JP2000338667A - 感光性高誘電体組成物、その組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形成方法、及びその組成物を用いて製造したコンデンサ内蔵型多層回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 感光性高誘電体組成物を用いて多層回路基板
自体にコンデンサを内蔵させる。 【解決手段】 本発明のコンデンサ内蔵型多層回路基板
は、基板１と、この基板１の表面に形成された第１の導
体パターン２と、この第１の導体パターン２を覆うよう
に上記基板１の表面に形成された絶縁膜３と、この絶縁
膜３の表面に形成された第２の導体パターン４と、を少
なくとも含み、上記第１の導体パターン２と第２の導体
パターン４とが上記絶縁膜３に形成されたビアホール３
ａを介して電気的に接続されている。上記絶縁膜３は、
ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂、アクリル系
ポリマ及び誘電体粉末を共存含有し、且つフォトプロセ
スによってパターン形成された高誘電体膜であり、上記
第１の導体パターン２と第２の導体パターン４とが上記
絶縁膜３を挟んで対面する少なくとも一対の電極２ａ，
２ｂを備えることによりコンデンサを構成している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、容量が大きく且つ欠陥
の少ない薄膜コンデンサを形成するのに適した感光性高
誘電体組成物に関する。さらに、本発明は、このような
組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形成方法、
及びその組成物を用いて製造したコンデンサ内蔵型多層
回路基板にも関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器に対する小型化、薄型
化、高密度化の要請に応えるために、コンデンサの誘電
体として樹脂成分に誘電体粉末を添加してなる高誘電体
組成物が開発されている。例えば、特開昭５５−１４８
３０８号公報には、セラミック質の誘電体粉末を熱可塑
性樹脂に添加してなる高誘電体組成物が開示されてお
り、これを用いて形成されたコンデンサが実施例として
挙げられている。また、特開平１０−９７９５０号公報
及び特開平１０−９７９５１号公報には、エポキシ樹脂
やポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂にＢａＴｉＯ₃ 、
ＴｉＯ₂ 、ＳｒＴｉＯ ₃ 、ＣａＴｉＯ₃ などの誘電体粉
末を添加してなるペースト（高誘電体組成物）を回路基
板上の電極に印刷塗布して高誘電体膜を形成し、研磨、
加圧、加熱などの所定の処理をこの高誘電体膜に施した
後に、当該高誘電体膜上に上記回路基板上の電極と対極
となる電極を形成して、回路基板上にてコンデンサを作
成することが開示されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記各
公報に記載の高誘電体組成物は、いずれも感光性を有し
ていないため、その組成物からなる高誘電体膜を直接露
光・現像して所望の形状にパターン化することができ
ず、加工性の点で問題がある。また、特開昭５５−１４
８３０８号公報に開示された高誘電体組成物は熱可塑性
樹脂を用いているため耐熱性の点で問題がある。さら
に、特開平１０−９７９５０号公報及び特開平１０−９
７９５１号公報に開示された高誘電体組成物は熱硬化性
樹脂を用いるために耐熱性の問題はないが、これら各公
報の構成では、別途用意された回路基板に上記高誘電体
組成物を用いてコンデンサを後付け的に形成するもので
あるため、最終的な回路に至るまでには、コンデンサを
形成する工程に加えて、その他の回路素子を後に実装し
なければならず、作業がその分煩わしく時間のかかるも
のとなる。

【０００４】本発明は、このような事情のもとで考え出
されたものであって、容量が大きく且つ欠陥の少ない薄
膜コンデンサを形成するのに適し、しかも直接的な露光
・現像により容易に微細なパターン化ができる感光性高
誘電体組成物を提供することを第１の課題としている。

【０００５】本発明の第２の課題は、このような感光性
高誘電体組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形
成方法を提供することにある。

【０００６】本発明の第３の課題は、上記のような感光
性高誘電体組成物を用いて製造したコンデンサ内蔵型多
層回路基板を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、新規な感
光性高誘電体材料について検討した結果、ポリイミド前
駆体又はポリアミドイミド樹脂に感光性を有する有機材
料と高誘電体である無機フィラーをブレンドすることに
より、１０以上の高い誘電率を有し、且つ、通常のフォ
トプロセスでパターン化が可能であることからセラミッ
クス等の誘電体材料に比べて加工性に優れた感光性高誘
電体組成物を提供できることを見いだして、本発明を完
成するに至った。

【０００８】すなわち、本発明の第１の側面によれば、
ポリイミド前駆体と、このポリイミド前駆体又はポリア
ミドイミド樹脂を溶解させるための有機溶媒と、重合性
不飽和二重結合を少なくとも２つ有するアクリル系モノ
マ又はオリゴマと、このアクリル系モノマ又はオリゴマ
の光反応による重合を起こさせるための光反応開始剤
と、誘電体粉末と、を含むことを特徴とする、感光性高
誘電体組成物が提供される。

【０００９】以上の構成によれば、ポリイミド前駆体の
熱硬化によって生じるポリイミド樹脂、及び上記組成物
に予め含まされるポリアミドイミド樹脂は優れた耐熱性
及び機械的特性を有しているため、上記組成物は多層回
路基板（ビルドアップ多層回路基板）の絶縁膜（高誘電
体膜）を形成するのに適したものである。また、アクリ
ル系モノマ又はオリゴマは感光性を付与するためのもの
であり、上記組成物によって形成される高誘電体膜が通
常のフォトプロセスによって容易にパターン化できるた
め、上記組成物を多層回路基板の絶縁膜を形成するのに
用いた場合において、その絶縁膜にフォトプロセスによ
ってビアホールを都合よく形成することが可能となる。
さらに、誘電体粉末はこのような多層回路基板における
絶縁膜の誘電率を高めることができるため、その絶縁膜
の所定部分を挟むように１対の電極を形成することによ
り、コンデンサを多層回路基板自体に内蔵させることが
できるのである。

