JP2000332280A - ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法 - Google Patents
ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＺｎＯ系半導体薄膜を形成する際に、基板に
ダメージを与えないＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法、お
よびこれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１０を水溶液１１に接触させること
によって、基板１０上にＺｎＯ系半導体薄膜を形成す
る。水溶液１１は、亜鉛を含有する化合物と、硫黄を含
有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む。
ダメージを与えないＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法、お
よびこれを用いた太陽電池の製造方法を提供する。 【解決手段】 基板１０を水溶液１１に接触させること
によって、基板１０上にＺｎＯ系半導体薄膜を形成す
る。水溶液１１は、亜鉛を含有する化合物と、硫黄を含
有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＺｎＯ系半導体薄
膜の形成方法ならびにこれを用いた太陽電池の製造方法
に関する。
膜の形成方法ならびにこれを用いた太陽電池の製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｉｂ族元素、IIIｂ族元素およびVIｂ族
元素からなる化合物半導体（カルコパイライト構造化合
物半導体）であるＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）あるいはＧ
ａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）を
光吸収層に用いた薄膜太陽電池が高いエネルギー効率を
示し、光照射等による変換効率の劣化がないという利点
を有していることが報告されている。
元素からなる化合物半導体（カルコパイライト構造化合
物半導体）であるＣｕＩｎＳｅ2（ＣＩＳ）あるいはＧ
ａを固溶したＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2（ＣＩＧＳ）を
光吸収層に用いた薄膜太陽電池が高いエネルギー効率を
示し、光照射等による変換効率の劣化がないという利点
を有していることが報告されている。
【０００３】従来のＣＩＳまたはＣＩＧＳ太陽電池で
は、ＣＩＳ膜あるいはＣＩＧＳ膜上に化学析出法でバッ
ファ層を形成しているが、近年、バッファ層にＺｎＯ系
半導体薄膜を用いる太陽電池が報告され（櫛屋ら。Ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｚｎ-Ｃｏｍｐｏｕｎｄ
Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ ｆｏｒ Ｐｏｌｙｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅ ＣｕＩｎＳｅ2-Ｂａｓｅｄ Ｔｈｉｎ
-Ｆｉｌｍ ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，Ｊｐｎ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ４３８３
−４３８８）、注目されている。
は、ＣＩＳ膜あるいはＣＩＧＳ膜上に化学析出法でバッ
ファ層を形成しているが、近年、バッファ層にＺｎＯ系
半導体薄膜を用いる太陽電池が報告され（櫛屋ら。Ａｐ
ｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ Ｚｎ-Ｃｏｍｐｏｕｎｄ
Ｂｕｆｆｅｒ Ｌａｙｅｒ ｆｏｒ Ｐｏｌｙｃｒｙｓ
ｔａｌｌｉｎｅ ＣｕＩｎＳｅ2-Ｂａｓｅｄ Ｔｈｉｎ
-Ｆｉｌｍ ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，Ｊｐｎ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ４３８３
−４３８８）、注目されている。
【０００４】従来のＣＩＳまたはＣＩＧＳ太陽電池につ
いての一例を、図３に示す。図３に示すように、従来の
太陽電池１は、基板２と基板２上に積層された裏面電極
３、ＣＩＳ膜あるいはＣＩＧＳ膜からなるｐ型化合物半
導体薄膜４、バッファ層５、窓層６、透明導電膜７、ｐ
側電極８およびｎ側電極９を含み、バッファ層５は、Ｚ
ｎＯ系半導体薄膜からなる。
いての一例を、図３に示す。図３に示すように、従来の
太陽電池１は、基板２と基板２上に積層された裏面電極
３、ＣＩＳ膜あるいはＣＩＧＳ膜からなるｐ型化合物半
導体薄膜４、バッファ層５、窓層６、透明導電膜７、ｐ
側電極８およびｎ側電極９を含み、バッファ層５は、Ｚ
ｎＯ系半導体薄膜からなる。
【０００５】ＺｎＯ系半導体薄膜からなるバッファ層５
は、従来、亜鉛イオンと多量のアンモニアを含む水溶液
を用いて形成されていた。
は、従来、亜鉛イオンと多量のアンモニアを含む水溶液
を用いて形成されていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法では、ＺｎＯ系半導
体薄膜の形成時に高濃度のアンモニア（２ｍｏｌ／ｌ以
上）を溶解させた溶液が用いられていたため、下地層
（この層の上にバッファ層５が形成される層であって、
図３では、ｐ形化合物半導体薄膜４）にダメージが与え
られ、太陽電池の変換効率が低下するという問題があっ
た。一方、アンモニアの濃度を低下させると、Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2の沈殿が生じるため、ＺｎＯ系半導体薄膜の製造
が困難であった。
来のＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法では、ＺｎＯ系半導
体薄膜の形成時に高濃度のアンモニア（２ｍｏｌ／ｌ以
上）を溶解させた溶液が用いられていたため、下地層
（この層の上にバッファ層５が形成される層であって、
図３では、ｐ形化合物半導体薄膜４）にダメージが与え
られ、太陽電池の変換効率が低下するという問題があっ
た。一方、アンモニアの濃度を低下させると、Ｚｎ（Ｏ
Ｈ）2の沈殿が生じるため、ＺｎＯ系半導体薄膜の製造
が困難であった。
【０００７】本発明は、上記従来の問題を解決するた
め、下地層にダメージを与えることなくＺｎＯ系半導体
薄膜を形成できるＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法および
これを用いた太陽電池の製造方法を提供することを目的
とする。
め、下地層にダメージを与えることなくＺｎＯ系半導体
