JPH09199276A - 有機薄膜el素子 - Google Patents
有機薄膜el素子Info
- Publication number
- JPH09199276A JPH09199276A JP8005493A JP549396A JPH09199276A JP H09199276 A JPH09199276 A JP H09199276A JP 8005493 A JP8005493 A JP 8005493A JP 549396 A JP549396 A JP 549396A JP H09199276 A JPH09199276 A JP H09199276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- organic
- thin film
- electrode
- media
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional [2D] radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/32—Stacked devices having two or more layers, each emitting at different wavelengths
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
素子を用いて、低電圧で高輝度、且つ色バランスの優れ
た合成発光を得る。 【解決手段】 合成発光が得られるように有機発光媒体
を積層した有機薄膜EL素子において、例えば有機赤色
発光媒体3cと有機緑色発光媒体3aを分割するように
半透明陽極4aを設ける。前記電極は隣接する有機発光
媒体の両方に電荷を注入でき、且つ各有機発光媒体から
得られる発光を合成して基板から取り出す。
Description
ー表示等に利用できる有機薄膜EL素子に関する。
anSlyke)らの新しい構成の有機薄膜EL素子の
報告(アプライド・フィジックス・レターズ(Appl
iedPhysics Letters)、51巻、9
13頁、1987年)以来、有機材料と素子化技術の改
良により、種々の発光色を比較的容易に得ることが可能
になった。特に、青、緑、赤の3原色発光が得られるよ
うになったことから、フルカラー素子の開発も進められ
ている。
方法の一つとして、青(B)、赤(R)、緑(G)の発
光材料を積層薄膜化する方法が報告されている(第25
3回蛍光体同学会講演予稿、1頁〜8頁、1994年、
特開平7−142169号公報参照)。前記方法は図4
に示すように基板上に、有機青色発光媒体、有機緑色発
光媒体、有機赤色発光媒体が形成され、一対の電極から
電子と正孔を注入し発光媒体中で電子と正孔が再結合す
ることによって生じる発光を基板側から取り出してい
る。この場合、各発光媒体から生じる発光を合成、すな
わち発光スペクトルを重ね合わせることで白色発光を実
現している。この方法においては、基本的に有機薄膜層
を2次元(平面)方向に素子分離することなく、R,
G,Bのパターンニングはカラーフィルターを用いて行
えるので、有機薄膜はベタの成膜で良いことがこの方法
の利点の一つである。
す別な方法として、有機EL素子(セル)を2枚以上重
ね合わせ、各単位セルにおいて発生した光を合成して取
り出方法が開示されている(特開平7−57873号公
報参照)。この方法を用いると、高解像度の合成発光が
実現できると述べられている。
層が積層された有機薄膜EL素子と複数の有機ELセル
が重なって形成される有機薄膜EL素子においては、比
較的簡単な構造と手法で白色発光やカラー化が実現でき
る。しかし、前記2つの方法では、いずれも発光色の色
バランスの制御が困難であること、発光の駆動電圧が高
くなること、発光効率(光子/電子変換効率、光取り出
し効率)が低いなどの問題がある。
4の従来の素子では輝度バランスを制御するには、発光
材料の含有量を精密に制御する必要があること、電圧に
よって輝度バランスが変動すること、及び同一発光層中
に複数の発光材料が存在するため電荷トラップが生じや
すく低電圧駆動ができない等の欠点を有する。また、図
5のようなセルを複数個重ね合わせる方法で白色発光や
カラー表示を行う場合、セル間の電極の短絡を防ぐため
の絶縁膜層が必要なこと、且つセルが複数個重なってい
るために電極や絶縁膜等による光の透過率が低くなり、
結果として高輝度発光がきわめて困難である。
層された高発光効率の有機薄膜EL素子で、特に高輝度
の白色発光やフルカラー発光を簡単な手法で得るための
素子構成を提供することにある。
解決するために、発光の輝度バランスを制御することが
容易で、しかも発光輝度の高い合成発光及びカラー発光
を得るべく検討した結果、複数の積層された有機発光媒
体の界面に電極を設け、前記電極からは隣接する有機発
光媒体の両方に電荷が注入できるようにすることで、同
一基板状上で比較的容易に合成発光が得られることを見
いだし本発明に至った。
方が透明な対電極によって挟持された複数の積層された
有機発光媒体を有する有機薄膜EL素子において、前記
複数の積層された有機発光媒体の少なくとも一つの界面
に電極を有し、前記電極は隣接する二つの有機発光媒体
の両方に電荷を注入できることを特徴とする有機薄膜E
L素子である。ここで、隣接する二つの有機発光媒体の
両方に電荷を注入する方法としては、対電極と有機発光
媒体の界面に設けられた電極が、負極と正極が交互とな
るように、つまり基板上の電極が正極のとき、基板上の
電極に最も近い界面に設けられた電極は負極、次に積層
される電極は正極となるように電極を設けることで容易
に達成することができる。つまり、積層された有機発光
媒体のうち少なくとも1つを発光させるように素子及び
駆動法に適宜改良を施せば、マトリクス上でカラー表示
を行うことができる。また、有機発光媒体が、本質的に
青色発光、緑色発光、赤色発光をする各層を設け、3つ
の発光媒体を複数個同時に発光させることで基板から白
色等の合成色発光を取り出し、カラーフィルターと組み
合わせてフルカラー表示を行うことも可能である。
体を構成する有機発光層は正孔注入・輸送帯及び/又は
電子注入・輸送帯との積層構造であったり、発光材料単
体又は発光材料と正孔輸送材料及び/又は電子輸送材料
の混合体から形成される多層又は単層構造であってもよ
い。
発光媒体のうち、有機赤色発光媒体3cと有機緑色発光
媒体3bとの間に半透明陽極4aが設けられている。図
2に示す例では、有機青色発光媒体3aと有機緑色発光
媒体3bとの間に半透明陽極4aが設けられている。図
1及び図2において電極4aからは隣接する有機発光媒
体の両方、すなわち図1では有機緑色発光媒体3bと有
機赤色発光媒体3cに、また図2では有機青色発光媒体
