JPH09115672A - 有機光学的素子及びその製造方法 - Google Patents
有機光学的素子及びその製造方法Info
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- JPH09115672A JPH09115672A JP7291807A JP29180795A JPH09115672A JP H09115672 A JPH09115672 A JP H09115672A JP 7291807 A JP7291807 A JP 7291807A JP 29180795 A JP29180795 A JP 29180795A JP H09115672 A JPH09115672 A JP H09115672A
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Abstract
が不要となり、簡略な装置によって微細な画素を位置精
度良く形成できる(特にマルチカラー表示が可能となる
ように発光色の異なる画素が隣合うように配置できる)
有機光学的素子及びその製造方法を提供すること。 【解決手段】 ストライプ状に形成された穴17を有する
マスク16と、透明電極5の上に直交してストライプ状に
形成した絶縁層11を有する基板6とを真空蒸着装置21内
にセットし、一枚のマスク16により基板6上に発光色ご
とにホール輸送層4、電子輸送層2、電極1を同一平面
形状に順次形成する。
Description
(例えば自発光の平面型ディスプレイに利用され、その
発光物質として有機電界発光素子を用いるディスプレ
イ)及びその製造方法に関するものである。
と称することがある。)を用いた、複数の画素からなる
表示デバイスにおいては、素子に加えた電圧により陰極
から電子を注入しかつ陽極からホールを注入し、電子−
ホールの再結合により発光を生ぜしめている。この発光
は、有機電界発光材料層を挟んで陰極と陽極とが重なり
合う部分で起きる。
機EL素子10の一例を示す。このEL素子10は、透明基
板(例えばガラス基板)6上に、ITO(Indium tin o
xide)透明電極5、ホール輸送層4、発光層3、電子輸
送層2、陰極(例えばアルミニウム電極)1を例えば真
空蒸着法で順次製膜したものである。
の間に直流電圧7を選択的に印加することによって、透
明電極5から注入されたホールがホール輸送層4を経
て、また陰極1から注入された電子が電子輸送層2を経
て、それぞれ発光層3に到達して電子−ホールの再結合
が生じ、ここから所定波長の発光8が生じ、透明基板6
の側から観察できる。
において発光層3を省略し、電子輸送層2とホール輸送
層4との界面から所定波長の発光18が生じるように構成
した有機EL素子20を示すものである。
子の具体例を示すものである。即ち、各有機層(ホール
輸送層4、発光層3又は電子輸送層2)の積層体を陰極
1と陽極5との間に配するが、これらの電極をマトリク
ス状に交差させてストライプ状に設け、シフトレジスタ
内蔵の制御回路40、輝度信号回路41によって時系列に信
号電圧を印加し、交差位置にて発光させるように構成し
ている。
レイとして勿論、画像再生装置としても使用可能とな
る。なお、上記のストライプパターンを赤(R)、緑
(G)、青(B)の各色毎に配し、フルカラー又はマル
チカラー用として構成することができる。
れの電極(陰極及び陽極)の材料をそれぞれ成膜した
後、互いに交差し合うようにそれぞれストライプ状にエ
ッチングしたり、或いはマスクを掛けて各電極材料を成
膜して、各電極を形成している。そして、有機層は、パ
ターン整形(パターニング)せずに一様に成膜する場合
が多かった。
着で有機層を形成する場合は、有機層を蒸着してから、
その上部にマスクを配して(マスク掛けして)電極を形
成するか、或いはマスクを掛け替えて電極を形成する必
要がある。
機層は、その形成後に一旦大気に曝してから電極を真空
蒸着すると、性能が大きく劣化することが知られてい
る。従って、真空蒸着のまま成膜用のマスクを掛ける必
要があるが、このためには、真空中でマスクを掛ける或
いは掛け替える機構を導入することが必要であり、膨大
な設備投資を要することになる。
