JP2000340361A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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Abstract
さい有機電界発光素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 本発明は、発光層4に用いる有機物が濃
度消光を起すものであり、かつ発光層の膜厚が4nm以
下、あるいは島状に形成された有機電界発光素子であ
る。このような構成によれば、発光効率が高く、様々な
色の発光が可能である有機電界発光素子が容易に提供さ
れる。
Description
各種の表示装置として広範囲に利用される発光素子であ
って、特に低い駆動電圧、高輝度、安定性に優れた有機
電界発光素子に関するものである。
素子にくらべて明るく、鮮明な表示が可能であるため、
旧来多くの研究者によって研究されてきた。
電界発光素子としては、無機材料のZnSを用いた素子
がある。
光のための駆動電圧として200V程度必要であるた
め、広く使用されるには至っていない。
素子である有機電界発光素子は、従来、実用的なレベル
からはほど遠いものであったが、アプライド・フィジッ
クス・レターズ、51巻,913頁,1987年(Ap
plied PhysicsLetters, Vo
l.51, P.913, 1987)で開示されてい
るように、コダック社のC.W.Tangらによって開
発された積層構造素子により、その特性が飛躍的に進歩
した。
を輸送することのできる蛍光体と、正孔を輸送すること
のできる有機物を積層し、両方のキャリヤーを蛍光体中
に注入して発光させることに成功した。
率が向上し、10V以下の電圧で1000cd/m2以
上の発光が得られるようになった。
フィジックス、65巻,3610頁,1989年(J.
Appl.Phys., Vol.65, P.361
0,1989)で開示されているように、1989年に
は同じくコダック社のC.W.Tangらによりゲスト
ホストシステムによる発光層が提案され、素子の発光効
率の向上および多様な発光材料の使用が可能となった。
現在、発光効率が高い有機電界発光素子の多くは、ゲス
トホストシステムによる発光層を用いている。
光効率の向上した素子を得るためには、ゲスト材料であ
る発光材料を1mol%程度の低濃度でホスト材料にド
ープする必要がある。有機電界発光素子では発光層の膜
厚は数十nm程度であり、その形成方法は通常真空蒸着
法を用いている。このため、このような低濃度にドーピ
された薄膜発光層を大面積の基板に均一に形成すること
は困難であり、ゲストホストシステムによる素子の実用
化において大きな問題となっている。
料を通常の方法で発光層として用いても発光効率の良い
有機電界発光素子を得るのは困難である。
高く、様々な色の発光が可能である有機電界発光素子を
容易に提供することを目的とする。
る有機物が濃度消光を起すものであり、かつ発光層の膜
厚が4nm以下、あるいは島状に形成された有機電界発
光素子である。または、発光層に用いる有機物の蛍光寿
命が、電子と正孔の再結合領域に用いられる他の材料の
蛍光寿命より短いものであり、かつ発光層の膜厚が4n
m以下、あるいは島状に形成された有機電界発光素子で
ある。または、発光層に用いる有機物の蛍光寿命が10
ナノ秒以下であり、発光層の膜厚が4nm以下、あるい
は島状に形成された有機電界発光素子である。
く、様々な色の発光が可能である有機電界発光素子が容
易に提供される。
極と、前記一対の電極の間に発光層を少なくとも有する
有機電界発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起
す有機物を含むものであり、かつ前記発光層の膜厚が4
nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子であ
る。濃度消光とは濃度を上げると光らなくなる現象であ
るが、このように濃度消光を起こす有機物を発光層に用
いても、発光層の膜厚を4nm以下にすることで高効率
な電界発光が可能となる。ここで用いられる濃度消光を
起こす発光材料としては、レーザ色素等の各種の蛍光性
有機化合物から選べることができるものであり、特に有
用な発光材料としてはキナクリドン誘導体、クマリン誘
導体、メロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、チア
ゾール誘導体、スチリル誘導体、フラボン誘導体、キノ
リン誘導体、アクリジン誘導体、縮合多環化合物などが
挙げられる。具体的には、N,N'-ジメチルキナクリドン
(以下DMQという)、N,N'-ジフェニルキナクリド
ン、3-(2'-ベンゾチアゾリル)-7-ジエチルアミノク
マリン(以下クマリン6という)、4-ジシアノメチレ
ン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-4H-ピ
ラン(以下DCMという)、ルブレン、ジフェニルテト
ラセン、ペリレンなどが挙げられる。
記一対の電極の間に有機物を含有する発光層と、電子又
は正孔を輸送する電荷輸送層を少なくとも有する有機電
界発光素子であって、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷
輸送層に含まれる材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発
光層の膜厚が4nm以下であることを特徴とする有機電
界発光素子である。このような発光層を設けることによ
り、電荷輸送層で電子と正孔が再結合して生成する励起
子のエネルギーを発光層の材料に効率良く移すことがで
き、発光層から高効率な電界発光を得ることが可能とな
る。ここでいう蛍光寿命とは蛍光強度が初期の1/eに
なるまでの時間を示しており、汎用の蛍光寿命測定装置
により測定されるものである。このような素子の具体例
としては、例えば、発光層に用いる有機物として4-ジ
シアノメチレン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチ
リル)-4H-ピラン(以下DCMという)を用い、電荷輸
送層に用いられる材料としてトリス(8-キノリノール)
アルミニウム(以下Alqという)を用いた例を挙げら
れる。DCMの蛍光寿命は2〜3n秒で、Alqの蛍光
寿命は約12n秒である。なお、電子と正孔が再結合し
