JP2000332390A5 - - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを覆うように前記基板上に異方性導電樹脂を形成する工程と、半導体素子の底面に設けられた電極部と前記配線パターンとが所定位置で前記異方性導電樹脂を介して電気的に接続されるように位置合わせを行う工程と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記基板に対して加熱しながら圧着する工程とを有し、前記加熱圧着の際に前記基板を前記半導体素子に対して凸状に反らせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、その中央部が凸状になるように形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】 前記異方性導電樹脂の中央部の凸状形成を、凹状の圧着ヘッドを前記異方性導電樹脂に押圧することにより行うとともに、その際、前記圧着ヘッドのエッジ部に設けられた切断部により、前記異方性導電樹脂を所定の大きさ、形状に切断することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大きさ、形状に合わせて、前記半導体素子の角部を多く取った大きさ、形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記半導体素子を加熱圧着するための加熱圧着ヘッドを、その中央部が凸状のものを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、加熱圧着時に発生する前記基板からの蒸気を、前記基板を載置するためのステージに設けられた蒸気孔から逃がしながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記基板を載置するためのステージを１２０℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの大きさが、前記バンプが前記異方性導電性接着層を介して接続される前記基板上に設けられた配線パターンのパッド部の大きさよりも小さく形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの形状が、加熱圧着により発生する前記異方性導電樹脂の流動方向に対して略流線形状に近づくように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】 基板上に配線パターンを形成する工程と、前記配線パターンを覆うように前記基板上に異方性導電樹脂を形成する工程と、半導体素子の底面に設けられた電極部と前記配線パターンとが所定位置で前記異方性導電樹脂を介して電気的に接続されるように位置合わせを行う工程と、位置合わせ後、前記半導体素子を前記基板に対して加熱しながら圧着する工程とを有し、前記加熱圧着の際に前記基板を前記半導体素子に対して凸状に反らせることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、その中央部が凸状になるように形成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】 前記異方性導電樹脂の中央部の凸状形成を、凹状の圧着ヘッドを前記異方性導電樹脂に押圧することにより行うとともに、その際、前記圧着ヘッドのエッジ部に設けられた切断部により、前記異方性導電樹脂を所定の大きさ、形状に切断することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】 前記異方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大きさ、形状に合わせて、前記半導体素子の角部を多く取った大きさ、形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記半導体素子を加熱圧着するための加熱圧着ヘッドを、その中央部が凸状のものを用いて行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、加熱圧着時に発生する前記基板からの蒸気を、前記基板を載置するためのステージに設けられた蒸気孔から逃がしながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】 前記半導体素子を前記異方性導電樹脂を介して前記基板に加熱圧着する際に、前記基板を載置するためのステージを１２０℃以下で加熱しながら行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの大きさが、前記バンプが前記異方性導電性接着層を介して接続される前記基板上に設けられた配線パターンのパッド部の大きさよりも小さく形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】 前記半導体素子の電極部を構成するバンプの形状が、加熱圧着により発生する前記異方性導電樹脂の流動方向に対して略流線形状に近づくように形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
本発明の請求項４に記載の発明は、前記異方性導電樹脂を形成する際に、前記半導体素子の大きさ、形状に合わせて、前記半導体素子の角部を多く取った大きさ、形状に前記異方性導電樹脂を形成することを特徴とする。
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| JP13819099A JP4356137B2 (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP4356137B2 JP4356137B2 (ja) | 2009-11-04 |
Family
ID=15216191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP13819099A Expired - Fee Related JP4356137B2 (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP (1) | JP4356137B2 (ja) |
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1999
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