JP2000357738A - 配線構造の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置やマイクロマシン装置用の配線構
造を低コストで容易に製造できるようにする。 【解決手段】 金属配線１０６を有する基板１０１上
に、感光性樹脂膜１０７を形成する。次に、金属配線１
０６よりも幅が狭く、光を透過するパターンを有するフ
ォトマスク１０８を用い、紫外線１０９を露光し、金属
配線１０６上の感光性樹脂膜１０７に潜像１１０を形成
する。その際、感光性樹脂膜１０７の起伏に合わせて露
光量を設定する。次に、潜像１１０部分と未感光部分の
膜厚差とエッチング速度差がバランスする現像条件で現
像処理して感光性樹脂膜１０７を平坦化する。次に、ハ
ードベークすることによって、感光性樹脂膜１０７を硬
化させると共に、感光剤を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置やマ
イクロマシン装置などを構成している基板上に形成され
る配線構造の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置やマイクロマシン装置を製作
するためには、周囲を絶縁膜で絶縁された配線構造を形
成したり、多層構造の配線を実現することが必要であ
る。その場合、配線切れなどの原因となる段差をなくす
ため、配線が接する絶縁膜の表面を平坦化する平坦化技
術が必要である。従来、半導体装置、特に半導体集積回
路装置の配線形成に用いられてきた平坦化技術に、化学
的機械的研磨（ＣＭＰ）法とエッチバック法がある。こ
れらの技術を用いた半導体装置やマイクロマシン装置の
配線構造の製造方法に関して図を参照して説明する。

【０００３】まず、図７を参照してＣＭＰ法の例を説明
する。図７（ａ）に示すように、絶縁層３０２を有する
半導体基板３０１上に配線材料３０３を堆積し、フォト
リソグラフィーにより配線構造形成部上にレジストパタ
ン３０４を形成する。次に、レジストパタン３０４をマ
スクとして配線材料３０３をエッチングし、その後レジ
ストパタン３０４を除去することで、図７（ｂ）に示す
金属配線３０５を半導体基板３０１上に形成する。次
に、図７（ｃ）に示すように、半導体基板３０１と金属
配線３０５を覆う絶縁膜３０６を堆積する。次に、絶縁
膜３０６の凸になった部分をＣＭＰ法で削ることで、図
７（ｄ）に示す平坦化された絶縁膜３０６を得る。

【０００４】次に、図８を参照してエッチバック法の例
を説明する。図８（ａ）〜（ｃ）は、図７（ａ）〜
（ｃ）と同じであるので説明を省略する。次に、図８
（ｄ）に示すように、絶縁膜３０６上に新たにレジスト
３０７を塗布して平らな表面を作る。次に、絶縁膜３０
６とレジスト３０７のエッチング速度が同じになる条件
で、プラズマエッチングを行い、図８（ｅ）に示す平坦
化された絶縁膜３０６を得る。

【０００５】また、前述した方法と露光技術を複合した
平坦化方法も知られている。この平坦化方法について、
図９を参照して説明する。図９（ａ）〜（ｃ）は、図７
（ａ）〜（ｃ）と同じであるので説明を省略する。次
に、絶縁膜３０６上に新たにフォトレジスト３０８を塗
布し、図９（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィー
により凸状の部分だけフォトレジスト３０８が被覆しな
いようにパターニングする。次に、フォトレジスト３０
８をマスクとして絶縁膜３０６をエッチングし、その後
フォトレジスト３０８を除去することで、図９（ｅ）に
示す、残留突起３０９を有する絶縁膜３０６を得る。次
に、この残留突起３０９をさらにエッチング若しくはＣ
ＭＰ法で除去し、図９（ｆ）に示す平坦化された絶縁膜
３０６を得る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た方法では、絶縁膜を堆積する装置や平坦化するための
装置などが必要であり、工程が複雑になることからコス
ト増やスループットの低下が避けられない。また、従来
の平坦化技術で用いる絶縁膜は、その用途から膜厚１μ
ｍ前後のものがほとんどであり、半導体センサやマイク
ロマシン装置などで必要とする数１０μｍの膜厚構造を
実現することは困難である。このため、厚い絶縁膜形成
が可能であり、平坦化も容易に実現できる方法が望まれ
ていた。本発明の目的は、半導体装置やマイクロマシン
装置用の配線構造を低コストで容易に実現できる製造方
法を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、この発明の配線構造の製造方法は、基板上に金
属配線を形成する工程と、基板上に形成された金属配線
の間に充填されかつ金属配線を覆う感光性を有する有機
材料からなる樹脂層を金属配線の厚さよりも厚く形成す
る工程と、樹脂層の所定領域に所定光量の紫外線を所定
時間照射することで樹脂層に潜像を形成する工程と、潜
像を有する樹脂層を所定条件で現像処理することで樹脂
層の起伏を平坦化する工程と、現像処理された樹脂層を
所定の温度に加熱処理することで感光性を消失させ、硬
化する工程とを備えたことによって特徴づけられる。