は、電極を形成した後に保護膜を形成すると、広い領域
に亘り、保護膜は有機層を介して透明基板に接すること
になる。
く、更に、基板や電極などの無機薄膜又は無機物質との
付着力も弱い。従って、保護層が有機層を介して基板に
接していると、保護層が強力な保護機能を有していて
も、有機層に破断が生じ、保護層としての機能を果たさ
なくなることがある。
形状に形成しようとすると、特に複数の画素からなるデ
ィスプレイを作成する場合には、様々な困難な問題が発
生する。即ち、微細な画素を位置精度良く形成するため
には、非常に大掛かりなマスク移動機構を真空装置内に
設置しなければならない。
な実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、上
述したようなマスク掛け機構等やその大掛かりな設備投
資が不要となり、簡略な装置によって微細な画素を位置
精度良く形成できる(特にマルチカラー表示が可能とな
るように発光色の異なる画素が隣合うように配置でき
る)有機光学的素子及びその製造方法を提供することに
ある。
を達成するために、長期に亘って鋭意検討を重ねた結
果、有機層とその上に積層する金属電極層とを、同一の
マスクを使用して同じ形状に形成することによって、真
空装置内におけるマスクの相対的な移動を最小限にし、
極めて単純な移動機構を真空装置内に設けるのみで微細
な画素パターンが実現できることを見出し、本発明に至
ったものである。
の陽極としての透明電極5:以下、同様)上に有機層
(例えば後述の有機層4、2や3:以下、同様)と前記
第1の電極に対向した第2の電極(例えば後述の陰極と
しての金属電極1)とが設けられ、前記有機層と前記第
2の電極とが実質的に同一の平面形状で積層されている
有機光学的素子に係るものである。
前記第1の電極に対向した第2の電極とが設けられ、前
記有機層と前記第2の電極とが実質的に同一の平面形状
で積層されている有機光学的素子を製造するに際し、共
通のマスクを使用して前記有機層と前記第2の電極とを
順次積層する、有機光学的素子の製造方法も提供するも
のである。
おいて、基体(例えば後述の透明基板6:以下、同様)
上に並列に配設されたストライプ状の複数の第1の電極
上に、これらの第1の電極に交差して並列に配列された
少なくとも一層のストライプ状の複数の有機層と、前記
第1の電極に交差して並列に配設されたストライプ状の
複数の第2の電極とが実質的に同一の平面形状で積層さ
れていることが望ましい。
の有機層と第1の電極との間にこの第1の電極と第2の
電極とを絶縁するための絶縁層(例えば後述のSiO2
絶縁層11:以下、同様)が設けられていることが望まし
い。
ば後述の領域41)の幅が第2の電極の幅よりも狭くなっ
ていることが望ましい。
いて、少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞれ発色さ
せる隣接した少なくとも3本のストライプ状の電界発光
有機層の組が配列され、そしてこの場合、少なくとも
赤、緑及び青様の色をそれぞれ発色する各電界発光有機
層のストライプ形状が互いに実質的に同じであることが
望ましい。
ば後述の外部電極端子13)に接続され、この接続箇所で
は前記第2の電極が基体に直接付着していることが望ま
しい。
膜(例えば後述の保護膜12)が被着されていることが望
ましい。
後述の透明電極5)とこの透明電極部の一部に一体に形
成された金属部(例えば後述の金属電極9)とからなる
ように形成することが望ましい。
造方法において、基体上にストライプ状の複数の第1の
電極を形成する工程と、共通のマスク(例えば後述のマ
スク16:以下、同様)を使用し、前記マスクの非マスク
部分(例えば後述の開口部18:以下、同様)を通して前
記複数の第1の電極上にストライプ状の複数の有機層を
それぞれ形成する工程と、前記マスクをそのまま使用
し、前記非マスク部分を通して前記有機層上にストライ
プ状の複数の第2の電極をそれぞれ形成する工程とを有
することが望ましい。
の積層体(例えば赤色発光用)を形成した後、基体とマ
スクとを相対的に移動させ、有機層と第2の電極とから
なる第2の積層体(例えば緑色発光用)を形成すること
が望ましい。
