JP2000349184A

JP2000349184A - 電子装置及びその製造方法

Info

Publication number: JP2000349184A
Application number: JP11159273A
Authority: JP
Inventors: Yoshihiro Yoshida; 芳博吉田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1999-06-07
Filing date: 1999-06-07
Publication date: 2000-12-15

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は基板が反っていたり凹凸がある場合に
も適切に接続を行う電子装置及びその製造方法を提供す
る。【解決手段】電子装置１は、電子部品３が実装され反り
や凹凸を有する基板２を、突起電極７を介して母基板上
に接続するに際して、基板２の電極上に通常の半田より
も融点の高い高温半田５を形成し、当該高温半田５の先
端部に通常の半田よりも融点の高い金属ボール６を取り
付けて高温半田５と金属ボール６からなる突起電極７を
形成し、高温半田５が基板２に接触した状態で金属ボー
ル６の先端が、破線で示す仮想平面上に位置する状態に
金属ボール６を基板２から離隔する方向に引き上げ、金
属ボール６にレーザビームを照射して高温半田５を溶融
して、突起電極７を基板２に接合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子装置及びその
製造方法に関し、詳細には、基板が反っていたり凹凸が
ある場合にも適切に接続を行う電子装置及びその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子装置におけるＢＧＡ（ボール・グリ
ッド・アレイ）構造のパッケージの母基板への接続にお
いては、接続端子が半田ボールであるという構造上、パ
ッケージに使用される基板に反りがあると、接続不良が
発生しやすくなる。この基板の反りは、基板を加熱する
加熱プロセスで発生する。

【０００３】そこで、基板は、その材料として、反りを
抑制することのできるＢＴレジン（商品名）等の高価な
基板材料を使用している。パッケージに使用される基板
に反りが発生しても接続端子先端が平面上にあれば、母
基板との良好な接続が得られる。ただし通常の半田を用
いた場合母基板との接続時に半田が溶融し、オープンや
ショートが発生する可能性がある。

【０００４】このような母基板との間がオープンになっ
たり、ショートが発生することを防止するには、接続端
子先端を基板の反りを吸収して平坦面を形成するよう
に、突起電極の高さを高く、すなわち、接続端子先端を
一定位置にした状態で高融点半田で接続端子の先端が基
板の反りとは関係なく平面に存在するような接続端子を
形成する必要があるが、母基板との接続時にこの突起電
極形状を維持するためには、突起電極が半田より高融点
である必要がある。

【０００５】このような反りのある基板を平面性の高い
母基板に接続する技術としては、従来、例えば、特開平
７−１９３０９９号公報に記載されている半導体チップ
の実装方法がある。この半導体チップの実装方法は、ワ
イヤボンダーを用いて、半導体チップに設けられた電極
パッドに突起付ボールバンプを形成する工程、前記突起
付ボールバンプの上面に転写法により、導電性ペースト
を付着させる工程、基板に設けられた搭載パッドにスク
リーン印刷法により、前記導電性ペーストを付着させる
工程、前記導電性ペーストの上に金属ボールを搭載する
工程、前記突起付ボールバンプと前記金属ボールとを目
合わせして、前記基板の上に前記半導体チップを搭載す
る工程、前記突起付ボールバンプと前記金属ボールと前
記搭載パッドとを接合する工程、とを含むことを特徴と
している。

【０００６】また、従来、セラミックまたはエポキシを
基板とし、この基板にボール状の複数の電極が設けられ
る半導体製品のボール状電極を加工する半導体装置であ
って、前記電極の溶融温度以下で電極を加熱するととも
に、この電極を平坦な基台表面に押圧することにより、
電極の先端面の高さを揃える半導体装置の製造方法が提
案されている（特開平９−１５３５１３号公報参照）。

【０００７】この半導体装置の製造方法は、ＢＧＡ製品
に形成された半田ボール電極を、溶融させない適度な温
度まで加熱するとともに、平坦な基台表面に押圧して、
電極の先端面の高さを揃えている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に記載された技術を用いて電極先端を平面上に揃えて
も、以下のような問題があった。

【０００９】すなわち、溶融した高温半田の先端高さを
一定に、すなわち、ある程度の高さを保った状態にする
のは困難であり、また、、高融点半田をリフローで溶融
させるには高耐熱基板が必要になり、基板コストが高く
なるという問題がある。この問題に関して、半導体チッ
プの接続においては、高温半田を使用する技術はある
が、基板の耐熱温度の関係から、通常の基板に対して高
温半田を使用する技術はなっかった。