【０００８】この場合、配線構造の製造方法の一構成例
は、樹脂層が現像処理と加熱処理により平坦化され、金
属配線の表面が露出する厚さに加工されるようにした。
前述した配線構造の製造方法の一構成例は、さらに加熱
処理された樹脂層上と露出した金属配線上に次層の金属
配線を形成する工程と、樹脂層上に感光性を有する有機
材料からなる次層の樹脂層を次層の金属配線の厚みに所
定の厚みを加えた厚さで形成する工程と、次層の樹脂層
の所定領域に所定光量の紫外線を所定時間照射すること
で次層の樹脂層に潜像を形成する工程と、潜像を有する
次層の樹脂層を所定条件で現像処理することで次層の樹
脂層の起伏を平坦化する工程と、現像処理された次層の
樹脂層を所定の温度に加熱処理することで感光性を消失
させ、硬化する工程とからなる次層を形成する工程を備
え、次層を形成する工程を所定回数繰り返すようにし
た。

【０００９】また、さらに所定層数の金属配線形成後に
樹脂層を除去する工程を備えるようにした。この場合、
樹脂層を除去する工程の一構成例は、樹脂層の除去に酸
素プラズマを用いるようにした。また、配線構造の製造
方法の一構成例は、樹脂層に光が照射されたところが現
像処理で除去されやすくなるものを用いるようにした。
この場合、樹脂層にはポリイミド又はポリベンゾオキサ
ゾール前駆体を基質とした樹脂を用いるようにした。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下に図を用いてこの発明の実施
の形態を説明する。はじめに、この発明の第１の実施の
形態について、図１と図２を用いて説明する。この第１
の実施の形態は、基板上の配線を覆う絶縁層の表面を平
坦化するものである。

【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、絶縁層１
０２を有する基板１０１上に蒸着法を用いてクロムから
なる金属膜１０３を０．１μｍ程度に薄く形成し、加え
て、その金属膜１０３上に、金からなるシード膜１０４
を蒸着法により０．１μｍ程度に薄く形成する。ここ
で、金属膜１０３は、基板１０１と配線材料膜又はシー
ド膜１０４との密着性を向上させるために形成する。ま
た、例えば、配線材料膜に使用する材料の拡散を阻止し
たり、他の元素の移動を阻止するためのバリア膜として
用いる。なお、この金属膜１０３としては、使用する配
線材料の種類によって、それぞれ最適のものを選択する
ようにすればよい。また、配線材料膜をメッキ法で形成
する場合、用いる材料の組み合わせによっては、金属膜
１０３をシード膜として用いることもできる。

【００１２】次に、図１（ｂ）に示すように、シード膜
１０４上にフォトレジスト１０５を５．０μｍ程度の厚
さに塗布し、フォトリソグラフィーによりパターニング
を行って配線構造形成部からフォトレジスト１０５を取
り除き、シード膜１０４を露出させる。次に、図１
（ｃ）に示すように、電解メッキ法により、露出したシ
ード膜１０４上に金からなる配線材料膜を５．０μｍ程
度の厚さに形成した後、フォトレジスト１０５を剥離し
て金属配線１０６を形成する。なお、配線材料膜は、金
に限るものではなく、アルミや銅若しくは銀などを用い
ることもできる。また、メッキ法に限るものではなく、
スパッタ法やＣＶＤ法、あるいは、流動法など他の成膜
方法を用いるようにしてもよい。