の有機層と第1の電極との間にこの第1の電極と第2の
電極とを絶縁するための絶縁層が設けられている有機光
学的素子を製造するに際し、前記絶縁層を形成した後、
この絶縁層がマスクの非マスク部分の端部に位置するよ
うに前記マスクに対し位置合わせして有機層を形成する
ことが望ましい。
れぞれ発色させる隣接した少なくとも3本のストライプ
状の電界発光有機層の組を配列するのがよく、そしてこ
の場合、少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞれ発色
する各電界発光有機層のストライプ形状を互いに実質的
に同じにするのがよい。
を遮蔽手段(例えば後述のシャッタ33)で覆った状態で
有機層を形成し、前記遮蔽手段を除去して前記有機層上
に前記第2の電極を形成することが望ましい。
物理蒸着(例えば真空蒸着法、スパッタ法)によって形
成することが望ましい。
24)をマスクの非マスク部分の長さ方向に沿って配置す
ることが望ましい。
明するが、本発明が以下の実施例に限定されるものでな
いことは勿論である。
部分を示した平面図である。この有機EL素子15によれ
ば、例えば 100mm×150mm のサイズのガラス等の透明基
板6の一方の面には、例えば 71.98mm×91.55mm のサイ
ズの素子領域44が配されている。この素子領域には、I
TO(Indium tin oxide)からなる透明電極5が陽極と
して幅W1 280μm、厚さ 150nm、ピッチP1 300μm
で 240本分、平行に(ストライプ状に)形成されてい
る。そして、この透明電極5のシート抵抗は20Ω/cm2で
あるが、これでは抵抗が高すぎるので、幅W2 30μm、
厚さ2μmのアルミニウム又は金からなる金属電極9が
各透明電極5の中央部に接して基板6側に埋設(図3参
照)される状態で併設されている。
は、この透明電極5と直交するようにSiO2 絶縁層11
が、幅W3 30μm、厚さ 150nm、ピッチP2 100μmで
916本分、平行に(ストライプ状に)形成されている。
この絶縁層11は、その後に基板6上に形成する電界発光
有機層及び電極(陰極)の幅方向の端縁部を通って電流
がリークするのを防ぐためである。なお、図1では保護
層は図示省略した。
示の如く、基板6上には、ホール輸送層4と、発光材料
が混合されている電子輸送層2とがそれぞれ有機層とし
て、更に電極1が陰極としてこの順にほぼ同一の平面形
状にストライプ状に積層されている。この積層体からな
る赤(R)、緑(G)、青(B)の各発光色のものを1
組40としてこれを多数並列配置しており、この上をSi
N又はAlN保護層12で被覆している。
からなる積層体は基板6の透明電極5に対して直交して
設けられているが、ホール輸送層4の幅方向の両端部に
おいて上記の絶縁層11がホール輸送層4と電極5との間
に位置し、上記した電流リークの発生を防止している。
また、この絶縁層11の領域分だけ発光領域41の幅が陰極
1の幅よりも狭くなる。
方の端部においては、ホール輸送層4及び電子輸送層2
が形成されない部分42が存在しており、従って、この部
分では電極1の一方の端部1aが基板6に直接密着する
ように形成されている。
ものであるが、仮想線で示すように、外部電極端子13が
この部分42の電極層1aに接続される。
極1と外部電極端子13との接続部を明示するものであ
る。図4(平面図)及び図5(A)(図4のA−A線断
面図)、図5(B)(同B−B線断面図)に示すよう
に、外部電極端子板43は、樹脂シート14の一方の面に多
数の外部電極端子13を有し、これらのそれぞれは電極1
の端部1aと個々に接続される。
おいて電極1の下部に有機層2、4を設けないことによ
り、電極1と基板6との密着性を高めて、電極1が外部
端子13との接続の信頼性を向上させるようにしている。
しかも、有機層2、4はストライプ状に設けているの
で、各有機層の積層体間にはSiO2 層11が存在してい
てこのSiO2 層が基板6と保護層12との間の接着性を
高め、また素子周辺部では有機層が存在しておらず、保
護層12が直接に基板6と強固に密着しているので、有機
層の破断等による保護膜の機能低下の問題は生じない。
一つの画素PX(図1参照)が過電流により破壊される