3aと有機緑色発光媒体3bの両方に正孔が注入できる
ように素子が構成されている。また、半透明陰極2aと
陰極2cは共通に電源に接続されている。半透明陰極2
aからは有機青色発光媒体3a及び有機緑色発光媒体3
bに、また陰極2cからは有機赤色発光媒体3cに電子
が注入され、電極4aから注入された正孔と再結合して
各有機発光媒体がELを発光する。各有機発光媒体から
かのELは合成され基板を通して取り出すことができ
る。
半透明陰極2aの陰極よりも小さくしておけば有機赤色
発光媒体3cの電子注入効率を他の有機発光媒体への注
入よりも上げることが可能であり、例えば赤色発光の発
光効率が低い材料系を用いても、緑色発光媒体3bと青
色発光媒体3aとの輝度バランスの制御が従来の方法よ
りも簡単になる。また、図1や図2においては光を取り
出す光路中に存在する電極が2個で済み、更に発光セル
を複数個重ねる従来の方法(図5)のように絶縁膜又は
基板を設ける必要はないので光の取り出し効率の低減を
少なくできる利点がある。
内2つが同じ電極対の間に形成されているが、本発明に
おいては図3に示すように、有機発光媒体を分割する電
極を二つ設け、有機赤色発光媒体3c、有機緑色発光媒
体3b及び青色発光媒体3aを独立させれば発光の輝度
バランスの制御がより簡単になる。尚、図1及び図2に
おいては電源が1つで半透明陰極1aと陰極1bが、図
3においては半透明陰極2bと陰極2c及び半透明陽極
4bと半透明陽極4aが共通に接続されているが、電源
を複数個にして各発光媒体に電圧を独立に印加して、輝
度バランスを制御してもよい。
る有機発光媒体の有機薄膜層は真空蒸着法、分子線蒸着
法(MBE法)あるいは溶媒に溶かした溶液のディッピ
ング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バ
ーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方
法で形成することができる。有機発光媒体の発光材料は
特に限定されず、公知の発光材料を適用できる。有機青
色発光媒体を構成する青色発光材料としては、例えば、
米国特許第541671号や米国特許第5294870
号に記載される8−キノリノール及びその誘導体の金属
錯体や前記金属錯体にペリレンやクマリン誘導体をドー
プしたもの、特開平6−9953号公報に示されるジス
チリルアリーレン誘導体及びジスチリルアリーレン誘導
体に蛍光色素をドープしたものなどが性能が優れており
代表として挙げられる。有機緑色発光媒体を形成する発
光材料としては、例えば、トリス(8−キノリノラト)
アルミニウム、キナクリドン誘導体、キサンテン色素、
クマリン誘導体、などが性能が優れており代表として挙
げられる。有機赤色発光媒体を形成する発光材料として
はアジン色素、クマリン誘導体、キサンテン色素、メロ
シアニン色素、アクリジン色素、フタロシアニン色素等
が挙げられる。
は、必要に応じて正孔注入・輸送層を設けることも有効
である。正孔輸送材料としては特に限定されないが、例
えばトリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘
導体、ポルフィリン誘導体、スチルベン誘導体、アリー
ルアミン誘導体などを用いることができる。本発明で
は、発光効率を上げるため、前記正孔輸送層と発光層の
間にブロッキング層を設けることも有効である。前記ブ
ロッキング層は、発光層内で生成した励起子の閉じ込め
と陰極から発光層に注入された電子の閉じ込めを担って
いる。前記ブロッキング層に用いるべく化合物として
は、極度に正孔の注入特性を阻害するものでなければ特
に限定されるものではないが、励起エネルギ−が隣接す
る発光層材料のそれよりも大きいことが望ましい。本発
明においてブロッキング層として適用できる化合物とし
ては、発光効率を低減させない範囲で、例えば公知のト
リフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、
ヒドラゾン誘導体、ブタジエン誘導体、スチリル誘導
体、ピラゾリン誘導体、ベンジジン誘導体などが挙げら
れる。更に、本発明においては正孔輸送層と陽極の間に
正孔注入層を設けることも有効である。正孔注入層は陽
極からの安定な正孔注入を達成すべく導入するものであ
るが、有機薄膜層と陽極の密着性を保持する役目を担う
必要がある(応用物理、第64巻、第12号、1230
頁〜1233頁参照)。本発明において適用できる正孔
注入層は例えば“色素ハンドブック:講談社’86年”
に記載されているスピロ化合物、アゾ化合物、キノン化
合物、インジゴ化合物、ジフェニルメタン化合物、キナ
クリドン化合物、ポリメチン化合物、アクリジン化合
物、ポルフィリン化合物等の縮合多環系の色素が適用で
きる。また、芳香族アミン等の“オーガニック セミコ
ンダクターズ:フェルラック ケミエ社’74年(OR
GANIC SEMICONDUCTORS:VERL
AG CHEMIE’74)”に記載されている低分子
有機P型半導体も適用できる。
輸送帯を発光層と陰極の間に設けても良い。電子注入・
輸送材料は特に限定されるものではないが、8−ヒドロ
キシキノリノール及びその誘導体、オキサジアゾール誘
導体、ジフェニルキノン誘導体、SrO、CaO、Ba
Oなどのアルカリ土類酸化物(特開平6−163158
号公報参照)の適用が可能である。
送帯に注入する役割を担うものであり、4.0eV以上
の仕事関数を有することが効果的である。陽極または半
透明陽極材料の具体例としては、酸化インジウム錫合金
(ITO)、酸化錫(SnO2 )、金、銀、白金、銅等
を含んだ化合物が適用できる。陰極としては、電子輸送
帯又は発光層に電子を注入する目的で、仕事関数の小さ
い材料が好ましく、特に限定されないが、具体的にはイ
ンジウム、アルミニウム、マグネシウム、マグネシウム
−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、
アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−スカンジ
ウム−リチウム合金等が使用できる。半透明な陰極材料
としては特開平6−163158号公報に記載されるI
TOやSnO2 を用い、前記半透明な陰極材料と有機薄
膜層の界面にSrO、CaOなどのアルカリ土類金属酸
化物を0.1〜1nm設ければ効果的な電子注入が達成さ
れる。
属酸化物、金属硫化物、金属沸化物等の無機化合物や公
知の有機化合物から構成される封止層を設ければ大気中
でも長寿命の駆動が保証できる。
るが、白色発光を得るための具体例を示し、比較例と比
較している。
実施例1について説明する。以下に本発明の実施例1に
用いる有機薄膜EL素子の作成手順について説明する。