て励起子を生成する現象は発光層でも起こりうるのはい
うまでもない。
記一対の電極の間に有機物を含有する発光層を少なくと
も有する有機電界発光素子であって、前記有機物の蛍光
寿命が10n秒以下であり、かつ前記発光層の膜厚が4
nm以下であることを特徴とする有機電界発光素子であ
る。このように発光層に用いる有機物の蛍光寿命を10
n秒以下のものを用いることにより電子と正孔の再結合
により生成した励起子のエネルギーを効率よく発光層に
移すことができ、発光層の膜厚を4nmのとしても効率
良い電界発光を得ることができる。蛍光寿命が10n秒
以下の有機物としては、例えばDCMが挙げられる。D
CMの蛍光寿命は2〜3n秒である。
記一対の電極の間に発光層を少なくとも有する有機電界
発光素子であって、前記発光層が濃度消光を起す有機物
を含むものであり、かつ前記発光層が島状に形成された
ものであることを特徴とする有機電界発光素子である。
このように、濃度消光を起こす有機物を発光層に用いて
も、発光層を島状に形成することで高効率な電界発光が
可能となる。ここで用いられる濃度消光を起こす発光材
料としては、レーザ色素等の各種の蛍光性有機化合物か
ら選べられるものであり、特に有用な発光材料としては
キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、メロシアニン誘
導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、スチリ
ル誘導体、フラボン誘導体、キノリン誘導体、アクリジ
ン誘導体、縮合多環化合物などが挙げられる。具体的に
は、N,N'-ジメチルキナクリドン(DMQ)、N,N'-ジフ
ェニルキナクリドン、3-(2'-ベンゾチアゾリル)-7-
ジエチルアミノクマリン(クマリン6)、4-ジシアノ
メチレン-2-メチル-6-(p-ジメチルアミノスチリル)-
4H-ピラン(DCM)、ルブレン、ジフェニルテトラセ
ン、ペリレンなどが挙げられる。一般に薄膜形成する際
に、極薄膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合
は、膜が島状に形成されている場合が多い。
記一対の電極の間に有機物を含有する発光層と、電子又
は正孔を輸送する電荷輸送層を少なくとも有する有機電
界発光素子であって、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷
輸送層に含まれる材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発
光層が島状に形成されたものであることを特徴とする有
機電界発光素子である。このような発光層を設けること
により、電荷輸送層でのエネルギーを発光層の材料に効
率良く移すことができ、発光層を島状に形成しても発光
層から高効率な電界発光を得ることが可能となる。ここ
でいう蛍光寿命とは蛍光強度が初期の1/eになるまで
の時間を示しており、汎用の蛍光寿命測定装置により測
定されるものである。一般に薄膜形成する際に、極薄
膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合は、膜が島
状に形成されている場合が多い。なお、電子と正孔が再
結合して励起子を生成する現象は発光層でも起こりうる
のはいうまでもない。
記一対の電極の間に有機物を含有する発光層を少なくと
も有する有機電界発光素子であって、前記有機物の蛍光
寿命が10n秒以下であり、かつ前記発光層が島状に形
成されたものであることを特徴とする有機電界発光素子
である。このように発光層に用いる有機物の蛍光寿命を
10n秒以下のものを用いることにより電子と正孔の再
結合により生成した励起子のエネルギーを効率よく発光
層に移すことができ、発光層を島状に形成しても効率良
い電界発光を得ることができる。一般に薄膜形成する際
に、極薄膜、例えば1nm以下の薄膜を作成した場合
は、膜が島状に形成されている場合が多い。
する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、
発光層が前記正孔輸送層と前記電子輸送層の間に設けて
あることを特徴とする有機電界発光素子である。このよ
うに発光層を正孔輸送層と電子輸送層の間に設けること
により、発光層へ注入される正孔と電子のバランスがよ
くなり発光効率の向上がなされる。
送する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有
し、発光層が前記正孔輸送層の中に設けてあることを特
徴とする有機電界発光素子である。このような構成をと
ることにより、正孔輸送層と電子輸送層の界面近傍に多
く存在すると考えられている励起子のエネルギーを効率
良く発光層に移すことができ、正孔輸送層の中に発光層
を設けても高効率発光が可能となる。発光層を設ける位
置は正孔輸送層と電子輸送層の界面に近い方がよい。
輸送する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有
し、発光層が前記電子輸送層の中に設けてあることを特
徴とする有機電界発光素子である。このような構成をと
ることにより、正孔輸送層と電子輸送層の界面近傍に多
く存在すると考えられている励起子のエネルギーを効率
良く発光層に移すことができ、電子輸送層の中に発光層
を設けても高効率発光が可能となる。発光層を設ける位
置は正孔輸送層と電子輸送層の界面に近い方がよいが、
電子輸送層の中に設ける場合は正孔輸送層の中に設ける
場合と違って20nm程度離しても発光層から発光が十
分得られる。
輸送する正孔輸送層及び電子を輸送する電子輸送層を有
し、発光層が、前記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記
正孔輸送層の中、又は前記電子輸送層の中のいずれか複
数の部位に設けてあることを特徴とする有機電界発光素
子である。このように複数の部位に設けることにより励
起子から発光層へのエネルギー移動がさらに効率良く起
こり発光効率の向上がなされる。
正孔ブロック層を設けたことを特徴とする有機電界発光
素子であり、発光層近傍に正孔と電子の再結合領域を限
定することができ発光効率の向上が可能となる。ここで
用いられる正孔ブロック層としては、従来から有機電界
発光素子で用いられているもので良く、トリアゾール誘
導体や8キノリノール誘導体の金属錯体などの有機化合
