JP2000348652A - 蛍光表示装置 - Google Patents
蛍光表示装置Info
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- JP2000348652A JP2000348652A JP11157772A JP15777299A JP2000348652A JP 2000348652 A JP2000348652 A JP 2000348652A JP 11157772 A JP11157772 A JP 11157772A JP 15777299 A JP15777299 A JP 15777299A JP 2000348652 A JP2000348652 A JP 2000348652A
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
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- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アノードとドライバチップとの接続を容易に
し、かつ、低コストで製造可能とする。 【解決手段】 少なくとも一部が透光性を有する面を有
しかつ内部が真空排気された外囲器内に、この透光性を
有する面と対向する位置にマトリクス状に配設されかつ
蛍光体３の付着したアノード２と、このアノード２の上
方に配設されたグリッド５と、このグリッド５の上方に
配設されたカソード６とを備えた蛍光表示装置におい
て、上記外囲器は、その一部が絶縁層と配線層とが交互
に積層された多層基板１で構成され、上記アノード２
は、この多層基板１上に配設され、かつ、この多層基板
１を構成する配線層を介して上記外囲器の外に設置され
たドライバチップ１０と接続されている。
し、かつ、低コストで製造可能とする。 【解決手段】 少なくとも一部が透光性を有する面を有
しかつ内部が真空排気された外囲器内に、この透光性を
有する面と対向する位置にマトリクス状に配設されかつ
蛍光体３の付着したアノード２と、このアノード２の上
方に配設されたグリッド５と、このグリッド５の上方に
配設されたカソード６とを備えた蛍光表示装置におい
て、上記外囲器は、その一部が絶縁層と配線層とが交互
に積層された多層基板１で構成され、上記アノード２
は、この多層基板１上に配設され、かつ、この多層基板
１を構成する配線層を介して上記外囲器の外に設置され
たドライバチップ１０と接続されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、蛍光表示装置に関
し、特にアクティブマトリクス型蛍光表示装置に関する
ものである。
し、特にアクティブマトリクス型蛍光表示装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】アクティブマトリクス型蛍光表示装置
は、蛍光体の付着した複数のアノードを密集配置してい
るため、高解像度化にともなってアノードの個数が増加
すると、アノードとアノードの駆動を制御するためのド
ライバチップとを接続する配線のレイアウトが難しくな
るという問題点がある。そこで、従来においては、複数
のアノードをＳｉ（シリコン）チップ上に形成し、この
ようなＳｉチップをガラス基板上に複数敷き詰めること
により、上述の問題点の解消を図っている。
は、蛍光体の付着した複数のアノードを密集配置してい
るため、高解像度化にともなってアノードの個数が増加
すると、アノードとアノードの駆動を制御するためのド
ライバチップとを接続する配線のレイアウトが難しくな
るという問題点がある。そこで、従来においては、複数
のアノードをＳｉ（シリコン）チップ上に形成し、この
ようなＳｉチップをガラス基板上に複数敷き詰めること
により、上述の問題点の解消を図っている。
【０００３】図４（ａ）は、Ｓｉチップ上に複数のアノ
ードを設けた、従来のアクティブマトリクス型蛍光表示
装置の一部を示す斜視図であり、フロントガラスおよび
スペーサガラスを取り除いた状態を示す。また、図４
（ｂ）は、そのＡ−Ａ’線における断面図である。
ードを設けた、従来のアクティブマトリクス型蛍光表示
装置の一部を示す斜視図であり、フロントガラスおよび
スペーサガラスを取り除いた状態を示す。また、図４
（ｂ）は、そのＡ−Ａ’線における断面図である。
【０００４】同図（ａ）に示すように、従来のアクティ