薄膜を形成できるＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法および
これを用いた太陽電池の製造方法を提供することを目的
とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜（ＺｎＯを含む半導体
薄膜）の形成方法は、亜鉛を含有する化合物と、硫黄を
含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む
水溶液に、基板を接触させることによって、前記基板上
にＺｎＯ系半導体薄膜を形成することを特徴とする。上
記形成方法によれば、高濃度のアンモニアを溶解させた
水溶液を用いることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成でき
る。したがって、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方
法によれば、基板にダメージを与えることなく、ＺｎＯ
系半導体薄膜を形成することができる。
め、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜（ＺｎＯを含む半導体
薄膜）の形成方法は、亜鉛を含有する化合物と、硫黄を
含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む
水溶液に、基板を接触させることによって、前記基板上
にＺｎＯ系半導体薄膜を形成することを特徴とする。上
記形成方法によれば、高濃度のアンモニアを溶解させた
水溶液を用いることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成でき
る。したがって、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方
法によれば、基板にダメージを与えることなく、ＺｎＯ
系半導体薄膜を形成することができる。
【０００９】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記水溶液が、濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ以下のアンモニ
アをさらに含んでもよい。これによって、基板に与える
ダメージを小さくするとともに、膜質が高いＺｎＯ系半
導体薄膜を形成することができる。
前記水溶液が、濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ以下のアンモニ
アをさらに含んでもよい。これによって、基板に与える
ダメージを小さくするとともに、膜質が高いＺｎＯ系半
導体薄膜を形成することができる。
【００１０】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記亜鉛を含有する化合物が、Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、
ＺｎＣｌ2、ＺｎＩ2およびＺｎＳＯ4から選ばれる少な
くとも一つの化合物であることが好ましい。
前記亜鉛を含有する化合物が、Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、
ＺｎＣｌ2、ＺｎＩ2およびＺｎＳＯ4から選ばれる少な
くとも一つの化合物であることが好ましい。
【００１１】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記硫黄を含有する化合物が、チオ尿素及びチオアセト
アミドから選ばれる少なくとも一つの化合物であること
が好ましい。
前記硫黄を含有する化合物が、チオ尿素及びチオアセト
アミドから選ばれる少なくとも一つの化合物であること
が好ましい。
【００１２】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記アンモニウム塩が、ＣＨ3ＣＯＯＮＨ4、ＮＨ4Ｃ
ｌ、ＮＨ4Ｉおよび（ＮＨ4）2ＳＯ4から選ばれる少なく
とも一つの化合物であることが好ましい。
前記アンモニウム塩が、ＣＨ3ＣＯＯＮＨ4、ＮＨ4Ｃ
ｌ、ＮＨ4Ｉおよび（ＮＨ4）2ＳＯ4から選ばれる少なく
とも一つの化合物であることが好ましい。
【００１３】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記水溶液の温度が、１０℃以上１００℃以下であるこ
とが好ましい。水溶液の温度を前記の範囲に設定するこ
とにより、膜形成に適度な反応を起こさせることができ
る。
前記水溶液の温度が、１０℃以上１００℃以下であるこ
とが好ましい。水溶液の温度を前記の範囲に設定するこ
とにより、膜形成に適度な反応を起こさせることができ
る。
【００１４】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記水溶液のｐＨが、９以上１１以下であることが好ま
しい。水溶液のｐＨを前記の範囲に設定することにより
高品質な半導体薄膜を形成できる。
前記水溶液のｐＨが、９以上１１以下であることが好ま
しい。水溶液のｐＨを前記の範囲に設定することにより
高品質な半導体薄膜を形成できる。
【００１５】上記ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法では、
前記水溶液と前記基板との接触が、前記基板を前記水溶
液に浸漬することによって行われることが好ましい。
前記水溶液と前記基板との接触が、前記基板を前記水溶
液に浸漬することによって行われることが好ましい。
【００１６】本発明の太陽電池の製造方法は、上部電極
膜および下部電極膜と、前記上部電極膜と前記下部電極
膜との間に配置された光吸収層と、前記上部電極膜と前
記光吸収層との間に配置されたＺｎＯ系半導体薄膜とを
備える太陽電池の製造方法であって、請求項１ないし８
のいずれかに記載のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法を用
いて前記ＺｎＯ系半導体薄膜を形成することを特徴とす
る。上記太陽電池の製造方法によれば、下地層にダメー
ジを与えることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成できるた
め、特性が高い太陽電池が得られる。
膜および下部電極膜と、前記上部電極膜と前記下部電極
膜との間に配置された光吸収層と、前記上部電極膜と前
記光吸収層との間に配置されたＺｎＯ系半導体薄膜とを
備える太陽電池の製造方法であって、請求項１ないし８
のいずれかに記載のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法を用
いて前記ＺｎＯ系半導体薄膜を形成することを特徴とす
る。上記太陽電池の製造方法によれば、下地層にダメー
ジを与えることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成できるた
め、特性が高い太陽電池が得られる。