場合がある。このような場合には電極1も破壊され、破
壊された部分が絶縁性となり、電極1を通して電流が流
れない(即ち、断線する)ことが多い。図4において破
壊部分Dを網状に示しているが、本実施例の構造は、そ
うした破壊が生じても実質的に問題とはならない。
絶縁層11の存在によって、積層体として形成されている
電極1の幅よりも狭い領域41(絶縁層11と絶縁層11との
間で基板の垂直方向に電極1へ流れるため、絶縁層11に
遮られていない電極1の中央部分が破壊されても絶縁層
11で遮られている電極1の幅方向の両端縁部は破壊され
ないで残ることになる。従って、この残った両端縁部が
電極1として機能し、図4において、破壊部分Dの両側
の非破壊部分を通して電流が矢印47のように流れ、上述
した外部端子へと導かれ、この逆方向において川下側へ
電子が供給されてそこの画素を正常に発光させることが
できる。
子の製造プロセス及び製造装置を図6〜図20について詳
細に説明する。
を所定のサイズ及び数で上述したストライプ状パターン
に平行に形成した領域45と、この上に、透明電極5と直
交するように絶縁層11を所定のサイズ及び数で上述した
ストライプ状パターンに平行に形成した領域46とからな
る表示領域44の概略レイアウトを示している。
であり、また、図8は図7のVIII−VIII線断面図であ
る。図7で示されている透明電極5に接して併設した金
属電極9は、図8で示すように基板6に埋設されてい
る。
青色に発光するホール輸送層4と電子輸送層2とからな
る有機層、及び電極1は、一枚のマスクを共通に使用し
て以下の如くにして形成する。図9はそのマスク16を概
略的に示し、図10は図9のB部の拡大図、図11は図10の
XI−XI線断面図である。
ピッチP3 が 300μm、幅W4 が85μmのスリット状の
穴17が 305本平行に形成されている。そして、マスク16
の穴17は図11に示すように、断面が一方の側の小幅のス
リット状開口18Aから概ね45度の傾斜で拡大され、反対
側に幅広の開口部18Bを形成している。このような断面
形状のマスクは、両面からエッチングを行うことによ
り、容易に作製でき、例えばソニー社製のトリニトロン
方式のカラーテレビジョン受像機に組み込まれたアパー
チャグリルとして多用されているものと同様であってよ
い。
電極(陰極)を実質的に同一の平面形状に積層する際
に、スパッタリング及びパターニングによって基板6の
透明電極5を直交して形成された絶縁膜11とマスク16と
の位置関係を示すものである。即ち、特定の発光色を得
るため、マスク16の穴17(具体的には小幅の開口部18
A)は、隣接する絶縁層11−11間の領域a1 、a2 、a
3 …an 及び各絶縁層11の一部にオーバーラップして位
置している。
赤色の発光を生じる有機層と電極の積層体を真空蒸着で
形成した後、次に、a1 〜an に隣接する領域b1 、b
2 、b3 …bn にマスク穴17を位置合わせするようにマ
スク16を平行移動させ、例えば緑色の発光色を生じる別
の有機層と電極を真空蒸着で積層する。そして、これが
終われば、更にc1 〜cn の領域にマスク穴17を位置合
わせするようにマスク16を平行移動させ、例えば青色の
発光色を生じる別の有機層と電極を積層する。このよう
にして、本実施例によれば、1枚の共通のマスク16を用
いて有機層及び電極層をほぼ同一パターンに真空蒸着で
積層していることは注目すべき特徴である。
び電極層を積層するには、基板6を固定し、マスク16を
移動させる移動機構を有する図13に示すような真空蒸着
装置21を使用する。
た支持手段23により基板6及びマスク16が支持され、下
方に蒸着源24が所定個数配置された状態を示している。
蒸着源は電源25による抵抗加熱方式で加熱されるが、必
要に応じてEB(電子ビーム加熱)法、その他の手段を
用いることもできる。
類の蒸着源24A、24B、24C、24D、24Eを配置する。
この配置は、マスク16の穴17の長さ方向に沿って一列状
にするのが望ましい。
例えば下記のトリフェニルジアミン誘導体(TPD)
(N,N’−ビス(3−メチルフェニル)1,1’−ビ
フェニル−4,4’−ジアミン)等を入れる。