【００１０】本発明の第２の側面によれば、上記感光性
高誘電体組成物からなる感光性高誘電体膜のパターン形
成方法が提供される。すなわち、このパターン形成方法
は、上記感光性高誘電体組成物を基板に塗布して高誘電
体膜を形成し、この高誘電体膜のうちの選択領域に紫外
線を照射して上記アクリル系モノマ又はオリゴマを重合
させてアクリル系ポリマとし、次いで上記高誘電体膜の
うちの上記選択領域以外の領域における上記ポリイミド
前駆体又はポリアミドイミド樹脂、及び未重合の上記ア
クリル系モノマ又はオリゴマを現像液により上記誘電体
粉末とともに溶解除去し、さらに熱処理を行って、上記
有機溶媒及び現像液を蒸発除去し、上記ポリイミド前駆
体を用いる場合には上記ポリイミド前駆体をポリイミド
樹脂に変換する、各工程を含み、これにより残存する高
誘電体膜中にポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹
脂、アクリル系ポリマ及び誘電体粉末を共存させること
を特徴とする。

【００１１】以上のパターン形成方法によれば、パター
ン形成後に残存する高誘電体膜中にはポリイミド樹脂又
はポリアミドイミド樹脂、アクリル系ポリマ及び誘電体
粉末が共存する。従って、感光性高誘電体組成物中のポ
リイミド前駆体又はポリアミドイミド樹脂、及びアクリ
ル系モノマ又はオリゴマが消失することなく、これらが
ポリマとして残存するため、いわゆる「膜減り」（膜の
肉厚減少）の程度が小さくなり、多層回路基板の絶縁膜
を構成するのに適している。

【００１２】さらに、本発明の第３の側面によれば、上
記感光性高誘電体組成物を用いて製造したコンデンサ内
蔵型多層回路基板が提供される。すなわち、本発明の第
３の側面によるコンデンサ内蔵型多層回路基板は、基板
と、この基板の表面に形成された第１の導体パターン
と、この第１の導体パターンを覆うように上記基板の表
面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜の表面に形成され
た第２の導体パターンと、を少なくとも含み、上記第１
の導体パターンと第２の導体パターンとが上記絶縁膜に
形成されたビアホールを介して電気的に接続された構成
において、上記絶縁膜は上記パターン形成方法により上
記ビアホールが形成されるようにパターン化された高誘
電体膜であってポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹
脂、アクリル系ポリマ及び誘電体粉末を共存含有してお
り、上記第１の導体パターンと第２の導体パターンとが
上記絶縁膜を挟んで対面する少なくとも１対の電極を備
えることによりコンデンサを構成していることを特徴と
する。

【００１３】以上の構成によれば、多層回路基板自体が
既に受動素子としてのコンデンサを内蔵している。従っ
て、多層回路基板中に予め所定容量のコンデンサを所定
のプリント配線とともに造り込んでおけば、コンデンサ
を後付けする必要がなく、多層回路基板への電子部品の
実装作業を簡略化することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
するが、本発明はその実施形態に限定されるものではな
い。

【００１５】本発明の感光性高誘電体組成物には、ポリ
イミド前駆体又はポリアミドイミド樹脂が含まれてい
る。なお、ポリイミド前駆体は、最終的には熱硬化によ
りポリイミド樹脂とされるが、上記組成物ではポリアミ
ドイミド樹脂がポリマとして含有されるのに対し、ポリ
イミド樹脂がポリイミド前駆体として含有されるのは、
ポリアミドイミド樹脂は一定の有機溶媒に溶解するのに
対し、ポリイミド樹脂が有機溶媒に対して殆ど溶解しな
いからである。

【００１６】上記組成物に含まれるポリイミド前駆体
は、下記一般式１で示される構造を有している。

【００１７】

【化１】

【００１８】上記式１中、Ｒ１は４価の脂肪族基又は脂
環族基であり、Ｒ２は２価の芳香族基、脂肪族基、脂環
族基又はオルガノシロキサン基である。上記Ｒ１を構成
する４価の脂肪族基としては、ブタンテトライル、ペン
タンテトライル、ヘキサンテトライル等が例示でき、４
価の脂環族基としては、シクロブタンテトライル、シク
ロペンタンテトライル、シクロヘキサンテトライル、ビ
シクロヘキセンテトライル等が例示でき、Ｒ１はメチル
基等の低級アルキル基で置換されていてもよい。

【００１９】上記式１中のＲ２を構成する２価の芳香族
基としては、フェニレン、ビフェニレン、ナフタレンジ
イル、アントラセンジイル、ジフェニルエーテルジイ
ル、ジフェニルケトンジイル等が例示される。また、上
記Ｒ２を構成する２価の脂肪族基としては、メチレン、
エチレン、トリメチレン、テトラメチレン等が例示され
る。さらに、上記Ｒ２を構成する２価の脂環族基として
は、シクロブタンジイル、シクロペンタンジイル、シク
ロヘキサンジイル等が例示される。さらにまた、上記Ｒ
２を構成する２価のオルガノシロキサン基としては、ジ
シロキサンジイル、トリシロキサンジイル等の直鎖状シ
ロキサン、シクロトリシロキサンジイル、シクロテトラ
シロキサンジイル等の環状シロキサンが例示される。な
お、上記Ｒ２は所望の置換基で置換されていてもよい。

【００２０】上記式１で示されるポリイミド前駆体は、
テトラカルボン酸又はその無水物とジアミンとの縮合に
より合成される。ここで、テトラカルボン酸としては、
ブタンテトラカルボン酸、ヘキサンテトラカルボン酸等
の脂肪族テトラカルボン酸、シクロペンタンテトラカル
ボン酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸等の脂
肪族テトラカルボン酸等が例示される。これらテトラカ
ルボン酸の無水物は、一無水物でも二無水物でもよい。

【００２１】一方、ジアミンとしては、４，４’−ジア
ミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニ
ルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィ
ド、ベンジジン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニ
レンジアミン、１，５−ナフタレンジアミン、２，６−
ナフタレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェノ
キシフェニル）プロパン、ビス（４−アミノフェノキシ
フェニル）スルホン、２，２−ジ（ｐ−アミノフェニ
ル）ヘキサフロロプロパン等の芳香族ジアミン、ヘキサ
メチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、４，４’
−ジメチルヘプタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミ
ン、テトラヒドロジシクロペンタジエニレンジアミン等
の脂環族ジアミン等が例示される。