物や、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物や
酸化アルミなどの無機化合物の超薄膜が挙げられる。具
体的には、3-(4-ビフェニリル)-4-フェニリル-5-タ
ーシャルブチルフェニリル-1,2,4-トリアゾール、ト
リス(8-キノリノール)アルミニウム、LiF、Li2
O、MgF、CaF、SiO、GeOなどが挙げられ
る。
電子ブロック層を設けたことを特徴とする有機電界発光
素子であり、発光層近傍に正孔と電子の再結合領域を限
定することができ発光効率の向上が可能となる。ここで
用いられる電子ブロック層としては、従来から有機電界
発光素子で用いられているもので良く、芳香族アミン化
合物などの有機化合物や、アルカリ金属化合物、アルカ
リ土類金属化合物や酸化物、フッ化物などの無機化合物
の超薄膜が挙げられる。具体的には、LiF、Li2
O、MgF、CaF、SiO、GeOなどが挙げられ
る。
正孔輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第
2の材料の混合層を設けたことを特徴とする有機電界発
光素子である。このように正孔輸送材料と発光材料の混
合層を設けることにより発光材の界面の状態を安定化す
ることができ、特に駆動時の発光安定性を向上させるこ
とが可能となる。
電子輸送層に含まれる第1の材料と発光層に含まれる第
2の材料の混合層を設けたことを特徴とする有機電界発
光素子である。このように電子輸送材料と発光材料の混
合層を設けることにより発光材の界面の状態を安定化す
ることができ、特に駆動時の発光安定性を向上させるこ
とが可能となる。
造になっていることを特徴とした有機電界発光素子であ
り、発光領域の増大により発光効率の向上が可能とな
る。さらに発光層を、それぞれ異なる色を発光する複数
の発光層からなる多層構造にすることが可能であり、こ
れにより複数の発光色を混合して様々な発光色を実現す
ることができる。
色を発光する複数の発光層からなる多層構造を設けるこ
とにより白色発光となることを特徴とした有機電界光素
子であり、高効率の白色発光が可能となる。白色発光の
形成方法としては、青色、緑色、赤色の三原色を発光さ
せるほかにも、青緑色系発光とオレンジ色系発光の混色
を用いるなどさまざまな方法が可能である。
ク状になっていることを特徴とした有機電界発光素子で
あり、発光領域の分割化により発光の安定性が向上す
る。さらに、発光層を複数の色を発光する複数のブロッ
ク領域を設けることができ、複数の発光色を混合するこ
とにより様々な発光色を実現することができる。
する領域からなるブロック状の発光層を設けることによ
り白色発光となることを特徴とした有機電界発光素子で
あり、高効率の白色発光が可能となる。白色発光の形成
方法としては、青色、緑色、赤色の三原色を発光させる
ほかにも、青緑色系発光とオレンジ色系発光の混色する
などさまざまな方法が可能である。また、請求項23に
記載のように、発光層を気相成長法により形成すること
により、4nm以下の発光層の形成や島状の発光層の形
成が容易にできる。気相成長法としては真空蒸着法が最
適である。
りに説明する。
(化1)で示すN,N'-ビス[4'-(N,N'-ジフェニルアミ
ノ)-4-ビフェニリル]-N,N'-ジフェニルベンジジン(以
下TPTという)を、電子輸送材として(化2)で示す
トリス(8-キノリノール)アルミニウム(以下Alqと
いう。)を用い、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、陰極の順に積層した素子の構成を代表的に示すが、
本発明はこの構成に限定されるものではもちろんない。
また、通常は基板上に陽極から陰極の順に積層するが、
これとは逆に基板上に陰極から陽極の順に積層してもよ
い。
態における有機電界発光素子は、図1にその断面図を示
すように、ガラス基板1上に透明電極2としてITO電
極をあらかじめ形成したものの上に、正孔を輸送する正
孔輸送層3、発光現象が起こる発光層4、電子を輸送す
る電子輸送層5、陰極6の順に蒸着して作製した構成を
有する。発光層としては(化3)に示すDCMを用い
た。DCMは濃度消光を起こす有機物である。
ラス基板、TPT、DCM、Alq、アルミニウム及び
リチウムを蒸着装置にセットした。
た後、0.1nm/秒の速度でセットしたTPTを蒸着
し正孔輸送層を50nm形成した。ついで、セットした
発光材のDCMを0.01nm/秒の速度で蒸着し、膜
厚0.2nmの発光層を形成した。次に、電子輸送材の
Alqを0.1nm/秒で蒸着し、膜厚50nmの電子
輸送層を積層した。その後、アルミニウムとリチウムを
それぞれ別の蒸着源より蒸着しアルミニウムとリチウム
の共蒸着層を150nm形成して陰極とした。なお、こ
れらの蒸着はいずれも真空を破らずに連続して行い、膜
厚は水晶振動子によってモニターした。
電極の取り出しを行い、引続き特性測定を行った。ここ
で、得られた素子の発光効率は、発光輝度100cd/
m2の場合の値で定義した。また、駆動寿命は初期輝度
を1000cd/m2として一定電流で駆動したとき
に、輝度が初期の半分の500cd/m2になる間での
時間で定義した。
った。その結果を、以下の(表1)に示す。
光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認
された。
Alqの蛍光寿命は約12n秒である。また、膜厚が1
nm以下の場合、薄膜は島状に形成されている可能性が
高く、その場合も良好な結果が得られているのが(表
1)よりわかる。
態における有機電界発光素子は、図2及び図3にその断
面図を示すように発光層を電子輸送層の中または正孔輸
送層の中に設けた以外は、実施の形態1と同様に有機電
界発光素子を作製し、その特性を評価した。図2及び図
3において、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔
を輸送する正孔輸送層、4は発光現象が起こる発光層、
5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極である。発光
層の位置の詳細は(表2)に示した通りであるが、表中
のX及びYとは図2及び図3に示したように、発光層が
電子輸送層と正孔輸送層の界面からどれだけ離れている
かを示しいる。
光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認