ブマトリクス型蛍光表示装置は、ガラス基板１００上に
図示しない配線パタンが形成されるとともに、それらを
覆うようにして絶縁層１０１が形成されている。絶縁層
１０１の所々では、配線パタンの一部が露出して複数の
電極１０８が形成されている。電極１０８には、電源供
給および信号の送受のためのリードピン１０９が接続さ
れている。
ブマトリクス型蛍光表示装置は、ガラス基板１００上に
図示しない配線パタンが形成されるとともに、それらを
覆うようにして絶縁層１０１が形成されている。絶縁層
１０１の所々では、配線パタンの一部が露出して複数の
電極１０８が形成されている。電極１０８には、電源供
給および信号の送受のためのリードピン１０９が接続さ
れている。
【０００５】また、ガラス基板１００の中央部付近に
は、蛍光体１０３の付着した複数のアノードを有するＳ
ｉチップ１０２が敷き詰められている。このＳｉチップ
１０２は、層間絶縁膜と配線層とが交互に形成された多
層構造を有し、マトリクス状に配設されたアノードは、
この配線層を介してＳｉチップ１０２の縁部に設けられ
た電極と接続されている。したがって、Ｓｉチップ１０
２の電極とガラス基板１００上の配線パタンとは、ワイ
ヤボンディングによって形成されたワイヤ１０４を介し
て接続され、アノードとアノードを駆動するためのドラ
イバチップ（図示せず）とが接続されている。ドライバ
チップは蛍光表示装置内のガラス基板１００上に設置さ
れている。
は、蛍光体１０３の付着した複数のアノードを有するＳ
ｉチップ１０２が敷き詰められている。このＳｉチップ
１０２は、層間絶縁膜と配線層とが交互に形成された多
層構造を有し、マトリクス状に配設されたアノードは、
この配線層を介してＳｉチップ１０２の縁部に設けられ
た電極と接続されている。したがって、Ｓｉチップ１０
２の電極とガラス基板１００上の配線パタンとは、ワイ
ヤボンディングによって形成されたワイヤ１０４を介し
て接続され、アノードとアノードを駆動するためのドラ
イバチップ（図示せず）とが接続されている。ドライバ
チップは蛍光表示装置内のガラス基板１００上に設置さ
れている。
【０００６】さらに、Ｓｉチップ１０２の上方には、グ
リッド固定枠１０５によって固定されたグリッド１０６
が設けられ、さらにその上にはフィラメントからなる複
数のカソード１０７が互いに平行に設けられている。
リッド固定枠１０５によって固定されたグリッド１０６
が設けられ、さらにその上にはフィラメントからなる複
数のカソード１０７が互いに平行に設けられている。
【０００７】一方、同図（ｂ）に示すように、Ｓｉチッ
プ１０２、グリッド１０６およびカソード１０７は、ガ
ラス基板１００の縁部に接着されたスペーサガラス１１
０と、その上に接着されたフロントガラス１１１とで覆
われている。これらガラス基板１００とスペーサガラス
１１０とフロントガラス１１１とからなる外囲器は、気
密封止されるとともに、その内部は真空排気されてい
る。
プ１０２、グリッド１０６およびカソード１０７は、ガ
ラス基板１００の縁部に接着されたスペーサガラス１１
０と、その上に接着されたフロントガラス１１１とで覆
われている。これらガラス基板１００とスペーサガラス
１１０とフロントガラス１１１とからなる外囲器は、気
密封止されるとともに、その内部は真空排気されてい
る。
【０００８】このように従来のアクティブマトリクス型
蛍光表示装置は、予めマトリクス状にアノードの設けら
れたＳｉチップ１０２をガラス基板１００上に敷き詰
め、ワイヤ１０４を使って配線の接続を行うことによ
り、上述の配線のレイアウトに関する問題点を解消して
いた。
蛍光表示装置は、予めマトリクス状にアノードの設けら
れたＳｉチップ１０２をガラス基板１００上に敷き詰
め、ワイヤ１０４を使って配線の接続を行うことによ
り、上述の配線のレイアウトに関する問題点を解消して
いた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来構造では、ワイヤボンディングを使用するため
製造工程が複雑になるとともに、ワイヤの接続不良によ
って歩留まりが低下し易いという問題点がある。
うな従来構造では、ワイヤボンディングを使用するため
製造工程が複雑になるとともに、ワイヤの接続不良によ
って歩留まりが低下し易いという問題点がある。
【００１０】また、表示面積を大きくためには、多数の
Ｓｉチップを設置する必要があり、チップの増加に伴っ
て製造コストが上昇してしまうという問題点もある。