十分洗浄したガラス基板1上に半透明陰極であるSnO
2 を形成した後、電子注入層であるSrOを0.5nm形
成した。続いてMBE法にて超高真空下、電子輸送層の
トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(以下Alq
と略記)を18nm形成した後、下記の化学式1に示され
るジスチリルビフェニル誘導体(以下DPVBiと略
記)を青色発光のホスト材料として用い、化学式2に示
されるゲスト材料(以下BczVBiと略記)が前記ホ
スト材料に対して3.1モル%含まれるように超高真空
下で35nm成膜し、有機青色発光媒体3aが完成する。
超高真空下35nm形成し、更にAlq上に正孔輸送層と
してN,N’−ビフェニル−N,N’−ビス(α−ナフ
チル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミン
(以下α−NPDと略記)を高真空下にて30nm形成
し、有機緑色発光媒体3bが有機青色発光媒体3aと接
する形で形成される。
極4aを低温プロセスにおいて200nm形成した後、有
機赤色発光媒体3cの正孔輸送層であるα−NPDを高
真空下で40nm形成し、更にAlqをホスト材料として
用い、赤色蛍光色素である4−(ジシアノメチレン)−
2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4
H−ピラン(以下DCMと略記)をゲスト材料として用
い、DCMがAlqに対して1.8モル%含まれるよう
に高真空下で50nm形成し、有機赤色発光媒体3cが形
成される。
モル%含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でR
Fスパッタ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発
させる方法でリチウムが陰極の0.3モル%を占めるよ
うに20nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカン
ジウムが1モル%含まれるアルミニウム合金をアルゴン
ガス中のRFスパッタ法により300nm形成した。
体を有する本発明の実施例1の有機薄膜EL素子が完成
する。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半
透明陰極2aと陰極2cを共通に、また半透明陽極4a
は単独で直流電源に接続して電圧を印加して発光させた
ところ、10Vで約4520cd/m 2 の輝度が得られ
た。図4に示す従来の構造を用いた比較例1と比較する
と輝度が約3.6倍向上している。これは、本発明の有
機薄膜EL素子を用いれば、比較例1に示す従来の素子
よりもキャリヤー注入・輸送効率の向上や発光量子効率
が向上したためと考えられる。また、100cd/m 2
におけるCIE色度座標はX=0.345,Y=0.3
61であり、白色の発光を取り出すことができた。
色発光媒体3aの電子輸送層であるAlqを18nm形成
し、且つAlq上部に正孔輸送性のポリビニルカルバゾ
ール(以下PVKと略記)バインダー中にDPVBiと
BczVBiとがモル比で100:3になるように分散
し、スピンコート法にて有機発光層を35nm形成しする
以外は、実施例1と同様に有機薄膜EL素子を作成し
た。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半透
明陰極2aと陰極2cを共通に、また半透明陽極4aは
単独で直流電源に接続して電圧を印加し発光させたとこ
ろ、10Vで約2860cd/m 2 の輝度が得られた。
比較例2と比較すると輝度が約2.9倍向上している。
また、100cd/m 2 におけるCIE色度座標はX=
0.328,Y=0.381でありほぼ白色の発光を取
り出すことができた。
実施例3について説明する。以下に本発明の実施例3に
用いる有機薄膜EL素子の作成手順について説明する。
十分洗浄したガラス基板1上に半透明陰極であるSnO
2 を形成した後、電子注入層であるSrOを0.5nm形
成した。続いてMBE法にて超高真空下Alqを20nm
形成した後、DPVBiを青色発光のホスト材料として
用い、ゲスト材料であるBczVBiが前記ホスト材料
に対して3.1モル%含まれるように超高真空下で成膜
して45nm形成した。更に正孔輸送層としてのα−NP
Dを高真空下45nm形成した後、銅フタロシアニン(以
下CuPcと略記)を5nm形成し、有機青色発光媒体3
aが完成する。次に、有機青色発光媒体3a上にインジ
ウムと亜鉛からなる半透明陽極4aを低温プロセスにて
形成した。半透明陽極4a上に正孔輸送層としてのα−
NPDを高真空下45nm形成した後、有機緑色発光媒体
3bの有機発光層としてAlqを超高真空下35nm形成
し、更にAlq上に有機赤色発光媒体3cの有機発光層
としてAlqをホスト材料として用い、赤色蛍光色素で
あるDCMをゲスト材料として用い、DCMがAlqに
対して1.8モル%含まれるように高真空下で40nm形
成し、有機緑色発光媒体3bと有機赤色発光媒体3cと
が接する形で設けられる。
モル%含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中でR
Fスパッタ法で蒸発し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発
させる方法でリチウムが陰極の0.3モル%を占めるよ
うに20nm形成した。更に、陰極の保護層としてスカン
ジウムが1モル%含まれるアルミニウム合金をアルゴン
ガス中のRFスパッタ法により300nm形成した。
体を有する本発明の実施例3の有機薄膜EL素子が完成
する。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半
透明陰極2aと陰極2cを共通に、また半透明陽極4a
は単独で直流電源に接続して電圧を印加し発光させたと
ころ、10Vで約4260cd/m 2 の輝度が得られ
た。図4に示す従来の構造を用いた比較例1と比較する
と輝度が約4倍向上している。また、100cd/m 2
におけるCIE色度座標はX=0.355,Y=0.3
78であり白色の発光を取り出すことができた。
色発光媒体3aの電子輸送層であるAlqを20nm形成
し、且つAlq上部にPVKバインダー中にDPVBi
とBczVBiとがモル比で100:3になるように分
散し、スピンコート法にて有機発光層を70nm形成しす
る以外は、実施例3と同様に有機薄膜EL素子を作成し
た。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半透
明陰極2aと陰極2cを共通に、また半透明陽極4aは