て、例えばレーザー色素である下記のDCM(4−ジシ
アノメチレン−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−
2−メチル−4H−ピラン)、又はDCMと下記のAl
q3 (トリス−(8−ヒドロキシキノリン)アルミニウ
ム)との混合物を入れる。
て、例えば上記したAlq3 (トリス−(8−ヒドロキ
シキノリン)アルミニウム)などを入れる。
て、例えば下記の亜鉛Zn(oxz)2 (2−(o−ヒ
ドロキシフェニル)−ベンズオキサゾールの亜鉛錯体)
などを入れる。
めに、それぞれの色用のドープ材料を入れた別の蒸着源
を用意しておくとよい。
して、例えばAl、Al−Li−Mg−Cu合金、Al
−Li合金又はIn−Mg合金等を入れる。
蒸着源を用意して、複数種類の金属を共蒸着或いは多層
蒸着してもよい。
方法としては、蒸着マスクのライン方向(即ち、穴17の
長さ方向)に平行して一列に並べた方がよい。このよう
に並べることにより、蒸着源からみた視差が蒸着マスク
のラインの幅方向にはみ出ないようにでき、ライン毎に
高精度の蒸着が可能となるからである。図13において
は、蒸着マスクのライン方向は図面の左右方向になって
おり、この方向に蒸着源24A〜24Dが並置されている。
離が大きくなる蒸着源が存在するときは、その蒸着源の
方向へマスク16を比較的粗く移動させ得る機構を導入し
てもよい。また、基板6と蒸着源24との距離は、基板全
体に概ね一様に蒸着されるように、基板サイズの5倍程
度に保たれることが望ましい。
示す基板保持及びマスク移動のための機構26が設けられ
ている。図14はこの内部機構の平面図、図15はその左側
面図、図16はその右側面図、そして図17はその正面図で
ある。
に設けたマスクステージ34にセットされるが、この場
合、スリット(穴)17のラインを図面左右方向に配置す
る。基台30の中央部には開口29が形成され、この開口29
は上部から下部にかけて図16のように拡大されていてそ
の内壁面は斜面に形成されている。そして、マスク16
は、穴17の群がこの開口29に面するように配置される。
マスク16を直線的に張る機構52がマスクステージ34に設
けられている。
妙に平行移動させるために、真空用リニアアクチュエー
タ27に連結され、送りねじ方式によって 0.1μm程度の
精度で最大12mm、図14に示した矢印50方向へ移動できる
ようになっている。この機構により、図12で説明したマ
スク16の移動が各発光色に対応して行われるが、これに
ついては後述する。
31が設けられ、図15及び図17に示すように変速機構35及
びシャフト36を介してロータリアクチュエータ31に結合
されたドラム32にシャッタ33が設けられている。従っ
て、このシャッタ33は、ロータリアクチュエータ31の作
動に伴って図17に矢印51で示す方向に回動可能になって
いる。
ように、外部端子13に接続される電極1の端部1aを基
板6上に直接形成するために、シャッタ33がマスク16の
穴17の長さ方向におけるマスク16の一端部又は両端部
(この例では、一端部)を5mm程度に亘って選択的に遮
蔽し、この遮蔽領域には有機層が蒸着されず、電極1の
みが蒸着されるようにしている。
ステージ34上の基板ステージ28に載置するが、この際、
絶縁層11の長さ方向をマスク16のスリット(穴)17の長
さ方向に合わせると共に、2本の絶縁層11−11間に穴7
を位置させる(図12参照)。基板6の両側はガイドによ
りほぼ自動的に位置決めされ、その前後方向(図14の矢
印50方向)の位置もほぼ自動的に固定具37によって決め
られる。この固定具は90度回すことにより、基板6の縁
部に対して着脱可能になっている。
うための調節機構が設けられ、この調節機構により、基
板6の絶縁層11−11間にマスク16の穴17を正確に位置さ
せかつ絶縁層11とマスク穴17を平行に配置できる。そし
て、基板6とマスク16との間隔は例えば20μmの一定間
隔となるように、機械的精度が保たれている。
するまでの作業は大気中で行うが、マスク16と基板6と
の相対的位置を確認してから、上記機構26を図13に示し
たように真空蒸着装置21内の蒸着源24の真上に設置す
る。
とマスク16のみを拡大して図示したものである。このマ
