やＲ発光層
の発光効率がＧ発光層に比べて低いために、Ｇ発光領域
の色純度への影響は少なかった。

【００３８】実施例２発光層の形成順序をＲ、Ｂ、Ｇの順とし、Ｒ発光層にゲ
スト材料として３重量％のＤＣＪＴＢを共蒸着したこと
以外は実施例１を繰り返した。各色の発光効率はＲ、
Ｂ、Ｇの順に高かった。本実施例により、色純度に優れ
ると共に、表示欠陥の目立たない有機電界発光装置が得
られた。

【００３９】表示欠陥を分析したところ、マスク欠陥に
よりＲ発光材料もしくはＢ発光材料がＧ発光領域にはみ
出して付着していたが、この場合、Ｒ発光層やＢ発光層
の発光効率がＧ発光層に比べて低いために、Ｇ発光領域
の色純度への影響は少なかった。

【００４０】比較例１発光層の形成順序をＧ、Ｂ、Ｒの順としたこと以外は実
施例１を繰り返した。得られた有機電界発光装置におい
て、Ｂ発光領域あるいはＲ発光領域が緑に近い状態で光
る部分が認められた。発光効率の高いＧ発光材料がＢ発
光領域やＲ発光領域の正孔輸送層の界面に存在するた
め、欠陥部分での緑色の発光強度が相対的に大きいこと
が原因であった。

【００４１】比較例２発光層の形成順序をＢ、Ｇ、Ｒの順としたこと以外は実
施例１を繰り返した。得られた有機電界発光装置におい
て、Ｂ発光領域あるいはＲ発光領域が緑に近い状態で光
る部分が認められた。発光効率の高いＧ発光材料がＢ発
光領域やＲ発光領域の正孔輸送層の界面に存在するた
め、欠陥部分での緑色の発光強度が相対的に大きいこと
が原因であった。

【００４２】

【発明の効果】発光層を発光効率の低いものから高いも
のの順にパターニングすることが好ましく、赤、緑、青
の３色に発光する発光領域に対応した発光層は青、赤、
緑もしくは赤、青、緑の順にパターニングすることで発
光色の純度の高い有機電界発光装置を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】基板上にＲ、Ｇ、Ｂの発光層を形成した状態を
示す断面図。

【図２】Ｇ発光層材料がＢ発光層領域を侵している積層
状態を示す断面図。

【図３】発光層パターニング用シャドーマスクの一例を
示す平面図。

【図４】第二電極パターニング用シャドーマスクの一例
を示す平面図。

【符号の説明】

１基板２第一電極３正孔輸送層４Ｒ発光層５Ｇ発光層６Ｂ発光層７欠陥部分３１マスク部分３２開口部３３補強線３４フレーム

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された第一電極と、前記第一
電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極
とを含み、複数の色で発光する発光領域が形成された有
機電界発光装置の製造方法であって、前記発光層を発光
効率の低いものから高いものの順にパターニングするこ
とを特徴とする有機電界発光装置の製造方法。
【請求項２】赤、緑、青の３色で発光する発光領域に対
応した発光層を、赤、青、緑の順にパターニングするこ
とを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置の製造
方法。
【請求項３】赤、緑、青の３色で発光する発光領域に対
応した発光層を、青、赤、緑の順にパターニングするこ
とを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装置の製造
方法。
【請求項４】発光層をマスク蒸着法によってパターニン
グすることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光装
置の製造方法。
【請求項５】電極のギャップ幅が５０μｍ以下の第一電
極に位置合わせして発光層をパターニングすることを特
徴とする請求項１記載の有機電界発光装置の製造方法。