単独で直流電源に接続して電圧を印加し発光させたとこ
ろ、10Vで約3060cd/m 2 の輝度が得られた。
比較例2と比較すると輝度が約3.2倍向上している。
また、100cd/m 2 におけるCIE色度座標はX=
0.326,Y=0.370であり、ほぼ白色の発光を
取り出すことができた。
実施例5について説明する。実施例5は有機発光媒体が
半透明電極により3分割されているところが実施例1か
ら実施例4とは異なる。以下に本発明の実施例5に用い
る有機薄膜EL素子の作成手順について説明する。十分
洗浄したガラス基板1上に半透明陽極4bであるITO
を形成した後、正孔注入層としてCuPcを5nm形成
し、更にその上に正孔輸送層であるα−NPDを高真空
下で40nm形成した。次に青色発光のホスト材料として
DPVBiを用い、ゲスト材料(BczVBi)が前記
ホスト材料に対して3.1モル%含まれるように超高真
空下で45nm形成した後、電子輸送層としてAlqを超
高真空下20nm形成し、有機青色発光媒体3aが完成す
る。この有機青色発光媒体3aの上に有機青色発光媒体
3aに電子を注入するための半透明陰極2bとして、S
rOを0.5nm形成した後、更にインジウムと亜鉛から
なる透明電極を積層し、更にその上部にSrOを0.5
nm形成し、有機青色発光媒体3aと有機緑色発光媒体3
bの両方に電子注入可能な半透明陰極2bが完成する。
次に半透明陰極2b上に発光層であるAlqを50nm、
正孔輸送層であるα−NPDを50nm形成し、有機緑色
発光媒体3bが完成する。この有機緑色発光媒体3b上
にインジウムと亜鉛からなる半透明陽極4aを形成し
た。続いて正孔輸送層のα−NPDを高真空下にて30
nm形成し、Alqをホスト材料として用い、赤色蛍光色
素であるDCMをゲスト材料として用い、DCMがAl
qに対して1.8モル%含まれるように高真空下で50
nm形成し、有機赤色発光媒体3cが形成される。最後に
陰極2cとしてスカンジウムが1モル%含まれるアルミ
ニウム合金をアルゴンガス中でRFスパッタ法で蒸発
し、リチウムを抵抗加熱源から蒸発させる方法でリチウ
ムが陰極の0.3モル%を占めるように20nm形成し
た。更に、陰極の保護層としてスカンジウムが1モル%
含まれるアルミニウム合金をアルゴンガス中のRFスパ
ッタ法により300nm形成した。
体を有する本発明の実施例5の有機薄膜EL素子が完成
する。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半
透明陰極2bと陰極2cを共通に、また半透明陽極4a
と4b共通にして直流電源に接続して電圧を印加し発光
させたところ、10Vで約4015cd/m 2 の輝度が
得られた。図5に示す従来の発光セルを重ねた場合の構
造を用いた比較例3と比較すると輝度が約4.7倍向上
している。また、100cd/m 2 におけるCIE色度
座標はX=0.345,Y=0.371であり白色の発
光を取り出すことができた。
半透明電極によって分割されたR,G,Bの発光媒体の
内、少なくとも1つを発光させないように駆動すれば白
色以外の発光を得ることも可能である。
色発光媒体3aとしてPVKバインダー中にDPVBi
とBczVBiとがモル比で100:3になるように分
散し、スピンコート法にて有機発光層を70nm形成し、
その上部に電子輸送層であるAlqを20nm形成する以
外は、実施例5と同様に有機薄膜EL素子を作成した。
以上のようにして作成した有機薄膜EL素子に半透明陰
極2bと陰極2cを共通に、また半透明陽極4aと4b
共通にして直流電源に接続して電圧を印加して発光させ
たところ、10Vで約3140cd/m 2 の輝度が得ら
れた。図5に示す従来の構造を用いた比較例4と比較す
ると輝度が約6倍向上している。これは、本発明の有機
薄膜EL素子を用いることで、比較例4に示す従来の素
子よりも光の取り出し効率が向上したためである。ま
た、100cd/m 2 におけるCIE色度座標はX=
0.344,Y=0.369であり白色発光を取り出す
ことができた。
較例1の有機薄膜EL素子について説明する。十分洗浄
したガラス基板1上に半透明陽極4aであるSnO2 を
形成した後順に、正孔輸送層であるα−NPDを超高真
空下35nm形成し、次に有機青色発光媒体3aとしてD
PVBiを青色発光のホスト材料として用い、ゲスト材
料(BczVBi)が前記ホスト材料に対して3.1モ
ル%含まれるように超高真空下35nm形成した。次に有
機青色発光媒体3a上に有機緑色発光媒体3bとしてA
lqを超高真空下35nm形成し、更にAlq上にAlq
をホスト材料として用い、赤色蛍光色素であるDCMを
ゲスト材料として用い、DCMがAlqに対して1.8
モル%含まれるように高真空下で30nm形成し、有機赤
色発光媒体3cを形成した。最後に、陰極2cとしてス
カンジウムが1モル%含まれるアルミニウム合金をアル
ゴンガス中でRFスパッタ法で蒸発し、リチウムを抵抗
加熱源から蒸発させる方法でリチウムが陰極の0.3モ
ル%を占めるように20nm形成した。更に、陰極の保護
層としてスカンジウムが1モル%含まれるアルミニウム
合金をアルゴンガス中のRFスパッタ法により300nm
形成した。
体が積層された本発明の比較例1の有機薄膜EL素子が
完成する。以上のようにして作成した有機薄膜EL素子
に直流電圧を印加し発光させたところ、10Vで約12
70cd/m 2 の輝度が得られた。また、100cd/
m 2 におけるCIE色度座標はX=0.267,Y=
0.458であり、白色発光は得られなかった。
L素子について説明する。十分洗浄したガラス基板1上
に半透明陽極4aであるSnO2 を形成した後、順に正
孔注入層であるCuPcを25nm形成し、更に有機青色
発光媒体3aとして、PVKバインダー中にDPVBi
とBczVBiとがモル比で100:3になるように分
散し、スピンコート法にて有機発光層を70nm形成しす
る以外は、比較例1と同様に有機薄膜EL素子を作成
し、評価を行った。比較例2で作成した有機薄膜EL素
子に直流電圧を印加し発光させたところ、10Vで約9
70cd/m 2 の輝度が得られた。また、100cd/
m 2 におけるCIE色度座標はX=0.277,Y=
0.450であり、白色発光は得られなかった。
示すように有機発光セルを複数個積層して合成発光を得
るための有機薄膜EL素子を作成した。以下に比較例3
の有機薄膜EL素子の作成方法について説明する。十分
洗浄したガラス基板1上に半透明陽極4bであるITO
を形成した後、正孔注入層として銅フタロシアニン(以
下CuPcと略記)を5nm形成し、更にその上に正孔輸
送層であるα−NPDを高真空下で40nm形成した。次
に青色発光のホスト材料としてDPVBiを用い、ゲス
ト材料(BczVBi)が前記ホスト材料に対して3.