スク16は蒸着時に図14〜図17に示した機構により移動さ
せ、また蒸着の要領は図12及び図13に示した通りであ
る。
するために、領域a1 ……an において絶縁層11−11間
に上記TPDを主体とするホール輸送層4を一層目とし
て蒸着する状態を示している。この場合、TPDの蒸気
24Aはマスク16の開口18Bから18Aを通して基板6上に
堆積する(以下、同様)。
〜an 領域において上記のAlq3とDCMを主体とす
る電子輸送層2及びアルミニウムの電極1をこの順にホ
ール輸送層4に続けて蒸着し、赤色発光用の積層体を形
成する。
体を形成した後、マスク16を矢印50の方向へ例えば 100
μm移動させて、図19のように、領域a1 ……an に隣
接する領域b1 ……bn にマスク16の開口18Aを位置さ
せる。そして、上記TPDを主体とするホール輸送層4
の蒸着に続いて領域a1 ……an と同じ要領により上記
Alq3 を主体とする電子輸送層及びAl電極を蒸着
し、緑色発光用の積層体を形成する。
領域c1 ……cn に、上記TPDを主体とするホール輸
送層、上記Zn(oxz)2 を主体とする電子輸送層及
びAl電極を蒸着し、青色発光用の積層体を形成する。
これによって、図1及び図2に示した如き構造を作製す
る。
真空蒸着装置21内の真空度が2×10-4Pa以下であり、
蒸着レートがホール輸送層4及び電子輸送層2等の有機
材料で0.01〜1nm/s、電極1の金属材料で1〜4nm/s程
度であってよい。また、膜厚は、ホール輸送層、電子輸
送層、発光層がそれぞれ20〜50nmであり、電極は 200nm
以上が望ましい。
述べたように、電極1の一端において外部端子13との接
続部を形成するが、その形成要領を図20により更に詳し
く説明する。
形成する側における基板6の端部と遮蔽機構とを示す拡
大断面図である(但し、簡略化のためにマスク16は図示
省略)。図20において、実線で示した位置はシャッタ33
による遮蔽状態を示しており、この状態でホール輸送層
4及び電子輸送層2を上記要領により蒸着すれば、シャ
ッタ33に遮蔽されたc領域ではホール輸送層4と電子輸
送層2は基板6上に蒸着されない。
せてから、電極1の電極材料を蒸着すれば、電極1が仮
想線で示すようにc領域を含めて蒸着され、接続部1a
が形成される。
有機層が存在せず、電極の接続部1aが強固に直接に基
板6に付着しているので、外部端子13を接続したときに
破壊することなく強固な接続構造を実現できる。
には図2に示した保護膜12を蒸着する。これには、空気
や水分を通しにくく、絶縁性の高いセラミック膜が優れ
ている。特に窒化ケイ素(SiN)や窒化アルミニウム
(AlN)などは、ECR(Electron Cyclotron Reson
ance)プラズマ化学的気相成長法(CVD)で基板温度
が室温のままで容易にしかも短時間に形成できるので、
保護膜を形成するのに適している。
気記録ディスクの酸化保護膜に応用されている。この実
施例では、有機層は各コラム毎に(即ち、各外部端子13
と対になるように)分離して形成されているため、上記
保護膜12は、各コラム間で絶縁層11に或いは透明電極5
や基板6に直接接している(図2、図4参照)ので、接
着強度が高く、膜が破壊されにくい。その結果、有機層
を強固に保護することができる。
な画素からなる単純マトリックス型の有機EL素子を、
極めて簡略な設備により製造することができる。
駆動回路(図示せず)に接続し、NTSC方式で画像を
表示した。そして、NTSCテレビジョン信号を赤、緑
及び青色の輝度信号に分解し、1ラインの間、信号をホ
ールドする回路に通した後、電圧−電流変換回路を通し
て、電流制御型にして各コラム電極に与えた。
ディスプレイなどで一般的に使われているシフトレジス
タ素子を用いたラインスキャン方式で行った。印加電圧
は30〜40ボルトとし、1画素に流れる電流量を最大で 2
00μAに設定した。NTSC信号でホワイト状態を表示
させたところ、50cd/m2 の明るさを得ることができ、テ
レビジョン画像を映し出すことができた。
によれば、図1及び図2に示したように、陽極である透
明電極5上に有機層4及び2と陰極である金属電極1と