【００１３】次に、図１（ｄ）に示すように、不要なシ
ード膜１０４と金属膜１０３をウェットエッチング処理
で取り除く。シード膜１０４の除去に用いる処理液は、
ヨウ素、ヨウ化アンモニウム、水、エタノールの混合液
で、エッチング速度は毎分０．０５μｍである。金属膜
１０３の除去に用いる処理液は、フェリシアン化カリ、
ＮａＯＨ、水の混合液で、エッチング速度は毎分０．１
μｍである。エッチング終了後、基板１０１を純水など
で洗浄して処理液を洗い流し、乾燥させる。

【００１４】次に、図２（ｅ）に示すように、配線構造
を有する基板１０１上に、スピンコートなどによって感
光性樹脂を８．０μｍの厚さに塗布し、これをプリベー
クして溶剤を揮発させて乾燥させることで、感光性樹脂
膜１０７を形成する。なお、当然であるが、この感光性
樹脂膜１０７は絶縁性の材料であり、以降で示す感光性
樹脂は、絶縁性を有しているものである。この感光性樹
脂膜１０７を構成する感光性樹脂としては、ポリイミ
ド，ポリアミド酸，ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）
などを基質としたベース樹脂に、ポジ型感光剤（ジアゾ
ナフトキノン等）を付加したポジ型感光性樹脂を用い
る。この場合、ＰＢＯをベース樹脂とするポジ型感光樹
脂では、例えば、住友ベークライト株式会社製のＣＲＣ
８３００（商品名）を用いて、良好な結果が得られた。
このＣＲＣ８３００の場合、プリベークは１２０℃に加
熱したホットプレートで４分間行う。

【００１５】次に、図２（ｆ）に示すように、金属配線
１０６よりも幅が狭く、光を透過するパターンを有する
フォトマスク１０８を用い、このフォトマスク１０８を
通して感光性樹脂膜１０７に紫外線１０９を露光し、金
属配線１０６上の感光性樹脂膜１０７に潜像１１０を形
成する。

【００１６】ここで、この露光工程を、より詳細に説明
すると、まず、用いるフォトマスク１０８には、所望と
する箇所に光透過部で構成された金属配線１０６よりも
幅が狭いパタン１０８ｃが形成され、また、例えば周辺
部には、マスクアライメントマークが形成されている。
すなわち、このフォトマスク１０８は、合成石英などか
ら構成された透明基板１０８ａに、クロムなどの金属膜
からなる遮光膜１０８ｂが形成され、その遮光膜１０８
ｂの所定のところに上述した光透過部からなるパタン１
０８ｃなどが形成されたものである。なお、ここでは、
ポジ型の感光性樹脂を用いるようにしているため、フォ
トマスク１０８のパタン１０８ｃは光透過部で構成する
ようにした。これに対し、ネガ型の感光性樹脂を用いる
場合は、例えば、合成石英などから構成された透明基板
に、クロムなどの金属膜からなる遮光体でパタンを構成
したマスクを用いるようにすればよい。

【００１７】露光に際しては、そのフォトマスク１０８
のパタン形成面を感光性樹脂膜１０７形成面に対向して
近設させる。このとき、基板１０１に形成されている基
板アライメントマークと上述したマスクアライメントマ
ークとの位置関係を所定の状態とすることで、基板１０
１とフォトマスク１０８との相対位置関係を所定の状態
とする。このことにより、フォトマスク１０８に形成さ
れている金属配線１０６よりも幅が狭いパタンの位置
が、金属配線１０６上の感光性樹脂膜１０７の位置に重
なる。以上の位置合わせを行った後、フォトマスク１０
８のパタンが形成されていない面側より紫外線１０９を
照射し、そのパタンを感光性樹脂膜１０７に転写するこ
とで、潜像１１０が形成される。その際、潜像１１０部
分の感光性樹脂膜１０７が所定の露光量を受けるように
紫外線出力と露光時間を決めておく。