【００１０】そこで、請求項１記載の発明は、電子部品
が実装され反りあるいは凹凸を有する子基板を、突起電
極を介して母基板上に接続するに際して、子基板の電極
上に通常の半田よりも融点の高い高融点金属を形成し、
当該高融点金属の先端部に通常の半田よりも融点の高い
球状金属を取り付けて高融点金属と球状金属からなる突
起電極を形成し、高融点金属が子基板に接触した状態で
球状金属の先端が所定の仮想平面上に位置する状態に球
状金属を子基板から離隔する方向に引き上げ、球状金属
に所定の光を照射して高融点金属を溶融して、突起電極
を子基板に接合することにより、２種類の高融点金属の
使用と光による局部短時間加熱による突起電極の形成先
端を仮想平面上に位置させた状態で球状金属を光で加熱
して高融点金属を基板に接続して、突起電極が子基板の
反りや凹凸とは関係なく平面上に存在するようにし、子
基板の反りあるいは凹凸を当該突起電極の高さで吸収し
て、子基板と母基板を適切にかつ安価に接続した電子装
置を提供することを目的としている。

【００１１】請求項２記載の発明は、球状金属として、
銅あるいは銅合金を用い、高融点金属として、通常の半
田よりも融点の高い高融点半田を用いることにより、よ
り一層安価に突起電極を形成し、子基板の反りあるいは
凹凸を当該突起電極の高さで吸収して、子基板と母基板
を適切にかつより一層安価に接続した電子装置を提供す
ることを目的としている。

【００１２】請求項３記載の発明は、電子部品が実装さ
れ反りあるいは凹凸を有する子基板を、突起電極を介し
て母基板上に接続するに際して、子基板の電極上に通常
の半田よりも融点の高い高融点金属を形成し、当該高融
点金属の先端部に通常の半田よりも融点の高い球状金属
を取り付けて高融点金属と球状金属からなる突起電極を
形成し、高融点金属が子基板に接触した状態で球状金属
の先端が所定の仮想平面上に位置する状態に球状金属を
子基板から離隔する方向に引き上げ、球状金属に所定の
光を照射して高融点金属を溶融して、突起電極を子基板
に接合することにより、２種類の高融点金属の使用と光
による局部短時間加熱による突起電極の形成先端を仮想
平面上に位置させた状態で球状金属を光で加熱して高融
点金属を基板に接続して、突起電極が子基板の反りや凹
凸とは関係なく平面上に存在するようにし、子基板の反
りあるいは凹凸を当該突起電極の高さで吸収して、子基
板と母基板を適切にかつ安価に接続する電子装置の製造
方法を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明の電
子装置は、電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有す
る子基板を、突起電極を介して母基板上に接続した電子
装置であって、前記子基板の電極上に通常の半田よりも
融点の高い高融点金属が形成され、当該高融点金属の先
端部に前記通常の半田よりも融点の高い球状金属が取り
付けられて前記高融点金属と前記球状金属からなる前記
突起電極が形成され、前記高融点金属が前記子基板に接
触した状態で前記球状金属の先端が所定の仮想平面上に
位置する状態に前記球状金属が前記子基板から離隔する
方向に引き上げられて、前記球状金属に所定の光が照射
されて前記高融点金属が溶融され、前記突起電極が前記
子基板に接合されていることにより、上記目的を達成し
ている。

【００１４】上記構成によれば、電子部品が実装され反
りあるいは凹凸を有する子基板を、突起電極を介して母
基板上に接続するに際して、子基板の電極上に通常の半
田よりも融点の高い高融点金属を形成し、当該高融点金
属の先端部に通常の半田よりも融点の高い球状金属を取
り付けて高融点金属と球状金属からなる突起電極を形成
し、高融点金属が子基板に接触した状態で球状金属の先
端が所定の仮想平面上に位置する状態に球状金属を子基
板から離隔する方向に引き上げ、球状金属に所定の光を
照射して高融点金属を溶融して、突起電極を子基板に接
合しているので、２種類の高融点金属の使用と光による
局部短時間加熱による突起電極の形成先端を仮想平面上
に位置させた状態で球状金属を光で加熱して高融点金属
を基板に接続して、突起電極が子基板の反りや凹凸とは
関係なく平面上に存在するようにすることができ、子基
板の反りあるいは凹凸を当該突起電極の高さで吸収し
て、子基板と母基板を適切にかつ安価に接続することが
できる。