1モル%含まれるように超高真空下で45nm形成した
後、電子輸送層としてAlqを超高真空下20nm形成し
た。その上に半透明陰極2bとして、SrOを0.5nm
形成した後、インジウムと亜鉛からなる透明電極を低温
プロセスにて積層し青色発光を示す第1の有機発光セル
がする。この第1の発光セルの上に第1の発光セルと第
2の発光セルを分離するためにGeOからなる絶縁膜5
を25nm設けた。次に、前記GeO上に第2の有機発光
セルにを形成する。GeO上にインジウムと亜鉛からな
る半透明陽極4aを形成後、正孔輸送層であるα−NP
Dを50nm、発光層であるAlqを50nm形成する。次
に、半透明陰極2bとして、SrOを0.5nm形成した
後、インジウムと亜鉛からなる透明電極を積層し緑色発
光を示す第2の有機発光セルがする。この第2の発光セ
ルの上に第2の発光セルと第3の発光セルを分離するた
めにGeOからなる絶縁膜5を25nm設けた。次に、前
記GeO上に第3の有機発光セルにを形成する。GeO
上にインジウムと亜鉛からなる半透明陽極4aを形成
後、正孔輸送層であるα−NPDを50nm形成し、発光
層としてDCMがAlqに対して1.8モル%含まれる
ようにAlqを高真空下で50nm形成する。最後に陰極
2cとしてスカンジウムが1モル%含まれるアルミニウ
ム合金をアルゴンガス中でRFスパッタ法で蒸発し、リ
チウムを抵抗加熱源から蒸発させる方法でリチウムが陰
極の0.3モル%を占めるように20nm形成した。更
に、陰極の保護層としてスカンジウムが1モル%含まれ
るアルミニウム合金をアルゴンガス中のRFスパッタ法
により300nm形成し、第3の有機発光セルが完成す
る。
た本発明の比較例3の有機薄膜EL素子が完成する。以
上のようにして作成した有機薄膜EL素子のそれぞれの
有機発光セルを直流電源に接続して電圧を印加したとこ
ろ、各発光セルに10V印加したところ約850cd/
m 2 の発光が得られた。100cd/m 2 におけるCI
E色度座標はX=0.286,Y=0.495であり、
白色発光は得られなかった。
の作成方法について説明する。十分洗浄したガラス基板
1上に半透明陽極4bであるITOを形成した後、正孔
注入層としてCuPcを25nm形成し、PVKバインダ
ー中にDPVBiとBczVBiとがモル比で100:
3になるように分散し、スピンコート法にて有機発光層
を70nm形成し、その上部に電子輸送層であるAlqを
20nm形成する以外は比較例3と同様にして有機発光セ
ルが複数個重なってなる有機薄膜EL素子を作成した。
子のそれぞれの有機発光セルを直流電源に接続して電圧
を印加したところ、各は発光セルに10V印加したとこ
ろ約525cd/m 2 の発光が得られた。100cd/
m 2 におけるCIE色度座標はX=0.283,Y=
0.461であり白色発光は得られなかった。
機薄膜EL素子において、有機発光媒体の界面に電極を
設け、前記電極からは隣接する有機発光媒体の両方に電
荷を注入するようにし、各発光媒体の発光強度を電圧で
制御することで、従来の有機発光媒体が積層されてなる
有機薄膜EL素子において困難であった輝度バランスの
制御が容易で且つ低電圧・高輝度の合成発光が得られ
る。また、従来の発光セルを複数個重ねて合成発光を取
り出す方法よりも、光の取り出し効率が改善され、且つ
製造プロセスが簡略化できる。
発光媒体が積層されてなる有機薄膜EL素子の説明図で
ある。
発光媒体が積層されてなる有機薄膜EL素子の説明図で
ある。
発光媒体が積層されてなる有機薄膜EL素子の説明図で
ある。
が積層されてなる従来の有機薄膜EL素子の説明図であ
る。
発光を取り出す従来の有機薄膜EL素子の説明図であ
る。
Claims (5)
- 【請求項1】基板上に少なくとも一方が透明な対電極に
よって挟持された複数の積層された有機発光媒体を有す
る有機薄膜EL素子において、前記複数の積層された有
機発光媒体の少なくとも一つの界面に電極を有し、前記
電極は隣接する二つの有機発光媒体の両方に電荷を注入
できることを特徴とする有機薄膜EL素子。 - 【請求項2】対電極と有機発光媒体の界面に設けられた
電極が、負極と正極が交互となるように設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の有機薄膜EL素子。 - 【請求項3】有機発光媒体が、本質的に青色発光、緑色
発光、赤色発光をする各層を有することを特徴とする請
求項1または2記載の有機薄膜EL素子。 - 【請求項4】有機発光媒体が少なくとも1つの有機発光
層と、正孔注入・輸送帯及び/又は電子注入・輸送帯と
の積層構造であることを特徴とする請求項1ないし3記
載の有機EL素子。 - 【請求項5】有機発光媒体のうち少なくとも1つが正孔
輸送又は電子輸送性のバインダー中に発光材料を分散さ
せた発光層を少なくとも1層有することを特徴とする請
求項1ないし3記載の有機薄膜EL素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00549396A JP4477150B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 有機薄膜el素子 |
| US08/784,791 US5837391A (en) | 1996-01-17 | 1997-01-16 | Organic electroluminescent element having electrode between two fluorescent media for injecting carrier thereinto |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00549396A JP4477150B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 有機薄膜el素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09199276A true JPH09199276A (ja) | 1997-07-31 |
| JP4477150B2 JP4477150B2 (ja) | 2010-06-09 |
Family
ID=11612771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00549396A Expired - Lifetime JP4477150B2 (ja) | 1996-01-17 | 1996-01-17 | 有機薄膜el素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5837391A (ja) |
| JP (1) | JP4477150B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1116677A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
| JPH11111456A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 多重型多色発光有機電界発光素子 |
| JP2000029404A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
| JP2000221578A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Minolta Co Ltd | ファインダー画面内表示装置、ファインダー及び光学機器 |
| JP2000238325A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-05 | Futaba Corp | 有機elプリントヘッド |
| JP2000340364A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Tdk Corp | 有機el素子 |
| JP2001035661A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層有機発光素子 |
| KR20020004214A (ko) * | 2000-07-04 | 2002-01-16 | 박원석 | 유기 전계 발광 표시 패널을 이용한 램프 |
| US6468676B1 (en) | 1999-01-02 | 2002-10-22 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device |
| JP2002313562A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| JP2003303683A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| WO2004068911A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置 |
| JP2004227814A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機発光装置及びその製造方法 |
| JP2004327248A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子 |
| JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
| JP2005251398A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2005531552A (ja) * | 2002-05-07 | 2005-10-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 新たな有機発光化合物及びこれを利用した有機発光素子 |
| JP2006013491A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-12 | Canon Inc | 有機双安定素子を用いた不揮発性メモリ |
| JPWO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2006-07-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| WO2010005108A1 (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electro-luminescent display apparatus and imaging apparatus including the same |
| WO2010013644A1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for manufacturing same |
| JP2010526332A (ja) * | 2007-04-24 | 2010-07-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光表示装置およびその駆動方法 |
| US7772760B2 (en) | 2003-09-23 | 2010-08-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device |
| JP2012009185A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
| JP2013232442A (ja) * | 2004-05-21 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| WO2014200067A1 (ja) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 |
| JP2017199693A (ja) * | 2010-11-19 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
Families Citing this family (118)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079297A (ja) * | 1996-07-09 | 1998-03-24 | Sony Corp | 電界発光素子 |
| US6337492B1 (en) * | 1997-07-11 | 2002-01-08 | Emagin Corporation | Serially-connected organic light emitting diode stack having conductors sandwiching each light emitting layer |
| JP3847483B2 (ja) | 1998-04-30 | 2006-11-22 | 富士写真フイルム株式会社 | 特定のビニルシラン化合物およびそれを含有する有機発光素子、および、ビニルシラン化合物の製造方法。 |
| JP2000075836A (ja) * | 1998-09-02 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 有機el発光装置とその駆動方法 |
| JP3287344B2 (ja) * | 1998-10-09 | 2002-06-04 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
| JP3865996B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2007-01-10 | 富士フイルムホールディングス株式会社 | 特定のシラン化合物及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。 |
| JP2000290284A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 特定のシラン化合物、合成法、及びそれらからなる発光素子材料、及び、それを含有する発光素子。 |
| WO2000065881A2 (en) * | 1999-04-23 | 2000-11-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device |
| DE19934963B4 (de) * | 1999-07-26 | 2004-04-29 | Giesecke & Devrient Gmbh | Display für Chipkarten |
| JP3589960B2 (ja) | 1999-09-16 | 2004-11-17 | 株式会社デンソー | 有機el素子 |
| KR100721656B1 (ko) | 2005-11-01 | 2007-05-23 | 주식회사 엘지화학 | 유기 전기 소자 |
| GB0028439D0 (en) * | 2000-11-21 | 2001-01-10 | South Bank Univ Entpr Ltd | Elecroluminescent device |
| SG138466A1 (en) * | 2000-12-28 | 2008-01-28 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device |
| JP2002216977A (ja) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
| SG118110A1 (en) * | 2001-02-01 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting element and display device using the element |