【００２２】一方、上記ポリアミドイミド樹脂は、ジア
ミン又はジイソシアネートと、トリカルボン酸等の三塩
基酸、これの無水物又はこの無水物のクロライドとを略
等モルで反応させることによって得られる。実用化され
ているポリアミドイミドの代表的な合成法としては、下
記式２及び３に示されるアミン法とイソシアネート法が
ある。ポリアミドイミド樹脂をビルドアップ多層配線用
の耐熱絶縁膜の成分にするためには、塩素イオン等の不
純物混入を防止する観点から、式３に示したイソシアネ
ート法で合成する方が好ましい。

【００２３】

【化２】

【００２４】

【化３】

【００２５】なお、ポリアミドイミド樹脂は、ポリイミ
ド樹脂に比べて、誘電率が高い（ポリアミドイミド樹脂
は誘電率が４程度、ポリイミド樹脂は誘電率が３程
度）。このため、高誘電体膜を形成するに当たって、当
該高誘電体膜の誘電率をより高め、あるいは高誘電体粉
末の使用量を少なくするといった観点からは、ポリアミ
ドイミド樹脂を使用するのが多少なりとも有利である。

【００２６】また、ポリアミドイミド樹脂は、ポリマの
状態で上記組成物に含有されるから、前駆体として含有
される場合のように上記組成物を保存しているときにポ
リマ化が進行することもなく、これに伴う上記組成物の
粘度が上昇もないため、放置安定性が良いといった利点
もある。

【００２７】ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド樹
脂を溶解するための有機溶媒としては、Ｎ−メチル−２
−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルム
アミドのような塩基性極性溶媒が有効である。これらの
有機溶媒は、単独で用いてもよいし、２種以上を組み合
わせて用いてもよい。

【００２８】本発明で用いられるアクリル系モノマ又は
オリゴマは感光性を付与するためのものであり、そのた
めには重合性不飽和二重結合を２つ以上有する多官能ア
クリレートモノマ又はオリゴマが有効である。また、ア
クリル系モノマ又はオリゴマが光反応により重合して生
成されるアクリル系ポリマの耐熱性が高いものであるの
が、高誘電体膜自体の耐熱性を高く維持する上で好まし
い。具体的には、ポリエステルアクリレート系、エポキ
シアクリレート系、ウレタンアクリレート系、シリコー
ンアクリレート系等のモノマ又はオリゴマが有効であ
る。さらに詳しくいうと、イソシアヌール酸骨格の多官
能アクリレートモノマ（例えばトリス (アクリロイルオ
キシエチル) イソシアヌレート）や、枝状の多官能アク
リレートモノマ（例えばトリメチロールプロパントリア
クリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペ
ンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリ
スリトールヘキサアクリレート）が有効である。また、
ビスフェノールＡ−ジエポキシ─アクリル酸付加物や、
下記式４に示される構造を有する多官能アクリレート系
モノマ又はオリゴマも有効である。

【００２９】

【化４】

【００３０】上記式４において、Ａはアクリル酸（ＣＨ
₂ ＝ＣＨＣＯＯＨ）又はその誘導体（例えばメタクリル
酸（ＣＨ₂ ＝ＣＣＨ₃ ＣＨＣＯＯＨ）を表し、Ｂは２−
エチル−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパンジオ
ールやペンタエリトリトール等の多価アルコールを表
し、Ｃは３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸や
４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸等の多塩基
酸を表し、ｎは１〜５の整数を表す。

【００３１】以上のアクリル系モノマ又はオリゴマは、
単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いて
もよい。また、このアクリル系モノマ又はオリゴマは上
記ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド樹脂１００重
量部に対して３０〜３００重量部含まれているのが好ま
しい。上記アクリル系モノマ又はオリゴマが上記ポリイ
ミド前駆体１００重量部に対して３０重量部よりも少な
い場合には、上記組成物から得られる高誘電体膜のフォ
トプロセスによるパターン化が困難になり、３００重量
部よりも多い場合には、高誘電体膜の膜質が悪くなる。

【００３２】アクリル系モノマ又はオリゴマを光重合さ
せるための感度の良い光反応開始剤としては、α−アミ
ノアルキルフェノン又はその誘導体、ベンゾインエーテ
ル又はその誘導体、ケタール又はその誘導体、アセトフ
ェノン又はその誘導体、ベンゾフェノン又はその誘導
体、チオキサントン又はその誘導体、有機過酸化物、Ｎ
−フェニルグリシン、トリアジン系化合物、アレーン鉄
錯体、イミダゾール二量体などが良好である。これらの
光反応開始剤は、単独で用いても、２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。

【００３３】上記α─アミノアルキルフェノン系の光反
応開始剤としては、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ
−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタノン−１
や、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］
−２−モンフォリノプロパンプロパノン−１や、２−ベ
ンジル−２−ジメチルアミノ−４’−モルフォリノブチ
ロフェノン等が挙げられる。上記ベンゾインエーテル系
の反応開始剤としては、イソプロピルベンゾインエーテ
ルや、イソブチルベンゾインエーテル等が挙げられる。
上記ケタール系の反応開始剤としては、１−ヒドロキシ
シクロヘキシルフェニルケトンや、ベンジルジメチルケ
タール等が挙げられる。上記アセトフェノン系の反応開
始剤としては、アセトフェノンや、２−ヒドロキシ−２
−メチル−プロピオフェノン等が挙げられる。上記ベン
ゾフェノン系の反応開始剤としては、ベンゾフェノン
や、３，３’，４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオ
キシカルボニル）ベンゾフェノン等が挙げられる。上記
チオキサントン系の反応開始剤としては、２−メチルチ
オキサントン等が挙げられる。上記有機過酸化物として
は、ケトンパーオキサイドや、パーオキシケタールや、
ジアルキルパーオキサイドや、パーオキシエステル等が
挙げられる。上記トリアジン系化合物としては、２，
４，６−トリス（トリクロロメチル）−１，３，５−ト
リアジンや、２，４−ビス (トリクロロメチル）−６−
フェニル−１，３，５−トリアジン等のように、１，
３，５−トリアジン構造と少なくとも１個のトリクロロ
メチル基を分子中に有する化合物が有効である。上記ア
レーン鉄錯体としては、 (η６−ベンゼン）（η５−シ
クロペンタジエニル）鉄 (II）ヘキサフルオロホスフェ
イトや、(η６−ピレン）（η５−シクロペンタジエニ
ル）鉄 (II) ヘキサフルオロアンチモネイト等が挙げら
れる。上記イミダゾール二量体としては、２，３’−ビ
ス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テト
ラフェニル−１，２’−ビイミダゾール等が挙げられ
る。