【００１５】この場合、例えば、請求項２に記載するよ
うに、前記球状金属は、銅あるいは銅合金で形成され、
前記高融点金属は、前記通常の半田よりも融点の高い高
融点半田で形成されていてもよい。

【００１６】上記構成によれば、球状金属として、銅あ
るいは銅合金を用い、高融点金属として、通常の半田よ
りも融点の高い高融点半田を用いているので、より一層
安価に突起電極を形成することができ、子基板の反りあ
るいは凹凸を当該突起電極の高さで吸収して、子基板と
母基板を適切にかつより一層安価に接続することができ
る。

【００１７】請求項３記載の発明の電子装置の製造方法
は、電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有する子基
板を、突起電極を介して母基板上に接続する電子装置の
製造方法であって、前記子基板の電極上に通常の半田よ
りも融点の高い高融点金属を形成する高融点金属形成工
程と、当該高融点金属の先端部に前記通常の半田よりも
融点の高い球状金属を取り付けて前記突起電極を形成す
る球状金属形成工程と、前記高融点金属が前記子基板に
接触した状態で前記球状金属の先端が所定の仮想平面上
に位置する状態に前記球状金属を前記子基板から離隔す
る方向に引き上げる引き上げ工程と、前記球状金属に所
定の光を照射して前記高融点金属を溶融させ前記突起電
極を前記子基板に接合する接合工程と、を順次行うこと
により、上記目的を達成している。

【００１８】上記構成によれば、電子部品が実装され反
りあるいは凹凸を有する子基板を、突起電極を介して母
基板上に接続するに際して、子基板の電極上に通常の半
田よりも融点の高い高融点金属を形成し、当該高融点金
属の先端部に通常の半田よりも融点の高い球状金属を取
り付けて高融点金属と球状金属からなる突起電極を形成
し、高融点金属が子基板に接触した状態で球状金属の先
端が所定の仮想平面上に位置する状態に球状金属を子基
板から離隔する方向に引き上げ、球状金属に所定の光を
照射して高融点金属を溶融して、突起電極を子基板に接
合するので、２種類の高融点金属の使用と光による局部
短時間加熱による突起電極の形成先端を仮想平面上に位
置させた状態で球状金属を光で加熱して高融点金属を基
板に接続して、突起電極が子基板の反りや凹凸とは関係
なく平面上に存在するようにすることができ、子基板の
反りあるいは凹凸を当該突起電極の高さで吸収して、子
基板と母基板を適切にかつ安価に接続することができ
る。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下に述
べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるか
ら、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本
発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定す
る旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもので
はない。

【００２０】図１〜図６は、本発明の電子装置及びその
製造方法の一実施の形態を示す図であり、図１は、本実
施の形態の電子装置及びその製造方法の適用される電子
装置１の要部正面拡大断面図である。

【００２１】図１において、電子装置１は、基板（子基
板）２の片面にＬＳＩ（Large Scale Integrated circu
it：大規模集積回路）等の電子部品３が半田４で接続さ
れて実装されており、当該基板２の他面には、図示しな
い電極上に高温半田（高融点金属）５と金属ボール（球
状金属）６からなる突起電極７が接続されている。この
突起電極７は、基板２の電極上に接続された高温半田５
と、当該高温半田５の先端部に接続固定された金属ボー
ル６で構成され、金属ボール６の上端は、図１に破線で
示すように、同一平面（仮想平面）上に位置する状態で
高温半田５に接続固定されている。

【００２２】上記電子装置１は、以下の手順で製造され
る。まず、図２に示すように、基板２への高温半田取付
工程処理を行う。すなわち、片面に電子部品３が実装さ
れて反りや凹凸のある基板２の他面の電極上に、高温半
田５のペーストを印刷する。この基板２としては、本実
施の形態では、４０ｍｍ□の６層ビルドアップ基板を使
用しており、構成は、コア：４層ＦＲ−４、ビルドアッ
プ層：ポリイミドで、接続端子は１．２７ｍｍピッチ２
列で２１６端子形成した。この基板２の端子電極上に、
上記高温半田５のペーストを印刷する。そして、本実施
の形態では、高温半田５として、通常の半田よりも融点
の高いＳｎ１０：Ｐｂ９０半田（ペースト）を使用し、
金属ボール６として、直径０．７５ｍｍの銅ボールを使
用している。なお、金属ボール６としては、通常の半田
よりも融点の高い金属であればよく、例えば、銅合金等
であってもよい。

