JPH0140464B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は蛍光表示管に関し、特に表示パネルと
駆動回路が一体形成された通称「Chip on
Glass」（以下COGと称す）の構造を有する蛍光
表示管に関する。

従来のCOG構造を有する蛍光表示管として第
１図および第２図に、要部切欠き平面図およびＡ
−Ａ部切断断面図を示すような構造のものが提供
されている。すなわち、この従来例について説明
すると、図において、１は駆動回路形成板を兼ね
た陽極基板で、ガラスからなる基板１Ａの上面に
積層被着された複数の配線被膜２、絶縁被膜３、
セグメント電極４、けい光体層５等を備えたもの
であり、かつこのけい光体層５を有する複数のセ
グメント電極４によつて数字等のパターンを表示
する陽極表示部６を構成し、この陽極表示部６を
複数けた並設させて複数けたの数字等を選択的に
表示できるようになつている。

配線被膜２は、絶縁被膜３に設けた接続孔７を
通して隣接する共通のセグメント電極４を電気的
に接続し、さらに、外部駆動回路接続電極として
基板１Ｂ上迄、延長配線されている。また、各陽
極表示部６に対向させてメツシユ状の制御電極１
１および陰極１２が配設され配線被膜２により基
板１Ｂ上迄、延長配線されている。陽極表示部
６、制御電極１１、陰極１２等を備えた陽極基板
１Ａの上に、少なくとも上面窓部は透明なガラス
などからなる上面板１３が配設され、その周縁部
において低融点フリツトガラスのような封着材２
２によつて気密に封着されて、外囲器が形成され
ている。

次に基板１Ｂ上に形成される駆動回路１４につ
いて説明する。この従来例については、水晶制御
クロツク用CMOSLSI１５を１チツプ、基板１Ｂ
上に実装している。CMOSLSIチツプ１５は導電
性あるいは絶縁性接着剤１６により基板１Ｂ上に
ダイボンデイングされる。続いてチツプ１５上の
電極と配線被膜２により形成されたパツド部１７
間を接続するワイヤーボンデイングを行なう。こ
れには金線１８を用い例えばサーモソニツク法で
接続される。更にこれら上から保護膜１９として
シリコン系あるいはエポキシ系樹脂がコートされ
駆動回路１４が出来あがる。

この様なダイボンデイングとワイヤーボンデイ
ング作業は蛍光表示管製作工程の中では、排気作
業工程後に行なわれ、これは、ダイボンデイング
に使用される接着剤１６の耐熱特性から決定され
る。更に排気工程後作業することが出来る限り低
温でボンデイングすることが蛍光表示管内部の放
出ガスを少なくする点からも重要となる。

この様に製作された、従来構造においては外部
端子２０に水晶振動子（図示せず）を取付け、
12v直流電源を接続することによりスタテイツク
駆動の時計表示を行なうことが出来る。

しかしながら、この様なCOG構造を有する従
来の蛍光表示管においては、輝度不良がしばしば
発生した。それは蛍光体の活性化が不充分である
ことが原因であつた。蛍光表示管の活性化（エー
ジング）は蛍光体層を被着した陽極と電子流を制
御する制御電極及び電子放射物質を塗布したフイ
ラメント電極との間に電圧を印加して数十時間動
作する方法が取られている。

周知のように蛍光体の活性化はフイラメントか
らの電子ボンバード刺激で行なうが発光効率を高
める為にはある程度高い電圧を印加する必要があ
り、通常定格電圧の２〜５倍の陽極、制御電圧を
印加する。この時フイラメント電圧もガスポイゾ
ニングの影響を少なくするため定格電圧より１〜
２倍の電圧を印加するエージングが一般的方法で
ある。

しかし第１図、第２図に示すCOG構造を有す
る蛍光表示管では実装したCMOSLSIを動作させ
ながらエージングを行なう為に蛍光表示管の定格
電圧より充分高い電圧を印加して高い輝度レベル
を得る活性法が取れない問題点を有していた。こ
れは実装するLSIの耐電圧が一般的に低いことが
原因である。また低い電圧を印加した場合には長
時間のエージング期間を必要とし、量産性および
経済性の上でもきわめて大きな問題点となつてい
た。

本発明は、上述したような従来の問題点を解消
したCOG構造を有する蛍光表示管を提供せんと
するものである。

すなわち、上述した従来のCOG構造の蛍光表
示管に前記エージング用を目的とする外部電極を
別端子電極として設けたことを特徴とするもので
ある。ここで設けた別電極は前記配線被膜２の枝
分れとして配線接続されており、またエージング
後充分高い輝度レベルが得られた後は切断する等
で取り除くことが出来る構造を有している。本発
明による構造においては、基板上に実装するLSI
の耐電圧に影響されず、充分高い電圧を別電極か
ら印加することが可能となり高い輝度レベルが得
られる蛍光表示管を提供することが可能となつ
た。

以下図面を用いて詳細に説明する。

すなわち第３図および第４図は、本発明による
COG構造を有する蛍光表示管の一実施例を示す
要部切欠き平面図およびＢ−Ｂ部切断断面図であ
る。

図において１はガラスからなる基板である。こ
の基板１の上面に、隣接する各共通のセグメント
電極を電気的に接続する複数の配線被膜２と、各
配線被膜２と各セグメント電極との相互間を絶縁
する絶縁被膜３と、並設される複数の各陽極表示
部６を構成する複数のセグメント電極４と、各セ
グメント電極４の上面のけい光体層５とが積層状
態に被着されて陽極基板１Ａを構成している。ま
た、各配線被膜２は、絶縁被膜３に設けた接続孔
７を介して隣接する各共通のセグメント電極４を
電気的に接続している。さらにこの配線被膜２は
二つに枝分れし、一つはLSIチツプを実装する基
板１Ｂ上に、もう一方は絶縁被膜３の開孔３０の
部分に設けた本発明の別電極となる端子導入線３
２と接続するための複数の導電面部３１にそれぞ
れ延設されている。なお、この図において第１図
および第２図と同じ部材については同じ符号を用
いてあり、これらの基本的役割は従来法と何らか
わりはない。

また、各セグメント電極４に配線被膜２を介し
て連設された各導電面部３１には、封着部２２を
気密に貫通させた複数のセグメント電極用の端子
導入線３２の封着部２２より内側に延設する部分
に、ばね部３３を介して設けた接点部３４が、ば
ね力によつて押圧接触し電気的に導通される。こ
のばね力によつて端子導入線３２と各導電面部３
１を接続する方法は、通称フレームタイプの蛍光
表示管の一接続法として周知のものである。

この様に、本発明による蛍光表示管において
は、各セグメント電極４には配線被膜２を介して
少なく共２ケ所から電気的に接続可能な電極を持
つようになつている。ここで外部端子導入線３２
が蛍光体の活性時に外部電圧印加電極として使用
される。この電極を設けたことにより基板１Ｂ上
に形成された駆動回路部１４をエージング用とし
て使用する必要がなくなり、充分な輝度が得られ
る高い電圧を印加することが可能となつた蛍光表
示管を提供することが出来る様になつた。

なお、本発明による蛍光表示管においても基板
１Ｂ上に形成される駆動回路部１４は、外部端子
導入線３２を用いたエージング工程後に形成する
ことが望ましい。これは作業上の取扱い易さと経
済性から選択されたもので、充分高い輝度が得ら
れることがわかつている蛍光表示管のみ選別し、
これに駆動用LSIを実装出来るからである。

また、上述した本発明の実施例では、エージン
グ用の端子導入線３２を駆動回路部１４と180度
反対方向に引き出しているがその方向は、何ら制
限されることはなくたとえば駆動回路部１４側で
あつても良い事はもちろんである。

更にエージング用の電極端子としてばね力を利
用した端子導入線３２の変りに、配線被膜２を、
そのまま空気中に延設し、これを使用しても良い
ことは云うまでもない。

以上本発明によるCOG構造を有する蛍光表示
管においては実装するLSIの耐電圧に影響される
ことなく、自由にかつ充分な電圧を別電極から供
給することが出来るようになり従来発生していた
エージング不足からくる輝度不良がなくなる大き
な効果が確認された。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のCOG構造を有す
る多けたけい光表示管の一例を示す要部切欠き平
面図およびＡ−Ａ部切断断面図、第３図および第
４図は本発明によるCOG構造を有する多けたけ
い光表示管の一実施例を示す要部切欠き平面図お
よびＢ−Ｂ部切断断面図である。 １……基板、２……配線被膜、３……絶縁被
膜、４……セグメント電極、５……けい光体層、
６……陽極表示部、１１……制御電極、１２……
陰極、１３……上面板、１４……駆動回路部、１
５……LSIチツプ、１７……パツド部、１９……
保護膜、２０……外部端子、３１……導電面部、
３２……端子導入線、３３……ばね部、３４……
接点部。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 蛍光体層を有する複数けたの表示部と、前記
   表示部を動作させる駆動回路部とが、同一基板上
   に一体形成された構造を有する蛍光表示管におい
   て、少なくとも一つの駆動回路を介して表示部を
   駆動出来る外部端子と、直接表示部を駆動出来る
   電極端子とを設けたことを特徴とする蛍光表示
   管。