【００１８】次に、現像処理を行う。現像処理は、現像
液を用いて潜像１１０が形成された感光性樹脂膜１０７
を除去する工程である。この場合、この第１の実施の形
態では、感光性樹脂膜１０７としてポジ型のＣＲＣ８３
００を用いているので、アルカリ水溶液の現像液を用い
る。なお、現像液は用いる感光性樹脂それぞれに適合し
たものを用いるようにする。ここで、この第１の実施の
形態で用いた感光性樹脂膜の露光量に対する現像による
膜減り量の関係を図３に示す。図３は、感光性樹脂膜の
光感光特性を示す特性図であり、横軸が感光性樹脂膜の
露光量で単位はｍＪ／ｃｍ²、縦軸が現像時間１分当た
りの膜減り量で単位はμｍである。同図によれば、露光
量ゼロでも膜減り量が発生することから、未感光部分も
現像液でエッチングされ、そのエッチング速度は毎分約
１．２μｍであることが分かる。さらに、感光した樹脂
部分はより早くエッチングされ、そのエッチング速度は
露光量によって変化することが分かる。よって、感光性
樹脂膜１０７の起伏に合わせて露光量と現像条件を設定
することにより、潜像部分と未感光部分の膜厚差とエッ
チング速度差がバランスして現像処理で平坦な形状が実
現できる。

【００１９】次に硬化処理を行う。硬化処理は、ポジ型
感光性樹脂をハードベークすることによって、樹脂を硬
化させると共に、感光剤を除去する工程である。ＣＲＣ
８３００の場合、窒素雰囲気下で、１５０℃で３０分間
ベークし、続けて３１０〜３２０℃で３０分間ベークす
る。ここで、この第１の実施の形態で用いた感光性樹脂
膜の硬化処理における膜減り量の硬化温度依存性を図４
に示す。同図において、横軸が感光性樹脂膜の硬化処理
温度で単位は℃、縦軸が前述の硬化処理による膜減り量
で単位はμｍである。これから硬化処理により、膜減り
することが分かる。以上の特性を考慮し、感光性樹脂膜
１０７の膜厚を決定することにより、現像処理と硬化処
理を行って、図２（ｇ）に示すように、平坦な絶縁層１
１２を得ることができる。具体的には、最終的に未露光
部分の膜厚が絶縁層１１２の厚さになるように、硬化処
理での減少分と現像時の減少分を絶縁層１１２の厚さに
加えた膜厚の感光性樹脂膜１０７を塗布形成する。この
第１の実施の形態では、２．０μｍ減少することを前提
に塗布形成した。

【００２０】以上説明したように、感光性樹脂膜を用い
ることにより、容易に絶縁層の表面を平坦に加工できる
ことが分かる。なお、上記第１の実施の形態では、ポジ
型の感光性樹脂を用いるようにしたが、ポリイミドやベ
ンゾシクロブテン（ＢＣＢ）にネガ型感光剤を付加した
ネガ型感光性樹脂を用いるようにしてもよい。このよう
に、ネガ型感光性樹脂を使用する場合には、前述したマ
スクのパタンの遮光部と透過部との関係を反転させれば
よい。この場合、マスクの遮光部のパタンは、金属配線
よりも幅が広いパタンにする。ただし、このネガ型の感
光性樹脂を用いる方法は、配線上の感光性樹脂のエッチ
ング速度を、例えば現像時間などの現像条件で制御す
る。このため、この方法と、前述した第１の実施の形態
のようにポジ型の感光性樹脂を用いる方法とを比較する
と、エッチング速度の制御性は露光量と現像条件を組み
合わせできるポジ型の感光性樹脂を用いる方が優れてい
る。

【００２１】次に、この発明の第２の実施の形態につい
て、図５と図６を用いて説明する。この第２の実施の形
態は、多層配線を基板上に形成するものである。ここで
は、基板との間に空隙を有する２層配線を基板上に形成
する場合を例にして説明する。ここで、絶縁層１０２を
有する基板１０１上に１層目の金属配線１０６を形成す
る工程と、この金属配線１０６を覆う絶縁層１１２の表
面を平坦化する工程は、第１の実施の形態で説明した図
１（ａ）〜（ｄ）及び図２（ｅ）〜（ｆ）と同じである
ので、説明を省略する。この場合、第１の実施の形態と
異なる点は、現像処理と硬化処理で１層目の金属配線１
０６の表面が露出するように感光性樹脂膜１０７をエッ
チングすることである。金属配線１０６の表面を露出さ
せる方法としては、最終的に感光性樹脂膜１０７の未露
光部分の膜厚が金属配線１０６の厚さになるように、硬
化処理での減少分と現像時の減少分を金属配線１０６の
厚さに加えた膜厚の感光性樹脂膜１０７を塗布形成する
方法を用いる。このようにして、図２（ｈ）に示すよう
な、絶縁層１１２が平坦化され、１層目の金属配線１０
６の表面が露出した基板１０１を得る。