Ｓｉチップを設置する必要があり、チップの増加に伴っ
て製造コストが上昇してしまうという問題点もある。
【００１１】本発明は、このような課題を解決するため
のものであり、アノードとドライバチップとの接続が容
易であり、かつ、低コストで製造可能な蛍光表示装置を
提供することを目的とする。
のものであり、アノードとドライバチップとの接続が容
易であり、かつ、低コストで製造可能な蛍光表示装置を
提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係る蛍光表示装置は、少なくとも一
部が透光性を有する面を有しかつ内部が真空排気された
外囲器内に、この透光性を有する面と対向する位置にマ
トリクス状に配設されかつ蛍光体の付着したアノード
と、このアノードの上方に配設されたグリッドと、この
グリッドの上方に配設されたカソードとを備えた蛍光表
示装置において、上記外囲器は、その一部が絶縁層と配
線層とが交互に積層された多層基板で構成され、上記ア
ノードは、この多層基板上に配設され、かつ、この多層
基板を構成する配線層を介して上記外囲器の外に設置さ
れたドライバチップと接続されたものである。
るために、本発明に係る蛍光表示装置は、少なくとも一
部が透光性を有する面を有しかつ内部が真空排気された
外囲器内に、この透光性を有する面と対向する位置にマ
トリクス状に配設されかつ蛍光体の付着したアノード
と、このアノードの上方に配設されたグリッドと、この
グリッドの上方に配設されたカソードとを備えた蛍光表
示装置において、上記外囲器は、その一部が絶縁層と配
線層とが交互に積層された多層基板で構成され、上記ア
ノードは、この多層基板上に配設され、かつ、この多層
基板を構成する配線層を介して上記外囲器の外に設置さ
れたドライバチップと接続されたものである。
【００１３】一方、本発明のその他の態様として以下の
ようなものがある。すなわち、上記蛍光表示装置は、複
数のアノードを有するアクティブマトリクス型蛍光表示
装置であってもよい。また、上記多層基板は、銅によっ
て形成された配線層と、ガラスセラミックによって形成
された絶縁層とからなるものであってもよい。
ようなものがある。すなわち、上記蛍光表示装置は、複
数のアノードを有するアクティブマトリクス型蛍光表示
装置であってもよい。また、上記多層基板は、銅によっ
て形成された配線層と、ガラスセラミックによって形成
された絶縁層とからなるものであってもよい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図１は、本発明の一つの
実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、本
実施の形態に係るアクティブマトリクス型蛍光表示装置
は、多層基板１上に蛍光体３の付着した複数のアノード
２がマトリクス状に配設されている。各アノード２は、
それぞれ多層基板１を構成する配線層（図２の配線層
９）と接続されている。多層基板１の裏面にはドライバ
チップ１０が設置され、上述の配線層を介してアノード
２と接続されている。すなわち、多層基板１の裏面には
ドライバチップ１０と接続するための電極（図示せず）
や、電源等の供給を受けるためのその他の電極が複数設
けられている。
について図を用いて説明する。図１は、本発明の一つの
実施の形態を示す断面図である。同図に示すように、本
実施の形態に係るアクティブマトリクス型蛍光表示装置
は、多層基板１上に蛍光体３の付着した複数のアノード
２がマトリクス状に配設されている。各アノード２は、
それぞれ多層基板１を構成する配線層（図２の配線層
９）と接続されている。多層基板１の裏面にはドライバ
チップ１０が設置され、上述の配線層を介してアノード
２と接続されている。すなわち、多層基板１の裏面には
ドライバチップ１０と接続するための電極（図示せず）
や、電源等の供給を受けるためのその他の電極が複数設
けられている。
【００１５】また、蛍光体３の上方にはグリッド固定枠
４に固定されたグリッド５が配設され、その上にはフィ
ラメントからなる複数のカソード６が互いに平行に配設
されている。
４に固定されたグリッド５が配設され、その上にはフィ
ラメントからなる複数のカソード６が互いに平行に配設
されている。
【００１６】さらに、アノード２、グリッド５およびカ
ソード６等は、多層基板１の縁部に接着された金属製の
フレーム７と、その上に接着されたフロントガラス８と