が実質的に同一の平面形状で積層されているので、図12
〜図19に示したように、共通のマスク16を使用して有機
層と電極とを蒸着で形成できる。これによって、真空蒸
着装置内に大掛かりなマスク掛け又はその移動機構を設
ける必要がなく、マスクの移動を最小限にし、極めて単
純な移動機構を設けるのみで微細な画素パターンを実現
できる。しかも、有機層及び電極の形成を共通のマスク
で行えるので、大気に曝すことなく、真空状態下でそれ
ぞれ形成できる。
隣接する画素間では有機層が存在しないでSiO2 絶縁
層11が保護膜12と直接接し、また、表示領域の周辺部で
は保護膜12が透明電極5や基板6に直接付着しているの
で、保護膜12の密着強度を向上させることができる。
が過電流により破壊された場合でも、SiO2 絶縁層11
の両側端上において金属電極1を通して目的の画素へと
電流を流すことができ、正常に点灯させることができ
る。
一方の端部が電極1より短く形成され、その部分は電極
1のみが基板6に直接接着しているので、外部端子を接
続し易く、電極1も破損しにくい。
が、上述の実施例は本発明の技術思想に基づいて各種の
変形が可能である。
び電極の積層パターン又はその平面形状はストライプ状
以外にも様々であってよいし、また、その層構成や組成
等も上述した例のものに限られることはなく、図21で示
したように電子輸送層とは別に発光層を有機層として追
加してもよい。上述の絶縁層11は必ずしも設けなくてよ
い。外部端子との接続部だけでなく、電極1の他端部側
でも有機層を形成しなくてよい(この場合は、更に電極
の接着が良くなる)。
を含有させておいてもよい。また、亜鉛錯体や他の発光
物質であるアントラセン、ナフタリン、フェナントレ
ン、ピレン、クリセン、ペリレン、ブタジエン、クマリ
ン、アクリジン、スチルベン等を併用してよい。こうし
た亜鉛錯体又は螢光物質等との混合物は、電子輸送層2
に含有させることができる。
輸送層のそれぞれの厚さは、素子の動作電圧を考慮して
決められるものであり、上記実施例に限定されるもので
はない。また、素子の各層の作製法も通常の真空蒸着
法、ラングミュアブロジェット(LB)蒸着法をはじ
め、ディップコーティング法、スピンコーティング法、
真空蒸着法、有機分子線エピタキシ法(ONBE)等が
採用可能である。
述のマスク16)は基板6に対して所定ピッチで移動させ
るようにしたが、その移動経路や移動機構も様々に変更
してよい。或いは、マスクは固定し、基板を移動させる
こともできる。
カラー用のディスプレイとしての有機EL素子を説明し
たが、モノカラー用のディスプレイにも適用することが
できる。
字板などの光源として利用することも可能であり、この
場合、マトリックス状にする必要はない。また、色度を
調製するためのフィルタや、光起電装置(バッテリー
用)、光通信機器など、自発光素子としても応用は可能
である。或いはまた、入射光を電気信号に変換する場合
の応用として、撮像素子なども挙げられる。
極上に有機層と前記第1の電極に対向した第2の電極と
が設けられ、前記有機層と前記第2の電極とが実質的に
同一の平面形状で積層されているので、共通のマスクを
使用して有機層と電極とを形成できる。これによって、
真空装置内に大掛かりなマスク掛け又はその移動機構を
設ける必要がなく、マスクの相対的移動を最小限にし、
極めて単純な移動機構を設けるのみで微細な画素パター
ンを実現できる。しかも、有機層及び電極を共通のマス
クで形成できるので、大気に曝すことなしに真空状態下
でそれぞれを形成できる。
しないで保護膜が直接下地と接し、また、周辺部では保
護膜が電極や基体に直接付着しているので、保護膜の密
着強度を向上させることができる。
す平面図である。
素を示す平面図である。
−B線断面図である。
レイアウトを概略的に示す平面図である。
を設けた状態の要部の拡大断面図である。
断面図である。
る。
移動用の内部機構の平面図である。
図である。
するのに用いる遮蔽機構を示す拡大断面図である。
る。
ある。
Claims (18)
- 【請求項1】 第1の電極上に有機層と前記第1の電極
に対向した第2の電極とが設けられ、前記有機層と前記
第2の電極とが実質的に同一の平面形状で積層されてい