【００２２】次に、図５（ａ）に示すように、基板１０
１の表面に蒸着法を用いてクロムからなる金属膜２０３
を０．１μｍ程度に薄く形成し、加えて、その金属膜２
０３上に、金からなるシード膜２０４を蒸着法により
０．１μｍ程度に薄く形成する。次に、図５（ｂ）に示
すように、シード膜２０４上にフォトレジスト２０５を
５．０μｍ程度の厚さに塗布し、フォトリソグラフィー
によりパターニングを行って配線構造形成部からフォト
レジスト２０５を取り除き、シード膜２０４を露出させ
る。

【００２３】次に、図５（ｃ）に示すように、電解メッ
キ法により、露出したシード膜２０４上に金からなる配
線材料膜を５．０μｍ程度の厚さに形成した後、フォト
レジスト２０５を剥離して２層目の金属配線２０６を形
成する。次に、図６（ｄ）に示すように、不要なシード
膜２０４と金属膜２０３を、この順にウェットエッチン
グ処理で取り除く。シード膜２０４と金属膜２０３の除
去に用いる処理液と処理方法は、第１の実施の形態で説
明したものと同じであるので、説明を省略する。次に、
酸素プラズマを用いて絶縁層１１２を除去する。これに
より、図５（ｅ）に示すような、基板との間に空隙を有
する２層配線が形成される。なお、目的により、絶縁層
１１２を除去せずに残してもよいことは言うまでもな
い。

【００２４】ところで、有機樹脂層を層間絶縁膜として
用いると、膜の応力が小さくひび割れが生じにくいた
め、厚くすることが可能であり、有機樹脂層をスピンコ
ートする場合でも、硬化後の厚さで１層を１０μｍ以上
に形成することが可能である。よって、この発明の方法
によれば、メッキ法と感光性ポリイミドのような有機系
絶縁膜を用いることにより金属配線や絶縁層の平坦化と
厚膜化が可能である。これにより金属配線を梁などの構
造体として使用することもでき、半導体センサやマイク
ロマシン装置の構造を容易に実現することができる。ま
た、この発明においては、ポジ型感光性樹脂の硬化処理
の温度（２５０〜３５０℃程度）を配線形成プロセスの
最高温度とすることが可能であるため、下地基板や下地
配線（層間絶縁膜や配線金属）の種類に対する適用範囲
が広いという効果がある。

【００２５】上記の実施の形態では、ポジ型感光樹脂内
に潜像を形成する際にマスクと感光性樹脂を近接して配
置し、１対１の倍率で露光する、いわゆる、密着（コン
タクト）又は近接（ソフトコンタクト）露光法を用いた
が、露光法に関しては、縮小投影露光法であってもよい
ことは言うまでもない。また、例えば、図１に示した基
板１０１上の絶縁層１０２の有無は、この発明とは直接
関わらない。すなわち、金属配線を電気配線として用い
ず、構造体として用いる場合、絶縁層１０２はなくても
よい。基板の種類や形状、あるいは集積回路等の搭載の
有無に関してもこの発明とは直接関わらない。また、感
光性樹脂の塗布は、スピンコートに限らず、均一な厚さ
に塗布できる方法であれば、スプレーコート法などほか
の方法でもよい。また、マスクのパタンを適宜変更し、
上述したこの発明による工程を繰り返すことによって、
多層配線が容易に形成できる。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の製造方
法を用いると、従来の配線工程に比べて大幅に工程数と
製造装置数を減らすことが可能なため、スループットの
大幅な向上とコストダウンを図ることができる。また、
有機樹脂膜を用いるために、１０μｍ以上の厚さの配線
を形成することもでき、半導体装置やマイクロマシン装
置の構造を容易に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の第１の実施の形態における配線構
造の製造方法を示す説明図である。