で覆われている。多層基板１とフレーム７とフロントガ
ラス８とからなる外囲器は、気密封止されるとともに、
その内部は真空排気されている。また、この外囲器内に
は、図示しない非蒸発ゲッターが設けられている。これ
は真空中で加熱することによりゲッターアクションが開
始されて形成されるゲッターである。外囲器の封止後に
高周波等を照射してゲッター材料蒸発させる工程を必要
としない点で、通常のゲッターよりも優れ、また設置面
積も小さくて済む。
ソード６等は、多層基板１の縁部に接着された金属製の
フレーム７と、その上に接着されたフロントガラス８と
で覆われている。多層基板１とフレーム７とフロントガ
ラス８とからなる外囲器は、気密封止されるとともに、
その内部は真空排気されている。また、この外囲器内に
は、図示しない非蒸発ゲッターが設けられている。これ
は真空中で加熱することによりゲッターアクションが開
始されて形成されるゲッターである。外囲器の封止後に
高周波等を照射してゲッター材料蒸発させる工程を必要
としない点で、通常のゲッターよりも優れ、また設置面
積も小さくて済む。
【００１７】図２は、多層基板１の詳細を示す斜視図で
ある。同図に示すように、多層基板１上には、蛍光体３
の付着した複数のアノード２がマトリクス状に配設され
ている。多層基板１の裏面には、配線層９の一部が露出
して電極（図示せず）が形成されており、この電極とド
ライバチップ１０の電極とは、はんだからなるバンプ１
１を介して接続されている。ドライバチップ１０の表面
は、モールド樹脂（図示せず）によって覆われ、外部か
らの応力および湿気等から保護されている。
ある。同図に示すように、多層基板１上には、蛍光体３
の付着した複数のアノード２がマトリクス状に配設され
ている。多層基板１の裏面には、配線層９の一部が露出
して電極（図示せず）が形成されており、この電極とド
ライバチップ１０の電極とは、はんだからなるバンプ１
１を介して接続されている。ドライバチップ１０の表面
は、モールド樹脂（図示せず）によって覆われ、外部か
らの応力および湿気等から保護されている。
【００１８】図３は、多層基板１の詳細を示す断面図で
ある。同図に示すように、多層基板１はガラスセラミッ
ク（熱膨張係数がガラスにほぼ等しいセラミック）層１
ａと銅からなる配線層１ｂとが交互に積層された構造を
有する。異なる層の配線層１ｂ同士は、ガラスセラミッ
ク層１ａに開口されたビアホール中の配線層１ｃによっ
て接続されている。
ある。同図に示すように、多層基板１はガラスセラミッ
ク（熱膨張係数がガラスにほぼ等しいセラミック）層１
ａと銅からなる配線層１ｂとが交互に積層された構造を
有する。異なる層の配線層１ｂ同士は、ガラスセラミッ
ク層１ａに開口されたビアホール中の配線層１ｃによっ
て接続されている。
【００１９】なお、本発明は、アクティブマトリクス型
蛍光表示装置以外にも適用することができ、例えば裏面
発光型の蛍光表示装置や画像管等への応用が考えられ
る。また、多層基板の素材もガラスセラミックに限られ
るものではなく、耐熱性および絶縁性等の条件を満たせ
ばその他の材料を用いてもよい。
蛍光表示装置以外にも適用することができ、例えば裏面
発光型の蛍光表示装置や画像管等への応用が考えられ
る。また、多層基板の素材もガラスセラミックに限られ
るものではなく、耐熱性および絶縁性等の条件を満たせ
ばその他の材料を用いてもよい。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明は、多層基板
上にアノードを配設し、この多層基板における配線層を
介してアノードとアノードに所定の電圧を印加するドラ
イバチップとを接続している。したがって、本発明によ
り、蛍光体をそれぞれをダイレクトドライブ可能なアク
ティブマトリクス型の蛍光表示装置を容易に作ることが
できる。また、本発明においては、従来のようにワイヤ
ボンディング等の工程が不要となり、ドライバチップと
アノードとの接続を容易に実現する。さらに、多層基板
上にアノードを直接形成し、従来のように多数のＳｉチ
ップを用いる必要がないため、低コストで製造すること
ができる。
上にアノードを配設し、この多層基板における配線層を
介してアノードとアノードに所定の電圧を印加するドラ
イバチップとを接続している。したがって、本発明によ
り、蛍光体をそれぞれをダイレクトドライブ可能なアク
ティブマトリクス型の蛍光表示装置を容易に作ることが