【００１７】上記太陽電池の製造方法では、前記光吸収
層が、Ｉｂ族元素と、IIIｂ族元素と、VIｂ族元素とを
含む化合物半導体薄膜からなることが好ましい。これに
よって、特に特性が高い太陽電池が得られる。
層が、Ｉｂ族元素と、IIIｂ族元素と、VIｂ族元素とを
含む化合物半導体薄膜からなることが好ましい。これに
よって、特に特性が高い太陽電池が得られる。
【００１８】上記太陽電池の製造方法では、前記Ｉｂ族
元素がＣｕであり、前記IIIｂ族元素がＩｎおよびＧａ
から選ばれる少なくとも一つの元素あり、前記VIｂ族元
素がＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも一つの元素で
あることが好ましい。
元素がＣｕであり、前記IIIｂ族元素がＩｎおよびＧａ
から選ばれる少なくとも一つの元素あり、前記VIｂ族元
素がＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも一つの元素で
あることが好ましい。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００２０】（実施形態１）実施形態１では、本発明の
ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法について、一例を説明す
る。ここで、ＺｎＯ系半導体薄膜とは、ＺｎＯを含む半
導体薄膜であり、たとえば、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）薄膜
（Ｚｎ−Ｏ結合とＺｎ−ＯＨ結合とＺｎ−Ｓ結合とを含
む薄膜）が該当する。
ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法について、一例を説明す
る。ここで、ＺｎＯ系半導体薄膜とは、ＺｎＯを含む半
導体薄膜であり、たとえば、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）薄膜
（Ｚｎ−Ｏ結合とＺｎ−ＯＨ結合とＺｎ−Ｓ結合とを含
む薄膜）が該当する。
【００２１】実施形態１のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方
法では、図１に示すように、基板１０を水溶液１１に接
触させることによって、基板１０上にＺｎＯ系半導体薄
膜を形成する。なお、図１では、基板１０を水溶液１１
に浸漬することによって基板１０を水溶液１１に接触さ
せる場合を示しているが、基板１０を水溶液１１に接触
させる方法は、他の方法であってもよい。
法では、図１に示すように、基板１０を水溶液１１に接
触させることによって、基板１０上にＺｎＯ系半導体薄
膜を形成する。なお、図１では、基板１０を水溶液１１
に浸漬することによって基板１０を水溶液１１に接触さ
せる場合を示しているが、基板１０を水溶液１１に接触
させる方法は、他の方法であってもよい。
【００２２】基板１０は、必要に応じて、金属薄膜や半
導体薄膜を含む。基板１０が表面に半導体薄膜を含む場
合には、この半導体薄膜が下地層となり、その上にＺｎ
Ｏ系半導体薄膜が形成される。
導体薄膜を含む。基板１０が表面に半導体薄膜を含む場
合には、この半導体薄膜が下地層となり、その上にＺｎ
Ｏ系半導体薄膜が形成される。
【００２３】水溶液１１は、亜鉛を含有する化合物と、
硫黄を含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質とし
て含む。また、水溶液１１は、必要に応じてアンモニア
をさらに含む。
硫黄を含有する化合物と、アンモニウム塩とを溶質とし
て含む。また、水溶液１１は、必要に応じてアンモニア
をさらに含む。
【００２４】水溶液１１の溶質である亜鉛を含有する化
合物には、たとえば、Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、ＺｎＣｌ
2、ＺｎＩ2およびＺｎＳＯ4から選ばれる少なくとも一
つの化合物を用いることができる。
合物には、たとえば、Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2、ＺｎＣｌ
2、ＺｎＩ2およびＺｎＳＯ4から選ばれる少なくとも一
つの化合物を用いることができる。
【００２５】水溶液１１の溶質である硫黄を含有する化
合物には、たとえば、チオ尿素（ＮＨ2ＣＳＮＨ2）及び
チオアセトアミド（Ｃ2Ｈ5ＮＳ）から選ばれる少なくと
も一つの化合物を用いることができる。
合物には、たとえば、チオ尿素（ＮＨ2ＣＳＮＨ2）及び
チオアセトアミド（Ｃ2Ｈ5ＮＳ）から選ばれる少なくと
も一つの化合物を用いることができる。
【００２６】水溶液１１の溶質であるアンモニウム塩に
は、ＣＨ3ＣＯＯＮＨ4、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｉおよび（Ｎ
Ｈ4）2ＳＯ4から選ばれる少なくとも一つの化合物を用
いることができる。アンモニウム塩の濃度は、０．１ｍ
ｏｌ／ｌ〜０．３ｍｏｌ／ｌであることが好ましい。ア
ンモニウム塩の濃度を０．１ｍｏｌ／ｌ〜０．３ｍｏｌ
／ｌとすることによって、下地層へのダメージを特に小
さくすることができる。
は、ＣＨ3ＣＯＯＮＨ4、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｉおよび（Ｎ
Ｈ4）2ＳＯ4から選ばれる少なくとも一つの化合物を用
いることができる。アンモニウム塩の濃度は、０．１ｍ
ｏｌ／ｌ〜０．３ｍｏｌ／ｌであることが好ましい。ア
ンモニウム塩の濃度を０．１ｍｏｌ／ｌ〜０．３ｍｏｌ
／ｌとすることによって、下地層へのダメージを特に小
さくすることができる。
【００２７】水溶液１１が、アンモニアを含む場合に
は、溶解させるアンモニアの濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ以
下であることが好ましい。アンモニアの濃度を０．５ｍ
ｏｌ／ｌ以下とすることによって、下地層へのダメージ
を小さくすることができる。さらに、アンモニアの濃度
を０．３ｍｏｌ／ｌ以下とすることによって、下地層へ
のダメージを特に小さくすることができる。また、水溶
液１１に溶解させるアンモニアの濃度が０．５ｍｏｌ／
ｌの場合、アンモニウム塩の濃度は、０．０５ｍｏｌ／
ｌ〜０．２ｍｏｌ／ｌであることが好ましい。
は、溶解させるアンモニアの濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ以
下であることが好ましい。アンモニアの濃度を０．５ｍ
ｏｌ／ｌ以下とすることによって、下地層へのダメージ
を小さくすることができる。さらに、アンモニアの濃度
を０．３ｍｏｌ／ｌ以下とすることによって、下地層へ
のダメージを特に小さくすることができる。また、水溶
液１１に溶解させるアンモニアの濃度が０．５ｍｏｌ／
ｌの場合、アンモニウム塩の濃度は、０．０５ｍｏｌ／
ｌ〜０．２ｍｏｌ／ｌであることが好ましい。
【００２８】水溶液１１のｐＨは、９以上１１以下であ