【図２】 図１に続く、この発明の第１の実施の形態に
おける配線構造の製造方法を示す説明図である。

【図３】 第１の実施の形態で用いるポジ型感光性樹脂
の光感光特性を示す特性図である。

【図４】 第１の実施の形態で用いるポジ型感光性樹脂
の温度特性を示す特性図である。

【図５】 この発明の第２の実施の形態における配線構
造の製造方法を示す説明図である。

【図６】 図５に続く、この発明の第２の実施の形態に
おける配線構造の製造方法を示す説明図である。

【図７】 従来のＣＭＰ法による配線構造の製造方法を
示す説明図である。

【図８】 従来のエッチバック法による配線構造の製造
方法を示す説明図である。

【図９】 露光技術を複合した従来の平坦化方法による
配線構造の製造方法を示す説明図である。

【符号の説明】

１０１…基板、１０２，１１２…絶縁層、１０３，２０
３…金属膜、１０４，２０４…シード膜、１０５，２０
５…フォトレジスト、１０６，２０６…金属配線、１０
７…感光性樹脂膜、１０８…フォトマスク、１０９…紫
外線、１１０…潜像。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７１ (72)発明者 石井 仁 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 久良木 億 東京都新宿区西新宿三丁目19番２号 日本 電信電話株式会社内 Ｆターム(参考） 5F033 HH07 HH08 HH11 HH13 MM05 PP06 PP15 PP19 PP27 QQ08 QQ09 QQ19 QQ32 QQ35 QQ74 RR22 SS21 VV13 XX01 XX34 5F046 AA20 AA26 JA04 JA22 LA12 LA18

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に金属配線を形成する工程と、 前記基板上に形成された前記金属配線の間に充填され、
   かつ前記金属配線を覆う、感光性を有する有機材料から
   なる樹脂層を前記金属配線の厚さよりも厚く形成する工
   程と、 前記樹脂層の所定領域に所定光量の紫外線を所定時間照
   射することで前記樹脂層に潜像を形成する工程と、 前記潜像を有する前記樹脂層を所定条件で現像処理する
   ことで前記樹脂層の起伏を平坦化する工程と、 現像処理された前記樹脂層を所定の温度に加熱処理する
   ことで感光性を消失させ、硬化する工程とを備えたこと
   を特徴とする配線構造の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 前記現像処理と前記加熱処理により、前記樹脂層を平坦
   化し、前記金属配線の表面が露出する厚さに加工するこ
   とを特徴とする配線構造の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 加熱処理された前記樹脂層上と露出した前記金属配線上
   に次層の金属配線を形成する工程と、 前記樹脂層上に感光性を有する有機材料からなる次層の
   樹脂層を前記次層の金属配線の厚みに所定の厚みを加え
   た厚さで形成する工程と、 前記次層の樹脂層の所定領域に所定光量の紫外線を所定
   時間照射することで前記次層の樹脂層に潜像を形成する
   工程と、 前記潜像を有する前記次層の樹脂層を所定条件で現像処
   理することで前記次層の樹脂層の起伏を平坦化する工程
   と、 現像処理された前記次層の樹脂層を所定の温度に加熱処
   理することで感光性を消失させ、硬化する工程とからな
   る次層を形成する工程を備え、 前記次層を形成する工程を所定回数繰り返すことを特徴
   とする配線構造の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 所定層数の金属配線形成後に前記樹脂層を除去する工程
   を備えたことを特徴とする配線構造の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項４記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 前記樹脂層を除去する工程は、樹脂層の除去に酸素プラ
   ズマを用いることを特徴とする配線構造の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５いずれか１項記載の配線構
   造の製造方法において、 前記樹脂層は光が照射されたところが前記現像処理で除
   去されやすくなることを特徴とする配線構造の製造方
   法。
7. 【請求項７】 請求項６記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 前記有機材料はポリイミドを基質とした樹脂であること
   を特徴とする配線構造の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項６記載の配線構造の製造方法にお
   いて、 前記有機材料はポリベンゾオキサゾール前駆体を基質と
   した樹脂であることを特徴とする配線構造の製造方法。