された。発光層を設ける位置としては正孔輸送層と電子
輸送層の間だけでなく、正孔輸送層の中や電子輸送層の
中に設けることも有効であることが確認された。しか
し、発光層を正孔輸送層の中に設けるた場合には、正孔
輸送層と電子輸送層の界面より2nm離れてしまうと電
子輸送層であるAlqからの緑色の発光となりDCMか
らの発光は得られなかった。一方、電子輸送層の中に設
ける場合では、界面から20nm離れたところに設けて
もDCMからのオレンジ色の発光が得られることが確認
された。さらに、発光層を複数の部位に設けることによ
り、発光効率及び駆動寿命が向上したことが確認され
た。
態における有機電界発光素子は、図4にその断面図を示
すように発光層に接して正孔ブロック層または電子ブロ
ック層を設けた以外は、実施の形態1と同様に有機電界
発光素子を作製し、その特性を評価した。図4におい
て、1はガラス基板、2は透明電極、3は正孔を輸送す
る正孔輸送層、4は発光現象が起こる発光層、5は電子
を輸送する電子輸送層、6は陰極、7は電子ブロック
層、8は正孔ブロック層である。正孔または電子ブロッ
ク層としてはLiFおよびトリアゾール誘導体(TA
Z)を用い(表3)に示した構成の素子を作製した。
光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認
された。
態における有機電界発光素子は、図5にその断面図を示
すように発光層に接して正孔輸送層に含まれる正孔輸送
材と発光層に含まれる発光材の混合層、又は電子輸送層
に含まれる電子輸送材と発光材の混合層を設けた以外
は、実施の形態1と同様に有機電界発光素子を作製し、
その特性を評価した。図5において、1はガラス基板、
2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4は発
光現象が起こる発光層、5は電子を輸送する電子輸送
層、6は陰極、9は正孔輸送材と発光材の混合層、10
は電子輸送材と発光材の混合層である。なお、正孔輸送
材(TPT)と発光材(DCM)の混合層は正孔輸送層
と発光層の間に、電子輸送材(Alq)と発光材(DC
M)の混合層は発光層と電子輸送層の間に設けた。また
混合層はそれぞれの材料を1:1になるように共蒸着法
により成膜し、その膜厚は10nmとした。
光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認
された。
態における有機電界発光素子は、発光層にDCMに替え
て(表5)に示す材料を用いて発光層の膜厚を0.2n
mにした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素
子を作製し、その特性を評価した。
光素子は、発光効率、駆動寿命が優れていることが確認
された。
態における有機電界発光素子は、図6及び図7にその断
面図を示すように発光層をその成分を異なる三層の多層
構造とした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光
素子を作製した。図6及び図7において、1はガラス基
板、2は透明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4
aは発光現象が起こる第1の発光層、4bは発光現象が
起こる第2の発光層、4cは発光現象が起こる第3の発
光層、5は電子を輸送する電子輸送層、6は陰極であ
る。各発光層(4a,4b,4c)は図6のように間隔
を設けて形成してもよく、また図7のように積層されて
いてもよい。このように作製した素子の特性を評価した
ところ、良好な結果が得られた。
系、4cを青色系の発光層とすることで白色発光を実現
することができる。さらに、フィルタなどにより白色発
光を再度いくつかの色に分けて用いることも可能であ
る。
態における有機電界発光素子は、図8にその断面図を示
すように発光層をそれぞれ成分の異なる3つのブロック
状とした以外は、実施の形態1と同様に有機電界発光素
子を作製した。図8において、1はガラス基板、2は透
明電極、3は正孔を輸送する正孔輸送層、4dは発光現
象が起こる第1の発光層、4eは発光現象が起こる第2
の発光層、4fは発光現象が起こる第3の発光層、5は
電子を輸送する電子輸送層、6は陰極である。ブロック
状発光層は、リソグラフィ技術及び薄膜加工技術等を用
いて作製した。ブロック状発光層の形状はストライプ状
や格子状等のさまざまな形態をとることができる。図9
(a)に、ストライプ状、図9(b)に格子状の場合
の、発光層の平面構成図の例を示す。図9(a)、
(b)において、4dは発光現象が起こる第1の発光
層、4eは発光現象が起こる第2の発光層、4fは発光
現象が起こる第3の発光層である。このように作製した
素子の特性を評価したところ、良好な結果が得られた。
おいて4dを赤色系、4eを緑色系、4fを青色系の発
光層とすることで白色発光を実現することができる。さ
らに、フィルターなどにより白色発光を再度いくつかの
色に分けて用いることもできる。
率が高く駆動寿命時の輝度の低下が小さい有機電界発光
素子が得られるという有利な効果が得られる。また、様
々な色の発光が可能である有機電界発光素子を容易に得
られることができる。
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
光素子の構成を示す断面図
発光層の平面構成図
Claims (23)
- 【請求項1】 一対の電極と、前記一対の電極の間に発
光層を少なくとも有する有機電界発光素子であって、前
記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであ
り、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下であることを特
徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項2】 一対の電極と、前記一対の電極の間に所
定の有機物を含有する発光層と、電子又は正孔を輸送す
る電荷輸送層を少なくとも有する有機電界発光素子であ
って、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷輸送層に含まれ
る所定の材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層の膜