ることが好ましい。
ることが好ましい。
【００２９】基板１０は、Ｉｂ族元素と、IIIｂ族元素
と、VIｂ族元素とを含む化合物半導体薄膜を含んでもよ
い。Ｉｂ族元素と、IIIｂ族元素と、VIｂ族元素とを含
む化合物半導体薄膜上にＺｎＯ系半導体薄膜を形成する
ことによって、太陽電池に好適な半導体薄膜が得られ
る。このとき、Ｉｂ族元素がＣｕであり、IIIｂ族元素
がＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも一つの元素あ
り、VIｂ族元素がＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも
一つの元素であることが好ましい。
と、VIｂ族元素とを含む化合物半導体薄膜を含んでもよ
い。Ｉｂ族元素と、IIIｂ族元素と、VIｂ族元素とを含
む化合物半導体薄膜上にＺｎＯ系半導体薄膜を形成する
ことによって、太陽電池に好適な半導体薄膜が得られ
る。このとき、Ｉｂ族元素がＣｕであり、IIIｂ族元素
がＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも一つの元素あ
り、VIｂ族元素がＳｅおよびＳから選ばれる少なくとも
一つの元素であることが好ましい。
【００３０】上記実施形態１のＺｎＯ系半導体薄膜の形
成方法によれば、基板にダメージを与えることなくＺｎ
Ｏ系半導体薄膜を形成することができる。
成方法によれば、基板にダメージを与えることなくＺｎ
Ｏ系半導体薄膜を形成することができる。
【００３１】（実施形態２）実施形態２では、本発明の
太陽電池の製造方法について、一例を説明する。
太陽電池の製造方法について、一例を説明する。
【００３２】実施形態２の製造方法では、まず、図２
（ａ）に示すように、基板２１上に、下部電極膜２２を
形成する。基板２１には、ガラス基板、樹脂フィルムま
たはステンレス基板などを用いることができる。下部電
極膜２２は、金属等の導電性材料からなり、スパッタリ
ング法や蒸着法などによって形成できる。
（ａ）に示すように、基板２１上に、下部電極膜２２を
形成する。基板２１には、ガラス基板、樹脂フィルムま
たはステンレス基板などを用いることができる。下部電
極膜２２は、金属等の導電性材料からなり、スパッタリ
ング法や蒸着法などによって形成できる。
【００３３】その後、図２（ｂ）に示すように、光吸収
層２３を形成する。光吸収層２３には、たとえば、Ｉｂ
族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ型化合物
半導体を用いることができる。具体的には、ＣｕＩｎＳ
ｅ2やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2を用いることができる。
ＣｕＩｎＳｅ2やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2は、蒸着法、
スパッタリング法、めっき法などによって形成できる。
層２３を形成する。光吸収層２３には、たとえば、Ｉｂ
族元素とIIIｂ族元素とVIｂ族元素とを含むｐ型化合物
半導体を用いることができる。具体的には、ＣｕＩｎＳ
ｅ2やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2を用いることができる。
ＣｕＩｎＳｅ2やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2は、蒸着法、
スパッタリング法、めっき法などによって形成できる。
【００３４】その後、図２（ｃ）に示すように、光吸収
層２３上にバッファ層２４を形成する。バッファ層２４
は、ＺｎＯ系半導体薄膜からなり、実施形態１で説明し
た方法で形成する。
層２３上にバッファ層２４を形成する。バッファ層２４
は、ＺｎＯ系半導体薄膜からなり、実施形態１で説明し
た方法で形成する。
【００３５】その後、図２（ｄ）に示すように、窓層２
５および上部電極膜２６を形成する。窓層２５は、たと
えばＺｎＯからなり、スパッタリング法などによって形
成できる。上部電極膜２６は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり、スパッタリン
グ法などによって形成できる。
５および上部電極膜２６を形成する。窓層２５は、たと
えばＺｎＯからなり、スパッタリング法などによって形
成できる。上部電極膜２６は、たとえばＩＴＯ（Ｉｎｄ
ｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなり、スパッタリン
グ法などによって形成できる。
【００３６】その後、図２（ｅ）に示すように、取り出
し電極２７を形成する部分の光吸収層２３などを除去し
た後、下部電極膜２２および上部電極膜２３上に取り出
し電極２７および２８を形成する。光吸収層２３等の除
去は、たとえば、レーザスクライブ法などのスクライブ
法、ドライエッチング法またはウェットエッチング法で
行うことができる。また、取り出し電極２７および２８
は、たとえば、蒸着法やスパッタリング法で行うことが
できる。このようにして、基板２１上に、下部電極膜２
２、光吸収層２３、バッファ層２４、窓層２５および上
部電極膜２６が順次積層された太陽電池が形成される。
し電極２７を形成する部分の光吸収層２３などを除去し
た後、下部電極膜２２および上部電極膜２３上に取り出
し電極２７および２８を形成する。光吸収層２３等の除
去は、たとえば、レーザスクライブ法などのスクライブ
法、ドライエッチング法またはウェットエッチング法で
行うことができる。また、取り出し電極２７および２８
は、たとえば、蒸着法やスパッタリング法で行うことが
できる。このようにして、基板２１上に、下部電極膜２
２、光吸収層２３、バッファ層２４、窓層２５および上
部電極膜２６が順次積層された太陽電池が形成される。
【００３７】上記太陽電池の製造方法では、バッファ層
２４を形成する際に、実施形態１で説明した方法を用い
ている。したがって、上記太陽電池の製造方法によれ
ば、バッファ層２４を形成する際に、下地層（実施形態
２では光吸収層２３）に与えるダメージを抑制できるた
め、特性が高い太陽電池が得られる。
２４を形成する際に、実施形態１で説明した方法を用い
ている。したがって、上記太陽電池の製造方法によれ
ば、バッファ層２４を形成する際に、下地層（実施形態
２では光吸収層２３）に与えるダメージを抑制できるた
め、特性が高い太陽電池が得られる。
【００３８】なお、上記太陽電池の製造方法は一例であ
り、実施形態１で説明したＺｎＯ系半導体薄膜の形成方
法を用いるものであれば、本発明の太陽電池の製造方法
を他の実施形態に適用することができる。
り、実施形態１で説明したＺｎＯ系半導体薄膜の形成方
法を用いるものであれば、本発明の太陽電池の製造方法
を他の実施形態に適用することができる。
【００３９】たとえば、太陽電池の構造は上記実施形態
の構造に限られず、光吸収層と上部電極膜との間にバッ
ファ層が形成されているものであればよい。たとえば、