| JP4292245B2 (ja) * | 2001-02-05 | 2009-07-08 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光体、発光素子、及び発光表示装置 |
| EP1390962B2 (en) * | 2001-05-16 | 2023-07-05 | The Trustees Of Princeton University | High efficiency multi-color electro-phosphorescent oleds |
| US6657378B2 (en) * | 2001-09-06 | 2003-12-02 | The Trustees Of Princeton University | Organic photovoltaic devices |
| US7956349B2 (en) * | 2001-12-05 | 2011-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor element |
| KR20030069707A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100844004B1 (ko) * | 2002-03-15 | 2008-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자용 투명 도전막의 제조 방법 |
| US6770502B2 (en) * | 2002-04-04 | 2004-08-03 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing a top-emitting OLED display device with desiccant structures |
| EP1367659B1 (en) * | 2002-05-21 | 2012-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic field effect transistor |
| TW200402012A (en) * | 2002-07-23 | 2004-02-01 | Eastman Kodak Co | OLED displays with fiber-optic faceplates |
| TWI272874B (en) * | 2002-08-09 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Organic electroluminescent device |
| US6747618B2 (en) | 2002-08-20 | 2004-06-08 | Eastman Kodak Company | Color organic light emitting diode display with improved lifetime |
| JP2004087175A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイ素子及び情報端末 |
| US6831407B2 (en) * | 2002-10-15 | 2004-12-14 | Eastman Kodak Company | Oled device having improved light output |
| EP1418634A1 (de) * | 2002-11-06 | 2004-05-12 | Samsung SDI Co. Ltd. | Display auf Basis organischer, lichtemittierender Bauelemente (OLED) mit niederohmigem Kathodenkontakt |
| US6891326B2 (en) * | 2002-11-15 | 2005-05-10 | Universal Display Corporation | Structure and method of fabricating organic devices |
| CN100580753C (zh) * | 2002-11-29 | 2010-01-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置和电子装置 |
| US7230594B2 (en) | 2002-12-16 | 2007-06-12 | Eastman Kodak Company | Color OLED display with improved power efficiency |
| US7052351B2 (en) * | 2002-12-31 | 2006-05-30 | Eastman Kodak Company | Using hole- or electron-blocking layers in color OLEDS |
| US6936961B2 (en) * | 2003-05-13 | 2005-08-30 | Eastman Kodak Company | Cascaded organic electroluminescent device having connecting units with N-type and P-type organic layers |
| US6987355B2 (en) * | 2003-06-11 | 2006-01-17 | Eastman Kodak Company | Stacked OLED display having improved efficiency |
| US7511421B2 (en) * | 2003-08-25 | 2009-03-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Mixed metal and organic electrode for organic device |
| US7816863B2 (en) * | 2003-09-12 | 2010-10-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for manufacturing the same |
| US7221332B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-05-22 | Eastman Kodak Company | 3D stereo OLED display |
| KR100712098B1 (ko) * | 2004-01-13 | 2007-05-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 발광 유기전계발광소자 및 그를 구비하는유기전계발광표시장치 |
| JP2005243549A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sony Corp | 表示素子および表示装置並びに撮像装置 |
| US7629695B2 (en) * | 2004-05-20 | 2009-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Stacked electronic component and manufacturing method thereof |
| US7227305B2 (en) * | 2004-06-18 | 2007-06-05 | General Electric Company | Stacked organic electroluminescent devices |
| US7449830B2 (en) | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having improved luminance stability |
| US7449831B2 (en) * | 2004-08-02 | 2008-11-11 | Lg Display Co., Ltd. | OLEDs having inorganic material containing anode capping layer |
| US20060062899A1 (en) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Eastman Kodak Company | Method of discontinuous stripe coating |
| US9040170B2 (en) * | 2004-09-20 | 2015-05-26 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device with quinazoline complex emitter |
| CN101027942B (zh) * | 2004-09-24 | 2010-06-16 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光器件 |
| JP4678169B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子及びその製造方法、並びに有機el装置 |
| US7625596B2 (en) * | 2004-12-15 | 2009-12-01 | General Electric Company | Adhesion promoter, electroactive layer and electroactive device comprising same, and method |
| US8633473B2 (en) | 2004-12-28 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | High contrast light emitting device and method for manufacturing the same |
| US20060145599A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-06 | Reza Stegamat | OLEDs with phosphors |
| JP4939809B2 (ja) | 2005-01-21 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US9070884B2 (en) * | 2005-04-13 | 2015-06-30 | Universal Display Corporation | Hybrid OLED having phosphorescent and fluorescent emitters |
| US8057916B2 (en) | 2005-04-20 | 2011-11-15 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with improved performance |
| US20060240281A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | Contaminant-scavenging layer on OLED anodes |
| US8487527B2 (en) | 2005-05-04 | 2013-07-16 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices |
| US7777407B2 (en) * | 2005-05-04 | 2010-08-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting devices comprising a doped triazine electron transport layer |
| US20060265278A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Napster Llc | System and method for censoring randomly generated character strings |
| US7943244B2 (en) | 2005-05-20 | 2011-05-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with metal-organic mixed layer anodes |
| US7728517B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-06-01 | Lg Display Co., Ltd. | Intermediate electrodes for stacked OLEDs |
| US7750561B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-07-06 | Lg Display Co., Ltd. | Stacked OLED structure |
| US7811679B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-10-12 | Lg Display Co., Ltd. | Display devices with light absorbing metal nanoparticle layers |
| US7795806B2 (en) * | 2005-05-20 | 2010-09-14 | Lg Display Co., Ltd. | Reduced reflectance display devices containing a thin-layer metal-organic mixed layer (MOML) |
| US7474048B2 (en) * | 2005-06-01 | 2009-01-06 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
| US7768194B2 (en) * | 2005-06-01 | 2010-08-03 | The Trustees Of Princeton University | Fluorescent filtered electrophosphorescence |
| DE502005003742D1 (de) * | 2005-06-14 | 2008-05-29 | Novaled Ag | Verfahren zum Betreiben eines organischen lichtemittierenden Bauteils und organisches lichtemittierendes Bauteil |
| US8729795B2 (en) | 2005-06-30 | 2014-05-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic device |
| KR20070019495A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100729855B1 (ko) * | 2005-08-19 | 2007-06-18 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 |
| EP1784055A3 (en) * | 2005-10-17 | 2009-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting system |
| US8956738B2 (en) | 2005-10-26 | 2015-02-17 | Global Oled Technology Llc | Organic element for low voltage electroluminescent devices |