【００３４】光反応開始剤の混合量は、アクリル系モノ
マ（あるいはアクリル系オリゴマ）１００重量部に対し
て３〜３０重量部、特に５〜２０重量部が好ましい。混
合量が３重量部より少ない場合は、感光性が低下して、
高誘電体膜のパターン化が困難となる。混合量が３０重
量部より多い場合は、ポリイミド前駆体又はポリアミド
イミド樹脂やアクリル系モノマ又はオリゴマとの相溶性
や絶縁膜の膜質が低下する。

【００３５】また、上記誘電体粉末は上記ポリイミド前
駆体又はポリアミドイミド樹脂１００重量部に対して１
００〜８００重量部含まれているのが好ましい。上記誘
電体粉末が上記ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド
樹脂１００重量部に対して１００重量部よりも少ない場
合には、上記組成物より得られる高誘電体膜の誘電率が
低くなってコンデンサを構成するにの適さなくなり、８
００重量部よりも多い場合には、高誘電体膜の膜質が悪
くなる。

【００３６】上記誘電体粉末はチタン酸バリウム（Ｂａ
ＴｉＯ₃ ）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ₃ ）、チ
タン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ₃ ）などのペロブス
カイト型構造の金属酸化物粉末であるのが好ましく、こ
れらの金属酸化物粉末は単独でも組合わせても使用でき
る。但し、その他の公知の誘電体粉末も用いることがで
きるのはいうまでもない。また、上記誘電体粉末の平均
粒径は０．１〜３μｍであるのが好ましい。誘電体粉末
の粒径が３μｍよりも大きくなると、上記組成物から得
られる高誘電体膜の表面に凹凸ができ易くなり、膜質が
悪化する。

【００３７】さらに必要に応じて、上記光反応開始剤と
共に、ジ−ｎ−ブチルアミン、ｎ−ブチルアミン、トリ
エチルアミン、トリエチレンテトラアミン、３−メルカ
プト−４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、
ケトクマリン系色素、クマリン系色素、チオキサンテン
系色素、キサンテン系色素、チオピリリウム塩系色素等
の増感剤を使用して、アクリル系モノマ又はオリゴマの
光反応による重合を促進することができる。この場合、
これらの増感剤は単独で使用してもよいし、２種以上を
組み合わせて使用してもよい。

【００３８】次に、本発明の感光性高誘電体組成物から
なる高誘電体膜のパターン形成方法の一例について図１
及び図２を参照しながら説明する。図１は、感光性高誘
電体組成物からなる高誘電体膜を絶縁膜として含む多層
回路基板を示す断面図であり、図２は、高誘電体膜のパ
ターン化に用いるガラスマスクを示す斜視図である。

【００３９】まず、図１に示すように、ポリイミド前駆
体又はポリアミドイミド樹脂、有機溶媒、重合性不飽和
二重結合を少なくとも２つ有するアクリル系モノマ又は
オリゴマ、光反応開始剤を含んだ感光性高誘電体組成物
を公知のスピンコート、ロールコート、カーテンコート
又はスクリーン印刷などの塗布方法で基板１に塗布し
て、感光性高誘電体膜３を均一に形成する。基板１の表
面には、予め第１の導体パターン２（回路パターン）が
形成されており、この導体パターン２は、少なくとも１
つの電極２ａと少なくとも１つの接続パッド２ｂとを含
んでいる。なお、図示はされていないが、第１の導体パ
ターン２は、電極２ａや接続パッド２ｂに接続された配
線パターンも含んでいる。

【００４０】上記感光性高誘電体膜３の塗布後、この基
板を８０〜１５０℃の温度でプリベークして感光性高誘
電体膜３に含まれる有機溶媒をある程度まで乾燥除去さ
せる。その後、図２に示すように、ガラスマスク５（フ
ィルムマスクでもよい）を通して基板１上の感光性高誘
電体膜３に紫外線を照射し、マスク５に形成されている
パターンを基板１上の感光性高誘電体膜３に転写する。
例えば、ビアホール３ａを形成するには、マスク５のパ
ターンは微細な円形の不透過部５ａを含み、この不透過
部５ａにだけ紫外線が当たらないことになる。従って、
感光性高誘電体膜３は、円形の不透過部５ａ以外の領域
で光反応によるアクリル系モノマ又はオリゴマの重合が
起こり、硬化することになる。

【００４１】転写後（露光後）に適当な現像液を用い
て、感光性高誘電体膜３を現像し、次いで適当なリンス
液でリンスを行う。この結果、光の照射を受けなかった
微細な円形の領域部分の樹脂成分が現像液に溶解して、
誘電体粉末とともに除去されることによりビアホール３
ａが形成される。

【００４２】現像に用いる現像液としては、ポリイミド
ワニス又はポリアミドイミドワニスの溶媒として用いら
れる極性有機溶媒であるＮ−メチル−２−ピロリドン、
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミドを用いる
ことができる。また、テトラメチルアンモニウムハイド
ライドや水酸化ナトリウムを水に溶解させたアルカリ水
溶液を用いることもできる。また、リンス液としては、
ポリイミド前駆体やポリアミドイミド樹脂を溶解させな
い水、アルコール類（例えばメタノール、エタノール、
イソプロピルアルコール）、ケトン類（例えばアセト
ン、メチルエチルケトン）を用いることができる。

【００４３】次いで、現像及びリンス後に膜中に残存す
る有機溶媒、現像液及びリンス液を除去し、またポリイ
ミド前駆体を用いる場合には高誘電体膜３中に残存する
ポリイミド前駆体をポリイミド樹脂に変換するために加
熱処理をする。加熱温度は、基板を構成する材料に熱的
劣化を起こさせない範囲であれば良い。

【００４４】具体的には、ポリイミド前駆体を用いる場
合には２００〜３５０℃が好ましい。この温度範囲より
低いとポリイミドのイミド化が充分でなく、高いと重合
したアクリル系ポリマが熱分解してしまう可能性があ
る。

【００４５】一方、ポリアミドイミド樹脂を用いる場合
には、ポリイミド前駆体を用いる場合よりも加熱温度を
低くしてもよく、１５０〜２５０℃が好ましい。したが
って、ポリアミドイミド樹脂を使用する場合には、ポリ
イミド前駆体のイミド化温度で劣化してしまうような耐
熱性が比較的に低いプリント配線基板（基板自体がエポ
キシやＢＴレジンなどで形成されたもの）などにおいて
も、基板を劣化させることなく高誘電体膜３を形成し、
最終的にはプリント基板にコンデンサを内蔵させること
ができるようになる。

【００４６】以上の方法によりパターン化された高誘電
体膜３において、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体が
重合して硬化することにより形成される）又はポリアミ
ドイミド樹脂は、図１において符号３０ａで示すよう
に、マトリックス（海）となり、そのマトリックス中に
アクリル系ポリマ３０ｂ（アクリル系モノマ又はオリゴ
マが重合したもので、白丸で表す）と誘電体粉末３０ｃ
（黒丸で表す）とが島状に分散した形態となる。

【００４７】次に、以上のようにパターン化された高誘
電体膜３上に金属膜（例えばアルミニウム膜）を公知の
方法で蒸着し、公知の方法でエッチングすることにより
第２の導体パターン４を形成する。この第２の導体パタ
ーン４は、上記第１の導体パターン２の電極２ａと対極
をなす少なくとも１つの電極４ａと、上記ビアホール３
ａに進入して、上記第１の導体パターン２の接続パッド
２ｂに導通する少なくとも１つのビアホール導体部４ｂ
と、を含んでいる。また、図示はされていないが、第２
の導体パターン４は、電極４ａやビアホール導体部４ｂ
に接続された配線パターンも含んでいる。

【００４８】以上の方法により、多層回路基板（図１）
が形成される。パターン化された高誘電体膜３は、誘電
体粉末３０ｃを含むことにより高い誘電率を有している
ため、対をなす２つの電極２ａ，２ｂに挟まれた部分は
コンデンサとして機能する。しかも、このコンデンサは
多層回路基板を製造する一連の工程にて同時に造り込ま
れているため、誘電体粉末３０ｃを添加する以外には製
造上の工夫や手間は何ら生じることはなく、後に受動素
子としてのコンデンサを実装する必要もない。また、高
誘電体膜３は同時に絶縁膜でもあるため、その表面に第
２の導体パターン４を形成して、回路パターンを多層
（立体的）に形成して、単位面積当たりの実装密度を飛
躍的に高めることができる。

【００４９】なお、図１の実施形態では、基板１の一方
の表面に高誘電体膜３を１層だけ形成しているが、高誘
電体膜を２層以上に形成してさらに導体パターンも形成
して、実装密度を増加させてもよいのはいうまでもな
い。また、基板１の一方の表面のみならず、他方の表面
にも同様の多層構造をビルドアップしてもよい。

【００５０】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。

【００５１】〔実施例１〕下記の物質を以下の割合で混
合して、感光性高誘電体組成物を調製した。

【００５２】 ポリイミド前駆体： 樹脂分が１４．５重量％で、残部が有機溶媒のＮ−メチル−２−ピロリドンで あるポリイミド前駆体ワニス（商品名：ＰＩＸ−１４００；日立化成社製） ・・・５０．０ｇ アクリル系オリゴマ： 下記式５に示す構造を有するアクリル系オリゴマ ・・・１０．０ｇ

【化５】 上記式５において、Ａはアクリル酸を表し、Ｂは２−エ
チル−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパンジオー
ルを表し、Ｃは３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボ
ン酸又は４−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸を
表しており、ｎは１〜５である。 光反応開始剤： ２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニ ル−１，２’−ビイミダゾール ・・・１．００ｇ 無機誘電体粉末： ＢａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ 系酸化物（平均粒径１〜３μｍ） ・・・３０．０ｇ 増感剤： ３−メルカプト−４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール ・・・０．５０ｇ

【００５３】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した直径３インチ（７６．２ｍｍ）のＳｉウエハ上にス
ピンコートして、１１５℃で１時間プリベークした。プ
リベーク後の高誘電体膜の膜厚は２０μｍであった。こ
の積層Ｓｉウエハの高誘電体膜上に、最小ライン幅
（Ｌ）／スペース幅（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍま
であるライン・スペースパターンが形成されているネガ
型ガラスマスクを設置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を
７００ｍＪ／ｃｍ² 照射した。次に、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン液でＳｉウエハ上の高誘電体膜を超音波現像
し、その後、エチルアルコールでリンスした。次に、残
存している溶媒、現像液及びリンス液等を蒸発除去させ
るとともに、残存しているポリイミド前駆体をポリイミ
ド樹脂に変換するため、３００℃で３０分間の熱処理
（キュア）を行った。その結果、膜厚が１６μｍでＬ／
Ｓ＝１００／１００μｍのパターンまで形成できている
のを確認した。

【００５４】〔実施例２〕上記実施例１における直径３
インチのＳｉウエハをガラス基板に変更し、ネガ型のガ
ラスマスクをパターンの無いガラスマスクに変更した以
外は実施例１と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基
板の表面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電
極層として０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率
測定用電極が形成されている。高誘電体膜のキュア（熱
処理硬化）後に、その表面にＡｌ膜をスパッタリングに
より形成し、上記誘電率測定用電極と対極をなす電極と
して、誘電率測定用のコンデンサを構成した。なお、パ
ターンの無いガラスマスクを用いたのは、本実施例では
コンデンサを構成して誘電率等の測定のみを行うため高
誘電体膜のパターン化を行わないが、実際の使用時には
パターンのあるガラスマスクを用いて露光が行われるた
め、露光条件を同じにするためにパターンの無いガラス
マスクを使用しているのである（光を透過するガラスマ
スクといえど、光の一部は反射等を受けるために、直接
露光とは露光条件が異なる）。

【００５５】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（インダクタンスＬ、キャパシ
タンスＣ及び抵抗Ｒを測定できる器具；商品名：ＨＰ−
４２８４Ａ；ヒューレットパッカード社製）を用いて周
波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。この
結果、誘電率は１２で、誘電損失は０．０５であった。

【００５６】〔実施例３〕下記の物質を以下の割合で混
合して、感光性耐熱樹脂組成物を調製した。

【００５７】 ポリイミド前駆体： 実施例１と同じポリイミド前駆体ワニス ・・・５０．０ｇ アクリル系モノマ： ビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物 ・・・８．００ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート ・・・４．００ｇ 光反応開始剤： ２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブ タノン−１ ・・・１．００ｇ １−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン ・・・０．５０ｇ 無機誘電体粉末： ＳｒＴｉＯ₃ （平均粒径１μｍ以下） ・・・４０．０ｇ

【００５８】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した直径３インチ（７６．２ｍｍ）のＳｉウエハ上にス
ピンコートして、１１５℃で１時間プリベークした。プ
リベーク後の高誘電体膜の膜厚は２５μｍであった。こ
の積層Ｓｉウエハの高誘電体膜上に、最小ライン幅
（Ｌ）／スペース幅（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍま
であるライン・スペースパターンが形成されているネガ
型ガラスマスクを設置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を
７００ｍＪ／ｃｍ² 照射した。次に、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド水溶液とイソプロピルアル
コールの混合液でＳｉウエハ上の高誘電体膜を超音波現
像し、その後、水でリンスした。次に、残存している溶
媒、現像液及びリンス液等を蒸発除去させるとともに、
残存しているポリイミド前駆体をポリイミド樹脂に変換
するため、３００℃で６０分間の熱処理（キュア）を行
った。その結果、膜厚が２０μｍでＬ／Ｓ＝１２０／１
２０μｍのパターンまで形成できているのを確認した。

【００５９】〔実施例４〕上記実施例３における直径３
インチのＳｉウエハをガラス基板に変更し、ネガ型のガ
ラスマスクをパターンの無いガラスマスクに変更した以
外は実施例３と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基
板の表面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電
極層として０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率
測定用電極が形成されている。高誘電体膜のキュア（熱
処理硬化）後に、その表面にＡｌ膜をスパッタリングに
より形成し、上記誘電率測定用電極と対極をなす電極と
して、誘電率測定用のコンデンサを構成した。

【００６０】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（実施例２と同じもの）を用い
て周波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。
この結果、誘電率は２０で、誘電損失は０．０３であっ
た。

【００６１】〔実施例５〕下記の物質を以下の割合で混
合して、感光性耐熱樹脂組成物を調製した。

【００６２】 ポリイミド前駆体： 樹脂分が１７．５重量％であり、残部が有機溶媒のＮ−メチル−２−ピロリド ンであるポリイミド前駆体ワニス（商品名：ＰＩＸ−３４００−８；日立化成社 製） ・・・５０．０ｇ アクリル系モノマ： ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ・・・７．００ｇ トリス (アクリロイルオキシエチル) イソシアヌレート ・・・７．００ｇ 光反応開始剤： ３，３’、４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフ ェノン−１ ・・・２．００ｇ 無機誘電体粉末： ＳｒＴｉＯ₃ （平均粒径１μｍ以下） ・・・４０．０ｇ ＢａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ 系酸化物（平均粒径１〜３μｍ） ・・・１０．０ｇ

【００６３】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した直径３インチ（７６．２ｍｍ）のＳｉウエハ上にス
ピンコートして、１２０℃で１時間プリベークした。プ
リベーク後の高誘電体膜の膜厚は２５μｍであった。こ
の積層Ｓｉウエハの高誘電体膜上に、最小ライン幅
（Ｌ）／スペース幅（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍま
であるライン・スペースパターンが形成されているネガ
型ガラスマスクを設置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を
９００ｍＪ／ｃｍ² 照射した。次に、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド水溶液とイソプロピルアル
コールの混合液でＳｉウエハ上の高誘電体膜を超音波現
像し、その後、イソプロピルアルコールでリンスした。
次に、残存している溶媒、現像液及びリンス液等を蒸発
除去させるとともに、残存しているポリイミド前駆体を
ポリイミド樹脂に変換するため、２５０℃で６０分間の
熱処理（キュア）を行った。その結果、膜厚が２０μｍ
でＬ／Ｓ＝１１０／１１０μｍのパターンまで形成でき
ているのを確認した。

【００６４】〔実施例６〕上記実施例５における直径３
インチのＳｉウエハをガラス基板に変更し、ネガ型のガ
ラスマスクをパターンの無いガラスマスクに変更した以
外は実施例５と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基
板の表面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電
極層として０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率
測定用電極が形成されている。高誘電体膜のキュア（熱
処理硬化）後に、その表面にＡｌ膜をスパッタリングに
より形成し、上記誘電率測定用電極と対極をなす電極と
して、誘電率測定用のコンデンサを構成した。

【００６５】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（実施例２と同じもの）を用い
て周波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。
この結果、誘電率は２３で、誘電損失は０．０２であっ
た。

【００６６】〔実施例７〕下記の物質を以下の割合で混
合して、感光性高誘電体組成物を調製した。

【００６７】 ポリアミドイミドワニス： 樹脂分が３７．０重量％で、残部が有機溶媒のＮ−メチル−２−ピロリドンで あるポリアミドイミドワニス（商品名：ＨＰＣ−５０００−３７；日立化成社製 ） ・・・５０．０ｇ アクリル系オリゴマ： 実施例１と同じアクリル系オリゴマ ・・・１８．０ｇ 光反応開始剤： ２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニ ル−１，２’−ビイミダゾール ・・・２．００ｇ 無機誘電体粉末： ＢａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ 系酸化物（平均粒径１〜３μｍ） ・・・５０．０ｇ 増感剤： ３−メルカプト−４−メチル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール ・・・０．５０ｇ

【００６８】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した直径３インチ（７６．２ｍｍ）のＳｉウエハ上にス
ピンコートして、１１５℃で１時間プリベークした。プ
リベーク後の高誘電体膜の膜厚は２０μｍであった。こ
の積層Ｓｉウエハの高誘電体膜上に、最小ライン幅
（Ｌ）／スペース幅（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍま
であるライン・スペースパターンが形成されているネガ
型ガラスマスクを設置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を
５００ｍＪ／ｃｍ² 照射した。次に、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン液でＳｉウエハ上の高誘電体膜を超音波現像
し、その後、エチルアルコールでリンスした。次に、残
存している溶媒、現像液及びリンス液等を蒸発除去させ
るため、２００℃で３０分間の熱処理（キュア）を行っ
た。その結果、膜厚が１５μｍでＬ／Ｓ＝１００／１０
０μｍのパターンまで形成できているのを確認した。

【００６９】〔実施例８〕上記実施例７における直径３
インチのＳｉウエハをガラス基板に変更し、ネガ型のガ
ラスマスクをパターンの無いガラスマスクに変更した以
外は実施例７と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基
板の表面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電
極層として０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率
測定用電極が形成されている。高誘電体膜のキュア後
に、その表面にＡｌ膜をスパッタリングにより形成し、
上記誘電率測定用電極と対極をなす電極として、誘電率
測定用のコンデンサを構成した。

【００７０】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（実施例２と同じもの）を用い
て周波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。
この結果、誘電率は１４で、誘電損失は０．０５であっ
た。

【００７１】〔実施例９〕下記の物質を以下の割合で混
合して、感光性高誘電体組成物を調製した。

【００７２】 ポリアミドイミドワニス： 樹脂分が３７．０重量％で、残部が有機溶媒であるポリアミドイミドワニス（ 商品名：ＨＰＣ−５０００−３７；日立化成社製） ・・・５０．０ｇ アクリル系モノマ： ビスフェノールＡ−ジエポキシ−アクリル酸付加物 ・・・１０．０ｇ トリメチロールプロパントリアクリレート ・・・５．０ｇ 光反応開始剤： ２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブ タノン−１ ・・・１．００ｇ １−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン ・・・０．５０ｇ 無機誘電体粉末： ＳｒＴｉＯ₃ （平均粒径１μｍ以下） ・・・４０．０ｇ

【００７３】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した１００×１００、厚さ１．６ｍｍのＢＴレジン（三
菱ガス化学製）のプリント板上にスピンコートして、１
１５℃で１時間プリベークした。プリベーク後の高誘電
体膜の膜厚は２５μｍであった。この積層プリント板の
高誘電体膜上に、最小ライン幅（Ｌ）／スペース幅
（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍまであるライン・スペ
ースパターンが形成されているネガ型ガラスマスクを設
置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を７００ｍＪ／ｃｍ²
照射した。次に、テトラメチルアンモニウムハイドロオ
キサイド水溶液とイソプロピルアルコールの混合液でプ
リント板上の高誘電体膜を超音波現像し、その後、水で
リンスした。次に、残存している溶媒、現像液及びリン
ス液等を蒸発除去させるために、１８０℃で６０分間の
キュアを行った。その結果、膜厚が２０μｍでＬ／Ｓ＝
１５０／１５０μｍのパターンまで形成できているのを
確認した。

【００７４】〔実施例１０〕上記実施例９におけるＢＴ
レジンプリント板をガラス基板に変更し、ネガ型のガラ
スマスクをパターンの無いガラスマスクに変更した以外
は実施例９と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基板
の表面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電極
層として０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率測
定用電極が形成されている。高誘電体膜のキュア後に、
その表面にＡｌ膜をスパッタリングにより形成し、上記
誘電率測定用電極と対極をなす電極として、誘電率測定
用のコンデンサを構成した。

【００７５】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（実施例２と同じもの）を用い
て周波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。
この結果、誘電率は１８で、誘電損失は０．０３であっ
た。

【００７６】〔実施例１１〕下記の物質を以下の割合で
混合して、感光性高誘電体組成物を調製した。

【００７７】 ポリアミドイミドワニス： 樹脂分が３０．０重量％で、残部が有機溶媒であるポリアミドイミドワニス（ 商品名：ＨＰＣ−５０００−３０；日立化成社製） ・・・５０．０ｇ アクリル系モノマ： ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート ・・・８．００ｇ トリス (アクリロイルオキシエチル) イソシアヌレート ・・・７．００ｇ 光反応開始剤： ３，３’、４，４’−テトラ−（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフ ェノン−１ ・・・２．００ｇ 無機誘電体粉末： ＳｒＴｉＯ₃ （平均粒径１μｍ以下） ・・・４０．０ｇ ＢａＯ−Ｎｄ₂ Ｏ₃ −ＴｉＯ₂ 系酸化物（平均粒径１〜３μｍ） ・・・１０．０ｇ

【００７８】上記感光性高誘電体組成物を、前処理を施
した７５×７５、厚さ１．０ｍｍのアルミナ基板上にス
ピンコートして、１２０℃で１時間プリベークした。プ
リベーク後の高誘電体膜の膜厚は２５μｍであった。こ
の積層Ｓｉウエハの高誘電体膜上に、最小ライン幅
（Ｌ）／スペース幅（Ｓ）がＬ／Ｓ＝３０／３０μｍま
であるライン・スペースパターンが形成されているネガ
型ガラスマスクを設置し、紫外線（波長３６５ｎｍ）を
９００ｍＪ／ｃｍ² 照射した。次に、テトラメチルアン
モニウムハイドロオキサイド水溶液とイソプロピルアル
コールの混合液でアルミナ基板上の高誘電体膜を超音波
現像し、その後、イソプロピルアルコールでリンスし
た。次に、残存している溶媒：現像液及びリンス液等を
蒸発除去させるため、２２０℃で６０分間のキュアを行
った。その結果、膜厚が２０μｍでＬ／Ｓ＝１３０／１
３０μｍのパターンまで形成できているのを確認した。