光吸収層とバッファ層との間に他の層が含まれるもので
もよい。また、上記実施形態では、基板２１の反対側か
ら入射する光によって起電力を生じる太陽電池について
説明したが、基板２１側から入射する光によって起電力
を生じる太陽電池でもよい。この場合には、基板側から
透明導電膜（上部電極膜）、窓層、バッファ層、光吸収
層、下部電極膜を形成すればよい。
の構造に限られず、光吸収層と上部電極膜との間にバッ
ファ層が形成されているものであればよい。たとえば、
光吸収層とバッファ層との間に他の層が含まれるもので
もよい。また、上記実施形態では、基板２１の反対側か
ら入射する光によって起電力を生じる太陽電池について
説明したが、基板２１側から入射する光によって起電力
を生じる太陽電池でもよい。この場合には、基板側から
透明導電膜（上部電極膜）、窓層、バッファ層、光吸収
層、下部電極膜を形成すればよい。
【００４０】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明をより具体的に
説明する。ただし、本発明は以下の実施例にのみ限定さ
れるものではない。
説明する。ただし、本発明は以下の実施例にのみ限定さ
れるものではない。
【００４１】（実施例１）実施例１では、ＣｕＩｎＳｅ
2薄膜を、Ｚｎイオンを含有する水溶液に接触させるこ
とによって、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上にＺｎＯ系半導体薄
膜を形成する一例について説明する。
2薄膜を、Ｚｎイオンを含有する水溶液に接触させるこ
とによって、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上にＺｎＯ系半導体薄
膜を形成する一例について説明する。
【００４２】まず、スパッタリング法によってガラス基
板上にＭｏ膜を形成し、その上にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を
蒸着法によって形成した。
板上にＭｏ膜を形成し、その上にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を
蒸着法によって形成した。
【００４３】次に、亜鉛を含む化合物（塩）である塩化
亜鉛（ＺｎＣｌ2）とチオ尿素（ＮＨ2ＣＳＮＨ2）と塩
化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）とを含有する水溶液を用
意した。水溶液中の塩化亜鉛の濃度は０．０１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素の濃度は０．２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニ
ウムの濃度は０．５ｍｏｌ／ｌとした。この水溶液を入
れた容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この水溶
液にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形成した基板を、約２０分間
浸漬した。その後、水溶液から基板を引き上げて純水で
洗浄した。
亜鉛（ＺｎＣｌ2）とチオ尿素（ＮＨ2ＣＳＮＨ2）と塩
化アンモニウム（ＮＨ4Ｃｌ）とを含有する水溶液を用
意した。水溶液中の塩化亜鉛の濃度は０．０１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素の濃度は０．２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニ
ウムの濃度は０．５ｍｏｌ／ｌとした。この水溶液を入
れた容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この水溶
液にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形成した基板を、約２０分間
浸漬した。その後、水溶液から基板を引き上げて純水で
洗浄した。
【００４４】前記の方法で形成した膜の組成をＸ線光電
子分光分析法で分析した。形成された膜からＺｎ、Ｏお
よびＳが検出された。各元素の濃度は、Ｚｎが５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、Ｏが３６ａｔｏｍｉｃ％、Ｓが１４ａｔｏ
ｍｉｃ％であった。また、酸素の１ｓ軌道の結合エネル
ギーを測定した結果、形成された膜中の酸素は、ＯとＯ
Ｈの二つの状態で存在することがわかった。
子分光分析法で分析した。形成された膜からＺｎ、Ｏお
よびＳが検出された。各元素の濃度は、Ｚｎが５０ａｔ
ｏｍｉｃ％、Ｏが３６ａｔｏｍｉｃ％、Ｓが１４ａｔｏ
ｍｉｃ％であった。また、酸素の１ｓ軌道の結合エネル
ギーを測定した結果、形成された膜中の酸素は、ＯとＯ
Ｈの二つの状態で存在することがわかった。
【００４５】このように、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上に容易
にＺｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を形成することができた。な
お、ここではＺｎの塩として塩化物を用いたが、ヨウ化
物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等を用いても同様
の結果が得られる。
にＺｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を形成することができた。な
お、ここではＺｎの塩として塩化物を用いたが、ヨウ化
物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩等を用いても同様
の結果が得られる。
【００４６】（実施例２）実施例２では、ＣｕＩｎＳｅ
2薄膜を、Ｚｎイオンを含有する水溶液に接触させるこ
とにより、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上にＺｎＯ系半導体薄膜
を形成する他の一例について説明する。
2薄膜を、Ｚｎイオンを含有する水溶液に接触させるこ
とにより、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上にＺｎＯ系半導体薄膜
を形成する他の一例について説明する。
【００４７】まず、スパッタリング法によりガラス基板
上にＭｏ膜を形成し、その上にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形
成した。
上にＭｏ膜を形成し、その上にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形
成した。
【００４８】次に、亜鉛を含む化合物（塩）である酢酸
亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2）とチオ尿素（ＮＨ2ＣＳ