【００２３】次に、図３に示すように、金属ボール配列
工程処理を行う。すなわち、吸着・配列治具１０で金属
ボール６を所定のパターンで吸着する。この吸着・配列
治具１０は、図４に示すように、光透過性を有する石英
ガラス１１と感光性ガラス１２で中空部１３を有する箱
状に形成され、感光性ガラス１２で形成された吸着・配
列治具１０の下面には、金属ボール６を吸着するための
複数の開孔部１４が、金属ボール６を基板２に形成され
た高温半田５のパターンに対応するパターンで形成され
ている。また、吸着・配列治具１０は、その側面に内部
の空気を排出して金属ボール６を開孔部１４に吸着する
ための吸引孔１５が形成されており、吸引孔１５には、
図示しない吸引ポンプに吸引チューブで接続されて、中
空部内の空気を吸引して、金属ボール６を開孔部１４に
吸着する。さらに、吸着・配列治具１０は、上記開孔部
１４の形成された感光性ガラス１２の当該開孔部１４以
外に反射コート（図示略）が形成されている。このよう
な吸着・配列治具１０で、吸引孔１５から中空部１３内
の空気を吸引して、金属ボール６を開孔部１４に吸着す
る。

【００２４】次に、図５に示すように、引き上げ工程
処理を行う。すなわち、吸着・配列治具１０を基板２の
端子電極に接続された高温半田５と位置合わせを行っ
て、吸着・配列治具１０を基板２の方向に一旦押し付け
た後、吸着・配列治具１０を基板２の反りや凹凸を吸収
して、金属ボール６の上端が一平面上に並ぶのに充分な
高さ、例えば、０．１〜０．４ｍｍだけ、引き上げる。

【００２５】次に、図６に示すように、光加熱接続工程
処理を行う。すなわち、上述のように、吸着・配列治具
１０を基板２から所定高さだけ引き上げた状態で、吸着
・配列治具１０の上部に配置したレーザ発生器１６から
レーザビーム、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Gar
net ）レーザビームを光透過性の石英ガラス１２を透過
させて、各開孔部１４に向けて照射して、開孔部１４に
吸着されている金属ボール６に照射して加熱する。この
レーザ発生器１６の出力を、０．２ジュール〜１ジュー
ルに、ビーム径を、１００μｍ〜４００μｍに設定し
て、レーザビームを金属ボール６に照射すると、金属ボ
ール６がスポット加熱されて、金属ボール６に接触して
いる高温半田５が溶融し、基板２の端子電極に高温半田
５を介して金属ボール６が接続される。この場合、レー
ザ発生器１６がＹＡＧレーザの発生器であると、上記出
力を、０．２ジュール〜１ジュールに、ビーム径を、１
００μｍ〜４００μｍに設定した場合、レーザビームを
１パルス〜４パルス照射することで、高温半田５を溶融
させて、基板２の端子電極に高温半田５を介して金属ボ
ール６を接続することができる。

【００２６】この光加熱接続工程処理においては、吸着
・配設治具１０の感光性ガラス１２の開孔部１４以外の
部分に、反射コートが形成されているため、レーザ発生
器１６の誤作動や位置ずれ等によりレーザビームが開孔
部１４からずれた場合にも、基板２にレーザビームが直
接照射されて、基板２に損傷を与えることを防止するこ
とができる。

【００２７】なお、この工程処理においては、全体、す
なわち、吸着・配列治具１０、基板２、電子部品３、半
田４、高温半田５及び金属ボール６を不活性雰囲気中に
入れて工程作業を行うと、酸化を防止する上で、有効で
ある。また、吸着・配列治具１０に予熱機構を設ける
と、作業時間を短縮することができる。

【００２８】次に、切り離し工程処理を行う。すなわ
ち、上述のように、レーザビームの照射を行って、接続
を完了すると、レーザ発生器１６からのレーザビームの
照射を停止した後、吸引ポンプを停止させて、吸着・配
列治具１０による吸引を停止させ、吸着・配列治具１０
を金属ボール６から切り離す。