| US20070110140A1 (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-17 | Ipwireless, Inc. | Automatic selection of coherent and noncoherent transmission in a wireless communication system |
| US9666826B2 (en) | 2005-11-30 | 2017-05-30 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device including an anthracene derivative |
| US7808177B2 (en) * | 2006-01-16 | 2010-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing |
| WO2007083918A1 (en) | 2006-01-18 | 2007-07-26 | Lg Chem. Ltd. | Oled having stacked organic light-emitting units |
| US20070207345A1 (en) * | 2006-03-01 | 2007-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device including gallium complexes |
| US20070205423A1 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US9118020B2 (en) * | 2006-04-27 | 2015-08-25 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent devices including organic eil layer |
| WO2007130047A1 (en) | 2006-05-08 | 2007-11-15 | Eastman Kodak Company | Oled electron-injecting layer |
| US7579773B2 (en) * | 2006-06-05 | 2009-08-25 | The Trustees Of Princeton University | Organic light-emitting device with a phosphor-sensitized fluorescent emission layer |
| JP4175397B2 (ja) * | 2006-06-28 | 2008-11-05 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
| US7800295B2 (en) * | 2006-09-15 | 2010-09-21 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having a microcavity |
| US8795855B2 (en) | 2007-01-30 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | OLEDs having high efficiency and excellent lifetime |
| TWI333277B (en) * | 2007-05-02 | 2010-11-11 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescence pixel, organic electroluminescence decive, and manufacture method thereof |
| US8034465B2 (en) * | 2007-06-20 | 2011-10-11 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers |
| US20090004485A1 (en) * | 2007-06-27 | 2009-01-01 | Shiying Zheng | 6-member ring structure used in electroluminescent devices |
| WO2009037155A1 (en) * | 2007-09-20 | 2009-03-26 | Basf Se | Electroluminescent device |
| US20090110956A1 (en) * | 2007-10-26 | 2009-04-30 | Begley William J | Oled device with electron transport material combination |
| US8076009B2 (en) | 2007-10-26 | 2011-12-13 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with fluoranthene electron transport materials |
| US8420229B2 (en) * | 2007-10-26 | 2013-04-16 | Global OLED Technologies LLC | OLED device with certain fluoranthene light-emitting dopants |
| US8431242B2 (en) | 2007-10-26 | 2013-04-30 | Global Oled Technology, Llc. | OLED device with certain fluoranthene host |
| US8129039B2 (en) | 2007-10-26 | 2012-03-06 | Global Oled Technology, Llc | Phosphorescent OLED device with certain fluoranthene host |
| US8900722B2 (en) | 2007-11-29 | 2014-12-02 | Global Oled Technology Llc | OLED device employing alkali metal cluster compounds |
| US20090162612A1 (en) * | 2007-12-19 | 2009-06-25 | Hatwar Tukaram K | Oled device having two electron-transport layers |
| US7947974B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-05-24 | Global Oled Technology Llc | OLED device with hole-transport and electron-transport materials |
| US8324800B2 (en) * | 2008-06-12 | 2012-12-04 | Global Oled Technology Llc | Phosphorescent OLED device with mixed hosts |
| US8247088B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-08-21 | Global Oled Technology Llc | Emitting complex for electroluminescent devices |
| EP2161272A1 (en) | 2008-09-05 | 2010-03-10 | Basf Se | Phenanthrolines |
| US7931975B2 (en) * | 2008-11-07 | 2011-04-26 | Global Oled Technology Llc | Electroluminescent device containing a flouranthene compound |
| US8088500B2 (en) | 2008-11-12 | 2012-01-03 | Global Oled Technology Llc | OLED device with fluoranthene electron injection materials |
| US7968215B2 (en) | 2008-12-09 | 2011-06-28 | Global Oled Technology Llc | OLED device with cyclobutene electron injection materials |
| US8216697B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-07-10 | Global Oled Technology Llc | OLED with fluoranthene-macrocyclic materials |
| US8147989B2 (en) * | 2009-02-27 | 2012-04-03 | Global Oled Technology Llc | OLED device with stabilized green light-emitting layer |
| US20100244677A1 (en) * | 2009-03-31 | 2010-09-30 | Begley William J | Oled device containing a silyl-fluoranthene derivative |
| US8206842B2 (en) | 2009-04-06 | 2012-06-26 | Global Oled Technology Llc | Organic element for electroluminescent devices |
| US9028979B2 (en) | 2009-06-18 | 2015-05-12 | Basf Se | Phenanthroazole compounds as hole transporting materials for electro luminescent devices |
| US8288187B2 (en) | 2010-01-20 | 2012-10-16 | Universal Display Corporation | Electroluminescent devices for lighting applications |
| TWI488540B (zh) * | 2010-03-24 | 2015-06-11 | Au Optronics Corp | 白色有機發光二極體 |
| KR101351512B1 (ko) * | 2010-10-25 | 2014-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법 |
| US9425411B2 (en) * | 2012-02-15 | 2016-08-23 | National University Corporation Yamagata University | Organic electroluminescent element |
| WO2014070888A1 (en) | 2012-10-30 | 2014-05-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Organic conductive materials and devices |
| US10236450B2 (en) | 2015-03-24 | 2019-03-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Organic conductive materials and devices |
| CN105810843B (zh) * | 2016-03-15 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发光器件、背光模组及显示装置 |
| CN105977392A (zh) * | 2016-05-24 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 三原色白光oled器件结构及其电致发光器件和显示器件 |
| JPWO2017203788A1 (ja) * | 2016-05-26 | 2019-03-22 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| CN107958962A (zh) * | 2017-11-21 | 2018-04-24 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | Oled器件及其驱动方法、oled基板及其制作方法、显示装置 |
| CN108198945B (zh) * | 2017-12-04 | 2019-10-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种叠层oled器件及其制作方法 |
| CN112424969A (zh) | 2018-05-18 | 2021-02-26 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光元件、发光装置、电子设备及照明装置 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5141671A (en) * | 1991-08-01 | 1992-08-25 | Eastman Kodak Company | Mixed ligand 8-quinolinolato aluminum chelate luminophors |
| US5294870A (en) * | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| JPH069953A (ja) * | 1992-03-04 | 1994-01-18 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3300065B2 (ja) * | 1992-11-13 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3300069B2 (ja) * | 1992-11-19 | 2002-07-08 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP3234936B2 (ja) * | 1993-08-20 | 2001-12-04 | 松下電器産業株式会社 | 有機発光素子および画像表示装置 |
| JP3451680B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2003-09-29 | 三菱化学株式会社 | 有機電界発光素子 |
-
1996
- 1996-01-17 JP JP00549396A patent/JP4477150B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-16 US US08/784,791 patent/US5837391A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1116677A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
| JPH11111456A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-23 | Nippon Steel Chem Co Ltd | 多重型多色発光有機電界発光素子 |