厚が4nm以下であることを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項3】 一対の電極と、前記一対の電極の間に所
定の有機物を含有する発光層を少なくとも有する有機電
界発光素子であって、前記有機物の蛍光寿命が10n秒
以下であり、かつ前記発光層の膜厚が4nm以下である
ことを特徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項4】 一対の電極と、前記一対の電極の間に発
光層を少なくとも有する有機電界発光素子であって、前
記発光層が濃度消光を起す所定の有機物を含むものであ
り、かつ前記発光層が島状に形成されたものであること
を特徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項5】 一対の電極と、前記一対の電極の間に所
定の有機物を含有する発光層と、電子又は正孔を輸送す
る電荷輸送層を少なくとも有する有機電界発光素子であ
って、前記有機物の蛍光寿命が前記電荷輸送層に含まれ
る材料の蛍光寿命より短く、かつ前記発光層が島状に形
成されたものであることを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項6】 一対の電極と、前記一対の電極の間に所
定の有機物を含有する発光層を少なくとも有する有機電
界発光素子であって、前記有機物の蛍光寿命が10n秒
以下であり、かつ前記発光層が島状に形成されたもので
あることを特徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項7】 正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を輸
送する電子輸送層を有し、発光層が前記正孔輸送層と前
記電子輸送層の間に設けてあることを特徴とする請求項
1、3、4又は6記載の有機電界発光素子。 - 【請求項8】 電荷輸送層が正孔を輸送する正孔輸送層
及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記正
孔輸送層と前記電子輸送層の間に設けてあることを特徴
とする請求項2又は5記載の有機電界発光素子。 - 【請求項9】 正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を輸
送する電子輸送層を有し、発光層が前記正孔輸送層の中
に設けてあることを特徴とする請求項1、3、4又は6
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項10】 電荷輸送層が正孔を輸送する正孔輸送
層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記
正孔輸送層の中に設けてあることを特徴とする請求項2
又は5記載の有機電界発光素子。 - 【請求項11】 正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を
輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記電子輸送層の
中に設けてあることを特徴とする請求項1、3、4又は
6記載の有機電界発光素子。 - 【請求項12】 電荷輸送層が正孔を輸送する正孔輸送
層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が前記
電子輸送層の中に設けてあることを特徴とする請求項2
又は5記載の有機電界発光素子。 - 【請求項13】 正孔を輸送する正孔輸送層及び電子を
輸送する電子輸送層を有し、発光層が、前記正孔輸送層
と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、又は前記電子
輸送層の中のいずれか複数の部位に設けてあることを特
徴とする請求項1、3、4又は6記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項14】 電荷輸送層が正孔を輸送する正孔輸送
層及び電子を輸送する電子輸送層を有し、発光層が、前
記正孔輸送層と電子輸送層の間、前記正孔輸送層の中、
又は前記電子輸送層の中のいずれか複数の部位に設けて
あることを特徴とする請求項2又は5記載の有機電界発
光素子。 - 【請求項15】 発光層に接して正孔ブロック層を設け
たことを特徴とする請求項1ないし14のいずれか記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項16】 発光層に接して電子ブロック層を設け
たことを特徴とする請求項1ないし14のいずれか記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項17】 発光層に接して正孔輸送層に含まれる
第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設
けたことを特徴とする請求項7ないし14のいずれか記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項18】 発光層に接して電子輸送層に含まれる
第1の材料と発光層に含まれる第2の材料の混合層を設
けたことを特徴とする請求項7ないし4のいずれか記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項19】 発光層が多層構造になっていることを
特徴とする請求項1ないし18のいずれか記載の有機電
界発光素子。 - 【請求項20】 それぞれ異なる色を発光する複数の発
光層からなる多層構造を設けることにより白色光を発光
することを特徴とする請求項1ないし18のいずれか記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項21】 発光層がブロック状になっていること
を特徴とする請求項1ないし18のいずれか記載の有機
電界発光素子。 - 【請求項22】 複数の色を発光する領域からなるブロ
ック状の発光層を設けることにより白色発光となること
を特徴とする請求項21に記載の有機電界発光素子。 - 【請求項23】 発光層が気相成長法により形成された
ものであることを特徴とする請求項1ないし22のいず
れか記載の有機電界発光素子。