【００２９】吸着・配列治具１０を金属ボール６から切
り離すと、図１に示したように、基板２の各端子電極
に、高温半田５と高温半田５の先端に接続された金属ボ
ール６からなる突起電極７が接続・形成され、突起電極
７の先端である金属ボール６の上端は、破線で示すよう
に同一平面上に位置した状態となる。

【００３０】このように、本実施の形態の電子装置１
は、電子部品３が実装され反りあるいは凹凸を有する基
板２を、突起電極７を介して母基板上に接続するに際し
て、基板２の電極上に通常の半田よりも融点の高い高温
半田５を形成し、当該高温半田５の先端部に通常の半田
よりも融点の高い金属ボール６を取り付けて高温半田５
と金属ボール６からなる突起電極７を形成し、高温半田
５が基板２に接触した状態で金属ボール６の先端が、図
１に破線で示す仮想平面上に位置する状態に金属ボール
６を基板２から離隔する方向に引き上げ、金属ボール６
にレーザビームを照射して高温半田５を溶融して、突起
電極７を基板２に接合している。

【００３１】したがって、２種類の高融点金属の使用と
光による局部短時間加熱による突起電極７の形成先端を
仮想平面上に位置させた状態で金属ボール６を光で加熱
して高温半田５を基板２に接続して、突起電極５が基板
２の反りや凹凸とは関係なく平面上に存在するようにす
ることができ、基板２の反りあるいは凹凸を当該突起電
極７の高さで吸収して、基板２と母基板を適切にかつ安
価に接続することができる。

【００３２】また、本実施の形態では、金属ボール６と
して、銅あるいは銅合金を用い、高融点金属として、通
常の半田よりも融点の高い高温半田５を用いている。

【００３３】したがって、より一層安価に突起電極７を
形成することができ、７基板の反りあるいは凹凸を当該
突起電極７の高さで吸収して、基板２と母基板を適切に
かつより一層安価に接続することができる。

【００３４】なお、本実施の形態においては、レーザ発
生器１６からレーザビームを金属ボール６に照射して高
温半田５を溶融させているが、レーザビームを用いるも
のに限るものではなく、例えば、図７に示すように、キ
セノンランプを光源とする光加熱装置２０を用いてもよ
い。

【００３５】図７では、電子装置の作成工程の光加熱接
続工程処理において、吸着・配列治具１０の上部に、光
加熱装置２０が配置され、光加熱装置２０は、光源２１
と反射板２２を備えている。光源２１としては、例え
ば、キセノンランプが用いられ、反射板２２は、例え
ば、半球形状に形成されて、内面に光反射面を有してい
る。光加熱装置２０は、光照射時、光源２１が点灯さ
れ、点灯された光源２１の光を反射板２２で反射して、
吸着・配列治具１０の開孔部１４に集光させて照射す
る。このときの光ビーム形状は、例えば、４０×１ｍｍ
である。なお、光源２１としては、キセノンランプに限
るものではない。

【００３６】この光加熱装置２０を用いて光加熱接続工
程処理で、上記光ビーム形状の光を各開孔部１４に集光
させて、照射させると、各開口部１４当たり５秒〜１５
秒の照射で適切に高温半田５を溶融させて、基板２の端
子電極に高温半田５を介して金属ボール６を接続するこ
とができた。

【００３７】以上、本発明者によってなされた発明を好
適な実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
上記のものに限定されるものではなく、その要旨を逸脱
しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。

【００３８】

【発明の効果】請求項１記載の発明の電子装置によれ
ば、電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有する子基
板を、突起電極を介して母基板上に接続するに際して、
子基板の電極上に通常の半田よりも融点の高い高融点金
属を形成し、当該高融点金属の先端部に通常の半田より
も融点の高い球状金属を取り付けて高融点金属と球状金
属からなる突起電極を形成し、高融点金属が子基板に接
触した状態で球状金属の先端が所定の仮想平面上に位置
する状態に球状金属を子基板から離隔する方向に引き上
げ、球状金属に所定の光を照射して高融点金属を溶融し
て、突起電極を子基板に接合しているので、２種類の高
融点金属の使用と光による局部短時間加熱による突起電
極の形成先端を仮想平面上に位置させた状態で球状金属
を光で加熱して高融点金属を基板に接続して、突起電極
が子基板の反りや凹凸とは関係なく平面上に存在するよ
うにすることができ、子基板の反りあるいは凹凸を当該
突起電極の高さで吸収して、子基板と母基板を適切にか
つ安価に接続することができる。

