JP2000340537A

JP2000340537A - ポリッシング装置及び方法

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Publication number: JP2000340537A
Application number: JP14977899A
Authority: JP
Inventors: Norio Kimura; 憲雄木村
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1999-05-28
Filing date: 1999-05-28
Publication date: 2000-12-08
Anticipated expiration: 2019-05-28
Also published as: JP3853106B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ポリッシング対象物の表面に残存する成膜の
膜厚のばらつきを一定の公差範囲内に収めることができ
るようにしたポリッシング装置及び方法を提供する。【解決手段】研磨面を有したターンテーブル１７と、
半導体ウエハＷを研磨面に押圧するトップリング２６と
を有し、ターンテーブル１７を回転させるとともにトッ
プリング２６を回転させて半導体ウエハＷの表面の成膜
を研磨するポリッシング装置において、研磨中にターン
テーブル１７およびトップリング２６の駆動モータ２
７，２８に供給される電流値を測定する電流値測定部２
７ａ，２８ａと、研磨中のトップリング２６の振動，研
磨中の音，研磨中の摩擦熱等の研磨に伴う半導体ウエハ
Ｗの被研磨面とターンテーブル１７の研磨面との物理的
接触によって生ずる物理量を測定する物理量測定部３
０，３１，３３，３４，３８とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はポリッシング装置及
び方法に係り、特に半導体ウエハ等のポリッシング対象
物の表面に積層した成膜を平坦且つ鏡面状に研磨するに
あたり、残存する成膜（残膜）の膜厚のばらつきを極力
少なくできるようにしたポリッシング装置及び方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が０．５μｍ以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。そこで、半導体ウエハの表面
を平坦化することが必要となるが、この平坦化法の１手
段としてポリッシング装置により研磨（ポリッシング）
することが行われている。

【０００３】従来、この種のポリッシング装置は、各々
独立した回転数で回転する、上面に研磨布を貼り付けた
ターンテーブルと、もしくは上面に研磨面を有する砥石
により構成されるターンテーブルと、トップリングとを
有し、トップリングが所定の圧力をターンテーブルに与
え、ターンテーブルとトップリングとの間にポリッシン
グ対象物を介在させて該ポリッシング対象物の表面を平
坦且つ鏡面に研磨している。

【０００４】上述したポリッシング装置で半導体ウエハ
表面の成膜をポリッシングする際には、ポリッシングの
終点を検出して残存する成膜の膜厚のばらつきを少なく
する必要がある。このため、ポリッシングの終点検知手
段の１つとして、研磨が異材質の物質に移行した際の研
磨摩擦力の変化を検知する方法が知られている。詳しく
は、ポリッシング対象物である半導体ウエハは、半導
体、導体、絶縁体の異なる材質からなる積層構造を有し
ており、異材質間で摩擦係数が異なるため、研磨が異材
質間に移行することによって生じる研磨摩擦力の変化を
検知する方法である。この方法によれば、研磨が異材質
層に達した時がポリッシングの終点となる。

【０００５】ここで、研磨摩擦力の変化は、例えば次の
ように検出される。研磨摩擦力はターンテーブル回転中
心から偏心した位置に作用するため、回転するターンテ
ーブルには負荷トルクとして作用する。このため、研磨
摩擦力はターンテーブルに働くトルクとして検出するこ
とができる。ターンテーブルを回転駆動させる手段が電
動モータの場合には、トルクはモータを流れる電流とし
て測定することができる。このため、モータ電流を電流
計でモニタし、信号処理を施すことによってポリッシン
グの終点が検知される。ポリッシングの終点検知は、電
流値以外にも、例えば、被研磨面から生ずる振動、音、
摩擦熱などの物理量をとらえて行うこともなされてい
た。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体デバ
イスとしての集積度が高まるつれて、ポリッシング後に
残存する成膜の膜厚のばらつきが大きさが問題となる。
例えば、酸化膜形成プロセスにあっては、図４（Ａ）に
示すように、シリコン基板１の表面にトレンチ２を設
け、トレンチ２を除いたシリコン基板１の表面にＳｉＮ
膜３を形成した後、トレンチ２およびＳｉＮ膜３の表面
にＳｉＯ_２膜４を堆積させる。次に、図４（Ｂ）に示す
ように、ＳｉＯ_２膜４の表面を平坦かつ鏡面状に研磨す
る。その後、図４（Ｃ）に示すように、エッチングによ
ってＳｉＮ膜３を除去してシャロー・トレンチ５を形成
し、図４（Ｄ）に示すように、このシャロー・トレンチ
５内に例えばＣｕ等の配線材料６を形成する。ここで、
ポリッシング後に残存するＳｉＮ膜３の膜厚ｔは、一定
の厚さであることが必要であり、このため、ポリッシン
グ後に残存する成膜の膜厚のばらつきを、例えば±２０
０Åといった一定の公差範囲内に収めることが望まれて
いる。