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002299063A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Japan Science & Technology Corp | 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子 |
| JP2002324673A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| KR100399046B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-09-26 | 한국전자통신연구원 | 유기전기발광소자 및 그 제조방법 |
| KR100467313B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2005-01-24 | 한국전자통신연구원 | 적색 유기 전기발광 화합물 및 그 제조 방법과 전기발광소자 |
| JP2005510025A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ネオビューコロン カンパニー リミテッド | 高発光効率を有する有機発光装置 |
| JP2007027620A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置 |
| WO2008026464A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Élément électroluminescent organique |
| JP2008243958A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US7572522B2 (en) | 2000-12-28 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device |
| CN101241972B (zh) * | 2007-02-09 | 2011-09-14 | 三星电子株式会社 | 显示装置 |
| US8067885B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-11-29 | Sony Corporation | Organic EL device and display |
| US8183586B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-05-22 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device and luminescence apparatus |
| JP2012160476A (ja) * | 2004-07-16 | 2012-08-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子及び照明装置 |
| KR101304903B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2013-09-05 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 발광 표시 장치 |
| US8835911B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-16 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, display, and electronic device |
| US8916854B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-12-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus |
| JP2015504605A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | ポリマー電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2019061973A (ja) * | 2004-05-21 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| WO2026018327A1 (ja) * | 2024-07-17 | 2026-01-22 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子および表示装置 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2347013A (en) * | 1999-02-16 | 2000-08-23 | Sharp Kk | Charge-transport structures |
| US6580213B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method of manufacturing the same |
| TW545080B (en) | 2000-12-28 | 2003-08-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
| TW519770B (en) * | 2001-01-18 | 2003-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| SG118110A1 (en) * | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
| US20020139303A1 (en) * | 2001-02-01 | 2002-10-03 | Shunpei Yamazaki | Deposition apparatus and deposition method |
| TW582121B (en) | 2001-02-08 | 2004-04-01 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| US20030010288A1 (en) * | 2001-02-08 | 2003-01-16 | Shunpei Yamazaki | Film formation apparatus and film formation method |
| US7199515B2 (en) * | 2001-06-01 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting element and light emitting device using the element |
| JP3717879B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2005-11-16 | 三洋電機株式会社 | 発光素子 |
| US20060099448A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-05-11 | Zheng-Hong Lu | Top light-emitting devices with fullerene layer |
| JP4123106B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2008-07-23 | ソニー株式会社 | 有機el素子 |
| CN100534246C (zh) * | 2003-08-22 | 2009-08-26 | 索尼株式会社 | 有机电致发光器件及显示器 |
| US7550915B2 (en) * | 2004-05-11 | 2009-06-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Organic electronic device with hole injection |
| CN101640216B (zh) | 2004-05-21 | 2011-09-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件和发光设备 |
| DE112005002603A5 (de) * | 2004-08-13 | 2007-08-09 | Novaled Gmbh | Schichtanordnung für ein Lichtemittierendes Bauelement |
| JP4496949B2 (ja) * | 2004-12-13 | 2010-07-07 | 株式会社豊田自動織機 | 有機el素子 |
| KR101209040B1 (ko) * | 2005-11-18 | 2012-12-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101270169B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2013-05-31 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 소자 |
| KR100813854B1 (ko) * | 2007-04-23 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 그 제조방법 |
| KR101453874B1 (ko) * | 2008-03-04 | 2014-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 백색 유기발광소자 |
| GB201407606D0 (en) | 2014-04-30 | 2014-06-11 | Cambridge Entpr Ltd | Electroluminescent device |
| US10825996B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-11-03 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable light emitting diodes utilizing quantum-confined layered perovskite emitters |
| CN108550707B (zh) * | 2018-04-12 | 2022-11-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 量子点发光二极管、液晶显示设备 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6368730B1 (en) * | 1997-10-13 | 2002-04-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electroluminescent device |
| JP2000196140A (ja) * | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Sharp Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造法 |
-
1999
- 1999-05-25 JP JP14449799A patent/JP3885412B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-05-24 US US09/577,137 patent/US6831406B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-25 DE DE60032668T patent/DE60032668T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-25 EP EP00304450A patent/EP1056141B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8310147B2 (en) | 2000-12-28 | 2012-11-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device |
| US7572522B2 (en) | 2000-12-28 | 2009-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device |
| US7579089B2 (en) | 2000-12-28 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device |
| KR100399046B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2003-09-26 | 한국전자통신연구원 | 유기전기발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2002324673A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機発光素子および前記素子を用いた表示装置 |
| US7399991B2 (en) | 2001-02-22 | 2008-07-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device and display device using the same |
| US7663149B2 (en) | 2001-02-22 | 2010-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light emitting device and display device using the same |
| JP2002299063A (ja) * | 2001-04-03 | 2002-10-11 | Japan Science & Technology Corp | 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子 |
| JP2005510025A (ja) * | 2001-11-12 | 2005-04-14 | ネオビューコロン カンパニー リミテッド | 高発光効率を有する有機発光装置 |
| KR100467313B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2005-01-24 | 한국전자통신연구원 | 적색 유기 전기발광 화합물 및 그 제조 방법과 전기발광소자 |
| US8067885B2 (en) | 2003-08-22 | 2011-11-29 | Sony Corporation | Organic EL device and display |
| KR101108215B1 (ko) * | 2003-08-22 | 2012-01-31 | 소니 가부시키가이샤 | 유기 el 소자 및 표시장치 |
| JP7065911B2 (ja) | 2004-05-21 | 2022-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2020174052A (ja) * | 2004-05-21 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2019061973A (ja) * | 2004-05-21 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2012160476A (ja) * | 2004-07-16 | 2012-08-23 | Konica Minolta Holdings Inc | 白色有機エレクトロルミネッセンス素子、画像表示素子及び照明装置 |
| JP2007027620A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子、液晶表示装置及び照明装置 |
| WO2008026464A1 (fr) * | 2006-08-30 | 2008-03-06 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Élément électroluminescent organique |
| KR101304903B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2013-09-05 | 한양대학교 산학협력단 | 유기 발광 표시 장치 |
| US8564195B2 (en) | 2007-02-09 | 2013-10-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| CN101241972B (zh) * | 2007-02-09 | 2011-09-14 | 三星电子株式会社 | 显示装置 |
| JP2008243958A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| US8183586B2 (en) | 2009-01-23 | 2012-05-22 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescence device and luminescence apparatus |
| US8835911B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-16 | Seiko Epson Corporation | Light emitting element, light emitting device, display, and electronic device |
| US8916854B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-12-23 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus |
| JP2015504605A (ja) * | 2011-11-28 | 2015-02-12 | ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 | ポリマー電界発光素子およびその製造方法 |
| WO2026018327A1 (ja) * | 2024-07-17 | 2026-01-22 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | 発光素子および表示装置 |
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