ＮＨ2）とアンモニアと酢酸アンモニウム（ＣＨ3ＣＯＯ
ＮＨ4）とを含有する水溶液を用意した。水溶液中の酢
酸亜鉛の濃度は０．０２ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素の濃度は
０．２ｍｏｌ／ｌ、アンモニアの濃度は０．５ｍｏｌ／
ｌ、酢酸アンモニウムの濃度は０．１ｍｏｌ／ｌとし
た。この水溶液を入れた容器を８５℃に保った温水槽に
静置した。この水溶液にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形成した
基板を、約２０分間浸漬した。その後、水溶液から基板
を引き上げて純水で洗浄した。
亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ3ＣＯＯ）2）とチオ尿素（ＮＨ2ＣＳ
ＮＨ2）とアンモニアと酢酸アンモニウム（ＣＨ3ＣＯＯ
ＮＨ4）とを含有する水溶液を用意した。水溶液中の酢
酸亜鉛の濃度は０．０２ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素の濃度は
０．２ｍｏｌ／ｌ、アンモニアの濃度は０．５ｍｏｌ／
ｌ、酢酸アンモニウムの濃度は０．１ｍｏｌ／ｌとし
た。この水溶液を入れた容器を８５℃に保った温水槽に
静置した。この水溶液にＣｕＩｎＳｅ2薄膜を形成した
基板を、約２０分間浸漬した。その後、水溶液から基板
を引き上げて純水で洗浄した。
【００４９】前記の方法で形成した膜の組成をＸ線光電
子分光分析法で分析した結果、形成された膜からＺｎ、
Ｏ、Ｓが検出された。各元素の濃度は、Ｚｎが５１ａｔ
ｏｍｉｃ％、Ｏが３５ａｔｏｍｉｃ％、Ｓが１４ａｔｏ
ｍｉｃ％であった。また、酸素の１ｓ軌道の結合エネル
ギーを測定した結果、形成された膜中の酸素はＯとＯＨ
の二つの状態で存在することがわかった。
子分光分析法で分析した結果、形成された膜からＺｎ、
Ｏ、Ｓが検出された。各元素の濃度は、Ｚｎが５１ａｔ
ｏｍｉｃ％、Ｏが３５ａｔｏｍｉｃ％、Ｓが１４ａｔｏ
ｍｉｃ％であった。また、酸素の１ｓ軌道の結合エネル
ギーを測定した結果、形成された膜中の酸素はＯとＯＨ
の二つの状態で存在することがわかった。
【００５０】このようにして、ＣｕＩｎＳｅ2薄膜上に
容易にＺｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を形成することができ
た。なお、ここではＺｎの塩として酢酸塩を用いたが、
塩化物、ヨウ化物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩等を用いて
も同様の結果が得られる。
容易にＺｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を形成することができ
た。なお、ここではＺｎの塩として酢酸塩を用いたが、
塩化物、ヨウ化物、臭化物、硝酸塩、硫酸塩等を用いて
も同様の結果が得られる。
【００５１】（実施例３）実施例３では、ＺｎＯ系半導
体薄膜からなるバッファ層を含む太陽電池を製造した一
例について説明する。
体薄膜からなるバッファ層を含む太陽電池を製造した一
例について説明する。
【００５２】図２を参照しながら、実施例３の太陽電池
について説明する。
について説明する。
【００５３】実施例３では、基板２１であるガラス基板
上に、下部電極膜２２であるＭｏ膜（膜厚１μｍ）をス
パッタリング法によって形成し、その上に光吸収層２３
であるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜（膜厚２μｍ）を蒸
着法によって形成した（図２（ａ）参照）。その後、実
施例１で述べた方法でバッファ層２４であるＺｎ（Ｏ，
ＯＨ，Ｓ）膜を形成した。
上に、下部電極膜２２であるＭｏ膜（膜厚１μｍ）をス
パッタリング法によって形成し、その上に光吸収層２３
であるＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2膜（膜厚２μｍ）を蒸
着法によって形成した（図２（ａ）参照）。その後、実
施例１で述べた方法でバッファ層２４であるＺｎ（Ｏ，
ＯＨ，Ｓ）膜を形成した。
【００５４】さらに、バッファ層２４上に、窓層２５
（膜厚１００ｎｍ）であるＺｎＯ膜、および上部電極膜
２６であるＩＴＯ膜をスパッタリング法によって形成し
た。スパッタリングは、アルゴンガス８×１０-3Ｔｏｒ
ｒの雰囲気中で高周波パワー５００Ｗをターゲットに印
加して行った。その後、取り出し電極２７および２８
（膜厚３５０ｎｍ）を形成した。取り出し電極２７およ
び２８は、ＮｉＣｒ膜とＡｕ膜とを電子ビーム蒸着法に
よって積層することによって形成した。
（膜厚１００ｎｍ）であるＺｎＯ膜、および上部電極膜
２６であるＩＴＯ膜をスパッタリング法によって形成し
た。スパッタリングは、アルゴンガス８×１０-3Ｔｏｒ
ｒの雰囲気中で高周波パワー５００Ｗをターゲットに印
加して行った。その後、取り出し電極２７および２８
（膜厚３５０ｎｍ）を形成した。取り出し電極２７およ
び２８は、ＮｉＣｒ膜とＡｕ膜とを電子ビーム蒸着法に
よって積層することによって形成した。
【００５５】このようにして作製した太陽電池に、ＡＭ
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射して太
陽電池特性を測定した。
１．５、１００ｍＷ／ｃｍ2の疑似太陽光を照射して太
陽電池特性を測定した。
【００５６】前記の方法により作成した太陽電池の特性
を測定した結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．６３
Ｖ、短絡電流３５ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．６６、太
陽電池変換効率１４．６％を示した。
を測定した結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．６３
Ｖ、短絡電流３５ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．６６、太
陽電池変換効率１４．６％を示した。
【００５７】比較のためにアンモニウム塩を加えない条
件で、Ｚｎを含有するバッファ層を形成した。比較用の
バッファ層を作製するために、亜鉛を含む化合物（塩）
である酢酸亜鉛とチオ尿素とアンモニアとを含有する水
溶液を用意した。水溶液中の酢酸亜鉛の濃度は０．０２
ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素の濃度は０．２ｍｏｌ／ｌ、アン
モニアの濃度は３ｍｏｌ／ｌとした。この水溶液を入れ
た容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この水溶液
にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜を形成した基板を、約
２０分間浸漬した。その後、水溶液から基板を引き上げ
て純水で洗浄した。