【００７９】〔実施例１２〕上記実施例１１におけるア
ルミナ基板をガラス基板に変更し、ネガ型のガラスマス
クをパターンの無いガラスマスクに変更した以外は実施
例１１と同様に高誘電体膜を形成した。ガラス基板の表
面には、予め下地として０．１μｍのＣｒ層と電極層と
して０．３μｍのＡｕ層との２層からなる誘電率測定用
電極が形成されている。高誘電体膜のキュア後に、その
表面にＡｌ膜をスパッタリングにより形成し、上記誘電
率測定用電極と対極をなす電極として、誘電率測定用の
コンデンサを構成した。

【００８０】次いで、測定試料としての上記コンデンサ
について、ＬＣＲメータ（実施例２と同じもの）を用い
て周波数１ＭＨｚでの誘電率と誘電損失とを測定した。
この結果、誘電率は２０で、誘電損失は０．０２であっ
た。

【００８１】

【発明の効果】以上、説明した実施例１，３，５，７，
９及び１１より、本発明に係る感光性高誘電体組成物を
用いて耐熱性や機械的特性等に優れた高誘電体膜を形成
し、これを通常のフォトプロセスにより直接的に且つ微
細にパターン化することができることが分かる。また、
実施例２，４，６，８，１０及び１２より、同組成物か
ら得られる高誘電体膜は優れた誘電特性を有しており、
コンデンサを構成するのに適していることが分かる。従
って、本発明に係る感光性高誘電体組成物を多層回路基
板における絶縁膜を構成するのに用いれば、予め回路基
板自体に受動素子としてのコンデンサを都合よく内蔵さ
せて、後にコンデンサを実装させる必要がなくなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】感光性高誘電体組成物からなる高誘電体膜を絶
縁膜として含む多層回路基板を示す断面図である。

【図２】高誘電体膜のパターン化に用いるガラスマスク
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第１の導体パターン ２ａ 電極 ２ｂ 接続パッド ３ 高誘電体膜（絶縁膜） ３ａ ビアホール ４ 第２の導体パターン ４ａ 電極 ４ｂ ビアホール導体部 ５ ガラスマスク ５ａ 不透過部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 299/00 Ｃ０８Ｆ 299/00 Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ Ｇ０３Ｆ 7/004 ５０１ 7/027 ５０２ 7/027 ５０２ 7/028 7/028 7/40 ５０１ 7/40 ５０１ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０ Ｈ０５Ｋ 1/03 ６１０Ｐ ６１０Ｒ ６１０Ｓ 1/16 1/16 Ｄ 3/46 3/46 Ｔ Ｑ Ｎ (72)発明者 町田 裕幸 神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番 １号 富士通株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド
   樹脂と、このポリイミド前駆体又はポリアミドイミド樹
   脂を溶解させるための有機溶媒と、重合性不飽和二重結
   合を少なくとも２つ有するアクリル系モノマ又はオリゴ
   マと、このアクリル系モノマ又はオリゴマの光反応によ
   る重合を起こさせるための光反応開始剤と、誘電体粉末
   と、を含むことを特徴とする、感光性高誘電体組成物。
2. 【請求項２】 上記アクリル系モノマ又はオリゴマは上
   記ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド樹脂１００重
   量部に対して３０〜３００重量部含まれており、上記誘
   電体粉末は上記ポリイミド前駆体又はポリアミドイミド
   樹脂１００重量部に対して１００〜８００重量部含まれ
   ていることを特徴とする、請求項１に記載の感光性高誘
   電体組成物。
3. 【請求項３】 上記誘電体粉末はチタン酸バリウム、チ
   タン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウムなどのペロ
   ブスカイト型構造の金属酸化物粉末であり、その平均粒
   径は０．１〜３μｍであることを特徴とする、請求項１
   に記載の感光性高誘電体組成物。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかに記載の感光性
   高誘電体組成物を基板に塗布して高誘電体膜を形成し、
   この高誘電体膜のうちの選択領域に紫外線を照射して上
   記アクリル系モノマ又はオリゴマを重合させてアクリル
   系ポリマとし、次いで上記高誘電体膜のうちの上記選択
   領域以外の領域における上記ポリイミド前駆体又はポリ
   アミドイミド樹脂、及び未重合の上記アクリル系モノマ
   又はオリゴマを現像液により上記誘電体粉末とともに溶
   解除去し、さらに熱処理を行って上記有機溶媒及び現像
   液を蒸発除去し、上記ポリイミド前駆体を用いる場合に
   は上記ポリイミド前駆体をポリイミド樹脂に変換する、
   各工程を含み、これにより残存する高誘電体膜中にポリ
   イミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂、アクリル系ポリ
   マ及び誘電体粉末を共存させることを特徴とする、感光
   性高誘電体膜のパターン形成方法。
5. 【請求項５】 基板と、この基板の表面に形成された第
   １の導体パターンと、この第１の導体パターンを覆うよ
   うに上記基板の表面に形成された絶縁膜と、この絶縁膜
   の表面に形成された第２の導体パターンと、を少なくと
   も含み、上記第１の導体パターンと第２の導体パターン
   とが上記絶縁膜に形成されたビアホールを介して電気的
   に接続された構成の多層回路基板において、上記絶縁膜
   は請求項４のパターン形成方法により上記ビアホールが
   形成されるようにパターン化された高誘電体膜であって
   ポリイミド樹脂又はポリアミドイミド樹脂、アクリル系
   ポリマ、及び誘電体粉末を共存含有しており、上記第１
   の導体パターンと第２の導体パターンとが上記絶縁膜を
   挟んで対面する少なくとも１対の電極を備えることによ
   りコンデンサを構成していることを特徴とする、コンデ
   ンサ内蔵型多層回路基板。