JP2000339212A - 不揮発性メモリのデータ変更方法 - Google Patents
不揮発性メモリのデータ変更方法Info
- Publication number
- JP2000339212A JP2000339212A JP15292999A JP15292999A JP2000339212A JP 2000339212 A JP2000339212 A JP 2000339212A JP 15292999 A JP15292999 A JP 15292999A JP 15292999 A JP15292999 A JP 15292999A JP 2000339212 A JP2000339212 A JP 2000339212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- block
- data
- nonvolatile memory
- rewritten
- memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 例えば装置出荷時の設定情報や、装置固有の
パラメータ等は１バイト又は１ワードというような単位
で書き込み・消去が必要であるため、電気的に１バイト
ずつ書き込み・消去が可能なＥＥＰＲＯＭ（Electrical
ly Erasable andProgrammable Read Only Memory）に記
憶されるのが一般的であった。 【解決手段】 書き換え命令とデータが入力ポート１か
ら来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロック
をフラッシュＲＯＭ４から読み込み、ＣＰＵ３を介して
バッファＲＡＭ２に退避のため書き込み、今、読み込ん
だフラッシュＲＯＭ４内のブロックを消去する。次に、
バッファＲＡＭ２内の目的アドレスのデータを新しいデ
ータに書き換え、１ブロック分をまとめてフラッシュＲ
ＯＭ４に書き込む。すると、実際にはブロック全体を書
き換えているものの、見かけ上は書き換えるべきデータ
をバイト／ワード単位で書き換えたように見える。
パラメータ等は１バイト又は１ワードというような単位
で書き込み・消去が必要であるため、電気的に１バイト
ずつ書き込み・消去が可能なＥＥＰＲＯＭ（Electrical
ly Erasable andProgrammable Read Only Memory）に記
憶されるのが一般的であった。 【解決手段】 書き換え命令とデータが入力ポート１か
ら来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロック
をフラッシュＲＯＭ４から読み込み、ＣＰＵ３を介して
バッファＲＡＭ２に退避のため書き込み、今、読み込ん
だフラッシュＲＯＭ４内のブロックを消去する。次に、
バッファＲＡＭ２内の目的アドレスのデータを新しいデ
ータに書き換え、１ブロック分をまとめてフラッシュＲ
ＯＭ４に書き込む。すると、実際にはブロック全体を書
き換えているものの、見かけ上は書き換えるべきデータ
をバイト／ワード単位で書き換えたように見える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電源を切っても内
容が保存される不揮発性メモリのデータ変更方法に関す
る。
容が保存される不揮発性メモリのデータ変更方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一度記憶したら電源を切っても内容が保
存される不揮発性メモリの一種としてフラッシュメモリ
（flash memory）が知られている。フラッシュメモリ
は、あるまとまった単位、例えば１２８バイトのブロッ
ク単位で消去されるか、あるいは全内容を一括消去さ
れ、１バイト又は１ワードずづ消去／書き込みができな
いため、ファームウェアとしてのプログラムを記憶して
いる機器組込用のＲＯＭとして使う場合は、プログラム
のバージョンアップという用途でしか書き込み機能が使
えない。
存される不揮発性メモリの一種としてフラッシュメモリ
（flash memory）が知られている。フラッシュメモリ
は、あるまとまった単位、例えば１２８バイトのブロッ
ク単位で消去されるか、あるいは全内容を一括消去さ
れ、１バイト又は１ワードずづ消去／書き込みができな
いため、ファームウェアとしてのプログラムを記憶して
いる機器組込用のＲＯＭとして使う場合は、プログラム
のバージョンアップという用途でしか書き込み機能が使
えない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記プログ
ラムの実行により所定の動作を行う装置では、例えば装
置出荷時の設定情報や、装置固有のパラメータ等の固有
のデータを保存する必要がある。これらの設定情報やデ
ータ等は１バイト又は１ワードというような単位で書き
込み・消去が必要であるため、電気的に１バイトずつ書
き込み・消去が可能なＥＥＰＲＯＭ（Electrically Era
sable and Programmable Read Only Memory）に記憶さ
れるのが一般的であった。装置に記憶部として上記フラ
ッシュＲＯＭの他、ＥＥＰＲＯＭをつけるのでは、回路
