JP2000332014A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】絶縁膜及び絶縁膜の生成方法

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フラッシュ・メモリのトンネル絶縁膜、或いは、通常の電界効果トランジスタに於けるゲート絶縁膜など薄膜の絶縁膜及び絶縁膜の生成方法の改良に関する。

【００３０】
前記したところから、本発明に依る絶縁膜及び絶縁膜の生成方法に於いては、
（ａ）
基体（例えばシリコンからなるウエハや基板）表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料（例えばシリコン酸窒化膜を構成できる材料）からなる絶縁膜であって、光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ₃ Ｎ₄ 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在することを特徴とするか、或いは、
（ｂ）
前記（ａ）に於いて、前記窒素は、前記基体との界面及びその近傍（例えば界面から約５〔Å〕程度）に存在することを特徴とするか、或いは、
（ｃ）
前記（ａ）又は（ｂ）に於いて、前記基体との界面及びその近傍を電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が、光電子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであることを特徴とするか、或いは、
（ｄ）
熱処理装置内に基体を設置し、前記熱処理装置内に酸素ガスを導入して前記基体の熱酸化処理を行ない、前記酸素ガスの導入を停止して不活性ガスを導入し、ＮＯガスと前記不活性ガスとを所定の割合で同時に導入して前記基体の酸窒化処理を行ない、前記ＮＯガスの導入を停止して前記熱処理装置内の温度を降温することを特徴とするか、或いは、
（ｅ）
前記（ｄ）に於いて、前記基体の酸窒化処理を行う際に、前記熱処理装置内の温度を所定温度に昇温することを特徴とする。

【００６３】
【発明の効果】
本発明に依る絶縁膜及び絶縁膜の生成方法に於いては、少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなる絶縁膜であって、光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ₃ Ｎ₄ 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在することを特徴とする絶縁膜を実現する。

Claims (5)

1. 基体表面上に形成されて少なくともシリコン及び酸素及び窒素を含む材料からなる絶縁膜であって、
   光電子分光法に依る分析において、炭素１ｓピーク位置に依る帯電補正を行って得られる窒素１ｓピークが、同じく帯電補正したＳｉ₃ Ｎ₄ 結晶の窒素１ｓピーク位置と同じ位置になるように窒素が存在すること
   を特徴とする絶縁膜。
2. 前記窒素は、前記基体との界面及びその近傍に存在すること
   を特徴とする請求項１に記載の絶縁膜。
3. 前記基体との界面及びその近傍を電子分光法で分析した場合に得られる窒素１ｓピーク位置が、光電子取り出し角を変化させても変化しない範囲の厚さであること
   を特徴とする請求項１或いは請求項２記載の絶縁膜。
4. 熱処理装置内に基体を設置し、
   前記熱処理装置内に酸素ガスを導入して前記基体の熱酸化処理を行ない、
   前記酸素ガスの導入を停止して不活性ガスを導入し、
   ＮＯガスと前記不活性ガスとを所定の割合で同時に導入して前記基体の酸窒化処理を行ない、
   前記ＮＯガスの導入を停止して前記熱処理装置内の温度を降温すること
   を特徴とする絶縁膜の生成方法。
5. 前記基体の酸窒化処理を行う際に、前記熱処理装置内の温度を所定温度に昇温することを特徴とする請求項４に記載の絶縁膜の生成方法。