【０００７】しかしながら、従来の方法では、ポリッシ
ング後に残存する成膜の膜厚のばらつきを一定の公差範
囲内に収めようとしても、上述したように、モータ電流
や振動，音，摩擦熱などの物理量をとらえて、ポリッシ
ングの終点を検知してポリッシングを終了しているた
め、この膜厚の制御には限界があり、特に酸化膜プロセ
スにおいては有効なポリッシングの終点検知方法がない
というのが現状であった。

【０００８】本発明は上述の事情に鑑みてなされたもの
で、ポリッシング対象物の表面に残存する成膜の膜厚の
ばらつきを一定の公差範囲内に収めることができるよう
にしたポリッシング装置及び方法を提供することを目的
とする。

【０００９】

【解題を解決するための手段】本発明のポリッシング装
置は、研磨面を有したターンテーブルと、ポリッシング
対象物を前記研磨面に押圧するトップリングとを有し、
ターンテーブルを回転させるとともにトップリングを回
転させてポリッシング対象物表面の成膜を研磨するポリ
ッシング装置において、研磨中にターンテーブルおよび
トップリングの駆動モータに供給される電流値を測定す
る電流値測定部と、研磨中のトップリングの振動，研磨
中の音，研磨中の摩擦熱等の研磨に伴うポリッシング対
象物の被研磨面とターンテーブルの研磨面との物理的接
触によって生ずる物理量を測定する物理量測定部とを備
えたことを特徴とするものである。前記演算部は、前記
成膜の研磨量を推定した後に研磨前の膜厚から残存する
成膜の膜厚を推定可能であることを特徴とする。

【００１０】本発明によれば、測定精度が高く膜厚を測
定できるレンジが非常に狭い膜厚測定器で測定できる膜
厚となるまで、ポリッシング対象物表面の成膜の研磨量
を電流値測定部および物理量測定部からの信号に基づい
て推定しつつ研磨することができる。そして、膜厚測定
器で実際に膜厚を測定した後、所定の膜厚となるように
再度研磨することにより、加工精度を高めて、膜厚のば
らつきを一定の公差範囲内に収めることができる。

【００１１】本発明のポリッシング方法は、研磨面を有
したターンテーブルと、ポリッシング対象物を前記研磨
面に押圧するトップリングとを有し、ターンテーブルを
回転させるとともにトップリングを回転させてポリッシ
ング対象物表面の成膜を研磨するポリッシング方法にお
いて、前記ポリッシング対象物表面の成膜の研磨の状態
をポリッシング中に監視しながら該成膜の研磨量を推定
し該研磨量が所定の値に達するまで１次研磨を行う工程
と、前記１次研磨終了後のポリッシング対象物表面に残
存する成膜の膜厚を測定する工程と、前記残存する膜厚
の測定値を基に２次研磨を行う工程とを備えたことを特
徴とするものである。

【００１２】本発明によれば、測定精度が高く膜厚を測
定できるレンジが非常に狭い膜厚測定器で測定できる膜
厚となるまで１次研磨し、膜厚測定器で実際に膜厚を測
定した後、所定の膜厚となるように再度研磨すること
で、加工精度を高めて、膜厚のばらつきを一定の公差範
囲内に収めることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置及び方法の一実施形態を図１乃至図３に基づいて説
明する。図１は、本発明のポリッシング装置の全体構成
を示す平面図であり、図２は研磨部の構成を示す側面図
であり、図３は半導体ウエハの研磨の一例を示す説明図
である。

【００１４】ポリッシング装置は、研磨部１０、ロード
・アンロード部１１、搬送ロボット１２、３つの洗浄機
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ、及び反転機１４を備えてい
る。搬送ロボット１２は、図１に示すようなレール上を
自走する形式でも、多関節アームの先端にロボットハン
ドを有する固定型でもよい。前記ロード・アンロード部
１１に載置されたウエハカセット５０から搬送ロボット
１２により取り出される半導体ウエハＷの搬送経路に沿
った位置には、膜厚測定器１５を備えた膜厚測定部１６
が配置されている。一方、前記研磨部１０には、上面に
研磨布を有したターンテーブル１７が備えられ、このタ
ーンテーブル１７の側方に、半導体ウエハＷの受け渡し
を行うプッシャ１８と、膜厚測定器１９を備えた膜厚測
定部２０が配置されている。

【００１５】前記膜厚測定器１５は、ポリッシング開始
前に半導体ウエハＷの表面の成膜の膜厚、例えば図３
（Ａ）に示すＳｉＯ_２膜４の膜厚ｔ１を測定するもので
あり、測定できるレンジがかなり広いものが使用されて
いる。一方、膜厚測定器１９は、所定の時間だけ研磨し
た１次研磨後の半導体ウエハＷの表面に残存する成膜の
膜厚、例えば図３（Ｂ）に示すＳｉＮ膜３の膜厚ｔ２を
測定するものであり、測定精度が高く、測定できるレン
ジがかなり狭いものが使用されている。

【００１６】前記洗浄機１３ａは、半導体ウエハＷを取
り囲むように複数の直立したローラ２１を配置し、ロー
ラ２１の頂部に形成した把持溝によって半導体ウエハＷ
の縁部を保持し、ローラ２１の回転によって半導体ウエ
ハＷを回転させる低速回転型の洗浄機である。洗浄機１
３ｂ，１３ｃは、回転軸２２の上端に半導体ウエハＷを
把持するアーム２３が放射状に延びて形成された回転テ
ーブル２４を有する高速回転型の洗浄機である。いずれ
の洗浄機の場合も、半導体ウエハＷの表面に洗浄液等を
供給するノズル、スプラッシュの飛散を防止する周壁及
びミストの拡散を防止するための下降気流を形成するダ
クト等が設けられている。

【００１７】研磨部１０は、図２に示すように、研磨布
２５を上面に貼設した前記ターンテーブル１７と、半導
体ウエハＷを保持し研磨布２５に押圧するとともに半導
体ウエハＷを回転させるトップリング２６と、トップリ
ング２６をターンテーブル１７上で回転駆動するモータ
２７と、ターンテーブル１７を回転駆動するモータ２８
とを備えている。トップリング２６は揺動アーム２９の
自由端側に保持されて揺動可能になっており、ターンテ
ーブル１７とプッシャ１８と膜厚測定部２０にアクセス
できるようになっている。また研磨布２５上には砥液供
給ノズル４１から研磨砥液Ｑが供給できるようになって
いる。また図示しないが、砥石によって構成されるター
ンテーブルの場合には研磨布２５は不要であり、砥石で
構成されたターンテーブル１７上に砥液Ｑもしくは純水
等を供給する構造となっている。

【００１８】前記ターンテーブル１７の上方には、研磨
中における研磨布２５もしくは砥石の表面温度を測定す
る放射温度計３０が配置され、トップリング２６には、
研磨中のトップリング２６の振動を測定する加速度セン
サ３１及び／又は図示しない振幅センサが取付けられて
いる。また、ターンテーブル１７の内部に温調水を供給
する温調水配管３２が配設され、この温調水配管３２の
入口及び出口に温調水の温度を測定する温度計３３，３
４が取付けられている。さらに、トップリング２６の近
傍に、研磨中の騒音を測定する騒音測定器３８が設けら
れている。前記ターンテーブル１７に隣接して配置され
た膜厚測定器１９は、ロボット３５のアーム３５ａの先
端に取付けられている。

【００１９】また、ポリッシング装置には、演算部３６
と追加研磨条件設定部３７が設けられ、演算部３６に前
記膜厚測定器１５および１９の測定値、ターンテーブル
駆動用モータ２８とトップリング駆動用モータ２７を流
れる電流を測定する電流値測定部２７ａ，２８ａからの
電流値、前記放射温度計３０、加速度センサ３１、振幅
センサ、温度計３３，３４及び騒音測定器３８の測定値
が入力される。また追加研磨条件設定部３７に前記膜厚
測定器１９の測定値が入力される。前記放射温度計３
０、加速度センサ３１、振幅センサ、温度計３３，３４
及び騒音測定器３８は物理量測定部を構成している。

【００２０】前記演算部３６は、半導体ウエハＷの表面
の成膜の研磨の状態をポリッシング中に監視しながら該
成膜の研磨量を推定するものである。すなわち、研磨す
る半導体ウエハＷに対する仕事量としては、ターンテー
ブル駆動用モータ２７とトップリング駆動用モータ２８
を流れる電流の電流値の積分値が対応する。またエネル
ギの損失としては、トップリング２６を暴れさせる振
動、音のエネルギとなって逃げる騒音、熱として研磨布
２５の表面またはターンテーブル１７に熱交換された熱
のロスがある。そこで、前記ターンテーブル駆動用モー
タ２７とトップリング駆動用モータ２８を流れる電流の
電流値の積分値を∫f(1)、前記放射温度計３０の測定値
に基づく積分値を∫f(2)、加速度センサ３１の測定値に
基づく積分値を∫f(3)、温度計３３，３４の測定値に基
づく積分値を∫f(4)、騒音測定器３８の測定値に基づく
積分値を∫f(5)とした時、研磨量＝∫f(1)−∫f(2)−∫f(3)−∫f(4)−∫f(5) として、研磨量を推定することができる。

【００２１】そして、演算部３６には、膜厚測定器１５
の測定値が入力される。この膜厚測定器１５は、半導体
ウエハＷの表面の成膜の膜厚をポリッシング前に測定す
るものであり、この測定値から前記推定した研磨量を差
し引くことで、残存する成膜の膜厚が求められる。そし
て、この残存する成膜の膜厚が一定の値に達したとき
に、演算部３６は、ポリッシング装置の制御装置４０に
信号を出力するように構成されている。

【００２２】一方、追加研磨条件設定部３７は、前記膜
厚測定器１９の測定値を基に追加研磨条件を設定するも
のである。すなわち、この追加研磨条件設定部３７に
は、残存させるべき成膜の膜厚が設定値として予め入力
されており、この設定値と膜厚測定器１９の測定値とを
比較することで、例えば追加研磨時間等の追加研磨条件
が設定され、この出力信号がポリッシング装置の制御装
置４０に入力されるように構成されている。

【００２３】次に、上述した構成のポリッシング装置に
よるポリッシング動作について説明する。図３は、ポリ
ッシング対象物である半導体ウエハＷの断面図を示すも
のであり、図３（Ａ）に示すように、シリコン基板１の
表面にトレンチ２を設け、該トレンチ２を除いたシリコ
ン基板１の表面にＳｉＮ膜３を形成した後、トレンチ２
およびＳｉＮ膜３の表面にＳｉＯ_２膜４を堆積させた半
導体ウエハＷがウエハカセット５０に収容されている。

【００２４】次に、ロード・アンロード部１１に載置さ
れたウエハカセット５０から半導体ウエハＷを搬送ロボ
ット１２により取出し、膜厚測定部１６に搬送する。そ
して、膜厚測定器１５で半導体ウエハＷの表面の成膜の
膜厚、すなわちＳｉＯ_２膜４の膜厚ｔ１を測定する（図
３（Ａ）参照）。しかる後、搬送ロボット１２により半
導体ウエハＷをプッシャ１８に搬送し、トップリング２
６に受け渡す。

【００２５】次に、半導体ウエハＷを保持したトップリ
ング２６をモータ２７の駆動によって回転させながら、
ターンテーブル１７をモータ２８の駆動によって回転さ
せる。そして、トップリング２６によって半導体ウエハ
Ｗを研磨布２５に押圧し、同時に研磨布２５に砥液供給
ノズル４１から砥液Ｑを供給する。これにより、半導体
ウエハＷの表面の成膜、すなわち図３（Ａ）に示すＳｉ
Ｏ_２膜４、更には該ＳｉＯ_２膜４とＳｉＮ膜３を同時に
研磨（１次研磨）する。

【００２６】この研磨中にターンテーブル駆動用モータ
２８とトップリング駆動用モータ２７を流れる電流の電
流値、前記放射温度計３０、加速度センサ３１、温度計
３３，３４及び騒音測定器３８の測定値を演算部３６に
入力し、この演算部３６で成膜の研磨量を推定する。そ
して、前記初期の成膜の膜厚ｔ１からこの研磨量を差し
引いた値が、例えば４５００〜５５００Åといった一定
の値に達した時に、ポリッシング装置の制御装置４０に
信号を送る。

【００２７】この信号を受けると、一旦研磨作業を中断
し、揺動アーム２９を旋回させ、図２に示すように半導
体ウエハＷをトップリング２６で保持したまま膜厚測定
部２０に位置させる。そして、膜厚測定器１９で残存す
る成膜の膜厚、すなわち図３（Ｂ）に示すＳｉＮ膜３の
膜厚ｔ２を測定し、この測定結果を追加研磨条件設定部
３７に入力する。このように、研磨量を推定しつつ１次
研磨を行うことで、測定精度が高く膜厚を測定できるレ
ンジが非常に狭い膜厚測定器１９でＳｉＮ膜３の膜厚ｔ
２を測定することが可能となる。

【００２８】追加研磨条件設定部３７は、膜厚測定器１
９からの信号を受けると、この測定値と予め入力された
設定値とを比較し、この差に基づいて、例えば追加研磨
時間等の追加研磨条件を設定して、ポリッシング装置の
制御装置４０に信号を送る。この場合、追加研磨時間を
求めるためには、研磨速度を知る必要があるが、膜厚測
定器１５の測定値と膜厚測定器１９の測定値とから研磨
量を演算部３６にて演算し、この研磨量を研磨時間で割
ることにより求めることができる。

【００２９】そして、前述と同様に、トップリング２６
を回転させながら、回転しているターンテーブル１７の
研磨布２５に対して半導体ウエハＷを押圧し、同時に研
磨布２５に砥液Ｑを供給することで、半導体ウエハＷ表
面の成膜、すなわちＳｉＯ_２膜４とＳｉＮ膜３を同時に
研磨（２次研磨）する。これにより、図３（Ｃ）に示す
ように、ＳｉＯ_２膜４の膜厚ｔ３及びＳｉＮ膜３の膜厚
ｔ４が所定値となるようにして、ポリッシングを完了す
る。以上の工程を経て、加工精度を高めて、ポリッシン
グ後に残存する成膜のばらつきが、例えば±２００Åと
いった一定の公差範囲内に収まるようにすることができ
る。

【００３０】次に、ポリッシングが完了した半導体ウエ
ハＷを洗浄機１３ａに搬送し、ここで、半導体ウエハＷ
を回転させながら、半導体ウエハＷの上下面に純水や洗
浄液を供給しつつ上下から洗浄部材によりスクラブ洗浄
（１次洗浄）を行なう。しかる後、洗浄機１３ｂまたは
１３ｃに移送する。

【００３１】洗浄機１３ｂまたは１３ｃでは、半導体ウ
エハＷを１００〜５００ｒｐｍ程度の低速で回転させな
がら、例えば超音波で加振された純水を半導体ウエハＷ
の中心部を通過するように供給して、半導体ウエハＷの
表面の仕上げ洗浄（２次洗浄）を行う。そして、純水の
供給を止め、半導体ウエハＷの回転速度を１５００〜５
０００ｒｐｍ程度の高速回転に移し、必要に応じて清浄
な不活性ガスを供給しながら半導体ウエハＷの乾燥工程
を行なう。洗浄・乾燥工程を終えた半導体ウエハＷは搬
送ロボット１２の清浄なハンドによってロード・アンロ
ード部１１に載置されたウエハカセット５０に戻され
る。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
測定精度が高く膜厚を測定できるレンジが非常に狭い膜
厚測定器で測定できる膜厚となるまでポリッシング対象
物表面の成膜の研磨量を推定しつつ研磨することができ
る。そして、膜厚測定器で実際に膜厚を測定した後、所
定の膜厚となるように再度研磨することで、加工精度を
高めて、膜厚のばらつきを一定の公差範囲内に収めるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態のポリッシング装置の全体
構成を示す平面図である。

【図２】本発明の一実施形態のポリッシング装置におけ
る研磨部の構成を示す側面図である。

【図３】本発明のポリッシング装置により研磨される半
導体ウエハの表面を示す拡大断面図であり、図３（Ａ）
は研磨前、図３（Ｂ）は１次研磨後、図３（Ｃ）は２次
研磨後を示す。

【図４】従来のポリッシング装置により研磨される半導
体ウエハの表面を示す拡大断面図であり、図４（Ａ）は
研磨前、図４（Ｂ）は研磨後、図４（Ｃ）はエッチング
後、図４（Ｄ）は配線後を示す。

【符号の説明】

１シリコン基板２トレンチ３ＳｉＮ膜４ＳｉＯ_２膜５シャロー・トレンチ６配線材料１０研磨部１１ロード・アンロード部１２搬送ロボット１３ａ，１３ｂ，１３ｃ洗浄機１４反転機１５，１９膜厚測定器１６，２０膜厚測定部１７ターンテーブル１８プッシャ２１ローラ２２回転軸２３，２９，３５ａアーム２４回転テーブル２５研磨布２６トップリング２７トップリング駆動用モータ２７ａ，２８ａ電流値測定部２８ターンテーブル駆動用モータ３０放射温度計３１加速度センサ３２温調水配管３３，３４温度計３５ロボット３６演算部３７追加研磨条件設定部３８騒音測定器４０制御装置４１砥液供給ノズル５０ウエハカセットＷ半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨面を有したターンテーブルと、ポリ
ッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと
を有し、ターンテーブルを回転させるとともにトップリ
ングを回転させてポリッシング対象物表面の成膜を研磨
するポリッシング装置において、研磨中にターンテーブルおよびトップリングの駆動モー
タに供給される電流値を測定する電流値測定部と、研磨
中のトップリングの振動，研磨中の音，研磨中の摩擦熱
等の研磨に伴うポリッシング対象物の被研磨面とターン
テーブルの研磨面との物理的接触によって生ずる物理量
を測定する物理量測定部とを備えたことを特徴とするポ
リッシング装置。
【請求項２】前記電流値測定部および物理量測定部か
らの信号に基づいて、ポリッシング対象物表面の成膜の
研磨量を推定する演算部を備えたことを特徴とする請求
項１記載のポリッシング装置。
【請求項３】前記ポリッシング対象物表面の成膜の膜
厚を研磨開始前に測定する膜厚測定器と、研磨後にポリ
ッシング対象物表面に残存する成膜の膜厚を測定する膜
厚測定器とを備えたことを特徴とする請求項１記載のポ
リッシング装置。
【請求項４】研磨後にポリッシング対象物の表面に残
存する成膜の膜厚を測定し、この測定結果から追加研磨
条件を設定する追加研磨条件設定部を備えたことを特徴
とする請求項２記載のポリッシング装置。
【請求項５】研磨面を有したターンテーブルと、ポリ
ッシング対象物を前記研磨面に押圧するトップリングと
を有し、ターンテーブルを回転させるとともにトップリ
ングを回転させてポリッシング対象物表面の成膜を研磨
するポリッシング方法において、前記ポリッシング対象物表面の成膜の研磨の状態をポリ
ッシング中に監視しながら該成膜の研磨量を推定し該研
磨量が所定の値に達するまで１次研磨を行う工程と、前記１次研磨終了後のポリッシング対象物表面に残存す
る成膜の膜厚を測定する工程と、前記残存する膜厚の測定値を基に２次研磨を行う工程と
を備えたことを特徴とするポリッシング方法。