る有機光学的素子。 - 【請求項2】 基体上に並列に配設されたストライプ状
の複数の第1の電極上に、これらの第1の電極に交差し
て並列に配列された少なくとも一層のストライプ状の複
数の有機層と、前記第1の電極に交差して並列に配設さ
れたストライプ状の複数の第2の電極とが実質的に同一
の平面形状で積層されている、請求項1に記載した有機
光学的素子。 - 【請求項3】 有機層の幅方向の端部において、この有
機層と第1の電極との間にこの第1の電極と第2の電極
とを絶縁するための絶縁層が設けられている、請求項1
に記載した有機光学的素子。 - 【請求項4】 絶縁層によって発光領域の幅が第2の電
極の幅より狭くなっている、請求項3に記載した有機光
学的素子。 - 【請求項5】 少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞ
れ発色させる隣接した少なくとも3本のストライプ状の
電界発光有機層の組が配列されている、請求項1に記載
した有機光学的素子。 - 【請求項6】 少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞ
れ発色する各電界発光有機層のストライプ形状が互いに
実質的に同じである、請求項5に記載した有機光学的素
子。 - 【請求項7】 第2の電極の端部が外部端子に接続さ
れ、この接続箇所では前記第2の電極が基体に直接付着
している、請求項1に記載した有機光学的素子。 - 【請求項8】 第2の電極上を含むほぼ全面に保護膜が
被着されている、請求項1に記載した有機光学的素子。 - 【請求項9】 第1の電極が、透明電極部とこの透明電
極部の一部に一体に形成された金属部とからなる、請求
項1に記載した有機光学的素子。 - 【請求項10】 第1の電極上に有機層と前記第1の電極
に対向した第2の電極とが設けられ、前記有機層と前記
第2の電極とが実質的に同一の平面形状で積層されてい
る有機光学的素子を製造するに際し、共通のマスクを使
用して前記有機層と前記第2の電極とを順次積層する、
有機光学的素子の製造方法。 - 【請求項11】 基体上にストライプ状の複数の第1の電
極を形成する工程と、共通のマスクを使用し、前記マス
クの非マスク部分を通して前記複数の第1の電極上にス
トライプ状の複数の有機層をそれぞれ形成する工程と、
前記マスクをそのまま使用し、前記非マスク部分を通し
て前記有機層上にストライプ状の複数の第2の電極をそ
れぞれ形成する工程とを有する、請求項10に記載した製
造方法。 - 【請求項12】 有機層と第2の電極とからなる第1の積
層体を形成した後、基体とマスクとを相対的に移動さ
せ、有機層と第2の電極とからなる第2の積層体を形成
する、請求項11に記載した製造方法。 - 【請求項13】 有機層の幅方向の端部において、この有
機層と第1の電極との間にこの第1の電極と第2の電極
とを絶縁するための絶縁層が設けられている有機光学的
素子を製造するに際し、前記絶縁層を形成した後、この
絶縁層がマスクの非マスク部分の端部に位置するように
前記マスクに対し位置合わせして有機層を形成する、請
求項10に記載した製造方法。 - 【請求項14】 少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞ
れ発色させる隣接した少なくとも3本のストライプ状の
電界発光有機層の組を配列する、請求項10に記載した製
造方法。 - 【請求項15】 少なくとも赤、緑及び青様の色をそれぞ
れ発色する各電界発光有機層のストライプ形状を互いに
実質的に同じにする、請求項14に記載した製造方法。 - 【請求項16】 第2の電極と外部端子との接続箇所を遮
蔽手段で覆った状態で有機層を形成し、前記遮蔽手段を
除去して前記有機材層上に前記第2の電極を形成する、
請求項10に記載した製造方法。 - 【請求項17】 少なくとも有機層及び第2の電極を物理
蒸着によって形成する、請求項10に記載した製造方法。 - 【請求項18】 複数の蒸着源をマスクの非マスク部分の
長さ方向に沿って配置する、請求項17に記載した製造方
法。
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