| JP2000029404A (ja) * | 1998-07-10 | 2000-01-28 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法 |
| US6809473B2 (en) | 1999-01-02 | 2004-10-26 | Minolta Co., Ltd. | Organic electro-luminescence display element, finder screen display device, finder and optical device |
| US6468676B1 (en) | 1999-01-02 | 2002-10-22 | Minolta Co., Ltd. | Organic electroluminescent display element, finder screen display device, finder and optical device |
| JP2000221578A (ja) * | 1999-02-01 | 2000-08-11 | Minolta Co Ltd | ファインダー画面内表示装置、ファインダー及び光学機器 |
| JP2000238325A (ja) * | 1999-02-23 | 2000-09-05 | Futaba Corp | 有機elプリントヘッド |
| JP2000340364A (ja) * | 1999-05-25 | 2000-12-08 | Tdk Corp | 有機el素子 |
| JP2001035661A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層有機発光素子 |
| KR20020004214A (ko) * | 2000-07-04 | 2002-01-16 | 박원석 | 유기 전계 발광 표시 패널을 이용한 램프 |
| JP2002313562A (ja) * | 2001-04-16 | 2002-10-25 | Seiko Epson Corp | 発光素子及び発光素子の製造方法 |
| JP2003303683A (ja) * | 2002-04-09 | 2003-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| US7535440B2 (en) | 2002-04-09 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US7604874B2 (en) | 2002-05-07 | 2009-10-20 | Lg Chem, Ltd. | Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same |
| JP2005531552A (ja) * | 2002-05-07 | 2005-10-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 新たな有機発光化合物及びこれを利用した有機発光素子 |
| US7485733B2 (en) | 2002-05-07 | 2009-02-03 | Lg Chem, Ltd. | Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same |
| JP2004227814A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 有機発光装置及びその製造方法 |
| WO2004068911A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 発光装置 |
| US8207665B2 (en) | 2003-01-29 | 2012-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| KR101156971B1 (ko) * | 2003-01-29 | 2012-06-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 |
| US7548022B2 (en) | 2003-01-29 | 2009-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| JPWO2004068911A1 (ja) * | 2003-01-29 | 2006-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| US7199521B2 (en) | 2003-01-29 | 2007-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescence device |
| JPWO2004095892A1 (ja) * | 2003-04-24 | 2006-07-13 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| JP2004327248A (ja) * | 2003-04-24 | 2004-11-18 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機el発光素子 |
| US7772760B2 (en) | 2003-09-23 | 2010-08-10 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Active matrix organic light emitting device |
| JP2005183213A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tohoku Pioneer Corp | 有機el素子及びその形成方法 |
| JP2005251398A (ja) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| JP2015065176A (ja) * | 2004-05-21 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2019061973A (ja) * | 2004-05-21 | 2019-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2013232442A (ja) * | 2004-05-21 | 2013-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
| JP2016028394A (ja) * | 2004-05-21 | 2016-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2020174052A (ja) * | 2004-05-21 | 2020-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
| JP2019057502A (ja) * | 2004-05-21 | 2019-04-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、テレビジョン |
| JP2006013491A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-01-12 | Canon Inc | 有機双安定素子を用いた不揮発性メモリ |
| JP2010526332A (ja) * | 2007-04-24 | 2010-07-29 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光表示装置およびその駆動方法 |
| WO2010005108A1 (en) * | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electro-luminescent display apparatus and imaging apparatus including the same |
| US8629857B2 (en) | 2008-07-11 | 2014-01-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic electro-luminescent display apparatus and imaging apparatus including the same |
| WO2010013644A1 (en) * | 2008-07-31 | 2010-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Organic el display device and method for manufacturing same |
| JP2012009185A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを用いた照明装置 |
| JP2017199693A (ja) * | 2010-11-19 | 2017-11-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| WO2014200067A1 (ja) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 |
| JPWO2014200067A1 (ja) * | 2013-06-13 | 2017-02-23 | コニカミノルタ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、及び、電子機器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5837391A (en) | 1998-11-17 |
| JP4477150B2 (ja) | 2010-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4477150B2 (ja) | 有機薄膜el素子 | |
| CN100470827C (zh) | 层叠有机发光器件结构 | |
| JP4329305B2 (ja) | 有機el素子 | |
| US7977862B2 (en) | Organic light emitting devices | |
| US7279237B2 (en) | OLEDs doped with phosphorescent compounds | |
| KR100733749B1 (ko) | 유기 el 소자 | |
| KR100903918B1 (ko) | 유기 전계발광 소자 및 표시 장치 | |
| JP3589960B2 (ja) | 有機el素子 | |
| JP4011325B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| EP1599074A1 (en) | Organic electroluminescent device | |
| WO2005027586A1 (ja) | 有機el素子および表示装置 | |
| TWI407613B (zh) | 有機電致發光裝置及顯示元件 | |
| US20110147716A1 (en) | Oled with high efficiency blue light-emitting layer | |
| JP2004139819A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子および有機エレクトロルミネッセンス素子を有する表示装置 | |
| JP4578846B2 (ja) | 白色発光素子および発光装置 | |
| WO2006121105A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2001237080A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3744103B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2000268968A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP4915651B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP3910010B2 (ja) | 有機電界発光素子 | |
| JPH08213172A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
| JP2002110365A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用透明電極基板および有機エレクトロルミネッセンス表示素子 | |
| JP2004227943A (ja) | 有機el発光素子およびその製造方法 | |
| JP2006013103A (ja) | 有機電界発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20031211 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20031216 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040316 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20040316 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051004 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071030 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080129 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080201 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080229 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080422 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20080722 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080819 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20080828 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20081003 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081208 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090225 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090812 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090817 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100311 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130319 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140319 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |