JPH0545009Y2 - - Google Patents

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JPH0545009Y2
JPH0545009Y2 JP1987050987U JP5098787U JPH0545009Y2 JP H0545009 Y2 JPH0545009 Y2 JP H0545009Y2 JP 1987050987 U JP1987050987 U JP 1987050987U JP 5098787 U JP5098787 U JP 5098787U JP H0545009 Y2 JPH0545009 Y2 JP H0545009Y2
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die
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die bonding
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  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、蛍光体層を有する表示部と半導体チ
ツプを有する回路部とが、真空外囲器内の同一基
板上に共に配設された構造の蛍光表示管に係り、
特に前記回路部の構造に改良を加えることによつ
て信頼性を向上させた蛍光表示管に関するもので
ある。
［従来の技術］ 第３図は、蛍光体層を有する表示部１とICチ
ツプ２を有する回路部３とが、図示しない真空外
囲器内の同一基板４上に配設された構造の従来の
蛍光表示管を示す一部切欠平面図である。このよ
うな、いわよるチツプイングラス（Chip in
Glass）構造の蛍光表示管では、基板４上に設け
られた回路部３は第４図ａ，ｂに示すような構造
とされていた。即ち第４図ｂに示すように、基板
４の上面には、Al等の金属よりなるダイボンデ
ングパツド５が設けられており、このダイボンデ
ングパツド５は導電性接着剤よりなるダイボンド
層６によつてその全体を被覆されている。そして
ダイボンデングパツド５の上方には、ダイボンド
層６を介してICチツプ２が接着固定されている。
ダイボンデングパツド５からはアース線５ａが導
出されており、ICチツプ２のシリコン基板の電
位をグランドに落している。そして、前記ダイボ
ンデングパツド５の周囲には、前記ダイボンド層
６に接触しない位置に複数のボンデングパツド７
が配設されている。各ボンデングパツド７は、前
記ICチツプ２の入出力端子とAl，Au等よりなる
ワイヤ８によつて接続されている。そして各ボン
デングパツド７からは、ダイボンデングパツド５
とは反対側の辺から基板４上に配線７ａが導出さ
れている。これらの各配線７ａはダイボンデング
パツド５とボンデングパツド７との間の領域を避
けて引き回され、外囲器内の表示部１やリード端
子の内端等に接続されている。
［考案が解決しようとする問題点］ チツプイングラス構造の蛍光表示管において
は、外囲器を400℃〜500℃に加熱する封着行程が
あり、外囲器内に設けられた前記ICチツプ２等
はこの加熱行程をまともに受けることになる。従
つてICチツプ２と基板４を接合ししているダイ
ボンド層６の厚さについては、接着力を考慮する
だけでは足りず、当該工程においてダイボンド層
６に生ずる熱応力を考慮する必要があり、熱応力
を吸収するためにある程度以上の厚さを確保する
と共にその厚さを一定にして寸法のバラツキをな
くさなければならない。
ところが従来のチツプイングラス構造の蛍光表
示管における回路部３によれば、ダイボンデング
パツド５の上にペースト状のダイボンド層６をの
せ、その上からICチツフ２を位置決めして押圧
した後、焼成して当該ICチツプを固定していた。
前記ペースト状のダイボンド層６は自重によつて
も外方に広がつていくし、またICチツプ２を配
設する際、ICチツプ２をダイポンド層６に対し
て押下げるようにするため、ICチツプ２とダイ
ボンデングパツド５との間からダイボンド層６が
外方へ向けてはみ出してしまう。このように、従
来のダイボンド層６の厚さは比較的薄く、しかも
一定した寸法にならなかつた。従つて、このよう
な従来の蛍光表示管によれば、ダイボンド層６が
熱応力を吸収できず、ICチツプ２のシリコン基
板と外囲器のガラス製の基板４との熱膨張の差か
ら、ガラス製の基板４又はICチツプ２にクラツ
クが生じることがあるという問題点があつた。
また近年、蛍光表示管は、小型化が進められる
と共に表示パターンも複雑になり、表示部１の陽
極セグメント数は増加する傾向にある。従つて表
示部１の陽極セグメントを駆動するためのリード
線及び配線の本数も多くなつてきている。しかも
従来これらの配線は、外囲器外に導出されている
リード線に直接接続されていたので、外囲器内の
基板上における配線の引き回しは比較的容易であ
つた。
ところが前述したチツプイングラス構造の蛍光
表示管では、これら各配線はすべて外囲器内にお
いてICチツプに接続し、さらにICチツプ２と各
リード線も配線によつて接続しなければならず、
外囲器内の基板上は配線密度が高くなつていた。
そして従来のチツプイングラス構造の蛍光表示
管における回路部によれば、前述した通り、ペー
スト状のダイボンド層６のはみ出しを考慮しなけ
ればならないので、ダイボンデングパツド５とボ
ンデングパツド７の間には配線を引き回すことが
できず、ICチツプ２の近傍における基板４上の
配線密度はさらに高くなり、設計がきわめて困難
になるという問題点があつた。
［考案の目的］ 本考案はチツプイングラス構造の蛍光表示管に
おいて、ICチツプを基板に固定するダイボンド
層を多孔質に形成すると共に厚さを所定寸法で一
定にして熱応力を安定的に吸収できるようにし、
さらにICチツプ周辺の基板上のスペースを配線
の引き回しのために有効に利用することにより、
信頼性の高い優れた蛍光表示管を提供することを
目的としている。
［問題点を解決するための手段］ 本考案の蛍光表示管は、蛍光体を有する表示部
と該表示部を駆動する半導体チツプが高真空雰囲
気に保持された外囲器内の同一ガラス基板上に設
けられ、前記半導体チツプが、前記ガラス基板上
に設けられたダイボンデングパツドにダイボンド
層を介して接着固定されるとともに、該半導体チ
ツプの周囲に設けられたボンデングパツドと金属
細線で結合されている蛍光表示管において、前記
ダイボンデングパツドの外周と前記ボンデングパ
ツドとの間に結晶性ガラスからなる絶縁性の堤が
設けられ、前記堤の内方に設けられた前記ダイボ
ンド層が多孔質であることを特徴としている。
［作用］ ダイボンデングパツドの外周とボンデングパツ
ドとの間に結晶性ガラスからなる絶縁性の堤を設
け、この堤の内方に所定量の導電性接着剤を設け
ることによつて、該導電性接着剤よりなるダイボ
ンド層を多孔質で厚さを所定の寸法に設定するこ
とができる。即ち十分な熱応力を吸収できる程度
の厚さにダイボンド層の寸法を認定でき、しかも
製品ごとのダイボンド層の厚さのバラツキがなく
なるので、製品としての信頼性が向上する。
また堤によつてダイボンド層がせき止められる
のでダイボンデイングパツドとボンデイングパツ
ドとの間に配線を設けることができ、さらにこの
配線は絶縁性の堤によつて確実に絶縁被覆され
る。従つて高密度かつ信頼性の高い配線が実現で
きる。
［実施例］ 本考案の一実施例を第１図によつて説明する。
第１図はチツプイングラス構造の蛍光表示管に
おける回路部を示している。基板１０の上面に
は、Al等の金属よりなるダイボンデングパツド
１１が設けられている。このダイボンデングパツ
ド１１からはアース線１１ａが導出されており、
該ダイボンデングパツド１１に接続導通される
ICチツプ１２の電位をグランドに落せるように
なつている。次に、前記ダイボンデングパツド１
１の周囲の基板１０上には複数のボンデングパツ
ド１３が配設されている。各ボンデングパツド１
３からは表示部の陽極セグメントや図示しないリ
ード端子の内端に接続される配線１３ａが導出さ
れている。そして、この配線１３ａの一部はダイ
ボンデングパツド１１とボンデングパツド１３と
の間の基板１０上を引き回されている。また、こ
の領域には他の配線１４も引き回されている。次
に、ダイボンデングパツド１１の外周と各ボンデ
ングパツド１３との間には、カマボコ形の絶縁性
の堤１５が４角枠形状に配設されている。本実施
例では、堤１５はダイボンデングパツド１１の４
周に切れ目なく設けられており、その内周部１５
ａがダイボンデングパツド１１の外周縁部に掛
り、その外周部１５ｂは各ボンデングパツド１３
に接しない位置にきている。そして、ダイボンデ
ングパツド１１とボンデングパツド１３の間の基
板１０上に配設された配線１３ａ，１４の一部
は、この堤１５によつて絶縁被覆されている。ま
た、この堤１５の内周部１５ａから覗いているダ
イボンデングパツド１１の面積や堤１５の高さ
は、後述するように堤１５の内方に注入される導
電性接着剤の量に応じて適宜に設定しておく。ま
た堤１５は、例えば結晶性低融点フリツトガラス
を含む絶縁性ペーストを所定の厚さが得られるよ
うにスクリーン枠を用いて塗付印刷した後、焼成
することによつて形成することができる。
次に、前記堤１５の内方には、導電性を有する
所定厚さのダイボンド層１６が設けられており、
ダイボンド層１６の上にはICチツプ１２が実装
されている。ICチツプ１２は、このダイボンド
層１６によつてダイボンデングパツド１１に接
着・固定され、ダイボンデングパツド１１に導通
している。このダイボンド層１６は導電性接着剤
を焼成して硬化させることによつて形成すること
ができる。導電性接着剤としては、例えばAg微
粒子に有機チタンとビークル（エチルセルロース
と有機溶剤より成る。）を混合してペースト状と
したダイボンドぺーストを用いることができる。
このダイボンドペーストは空気中で焼成すると
AgとTiO2が残り、微視的には多孔質形状のダイ
ボンド層１６となる。そしてこのようなダイボン
ド層１６は、多孔質であることから、ICチツプ
１２の基板とガラス製の基板１０との熱膨張の差
によつて層内に発生する熱応力が例えばフリツト
ガラス等を用いた場合に比べて小さくなる。また
前記熱応力の発生は、ダイボンド層１６の厚さと
接着面積（前記堤の内方に覗いているダイボンデ
ングパツド１１の面積）に関係しており、第２図
に例示するように、ダイボンド層１６の厚さが大
きい程また接着面積が小さい程、発生する熱応力
は小さくなる。そこで本実施例では、所定の高い
及び所定の接着面積が得られるように形成した前
記堤１５内方に適当な一定量のダイボンドペース
トを注入乃至転写し、その上にICチツプ１２を
実装して焼成するようにしている。このようにす
れば、発生する熱応力が小さい所望の厚さのダイ
ボンド層１６を形成でき、しかも製品ごとの厚さ
のバラツキを小さくすることができる。例えば従
来は、ICチツプ１２と基板１０の間から導電性
接着剤がはみ出してしまうために、ダイボンド層
の厚さは10〜20μm程度となり、加熱時には層内
に大きな熱応力が発生していた。ところが本実施
例では、ダイボンド層１６の厚さを任意の寸法
（例えば40〜60μm）に設定して、加熱時に発生す
る熱応力を小さくすることができる。また本実施
例では、ダイボンデングパツド１１とボンデング
パツド１３の間の基板１０上に引き回されている
配線１３ａ，１４は、前記堤１５によつて絶縁被
覆されているから、ダイボンド層１６に接触・導
通する恐れは全くない。またボンデングパツド１
３も堤１５によつてダイボンド層１６とは確実に
区画されているから、両者が接触・導通すること
はない。
次にICチツプ１２の各端子と各ボンデングパ
ツド１３とは、Al，Au等よりなる金属配線とし
てのワイヤ１７によつてそれぞれ接続されてい
る。即ち各ボンデングパツト１３から導出されて
いる配線１３ａによつてICチツプ１２は表示部
の陽極セグメントや外部リード等に接続されてい
る。
以上説明したように本実施例によれば、堤１５
の配設形状及び寸法を適宜に設定し、堤１５の内
部に注入する導電性接着剤の量を調整すれば、ダ
イボンド層１６の厚さを、従来に比べて大きな熱
応力を吸収できるだけの所望の寸法に設定するこ
とができる。また、ダイボンド層１６の厚さには
バラツキが少なくなる。
またダイボンデングパツド１１とボンデングパ
ツド１３の間に絶縁性の堤１５が設けられている
ことから、従来は配線を引き回せなかつた両パツ
ド１１，１３の間にも配線を設けることができる
ので、ICチツプ１２の近傍領域においても高密
度配線を実現できるようになつた。
さらには従来はICチツプ１２の位置決めの際
に、ダイボンド層１６がダイボンデングパツド１
１全体を覆つてしまうことから、ICチツプ１２
のダイボンデングパツド１１に対する位置が不正
確になることがあつた。しかし本実施例によれ
ば、堤１５はダイボンデングパツド１１の全体を
覆い隠すわけではなく、ダイボンデングパツド１
１の一部分である外周縁部に掛つているにすぎな
い。そして前述した通り、ダイボンド層１６の厚
さにはバラツキが少なく、ICチツプ１２の基板
表面に対する位置（高さ）も一定している。従つ
てICチツプ１２のダイボンデングパツド１１に
対する位置決めはきわめて正確に行なうことがで
き、さらにICチツプ１２と各ボンデングパツド
１３とのワイヤボンデングも正確に行なうことが
できる。
以上説明した実施例における堤の形状等は一例
にすぎない。例えば、堤はダイボンデングパツド
１１の外周を切り目なく取り囲む必要は必ずしも
なく、その内方に注入される導電性接着剤の粘性
等にもよるが、この導電性接着剤を堤の内方にせ
き止めて所望の厚さを維持させることができるよ
うな配設状態であればよい。また、堤の高さはダ
イボンド層の厚さより高くしてもよいし、同程度
の設定してもよい。さらに本実施例の堤１５は、
内周部１５ａがダイボンデングパツド１１の外周
縁部に掛つているが、内周部１５ａと外周部との
間に隙間があつてもよい。
［考案の効果］ 本考案の蛍光表示管は、ICチツプを有するチ
ツプイングラス構造の蛍光表示管において、ダイ
ボンデングパツドとボンデングパツドの間に結晶
性ガラスから成る絶縁性の堤を設け、堤の内部に
設けた多孔質のダイボンド層によつてICチツプ
を接着・固定した構成になつている。従つて本考
案によれば、ダイボンド層の厚さを所望の値でバ
ラツキなく一定に設定できるので、製作時等に発
生する熱応力による悪影響を軽減すると共にワイ
ヤボンデング作業の精度を確保することにより、
蛍光表示管の信頼性を向上させることができる。
さらに、基板上の配線の増加に対応して、基板上
に信頼性の高い高密度配線を実現することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図ａは本考案の一実施例における要部断面
図、第１図ｂは同実施例におけるダイボンデング
パツド等の配設パターンを示す図、第２図はダイ
ボンド層の厚さとダイボンド層に発生する熱応力
の関係を接着面積の一辺の長さＬを媒介変数とし
て表わしたグラフ、第３図は従来のチツプイング
ラス構造の蛍光表示管の一部切欠平面図、第４図
ａは同従来の蛍光表示管における回路部の断面
図、同図ｂは同従来の蛍光表示管の回路部におけ
るダイボンデングパツド等の配設パターンを示す
図である。 １０……基板、１１……ダイボンデングパツ
ド、１２……半導体チツプとしてのICチツプ、
１３……ボンデングパツド、１５……堤、１６…
…ダイボンド層、１７……金属細線としてのワイ
ヤ。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 蛍光体を有する表示部と該表示部を駆動する
    半導体チツプが高真空雰囲気に保持された外囲
    器内の同一ガラス基板上に設けられ、前記半導
    体チツプが、前記ガラス基板上に設けられたダ
    イボンデングパツドにダイボンド層を介して接
    着固定されるとともに、該半導体チツプの周囲
    に設けられたボンデングパツドと金属細線で結
    合されている蛍光表示管において、 前記ダイボンデングパツドの外周と前記ボン
    デングパツドとの間に結晶性ガラスからなる絶
    縁性の堤が設けられ、前記堤の内方に設けられ
    た前記ダイボンド層が多孔質であることを特徴
    とする蛍光表示管。 ２ 前記ボンデングパツドからの配線の少なくと
    も一部が前記絶縁性の堤によつて被覆された実
    用新案登録請求の範囲第１項記載の蛍光表示
    管。
JP1987050987U 1987-04-06 1987-04-06 Expired - Lifetime JPH0545009Y2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987050987U JPH0545009Y2 (ja) 1987-04-06 1987-04-06
US07/177,949 US4835445A (en) 1987-04-06 1988-04-05 Fluorescent display device
KR1019880003839A KR910009991B1 (ko) 1987-04-06 1988-04-06 형광표시관 및 그의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987050987U JPH0545009Y2 (ja) 1987-04-06 1987-04-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63159261U JPS63159261U (ja) 1988-10-18
JPH0545009Y2 true JPH0545009Y2 (ja) 1993-11-16

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ID=12874148

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987050987U Expired - Lifetime JPH0545009Y2 (ja) 1987-04-06 1987-04-06

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