も複雑になり、基板面積も大きくなってしまう。
ラムの実行により所定の動作を行う装置では、例えば装
置出荷時の設定情報や、装置固有のパラメータ等の固有
のデータを保存する必要がある。これらの設定情報やデ
ータ等は１バイト又は１ワードというような単位で書き
込み・消去が必要であるため、電気的に１バイトずつ書
き込み・消去が可能なＥＥＰＲＯＭ（Electrically Era
sable and Programmable Read Only Memory）に記憶さ
れるのが一般的であった。装置に記憶部として上記フラ
ッシュＲＯＭの他、ＥＥＰＲＯＭをつけるのでは、回路
も複雑になり、基板面積も大きくなってしまう。
【０００４】本発明は、上記実情に鑑みてなされたもの
であり、上記フラッシュＲＯＭのような不揮発性メモリ
に装置固有のデータを保存させることができ、装置が簡
略化できるデータ書き換え方法の提供を目的とする。
であり、上記フラッシュＲＯＭのような不揮発性メモリ
に装置固有のデータを保存させることができ、装置が簡
略化できるデータ書き換え方法の提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係る不揮発性メ
モリのデータ変更方法は、上記課題を解決するために、
不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも１
ブロックをバッファメモリに読み込む読み込み工程と、
上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少な
くとも１ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換
え工程と、上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えら
れた少なくとも１ブロックを上記不揮発性メモリに戻す
工程とを備える。
モリのデータ変更方法は、上記課題を解決するために、
不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含む少なくとも１
ブロックをバッファメモリに読み込む読み込み工程と、
上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少な
くとも１ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換
え工程と、上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えら
れた少なくとも１ブロックを上記不揮発性メモリに戻す
工程とを備える。
【０００６】すなわち、不揮発性メモリの書き換え対象
箇所を含む少なくとも１ブロックをバッファメモリに読
み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性メモ
リに戻す。
箇所を含む少なくとも１ブロックをバッファメモリに読
み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性メモ
リに戻す。
【０００７】従来、機器組み込みのファームウェアのプ
ログラムメモリとしてフラッシュＲＯＭを使う場合、プ
ログラムのバージョンアップという用途でしか書き換え
機能が使われないが、フラッシュＲＯＭが持つブロック
単位での消去／書き込みと装置の持つバッファＲＡＭを
利用して、ＥＥＰＲＯＭのようにバイト或いはワード単
位で装置固有のデータを保存することができる。
ログラムメモリとしてフラッシュＲＯＭを使う場合、プ
ログラムのバージョンアップという用途でしか書き換え
機能が使われないが、フラッシュＲＯＭが持つブロック
単位での消去／書き込みと装置の持つバッファＲＡＭを
利用して、ＥＥＰＲＯＭのようにバイト或いはワード単
位で装置固有のデータを保存することができる。
【０００８】また、プログラム的に書き換え禁止のブロ
ックを作っておき、そこに書き換えプログラムを用意し
ておくことで、他のプログラムＲＯＭを持たなくともフ
ラッシュＲＯＭ自身で書き換えることが可能となる。
ックを作っておき、そこに書き換えプログラムを用意し
ておくことで、他のプログラムＲＯＭを持たなくともフ
ラッシュＲＯＭ自身で書き換えることが可能となる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。この実施の形態は、プ
ログラムＲＯＭとして不揮発性メモリの一種であるフラ
ッシュＲＯＭを用いた図１に示すマイクロコンピュータ
を積んだ装置である。
て図面を参照しながら説明する。この実施の形態は、プ
ログラムＲＯＭとして不揮発性メモリの一種であるフラ
ッシュＲＯＭを用いた図１に示すマイクロコンピュータ
を積んだ装置である。
【００１０】内部にＲＯＭ／ＲＡＭ５を備えた中央演算
処理装置（ＣＰＵ）３には、入力ポート１と、バッファ
ＲＡＭ２とフラッシュＲＯＭ４が接続されている。
処理装置（ＣＰＵ）３には、入力ポート１と、バッファ
ＲＡＭ２とフラッシュＲＯＭ４が接続されている。
【００１１】書き換え命令とデータが入力ポート１から
来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロックを
フラッシュＲＯＭ４から読み込み、ＣＰＵ３を介してバ
ッファＲＡＭ２に退避のため書き込み、今、読み込んだ
フラッシュＲＯＭ４内のブロックを消去する。
来ると、プログラムは目的のアドレスを含むブロックを
フラッシュＲＯＭ４から読み込み、ＣＰＵ３を介してバ
ッファＲＡＭ２に退避のため書き込み、今、読み込んだ
フラッシュＲＯＭ４内のブロックを消去する。
【００１２】次に、バッファＲＡＭ２内の目的アドレス
のデータを新しいデータに書き換え、１ブロック分をま
とめてフラッシュＲＯＭ４に書き込む。すると、実際に
はブロック全体を書き換えているものの、見かけ上は書
き換えるべきデータをバイト／ワード単位で書き換えた
ように見える。
のデータを新しいデータに書き換え、１ブロック分をま
とめてフラッシュＲＯＭ４に書き込む。すると、実際に
はブロック全体を書き換えているものの、見かけ上は書
き換えるべきデータをバイト／ワード単位で書き換えた
ように見える。
【００１３】図２及び図３を用いて詳細な動作を説明す
る。入力ポート１から書き換え命令とデータが供給され
ると、先ず、図２のステップＳ１にて、書き込むべきア
ドレスとデータをＣＰＵ３のレジスタに例えば１６ビッ
ト単位でストアする。
る。入力ポート１から書き換え命令とデータが供給され
ると、先ず、図２のステップＳ１にて、書き込むべきア
ドレスとデータをＣＰＵ３のレジスタに例えば１６ビッ
ト単位でストアする。
【００１４】次に、ステップＳ２で図３に示すように目
的アドレスを含む１ブロックをフラッシュＲＯＭ４から
バッファＲＡＭ２へ読み込む。そして、ステップＳ３で
フラッシュＲＯＭ４内の上記１ブロックを消去する。
的アドレスを含む１ブロックをフラッシュＲＯＭ４から
バッファＲＡＭ２へ読み込む。そして、ステップＳ３で
フラッシュＲＯＭ４内の上記１ブロックを消去する。
【００１５】次に、ステップＳ４においてバッファＲＡ
Ｍ２内で書き込むべきアドレスにデータを書き込む。
Ｍ２内で書き込むべきアドレスにデータを書き込む。
【００１６】そして、ステップＳ５でバッファＲＡＭ２
からＣＰＵ３へ１６ビット単位でデータをストアし、ス
テップＳ６でＣＰＵ３からフラッシュＲＯＭ４へデータ
を書き込む。
からＣＰＵ３へ１６ビット単位でデータをストアし、ス
テップＳ６でＣＰＵ３からフラッシュＲＯＭ４へデータ
を書き込む。
【００１７】また、フラッシュＲＯＭ４を書き換える際
にそのプログラム自体が消えないためには、ＣＰＵ３内
部ＲＯＭ／ＲＡＭ５内に、またはフラッシュＲＯＭ４内
のプログラム的に書き換え禁止にされたブロックに格納
する必要がある。
にそのプログラム自体が消えないためには、ＣＰＵ３内
部ＲＯＭ／ＲＡＭ５内に、またはフラッシュＲＯＭ４内
のプログラム的に書き換え禁止にされたブロックに格納
する必要がある。
【００１８】したがって、上記実施の形態によれば、プ
ログラムを格納してあるフラッシュＲＯＭ４でありなが
らＥＥＰＲＯＭのように装置固有のデータを保存するこ
とができる。また、バッファＲＡＭ２を使うことでフラ
ッシュＲＯＭ４の書き込み速度の遅さをカバーすること
ができる。ＥＥＰＲＯＭを付けなくて済むので、装置が
簡略化できる。
ログラムを格納してあるフラッシュＲＯＭ４でありなが
らＥＥＰＲＯＭのように装置固有のデータを保存するこ
とができる。また、バッファＲＡＭ２を使うことでフラ
ッシュＲＯＭ４の書き込み速度の遅さをカバーすること
ができる。ＥＥＰＲＯＭを付けなくて済むので、装置が
簡略化できる。
【００１９】
【発明の効果】本発明では、不揮発性メモリの書き換え
対象箇所を含む少なくとも１ブロックをバッファメモリ
に読み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性
メモリに戻すので、上記フラッシュＲＯＭのような不揮
発性メモリに装置固有のデータを保存させることがで
き、装置を簡略化できる。
対象箇所を含む少なくとも１ブロックをバッファメモリ
に読み込み、必要箇所のみ書き換えてから上記不揮発性
メモリに戻すので、上記フラッシュＲＯＭのような不揮
発性メモリに装置固有のデータを保存させることがで
き、装置を簡略化できる。
【図１】本発明の実施の形態となる装置のブロック図で
ある。
ある。
【図２】上記装置の動作を説明するためのフローチャー
トである。
トである。
【図３】上記装置の動作を説明するための図である。
１ 入力ポート、２ バッファＲＡＭ、３ ＣＰＵ、４
フラッシュＲＯＭ
フラッシュＲＯＭ
Claims (6)
- 【請求項１】 不揮発性メモリの書き換え対象箇所を含
む少なくとも１ブロックをバッファメモリに読み込む読
み込み工程と、 上記読み込み工程でバッファメモリに読み込まれた少な
くとも１ブロックの内の必要箇所のみ書き換える書き換
え工程と、 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換えられた少なく
とも１ブロックを上記不揮発性メモリに戻す工程とを備
えることを特徴とする不揮発性メモリのデータ変更方
法。 - 【請求項２】 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換
えられた少なくとも１ブロックを上記不揮発性メモリに
戻す工程の前に、上記不揮発性メモリ内の上記１ブロッ
クを消去しておく工程を備えることを特徴とする請求項
１記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 - 【請求項３】 上記読み込み工程で上記不揮発性メモリ
の書き換え対象箇所を含む少なくとも１ブロックをバッ
ファメモリに読み込むときには、中央演算処理装置のレ
ジスタに所定ビット単位でデータをストアしながら読み
込むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性メモリの
データ変更方法。 - 【請求項４】 上記書き換え工程で必要箇所のみ書き換
えられた少なくとも１ブロックを上記不揮発性メモリに
戻す工程では、中央演算処理装置のレジスタに所定ビッ
ト単位でデータをストアしながら戻すことを特徴とする
請求項１記載の不揮発性メモリのデータ変更方法。 - 【請求項５】 上記不揮発性メモリの中に書き換え禁止
ブロックを形成し、そのブロックに書き換えプログラム
を格納しておくことを特徴とする請求項１記載の不揮発
性メモリのデータ変更方法。 - 【請求項６】 上記書き換え禁止ブロックは書き換え対
称箇所を含む少なくとも１ブロックとはならないことを
特徴とする請求項５記載の不揮発性メモリのデータ変更
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292999A JP2000339212A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 不揮発性メモリのデータ変更方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15292999A JP2000339212A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 不揮発性メモリのデータ変更方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339212A true JP2000339212A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15551240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15292999A Withdrawn JP2000339212A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 不揮発性メモリのデータ変更方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000339212A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6728164B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flash memory rewrite circuit, semiconductor integrated circuit, memory card having the semiconductor integrated circuit thereof, method of rewriting flash memory and flash memory rewriting program |
| JP2005531842A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | アクサルト・エス・アー | 不揮発性メモリへの書き込み方法およびこの方法を実現するシステム |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15292999A patent/JP2000339212A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6728164B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Flash memory rewrite circuit, semiconductor integrated circuit, memory card having the semiconductor integrated circuit thereof, method of rewriting flash memory and flash memory rewriting program |
| KR100453471B1 (ko) * | 2001-09-26 | 2004-10-20 | 가부시끼가이샤 도시바 | 플래시 메모리 재기입 회로, ｉｃ 카드용 ｌｓｉ,ｉｃ카드, 플래시 메모리 재기입 방법 및 플래시 메모리재기입 프로그램 |
| JP2005531842A (ja) * | 2002-06-28 | 2005-10-20 | アクサルト・エス・アー | 不揮発性メモリへの書き込み方法およびこの方法を実現するシステム |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060801 |