できる。また、本発明においては、従来のようにワイヤ
ボンディング等の工程が不要となり、ドライバチップと
アノードとの接続を容易に実現する。さらに、多層基板
上にアノードを直接形成し、従来のように多数のＳｉチ
ップを用いる必要がないため、低コストで製造すること
ができる。
【図１】 本発明の一つの実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
【図２】 図１に係る多層基板の詳細を示す斜視図であ
る。
る。
【図３】 図１に係る多層基板の詳細を示す断面図であ
る。
る。
【図４】 （ａ）従来のアクティブマトリクス型蛍光表
示装置の一部を示す斜視図、（ｂ）Ａ−Ａ’線における
断面図である。
示装置の一部を示す斜視図、（ｂ）Ａ−Ａ’線における
断面図である。
１…多層基板、２…アノード、３…蛍光体、４…グリッ
ド固定枠、５…グリッド、６…カソード、７…フレー
ム、８…フロントガラス、９…配線、１０…ドライバチ
ップ、１１…バンプ、１ａ…ガラスセラミック層、１
ｂ，１ｃ…配線層。
ド固定枠、５…グリッド、６…カソード、７…フレー
ム、８…フロントガラス、９…配線、１０…ドライバチ
ップ、１１…バンプ、１ａ…ガラスセラミック層、１
ｂ，１ｃ…配線層。
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも一部が透光性を有する面を有
しかつ内部が真空排気された外囲器内に、この透光性を
有する面と対向する位置にマトリクス状に配設されかつ
蛍光体の付着したアノードと、このアノードの上方に配
設されたグリッドと、このグリッドの上方に配設された
カソードとを備えた蛍光表示装置において、 前記外囲器は、その一部が絶縁層と配線層とが交互に積
層された多層基板で構成され、 前記アノードは、この多層基板上に配設され、かつ、こ
の多層基板を構成する配線層を介して前記外囲器の外に
設置されたドライバチップと接続されていることを特徴
とする蛍光表示装置。 - 【請求項２】 請求項１において、 前記蛍光表示装置は、複数のアノードを有するアクティ
ブマトリクス型蛍光表示装置であることを特徴とする蛍
光表示装置。 - 【請求項３】 請求項１において、 前記多層基板は、銅によって形成された配線層と、ガラ
スセラミックによって形成された絶縁層とからなること
を特徴とする蛍光表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157772A JP2000348652A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 蛍光表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11157772A JP2000348652A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 蛍光表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000348652A true JP2000348652A (ja) | 2000-12-15 |
Family
ID=15656971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11157772A Pending JP2000348652A (ja) | 1999-06-04 | 1999-06-04 | 蛍光表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000348652A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102013377A (zh) * | 2009-09-08 | 2011-04-13 | 双叶电子工业株式会社 | Ic内置型荧光显示装置 |
-
1999
- 1999-06-04 JP JP11157772A patent/JP2000348652A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102013377A (zh) * | 2009-09-08 | 2011-04-13 | 双叶电子工业株式会社 | Ic内置型荧光显示装置 |
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