【００３９】請求項２記載の発明の電子装置によれば、
球状金属として、銅あるいは銅合金を用い、高融点金属
として、通常の半田よりも融点の高い高融点半田を用い
ているので、より一層安価に突起電極を形成することが
でき、子基板の反りあるいは凹凸を当該突起電極の高さ
で吸収して、子基板と母基板を適切にかつより一層安価
に接続することができる。

【００４０】請求項３記載の発明の電子装置の製造方法
によれば、電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有す
る子基板を、突起電極を介して母基板上に接続するに際
して、子基板の電極上に通常の半田よりも融点の高い高
融点金属を形成し、当該高融点金属の先端部に通常の半
田よりも融点の高い球状金属を取り付けて高融点金属と
球状金属からなる突起電極を形成し、高融点金属が子基
板に接触した状態で球状金属の先端が所定の仮想平面上
に位置する状態に球状金属を子基板から離隔する方向に
引き上げ、球状金属に所定の光を照射して高融点金属を
溶融して、突起電極を子基板に接合するので、２種類の
高融点金属の使用と光による局部短時間加熱による突起
電極の形成先端を仮想平面上に位置させた状態で球状金
属を光で加熱して高融点金属を基板に接続して、突起電
極が子基板の反りや凹凸とは関係なく平面上に存在する
ようにすることができ、子基板の反りあるいは凹凸を当
該突起電極の高さで吸収して、子基板と母基板を適切に
かつ安価に接続することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電子装置及びその製造方法の一実施の
形態を適用した電子装置の要部正面拡大断面図。

【図２】図１の電子装置の製造工程である高温半田取付
工程処理で基板に高温半田を取り付けた状態の拡大正面
断面図。

【図３】図１の電子装置の製造工程である金属ボール配
列工程処理で使用する吸着・配列治具に金属ボールを吸
着させている状態の正面拡大断面図。

【図４】図３の吸着・配列治具及びレーザ発生器の拡大
正面断面図。

【図５】図１の電子装置の製造工程である引き上げ工程
処理で吸着・配列治具で吸着している金属ボールを基板
上の高温半田に付着させた後に引き上げている状態の正
面拡大断面図。

【図６】図１のの電子装置の製造工程である光加熱接続
工程処理で吸着・配列治具で引き上げた金属ボールにレ
ーザビームを照射して加熱接続している状態の正面拡大
断面図。

【図７】本発明の電子装置及びその製造方法で使用する
他の光加熱装置と配列・吸着治具の拡大正面断面図。

【符号の説明】

１電子装置２基板３電子部品４半田５高温半田６金属ボール７突起電極１０吸着・配列治具１１石英ガラス１２感光性ガラス１３中空部１４開孔部１５吸引孔１６レーザ発生器２０光加熱装置２１光源２２反射板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有
する子基板を、突起電極を介して母基板上に接続した電
子装置であって、前記子基板の電極上に通常の半田より
も融点の高い高融点金属が形成され、当該高融点金属の
先端部に前記通常の半田よりも融点の高い球状金属が取
り付けられて前記高融点金属と前記球状金属からなる前
記突起電極が形成され、前記高融点金属が前記子基板に
接触した状態で前記球状金属の先端が所定の仮想平面上
に位置する状態に前記球状金属が前記子基板から離隔す
る方向に引き上げられて、前記球状金属に所定の光が照
射されて前記高融点金属が溶融され、前記突起電極が前
記子基板に接合されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】前記球状金属は、銅あるいは銅合金で形成
され、前記高融点金属は、前記通常の半田よりも融点の
高い高融点半田で形成されていることを特徴とする請求
項１記載の電子装置。
【請求項３】電子部品が実装され反りあるいは凹凸を有
する子基板を、突起電極を介して母基板上に接続する電
子装置の製造方法であって、前記子基板の電極上に通常
の半田よりも融点の高い高融点金属を形成する高融点金
属形成工程と、当該高融点金属の先端部に前記通常の半
田よりも融点の高い球状金属を取り付けて前記突起電極
を形成する球状金属形成工程と、前記高融点金属が前記
子基板に接触した状態で前記球状金属の先端が所定の仮
想平面上に位置する状態に前記球状金属を前記子基板か
ら離隔する方向に引き上げる引き上げ工程と、前記球状
金属に所定の光を照射して前記高融点金属を溶融させ前
記突起電極を前記子基板に接合する接合工程と、を順次
行うことを特徴とする電子装置の製造方法。