件で、Ｚｎを含有するバッファ層を形成した。比較用の
バッファ層を作製するために、亜鉛を含む化合物（塩）
である酢酸亜鉛とチオ尿素とアンモニアとを含有する水
溶液を用意した。水溶液中の酢酸亜鉛の濃度は０．０２
ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素の濃度は０．２ｍｏｌ／ｌ、アン
モニアの濃度は３ｍｏｌ／ｌとした。この水溶液を入れ
た容器を８５℃に保った温水槽に静置した。この水溶液
にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ2薄膜を形成した基板を、約
２０分間浸漬した。その後、水溶液から基板を引き上げ
て純水で洗浄した。
【００５８】前記の方法で形成した膜の組成をＸ線光電
子分光分析法で分析した結果、形成した膜の組成は本発
明の製造方法で作成したものと同じであった。前記と同
様の方法で太陽電池を作製し、太陽電池特性を測定し
た。前記の方法により作成した太陽電池の特性を測定し
た結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．４７Ｖ、短絡
電流３２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．４８、太陽電池変
換効率７．２％を示した。この特性低下はバッファ層形
成時のアンモニア濃度が非常に高いため、Ｃｕ（Ｉｎ，
Ｇａ）Ｓｅ2膜がダメージを受けたことによると考えら
れる。
子分光分析法で分析した結果、形成した膜の組成は本発
明の製造方法で作成したものと同じであった。前記と同
様の方法で太陽電池を作製し、太陽電池特性を測定し
た。前記の方法により作成した太陽電池の特性を測定し
た結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．４７Ｖ、短絡
電流３２ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．４８、太陽電池変
換効率７．２％を示した。この特性低下はバッファ層形
成時のアンモニア濃度が非常に高いため、Ｃｕ（Ｉｎ，
Ｇａ）Ｓｅ2膜がダメージを受けたことによると考えら
れる。
【００５９】（実施例４）実施例４では、Ｚｎを含有す
るバッファ層を含む太陽電池を製造した他の一例につい
て説明する。
るバッファ層を含む太陽電池を製造した他の一例につい
て説明する。
【００６０】太陽電池の作成方法は、Ｚｎを含有するバ
ッファ層を形成する方法のみが実施例３と異なるため、
重複する記述を省略する。
ッファ層を形成する方法のみが実施例３と異なるため、
重複する記述を省略する。
【００６１】実施例４では、バッファ層２４であるＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を、実施例２で述べた方法で形成し
た。
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜を、実施例２で述べた方法で形成し
た。
【００６２】実施例３と同様の方法で、太陽電池特性を
測定した。
測定した。
【００６３】前記の方法により作成した太陽電池の特性
を測定した結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．６４
Ｖ、短絡電流３５ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．６７、太
陽電池変換効率１５．０％を示した。実施例４の方法で
はアンモニアを加えることにより、多少基板にダメージ
が与えられるが、アンモニアを加えたことによりＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜の膜質が向上したため高い特性の太
陽電池が得られた。
を測定した結果、太陽電池特性を示す開放電圧０．６４
Ｖ、短絡電流３５ｍＡ／ｃｍ2、曲線因子０．６７、太
陽電池変換効率１５．０％を示した。実施例４の方法で
はアンモニアを加えることにより、多少基板にダメージ
が与えられるが、アンモニアを加えたことによりＺｎ
（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）膜の膜質が向上したため高い特性の太
陽電池が得られた。
【００６４】以上、本発明の実施の形態について例を挙
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づく他の実施形態に適用する
ことができる。
げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定され
ず本発明の技術的思想に基づく他の実施形態に適用する
ことができる。
【００６５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のＺｎＯ系
半導体薄膜の製造方法では、高濃度のアンモニアを用い
ることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成する。したがっ
て、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法によれば、
基板（下地層）にダメージを与えることなくＺｎＯ系半
導体薄膜を形成できる。
半導体薄膜の製造方法では、高濃度のアンモニアを用い
ることなくＺｎＯ系半導体薄膜を形成する。したがっ
て、本発明のＺｎＯ系半導体薄膜の製造方法によれば、
基板（下地層）にダメージを与えることなくＺｎＯ系半
導体薄膜を形成できる。
【００６６】また、本発明の太陽電池の製造方法によれ
ば、バッファ層にＣｄを用いず、かつ特性が高い太陽電
池が得られる。
ば、バッファ層にＣｄを用いず、かつ特性が高い太陽電
池が得られる。
【図１】 本発明のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法につ
いて、一工程の一例を示す断面図である。
いて、一工程の一例を示す断面図である。
【図２】 本発明の太陽電池の製造方法について、一例
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図３】 従来の太陽電池について、一例を示す断面図
である。
である。
１０、２１ 基板 １１ 水溶液 ２２ 下部電極膜 ２３ 光吸収層 ２４ バッファ層 ２５ 窓層 ２６ 上部電極膜 ２７、２８ 取り出し電極
フロントページの続き (72)発明者 林 茂生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 佐藤 琢也 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5F051 AA10 CB11 GA03 GA06 5F053 AA03 AA45 DD20 FF01 HH05 LL05 RR03 RR12
Claims (11)
- 【請求項１】 亜鉛を含有する化合物と、硫黄を含有す
る化合物と、アンモニウム塩とを溶質として含む水溶液
に、基板を接触させることによって、前記基板上にＺｎ
Ｏ系半導体薄膜を形成することを特徴とするＺｎＯ系半
導体薄膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記水溶液が、濃度が０．５ｍｏｌ／ｌ
以下のアンモニアをさらに含む請求項１に記載のＺｎＯ
系半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 前記亜鉛を含有する化合物が、Ｚｎ（Ｃ
Ｈ3ＣＯＯ）2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＩ2およびＺｎＳＯ4か
ら選ばれる少なくとも一つの化合物である請求項１また
は２に記載のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項４】 前記硫黄を含有する化合物が、チオ尿素
及びチオアセトアミドから選ばれる少なくとも一つの化
合物である請求項１または２に記載のＺｎＯ系半導体薄
膜の形成方法。 - 【請求項５】 前記アンモニウム塩が、ＣＨ3ＣＯＯＮ
Ｈ4、ＮＨ4Ｃｌ、ＮＨ4Ｉおよび（ＮＨ4）2ＳＯ4から選
ばれる少なくとも一つの化合物である請求項１または２
に記載のＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記水溶液の温度が、１０℃以上１００
℃以下である請求項１ないし５のいずれかに記載のＺｎ
Ｏ系半導体薄膜の形成方法。 - 【請求項７】 前記水溶液のｐＨが、９以上１１以下で
ある請求項１ないし５のいずれかに記載のＺｎＯ系半導
体薄膜の形成方法。 - 【請求項８】 前記水溶液と前記基板との接触が、前記
基板を前記水溶液に浸漬することによって行われる請求
項１ないし５のいずれかに記載のＺｎＯ系半導体薄膜の
形成方法。 - 【請求項９】 上部電極膜および下部電極膜と、前記上
部電極膜と前記下部電極膜との間に配置された光吸収層
と、前記上部電極膜と前記光吸収層との間に配置された
ＺｎＯ系半導体薄膜とを備える太陽電池の製造方法であ
って、 請求項１ないし８のいずれかに記載のＺｎＯ系半導体薄
膜の形成方法を用いて前記ＺｎＯ系半導体薄膜を形成す
ることを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 【請求項１０】 前記光吸収層が、Ｉｂ族元素と、III
ｂ族元素と、VIｂ族元素とを含む化合物半導体薄膜から
なる請求項９に記載の太陽電池の製造方法。 - 【請求項１１】 前記Ｉｂ族元素がＣｕであり、前記II
Iｂ族元素がＩｎおよびＧａから選ばれる少なくとも一
つの元素あり、前記VIｂ族元素がＳｅおよびＳから選ば
れる少なくとも一つの元素である請求項１０に記載の太
陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144691A JP2000332280A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11144691A JP2000332280A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000332280A true JP2000332280A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15368032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11144691A Pending JP2000332280A (ja) | 1999-05-25 | 1999-05-25 | ＺｎＯ系半導体薄膜の形成方法およびこれを用いた太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000332280A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002343987A (ja) * | 2001-05-15 | 2002-11-29 | Showa Shell Sekiyu Kk | ヘテロ接合薄膜太陽電池の製造方法 |
| WO2008093834A1 (ja) * | 2007-02-02 | 2008-08-07 | Rohm Co., Ltd. | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| JP2009259938A (ja) * | 2008-04-15 | 2009-11-05 | Honda Motor Co Ltd | カルコパイライト型薄膜太陽電池の製造方法およびその装置 |
| EP2306525A2 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-06 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
| EP2309555A2 (en) | 2009-10-06 | 2011-04-13 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
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-
1999
- 1999-05-25 JP JP11144691A patent/JP2000332280A/ja active Pending
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| EP2306525A2 (en) | 2009-10-05 | 2011-04-06 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
| EP2309555A2 (en) | 2009-10-06 | 2011-04-13 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
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| US8252611B2 (en) | 2009-10-06 | 2012-08-28 | Fujifilm Corporation | Buffer layer and manufacturing method thereof, reaction solution, photoelectric conversion device, and solar cell |
| WO2012004974A1 (ja) | 2010-07-06 | 2012-01-12 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子及びそれを備えた太陽電池 |
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